当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

普鲁士蓝薄膜电极

仪器信息网普鲁士蓝薄膜电极专题为您整合普鲁士蓝薄膜电极相关的最新文章,在普鲁士蓝薄膜电极专题,您不仅可以免费浏览普鲁士蓝薄膜电极的资讯, 同时您还可以浏览普鲁士蓝薄膜电极的相关资料、解决方案,参与社区普鲁士蓝薄膜电极话题讨论。

普鲁士蓝薄膜电极相关的论坛

  • 【讨论】【原创】一种基于普鲁士蓝修饰碳糊电极的过氧化氢化学传感器的制备

    【讨论】【原创】一种基于普鲁士蓝修饰碳糊电极的过氧化氢化学传感器的制备

    [color=red]说明:该贴目的,是想通过一个具体实例讨论化学和生物传感器的制备和检测方法。[/color]1. 实验比较简单,并未完成,我只是开个头,希望通过大家一起讨论来继续这个实验。2. 讨论内容至少可以包括:电极制备和检测方法;传感器参数的测定(灵敏度,检测极限,线性范围,反应时间,选择性,稳定性,重复性等)(请见[url=http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20060821/525421/]【资料】生物传感器的特性参数 [/url])。3. 欢迎任何想法和意见。[b]题目:[/b]一种基于普鲁士蓝修饰碳糊电极的过氧化氢化学传感器的制备(暂定)[/b]The fabrication of a chemsensor for detection of H2O2 based on Prussian Blue modified carbon paste electrode.[b]前言:[/b]普鲁士蓝(Prussian Blue,PB)对H2O2具有选择性还原作用,在各种化学和生物传感器中广泛用于对H2O2的检测。碳糊电极具有制备简单,易于更新,重现性好,电势窗口宽等优点,而且容易将各种功能性材料加入碳糊中制备修饰碳糊电极。本实验采用碳糊电极制备技术,制作普鲁士蓝修饰的碳糊电极,用于H2O2的定量检测。[b]材料和实验[/b]:材料:普鲁士蓝(粉末),石墨粉,固体石蜡。实验:1. 碳糊电极腔体制作。见图1,图2,电极空穴直径3mm,深度3mm。由一根铜棒实现电流导出。 [b]图1. 碳糊电极腔体(一)[/b][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/09/200609081346_26253_1618618_3.jpg[/img][b]图2. 碳糊电极腔体(二)[/b][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/12/200612041505_34288_1618618_3.jpg[/img]2. 碳糊及电极制备。将0.12g石蜡固体在红外灯下熔化,然后与0.06g普鲁士蓝和0.24g的石墨充分混合。将混合碳糊用力压入电极腔体,填实。最后将电极在称量纸上打磨光滑。3. 电极对H2O2的响应。通过CHI440A电化学工作站和三电极测试体系(工作电极:修饰碳糊电极,参比电极:饱和甘汞电极,对电极:铂丝),测试电极对H2O2的响应。[b]结果与讨论[/b]1. 修饰电极对H2O2的电化学响应。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/12/200612041506_34289_1618618_3.jpg[/img] [b]图3. 碳糊电极对H2O2响应的时间-电流曲线。[/b]2. 时间-电流曲线。工作电压:-0.1V 测试溶液:0.1M磷酸缓冲液(pH=6.9)每次加入一定量的H2O2于电解液中,使电解液中H2O2浓度每次增加0.25mM。时间-电流实验结果见图4.[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/09/200609081348_26254_1618618_3.jpg[/img][b]图4. 碳糊电极对H2O2响应的时间-电流曲线。[/b][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/09/200609081349_26255_1618618_3.jpg[/img][b]图5中的校正曲线显示时间-电流实验中,电流大小与H2O2浓度的关系。[/b]

  • 化学试剂--普鲁士蓝!

    普鲁士蓝,又名柏林蓝、贡蓝、铁蓝、亚铁氰化铁、中国蓝、滕氏蓝、密罗里蓝、华蓝。英文名称Prussian blue ,是一种古老的蓝色染料,可以用来上釉和做油画染料。中文名称: 普鲁士蓝  中文别名: (OC-6-11)-六氰合铁酸(4-)铁(3+)(3:4),柏林蓝,贡蓝,铁蓝,亚铁氰化铁,中国蓝,滕氏蓝,密罗里蓝,华蓝。  英文名称: Prussian blue ,Turnbull blue  英文别名: Steel blue,Ferric ferrocyanide,Milori blue,Chinese blue,Berlin blue  分子式: C6FeN6·4/3Fe、Fe43  分子量: 859.25  普鲁士蓝是一种古老的蓝色染料 可以用来上釉和做油画染料

  • 普鲁士蓝法测定氰化物现象不明显

    GB/T12496.14 木质活性炭试验方法 氰化物的测定测试方法中采用普鲁士蓝法测定。用异烟酸-吡唑啉酮法测得很高,但用普鲁士蓝现象观测不到。后用50μg/mL的标液2mL模拟试样进行试样,也无法得到标准所述的现象。求助,有谁做过~告诉我试样为什么失败了呢?、、

  • 【讨论】有关普鲁士蓝反应的问题讨论?(高手请进)

    【讨论】有关普鲁士蓝反应的问题讨论?(高手请进)

