铌酸镁晶体

产品名称：铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片产品简介：铝酸镁（尖晶石）单晶广泛应用于声波和微波器件及快速IC外延基片。同时研究发现它是好的III-V族氮化物器件的衬底。MgAl2O4晶体由于很难维持它的单晶结构而难以生长，经过几年的努力，目前科晶公司能够提供世界上质量最优尺寸的MgAl2O4晶体。技术参数：晶体结构立方晶格常数a=8.085?生长方法提拉法熔点2130℃密度3.64g/cm3莫氏硬度 8 Mohs热膨胀系数7.45×10-6/℃声速6500m/s ,[100]剪切波传播损耗（9GHz)6.5db/us颜色及外观白色透明产品规格：常规晶向：100、110、111公差：+/-0.5度常规尺寸:dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；抛光情况：单抛或双抛；表面粗糙度Ra:5A注：可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品: ZnOSiCGaNMgAl2O4 (spinel)LiGaO2Other Al2O3 AlN template 基片包装盒系列等离子清洗机薄膜制备设备

一, VIS-VUV 非线性/电/声光晶体包含 LBO三硼酸锂(LiB3O5)LB4 四硼酸锂(Li2B4O7)KTP 磷酸氧钛钾(KTiOPO4)KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)β硼酸钡(b-BaB2O4)BBO 等VIS-VUV 非线性/电/声光晶体晶体名称型号货号 描述 价格 KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)非线性晶体 [PDF] [注]KTiOAsO4A80160150透光率, 0.35 – 5.5µ m,非线性系数, pm/V d31= 2.76 d32= 4.74 d33= 18.5,对称度 斜方晶系, mm2 point group,晶胞参数, &angst a=13.103, b=6.558, c=10.746 KTP 磷酸氧钛钾(KTiOPO4)非线性光学晶体 [PDF] [注]KTiOPO4A80160151透光率,0.35 – 4.5 µ m,非线性系数, pm/V d31 = 2.0 d32 = 3.6,对称度 斜方晶系, mm2 point group,晶胞参数, &angst a=12.818, b=6.404, c=10.596 LB4 四硼酸锂 (Li2B4O7) 非线性光学晶体 [PDF] [注]Li2B4O7A80160214透光率, 0.16 – 3.5µ m,非线性系数, pm/V d31 = 2.0 d31 = 0.12,对称度:正方晶系, 4mm point group,晶胞参数, &angst a=12.818, b=6.404, c=10.596 LBO 三硼酸锂（LiB3O5）非线性晶体 [PDF] [注]LiB3O5A80160213透光率, 0.16 – 2.6µ m,非线性系数, pm/V d31 = 0.67 d32 = 0.85,对称度:斜方晶系, mm2 point group,晶胞参数,:a=8.447, b=7.3798, c=5.1408 &angst β硼酸钡(β-BaB2O4)BBO 非线性晶体 [PDF] [注]b-BaB2O4A80160212透光率, 0.189 - 2.6µ m,非线性系数, pm/V d22=2.2, d15=0.16,对称度:三方晶系, 3m point group,晶胞参数, &angst a=12.519, c=12.723 总览KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)非线性晶体是近年来发展起来的一种用于非线性光学和电光器件应用的优良光学非线性晶体。与KTP相比，这些非线性光学和电光系数更高，并且它们还具有显著降低2.0-5.0µ m区域吸收的额外好处。大的非线性系数与宽的角度和温度带宽相结合。砷酸盐的其他优点是较低的介电常数、较低的损耗角正切和比KTP小几个数量级的离子电导率。这些砷酸盐的单晶具有化学和热稳定性，不吸湿，并且对高强度激光辐射具有高度抗性。KTA晶体在二次谐波产生（SHG）、和差频率产生（SFG）/（DFG）、光学参量振荡（OPO）、电光调Q和调制以及作为光波导的衬底方面具有重要作用。基于这些晶体的OPO器件是可靠的固态可调谐激光辐射源，其能量转换效率超过50%。KTA有很高的伤害阈值。皮秒染料激光在10-20 GW/cm2的水平下未观察到光学损伤。这种晶体是用高温熔剂技术生长的。KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)非线性晶体,KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)非线性晶体技术参数主要特性复合物KTiOAsO4透光率, µ m0.35 – 5.5非线性系数, pm/Vd31= 2.76 d32= 4.74 d33= 18.5对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=13.103, b=6.558, c=10.746典型反射系数1064 nm532 nmnx=1.7826, ny=1.7890, nz=1.8677nx=1.8293, ny=1.8356, nz=1.9309光学损坏阈值, GW/cm21064 nm(t=10 ns)1.5电光系数, pm/Vr13=15, r23=21, r33=40莫氏（Mohs）硬度5光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用中间红外区域1 - 5.5µ m的光学参量振荡器(OPO) 在1 - 5.5µ m的红外中间区域产生不同的频率（DFG） 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览磷酸氧钛钾（KTiOPO4或KTP）是一种优良的非线性晶体。