膨化薯片

罗维朋/罗威邦 109970 单个滤光片 (含证书)用户订购时，需提供仪器型号，并选择色标和标准值备注：用户选定标准值为参考值，最终标准值以实际到货滤光片证书为准。

一、适应范围 广泛应用于肉制品、乳制品、膨化食品、水果等，用于软固体如肉糜的强度（firmless）、弹性（springiness），固体食品如膨化食品的脆性（fracture），水果、奶酪的表面硬度（firmless）及胶黏性（stickiness）测试。二、型号球型探头 型号：TA/0.5STA/5STA/10STA/25STA/50S 三、TA.newplus质构仪探头应用（一）、P/0.25S-球形探头 1、可以测定肉的柔软度（tenderness）、弹性 （springiness）、粘性（stickiness），来判断肉的新鲜度，及不同添加物对鱼浆凝胶强度的影响。2、通过球形探头的穿刺，测试薯片、饼干或其它膨化食品的酥脆性（fracture）和易碎性（fragility）。3、用于对冰淇淋、奶酪、固体酸奶等样品的硬度（hardness）、延展性（extension）、粘着性（adhesiveness）进行测试。4、通过球形探头的穿刺，测试小馒头、饼干或其它膨化食品的酥脆性（fracture）和易碎性（fragility）。5、测试洋葱圈等膨化食品的坚实度（firmness）、脆性（fracture）和易碎性（fragility）。6、可用于对果冻等半流体样品的坚实度（firmless）、延展性（extension）、粘着性（adhesiveness）进行测试。（二）、TA/0.5S-球型探头 用于对黄油、奶酪、固体酸奶等样品的表面坚实度（firmness）、延展性（extension）、粘着性（adhesiveness）进行测试。

质构仪探头-球形探头 TA/0.5S直径为0.5英寸球形探头，用于测试：软固体如肉糜的强度、弹性，固体膨化食品如薯片的脆性，水果、奶酪的表面硬度及胶黏性。

气相色谱检测合成抗氧化剂样品预处理专用方法包 - 液态油脂检测用BL-1型,本方法包综合采用固相萃取（SPE）+QuEChERS技术，从各类常温下呈液态的食用动植物油脂和含油食品（如膨化食品、油炸食品、面包、饼干等）提取的油脂中同时提取、分离和净化3种合成抗氧化剂：TBHQ、BHA、BHT，以用于气相色谱技术对这些合成抗氧化剂含量的测定。

液相色谱检测合成抗氧化剂样品预处理专用方法包 - 液态油脂检测用AL-1型本方法包主要采用QuEChERS技术，从各类常温下呈液态的食用动植物油脂和含油食品（如膨化食品、油炸食品、面包、饼干等）提取的油脂中同时提取、分离和净化4种合成抗氧化剂：PG、TBHQ、BHA、BHT，以用于液相色谱技术对这些合成抗氧化剂含量的测定。

Tygon® 燃料和润滑剂管 Tygon® 燃料和润滑剂管 材质：Tygon F-4040-A应用范围：燃料和工业润滑剂--汽油、煤油、燃料油、切削液及乙二醇类冷却液的处理。可处理绝大多数烃类。特点：不易脆化和膨化，抗臭氧和紫外线，低萃取率。半透明黄色。温度范围：-35 至 165°F（-37 至 74°C）灭菌：不推荐。Tygon® 燃料和润滑剂管订购信息尺寸：in. (mm)70°F 时的最大 压力psi（21°C 时的 bar）产品目录号 长度内径外径壁厚3/32 (2.4)3/16 (4.8)3/64 (1.2)52 (3.6)95633-0050ft/包　1/8 (3.2)1/4 (6.4)1/16 (1.6)52 (3.6)95633-013/16 (4.8)5/16 (8.0)1/16 (1.6)37 (2.6)95633-021/4 (6.4)3/8 (9.6)1/16 (1.6)30 (2.1)95633-035/16 (8.0)7/16 (11.2)1/16 (1.6)25 (1.7)95633-043/8 (9.6)1/2 (12.8)1/16 (1.6)21 (1.4)95633-051/2 (12.8)3/4 (19.1)1/8 (3.2)30 (2.4)95633-083/4 (19.1)1 (25.4)1/8 (3.2)21 (1.4)95633-10

切割片的选择是试样制备取样工序的重要环节，PRESI金刚石和立方氮化硼切割片根据磨料类型、浓度、切割片厚度的不同有40多种类型可供选择。

基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯/CVD六方氮化硼异质结石墨烯/h-BN薄膜的性质：单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm（p掺杂）SiO2/Si晶片上尺寸：1cmx1cm 4片装每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的覆盖率约为98％薄膜是连续的，有小孔和有机残留物高结晶质量石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有少量多层（双层小于5％）薄层电阻：430-800Ω/平方石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长，然后转移到SiO2/Si晶片上。硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米 型号/掺杂剂：P /硼方向：100前表面：抛光背面：蚀刻