    最近实验接触到2个反应,如下:K+ + Fe3+ + 6]4- [/font][font=Wingdings]à[/font] KFe6][/font][font=宋体]↓(普鲁士蓝) …………………………… (1)[/font]K+ + Fe2+ + 6]3- [/font][font=Wingdings]à[/font] KFe6][/font][font=宋体]↓(滕氏蓝) …………………………… (2)也有人写成以下形式:[/font]4Fe3+ + 36]4- [/font][font=Wingdings]à[/font] Fe[sub]46][sub]3[/font][font=宋体]↓(普鲁士蓝) …………………………… (3)[/font]3Fe2+ + 26]3- [/font][font=Wingdings]à[/font] Fe[sub]36][sub]2[/font][font=宋体]↓(滕氏蓝) …………………………… (4)[/font]有资料介绍说,普鲁士蓝和滕氏蓝是同一种物质,从X射线结构分析证明,二者无论是化学组成还是空间结构都完全一样,那么,我的问题是:1、上面的两种写法中,哪一种是正确的?个人比较倾向于第一种写法,但现在大多数人好像用的都是第二种写法。2、如果第一种写法是比较正确的,那么,第二种写法是何时出现的?是X射线证明二者结构相同之前还是之后?3、如果已经证明二者是同一种物质,那么,第二种写法是不是就是错误的?因为第二种写法中,两个反应的产物根本就不是同一种物质,原子个数比例都不一样。4、如果第二种写法是错误的,那么,为什么现代人还那么乐此不疲的继续这种错误的写法?有没有人现在手上有教材的,可不可以帮我翻翻现在的教材上是怎么写的?上面的问题都不重要,最重要的是下面的问题,也是我一直没想明白的,请先看一张图片:[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/12/201012072242_265369_1613459_3.jpg[/img]从图片中我们了解到,不管反应原料如何,最终产物普鲁士蓝和滕氏蓝的结构都是一样的,在其空间结构中,都是N原子与Fe(III)键合,C原子与Fe(II)键合,K+则间隔地位于立方体中心(从这里也可以看出上面的第二种写法是错误的,产物里面应该有K+,而第二种写法中产物里面没有K+)。那么,我的最重要的问题出来了:5、既然产物都是N原子与Fe(III)键合,C原子与Fe(II)键合,这在黄血盐与Fe3+的反应中比较好理解,因为原料中的Fe2+本来就是与C原子相连接的,Fe3+也只好接到N原子上;但,问题是,在赤血盐与Fe2+的反应中,Fe2+是怎样把原本与C原子相连的Fe3+挤掉,而把自己挤进去与C原子相连的呢?而反应的产物居然还完全一样!难道原来的Fe3+就没有什么意见,心甘情愿的让位?根据我现在手上的资料,Fe2+和Fe3+在反应前都是直接与C原子相连的,结构如下:亚铁氰化钠的结构是这样的[img]http://www.dictchem.com/images/structrue0/13601-19-9.gif[/img] ,铁氰化钾的结构是这样的[img]http://www.chemyq.com/xz/img/img1/13746-66-2.gif[/img] 。虽然空间结构不完全如此(应该都是正八面体结构),但化学键的连接应该是没错的。而且,从稳定常数来看,铁氰络离子[Fe(CN)6]3+比亚铁氰络离子[Fe(CN)6]4+要稳定得多,他们的稳定常数如下表:[table=522][tr][td][color=black][font=宋体]配[/font][/color][color=black][font='Times New Roman'] [/font][/color][color=black][font=宋体]离[/font][/color][color=black][font='Times New Roman'] [/font][/color][color=black][font=宋体]子[/font][/color][/td][td][color=black][font='Times New Roman'][i]K[/i][/font][/color][sub][color=black][font='Times New Roman']f[/font][/color][color=black][font='Times New Roman'] ([/font][/color][color=black][font=宋体]稳定常数[/font][/color][color=black][font='Times New Roman'])[/font][/color][/td][/tr][tr][td][color=black][font='Times New Roman'] 6]3-[/font][/color][/td][td][color=black][font='Times New Roman']1.0×1042[/font][/color][/td][/tr][tr][td][color=black][font='Times New Roman'] 6]4-[/font][/color][/td][td][color=black][font='Times New Roman']1.0×1037[/font][/color][/td][/tr][/table]从表中的稳定常数看,铁氰络离子[Fe(CN)6]3+比亚铁氰络离子[Fe(CN)6]4+的稳定常数要大将近100000倍,我实在想不通,反应(2)中,Fe2+怎么能够从如此稳定的络离子中将Fe3+赶出来,而让自己钻进去,它是通过什么机理实现的呢?请大家踊跃讨论,特别是无机化学、分析化学、结构化学方面的专家高手请务必进来看看,希望能够答疑解惑。PS:由于这个问题与我们现有项目关系不大,只是提出来供大家讨论,所以不是很着急,我也没有标准答案,所以可能不会特别频繁的关注,如果我太长时间没有上来,而又到了该结贴的时间,希望斑竹帮我把分发给大家,先谢谢斑竹先。。。

  • 不会分析蓝宝石上薄膜xrd

    用MOCVD在a面蓝宝石上渡上GaN薄膜,xrd图谱中去掉背景后变成了三个峰,没有去时,只有一个峰,去掉后的三个峰中面间距差不多,都是五点几埃,有一个最强峰,右边有两个小小的峰,物相分析时无法找到GaN,最强峰可以与蓝宝石吻合,为什么啊,谢谢