它具有高的光学质量、宽的透明范围、相对较高的有效倍频系数（约为KDP的3倍）、高的光学损伤阈值、宽的接受角、小的走离(small walk-off)以及宽波长范围内的I型和II型非临界相位匹配（NCPM）。KTP是Nd:YAG激光器和其他掺钕激光器倍频最常用的材料，特别是在低或中等功率密度下。KTP的特性使其作为电光调制器以及光波导器件（包括相位调制器、幅度调制器和定向耦合器）具有优越性。KTP 磷酸氧钛钾(KTiOPO4)非线性光学晶体,KTP 磷酸氧钛钾(KTiOPO4)非线性光学晶体技术参数主要特性复合物KTiOPO4透光率, µ m0.35 – 4.5非线性系数, pm/Vd31 = 2.0 d32 = 3.6对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=12.818, b=6.404, c=10.596典型反射系数1064 nm 532 nmnx=1.7381, ny=1.7458, nz=1.8302 nx=1.7785, ny=1.7892, nz=1.8894光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)~1电光系数, pm/Vr13=9.5, r23=15.7, r33=36.3莫氏（Mohs）硬度5 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用近红外区高达4µ m的光学参量振荡器（OPO）在高达4µ m的近红外区域产生不同频率（DFG）1.064µ m辐射产生的二次谐波（SHG） 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。总览四硼酸锂晶体是新型非铁电压晶体材料,它兼具高声表面波有效耦合系数和低延迟温度系数等优点,可作为温度补偿型压电基片材料,并已在高频、高稳定度的SAW器件工业上应用。国内外均使用提拉法生长,其生长缺陷主要是芯区、条纹、开裂和散射颗粒。我所采用独创的坩埚下降法生长大直径(50～80mm)四硼酸锂,得到了无芯区、无条纹、无开裂和无散射的宏观完整晶体。我们的研究显示了潜在的效率，并为由波长为 1064 和 800 nm 的广泛高功率激光器及其谐波泵浦的 LB4 晶体中非线性产生太赫兹辐射提供了必要条件。LB4 四硼酸锂 (Li2B4O7) 非线性光学晶体,LB4 四硼酸锂 (Li2B4O7) 非线性光学晶体技术参数主要特性透光率, µ m0.16 – 3.5非线性系数, pm/Vd31 = 2.0 d31 = 0.12对称度正方晶系, 4mm point group晶胞参数, &angst a=12.818, b=6.404, c=10.596典型反射系数1064 nm 532 nmno=1.5980, ne=1.5432 no=1.6139, ne=0.5564光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)1离散角, ° (532 nm)1.9莫氏（Mohs）硬度4-5化学性能不吸湿光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用表面声波元件（SAW）的基板YAG激光器的二次，三次，四次，五次谐波产生基于SHG和SFG可见辐射的高功率紫外光源总览非线性光学晶体三硼酸锂（LiB3O5或LBO）具有一系列独te的特性：从VUV到IR的宽透明范围、高光学损伤阈值、高有效非线性系数和非临界相位匹配可用性、非常小的走离(walk-off)。采用改进的高温熔剂法生长LBO晶体。LBO在0.16和3.3µ m处具有带边(band edges)。其有效透射范围（5%/cm）为0.21至2.3µ m。但是，如果可以接受更高的吸收，LBO通过允许更深的UV混合来补充BBO。它还允许标称1.0-1.3µ m I型SHG的温度可控非临界相位匹配（NCPM）。LBO还为II型SHG（0.8-1.1µ m）和THG（0.95-1.2µ m）提供室温准NCPM（角度调谐，同时保持=90°），这是一种独te的性能，部分归因于其双轴性。LBO较低的双折射将其UV相位匹配限制在某些较长波长辐射的组合上，但它也具有明显较大的角度接收带宽，从而降低了对源激光器的光束质量要求LBO 三硼酸锂（LiB3O5）非线性晶体,LBO 三硼酸锂（LiB3O5）非线性晶体技术参数主要特性复合物LiB3O5透光率, µ m0.16 – 2.6非线性系数, pm/Vd31 = 0.67 d32 = 0.85对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数a=8.447, b=7.3798, c=5.1408 &angst 典型反射系数1064 nm 532 nmnx=1.5656, ny=1.5905, nz=1.6055 nx=1.5785, ny=1.6065, nz=1.6212光学损坏阈值, GW/cm21053 nm(t=10 ns)2.5截止二次谐波三次谐波554 nm794 nm离散角, °Type IType II0.430.22莫氏（Mohs）硬度6 定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用 应用于YAG: Nd, YAG: Ho, Ti: Sapphire, 翠绿宝石激光器二次谐波的产生应用于YAG: Nd, Ti: Sapphire,翠绿宝石激光器三次谐波的产生光学参量放大器OPA与光学参量振荡器OPO（泵浦功率为308、355、532和1064 nm）皮秒和飞秒激光系统中的自相关器(薄晶体中) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览BBO 或 beta-BaB2O4或β-BaB2O4是一种非线性光学晶体，它结合了许多独te的特性。