硫镓银晶体

产品名称：磷化铟(InP)晶体基片产品简介：技术参数：单晶：InP掺杂：None；Sn；S；Fe：Zn硬度：3.0莫氏硬度密度：4.78 g/cm3导电类型：N；N；N；Si；P折射率：3.45载流子浓度cm-3 ：1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2 ：5x104生长方法：LEC温度：1072℃弹性模量：7.1E11dyn Cm-2 常规尺寸：常规晶向：100；常规尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；抛光情况：单抛或双抛 表面粗糙度Ra：15A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注：1000级超净室100级超净袋相关产品： Other InP InSbOther InAsGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

产品名称：砷化铟（InAs）晶体产品简介：技术参数：晶体结构：立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型：N型掺杂类型：不掺杂载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3 迁移率：18500cm2/V.S 常规尺寸：常规晶向：100、111；常规尺寸：10x10x0.5mm dia2″x0.5mm 抛光情况：单抛或双抛 表面粗糙度Ra:15A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注：1000级超净室100级超净袋 Other InAsInSbInP GaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

产品名称：锑化铟(InSb)晶体基片产品简介：技术参数： 单晶 InSb 掺杂 None Te Ge 导电类型 N N P 载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2 2x102产品规格：标准尺寸：2"x0.5mm, 表面粗糙度Ra:15A 注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： Other InSbInAsInP GaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

产品名称：磷化铟(InP)晶体基片产品简介：技术参数：单晶：InP掺杂：None；Sn；S；Fe：Zn硬度：3.0莫氏硬度密度：4.78 g/cm3导电类型：N；N；N；Si；P折射率：3.45载流子浓度cm-3 ：1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2 ：5x104生长方法：LEC温度：1072℃弹性模量：7.1E11dyn Cm-2 常规尺寸：常规晶向：100；常规尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；抛光情况：单抛或双抛 表面粗糙度Ra：15A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注：1000级超净室100级超净袋相关产品： Other InP InSbOther InAsGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

产品名称：锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介：技术参数：单晶GaSb掺杂none；None, high R；Zn；Te；Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x1017 1-5x1016位错密度cm-2103生长方法及最大尺寸LEC ? 3"产品规格：标准尺寸：100, dia2"x0.5mm, 单抛， ?3"x 0.5mm. 表面粗糙度Ra：15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： Other GaSbInAsInP GaAsInSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

产品名称：砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介：技术参数：单晶：砷化镓(GaAs)掺杂:None；Si；Cr；Te；Zn导电类型：Si；N；Si；N；P载流子浓度cm-3：/ 5x1017 /~2x1018 5x1018位错密度cm-2:5x105生长方法及最大尺寸: LEC & HB ?3" 常规尺寸：常规晶向：100、常规尺寸：10x10x0.5mm dia2″x0.5mm 抛光情况：单抛或双抛 表面粗糙度Ra:15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注：1000级超净室100级超净袋相关产品：Other GaAsInSbInP InAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

产品名称：氮化镓(GaN)晶体基片产品简介：GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数：制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R0.5 Ω.cm；R106Ω.cm表面粗糙度：0.5nm位错密度：5x106Ω.cm可用表面积：90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格：晶体方向: 0001 常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品： Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

产品名称：进口镓酸锂(LiGaO2)晶体基片 技术参数：基本特性 晶体结构 正交 晶格常数 a=5.406 ? b=5.012 ? c=6.379 ? 生长方法 提拉法 密度 4.18 g/cm3 熔点 1600oC 硬度 7.5 颜色和外观 白色到棕色，没有挛晶和包裹物 产品规格：常规晶向：001 、100；常规尺寸：10 x 10 x 0.5 mm；抛光情况：外延抛光基片；单抛或双抛；注：可根据客户需求提供特殊尺寸和晶向标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