  • 关于溶解氧薄膜电极的改进

    [font=&]【题名】: 关于溶解氧薄膜电极的改进[font=微软雅黑, &][color=#333333][/color][/font][/font][font=&]【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-HJKZ198403015.htm[/font]

  • 聚合物薄膜镀铝电极后做TG测试图

    聚合物薄膜镀铝电极后做TG测试图

    各位大神好,我这张图是聚合物薄膜镀铝电极后做TG测试图,第二个峰应该是聚合物的分解峰,那第一个峰代表什么呢,不吝赐教,谢谢了http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/03/201303181021_430734_2697935_3.jpg未镀电极的TG曲线:http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/03/201303181804_430872_1609898_3.jpg

  • 压电薄膜传感器_压电薄膜传感器详情

    话说这个压电薄膜传感器是具有一种很独特的特性的,它是一种动态模式的应变性传感器,一般通过在人体的皮肤表层进行植入或者植入到人体内部,用来监测人体的一些生命迹象以及特征。其中压电薄膜传感器里面的一些薄膜元件是非常灵敏的,可以隔着外套探测出人体的脉搏。OFweek Mall传感器商城网说一下压电薄膜传感器在医疗行业的应用。1、压电薄膜传感器工作原理当你拉伸或弯曲一片压电聚偏氟乙烯PVDF高分子膜(压电薄膜),薄膜上下电极表面之间就会产生一个电信号(电荷或电压),并且同拉伸或弯曲的形变成比例。一般的压电材料都对压力敏感,但对于压电薄膜传感器来说,在纵向施加一个很小的力时,横向上会产生很大的应力,而如果对薄膜大面积施加同样的力时,产生的应力会小很多。因此,压电薄膜传感器对动态应力非常敏感,28μm厚的PVDF的灵敏度典型值为10~15mV/微应变(长度的百万分率变化)。使用'动态应力'这个术语是因为形变产生的电荷会从与薄膜连接的电路流失,所以压电薄膜传感器并不能探测静态应力。当需要探测不同水平的预应力时,这反而成为压电薄膜传感器的优势所在。薄膜只感受到应力的变化量,最低响应频率可达0.1Hz。2、压电薄膜传感器特点压电薄膜很薄,质轻,非常柔软,可以无源工作,因此可以广泛应用于医用传感器,尤其是需要探测细微的信号时。显然,该材料的特点在供电受限的情况下尤为突出(在某些结构中,甚至还可以产生少量的能量)。而且压电薄膜传感器极其耐用,可以经受数百万次的弯曲和振动。3、压电薄膜传感器医疗应用利用压电薄膜传感器的动态应变片特性,可以轻松的将压电薄膜直接固定在人体皮肤上(例如手腕内侧)。精量电子—美国MEAS传感器的产品型号1001777是一款通用传感器,传感器的一侧涂有压力敏感胶。但这款胶未经生物兼容性认证,在短期试验中可以将3M9842(聚亚安酯胶带)固定在皮肤上,再将压电薄膜传感器粘贴在3M胶带上。压电薄膜之所以即能探测非常微小的物理信号又能感受到大幅度的活动,是因为PVDF膜的压电响应在相当大的动态范围内都是线性的(大约14个数量级)。多数情况下,只要能明显区分目标信号和噪声的带宽,细小的目标信号都可以通过过滤器采集到。类似的压电薄膜传感器已在睡眠紊乱研究中用于探测胸部,腿部,眼部肌肉和皮肤的运动。另外,传感器可以通过探测肌肉(例如拇指和食指之间的肌肉)对电击的反应作为检验麻醉效果的指示器(神经肌肉传导)。压电薄膜传感器包含范围:[color=#333333]气体流量传感器丨微型压力传感器丨绝对压力变送器丨微量氧传感器丨[/color][color=#333333]数字温湿度[/color][color=#333333]传感器丨煤气检测传感器丨气压感应器丨一氧化碳传感器丨h2传感器丨压阻式压力变送器丨硫化氢传感器丨co2气体传感器丨光离子传感器丨ph3传感器丨百分氧传感器丨bm传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]风速传感器丨voc传感器丨[/color][color=#333333]光纤应变传感器[/color][color=#333333]丨位置传感器丨[/color][color=#333333]meas压力[/color][color=#333333]传感器丨[/color][color=#333333]称重传感[/color][color=#333333]器丨甲烷传感器丨微流量传感器丨光纤应变传感器丨称重传感器丨三合一传感器丨sst传感器丨gss传感器丨ch4传感器丨氟利昂传感器丨硫化物传感器丨o3传感器丨双气传感器丨[url=http://mall.ofweek.com/1877.html]压电薄膜传感器[/url]丨一氧化氮传感器丨透明度传感器丨二氧化硫传感器丨氰化氢传感器丨煤气检测传感器丨燃气检测传感器丨电流氧传感器[/color]