这些特性包括宽透明度和相位匹配范围、大非线性系数、高损伤阈值和出色的光学均匀性。因此，BBO 为各种非线性光学应用提供了有吸引力的解决方案。β硼酸钡(β-BaB2O4)BBO 非线性晶体,β硼酸钡(β-BaB2O4)BBO 非线性晶体技术参数主要特性复合物 β-BaB2O4透光率, µ m0.189 - 2.6非线性系数, pm/Vd22=2.2, d15=0.16对称度三方晶系, 3m point group晶胞参数, &angst a=12.519, c=12.723典型反射系数1064 nm532 nmno=1.5980, ne=1.5432no=1.6139, ne=1.5555光学损坏阈值, GW/cm21064 nm(t=10ns)1-2二次谐波截止Type I Type II411 nm 527 nm离散角, °Type I, 1064 nm3.2温度验收, °C*cmType I 1064 nm55莫氏（Mohs）硬度4.5光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig10/5应用YAG激光器的2次，3次，4次，5次谐波产生；Ti: Sapphire 和翠绿宝石激光器的2次谐波产生使用OPO的可调谐固态激光器（泵浦功率为355,532或1064nm）使用可调谐染料激光器的SHG和SFG的高效紫外光源皮秒和飞秒激光系统中的自相关器(薄晶体中) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 二, PP-LBGO 周期性极化LaBGeO5晶体PP-LBGO (Periodically-poled LaBGeO5)周期性极化的LaBGeO5晶体用于紫外线应用的新型QPM器件PP-LBGO 可以解决传统非线性器件（LBO、BBO 和 CLBO）的吸湿和双折射离散等问题。PP-LBGO 周期性极化LaBGeO5晶体,PP-LBGO 周期性极化LaBGeO5晶体产品特点Non-walk-off (QPM)不吸湿更短的截止波长(200nm)通用参数电极图案表面 及相对表面LBGO晶体块（无裂纹)可用范围材料参数（355nm generation） 参数/单位LBO I型LBO II型BBOCLBOPP-LBGO*PP Mg:SLT（三阶）离散 ρ (mrad)18.159.3772.3037.13无无非线性系数 deff (pm/V)0.720.532.020.520.61 (d33=0.96)3.00QPM周期 Λ (um)6.46.6截止波长 (nm)160160185180195265潮解弱的弱的强的非常强无无上述参数是355nm生成的示例。*I. Shoji et al., Advanced Photonics 2018 (Optical Society of America, 2018), paper NoM3J.5三, Mg:SLN 太赫兹掺镁铌酸锂棱镜 (非线性晶体) 780-820nm 或1025-1065nmMg:SLN 棱镜是产生太赫兹的关键器件用于GaN外延生长的新型衬底晶体Mg:SLN 掺镁铌酸锂棱镜 标准1型 (非线性晶体) [PDF] [注]MgSLN-1A80161215库存:0 货期:8-10周品牌: OXIDE 日本 宽太赫兹带宽：0.2~2.5 THz；尺寸：9 x 9 x 9mm^3；AR涂层：@780-820nm 和@1025-1065nmMg:SLN 太赫兹掺镁铌酸锂棱镜 高功率型 (非线性晶体) [PDF] [注]MgSLN-2A80161216库存:0 货期:8-10周品牌: OXIDE 日本 宽太赫兹带宽：0.2~2.5 THz；尺寸：10 x 10 x 12.5mm^3；AR涂层：@780-820nm 和@1025-1065nmMg:SLN 太赫兹掺镁铌酸锂棱镜 大口径型 (非线性晶体) [PDF] [注]MgSLN-3A80161217库存:0 货期:8-10周品牌: OXIDE 日本 宽太赫兹带宽：0.2~2.5 THz；尺寸：20 x 20 x 20mm^3；AR涂层：@780-820nm 和@1025-1065nmMg:SLN 太赫兹掺镁铌酸锂棱镜 (非线性晶体) 780-820nm 或1025-1065nm,Mg:SLN 太赫兹掺镁铌酸锂棱镜 (非线性晶体) 780-820nm 或1025-1065nm产品特点太赫兹生成的简单设置宽太赫兹带宽(0.2~2.5 THz)低缺陷密度高损伤阈值通用参数M. Jewariya, M. Nagai, and K. Tanaka, Journal of Optical Society of America B, 26, (9) A101 (2009).型号标准型1（基本型） 尺寸9 x 9 x 9mm3AR涂层@780-820nm 和@1025-1065nm标准类型 2（高功率）由于剩余功率倾倒在棱镜外，因此在高平均输入功率下性能更好。 尺寸10 x 10 x 12.5mm3AR涂层@780-820nm 和@1025-1065nm标准Type3（大口径） 尺寸20 x 20 x 20mm3AR涂层@780-820nm 和@1025-1065nm 详细尺寸和规格＜应用实例参考＞参考 1：M. Nagai、M. Jewariya、Y. Ichikawa、H. Ohtake、T. Sugiura、Y. Uehara 和 K. Tanaka，“通过 χ(2) 级联过程产生超出激发带宽限制的宽带和高功率太赫兹脉冲在 LiNbO3”，OPT. EXPRESS 18, 11543-11549 (2009).参考 2：F. Blanchard、X. Ropagnol、H. Hafez、H. Razavipour、M. Bolduc、R. Morandotti、T. Ozaki 和 DG Cooke，“极端泵浦脉冲整形对多毫焦耳铌酸锂中强太赫兹发射的影响泵能量”，OPT. LETT. 39, 4333-4336 (2014).

