硫镓银晶体

AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 μm。 技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12μm的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 μm at 300 K) 主要参数复合物AgGaS2透明度, μm0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 μm 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性 四方晶系, -42m point group晶胞参数, ?a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 μm 5.3 μmno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 μm0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 μm光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

硫化镓晶体 GaS(Gallium Sulfide)晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a GaS single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal alpha phase GaS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal GaS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。 中文名：磷化镓外文名：Gallium phosphide分子式：GaP分子量：100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description 1 GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. 2 GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. 5 GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

AgGaS2晶体,硫镓银晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的AgGaS2晶体和AGS晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。 AgGaS2晶体简称AGS晶体，中文名是硫镓银晶体，是一种优质的红外非线性晶体材料，AgGaS2晶体具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 硫镓银晶体透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，AGS晶体具有广泛的应用，AgGaS2晶体可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,硫镓银晶体还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AgGaS2晶体对中红外激光的倍频效率高AGS晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 μm。硫镓银晶体在各向同性点附近区域的光学窄带滤波AgGaS2晶体简称AGS晶体，中文名是硫镓银晶体，是一种优质的红外非线性晶体材料，AgGaS2晶体具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Main propertiesNegative uniaxial crystalno ne (at l 0.497 μm ne no)Transparency range, μm0.47 – 13Nonlinear coefficient, pm/Vd36 = 13.9SymmetryTetragonal, -42m point groupCell parameters, ?a=5.757, c=10.311TypicalReflectionindex 10.6 μm5.3 μm no=2.3475, ne=2.2918no=2.3945, ne=2.3406OpticalDamageThreshold, MW/cm2 1064 nm(t=10 ns) 350Walk off angle, °5.3 μm0.76Thermal conductivity k, WM/M°C1.5Band-gap energy at room temperature, eVEg = 2.73Optical activity ρ = 522deg/mm at isotropic pointno = ne, l = 0.4974 μmAbsorption edge in the far-IR on 0.2transparency level0.86 THz 346 μmThe parameters of optical elementsOrientation accuracy, arc min 30Parallelism, arc sec 30Flatness546 nml/4Surface quality, scratch/dig30/20ApplicationEfficient frequency doubling for mid-IR radiation.Optical parametric oscilation and amplification, Different frequency generation to mid-infrared regions up to 12 μmOptical narrow-band filters in the region near isotropical point (0.4974 μm at 300K)We are able to provide suitable Anti-reflection / Protective, etc. coatings tailored to customer' s specifications, reflectivity curves are applied upon request.

LIS晶体,硫铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LilnS2晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。 LIS晶体透光光谱范围：0.35-12μmLilnS2晶体非线性系数：d31=8.35, d32=8.3 pm/V硫铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群LIS晶体晶胞参数： a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ? LilnS2晶体SHG基频光范围：x-y, Type II, eoe：2.35 - 6.11μm x-z, Type I, ooe：1.78 - 8.22μm y-z, Type II, oeo：2.35 - 2.67μm y-z Type II, oeo， 5.59 - 6.11μm 总波长覆盖：1.617 - 8.71μm 硫铟锂晶体激光损伤阈值：~1GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LIS晶体,热导率：Thermal conductivity k, WM/M°C LilnS2, kx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.3LilnS2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：2.58 THz at 118 μmLIS晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnS2晶体光洁度：S/D:20/10LIS晶体应用：LilnS2晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 12 μm， with pump Ti: Sapphire laser硫铟锂晶体中红外激光2-12 μm的差频LilnS2晶体和LIS晶体是1-12微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

硒化镓晶体 2H-GaSe(Gallium Selenide)晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a GaSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (001) with h = 4, 6, 8, 10, 12 Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal GaSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Raman spectrum of a single crystal GaSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