质构仪探头分为通用探头和专用探头，可根据客户的研究领域、研发方向、测试要求和测试指标进行配置，也可以根据客户的要求进行定制。质构仪探头与市面主流质构仪主机通用。 （1）通用探头柱形探头：提供一系列不同材质、尺寸的柱形探头，广泛应用于粮油制品、烘焙食品、肉制品、乳制品、胶体等，进行穿刺(penetration)、硬度(hardness)、弹性(springiness)、胶黏性(stickiness)、回复性(resilience)和全质构TPA(texture profile analysis)的测试。球形探头：不同材质、大小的球形及半球形探头，用于测试：软固体如鱼糜、鱼丸、鱼糕、肉糜和面团的强度(firmness)、弹性(springiness)，固体膨化食品如薯片的脆性(fracture)，水果、奶酪的表面硬度(firmness)及胶黏性(stickiness)。针形探头：针刺型探头，通过穿刺深入样品内部测试质地剖面。例如测水果表皮硬度(Skin strength)、屈服点(yield point)或穿透度(penetration)，从而判断水果的成熟度。锥形探头：用于软滑质地的流体、半流体，如果酱、冰淇淋、奶酪、黄油、肉糜等的稠度(consistence)、硬度(hardness)和延展性(extension)等流变特性测试。 （2）面制品（典型探头）轻型切刀探头：用于切割较软质地样品，如面条、通心面，测试弹性（springiness）、柔软度（tenderness）、咀嚼性（chewiness），为AACC16-50标准测试面条、通心面的方法。面团制备装置：包括通气活塞和平底活塞，排除面团内分布之气室，以测定面团的坚实度(firmness)，也可以用于观察面图发酵时的松弛(relaxation)和蠕变(creep)等现象。 （3）烘焙食品（典型探头）36mm圆柱形探头：适用于测试海绵蛋糕、吐司面包等烧烤食品的硬度(hardness)、弹性(springiness)和咀嚼性（chewiness）测试。符合AACC (74-09)测试面包质地的标准方法三点折断测试装置：适用于测试长条形面包、饼干、巧克力棒、玉米脆片等断裂强度(break strength)或脆度（fracture）。 （4）水产品和畜产品（典型探头）剪切刀具：被广泛用于评估家禽肉的嫩度，已成为行业的标准测试方法。刃口装置包括Warner Bratzler切刀和斜口、直角切刀，侧边可限制形变。用于肉制品质的测试，可测试鲜肉、熟肉、香肠等的坚实度（firmness）、肉嫩度等。符合农业标准NYT 1180-2006 肌肉嫩度的测定肉嫩度测定刀具：具有一定尺寸而且很锋利的一种刀片，将其接到物性分析仪(质构仪)上，由于刀片很精细，仅能切入肉样品20mm，而且切口很小，不致于如传统的仪器或人工切割试验造成样品整体结构的破坏，可完美进行肉制品切割/剪切试验。因刀片可以被卸下来并定期更换，确保刀片边缘锋利，从而提高了重现性和准确性。 （5）乳制品（典型探头）奶油切割刀具：利用切割力测试块状奶油、人造奶油、奶酪的坚实度(firmness)和涂布性(spreadability)以及奶酪的粘稠度(consistency)。延展性装置：适用于黄油、奶油、奶酪、巧克力等稠性样品进行涂布性(spreadability)、柔软度(tenderness)、黏着性(adhesiveness)等参数的测试。 （6）果蔬及果蔬制品（典型探头）针形探头：可用于样品的穿刺试验。可测量表皮强度、穿刺强度等数据，用于判断果蔬的新鲜度和成熟度。剪切刀具：适合谷物、果蔬、肉制品或者蔬果等不均匀组织测量整体压缩(compression)、剪切(shearing)与挤压(extrusion)等混合作用，可测量坚实度(firmness)、脆度(fracture)等参数。 （7）休闲食品（典型探头）糖果测定装置：由一个弹簧螺栓固定一层压盘所组成，测试样品以压盘夹紧，压盘中间圆圈空处为测试点，适合测试食品的硬度(hardness)、黏性(stickiness)。脆度测试探头：以球形探头的穿刺测试薯片、饼干或膨化等食品的酥脆性(fracturability)进行测试。 （8）粘稠、凝胶类样品（典型探头）凝胶探头：测试胶体的专用探头，根据ISO/GMIA国际标准方法，进行标准凝胶强度测试(Gelatine testing、Bloom Test)。适合测试果冻的弹性(springiness)、表面硬度(firmness)和延展性(extension)。反挤压装置：用于软粘稠之类的液体或者半固体物质，如加工处理过的水果、蔬菜、奶油、西红柿酱，测试其粘性(stickiness)、粘稠度(consistency)。

罗维朋/罗威邦 109980 用户自定义 滤光片用户订购时，需确认仪器型号，并选择色标和自定义标准值。用户的自定义标准值为参考范围值，最终以到货滤光片证书标准值为准。

四川蜀玻高硼硅泡酒瓶高硼硅泡酒瓶高硼硅泡

砷化镓（GaAs）窗片GaAs的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓在远红外光学和透镜系统中具有专门的应用。产品参数：传输范围： 1?16μm（1）折射率： 3.2727 @10.33μm（1）反射损失： 44％@10.33μm 吸收系数： 0.01cm -1吸收峰： n / adn / dT： 147 x 10-6/°C @ 10 μm (4) for derivationdn /dμ= 0： 6.3μm密度： 5.315g / cc熔点： 1511℃热导率： 48 W m-1 K-1 @ 273K (2)热膨胀： 5.7 x 10-6 /°C at 300K (3)硬度： Knoop 750比热容： 360 J Kg-1 K-1介电常数： 在低频下为12.91杨氏模量（E）： 84.8GPa剪切模量（G）： n / a体积模量（K）： 75.5GPa弹性系数： n / a表观弹性极限： 71.9 MPa泊松比： 0.31溶解性： 不溶于水分子量： 144.64类/结构： 立方ZnS，F43m，（100）裂解 折射率：No = Ordinary Rayμm Noμm Noμm No1.033 3.4921.550 3.37372.066 3.3382.480 3.3243.100 3.31254.133 3.30274.959 3.29786.199 3.29217.293 3.28748.266 3.28319.537 3.276910.33 3.272711.27 3.267112.40 3.259713.78 3.249315.50 3.233617.71 3.208119.07 3.1866产品规格：订购型号规格(D×L)(mm)光谱范围GAASP10-0.310.0×0.3mmIRGAASP25.4-225.4×2.0mmIR