  • 柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究 求助论文

    [align=center][b]柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究陈宇华中科技大学[/b][/align]摘要:[color=#666666]随着能源问题的日益突出,近年来太阳电池光伏发电技术发展迅猛。聚合物衬底柔性薄膜太阳电池凭借其耗材少、成本低、可卷曲(柔性)、重量比功率高、轻便等特点成为当前太阳电池研究领域的热点。 聚酰亚胺(PI)膜具有耐高温等优点,被本研究选作了柔性衬底材料。针对聚合物材料光透过率普遍偏低的情况,本研究设计了“柔性衬底/Al底电极/N/I/P/TCO(透明导电薄膜)”的倒结构柔性太阳电池,并制定了相应的工艺制备方案。 PI膜在高温200℃以上存在气体释放现象,本研究提出了PI膜的预烘(prebake)工艺,以解决PI膜高温释放气体问题,并通过实验确定了最佳的预烘工艺条件。在此基础上,为了保证沉积在PI膜上的Al底电极不掉膜不脱落,本研究探索了制备高电导、良好附着性的Al底电极的工艺。 本研究通过在PECVD沉积非晶硅薄膜的过程中通入CH4来制备宽带隙a-SiC:H薄膜作为电池窗口层以提高电池的性能,研究优化了其制备工艺条件。同时研究了获得高光暗电导比(δph/δd>105)的本征非晶硅层的制备工艺以及获得高暗电导的N型非晶硅膜... [/color]更多[url=https://kns.cnki.net/kcms/detail/detail.aspx?dbcode=CMFD&dbname=CMFD2010&filename=2009228005.nh]柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究 - 中国知网 (cnki.net)[/url]

  • 请问在哪可以测薄膜的红外反射谱

    请问在哪可以测薄膜的红外反射谱?范围是多大?价格多少?谢谢---您好,已转到 IR 版。下次发帖记得到对应的技术版面,新手版面的浏览量小 ,可能耽误您的问题。

  • 【求助】关于GaN薄膜断面分析

    【求助】关于GaN薄膜断面分析

    所传图片为GaN薄膜的断面分析,该图片有点不是太明白,想请各位前辈指导一下。在图中“A”代表什么?“B”是不是薄膜的最外层?“C”是不是超晶格结构层?“D”是不是也是一层GaN薄膜?在该图中基片层是不是没有显示出来?已知该薄膜为在蓝宝石衬底上生产的GaN薄膜,其中有超晶格结构。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/02/200902241106_134986_1874631_3.jpg[/img]

  • 压电薄膜传感器压力感应情况如何

    [align=left]因为压电薄膜传感器的电介质的击穿场强是强度参数,并且在压电薄膜传感器的膜中不可避免地存在各种缺陷,所以压电膜的击穿场强具有相当大的分散性 电介质介质的击穿理论,对于完整的薄膜,随着薄膜厚度的减小,击穿场强应逐渐增加。[/align]然而,在实践中,由于压电薄膜传感器的膜含有许多缺陷,因此厚度越小,缺陷的影响越显着。因此,当厚度减小到一定值时,膜的击穿场强度急剧下降。对于压电薄膜传感器薄膜击穿场强,除了薄膜本身外,在测试过程中还存在电极边缘的影响。膜越厚,电极边缘处的电场越不均匀,因此膜的厚度增加,击穿场强度逐渐减小。除了上述因素之外,压电薄膜传感器介电膜的击穿场强也取决于膜结构。对于压电薄膜,击穿场强度也取决于电场的方向,即就击穿场强而言它也是各向异性的。由于压电薄膜传感器多晶膜具有晶界,因此其击穿场强度低于非晶膜的击穿场强度。由于类似的原因,优先取向的压电薄膜传感器在晶粒取向方向上的穿透场强高于在垂直方向上的穿透场强。击穿场强度较低。与其他介电压电薄膜传感器一样,压电薄膜的击穿场强也取决于外部因素,如电压波形、频率、温度和电极。因为压电薄膜的击穿场强与许多因素有关,所以相关文献中报道的击穿场强度对于同一薄膜通常不一致或甚至不同。例如,ZnO膜的击穿场强为0.01。 ~0.4MV / cm,AlN膜为0.5至6.0MV / cm。压电薄膜传感器最重要的特征参数是谐振频率f0,声阻抗Za和机电耦合系数K,因此声速υ和温度系数、的声阻抗和压电薄膜的机电耦合系数是特别严格。压电薄膜传感器的薄膜的性质不仅取决于薄膜中颗粒的弹性,还取决于介电薄膜的压电和热性能,以及压电薄膜传感器的结构,如颗粒堆的紧密度和优先取向的程度。在压电薄膜中,由于晶粒具有许多缺陷和应变,因此它不是完美的单晶,因此薄膜的物理常数与晶体值略有不同。由于压电薄膜的微结构与制备过程密切相关,即使对于相同的压电薄膜,各种文献中报道的性能值也常常不一致。在所有无机有色金属压电薄膜中,AlN薄膜具有大的弹性常数,小的密度和最大的声速,因此该薄膜最适合于UHF和微波器件。表面声波性能当声波在压电介质中传播时,其粒子位移幅度随着距介质表面的距离的增加而迅速衰减。因此,表面声波能量主要集中在表面的下两个波长的范围内。压电薄膜传感器包含范围:[color=#333333]气体流量传感器丨绝对压力变送器丨微量氧传感器丨ph传感器丨水管温度传感器丨[/color]气体压力传感器[color=#333333]丨压电薄膜传感器https://mall.ofweek.com/1877.html丨气压感应器丨[/color][color=#333333]电化学传感器丨数字温湿度[/color][color=#333333]传感器丨煤气检测传感器丨h2传感器丨风速传感器丨超声波液位传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]微型压力传感器丨[/color]湿度传感器[color=#333333]丨[/color]微型传感器[color=#333333]丨[/color]气体传感器[color=#333333]丨[/color][color=#333333]一氧化碳传感器丨[/color][color=#333333]氧气传感器丨[/color][color=#333333]光纤传感器丨超声波传感器丨[/color][color=#333333]超声波风速传感器丨[/color][color=#333333]压阻式压力变送器丨[/color][color=#333333]voc传感器丨称重传感[/color][color=#333333]器[/color][color=#333333]丨气压传感器丨[/color][color=#333333]硫化氢传感器丨[/color][color=#333333]电流传感器丨[/color][color=#333333]光离子传感器丨[/color][color=#333333]流量传感器[/color][color=#333333]丨ph3传感器丨二[/color][color=#333333]氧化碳传感器丨百分氧传感器丨[/color][color=#333333]co2气体传感器丨位置传感器丨[/color][color=#333333]bm传感器丨风速传感器丨电流传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]气压传感器丨压力传感器丨meas压力[/color][color=#333333]传感器丨甲烷传感器丨传感器https://mall.ofweek.com/category_5.html丨微流量传感器丨光纤应变传感器丨一氧化氮传感器丨三合一传感器丨sst传感器丨gss传感器丨ch4传感器丨氟利昂传感器丨硫化物传感器丨o3传感器丨双气传感器丨透明度传感器丨二氧化硫传感器丨氰化氢传感器丨煤气检测传感器丨燃气检测传感器丨电流氧传感器[/color]

