铌酸镁晶体

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

我们提供的优质进口LiNbO3 晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂是声光级和光学级的高质量LiNbO3晶体。 采用Czochralsky 方法生长，沿着Z轴极化的晶体棒长度可达100mm，我们也可提供其他方向的铌酸锂晶体,铌酸锂晶体棒，用于SAW衬底和 压电传感器/piezotransducers。透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：30arcmin表面质量：S/D10-5平整度：L/8@633nm平行度：20arcsec垂直度：5arcmin激光损伤阈值：250MW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nmLiNbO3晶体,铌酸锂晶体广泛地用作1微米以上激光倍频器和OPO光学参量振荡器，以及准相位匹配器件。LiNbO3晶体和铌酸锂晶体也是光电子器件的最为优秀材料之一。人们利用铌酸锂独特的电光，光弹，压电和非线性特性，以及良好的机械和光学稳定性，宽广的透光范围，制造了许多光电子器件。 领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！LiNbO3晶体,铌酸锂晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学材料器件和仪器供应商！所销售的LiNbO3晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体。

所属类别：? 晶体 ?铌酸锂晶体所属品牌：美国CTI公司美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片（MgO:LN）。 由于没有光折变损伤，具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍。由于MgO的浓度对晶体的性能有很大的影响。因此，需要对MgO浓度进行严格的控制。应用：电光调制器、太赫兹生成、倍频产生蓝/绿光

产品名称：掺铁铌酸锂晶体（Fe:LiNbO3）产品规格：浓度：0.07mol% Fe:LiNbO3尺寸：dia2"x0.5mm ，10x10x0.5mm；抛光情况：单抛及双抛注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋 性能参数 Fe:LiNbO3晶体是一种很好的光折变材料，具有很高的光折变性，理想的电光性能和化学机械性能，广泛用于全息存储，光学存储和信息加工等研发和器件应用领域。科晶公司采用提拉法生长晶体，可获得低成本，大尺寸，全极化，高光学质量的晶体和基片，选择不同的掺杂浓度可适应不同客户的需求。 分子式LiNbO3掺杂离子Fe2+, Fe3+掺杂浓度（mol.% Fe2O3）0.005 0.02 0.05 0.1或其他浓度晶体结构三方，3m密度， g/cm34.64莫氏硬度5熔点，℃1255 (Tc=1140 )透过波段，nm0.35 – 5.5折射率@lambda=0.63 nm2.29 (no)2.20 (ne)电光系数,pm/V (at lambda=0.63 nm)32 (r33) 6.8 (r22)10 (r31)介电常数85 (e11)

光折变晶体：BGO锗酸铋晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN 光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20（BSO）Bi 12 GeO 20（BGO） Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m4mm 4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15- a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C890920 1255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33）8803400 暗电阻，欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下----0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压-- -240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。BGO锗酸铋晶体

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

SBN晶体又名铌酸锶钡是一种非常优异的光折变晶体材料。我们提供欧洲生长的高纯度SBN晶体或Ce,Cr,Co,Fe掺杂的SBN晶体。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我们提供的SBN晶体采用新的晶体生长技术 (Stepanov Method)， 提供出色的光学质量,晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均性现象。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。SBN晶体和铌酸锶钡晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的SBN晶体等光折变晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。

硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。SBN晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。硅酸铋晶体主要特点： -高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制 BSO晶体主要应用： -空间光调制器-光开关-相位共轭混合器。 铌酸锂晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制LiNbO3晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-全息记录-光波导 SBN晶体的主要特点：-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂-有效相位共轭-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求 SBN晶体的主要应用：-光学信息记录-热释电探测器-自泵浦自共轭镜-光学相关器 BGO晶体的主要特点：-高电光系数(r41=3，5 pm/v)-低暗电导-大尺寸元件或晶片最多可达3“-可根据要求定制 BGO晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-光学相关器