四川蜀牛玻璃仪器-高硼硅龙头瓶 2500~20000ml

产品货号/Catalogue Number：QGARD00B1 降低Milli-Q系统中，所有类型的进水中的硼含量查看全部 » （进水为Elix水，RO水，双蒸水）适用于超痕量元素分析，如ICP-MS，FAAS和ILS等。正常情况下，不需要降低水中的硼含量时：如果进水水质较高，如Milli-Q Elix的二级水、RO反渗透水、双蒸水，请选用Q-Gard 1预纯化柱。如果进水为DI去离子水，请选用Q-Gard 2预纯化柱；如果进水为水质较差的DI去离子水（杂质含量较高），请选用Q-Gard 3预纯化柱；主要功能：用于Milli-Q Century超纯水机：Milli-Q Element一级水超纯水机。 去除纯水中的离子（尤其硼离子）和有机物，：专利技术Jetpore离子交换树脂，独特配方，专供Milli-Q；超大容量，去除离子能力强。高精度人造活性炭，强力去除小分子有机物。失效影响：水质下降、后端精纯化柱快速消耗、紫外氧化失效、产水不合格、直至系统停机更换周期：一年，或者过水量达到3000L

产品货号/Catalogue Number：QGARDTBX1 降低Milli-Q系统中，所有类型的进水中的硼含量查看全部 » （进水为Elix水，RO水，双蒸水）适用于超痕量元素分析，如ICP-MS，FAAS和ILS等。正常情况下，不需要降低水中的硼含量时：如果进水水质较高，如Milli-Q Elix的二级水、RO反渗透水、双蒸水，请选用请选用Q-GARD T1 预纯化柱；如果进水为DI去离子水，请选用Q-GARD T2 预纯化柱；如果进水为水质较差的DI去离子水（杂质含量较高），请选用Q-GARD T3 预纯化柱； 主要功能：用于Milli-Q Advantage A10超纯水机，Milli-Q Reference超纯水机。 去除纯水中的离子（尤其硼离子）和有机物，：专利技术Jetpore离子交换树脂，独特配方，专供Milli-Q；超大容量，去除离子能力强。高精度人造活性炭，强力去除小分子有机物。失效影响：水质下降、后端精纯化柱快速消耗、紫外氧化失效、产水不合格、直至系统停机更换周期：一年，或者过水量达到3000L

该装置系统包括正方形截面的试验盒，平底活塞，配合线性、圆孔等挤压模块，适用对不同形状样品。通过下压将样品挤出测试盒，测量整体抗挤压强度(extrusion)，硬度(hardness)膨化食品的酥脆性(fracturability)。

四川蜀牛玻璃仪器-高硼硅放水瓶 2500~20000ml

碳化硼是非常坚硬的材料，摩氏硬度为9.3，并是继氮化硼、金刚石、富勒烯化合物和钻石整体纤管后的第五种已知最硬的物质。与酸碱不起反应，耐高/低温,耐高压，密度&ge 2.46g/cm3，显微硬度&ge 3500kgf/mm2，抗弯强度&ge 400Mpa，熔点为2450℃，是极佳的磨料材料。 货号产品名称规格50510-08Boron Carbide Powder, 8 micro m 碳化硼粉1 lb50510-10Boron Carbide Powder, 10 micro m1 lb50510-14Boron Carbide Powder, 14 micro m1 lb50510-18Boron Carbide Powder, 18 micro m1 lb50510-23Boron Carbide Powder, 23 micro m1 lb50510-35Boron Carbide Powder, 35 micro m1 lb50510-42Boron Carbide Powder, 42 micro m1 lb50510-50Boron Carbide Powder, 50 micro m1 lb