  • 【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    溅射制膜的过程:气体辉光放电、等离子体、靶、溅射、沉积到衬底(一)与蒸发法相比,溅射沉积的主要特点:①沉积原子能量高,因此薄膜的组织更致密,附着力也可以得到明显改善;②制备合金膜时,其成分的控制性能好;③靶材可以是极难熔的材料;④可利用反应溅射技术,从金属无素靶材制备化合物薄膜;⑤由于被沉积的原子均携带有一定的能量,因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力,降低薄膜表面的粗糙度。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151100_555534_2989334_3.jpghttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(二)溅射沉积分类主要的溅射方式可以根据其特征分为四种:(1)直流溅射;(2)射频溅射;(3)磁控溅射;(4)反应溅射。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151102_555536_2989334_3.jpg图1 不同溅射方法的靶电流密度和靶电压的比较http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(1)直流溅射直流溅射又称为阴极溅射或二极溅射图2直流溅射沉积装置示意图,其典型的溅射条件为:工作气压10Pa,溅射电压3000V,靶电流密度0.5mA/cm2,薄膜的沉积速率低于0.1μm/min直流溅射过程中常用Ar作为工作气体。工作气压是一个重要参数,它对溅射速率以及薄膜的质量都有很大影响直流溅射设备的优点和缺点:优点:简单缺点:使用的气体压力高,溅射速率较低,这不利于减小气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151105_555538_2989334_3.jpg图2直流溅射沉积装置示意图http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(2 )射频溅射直流溅射要求靶材有较好的导电性,可以很大方便地沉积各类合金膜。对于导电性很差的非金属材料的溅射,我们需要一种新的溅射方法—射频溅射。射频溅射是适于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法射频场对于靶材的自偏压效应。在衬底或薄膜本身是绝缘体的情况下,采取对其施加一个射频电压的方法,也可以起到对其施加负偏压的作用。(3)磁控溅射相对于蒸发沉积来说,一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一,溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低;第二,溅射所需的工作气压较高 这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。而磁控溅射技术:沉积速度较高,工作气体压力较低。工作原理:磁场对电弧运动有一定的约束作用(绕磁场螺旋前进);(1)电子的电离效率高,有效提高了靶电流密度和溅射效率,(2)较低气压下溅射原子被气体分子散射的几率较小(三)气体放电是离子溅射过程的基础(1)首先介绍直流电场作用下的物质的溅射现象预抽真空,充入适当压力的惰性气体,如Ar气,10-1~10Pa;在正负电极间外加电压的作用下,电极间的气体原子将被大量电离;Ar—→Ar++e,Ar+被电场加速后射向靶材,撞击出靶材原子(分子),靶材原子脱离靶时仍具有一定能量,飞向衬底,电子被电场加速飞向阳极;http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151107_555542_2989334_3.jpg图3直流气体放电体系模型及伏安特性曲线http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif电压进一步增大,发生极板两端电压突然降低,电流突然增大,并同时出现带有颜色的辉光,此过程称为气体的击穿;击穿后气体的发光放电称为辉光放电;这时电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击,即使自然游离源不存大,放电也将继续下去。而且维持辉光放电的电压较低,且不变,此时电流的增大显然与电压无关,而只与阴极板上产生辉光的表面积有关;正常辉光放电的电流密度与阴极材料和形状、气体种类和压强有关;由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小,所以在溅射方面均是选择在非正常辉光放电区工作。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151110_555543_2989334_3.jpg图4示意性地画出了在离子轰击条件下,固体表面可能发生的物理过程http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151111_555544_2989334_3.jpg图5所示,不同能量离子与固体表面相互作用的过程不同当离子入射到靶材上时,对于溅射过程来说,比较重要的过程有两个:其一是物质的溅射;其二是二次电子发射:二次发射电子在电场作用下获得能量,进而参与气体分子的碰撞,并维持气体的辉光放电过程。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif (四)合金的溅射和沉积用溅射法沉积合金膜,比蒸发法易于保证薄膜的化学配比;溅射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递。因此,溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能,其数值一般可以达到5~20eV;一方面,溅射原子具有很宽的能量分布范围,其平均能量约为10eV左右;另一方面,随着入射离子能量的增加,溅射离子的平均能量也有上升的趋势;溅射过程还会产生很少的溅射离子,它们具有比溅射出来的原子更高的能量。能量较低的溅射离子不易逃脱靶表面的鞘层电位的束缚,将被靶表面所俘获而不能脱离靶材;由蒸发法获得的原子动能一般只有0.1eV,两者相差两个数量级;在溅射沉积中,高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力,另一方面也会引起衬底温度的升高。