二硫化铌晶体 2H-NbS2(Niobium Disulfide)晶体尺寸：2毫米电学性能：金属，superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a single crystal 2H-NbS2 aligned along the (001) plane. XRD diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-NbS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体是一种性能优良的光折变测量，Fe:LiNbO3晶体具有高的电光系数和光折变灵敏度和衍射效率，而且没有附加电场。我们提供各种掺杂的进口掺铁铌酸锂晶体。Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体参数晶体对称性：三方晶系密度：4.64g/cm^3莫氏硬度：5熔点：1255摄氏度透光范围：0.35-5.5微米折射率： 2.29(n0), 2.2(ne) λ=0.63 um电光系数：32 (r33), 6.8 (r22), 10(r31) pm/V at λ=0.63介电质常数：85 (epsilon11), 30(epsilon33) Fe:LiNbO3晶体和掺铁铌酸锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体询问服务：为了方便您的询价，请填写如下晶体要求，复制粘贴到Email中发生给我们即可，我们将尽快回复。Dopant level0.005 - 0.1mol.% Fe2O3Aperture Dimensions:mmLength:mmDescription of AR coatings I Surface:Description of AR coatings II Surface:Electrodes Cr + AuYesNoComments

我Felles Photonic（孚光精仪公司)是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Er:YAG,Er:YAG,Er:YAG晶体,Er:YAP晶体,Er:YAG晶体棒系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。Er:YAP晶体中文名掺铒铝酸钇晶体，是理想的固体激光晶体材料,这种Er:YAP晶体可在闪光灯泵浦下进行Q开关工作，特别是在1.66微米可获得更 高的重复频率。由于铒和钇的离子半径相似，高掺杂的掺铒铝酸钇晶体可以生长。铝酸钇晶体作为Er离子的基质,高掺杂的掺铒铝酸钇晶体可发出2.73μm波 长的激光，低浓度掺杂的Er:YAP晶体发射1.66μm激光。我们可为您提供如下标准产品：I) Er:YAP晶体掺杂浓度50 at.％ Er/Y (可按用户要求提供其他掺杂浓度的产品）；II）掺铒铝酸钇晶体棒直径2mm到7mm,棒长可达120mm III)Er:YAP晶体与布儒斯特角垂直或倾斜竖直；|IV）掺铒铝酸钇晶体增透膜可达R〈0.3％；Er:YAG晶体,Er:YAP晶体比较晶体名称Er：YAP晶体Er：YAG晶体基质YAlO3 Y3Al5O12掺杂离子ErEr掺杂浓度1-50 at％ Er/Y1-50 at％ Er/Y激光波长1.66μm 2.73μm1.64μm 2.94μmEr:YAP晶体中文名掺铒铝酸钇晶体,是理想的固体激光晶体材料,高掺杂的掺铒铝酸钇晶体可发出2.73μm波长的激光,低浓度掺杂的Er:YAP晶体发射1.66μm激光.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究，并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体，我们还提供带有ITO（氧化铟锡）涂层的孔径高达30x30 mm2，厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯，由Ce，Cr，Co，Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学，声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶，没有生长条纹，夹杂物和其他不均匀性，以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术，可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元，Fe：LiNbO3（其他掺杂剂可用）。 铁掺杂铌酸锂晶体（Fe：LiNbO3）是一种常用的具有高电光（EO）系数，高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比，它具有易于操作和存储，成本低，尺寸利用率大等突出优点，使其更适用于批量制造和实用设备。因此，Fe：LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度，尺寸和光学处理要求的晶体。 光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20（BSO） Bi 12 GeO 20（BGO）Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23 三角形，3m4mm4mm晶格（胞）参数，?10.10 10.15-a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C8909201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33） 8803400暗电阻，欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下---- 0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

KTA晶体全名KTiOAsO4晶体,中文名砷酸钛氧钾是非常优异的非线性晶体材料, 用于光学参量振荡(OPO)应用。基于KTA晶体和KTiOAsO4晶体的OPO装置具有高度可靠性，调谐激光的能量转换效率高达 50%. KTA晶体和砷酸钛氧钾在 2,0-5,0 微米范围内具有超低的吸收，并且具有超高的损伤阈值。 KTA晶体,KTiOAsO4晶体,砷酸钛氧钾晶体参数透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：30arcmin表面质量：S/D10-5平整度：L/6@633nm平行度：30arcsec垂直度：5arcmin激光损伤阈值：1,5GW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nmKTA晶体和KTiOAsO4晶体是非常优异的非线性晶体材料,用于光学参量振荡,基于KTA晶体和砷酸钛氧钾晶体的OPO调谐激光的能量转换效率高达50%。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