Cadmium sulfide is widely used in IR optics, polarizers, λ/4 and λ/2 waveplates, beamsplitters, substrates. Basic propertiesStructureWurtzite (Hexagonal)Density: 4.825 g/ cm3Young’s Modulus:45 GPaCoef. of Thermal Expansion (500 K):α 1=6.26×10-6/K α 3=3.5×10-6/KSpecific Heat:0.47 J/gKThermal conductivity (at 25 °C):0.2 W/cmKMax. Transmittance (λ =2.5-15 μm):≥ 71 %Absorption Coef. (λ =10.6 μm):≤ 0.007 cm-1 (including 2 surfaces)Refractive index (λ =10.6 μm):2.2245 (no), 2.2376 (ne)Specific resistivitya). low: 1 Ohm*cm b). high: about 10^11 Ohm*cmMax. crystal diameter/length:? 40×30 mmCdS TransmissionProductsCdS rods, wafers, windows and substratesDiameter/Width1-38 mmThickness/length0.1-150 mmOrientation(0001), (10-10), (11-20)Surface qualityAs-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830CdS crystal pieces for vapour depositionPurity99.995%, 99.999%Particle size0.01- 10 mm 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

硫硒化钼晶体 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) 晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a MoSSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoSSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoSSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoSSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

ZnS琉化锌晶体光学材料作为一个重要的二，六化合物半导体，硫化锌纳米材料已经引起了极大的关注，不仅因为其出色的物理特性，如能带隙宽，高折射率，高透光率在可见光范围内，而且其巨大的潜力应用光学，电子和光电子器件。硫化锌具有优良的荧光效应及电致发光功能，纳米硫化锌更具有独特的光电效应，在电学、磁学、光学、力学和催化等领域呈现出许多优异的性能，因此纳米硫化锌的研究引起了更多人的重视，尤其是1994年Bhargava报道了经表面钝化处理的纳米ZnS：Mn荧光粉在高温下不仅有高达18% 的外量子效率，其荧光寿命缩短了5个数量级，而且发光性能有了很大的变化，更为ZnS在材料中的应用开辟了一条新途径。可用于制白色的颜料及玻璃、发光粉、橡胶、塑料、发光油漆等。Zinc sulfide is commonly used for IR optics, substrates and as a source for evaporation. Basic propertiesStructure:Cubic (zincblende)Density: 4.08 g/ cm3Knoop Hardness:210 kg/ mm2Young’s Modulus:10.8 MpsiPoisson Ratio:0.27Coef. of Thermal Expansion:6.8×10-6/KSpecific Heat:0.469 J/gKThermal conductivity (at 25 °C):0.16 W/cmKMax. Transmittance (λ=7-12 μm):≥ 71 %Absorption Coef. (λ=10.6 μm):≤0.15 cm-1(including 2 surfaces)Thermo-Optic Coef. (dn/dT):4.7 (λ =10.6 μm)Refractive index (λ=10.6 μm):2.34Electrooptical coefficient r41 (λ=10.6 μm):2×10-12 m/VMax. crystal diameter/length:?38×30 mmZnS Transmission ProductsZnS rods, wafers and substratesDiameter/Width1-38 mmThickness/length0.1-150 mmOrientation(110)Surface qualityAs-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830ZnS crystal pieces for vapour deposition.Purity99.995%, 99.999%Particle size0.01- 10 mm 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

二硫化钛晶体 TiS2(Tantalum Sulfide) 晶体结构：六边形晶体尺寸:~10毫米电学性能：半金属，逆磁性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.340 nm, c = 0.570 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a TiS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4Stoichiometric analysis of a single crystal TiS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal TiS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Raman spectrum of a single crystal TiS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

二硫化铌晶体 2H-NbS2(Niobium Disulfide)晶体尺寸：2毫米电学性能：金属，superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a single crystal 2H-NbS2 aligned along the (001) plane. XRD diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-NbS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

二硫化钼晶体（天然） MoS2(Molybdenum Disulfide)晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~10mm-20mm纯度：99% 属性：半导体