  • 荧光薄膜测试

    实验室有一台,970CRT荧光分光光度计,目前在做石英玻璃上的荧光薄膜,想用这个仪器去测。请教两个问题,这台仪器可以测薄膜的荧光吗,能测的话,具体的操作步骤是什么呢,用过将石英玻璃插入比色皿中去测荧光,但是光谱上会有发射的荧光峰,怎么消除玻璃带来的反射峰呢,谢谢大家啦

  • 【资料】公司名为东电电子PV——提高夏普“三层型”薄膜硅太阳能电池的生产效率

    DATE 2008/02/20   【日经BP社报道】东电电子公布了与夏普共同成立的太阳能电池制造装置开发公司的详细情况。公司名称为东电电子PV,只从事薄膜硅太阳能电池用等离子CVD装置的开发。开发的装置由东电电子制造和销售。计划2009年供货首款机型。   东电电子PV的注册资本为5000万日元,出资比例东电电子为51%、夏普为49%。两公司从2007年夏季便开始就设立合资公司进行了协商。   夏普决定在大阪堺市建设年产能为1GW的大型薄膜硅太阳能电池新工厂,计划2010年3月之前开工投产。合资公司开发的制造装置将用于制造该工厂的主力商品——模块转换效率高达10%以上的三层型薄膜硅太阳能电池。   层叠多枚薄膜的三层型薄膜硅太阳能电池的制造,高效率等离子CVD装置的开发是关键。夏普在宣布建设新工厂时表示:“可高效量产三层型的制造装置已经实现”(参阅本站报道)。另外,此次夏普与东电电子合作的目的是,通过在夏普拥有的技术的基础上结合东电电子的技术,进一步提高三层型的生产效率,尽早完成制造装置,“以在全球竞争中取胜”(夏普宣传负责人)。   目前,不仅日本和欧洲,来自中国大陆、台湾乃至印度等地的新厂商也在纷纷涉足太阳能电池制造业务。这类企业与一揽子供应制造装置厂商合作,以期降低制造成本。印度方面,还出现了以此前一半的价格一揽子供应制造装置的装置厂商。此次的合资公司的设立,“是日本厂商对抗统包解决方案(Turnkey Solution)战略的一环”(太阳能电池技术人员),今后成功与否将备受关注。   东电电子此前一直向所有太阳能电池学会派遣了信息收集人员,一边从事太阳能电池的基础研究,一边寻找涉足太阳能电池业务的机会。太阳能电池业内人士就此次合资公司的设立评论说:“在一步走错便步步难追的局面下,东电电子的此举却获得了最好的客户”。这是因为,该公司除可向夏普年产能达1GW的大型新工厂供应制造装置外,还能够学习其先进技术。东电电子表示,“详细事宜尚未确定,不过将来还计划向其它公司销售制造装置”(宣传负责人)。   《日经微器件》预定在2008年3月刊中以“印度的制造力~继中国大陆台湾韩国之后的新威胁(暂定)”为题,以太阳能电池为中心介绍印度的电子元件制造情况。(记者:河合 基伸)