产品简介 ZnGeP2（ZGP）单晶是用于频率转换产生中红外以及太赫兹波的高效的非线性光学材料。ZnGeP2晶体具有正的双折射，可以在0.75um-12.0um的波长范围进行相位匹配光学参量频率转换。其有用的传输范围位于从2.1至10.6微米，此范围内具有低至 0.04cm-1的吸收。ZnGeP2具有很大的非线性光学系数和相对高的激光损伤阈值。ZnGeP2晶体具有以下应用：经由与1.06毫米混频上转换CO2激光光到近红外范围 ：合频CO和CO2产生的激光辐射 高效的倍频CO，CO2脉冲激光（49％的倍频效率 1GW/cm2光强，2ns脉冲宽度，9.52毫米波长），在铒激光和钬激光激发下用于中红外波段OPO激光产生。ZnGeP2晶体的应用—— CO2激光器二次、三次和四次谐波产生—— 2um及光泵浦是的光参量产生—— 相干激发辐射太赫兹频段的光波 70um-1000um （0.3-4THz）详细参数透明度范围，微米0.75 - 12.0点群42m密度，g/cm34.12莫氏硬度5.5折射率：在2.00微米? ? = 3.1490 ? ? = 3.1889在4.00微米? ? = 3.1223 ? ? = 3.1608在6.00微米? ? = 3.1101 ? ? = 3.1480在8.00微米? ? = 3.0961 ? ? = 3.1350在10.00微米? ? = 3.0788 ? ? = 3.1183在12.00微米? ? = 3.0552 ? ? = 3.0949非线性系数，pm/ VD 36 = 68.9（10.6微米），D 36 = 75.0（9.6微米）光损伤阈值，MW /cm260（10.6微米，150纳秒）更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

光折变晶体：BSO硅酸铋晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体Bi 12 SiO 20（BSO）Bi 12 GeO 20（BGO）Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m 4mm4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15 -a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0 晶体 折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5 ---在600nm处为 - deg / mm25 24---密度，g / cm 39.159.24.645.4 5.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C890 9201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数 564085（e11）30（e33）8803400 暗电阻，欧姆厘米10 1410 14 -- -吸收系数@0.44μm- -- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下--- -0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT- --3×10 -4 K -1 -居里温度--- 75℃56℃半波电压-- -240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。BSO硅酸铋晶体

二碲化铌晶体 NbTe2(Niobium Selenide) 晶体尺寸：~8毫米电学性能：金属，半导体（TC ~ 0.7k）晶体结构：单斜晶系，C晶胞参数：a＝1.470 nm，b＝0.364，c＝0.935 nm，α＝γ＝90°，β＝108°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a NbTe2 single crystal aligned along the (101) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h 0 l), with h = l = 1, 2, 3, 4Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal NbTe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal NbTe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal NbTe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

Lithium Niobate ( LiNbO3) is notable by a favourable balance of electro-optic, acoustic, piezoelectric, pyroelectric and non-linear optical attributes and is therefore the best material for applications in electro-optical, non-linear optical, and acoustic devices, high-temperature acoustic transducers, receivers-transmitters of acoustic vibrations, air force acceleration meters, acoustic wave delay lines, deflectors, generators of non-linear distorted waves, acoustic filters, electro-optical modulators (Q-switches), converters, frequency doublers and resonators in laser systems, non-linear elements in parametric light generators, and many others. The listed devices can be found anywhere from consumer electronics (TV sets and cell phones) and medical instruments (surgical and therapeutical appliances) to advanced laboratory and scientific equipment (biotechnology, frequency standards, metal cutting, shaping, scribing).LiNbO3 blanks and substrates for SAW and transducer applicationsDiameter5-76.2 mmThickness/=0.15 mmOrientationYX 36, YX 42, YX 49, YX 64, YX 128, YX 136, YZ, Z, X, YMaterial quality For Acoustoelectronics or Optoelectronics applicationsSurface qualityAs-cut, fine-ground, lapped, 20/10 polishedPlease check our Optics stock.

Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。我们提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体采用Czochralski法生长而成，在Nd:YAP晶体生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体良好的激光产生效率。I)Nd:YAP晶体棒标准产品为0.7 at.％ Nd:YAP（连续激光）和0.9 at.％ Nd/Y（脉冲激光），都是b定向产品，可根据用户要求提供其他掺杂浓度的产品；II）掺钕铝酸钇晶体在1079nm的斜效率与Nd：YAG在1064nm的类似；III) Nd:YAP晶体b轴定向切割适合多种应用； IV) Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体线性极化，无热双折射问题，易于产生1.3微米激光。Nd：YAG晶体和Nd：YAP晶体比较 晶体名称Nd:YAP晶体Nd:YAG晶体介质主体YAlO3Y3Al5O12掺杂离子NdNd晶体结构正交，斜方晶系立方晶胞体积a0=0.518nm b0=0.531nm c0=0.736nmak=1.201nm折射率（1064nm) a:1.914 b:1.925 c:1.940 1.816热导率0.11W/cm K0.11W/cm K密度5.35g/cm3 4.56g/cm3莫氏硬度8.58.25荧光寿命（1％Nd）170微秒235微秒激光波长930nm 1079nm 1340nm946nm 1064nm 1319nm我们提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体采用Czochralski法生长而成，在Nd:YAP晶体生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体良好的激光产生效率。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

二硒化铌晶体 2H-NbSe2(Niobium Selenide)晶体尺寸：~10毫米电学性能：金属，半导体（TC ~ 7.2k） Charge Density Waves (CDW) system, Tcdw ~33K晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a 2H phase NbSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond,from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H NbSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal 2H NbSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Raman spectrum of a single crystal 2H NbSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

Tm:YAP晶体,掺铥铝酸钇晶体具有2微米波长固体激光源的理想介质。Tm:YAP晶体的H4和F4能级的自淬灭机制可在上能级产生双光子激发，这就潜在地使得激光获得了高量子效率的有效途径。Tm:YAP晶体的H6和H4能级的吸收带峰值为795nm,非常适宜于高功率的AlGaAS激光二极管泵浦。 而Tm:YAP晶体宽度的吸收峰值也要比Tm:YAG晶体宽些，使得Tm:YAP晶体即使在二极管波长飘逸变化的情况下也是一种理想的激光物质。Tm:YAP晶体发出的激光波长与晶体方向有关。最常见的切割方向为a方向和b方向。Tm:YAP晶体“a" 切割“b”切割吸收峰值794.8nm793.5nm峰值有效泵浦吸收系数（4％ Tm）aa=3.6/cmaa=3.3/cm发射波长峰值1.98μm1.98μm Tm:YAP晶体中文名掺铥铝酸钇晶体,Tm:YAP晶体具有2微米波长固体激光源的理想介质。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Tm:YAP晶体,掺铥铝酸钇晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Tm:YAP晶体,掺铥铝酸钇晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。

Nd:KGW晶体,掺钕钨酸钾钆晶体由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Nd:KGW晶体,掺钕钨酸钾钆,钨酸钾钆系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 Nd:KGW晶体,中文名掺钕钨酸钾钆，是一种激光发光阈值较低，具有超高效率的激光晶体材料, 非常适合激光测距的应用。Nd:KGW晶体所制作的激光的效率是Nd:YAG激光的3-5倍，Nd:KGW晶体是低泵浦能量（0.5-1J)产生激光的最好材料之一。Nd:KGW晶体,掺钕钨酸钾钆技术参数 直径：5mm长度：(a) 50 mm, (b)60mm光洁度：Lambda/8 at 632.8 nm端面平行度：30 arc-seconds垂直度：Less than 5 minutes of arc 镀膜：AR/AR coating at 1067 nm激光损伤阈值：300 MW/cm2晶向：(010)直径公差：+0/-0.1 mm长度公差：+/-1 mm领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