产品名称：镓酸钕(NdGaO3)晶体基片产品简介：NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。技术参数： 晶体结构 正交 晶体参数? a=5.43, b=5.50, c=7.71 熔点℃ 1600 密度g/cm3 7.57 介电常数 25 生长方法 提拉法产品规格：001, 110, 100公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x3x0.5mm单抛，Ra5A注：也可根据客户需求定制相应的尺寸和大小标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------磷酸二氢钾及其同构晶体——KDP,KD*P(DKDP)应用激光倍频应用——高脉冲能量，低重复频率(100Hz)激光器的谐振转换电光调制普克尔盒Q开关晶体电光/Q开关应用EKSMA Optics提供Q-switch应用的高掺氘率(D96%),电光调制晶体基于Q-Switch的电光调制晶体DKDP标准尺寸为，Dia9x20mm和Dia12x24mm。亦可根据客户实际需求进行定制可定制金/银膜蒸镀电极可定制任意需求波长的AR电介质增透膜典型1/4波长电压为3.4kV@1064nm 倍频应用：DKDP晶体二倍频应用高脉冲能量，低重复频率(100Hz)Q-Switch和锁模Nd:YAG激光器。室温下的切割角为：Type1 匹配角36.6度，Type2匹配角53.7度DKDP晶体三倍频应用于高脉冲能量Q-Switch和锁模Nd:YAG激光器的和频谐振。室温下的切割角为：Type2匹配角59.3度Type1的DKDP晶体4阶倍频(532nm-266nm)不需要太严格的切割角度(theta=90度)，广泛应用于高脉冲能量的Q-Switch和锁模Nd:YAG激光器。而和DKDP相比，KDP晶体在UV波长范围内拥有更低的吸收。薄片型KDP晶体广泛用于钛宝石激光的二倍频或者用于脉冲宽度测量的自相关仪。和BBO晶体相比，在800nm的二倍频应用中，KDP晶体拥有约2.4倍的光谱接受范围，以及相应的，更低的群速失配率，而这对飞秒激光器的宽光谱脉冲是非常重要的参数。EKSMA optics能提供孔径至Dia80mm的KDP晶体。事实上，KDP是目前高功率密度的钛宝石飞秒激光器(30mm光束直径下亚-太瓦或太瓦级别峰值功率脉冲)谐振的唯一解决方案。

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地美国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