  • 薄膜包衣技术难点及解决方案

    20世纪50年代初,第一个真正意义的薄膜包衣片在美国诞生了。从那时算起,薄膜包衣技术已经经历了半个世纪的发展。而我国起步较晚,20世纪70年代末,才陆续出现少数医药研究单位和药厂研制的各种包衣液和薄膜包衣工艺,并逐渐推广应用。到了20世纪90年代中期,我国才逐渐出现了薄膜包衣技术“热”。但是从整体上看,这项技术在我国的发展仍然比较缓慢。许多制药企业由于技术上的原因,在应用上仍旧存在着不少问题。在片心表面通过喷雾的方法均匀地喷上一层比较稳定的高分子聚合物衣料,形成数微米厚的塑性薄膜层,使之达到一定的预期效果,这一工艺过程称为薄膜包衣。应用薄膜包衣技术是制药行业的需求和发展趋势。有些人认为薄膜包衣片没有糖衣片好,没有糖衣片那么光亮,事实上薄膜包衣与传统的包糖衣技术相比,有许多优点,如包衣耗时短,更能防潮、避光,药物稳定性更强等。包薄膜衣必须改变过去包糖衣的观念,这一点非常重要。一直以来,一些制药企业把薄膜包衣技术简单地看做是片剂生产中的独立环节,包薄膜衣就像包糖衣一样只是单纯包衣。其实,并不是那么简单。作为一项新技术,包薄膜衣对片心的要求相对于包糖衣而言要严格得多,片的硬度要求较高,而且它对各个工序之间的相互配合、生产过程中的一系列技术指标及要求的调整和相互配套都有所要求。所以,必须本着科学、求实的态度来对待薄膜包衣技术的引进及应用,只有这样,包出的片才能达到理想的效果。良好的片心质量对薄膜包衣起到决定性的影响。有时片心的机械质量太差,就根本无法进行薄膜包衣,即使勉强进行,衣膜质量也很难保证。在所有影响片心机械性能的因素当中,片的硬度和脆碎度最为重要,而脆碎度又比硬度显得更为突出。一般而言,适合包薄膜衣的中药片硬度应该在5kg/cm3,西药片硬度应该在4kg/cm3左右。如何检查呢?最简单的方法是硬度计检测;或将一素片垂直向上抛2米,使之自由落地,两次以上不断裂者为硬度合格。检查脆碎度的简单方法是用手指用力刮片的边缘或片的表面,没有片粉脱落者为宜;另一个方法是将30片左右的素片置于250ml的玻璃杯中,用力摇两分钟左右,以片的表面、片的边缘不磨损者为宜。对于吸湿性大的素片,硬度要求则更高。应用薄膜包衣技术进行包衣时,不管是采用高效包衣机、流化床包衣机,还是发行的糖衣锅进行包衣,都应遵照如下原则:一是片心硬度要够硬,否则开始包衣时,片心与锅壁反复摩擦,将会出现松片、麻面等现象;二是片床温度要保持恒定;三是设备中溶剂蒸发量与喷液过程中带入的溶剂量要保持平衡,即溶剂蒸发与喷液速率处于动态平衡。片面平整、细腻的关键在于整个过程中要掌握锅温、喷量、转速三者之间的关系,这是薄膜包衣操作过程中的重中之重。操作时,包衣液的雾化程度直接影响包衣所成衣膜的外观质量,而喷液的雾化效果直接由雾化压力以及雾化系统决定。喷雾开始时,掌握喷速和吹热风温度的原则是:使片面略带湿润,又要防止片面粘连,温度不宜过度过低。若温度过高,则干燥太快,成膜容易粗糙,片色不均;若温度过低,或喷速过快,则会使锅内湿度过度高,很快就会出现片的粘连等现象。锅的转速与包衣操作之间的关系是:转速低,衣膜附着力强;转速高,衣膜附着力差,易剥落。包衣过程中,温度过低,喷量过大,片子流动滞留,则有可能会出现粘片现象。这时可加大转速使其改善,必要时还可适当调节温度和喷量、喷程等加以克服。在使用包衣粉质量不变的情况下,包衣操作中常出现的问题及解决的方法如下:1、粘片:主要是由于喷量太快,违反了溶剂蒸发平衡原则而使片相互粘连。出现这种情况,应适当降低包衣液喷量,提高热风温度,加快锅的转速等。2、出现“桔皮”膜:主要是由于干燥不当,包衣液喷雾压力低而使喷出的液滴受热浓缩程度不均造成衣膜出现波纹。出现这种情况,应立即控制蒸发速率,提高喷雾压力。3、“架桥”:是指刻字片上的衣膜造成标志模糊。解决的办法是:放慢包衣喷速,降低干燥温度,同时应注意控制好热风温度。4、出现色斑:这种情况是由于配包衣液时搅拌不匀或固体状特质细度不够所引起的。解决的方法是:配包衣液时应充分搅拌均匀。5、药片表面或边缘衣膜出现裂纹、破裂、剥落或者药片边缘磨损:若是包衣液固含量选择不当、包衣机转速过快、喷量太小引起的,则应选择适当的包衣液固含量,适当调节转速及喷量的大小;若是片心硬度太差所引起,则应改进片心的配方及工艺。6、衣膜表现出现“喷霜”:这种情况是由于热风湿度过高、喷程过长、雾化效果差引起的。此时应适当降低温度,缩短喷程,提高雾化效果。7、药片间有色差:这种情况是由于喷液时喷射的扇面不均或包衣液固含量过度或者包衣机转速慢所引起的。此时应调节好喷枪喷射的角度,降低包衣液的固含量,适当提高包衣机的转速。8、衣膜表面有针孔:这种情况是由于配制包衣液时卷入过多空气而引起的。因而在配液时应避免卷入过多的空气。薄膜包衣技术在中药制药中的应用薄膜包衣是一种新型的包衣工艺,指在片芯之外包上比较稳定的薄层聚合物衣膜。自30年代以来就陆续出现了有关薄膜包衣的研究指导,但由于当时薄膜材料、包衣工艺和设备等条件尚不能适应生产要求,实际应用受到一定的限制。到了50年代,美国雅培药厂(AbbottLab)首先生产出新型的薄膜片剂,并用“Filmtab”商标取得专利。经过近40年的研究发展,生产设备和工艺的不断改进和完善,高分子薄膜材料的相继问世,使薄膜包衣技术得到了迅速发展,尤以日本的薄膜包衣技术发展得最快,已有80%片剂改为薄膜包衣。薄膜包衣工艺可广泛用于片剂、丸剂、颗粒剂,特别对吸温性强、易开裂、易退色的中药片剂更显示其优越性。进入90年代,薄膜包衣技术在中药行业有了一定发展,主要用于片剂的薄膜包衣。薄膜包衣与包糖衣比较,主要有以下优点:(1)时间较短(包一锅片剂只需2小时左右,而包一锅糖衣片需要约16小时),操作简便,干燥速度快,药物受热影响小,有利于提高药品的质量。(2)薄膜包衣工艺节约劳动力(1~2名操作工人)、厂房及设备(只需一间标准厂房及一台包衣锅),节约材料,所以成本较低,而前期投入也十分有限。(3)应用薄膜包衣工艺的片剂仅使片芯重增加2%~4%,而糖衣片剂(其中主要辅料成分是国外已淘汰的滑石粉)往往可使片芯重量增大50%~100%。(4)薄膜包衣工艺能减少工作场所的粉尘飞扬,有利于环保和劳动保护,亦可节约包装材料等。(5)应用薄膜包衣工艺的片剂压在片上的标志在包薄膜衣后仍清晰可见,便于患者辨别和使用。(6)薄膜包衣的片剂坚固耐磨,不易开裂;薄膜包衣材料有优异的物理性能,大多数材料均能抗湿抗热,可提高产品质量,延长产品的有效期。(7)薄膜包衣有众多的材料可供选择。除了能达到一般的包衣目的外,还可通过选择薄膜材料和设计包衣处方,使形成的包衣膜在一定的pH范围内溶解或崩解;也可控制膜的渗透性,使所包的药物在体内通过扩散作用陆续释放出来,达到定时、定位释放药物的目的。这是薄膜包衣具有广泛发展前途的一个重要原因。(8)生产工艺过程和材料用量可以标准化基于以上因素,国际上已基本淘汰了糖衣片,取而代之以薄膜包衣片,国内也在加速这个进程。目前,我国的中药薄膜包衣工艺的应用尚处在起步阶段,国内中药片剂主要还是以糖衣片为主,薄膜包衣的市场前景十分广阔,所以薄膜包衣技术的进一步的研究开发和提高,应引起我们的重视.