二硫化铌晶体 2H-NbS2(Niobium Disulfide)晶体尺寸：2毫米电学性能：金属，superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a single crystal 2H-NbS2 aligned along the (001) plane. XRD diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8 Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-NbS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

Yb:KGW晶体和Yb:KGd(WO4)2晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供掺镱钨酸钆钾晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 Yb:KGW晶体全名Yb:KGd(WO4)2晶体,中文名掺镱钨酸钆钾晶体,是半导体泵浦固体激光器的新型激光晶体。Yb:KGW晶体作为激光材料用于产生超短高功率脉冲，Yb:KGd(WO4)2晶体可用作超短脉冲放大器，Yb:KGd(WO4)2晶体和掺镱钨酸钆钾晶体是高功率碟片激光器的最好激光材料之一 。Yb:KGW晶体具有较宽的光谱发射带，可在1020-1060nm范围调谐波长，可产生短于70飞秒。Yb:KGd(WO4)2晶体具有较强的存储能力，980nm附近宽广的吸收光谱，小尺寸晶体高吸收泵浦辐射，这些特色使得掺镱钨酸钆钾晶体非常适合半导体激光泵浦。与Yb:YAG和Yb:Glass激光介质相比，Yb:KGW晶体,具有更大的吸收截面。Yb:KGd(WO4)2晶体,掺镱钨酸钆钾晶体特色Yb:KGW晶体具有较高的吸收系数@980nm,High absorption coefficient @ 980 nmYb:KGd(WO4)2晶体具有较高的受激发射横截面High stimulated emission cross section掺镱钨酸钆钾晶体具有较低的激光阈值Low laser thresholdYb:KGW晶体具有超低的量子缺陷 Extremely low quantum defectYb:KGd(WO4)2晶体具有超宽的激光输出范围1020-1060nm,Broad output at 1020-1060 nmYb:KGW晶体二极管泵浦较高的斜效率High slope efficiency with diode pumping (55%)Yb:KGd(WO4)2晶体具有较高的Yb掺杂浓度High Yb-doping concentrationYb:KGW晶体参数材料：Yb:KGW晶体或Yb:KYW晶体切割方向：b-cut: Nm-axis is parallel to input/output faces. Other orientation also available垂直度：+/-10arcmin平行度：+/-5arcsec平整度：Lambda/10光洁度：10-5Scr/Dig领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Crystal materialYb:KGWYb:KYWShapeRectangularRoundDimensionsmmLength, thicknessmmYb-concentration%Coatings on S1:nmCoatings on S2:nmEnd surfacesRigth angle cutBrewster cutComments

产品说明NKT Photonics的HC-633-02空芯光子晶体光纤是在被微结构包围的空隙中传导光。光子带隙可以在具有周期性结构折射率的材料中形成，例如光子晶体光纤就是在石英中周期性排布空气孔形成的。包层中的光子带隙相当于几乎无损耗的反射镜，将光限制在纤芯中，而无需用实心材料制作。由于有一小部分的光会在玻璃中传输，所以其材料的非线性效应会显著降低。主要可以用在功率传输，脉冲整形和压缩，传感以及非线性光学元器件。产品特性＞95%的光在空气中传输真正的空芯光波导弯曲不敏感光纤端面菲涅耳反射可忽略纯二氧化硅，温度稳定性强产品性能曲线图技术参数中心波长~675nm包层直径102±5um衰减＜0.7dB/m(@633nm)纤芯直径5.8±1um模场直径4.4±1um微结构区域直径~37um数值孔径~0.2(@633nm)涂覆层直径248±20.0um有效模式指数~0.99涂覆层材料丙烯酸酯