热膨胀芯(TEC)光纤跳线特性热膨胀芯增大了模场直径(MFD)，便于耦合不仅更容易进行自由空间耦合，还能保持单模光纤的光学性能工作波长范围：980 - 1250 nm或1420 - 1620 nm光纤的TEC端镀有增透膜，以减少耦合损耗库存的光纤跳线：2.0 mm窄键FC/PC(TEC)到FC/PC接头2.0 mm窄键FC/PC(TEC)到FC/APC接头具有带槽法兰的?2.5 mm插芯到可以剪切的裸纤如需定制配置，请联系技术支持Thorlabs的热膨胀芯(TEC)光纤跳线进行自由空间耦合时，对位置的偏移没有单模光纤那样敏感。利用我们的Vytran® 光纤熔接技术，通过将传统单模光纤的一端加热，使超过2.5 mm长的纤芯膨胀，就可制成这种光纤。在自由空间耦合应用中，光纤经过这样处理的一端可以接受模场直径较大的光束，同时还能保持光纤的单模和光学性能(有关测试信息，请看耦合性能标签)。TEC光纤经常应用于构建基于光纤的光隔离器、可调谐波长的滤光片和可变光学衰减器。我们库存有带TEC端的多种光纤跳线可选。我们提供两种波长范围：980 nm - 1250 nm 和1460 nm - 1620 nm。光纤的TEC端镀有增透膜，在指定波长范围内平均反射率小于0.5%，可以减少进行自由空间耦合时的损耗。光纤的这一端具有热缩包装标签，上面列出了关键的规格。接头选项有2.0 mm窄键FC/PC或FC/APC接头、?2.5 mm插芯且可以剪切熔接的裸光纤。?2.5 mm插芯且可以剪切的光纤跳线具有?900 μm的护套，而FC/PC与FC/APC光纤跳线具有?3 mm的护套(请看右上表，了解可选的组合)。我们也提供定制光纤跳线。更多信息，请联系技术支持。 自由空间耦合到P1-1550TEC-2光纤跳线光纤跳线镀有增透膜的一端适合自由空间应用(比如，耦合)，如果与其他接头端接触，会造成损伤。此外，由于镀有增透膜，TEC光纤跳线不适合高功率应用。清洁镀增透膜的接头端且不损坏镀膜的方法有好几种。将压缩空气轻轻喷在接头端是比较理想的做法。其他方法包括使用浸有异丙醇或甲醇的无绒光学擦拭纸或FCC-7020光纤接头清洁器轻轻擦拭。但是请不要使用干的擦拭纸，因为可能会损坏增透膜涂层。Item #PrefixTECEnd(AR Coated)UncoatedEndP1FC/PC (Black Boot)FC/PCP5FC/PC (Black Boot)FC/APCP6?2.5 mm Ferrule with Slotted FlangeScissor CutCoated Patch Cables Selection GuideSingle Mode AR-Coated Patch CablesTEC Single Mode AR-Coated Patch CablesPolarization-Maintaining AR-Coated Patch CablesMultimode AR-Coated Patch CablesHR-Coated Patch CablesStock Single Mode Patch Cables Selection GuideStandard CablesFC/PC to FC/PCFC/APC to FC/APCHybridAR-Coated Patch CablesThermally-Expanded-Core (TEC) Patch CablesHR-Coated Patch CablesBeamsplitter-Coated Patch CablesLow-Insertion-Loss Patch CablesMIR Fluoride Fiber Patch Cables耦合性能由于TEC光纤一端的纤芯直径膨胀，进行自由空间耦合时，它们对位置的偏移没有标准的单模光纤那样敏感。为了进行比较，我们改变x轴和z轴上的偏移，并测量自由空间光束耦合到TEC光纤跳线和标准光纤跳线时的耦合损耗(如右图所示)。使用C151TMD-C非球面透镜，将光耦合到标准光纤和TEC光纤。在980 nm 和1064 nm下，测试使用1060XP光纤的跳线和P1-1060TEC-2光纤跳线，同时，在1550 nm下，测试使用1550BHP光纤的跳线和P1-1550TEC-2光纤跳线。通过MBT616D 3轴位移台，让光纤跳线相对于入射光移动。 下面的曲线图展示了所测光纤跳线的光纤耦合性能。一般而言，对于相同的x轴或z轴偏移，TEC光纤跳线比标准跳线的耦合损耗低。而在x轴或z轴偏移为0 μm 时，标准跳线与TEC跳线的性能相似。总而言之，这些测试结果表明，TEC光纤对光纤位置的偏移远远没有标准光纤那样敏感，同时还能在zui佳光纤位置保持相同的耦合损耗。请注意，这些测量为典型值，由于制造公差的存在，不同批次跳线的性能可能有所差异。测量耦合性能装置的示意图。上图显示了用于测量耦合性能的测试装置。1060XP标准光纤和P1-1060TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。1060XP标准光纤和P1-1060TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。11550BHP标准光纤和P1-1550TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。 损伤阀值激光诱导的光纤损伤以下教程详述了无终端(裸露的)、有终端光纤以及其他基于激光光源的光纤元件的损伤机制，包括空气-玻璃界面(自由空间耦合或使用接头时)的损伤机制和光纤玻璃内的损伤机制。诸如裸纤、光纤跳线或熔接耦合器等光纤元件可能受到多种潜在的损伤(比如，接头、光纤端面和装置本身)。光纤适用的zui大功率始终受到这些损伤机制的zui小值的限制。虽然可以使用比例关系和一般规则估算损伤阈值，但是，光纤的jue对损伤阈值在很大程度上取决于应用和特定用户。用户可以以此教程为指南，估算zui大程度降低损伤风险的安全功率水平。如果遵守了所有恰当的制备和适用性指导，用户应该能够在指定的zui大功率水平以下操作光纤元件；如果有元件并未指定zui大功率，用户应该遵守下面描述的"实际安全水平"该，以安全操作相关元件。可能降低功率适用能力并给光纤元件造成损伤的因素包括，但不限于，光纤耦合时未对准、光纤端面受到污染或光纤本身有瑕疵。关于特定应用中光纤功率适用能力的深入讨论，请联系技术支持。Quick LinksDamage at the Air / Glass InterfaceIntrinsic Damage ThresholdPreparation and Handling of Optical Fibers空气-玻璃界面的损伤空气/玻璃界面有几种潜在的损伤机制。自由空间耦合或使用光学接头匹配两根光纤时，光会入射到这个界面。如果光的强度很高，就会降低功率的适用性，并给光纤造成yong久性损伤。而对于使用环氧树脂将接头与光纤固定的终端光纤而言，高强度的光产生的热量会使环氧树脂熔化，进而在光路中的光纤表面留下残留物。损伤的光纤端面未损伤的光纤端面裸纤端面的损伤机制光纤端面的损伤机制可以建模为大光学元件，紫外熔融石英基底的工业标准损伤阈值适用于基于石英的光纤(参考右表)。但是与大光学元件不同，与光纤空气/璃界面相关的表面积和光束直径都非常小，耦合单模(SM)光纤时尤其如此，因此，对于给定的功率密度，入射到光束直径较小的光纤的功率需要比较低。右表列出了两种光功率密度阈值：一种理论损伤阈值，一种"实际安全水平"。一般而言，理论损伤阈值代表在光纤端面和耦合条件非常好的情况下，可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。而"实际安全水平"功率密度代表光纤损伤的zui低风险。超过实际安全水平操作光纤或元件也是有可以的，但用户必须遵守恰当的适用性说明，并在使用前在低功率下验证性能。计算单模光纤和多模光纤的有效面积单模光纤的有效面积是通过模场直径(MFD)定义的，它是光通过光纤的横截面积，包括纤芯以及部分包层。耦合到单模光纤时，入射光束的直径必须匹配光纤的MFD，才能达到良好的耦合效率。例如，SM400单模光纤在400 nm下工作的模场直径(MFD)大约是?3 μm，而SMF-28 Ultra单模光纤在1550 nm下工作的MFD为?10.5 μm。则两种光纤的有效面积可以根据下面来计算：SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5μm)2 = 7.07 μm2= 7.07 x 10-8cm2 SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 μm)2= 86.6 μm2= 8.66 x 10-7cm2为了估算光纤端面适用的功率水平，将功率密度乘以有效面积。请注意，该计算假设的是光束具有均匀的强度分布，但其实，单模光纤中的大多数激光束都是高斯形状，使得光束中心的密度比边缘处更高，因此，这些计算值将略高于损伤阈值或实际安全水平对应的功率。假设使用连续光源，通过估算的功率密度，就可以确定对应的功率水平：SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理论损伤阈值) 7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (实际安全水平)SMF-28 UltraFiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理论损伤阈值)8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (实际安全水平)多模(MM)光纤的有效面积由纤芯直径确定，一般要远大于SM光纤的MFD值。