产品名称：（日本料）掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片产品简介：掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构，但有电导性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 – 0.001 W-cm之间变化随着掺铌浓度在0.01 ~ 0.001 wt %之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。科晶提供高质量低成本的掺铌钛酸锶基片。产品参数：晶体结构：Cubic, a=3.905 A 生长方法:Vernuil密度：5.175 g/cm3熔点：2080 ℃硬度：6 ( Mohn)热膨胀系数：10.4 (x10-6/ ℃)电阻率：0.007 ohm-cm for 0.7% doped and 0.08 ohm-cm for 0.1% doped损耗角正切at 10 GHz：~5x10-4 @ 300K , ~3 x10-4 @77K颜色和表象：黑色，化学稳定性好不溶于水产品规格：表面抛光：单抛或双抛，Ra 5?；标准方向：100 ± 0.5o ；标准尺寸：10x10x0.5mm, 5x5x0.5 mm.；日本料Nb:SrTiO3可按照客户要求加工备注：等离子清洗器专业清洗（详情请点击） 相关产品：SrTiO3LSATLaAlO3MgO薄膜制备仪硅材料综合测试仪 SrLaAlO4NdCaAlO4NdGaO3YSZ晶片盒等离子清洗/臭氧清洗机

产品名称：PIN-PMN-PT （铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅）晶体基片 产品简介：弛豫铁电/压电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅（relaxor ferro-/piezoelectric single crystals Pb(In1/2 Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3) (Abbr.PIN-PMN-PT,or PIMNT). 产品特点：化学分子式:xPb(In1/2 Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-zPbTiO3.其中，x+y+z=1,z0.30,单晶为三方相；z0.35，单晶为四方相；0.30z0.35,单晶为准同型相界范围。准同型相界附件的单晶PIN-PMN-PT的性能如下所示：001晶片且沿001取向极化，即样品为L x W x T:001x010x001 （Density P~8.1g/cm3） 标准包装：1000级超净室100级超净袋真空封装

产品名称：铝酸锂(LiAlO2)晶体基片产品简介：铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。技术参数： 晶体结构 四方 晶格常数(?) a=5.17 c=6.26 与GaN失配率(001) 1.4% 熔点(℃) 1900 密度(g/cm3) 2.62 硬度(Mohs) 7.5产品规格：常规晶向：100, 001公差：+/-0.5度；常规尺寸：dia2”x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm；抛光情况：细磨、单抛或双抛；注：可按客户需求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： Crystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

产品名称：SrLaGaO4晶体基片产品简介：具有良好的钙钛矿结构超导体晶格匹配，钛酸锶稳定的结构使其适合低介电常数微波或高频应用技术参数：晶体名称 SrLaGaO4晶体基片成长方法 CZ介电常数 16-20M.P.oC 1600密度g/cm3 4.88粗糙度 5 A晶格失配 YBCO 5.7%结构晶格常数(A)tetragonal a=3.843,c=12.680产品规格：100 001 公差：+/-0.5度 单抛 双抛 10x10x0.5mm 5x5x0.5mm 可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：铝酸镧(LaAlO3)晶体基片产品简介：LaAlO3晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。科晶公司是世界上现有铝酸镧单晶最大的生长厂家，每月能生产10～20公斤，可以提供棒、切割毛坯片及外延抛光基片，能满足全球市场上的各种需求。技术参数：晶向：100、110、111、晶体结构：赝立方晶格常数：a=3.792?生长方法：提拉法熔点：2080℃密度：6.52g/cm3莫氏硬度：6.5 Mohs热膨胀系数：10×10-6/℃介电常数：25损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K颜色及外观：依退火状况而不同，由棕黄色到褐色，抛光基片有自然孪晶畴。化学稳定性：室温下不溶于矿物酸，温度大于150℃时可溶于H3PO4 产品规格：常规尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ；常规晶向：100、110、111、晶向公差：+/-0.5度抛光情况：单抛或双抛 （110 Ra15A，100和111 Ra5A）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： LSAT LaAlO3GGGNdCaAlO4 YSZSrTiO3SrLaAlO4 NdGaO3Crystal A-Z基片包装盒系列RTP快速退火炉旋转涂层机

现货PPLN晶体PPLN Bulk Chips HCP库存大量适用于普通激光应用的标准PPLN晶体。您可以参考一个PPLN晶体现货列表，应用波长范围从可见光到中远红外，基于上转换（SHG/SFG）以及下转换（DFG/OPA/OPG/OPO）的混频配置和均匀/多周期/扇形的QPM结构。主要特色：标准现货产品可以快速实现您的非线性混频应用。可用于上转换（SHG/SFG）和下转换（DFG/OPA/OPG/OPO）的混频配置。可用于可见到中远红外波段；定制可实现从紫外到太赫兹。可用于均匀/多周期/扇形的QPM结构。可实现的转换配置：多达150种单周期，多周期，扇形晶体现货供应：QPM结构选择指南：各类QPM样式：均匀/单，多周期（可调谐），级联（SHG+SFG/DFG），啁啾（频谱工程），扇形（连续可调）等联系我们定制产品，一键满足您的需求。紫外到太赫兹；QPM结构（啁啾或者扇形&多周期的组合），混频配置（级联 SHG+SFG/DFG）或者其他要求（特殊尺寸/角度/镀膜/晶体模组封装等）。

产品名称：进口镓酸锂(LiGaO2)晶体基片 技术参数：基本特性 晶体结构 正交 晶格常数 a=5.406 ? b=5.012 ? c=6.379 ? 生长方法 提拉法 密度 4.18 g/cm3 熔点 1600oC 硬度 7.5 颜色和外观 白色到棕色，没有挛晶和包裹物 产品规格：常规晶向：001 、100；常规尺寸：10 x 10 x 0.5 mm；抛光情况：外延抛光基片；单抛或双抛；注：可根据客户需求提供特殊尺寸和晶向标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

产品名称：钪酸铽(TbScO3)晶体基片产品简介：与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配，极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数： 晶体 结构(A) 熔点oC 密度g/cm3生长方法 DyScO3 正交a=5.54 b=5.71 c=7.89 2127 6.9 提拉法 GdScO3 正交a=5.45 b=5.75 c=7.93 2127 6.6 提拉法产品规格：110, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 5x5x0.5mm单抛，Ra5A标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：镓酸钕(NdGaO3)晶体基片产品简介：NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。技术参数： 晶体结构 正交 晶体参数? a=5.43, b=5.50, c=7.71 熔点℃ 1600 密度g/cm3 7.57 介电常数 25 生长方法 提拉法产品规格：001, 110, 100公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x3x0.5mm单抛，Ra5A注：也可根据客户需求定制相应的尺寸和大小标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