KDP晶体DKDP晶体ADP晶体磷酸二氢钾二氢磷酸钾 KDP晶体（KH2PO4）、DKDP晶体或D * KDP（KD2PO4）和ADP晶体（NH4H2PO4）广泛用作Nd:YAG和Nd:YLF激光器的二次、三次和四次谐波发生器。该晶体也被广泛用于电光应用，如Nd:YAG、Nd:YLF、钛:蓝宝石 Ti:Sapphire和翠绿宝石 Alexandrite激光器Q开关，以及用于普克尔盒和声-光应用。常用的电光晶体是DKDP，氘化 率超过98％。这些晶体通过水溶液法生长，并且可以长到非常大的尺寸，可用作低成本和大尺寸的非线性元件。对于1064nm 的Nd:YAG激光器的倍频（SHG）和 三倍频（THG），I型和II型相位匹配都可用于KDP和DKDP。对于Nd:YAG 激光器的四倍频（4HG，266 nm），通常建议使用KDP晶体。KDP磷酸二氢钾晶体（KH2 PO4）是一种水溶性晶体，因其非线性光学特性而闻名。KDP晶体用于生产各种脉冲激光器中的电光元件（普克尔盒）、波片、变频器（用于自相关仪和互相关仪的二次、三次和四次谐波发生，参量发生器和放大器等） DKDP晶体可以提供 94％， 96％和 98％的氘化水平。我们可根据客户的要求提供未抛光或者抛光的高品质KDP、ADP和DKDP晶体。形状可谓棒状、方形或其他形状。参数规格：KDPDKDPADP透明度范围，μm 0.174 - 1.570.2 - 2.10.18 - 1.53对称类42m42m42m 晶格参数，?A = B = 7.453 C = 6.975A = B = 7.469 C = 6.976A = B = 7.499 C = 7.549密度，g / cm 32.3382.3551.803莫氏硬度2.52.52.0折射率 407.8 nm：no = 1.52301 ne = 1.47898no = 1.5185 ne = 1.4772no = 1.53925 ne = 1.49123 在632.8nmno = 1.50737 ne = 1.46685no = 1.5044 ne = 1.4656（在623.4 nm处）no = 1.52195 ne = 1.47727 在1064nm no = 1.4938 ne = 1.4599no = 1.4948 ne = 1.4554no = 1.5071 ne = 1.4685非线性系数为1.064μm，pm / V.d 36 = 0.39 d 36 = 0.37d 36 = 0.47 光损伤阈值，MW / cm 2300 - 600（1064 nm，20 ns） 100（1064 nm，20 ns）500（1064 nm，60 ns）常温下KDP波长折射率曲线选型： 材料KDP/DKDP/ADP应用For example:SHG@1064 SFG@800+267-200 DFG@780-842-10600 OPO@355-460÷560+960÷1150 etc. Type & angles:Type =I/ II？Angles：Theta=？° , phi=？°镀膜For example:p-coating, ARC s1/s2 1064 R0.25% ARC s1/s2 1064 R0.25%+5320.5% BBAR s1/s2 1064 R1%+3÷105% etc.尺寸抛光面 更多晶体相关产品: 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

二硫化钨钼晶体 MoWS2(Molybdenum Tungsten Disulfide alloy)晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ =120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a MoWS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10 Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoWS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoWS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoWS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman systemat room temperature.

AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 ' AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 μm。 技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, μm0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 μm 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 μm5.3 μmno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 μm0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nm λ/4表面质量, scratch/dig30/20 应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 μm) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

二硫化钨钼晶体 MoWS2(Molybdenum Tungsten Disulfide alloy)晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a MoWS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Stoichiometric analysis of a single crystal MoWS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoWS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoWS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

二硫化铼晶体 ReS2 (Rhenium Disulfide)晶体结构：三斜晶晶体尺寸：~8毫米电学性能：N型半导体晶体结构：三斜晶系晶胞参数：a = 0.634, b = 0.640 nm, c = 0.645 nm, α = 106.74°, β = 119.03°, γ = 89.97° 晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a ReS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Stoichiometric analysis of a single crystal ReS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal ReS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal ReS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

二硫化钨晶体 2H-WS2(Tungsten Disulfide)晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Stoichiometric analysis of a single crystal 2H-WS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal 2H-WS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-WS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

优质进口CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Cesium iodide activated by thallium is a scintillation material with high absorption power. It can be used as an efficient gamma ray absorber. CsI:Tl is soluble in water, but is not hygroscopic in laboratory conditions. It has high resistance to mechanical and thermal shocks. CsI:Tl can be easily fabricated into wide a variety of shapes and geometries. It can also be fabricated into detection matrices.CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择：*标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