如要获得zui佳耦合效果，Thorlabs建议光束的光斑大小聚焦到纤芯直径的70 - 80%。由于多模光纤的有效面积较大，降低了光纤端面的功率密度，因此，较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到多模光纤中。 Estimated Optical Power Densities on Air / Glass InterfaceaTypeTheoretical Damage ThresholdbPractical Safe LevelcCW(Average Power)~1 MW/cm2~250 kW/cm210 ns Pulsed(Peak Power)~5 GW/cm2~1 GW/cm2a. 所有值针对无终端(裸露)的石英光纤，适用于自由空间耦合到洁净的光纤端面。b. 这是可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。用户在高功率下工作前，必须验证系统中光纤元件的性能与可靠性，因其与系统有着紧密的关系。c. 这是在大多数工作条件下，入射到光纤端面且不会损伤光纤的安全功率密度估算值。插芯/接头终端相关的损伤机制有终端接头的光纤要考虑更多的功率适用条件。光纤一般通过环氧树脂粘合到陶瓷或不锈钢插芯中。光通过接头耦合到光纤时，没有进入纤芯并在光纤中传播的光会散射到光纤的外层，再进入插芯中，而环氧树脂用来将光纤固定在插芯中。如果光足够强，就可以熔化环氧树脂，使其气化，并在接头表面留下残渣。这样，光纤端面就出现了局部吸收点，造成耦合效率降低，散射增加，进而出现损伤。与环氧树脂相关的损伤取决于波长，出于以下几个原因。一般而言，短波长的光比长波长的光散射更强。由于短波长单模光纤的MFD较小，且产生更多的散射光，则耦合时的偏移也更大。为了zui大程度地减小熔化环氧树脂的风险，可以在光纤端面附近的光纤与插芯之间构建无环氧树脂的气隙光纤接头。我们的高功率多模光纤跳线就使用了这种设计特点的接头。曲线图展现了带终端的单模石英光纤的大概功率适用水平。每条线展示了考虑具体损伤机制估算的功率水平。zui大功率适用性受到所有相关损伤机制的zui低功率水平限制(由实线表示)。确定具有多种损伤机制的功率适用性光纤跳线或组件可能受到多种途径的损伤(比如，光纤跳线)，而光纤适用的zui大功率始终受到与该光纤组件相关的zui低损伤阈值的限制。例如，右边曲线图展现了由于光纤端面损伤和光学接头造成的损伤而导致单模光纤跳线功率适用性受到限制的估算值。有终端的光纤在给定波长下适用的总功率受到在任一给定波长下，两种限制之中的较小值限制(由实线表示)。在488 nm左右工作的单模光纤主要受到光纤端面损伤的限制(蓝色实线)，而在1550 nm下工作的光纤受到接头造成的损伤的限制(红色实线)。对于多模光纤，有效模场由纤芯直径确定，一般要远大于SM光纤的有效模场。因此，其光纤端面上的功率密度更低，较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到光纤中(图中未显示)。而插芯/接头终端的损伤限制保持不变，这样，多模光纤的zui大适用功率就会受到插芯和接头终端的限制。请注意，曲线上的值只是在合理的操作和对准步骤几乎不可能造成损伤的情况下粗略估算的功率水平值。值得注意的是，光纤经常在超过上述功率水平的条件下使用。不过，这样的应用一般需要专业用户，并在使用之前以较低的功率进行测试，尽量降低损伤风险。但即使如此，如果在较高的功率水平下使用，则这些光纤元件应该被看作实验室消耗品。光纤内的损伤阈值除了空气玻璃界面的损伤机制外，光纤本身的损伤机制也会限制光纤使用的功率水平。这些限制会影响所有的光纤组件，因为它们存在于光纤本身。光纤内的两种损伤包括弯曲损耗和光暗化损伤。弯曲损耗光在纤芯内传播入射到纤芯包层界面的角度大于临界角会使其无法全反射，光在某个区域就会射出光纤，这时候就会产生弯曲损耗。射出光纤的光一般功率密度较高，会烧坏光纤涂覆层和周围的松套管。有一种叫做双包层的特种光纤，允许光纤包层(第二层)也和纤芯一样用作波导，从而降低弯折损伤的风险。通过使包层/涂覆层界面的临界角高于纤芯/包层界面的临界角，射出纤芯的光就会被限制在包层内。这些光会在几厘米或者几米的距离而不是光纤内的某个局部点漏出，从而zui大限度地降低损伤。Thorlabs生产并销售0.22 NA双包层多模光纤，它们能将适用功率提升百万瓦的范围。光暗化光纤内的第二种损伤机制称为光暗化或负感现象，一般发生在紫外或短波长可见光，尤其是掺锗纤芯的光纤。在这些波长下工作的光纤随着曝光时间增加，衰减也会增加。引起光暗化的原因大部分未可知，但可以采取一些列措施来缓解。例如，研究发现，羟基离子(OH)含量非常低的光纤可以抵抗光暗化，其它掺杂物比如氟，也能减少光暗化。即使采取了上述措施，所有光纤在用于紫外光或短波长光时还是会有光暗化产生，因此用于这些波长下的光纤应该被看成消耗品。制备和处理光纤通用清洁和操作指南建议将这些通用清洁和操作指南用于所有的光纤产品。而对于具体的产品，用户还是应该根据辅助文献或手册中给出的具体指南操作。只有遵守了所有恰当的清洁和操作步骤，损伤阈值的计算才会适用。安装或集成光纤(有终端的光纤或裸纤)前应该关掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接头或光纤的脆弱部分而造成损伤。光纤适用的功率直接与光纤/接头端面的质量相关。将光纤连接到光学系统前，一定要检查光纤的末端。端面应该是干净的，没有污垢和其它可能导致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纤，使用前应该剪切，用户应该检查光纤末端，确保切面质量良好。如果将光纤熔接到光学系统，用户首先应该在低功率下验证熔接的质量良好，然后在高功率下使用。熔接质量差，会增加光在熔接界面的散射，从而成为光纤损伤的来源。对准系统和优化耦合时，用户应该使用低功率；这样可以zui大程度地减少光纤其他部分(非纤芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包层、涂覆层或接头，有可能产生散射光造成的损伤。高功率下使用光纤的注意事项一般而言，光纤和光纤元件应该要在安全功率水平限制之内工作，但在理想的条件下(ji佳的光学对准和非常干净的光纤端面)，光纤元件适用的功率可能会增大。用户首先必须在他们的系统内验证光纤的性能和稳定性，然后再提高输入或输出功率，遵守所有所需的安全和操作指导。以下事项是一些有用的建议，有助于考虑在光纤或组件中增大光学功率。要防止光纤损伤光耦合进光纤的对准步骤也是重要的。在对准过程中，在取得zui佳耦合前，光很容易就聚焦到光纤某部位而不是纤芯。如果高功率光束聚焦在包层或光纤其它部位时，会发生散射引起损伤使用光纤熔接机将光纤组件熔接到系统中，可以增大适用的功率，因为它可以zui大程度地减少空气/光纤界面损伤的可能性。用户应该遵守所有恰当的指导来制备，并进行高质量的光纤熔接。熔接质量差可能导致散射，或在熔接界面局部形成高热区域，从而损伤光纤。连接光纤或组件之后，应该在低功率下使用光源测试并对准系统。然后将系统功率缓慢增加到所希望的输出功率，同时周期性地验证所有组件对准良好，耦合效率相对光学耦合功率没有变化。由于剧烈弯曲光纤造成的弯曲损耗可能使光从受到应力的区域漏出。在高功率下工作时，大量的光从很小的区域(受到应力的区域)逃出，从而在局部形成产生高热量，进而损伤光纤。请在操作过程中不要破坏或突然弯曲光纤，以尽可能地减少弯曲损耗。用户应该针对给定的应用选择合适的光纤。例如，大模场光纤可以良好地代替标准的单模光纤在高功率应用中使用，因为前者可以提供更佳的光束质量，更大的MFD，且可以降低空气/光纤界面的功率密度。阶跃折射率石英单模光纤一般不用于紫外光或高峰值功率脉冲应用，因为这些应用与高空间功率密度相关。MFD定义模场直径的定义模场直径(MFD)是对在单模光纤中传播的光的光束尺寸的一种量度。它与波长、纤芯半径以及纤芯和包层的折射率具有函数关系。虽然光纤中的大部分光被限制在纤芯内传播，但仍有极小部分的光在包层中传播。对于高斯功率分布，MFD是指光功率从峰值水平降到1/e2时的直径。MFD的测量通过在远场使用变孔径法来完成MFD的测量。在光纤输出的远场处放置一个通光孔径，然后测量强度。在光路中放置连续变小的通光孔径，测量每个通光孔径下的强度水平；然后以功率和孔径半角(或数值孔径)的正弦为坐标作图得到数据。使用彼得曼第二定义确定MFD，该数学模型没有假设功率分布的特定形状。使用汉克尔变换可以从远场测量值确定近场处的MFD大小TEC光纤跳线，980 nm - 1250 nmItem #Fiber TypeOperating WavelengthMode Field DiameteraAR CoatingbMax AttenuationcNAdCladding/Coating DiameterConnectorsJacketTECStandardTECStandardP1-1060TEC-21060XP980 - 1250 nm12.4 ± 1.0 μm6.2 ± 0.5 μm850 - 1250 nm≤2.1 dB/km @980 nm≤1.5 dB/km @ 1060 nm0.070.14125 ± 0.5 μm /245 ± 10 μmFC/PC (TEC) to FC/PC?3 mmFT030-YP5-1060TEC-2TEC光纤跳线，1460 - 1620 nm，镀增透膜，FC/PC(TEC)到FC/APC，2 mP6-1550TEC-2TEC光纤跳线，1460 - 1620 nm，镀增透膜，?2.5 mm插芯(TEC)到裸纤，2 m