产品名称：钽酸钾(KTaO3)晶体基片技术参数：分子量268.04晶体结构立方,钙钛矿晶格常数a=3.989?生长方法顶部籽晶熔融法熔点～1500℃密度7.015g/cm3莫氏硬度6 Mohs热导率0.17 w/m.k @ 300k折射率2.14产品规格：常规晶向：100, 110, 111公差：+/-0.5度常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： LaAlO3MgOYSZSrLaAlO4切割机RTP快速退火炉基片包装盒系列旋转涂层机

产品名称：铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片产品简介：LSAT(La,Sr)(Al,Ta) O3 是一种新的无孪晶钙钛矿晶体。 LSAT与高温超导体及多种氧化物材料有完好的匹配。LSAT的熔点低，用提拉法生长，成本比较低。因此，它有望取代LaAlO3/SrTiO3作为外延氧化物薄膜单晶基片广泛用于巨磁铁电及超导器件。技术参数：化学式：(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体结构：立方： a = 3.868?生长方法：提拉法密度：6.74 g/cm3熔点：1840℃硬度：6.5 Mohs热膨胀系数：10 ×10-6/K介电常数：~ 22颜色及外观：根据退火状况由无色到浅棕色，无孪晶及可见畴 产品规格：常规尺寸：10x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia2″x0.5mm ；基底常规晶向：100、110、111、晶向公差：+/-0.5度表面粗糙度Ra:5A注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品： LSATLaAlO3 MgO NdCaAlO4NdGaO3 SrTiO3SrLaAlO4 SrLaGaO4YSZ

产品名称:碳酸钙(CaCO3)晶体基片 产品简介:碳酸钙(CaCo3)又称方解石是一种非单轴晶体，双折射大，光谱传播范围宽，呈一定大小的菱形状，适用于可见和近红外偏振材料。科晶公司严格挑选自然生长的碳酸钙原材料，提供高质量低价格的碳酸钙晶体。 技术参数：晶体结构：三方 a= 4.989 c= 17.062 熔点： 1339 oC 密度：2.71 g/cm3 透过范围：350nm - 2300nm硬度：3 Mohs热膨胀系数：aa = 24.39 x10-6/K ac = 5.68 x10-6/K非单轴 no=na=nb , ne=nc 折射率：no = 1.6557,ne = 1.4852,Dh = -0.1705, r = 6.20o at 0.63 umno = 1.6629, ne = 1.4885, Dh = -0.1744, r = 6.32o at 1.30 um半方程(波长单位mm)：no2= 2.69705 + 0.0192064/( λ 2 –0.01820) – 0.0151624 λ 2ne2 = 2.18438 + 0.0087309/( λ 2 –0.01018) – 0.0024411 λ 2 产品参数：晶体尺寸:10x10x0.5 mm ； 1"x1"x1.0 mm ；2"x2"x1.2 mm 表面质量：20/10； 尺寸公差：± 0.1 mm； 光束偏离： 3 arc min；光轴方向：+/- 0.5o；平面度： l/4 @ 632.8 nm； 发射波前变： l/2 @ 632.8 nm； 增透镀膜： Reflectance 0.5%.表面粗糙度Ra:5A 标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒封装 相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机 基片包装盒系列切割机旋转涂层机

产品名称：铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片产品简介：铝酸锶镧晶体从熔点温度直至低温下均无孪晶及相变，与高温超导体YBCO具有相同的结构，001面与其它衬底相比与YBCO001具有适中的晶格失配（2.5~3.5%），同时该晶体的热膨胀系数比其它钙钛矿结构的晶体低，可以在较低的温度下沉积薄膜从而改善晶格失配及减少应力。技术参数： 晶体结构 四方 晶胞参数? a=3.756 c=12.636 熔点℃ 1650 密度g/cm3 5.92 介电常数 16.8 生长方法 提拉法产品规格：常规晶向：001, 100 公差：+/-0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室100级超净袋包装 相关产品： Other SrLaAlO4 LaAlO3MgO LSAT基片包装盒系列 NdCaAlO4 NdGaO3 SrTiO3YSZ旋转涂层机

产品名称：钪酸钆(GdScO3)晶体基片产品简介：与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配 ，极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数： 晶体 结构(A)熔点oC密度g/cm3生长方法 GdScO3 正交 a=5.45b=5.75 c=7.93 2127 6.6 提拉法产品规格：110, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛，Ra5A标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片产品简介：技术参数：晶体结构：四方晶格常数：a=3.685 c=12.12 生长方法：提拉法熔点：1850℃密度：5.56g/cm3莫氏硬度Mohs热膨胀系数12×10-6/℃介电常数19.5 产品规格：常规尺寸：10 x 10 x 0.5 mm、5x5x0.5mm；常规晶向：001晶向公差：+/-0.5度抛光情况：单抛或双抛 表面粗糙度Ra5A注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： LSAT LaAlO3MgO薄膜制备设备NdCaAlO4 NdGaO3 SrTiO3基片包装盒系列 SrLaAlO4SrLaGaO4 YSZ等离子清洗机