AgGaSe2晶体,硒镓银晶体由我孚光精仪进口, 孚光精仪是中国领先的进口激光器件和精密光学器件供应商！所销售的硒镓银晶体,AgSe晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。AgGaSe2晶体，中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。AgGaSe2晶体和AGSe晶体是中红外激光倍频最有效的晶体材料，硒镓银晶体还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体,硒镓银晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体（硒镓银晶体,AGSe晶体）获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AgGaSe2晶体对中红外激光的倍频效率高AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 μm。硒镓银晶体在各向同性点附近区域的光学窄带滤波AgGaSe2晶体和AGSe晶体是中红外激光倍频最有效的晶体材料，硒镓银晶体还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能, AgGaSe2晶体是最有效的非线性激光晶体之一.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Main propertiesNegative uniaxial crystalno ne (at l 0.804 μm ne no)Transparency range, μm0.71 - 18Nonlinear coefficient, pm/Vd36 = 33SymmetryTetragonal, -42m point groupCell parameters, ?a=5.9921, c=10.883TypicalReflectionindex 10.6 μm5.3 μm no=2.5915, ne=2.5582no=2.6138, ne=2.5811OpticalDamageThreshold, MW/cm2 1064 nm(t=10 ns) 350Walk off angle, °5.3 μm0.68Thermal conductivity k, WM/M°C1.1Band-gap energy at room temperature, eVEg = 1.83Optical activity ρ = 522deg/mm at isotropic point, μmno = ne, l = 0.804The parameters of optical elementsOrientation accuracy, arc min 30Parallelism, arc sec 40Flatness546 nml/4Surface quality, scratch/dig30/20ApplicationEfficient frequency doubling for mid-IR radiation.Optical parametric oscilation and amplification, Different frequency generation to mid-infrared regions up to 17 μmOptical narrow-band filters in the region near isotropical point (0.804 μm at 300 K)We are able to provide suitable Anti-reflection / Protective, etc. coatings tailored to customer' s specifications, reflectivity curves are applied upon request.

二硫化钽晶体(1T) TaS2(Tantalum Sulfide) -1T晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体，电荷密度波（CDW），Mott相晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a Tantalum Disulfide single crystal aligned along the (001) plane. XRD on the 1T-TaS2 was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4, 5Stoichiometric analysis of a single crystal 1T-TaS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 1T-TaS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

二硫化铅锡晶体 PbSnS2(Lead Tin Disulfide)晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~8mm纯度：99.995% 属性：半导体

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。 技术参数主要特性复合物GaSe透光率, μm0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 μm 对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, ?a=3.74, c=15.89典型反射系数 10.6 μm 5.3 μmno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 μm4.1应用10.6 μm激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。LISe晶体透光光谱范围：0.43-13μmLilnSe2晶体非线性系数：d31=10.6, d32=6.3 pm/V硒铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群 LISe晶体晶胞参数：a=7.192, b=8.412, c=6.793 LilnSe2晶体SHG基频光范围： x-y, Type II, eoe：2.73 – 8.24μm x-z, Type I, ooe： 2.08 – 12.4μm y-z, Type II, oeo：2.73 – 3.07μm 　　　　　　　　y-z Type II, oeo， 7.66 – 8.24μm 总波长覆盖：2.08 – 12.4μm 硒铟锂晶体激光损伤阈值：~0.5GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LilnSe2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：1.24 THz at 240 μm硒铟锂晶体平行度：30arcsecLISe晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnSe2晶体光洁度：S/D:20/10硒铟锂晶体应用：LISe晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 13 μm， with pump Ti: Sapphire laserLilnSe2晶体中红外激光2-13 μm的差频LISe晶体和硒铟锂晶体是1-13微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

二硫化锡晶体 2H-SnS2(Tin Sulfide)晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体（~ 2.2ev）晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.364, c = 0.589 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a 2H phase Tin Disulfide single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4Stoichiometric analysis of a single crystal 2H-SnS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal 2H-SnS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-SnS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

二硫化钽晶体(2H) TaS2(Tantalum Sulfide) -2H晶体尺寸：~10毫米电学性能：Metal, Charge density waves (CDW) system below ~75K, Superconductor with Tc ~1K 金属、电荷密度波(CDW)晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.331 nm, c = 1.207 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a 2H phase Tantalum Disulfide single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Stoichiometric analysis of a single crystal 2H-TaS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal 2H-TaS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-TaS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

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晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍尔测量EDX of a single crystal Bi2S3.XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.