热解氮化硼坩埚 热解氮化硼（PBN）是特种陶瓷材料，是本公司在特殊设备上用化学气相沉积的工艺制得的。热解氮化硼的沉积过程，宛如“落雪”：氮化硼的六角型小雪片，一片一片的平行地落在石墨基体材料上，达到一定厚度后，最终冷却脱模而制成。 主要特点： ●　产品颜色在牙白至橙棕，无毒、无孔隙、易加工。●　纯度高达99.99％，表面致密，气密性好。●　耐高温，强度随温度升高，2200℃达到最大值。●　耐酸、碱、盐及有机试剂，高温与绝大多数熔融金属、半导体等材料不湿润、不反应。●　抗热震性好，热导性好，热膨胀系数低。●　电阻高，介电强度高，介电常数小，磁损耗角正切低，并具有良好的透微波和红外线性能。●　在力学、热学、电学等等性能上有着明显的各向异性。 产品应用1.半导体单晶及III－V族化合物合成用的坩埚、基座：原位合成GaAs 、InP 、GaP单晶的LEC系列坩埚。分子束外延用的MBE系列坩埚。 VGF、VB法系列坩埚。2.电子束源用的系列坩埚，金属熔炼蒸发坩埚等3.石英坩埚及舟皿等石墨器具上的涂层，MOCVD绝缘板。