  • 【求助】薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗?谢谢!

    各位大侠帮忙解答:1. 我看文献上有的说xrd掠入射看薄膜物象鉴定,常规的θ/2θ扫瞄看薄膜的择优取向。薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗?2. 我做常规的θ/2θ扫瞄时只有衬底峰没有薄膜信息,所以只能做掠入射,我是在单晶SiC片子上磁控溅射AlN薄膜(约500nm厚),但是我要对比不同参数下薄膜的择优取向,我该怎么测呢?3. 我用的设备是日本理学D/MAX 2500PC X射线粉末衍射仪,做掠入射时加了薄膜附件,采用2θ扫瞄模式,θ角固定(2.5、3、5、8、15、30度),不管θ角多大都没出现衬底峰只有薄膜峰,但是随着θ角的增大,AlN (0002)峰强也增大,而.(10-13)峰强则减小直到消失,这是为什么?另外,掠入射时θ角越小x线在薄膜中的光程应该越大,反应的薄膜信息应该越丰富对吗?为什么我做θ角0.5度和1度时什么峰都没有呢?

  • 测量薄膜的紫外可见最大吸收波长的对薄膜的要求?

    测量薄膜的紫外可见最大吸收波长的对薄膜的要求?

    请问各位大侠,在测量薄膜的紫外可见最大吸收波长时,要求薄膜时透明的吗?乳白的的可以吗?我的是PET薄膜,通过不同的溶解方法再旋转涂膜得到两种完全不同的薄膜,见图,一种是乳白色不透明,一种无色透明我的实验目的是在PET薄膜中加入一种染料使其变色,以不加染料的PET薄膜作为参比,测量加染料薄膜的紫外可见最大吸收波长请问各位大侠前辈哪种才适用于我的目的呢?现在还没有做出加染料的薄膜。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/04/201304122026_435158_2341438_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/04/201304122026_435159_2341438_3.jpg

  • 谈谈薄膜真空计(3)

    谈谈薄膜真空计(3)

    http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/10/201110211922_325615_1608408_3.jpg学习和引进国外先进核心技术,,根据我国真空设备配套测控仪表的特点,研制出的陶瓷薄膜真空计,其测量精度和稳定性已经完全可以与进口产品相媲美了。根据国内设备的习惯,控制柜上数字面板表,还是经常使用的,采用专门设计的具有真空测控特点的精密二次仪器仪表,借籍于现代智能仪表技术的科技成果,有利于提供测量的精度、分辨率、稳定性和可靠性,增加智能化的自动控制功能,(可以配接任何一种模拟量、数字量的接口,比进口的薄膜真空计更灵活、更方便)实践证明,陶瓷薄膜真空计使用到真空冷冻干燥机、真空单晶炉、气氛真空炉、真空精馏设备、真空镀膜机等设备,做真空测量和自动控制,带来极大地方便和性能提高,可以快速升级为智能型的真空应用设备。当然,也可以用到实验室、计量室作为相应的真空段的0.1级标准器,陶瓷芯片的优异性能使其年稳定度达到0.1%以上。

  • CZTS 薄膜的拉曼光谱分析

    CZTS 薄膜的拉曼光谱分析,紫外拉曼找到新的用途,普通拉曼一般无法鉴别CZTS 薄膜中的ZnS,而紫外拉曼可以。

  • PET薄膜的紫外可见光吸收光谱?

    看文献中将PET溶解后旋涂在石英载玻片上得到PET薄膜,然后在紫外可见分光光度计上测量薄膜的紫外可见光吸收光谱。后面这一步从载玻片上的膜得到吸收光谱就木有详细解释了,不知道这种几十微米的薄膜如何用普通的分光光度计测量吸收光谱?我也看到很多公司的仪器介绍说有什么支架的,但是还是不是很清楚。这里牛人比较多。请问谁做过薄膜的紫外可见光吸收光谱呢?还请点拨一二。初来论坛,多多指教~

Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制