THz晶体MolTech(THz crystals)品牌: 德国MolTech关于德国Moltech公司： 德国Moltech公司位于柏林，专注于激光材料，激光介质，激光晶体，太赫兹晶体，法拉第隔离器的研发制作。Moltech公司的THz晶体广泛为中国的客户使用和好评。一、ZnGeP2晶体特点和应用 ZnGeP2(磷镓银)单晶有着最大的光学非线性系数和极高的激光损伤阈值，是用于中红外和太赫兹波段非常高效的非线性光学材料。ZGP晶体具有正双折射效应，因此它可以用于0.75-12μm波长范围的相位匹配频率转换。可以将1.06mm光与CO2激光混合，实现到近红外波段的上转换。 透过范围(μm) 0.75 – 12.0点群 42m密度(g/cm3) 4.12摩氏硬度 5.5反射系数 　2.00 μm no = 3.1490 ne = 3.18894.00 μm no = 3.1223 ne = 3.16086.00 μm no = 3.1101 ne = 3.14808.00 μm no = 3.0961 ne = 3.135010.00 μm no = 3.0788 ne = 3.118312.00 μm no = 3.0552 ne = 3.0949非线性系数(pm/V) d36 = 68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)损伤阈值(MW/cm2) 60 (10.6μm,150ns)二、GaSe晶体特点和应用： GaSe（硒化镓）具有非线性系数大，损伤阈值高和透过范围宽三重优势，是一种非常适合作中红外光二次谐波的非线性光学单晶。 GaSe可以用于CO2激光器的倍频，上转换CO和CO2激光射线到可见范围。 GaSe还可以用于太赫兹射线的产生典型参数：透过范围(μm) 0.62 – 20点群 6m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 3.74, c = 15.89 ?摩氏硬度 2反射系数 　5.3 μm 处 no= 2.7233, ne= 2.396610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d22 = 54离散角 4.1°(5.3 μm)损伤阈值(MW/cm2) 28 (9.3 μm, 150 ns) 0.5 (10.6 μm, in CW mode) 30 (1.064 μm, 10 ns) 三、AgGaS2 ( AGS)晶体 AGS (硫镓银) 对于红外射线来讲,是一种非常高效的倍频晶体,尤其是10.6μm的CO2激光器, 虽然其非线性系数很低,但是它在550nm附近非常高的短波透过率在YAG泵浦的OPO有广泛应用,还可应用于中红外波段的混频系统波长范围从4.0到18.3 μm, 通过差频实现红外波段光输出。透过范围(μm) 0.47 - 13点群 4m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 5.757, c = 10.311 ?摩氏硬度 3.0 - 3.5反射系数 　5.3 μm no = 2.4521 ne = 2.39903.0 μm no = 2.4080 ne = 2.35455.3 μm no = 2.3945 ne = 2.340810.6 μm no = 2.3472 ne = 2.293412 μm no = 2.3266 ne = 2.271610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d36 = 12.5离散角 0.76° at 5.3 μm四、KTiOPO4(KTP)晶体 KTP（磷酸钛氧钾）是一种优质的非线性晶体，它光学质量高，透过范围宽，二次谐波转换效率是KDP的三倍以上，损伤阈值高，离散角小。KTP是倍频Nd：YAG激光器及其它掺钕激光器最合适也是应用最广泛的晶体。应用：l 1.064μm光的二倍频发生器l 近红外波段的光参振荡器l 近红外波段的差频发生器 五、THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn 产品介绍：其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管，它能够发出绿光。 InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。参数：材料 InP InSb InP: Fe InP:Zn GaP GaAs:Te GaAs:Zn GaAs 多晶阻抗, omNaN 0.03 - 0.2 - 1x106 - 2x107 - - - - -直径 - - 1,011 - 1,2511 1,011 - 1,2511 - 12,511 1,511 -轴向 (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) -100 - -载流子浓度, cm-3 (0.8 - 2.0) x 1015 (8 - 30) x 1013 - (0.2 - 1.0) x 1018 (4 - 6) x 1016 2 x 1017 1.0 x 1019 2 x 1015灵敏度, cm2/V.Sec 3500 - 4000 - - 50 -70 - 4500 - 5200生长技术 - 可参杂 - - 可参杂 - Cz Bridjman六、THz晶体-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS介绍：第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。七、碲化锌晶体（ZnTe）尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各个尺寸晶向：110表面处理： 抛光、镀膜、非镀膜应用：THz探测、THz产生主要型号及尺寸列表:

总览ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。名称型号货号 描述 价格 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 LiGaS2A80160204透光率, 0.33 – 11.6µ m,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiGaSe2A80160203透光率, 0.37 – 13.2µ m,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiInS2A80160202透光率,0.35– 13.2 µ m, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 LilnSe2A80160201透光率, 0.43– 13.2 µ m,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µ m ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体 AgGaSe2A80160206透光率,0.76 – 18 µ m,单轴负晶 no ne (at λ 0.804 μm ne no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µ m ,对称度 四方晶系, -42m point group GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSeG80010032透光率0.62 – 20µ m,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µ m,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µ m AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaS2A80160205透光率: µ m 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µ m , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311总览LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, µ m0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20总览LGSe是一种新型非线性红外材料，具有纤锌矿型结构，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数，如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等，从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, µ m0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 µ m0.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 总览硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, µ m0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 µ m 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 µ m）用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µ m范围内的激光器泵浦中红外(2-12µ m)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域&bull 中红外范围（2-12µ m）的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, µ m0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 µ m 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 µ m5.3 µ mno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 µ m0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µ m) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物GaSe透光率, µ m0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µ m对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µ m4.1应用10.6 µ m激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12µ m的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µ m at 300 K)主要参数复合物AgGaS2透明度, µ m0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 µ m 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性四方晶系, -42m point group晶胞参数, &angst a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 µ m0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 µ m光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。