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

产品介绍： CdSe晶体非常适用于制作红外光学元件，偏振片，1/4、1/2波片，分束镜，基底，真空沉积靶材，DFM频率转换器。产品参数：结构 Wurtzite (Hexagonal)密度: 5.81 g/ cm3杨氏模量:5×1011 dyne/cm2热膨胀系数 (500 K):α 1=6.26×10-6/K α 3=4.28×10-6/K比热:0.49 J/gK 热导率 (at 25 °C):0.04 W/cmK最大透过率 (λ =2.5-15 μm):≥ 71 %吸收系数. (λ =10.6 μm):≤ 0.0015 cm-1 (including 2 surfaces)折射率 (λ =10.6 μm):2.4258 (no), 2.4437 (ne)电阻率a). low: 1 Ohm*cm b). high: about 10^11 Ohm*cm最大单晶尺寸:?40mm X L: 80 mm最大红外光学元件尺寸:?50mm X L:10 mm OR plate 50 mm X 15 mm X 12 mm硒化镉产品透过率曲线：直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm晶向(0001), (10-10), (11-20)表面质量As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830CdSe 棒, 晶圆 和基片CdSe 晶体尺寸纯度99.995%, 99.999%颗粒尺寸0.01- 10 mm应用举例CdSe晶体应用于12.3um波片时，单片晶体的厚度：λ/2波片@12.3um：Order: 1 Half-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 2 Half-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 3 Half-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 4 Half-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 5 Half-wave plate thickness: 1.7877 [mm]Order: 6 Half-wave plate thickness: 2.1453 [mm]Order: 7 Half-wave plate thickness: 2.5029 [mm] Order: 8 Half-wave plate thickness: 2.8604 [mm]Order: 9 Half-wave plate thickness: 3.2180 [mm]Order: 10 Half-wave plate thickness: 3.5755 [mm]λ/2波片波片@12.3um：Order: 1 Quarter-wave plate thickness: 0.1787 [mm]Order: 2 Quarter-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 3 Quarter-wave plate thickness: 0.5363 [mm]Order: 4 Quarter-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 5 Quarter-wave plate thickness: 0.8938 [mm]Order: 6 Quarter-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 7 Quarter-wave plate thickness: 1.2514 [mm]Order: 8 Quarter-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 9 Quarter-wave plate thickness: 1.6090 [mm]Order: 10 Quarter-wave plate thickness: 1.7877 [mm] 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