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

总览ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。名称型号货号 描述 价格 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 LiGaS2A80160204透光率, 0.33 – 11.6µ m,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiGaSe2A80160203透光率, 0.37 – 13.2µ m,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiInS2A80160202透光率,0.35– 13.2 µ m, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 LilnSe2A80160201透光率, 0.43– 13.2 µ m,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µ m ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体 AgGaSe2A80160206透光率,0.76 – 18 µ m,单轴负晶 no ne (at λ 0.804 μm ne no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µ m ,对称度 四方晶系, -42m point group GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSeG80010032透光率0.62 – 20µ m,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µ m,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µ m AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaS2A80160205透光率: µ m 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µ m , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311总览LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, µ m0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20总览LGSe是一种新型非线性红外材料，具有纤锌矿型结构，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数，如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等，从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, µ m0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 µ m0.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 总览硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, µ m0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 µ m 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 µ m）用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µ m范围内的激光器泵浦中红外(2-12µ m)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域&bull 中红外范围（2-12µ m）的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, µ m0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 µ m 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 µ m5.3 µ mno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 µ m0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µ m) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物GaSe透光率, µ m0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µ m对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µ m4.1应用10.6 µ m激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12µ m的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µ m at 300 K)主要参数复合物AgGaS2透明度, µ m0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 µ m 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性四方晶系, -42m point group晶胞参数, &angst a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 µ m0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 µ m光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。

基于非线性晶体光波导的波长转换器上海昊量光电设备有限公司推出一系列用于高效波长转换的基于非线性晶体光波导的波长转换器，其中非线性晶体包括PPLN（周期极化铌酸锂）、LN（铌酸锂）、PPLT（周期极化钽酸锂）、KTP（磷酸氧钛钾）、Mg:LN（掺镁铌酸锂），波长转换过程包括倍频、差频、和频等等，工作波长范围在350-5000nm可选。如果您的光源为光纤耦合输出，我们还提供光波导波长转换器模块，如下图所示，用户只需将模块的输入端和光源的输出端连接即可正常使用。基于非线性晶体光波导的波长转换器相比非线性晶体用于波长转换，晶体光波导具有很宽的波长转换带宽和独特的多波长同时转换能力，同时具有相对较高的转换效率。满足您的各种需求：高转换效率I类和Ⅱ类转换均可工作波长范围：350-4500nmParameterValuesCommentsMaterialLiNbO2 WaveguideTianium,Annealed proton Exchange,Reverse Proton Exchange WaveguidesInput Wavelength Range-Quasi-Phase Matching Wavelength (QPM)1550nm to 2128nmCan be specified Output Wavelength-SHG Wavelength775nm to 1064nmCan be specified Spectral Bandwidth0.2nm to 1nmCan be specified Conversion Efficiency25% per WFor APE&Ti waveguides100% per WFor RPE waveguideFiber-fiber Loss4dB@FundamentalFiber Optics ConnectorsFC/APCOther connector varieties also available Package14-pin Butterfly with TECUnpackaged devices available

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

英国Covesion晶体天津瑞利光电科技有限公司经销Covesion晶体。 产品详情：晶体MSHG1550-0.5常规晶体可用于广泛的非线性相互作用。我们的标准晶体布局具有以下功能：-标准晶体厚度为0.5或1.0mm-每个晶体具有方形孔径的多个光栅-每个光栅都有一个不同的周期，可以调节温度和/或波长-晶体长度范围从0.5到50mm，适用于飞秒到CW光源-提供的所有晶体都安装在夹子中，以便于搬运和快速安装到温度受控 的Covesion烤箱中 每个MgO：PPLN晶体都包含多个光栅，以实现灵活的温度和波长操作。我们的晶体经过AR涂层和抛光，抛光度达到：λ/ 4平坦度，平行度为±5分钟，刮痕挖掘效果优于20-10，每个刻面的边缘切屑少于两个。我们所有的掺镁PPLN产品都经过严格的质量检查，现成的夹装式提供，并且与我们的PPLN附件系列完全兼容。镁掺杂的周期性极化铌酸锂（MgO：PPLN）为可见光和中红外应用提供高效的波长转换。加入5％的镁氧化物，以铌酸锂显著增加，同时保持其高的非线性系数的晶体的光轴和光折变电阻。与类似的未掺杂晶体相比，这在可见光波长下可实现更稳定的操作，在较低温度下也可运行。从可见光发电到大功率中红外操作，我们专有的MgO：PPLN极化工艺即使在较短的时间内也能提供高质量的材料。 MSHG1550-0.5描述：用于1530nm至1620nm激光源的第二谐波产生（SHG）的MgO：PPLN晶体。我们的MSHG1550-0.5晶体厚度为0.5mm，长度为0.3-40mm。 短的长度在飞秒脉冲中非常流行。对于大功率激光器，我们还建议使用MSHG1550-1.0系列。参数：-零件编号：MSHG1550-0.5-0.3-泵（nm）：1530-1620-输出（nm）：765-810-周期（微米）：18.50，18.80，19.10，19.40，19.70，20.00，20.30，20.60，20.90-调谐范围（°C）：30-200-长度（mm）：0.3-孔径（mm² ）：0.5x0.5特征：-多频段增透膜-平坦度λ/ 4 @ 633nm-平行±5分钟-优于70:30的标记间距-抛光至20-10刮痕-每面少于两个100μm边缘芯片 品牌介绍：Covesion在研发和OEM客户生产PPLN方面拥有20多年的经验。 这与针对红绿蓝和中红外应用的基于PPLN的激光系统的设计和构建方面的丰富知识相结合。我们提供MgO：PPLN晶体，用于广泛的SHG，OPO，DFG和SFG相互作用，并结合我们的技术知识和支持。 无论是购买现成的产品还是定制设计，我们都会为光学安装提供晶体长度方面的建议，满足客户需求。