产品名称：SrLaGaO4晶体基片产品简介：具有良好的钙钛矿结构超导体晶格匹配，钛酸锶稳定的结构使其适合低介电常数微波或高频应用技术参数：晶体名称 SrLaGaO4晶体基片成长方法 CZ介电常数 16-20M.P.oC 1600密度g/cm3 4.88粗糙度 5 A晶格失配 YBCO 5.7%结构晶格常数(A)tetragonal a=3.843,c=12.680产品规格：100 001 公差：+/-0.5度 单抛 双抛 10x10x0.5mm 5x5x0.5mm 可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

HPGe高纯锗晶体High Purity Germanium Single Crystal – P Type9N,10N,11N,12N,13N 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品名称：钽酸钾(KTaO3)晶体基片技术参数：分子量268.04晶体结构立方,钙钛矿晶格常数a=3.989?生长方法顶部籽晶熔融法熔点～1500℃密度7.015g/cm3莫氏硬度6 Mohs热导率0.17 w/m.k @ 300k折射率2.14产品规格：常规晶向：100, 110, 111公差：+/-0.5度常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： LaAlO3MgOYSZSrLaAlO4切割机RTP快速退火炉基片包装盒系列旋转涂层机

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品名称：硫化镉(CdS)晶体基片产品简介：II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。技术参数：晶体名称CdS生长方法PVT结构六方晶系晶格常数(A)a=4.1367 c=6.7161密度 ( g/cm3)4.821熔点 (oC)1287热容 (J /g.k)0.3814 热膨胀系数(10-6/K)4.6 // a 2.5 // c导热系数( W /m.k at 300K )2.7透明波长 ( um)2.5 ~ 15 (71%)折射率1.708 (o) 1.723 (e)产品规格：尺寸：25x25x15 mm注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

监视器附件 6SY8101-0AA31干扰抑制滤波器 6SB2076-4AA00-0AA0干扰抑制滤波器 6SY8101-0AA37风扇 6SY8101-0AA66电源变压器 短路器 6SY8101-0AA77风扇 6SY8101-0AB06风扇 6SL3994-0FX05-0AA0干扰抑制滤波器 6SY8101-0AC00风扇 6SL3994-0FX03-0AA0制动电阻 6SY8101-0AC07SITOR 模块 6QA5111-0AK21闸流晶体管 6SB2071-0AA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-1AA00-0AA0晶闸管 6SD2180-3AA0闸流晶体管 6SB2071-4BA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-6AA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-7AA00-0AA0变压器 6SB2072-1AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-4AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-5AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-5BA00-0AA0电流互感器 6SB2072-6AA00-0AA0电容器 6SB2073-3DA00-0AA0闸流晶体管 6SD2180-1AA0闸流晶体管 6SD2180-2AA0风扇 6SL3994-0FX04-0AA0闸流晶体管 6SD2180-5AA0闸流晶体管 6SD2180-6AA0电流实际值转换器 6SD2181-2AA0变压器 6SD2181-4AA0电泳放电器面板 6SD2182-0AA0电泳放电器面板 6SD2182-1AA0电泳放电器面板 6SD2182-2AA0电泳放电器面板 6SD2182-3AA0径流式风扇 6SL3944-0FX00-0AA0晶闸管 6SL3953-6PX00-0AA0