关于高硼硅玻璃高硼硅玻璃是一种耐高温、高硬度的特殊玻璃材料，高硼硅玻璃不易碎，常常用于太阳能、化工、医药包装等行业。主要由三氧化二硼和二氧化硅为主，添加了水玻璃砂、苏打水和地面石灰。高硼硅玻璃含硼量百分之十四，含硅量百分之八十，耐急度约能达到200~300摄氏度。高硼硅玻璃的耐火性能好，物理强度高，与普遍玻璃相比，无毒副作用，其机械性能，热稳定性能，抗水、抗碱、抗酸等性能大大提高。因此，可广泛用于化工、航天、军事、家庭、医院等各个领域，可制成灯具、餐具、标盘、望远镜片、洗衣机观察孔、微波炉盘、太阳能热水器等多种产品，具有良好的推广价值和社会效益。

碳化硼是非常坚硬的材料，摩氏硬度为9.3，并是继氮化硼、金刚石、富勒烯化合物和钻石整体纤管后的第五种已知最硬的物质。与酸碱不起反应，耐高/低温,耐高压，密度&ge 2.46g/cm3，显微硬度&ge 3500kgf/mm2，抗弯强度&ge 400Mpa，熔点为2450℃，是极佳的磨料材料。 货号产品名称规格50510-08Boron Carbide Powder, 8µ m 碳化硼粉1 lb50510-10Boron Carbide Powder, 10µ m1 lb50510-14Boron Carbide Powder, 14µ m1 lb50510-18Boron Carbide Powder, 18µ m1 lb50510-23Boron Carbide Powder, 23µ m1 lb50510-35Boron Carbide Powder, 35µ m1 lb50510-42Boron Carbide Powder, 42µ m1 lb50510-50Boron Carbide Powder, 50µ m1 lb

立方氮化硼锯片中立方结构的氮化硼晶体结构类似金刚石，其硬度略低于金刚石，为HV72000-98000兆帕，应用于高速切削或磨削，可提高产品质量、加工效率，同时缩短加工周期和降低加工成本。主要特点具有优于金刚石的热稳定性和对铁族金属的化学惰性，适于加工既硬又韧的材料，如高速钢、工具钢、模具钢、轴承钢、镍和钴基合金、冷硬铸铁等，且磨削钢材时，大多可获得高的磨削比和加工表面质量。 技术参数Φ101.6mm×Φ12.7mm×0.35mm、Φ127mm×Φ12.7mm×0.60mm、Φ152.4mm×Φ12.7mm×1.0mm、Φ203.2mm×Φ25.4mm×1.3mm

碳化硼研磨微粉适于UNIPOL系列研磨抛光机的研磨使用。技术参数粒度W3.5、W7、W10、W14、W20、W28

说明: Q-Gard 硼纯化柱（Elix/RO/蒸馏水做进水） 商标名: Q-Gard 数量/包装: 1 进水要求: Elix 水做进水 去离子 (DI) 滤膜孔径，μm: 0.1 产品名称: Q-Gard 纯化柱 产品应用: 降低 Milli-Q 系统中所有类型的进水中的硼含量