用于高效波长转换的MgO:PPLN ——Used for high efficiency wavelength conversion of MgO: PPLN在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提供晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200℃，与未掺杂的PPLN相比，MgO:PPLN可提供明显更宽的波长适用范围。在PPLN领域的专业加工，提供了高精度的4.5μm至33μm以上极化周期，尤其对于红-绿-蓝光产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。如下图所示，极化贯穿整个MgO:PPLN样品厚度，以提供最大的光学孔径。 MgO:PPLN晶体设计得能够用于大范围的常用激光波长。每个现货产品都包括多种周期，以应用于不同温度和波长。 MgO:PPLN具有30~200℃的大的运行温度范围。用于短脉冲飞秒激光器的晶体长度为0.3mm~1mm，用于ns到连续激光系统的为10mm~40mm。标准晶体是现货，装配在夹具上。也可根据要求定制晶体长度、厚度、增透膜和周期设计。用于高效波长转换的MgO:PPLN概述——Review of MgO:PPLNCovesion有限公司是一家英国的周期极化铌酸锂晶体（PPLN）材料生产商，包括掺镁周期极化铌酸锂（MgO:PPLN或PPMgO: LN）和未掺杂PPLN。PPLN和MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长交换的非线性光学晶体。Covesion在PPLN领域的专业加工，提供了高精度的4.5μm至33μm极化周期，并且适用于大批量制造。Covesion提供现货晶体和定制晶体：从研发需要到大批量代工生产设计（OEM）。我们的PPLN工程师团队提供专业的技术咨询和建议，以帮助客户找到适合客户应用的解决方案。Covesion的光学工程师设计了一系列PPLN晶体夹、炉子、温度控制器和装配附件，提供能够容易地结合到客户的光学装置中的全套PPLN系统。无论客户是在建立用于科学研究的还是用于样机开发的PPLN系统，Covesion都提供全套PPLN解决方案，快速和简单地应用到客户的激光装置中。 用于SHG的MgO:PPLN：可见光和近红外波段 ——MgO:PPLN For SHG二次谐波(SHG) 将红外波段激光高效地倍频为可见光和近光外波段 可提供0.5mm和1.0mm孔径 装配好的并具有两波段增透膜用于SHG的MgO:PPLN晶体设计得能够用于大范围的常见激光波长。每个晶体都包括多种周期，以在不同温度下实现相位匹配。用于得到可见光波段的晶体包含5种周期，在30℃~110℃温度范围下可实现泵浦波长相位匹配。调到更高温度200℃可对更长波长进行相位匹配。全部的产品都经过严格的质量检验，提供安装在夹具上的现货晶体。也可根据要求提供定制的晶体长度、厚度、增透膜和周期设计。 用于OPO、DFG和SFG的MgO:PPLN——MgO: PPLN For OPO、 DFG and SFG MgO:PPLN宽的透光范围和非临界走离角使其成为产生中红外波段激光的理想材料。基于我们的标准设计结构，用于光学参量振荡（OPO）、差频（DFG）和和频（SFG）的MgO:PPLN晶体适用于普通的泵浦波长1064nm，或者775nm和1550nm。OPO和DFG晶体覆盖宽的连续可调范围，从近红外到超过4.5μm的中红外，同时SFG晶体设计用于产生可调谐的绿光。所有的晶体经过严格的质量检验，可以提供现货。晶体镀有增透膜，装配在夹具上，可与我们的炉子和温度控制仪一起使用。光学参量振荡/产生（OPO/OPG） 1064nm泵浦可产生大范围可调中红外 也适用于DFG 30-200℃的温度调节范围 可提供0.5mm和1.0mm孔径 装配好的并镀有三波段增透膜应用： 中红外光谱学 环境监测 激光雷达（LIDAR）和激光对抗应用： 中红外光谱学 环境监测 激光雷达（LIDAR）和激光对抗和频（SFG） 1550nm和调谐的780nm或810nm泵浦源相互作用，可获得调谐的绿光波长 0.5nm孔径 装配好的并镀有三波段增透膜应用： 从1550nm产生级联三倍频 量子光学 用于从研发到批量代工生产设计的定制MgO:PPLNCustom MgO:PPLNCovesion极化技术为独特的PPLN晶体的设计和生产提供了多功能的基础。定制设计和制造服务提供针对特定应用的技术方案，技术方案具有专业的周期设计和制造，为客户的目标激光系统提供特质的波长转化解决方案。定制设计方案包括： 一次性晶体 代工生产（OEM）原型 大批量生产MgO:PPLN的应用The application of MgO:PPLNPPLN装置设计用于高效转化激光波长，能够使客户获得常规固体激光器、二极管激光器等不能获得的波长。例如，可将PPLN用于： 将1064nm激光倍频到532nm，这种技术用于绿色激光笔 将1064nm激光转换到3μm,用于气体检测或显微成像技术 产生针对一个特定的原子跃迁的窄线宽激光源，用于激光冷却和激光捕获。作为一种选择，PPLN经常用于将高功率可调的1550nm光纤激光源倍频，作为对Ti:宝石激光器的一种低成本紧凑设计的替代品。这样的光源可用于显微系统对活细胞进行成像，或用于太赫兹(terahertz)时域光谱学以在国土安全应用中识别化学指纹。PPLN常用在光参量振荡器中产生高功率中红外光。可调的中红外系统用于大范围的显微成像技术和环境成像的光谱应用。脉冲能量超过1mJ的情况下，这些中红外源也作为激光对抗和激光雷达系统用于国防工业。 MgO:PPLN具有大范围的应用：飞秒激光器 产生THz 计量 频率梳稳定生物光子学： 相干反斯托克斯拉曼散射谱（CARS）显微 基于荧光的显微 DNA测序 绿光激光器： 激光投影仪 海床勘测量子光学： 量子计算 精确导航系统 国防： 激光对抗 跟踪气体检测 激光雷达航天： 环境监测 遥感