碘化钠晶体是一种性能优良的闪烁晶体。它是以NaI为基质材料掺以适当浓度的TlI生长而成，其最大发射波长在415nm，可与光电倍增管的光阴极很好地匹配，有很高的发光效率，对X射线和γ射线均有良好的分辨能力。我公司研制的碘化钠晶体成功应用于2008北京奥运会和2010年上海世博会的安全检查系统，性能良好，备受好评。我公司可根据客户使用条件和图纸要求生产各种碘化钠晶体，满足高温、抗震等方面的需求。1.石油测井用碘化钠晶体 核测井中，γ射线通过碘化钠闪烁体，通过能谱分析，可以由不同能量的γ射线强度确定地层中铀、钍和钾的含量及其分布情况，从而评价地层的岩性、生油能力以及解决更多的地质和油田开发问题。碘化钠晶体具有较高的光产额且受温度的影响相对较小，已成为油井测井探测器中的首选材料，我公司先后为大庆油田、大港油田等单位提供优质碘化钠晶体，并得到用户好评。 高温抗震碘化钠晶体 使用温度：25°C-175°C 振动：加速度20g，频率20-1000Hz 冲击：400g@1ms2.环境监测用碘化钠晶体 目前放射性物质普遍存在于日常环境中，对某些需要进行核监测的场合进行核辐射的测量能够确保工人工作的安全，避免潜在的危害公众安全的核辐射。该晶体主要对生产、生活、工作环境、野外进行核辐射监测等领域。3.核医学用碘化钠晶体 在核医学中，碘化钠晶体主要用于核成像技术，包括同位素治疗仪、γ相机等。核医学显像方法简单、灵敏、安全、结果准确、可靠，在临床和基础研究中的应用广泛。4.工业CT和安全检查用碘化钠晶体 该晶体主要应用于冶金行业钢水流动速度、钢板的厚度及缺陷检验及对隐蔽爆炸物进行安全检查等。

P型、N型、11N/12N/13N/高纯锗晶体HPGe、高纯锗单晶 ?1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

据准相位匹配 (QPM : Quasi Phase Matching）理论，可以通过对晶体的非线性极化率的周期性调制来补偿非线性频率变换过程中因色散引起的基波和谐波之间的波矢失配，从而获得非线性光学效应的有效增强。以色列Raicol公司拥有**的周期极化 KTP(PPKTP)制造技术，相比传统切割工艺制造下的KTP晶体，拥有以下突出的优点：1. 更高的非线性转换效率，适合于产生高亮度量子纠缠光子对2. 更大的器件接收角，可接驳半导体激光泵浦源3. 几乎消除了去离角效应。由于以上的优点，周期极化 KTP(PPKTP)特别适合于产生高亮度纠缠光子对，用于光量子信息科学研究，比如：玻色子采样和量子干涉： -775nm-1550nm, 推荐采用2型PPKTP获得高配对速率量子密钥分发： 405nm-810nm。推荐选择0型PPKTP提供更高的配对速率和频谱带宽，而选择II型易于使用。挤压光： 研究人员应首先决定挤压是在单程还是空腔中产生。对于前者，标准晶体就足够了，而对于*佳参数振荡器，*选单片或半单片选项。选择0型PPKTP量子叠加态识别成像：推荐0型ppKTP，周期专为非简并设计。PPKTP晶体0型与II型PPKTP谱线形貌比较PPKTP晶体用于量子密钥分发PPKTP晶体用于压缩光Raicol公司PPKTP晶体可用于SHG倍频，DFG差频，SFG合频，OPO光学参量震荡。Raicol公司另外还生产PPMGLN晶体，详情见链接：PPSLT Products | RaicolRaicol公司另外还生产PPSLT晶体，详情见链接：PPSLT Products | Raicol

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g) 发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