CVD-ZnSe硒化锌窗片红外透镜ZnSe可用作生产IR红外范围的光学元件（窗片、透镜、棱镜）材料，包括无源激光光学元件。CVD-ZnSe的结构非常均匀，它具有卓越的光学透射性能，散射和吸收损失极低。CVD - ZnSe是高功率激光窗口片和多光谱应用的选择，有效透射范围为0.5 - 19 um。它具有出色的成像特性，高抗热冲击性，几乎在所有操作环境中都很稳定。这种材料柔软且不吸湿。CVD-ZnSe硒化锌窗片红外透镜硒化锌棱镜ZnSe的物理性质 光学特性热光系数，（dn / dT）6.1 x 10 -5@ 10.6um @ 298-358 K，1 / K.Restrahlen peak, mm45.7反射损耗@ 10.6um（2个表面），％29.1反射不均匀性（dn/n）@ 0.633um，小于3 x 10 -5ZnSe折射率与波长的关系λ，μm?λ，μm?λ，μm?0.542.67543.002.437610.602.40280.582.63123.40 2.435611.402.39740.622.59943.802.433911.802.39450.662.5755 4.202.432412.202.39150.702.55684.602.430912.602.38830.74 2.54185.002.429513.002.38500.782.52955.402.428113.402.3816 0.822.51935.802.426613.802.37810.862.51076.202.425114.202.37440.902.50346.602.423514.602.37050.942.49717.002.421815.002.36650.982.49167.402.420115.402.36231.002.48927.802.418315.802.35791.402.46098.202.416316.202.35341.502.45608.602.414316.602.34871.802.44969.002.412217.002.34382.002.44609.402.410017.402.33872.202.44379.802.407717.802.33332.602.440110.202.405318.202.3278 根据应用，我们使用两种等级的CVD - 具有不同光学性质的ZnSe。8um以上无差异（见图1）。 图1 CVD-ZnSe窗口厚度为10 mm的透射光谱。G 1G 2吸收指数（5-8）x10-41x10-3@ 10.6 um，小于1/cm损伤阈值，不小于，kW / cm 22-3-欢迎来电咨询定制：CVD - ZnSe坯料的直径为2-200 mm，厚度为15-20 mm。类型长宽/直径 mm厚度, mm表面质量, scr/digPN 平面7140/20 , 60/40W-ZNSE-DX-TX平面，带孔7140/20 , 60/40WWDR-ZNSE-DX-TX契形 7140/20 , 60/40W-ZNSE-DX-TX-C契形，带孔7140/20 , 60/40WWDR-ZNSE-LX-HX-TX契形，带孔/凹槽7 140/20 , 60/40WWDR-ZNSE-DX-TX5ZnSe窗片型号：类型直径 mm厚度, mm表面质量, scr/digPNplano-plano25.4360/40W-ZNSE-D25.4-T3plano-plano38.1360/40W-ZNSE-D38.1-T3plano-plano50.8360/40W-ZNSE-D50.8-T3plano-plano76360/40W-ZNSE-D76-T3plano-plano100860/40W-ZNSE-D100-T8plano-plano101.68.360/40W-ZNSE-D101.6-T8.5ZnSe分束镜型号类型直径 mm厚度, mm表面质量, scr/digPNplano-plano25.4160/40BS-ZNSE-D25.4-T1-Cplano-plano38.1160/40BS-ZNSE-D38.1-T1-Cplano-plano50.8360/40BS-ZNSE-D50.8-T3-Cplano-plano76360/40BS-ZNSE-D76-T3-Cplano-plano100860/40BS-ZNSE-D100-T8-Cplano-plano101.6860/40BS-ZNSE-D101.6-T8-C

产品介绍： CdSe晶体非常适用于制作红外光学元件，偏振片，1/4、1/2波片，分束镜，基底，真空沉积靶材，DFM频率转换器。产品参数：结构 Wurtzite (Hexagonal)密度: 5.81 g/ cm3杨氏模量:5×1011 dyne/cm2热膨胀系数 (500 K):α 1=6.26×10-6/K α 3=4.28×10-6/K比热:0.49 J/gK 热导率 (at 25 °C):0.04 W/cmK最大透过率 (λ =2.5-15 μm):≥ 71 %吸收系数. (λ =10.6 μm):≤ 0.0015 cm-1 (including 2 surfaces)折射率 (λ =10.6 μm):2.4258 (no), 2.4437 (ne)电阻率a). low: 1 Ohm*cm b). high: about 10^11 Ohm*cm最大单晶尺寸:?40mm X L: 80 mm最大红外光学元件尺寸:?50mm X L:10 mm OR plate 50 mm X 15 mm X 12 mm硒化镉产品透过率曲线：直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm晶向(0001), (10-10), (11-20)表面质量As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830CdSe 棒, 晶圆 和基片CdSe 晶体尺寸纯度99.995%, 99.999%颗粒尺寸0.01- 10 mm应用举例CdSe晶体应用于12.3um波片时，单片晶体的厚度：λ/2波片@12.3um：Order: 1 Half-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 2 Half-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 3 Half-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 4 Half-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 5 Half-wave plate thickness: 1.7877 [mm]Order: 6 Half-wave plate thickness: 2.1453 [mm]Order: 7 Half-wave plate thickness: 2.5029 [mm] Order: 8 Half-wave plate thickness: 2.8604 [mm]Order: 9 Half-wave plate thickness: 3.2180 [mm]Order: 10 Half-wave plate thickness: 3.5755 [mm]λ/2波片波片@12.3um：Order: 1 Quarter-wave plate thickness: 0.1787 [mm]Order: 2 Quarter-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 3 Quarter-wave plate thickness: 0.5363 [mm]Order: 4 Quarter-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 5 Quarter-wave plate thickness: 0.8938 [mm]Order: 6 Quarter-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 7 Quarter-wave plate thickness: 1.2514 [mm]Order: 8 Quarter-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 9 Quarter-wave plate thickness: 1.6090 [mm]Order: 10 Quarter-wave plate thickness: 1.7877 [mm] 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

关于高硼硅玻璃高硼硅玻璃是一种耐高温、高硬度的特殊玻璃材料，高硼硅玻璃不易碎，常常用于太阳能、化工、医药包装等行业。主要由三氧化二硼和二氧化硅为主，添加了水玻璃砂、苏打水和地面石灰。高硼硅玻璃含硼量百分之十四，含硅量百分之八十，耐急度约能达到200~300摄氏度。高硼硅玻璃的耐火性能好，物理强度高，与普遍玻璃相比，无毒副作用，其机械性能，热稳定性能，抗水、抗碱、抗酸等性能大大提高。因此，可广泛用于化工、航天、军事、家庭、医院等各个领域，可制成灯具、餐具、标盘、望远镜片、洗衣机观察孔、微波炉盘、太阳能热水器等多种产品，具有良好的推广价值和社会效益。

该装置适用于烘焙食品的新鲜度测试。其利用球形探头穿透薯片、饼干等食品来测试酥脆性(fracturability)。平台底部放置中空托盘，可使样品完全破裂。

激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。