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用*广泛,*重要的基片材料之一。目前,铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的**物理性质, 直径为3英寸,上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 中层为2微米厚的二氧化硅（SiO2）, *下层为0.5毫米厚的铌酸锂芯片衬底。其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜集成到铌酸锂衬底上，此结构可应用于电光调制器、光波导、谐振器、声表面波器件、铁电存储器等。 技术参数 产品应用 光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽,功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。信息存储领域, 可实现高密度信息存储。电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。

产品名称：钛酸钡(BaTiO3)晶体基片产品简介：钛酸钡(BaTiO3, BTO)是最早发现的钙钛矿型铁电体，然而钛酸钡单晶仍然是当今铁电体和凝聚态物理领域内的研究热点，因为它不仅是基础研究的理想材料，具有适宜基础研究的完整结构和复杂相变过程，而且具有优良的电光与光折变性能，现今又发现能够实现可逆的大场致应变，在高应变驱动器上展现出了强烈的应用前景，同时，通过工程化畴结构的调整，其具有优良的压电性能，这使得钛酸钡单晶同时成为非线性光学器件、压电和高应变领域内的一种优秀的无铅环保型单晶材料。技术参数：晶体结构：四方(4mm): 9oC T 130.5 oCa=3.99 ?, c= 4.04 ? ,生长方法：顶部籽晶溶液法(TSSG)熔点：1600 oC密度：6.02 g/cm3介电常数：ea = 3700, ec = 135 (自由状态)ea = 2400, e c = 60 (夹持状态)折射率： 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681ne 2.4247 2.3630 2.3235透射波长范围：0.45 ~ 6.30 mm电光系数：rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/VrT 42 =1920 ±180 pm/VSPPC 反射率(0度切 )：l = 515 nm, 50 - 70 %(最高达到77%) l = 633 nm, 50 - 80 %(最高达到86.8%)二波混频耦合常数:10 - 40 cm-1吸收损耗: l: 515 nm 633 nm 800 nma: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1产品规格：常规晶向：100、001晶向公差：±0.5度常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机 基片包装盒系列金刚石线切割机旋转图层机

产品名称：锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片产品简介：锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。技术参数： 基本性质晶向100晶体结构立方晶格常数a=10.518?生长方法提拉法熔点1050℃密度7.12g/cm3莫氏硬度5 Mohs透过范围350~5500nm电光系数 (x10-12m/V ) r41 1.03折射率 2.098@ 632.8nm激发光谱 305nm荧光光谱 480~510nm相对光输出 10~14% Nal (Tl)衰减时间 300ns临界能量 10.5Mev能量分辨率(511千电子伏特) 20% 产品规格：可按客户要求定制尺寸标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