总览一, ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体110晶向的ZnTe（碲化锌）晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的110晶向ZnTe实现光电探测。太太赫兹光脉冲会使ZnTe晶体产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在ZnTe晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪最具吸引力的特性之一。ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体,ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像应用领域红外光学 基板 用于真空沉积的晶体片 THz探测器 THz 发射器 光学限位器生产方法HPVB or HPVZMCAS #1315-11-3结构Cubic zincblende密度5.633 g/cm3Specific Heat0.16 J/gK例如（300 K）2.25 eVMax. 透射 (l =7-12 mm)60 %Max. specific resistivity109 Ohm´ cm折射率 (l =10.6 mm)2.7光电系数r41 (l =10.6 mm)4.0´ 10-12 m/VMax. IR-optic blank diameter/lengthÆ 38´ 20 mmMax. 单晶直径/长度:Æ 38´ 20 mm碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm碲化锌（ZnTe)晶体，是一种具有优异电光性能的II-VI族化合物半导体，自然条件下是闪锌矿（ZB）结构,室温下带隙宽度为2.3eV，其二阶非线性系数与电光系数均较大，辐射和探测THz电磁波的效率比其他电光晶体高，因此ZnTe晶体被认为是比较好的THz辐射源和探测器材料。ZnTe晶体110方向在 800nm附近激光脉冲作用下相位匹配*****,为ZnTe晶体作为太赫兹辐射产生和探测的常规使用方向。此外，ZnTe晶体还可以广泛应用于各种光电子器件中,如绿光发光二极管、电光探测器、太阳能电池等碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm,碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm产品特点应用于THz产生、探测和光学限幅器晶体纯度高 99.995%-99.999%表面质量优通用参数晶格结构立方闪锌矿密度5.633g/cm3比热0.16j/gK带隙（300K）2.25eV透过率（λ=7-12um)60%电阻率109 Ohm*cm折射率（λ=10.6um)2.7电光系数r41（λ=10.6um)4.0×10-12m/V电阻率(1) Low:103Ohm*cm(2) High:109Ohm*cm封装尺寸5*5*1nmØ 25.4mm二, GaSe（硒化镓）太赫兹晶体GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe（硒化镓）太赫兹晶体,GaSe（硒化镓）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像三, CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜微波等离子体CVD金刚石圆片：掺硼盘（蓝色）、光学级金刚石、机械级、未抛光盘。CVD金刚石最重要的性能是无与伦比的硬度，高的导热系数（1800 W/mK，是铜的五倍）宽带光学透明度，极度化学惰性，不受任何酸或其他化学物质的影响。仅在非常高的温度下（T700°C，含氧环境下）石墨化，在惰性环境中为1500℃）CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜,CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜产品特点● 宽光谱透射范围● 高透射率产品应用● 太赫兹波传输窗片● X射线检测● 红外光学● 外延基片技术参数PropertyValueVickers hardness*10,000 kg/mm2Young's modulus*1050 GPaPoisson's ratio0.1Density3.515 g/cm3Atom density*1.77×1023 1/cm3Thermal expansion coefficient1.0*10-6/K @300KSound velocity*17,500 m/sFriction coefficient0.1Specific heat @ 20°C0.502 J/gKDebye temperature*1860 10KBandgap5.45 eVResistivity1013 - 1016 ohmmPropertyValueTransmission225nm to far IR , 70% @ 10µ mRefractive index2.38 @ 10µ m, 2.41 @ 500nmAbsorption coefficient0.10 cm-1 @ 10µ mBandgap5.45 eVTensile strength (0.5mm thick)Nucleation surface in tensionGrowth surface in tension600 MPa400 MPaLoss tangent (tan @140 GHz) 2.0×10-5Dielectric constant5.7PropertyValueDimensionsThicknessDiameter10 - 2000 µ mup to 100 mmSurface finishShapeflat, spherical (convex & concave)Roughness 5 nm*Flatness1 fringe/cm*Wedge0 – 1°*Antireflection Coatings (visible and infrared)Spec. Transmission at 10.6 µ m 98.6 %Wavefront distortion 4 fringes at 633 nm over 30 mm*MountingDiamond windows mounted e.g. in UHV flanges (bakeable at 250°C, vacuum tight 10-10 mbar l/s)*四, 太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）Terahertzlabs提供TPX和HRFZ-Si等不同太赫兹材料的THz透镜。我们拥有不同的标准尺寸以及不同的焦距EFL可供客户选择。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）,太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）产品特点● TPX，Tsurupica，HRSi材料可供选择● 不同标准尺寸1inch，2inch● 多种焦距可供客户选择● 高透射率，高平坦度● 宽谱透射范围0.02-5 THz● 高抗张强度● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 中远红外气体探测● 科学实验室研究● THZ量子级联激光器波片● 中远红外滤波片技术参数TPX主要参数：密度（g/cm3）0.83抗张强度4100psi~28.3MPa拉伸模量280000psi~1930.5MPa抗拉伸模量（%）10绕曲强度6100psi~42.1MPa绕曲模量210000psi~1447.8MPa热偏温度（℃）100融化温度（°F/℃）464/240吸收率（ASTM-D1228）（%）＜0.01透水汽性（thk25μm，40C，90%RH）（g/m2*24h）110透气性（thk100μm）（cm3/m2*d*MPa）120000TPX透镜参数：材料TPX形状平凸、双凸最大直径（mm）100mm直径公差（mm）±0.25mm有效焦距公差（mm）±1%通光口径（mm）≥90%表面直径（双面抛光）80/50 Scr/Dig表面精度（mm）±0.01mm（和理想球面和平面的差）五, THz太赫兹TPX窗片我们提供由晶体和聚合物材料制成的太赫兹窗片。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。THz太赫兹TPX窗片,THz太赫兹TPX窗片通用参数产品特点：TPX，HRFZ Si，ZEONEX材料可供选择不同标准尺寸1inch，2inch接受客户定制服务产品应用：太赫兹时域系统太赫兹源窗片中远红外气体探测科学实验室研究THZ量子级联激光器波片中远红外滤波片技术参数： 1，晶体材料1.1 HRFZ Si窗片材料HRFZ-Si类型平面-平面可用尺寸, mmto 150直径或横切公差, mm+0.0 / -0.1厚度公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min3表面质量 (双面抛光), scr/вig60/40表面精度, mm+/-0.01偏离理想平面涂层应要求提供AR涂层以下窗片可从库存中获得No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0238.1 (1.5)1.0350.8 (2.0)1.0476.2 (3.0)1.05101.6 (4.0)1.0可根据要求定制尺寸 1.2 THz级石英晶体和THz级蓝宝石窗片材料THz级石英晶体 (z-cut) and THz 级蓝宝石窗片类型平面-平面尺寸公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min5表面质量 (双面抛光), scr/dig80/50表面精度, mm+/-0.01 偏离理想平面涂层 （对于石英晶体)应要求提供AR涂层太赫兹级石英晶体窗片尺寸如下：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0, 2.0, and 3.0238.1 (1.5)1.0, 2.0, and 3.0350.8 (2.0)1.0, 2.0, and 3.0 其他尺寸和定制设计可根据要求制造。以下尺寸的太赫兹级石英晶体可用：对于沿Z轴生长的晶体Z-axis: X =100 mm, Y=150 mm and Z up to 35 mm对于沿X轴生长的晶体 X-axis: X up to 30 mm, Y=100 mm and Z=125 mm. 可根据要求提供太赫兹级蓝宝石窗片。不同尺寸的成品可现货供应或在一周内供应。 2. 聚合物2.1 TPX windows材料TPX类型平面-平面，楔形（楔形为6mrad）可用直径, mmto 300尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.025 (TPX)表面精度, mm±0.01 偏离理想平面以下TPX窗片有现货供应：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)2.0238.1 (1.5)3.0350.8 (2.0)3.5定制尺寸（最大厚度30 mm）可根据要求定制 2.2 ZEONEX 窗片材料ZEONEX类型平面-平面，楔形可用直径, mmto 120尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.05表面精度, mm±0.01 偏离理想平面 ZEONEX窗户可根据要求制造。库存材料的最大厚度为33 mm。五, BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)德国BATOP公司供应TPX和硅两种材质的太赫兹透镜，尺寸一般为1英寸或2英寸，包括超半球形和椭圆形硅质太赫兹透镜，以及具有不同直径和焦距的非球面TPX太赫兹透镜。BATOP的TPX透镜可用于太赫兹波段中发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，还有专用于PCA应用的TPX太赫兹透镜，能够实现太赫兹光束的准直和聚焦。 