QSense Omni 耗散型石英晶体微天平——高效无忧的QCM-D技术 创新引领未来QCM-D技术的开创者瑞典百欧林科技有限公司与查尔姆斯理工大学是QCM-D技术的开创者，QSense为纳米级表界面相互作用跟踪和表征提供全球领先的、高端的耗散型石英晶体微天平。QSense 耗散型石英晶体微天平通量高、易于使用，可以为您提供独特的、可重复的和有深度的数据。这有助于您了解反应的基本原理过程、提前预测真实结果以及优化产品和流程，以适应真实的反应条件。拥有一台QSense耗散型石英晶体微天平，可以使您和您的团队一直处于科学进步和技术创新的最前沿。QSense Omni是我们最新一代QCM-D耗散型石英晶体微天平，现有的技术加上几十年对表界面相互作用的深度理解，QSense Omni可以为您提供更清晰的结果和更顺畅的实验过程。QSense Omni可以更快展示您独到的见解，并基于高度可控的测量结果做出更可靠的结论。QSense Omni 适用场景：您需要简单易用 &bull 开箱即用的解决方案&bull 开启工作所需的一切皆已包含您需要灵活性 &bull 自由构建满足您现在和将来需求的系统您需要自动化 &bull 最大限度地减少操作时间&bull 最大限度地提高可重复性您重视数据质量 &bull 从全新一代高端QCM-D仪器中获取值得信任的结果QSense Omni 技术特点： &bull 自动样品切换&bull 自动运行QC程序 &bull 直接注入液体 &bull 快速液体交换 &bull 芯片自动锁紧 &bull 集成样品加热舱 &bull 各通道流速独立调节 &bull 实时编辑程序三个选用QSense Omni的原因： 数据解析更容易一流的信号处理和快速可重复的液体交换，QSense Omni为您提供清晰、简洁的数据。数据解析和分析更为轻松自信。实验过程更顺畅得益于直观的设计、智能的工作流程和灵巧的自动化，成功进行QCM-D实验并获取可信和可重复的结果变得史无前例地轻松简单。生产力大幅提高，工作更有效率。与研究共同成长设计卓越、功能智能，QSense Omni为科学进步和未来创新量身定制。升级到更多通道或增加QSense Orbit来构建更多元化的实验设置和补充测量，您可以轻松跨越入门级门槛，让QSense Omni与您的研究共同成长。QSense芯片——多种芯片表面可选：QSense芯片是QCM-D测量的核心。芯片涂层的选择对于您的实验至关重要。百欧林科技可提供超过我们提供50种标准芯片涂层和200多种定制芯片，涵盖各种材料，包括金属、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂层和标准化土壤。您可以从种类繁多的芯片中找出哪种芯片材料和涂层最适合您的研究。也可以根据您的需求让百欧林为您量身定制，我们可以让您尽可能接近真实的反应条件。百欧林科技开发和生产的芯片，经过严格的验证。QSense芯片将为您的QSense系统提供稳定、可靠和可重复的数据。芯片建议一次性使用。 QSoft Omni 软件：一同领略 QSoft Omni 软件的风采吧！一个全新的、用户友好的软件，旨在帮助您完成实验设置并成功获得实验数据。当您在准备实验时，QSoft Omni 软件会在后台进行QC程序，确保测量条件最佳。QSoft Omni帮您采集数据，而Dfind使您的数据分析更轻松。图片 2：QSoft Omni 软件QSoft Omni 软件主要特点：&bull 引导式工作流程带领您完成实验设置&bull 后台自动运行QC程序，确保实验结果最佳&bull 拖放界面和实时编辑使程序开发变得更为轻松&bull 事件日志自动记录自动操作和用户注释QSense Omni模块及配件——探索更多：浏览以下可选配模块，扩展您的实验设置和可能性。QSense湿度模块用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。QSense窗口模块该系统可以在芯片表面上同时进行QCM-D测量和显微镜观察。您还可以进行对光或辐射敏感的实验。QSense 电化学模块想在同一表面上同时进行QCM-D和电化学测量？该模块支持多种电化学方法，如循环伏安法和电化学阻抗测量，可探索如聚合物的界面行为、静电相互作用、腐蚀性能等。QSense电化学窗口模块该模块可在芯片表面上同时进行QCM-D测量和光学、电化学测试，该模块通常用于光伏等应用。QSense开放模块开放模块无需管路，样品需求量低。您可以直接移液少量液体确保覆盖芯片即可。该模块可进行样品挥发性、外部触发反应（如光诱导反应和化学触发反应）等研究。QSense湿度模块用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。QSense ALD（原子层沉积）样品架适用于真空或气相环境测量。QSense PTFE流动模块适用于对钛材料敏感的测量体系。类似于标准流动模块(QFM 401)，但流路部分的钛被PTFE替换。客户谏言：BASF试用QSense Omni后的第一印象“我观察到QSense Omni减少了交叉污染，这对于获取准确的数据至关重要。我认识到这在我们未来的研究中极具潜力和价值。”- Peter Stengel“从我进行实验的初步经验来看，很明显QSense Omni是为易于使用而设计的，多个用户可同时开展实验。”- Franziska TauberQSense Omni技术参数：让我们深入了解下QSense Omni的技术性能，您还可以将这些参数与其他QSense仪器进行比较。测量范围和能力通道数1 - 4工作温度4 到 70 °C芯片基频5 MHz 频率范围1-72 MHz倍频数量7, 均可用于粘弹性建模样品和流速芯片上方体积~ 20 μl最小样品体积（流动模式）~ 90 μl流速范围1-200 µ l/min测量特性最大时间分辨率每秒300个数据点 (每个数据点一个f 值和D值 )最小噪音a频率: 0.005 Hz耗散因子: 1∙ 10-9温度：0.0005 &ring C质量: 0.08 ng/cm2不同模式下的性能请参阅样本第7页长期稳定性 b C频率: 0.25 Hz/耗散因子: 0.04.10-6 /h温度: 0.003 &ring C/hSoftware软件QSoft OmniDfind分析软件数据输出7个倍频下的频率和耗散因子厚度（或质量）、粘度、剪切模量以及粘度和剪切模量的频率依赖性、动力学、斜率、上升时间等电脑配置USB 2.0或更高版本Type C接口Intel i5处理器（或同等处理器）内存不小于8GB屏幕分辨率不小于1920 x 108064位处理器屏幕分辨率不小于1366×768内存不小于4 GB操作系统Windows 10或更新版本（Windows早期版本可能无法正常运行）数据输入/输出SQLitepdf, rtf, png, svg, gif, csv, xls, ogw电源仪器输入24 V DC, 10 A外部电源输入100-240 V AC, 50-60 Hz, 12.5 A尺寸和重量高(cm)宽(cm)深(cm)重量(kg) d单通道32223614双通道32293622三通道32363629四通道32433637所有规格可能会在未经通知的情况下更改b. 温度稳定性取决于外部环境对样品舱的加热或者制冷。如果由于气流或热源等原因，室温变化超过±1℃，可能无法达到指定的温度稳定性。c. 数据测试条件如下：QSX 303 SiO2芯片在25℃的去离子水中测量，流速为20µ l/min，数据采集速率为每秒1个数据点，测量时长1小时。用于分析的数据间隔为2分钟。等待超过1小时可以获得更好的稳定性。d. 重量不包括外部电源。QSense Omni实际性能：更高的采样速率不可避免地会产生更高的噪音和提高检出限。通过明显降低噪音水平，QSense Omni极大地降低了检出限。下面的图表描述了QSense Omni在三种不同采样间隔下的检测限，可以看出在高采样频率下检出限也可以做到非常低。下面的图表列出了每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。表1 a：性能特征数据采集设置采集7个倍频数据需要的时间(s)f/n-噪音 (Hz)检测限(ng/cm² )耗散因子D噪音(∙ 10-6) 低噪音9.680.0050.2390.001正常1.060.0090.4960.003快速0.090.0291.5130.011图2a：每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。不同的采样间隔下的理论检测限（LOD）。检测限设定为频率噪音水平的3倍。a 实验条件如下：QSX 303 SiO2芯片在20°C温度下、流量15μL/min的去离子水中使用一个测量通道进行测量。每种测量模式测量5分钟，根据1分钟时间范围内采集数据点的标准偏差，统计确定噪音数据。