在代理Tydex太赫兹透镜和BATOP公司TPX透镜的基础上，筱晓上海光子也提供自主开发的太赫兹透镜和窗镜，包括太赫兹透镜和石英透镜，尺寸可以为1英寸至4英寸，为用户提供更大的定制自由度。BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm),BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)通用参数PCA专用TPX透镜特点：使用高透过率TPX（聚甲基戊烯）透镜，可以对太赫兹光束进行整形。搭配一个TPX透镜可以准直来来自超半球形基板透镜的发散太赫兹光束。搭配两个TPX透镜，可以实现清晰的THz聚焦。1英寸直径的TPX透镜可被容易地安装到具有超半球形硅透镜的PCA光导天线上。 PCA专用TPX透镜规格参数PCA专用TPX透镜分为3个型号，其通用参数一致 CTL-D25mm - 已安装的准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. CTLF-D25mm - 用于光纤耦合PCA的安装准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. FTL-f32.5mm - 聚焦平凸TPX透镜 PCA专用TPX透镜 通用参数透镜直径25.4 mm透镜厚度8.0 mm焦距32.5 mm通光孔径 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz吸收系数0.3 cm-1材质TPX（聚甲基戊烯）太赫兹透镜面形平凸（非球面）PCA兼容外壳 以下为BATOP聚焦平凸TPX透镜 标准品型号TPX透镜，直径1英寸和2英寸,其中TPX-D25.4-f10，专门用于空间高分辨率的应用1英寸直径TPX透镜，焦距F：10mm~32.5mm型号TPX-D25.4-f10 TPX-D25.4-f15TPX-D25.4-f25TPX-D25.4-f32.5透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距10 mm15.0 mm25.0 mm32.5 mm通光孔径 20 mm 23.4 mm 22.4 mm 22.0 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.640.590.380.3中心透镜厚度11.2 mm8.0 mm8.0 mm8.0 mm边缘厚度3.3 mm1.6 mm3.1 mm4.2 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格1英寸TPX透镜，焦距F：50mm~150mm型号 TPX-D25.4-f50 TPX-D25.4-f67 TPX-D25.4-f100 TPX-D25.4-f150透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距50.0 mm67 mm100 mm150 mm通光孔径 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.210.160.1070.072中心透镜厚度7.0 mm6.94 mm7.0 mm6.0 mm边缘厚度4.4 mm5.0 mm5.7 mm5.1 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格2英寸TPX透镜，焦距F：35mm~200mm型号TPX-D50-f35 TPX-D50.8-f65 TPX-D50.8-f100TPX-D50.8-f200透镜直径50.0 mm50.8 mm50.8 mm50.8 mm焦距35.0 mm65.0 mm100 mm200 mm通光孔径 47.0 mm 47.8 mm 47.8 mm 47.8 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.540.330.230.12中心透镜厚度18 mm13 mm10 mm8.3 mm边缘厚度3.0 mm4.1 mm4 mm5.0 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格 六, BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜对于发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，我们提供不同直径和焦距的超半球和椭圆硅透镜以及非球面TPX透镜。BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜 , BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜通用参数标准型号1:HSL-12超半球形硅衬底透镜与GaAs PCA芯片相结合，确保THz辐射的大立体角Ω=1.25 sr。由于该透镜提供发散太赫兹光束，因此必须通过附加透镜进行准直。超半球硅透镜:&bull 直径：12 mm&bull 厚度：7.1 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻 ρ：10 kΩcm&bull 表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束收集角α73°发散角ß 17°虚拟焦距L 26.5 mm标准型号2:CSL-20-12准直硅透镜椭圆准直硅透镜设计用于连接0.6 mm厚的天线芯片。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：13.8 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻ρ：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束直径为20mm的准直收集角α 54.6°标准型号3:FSL-D20-f50-聚焦硅透镜聚焦椭圆硅透镜，直径20 mm，焦距50 mm。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：14 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束焦距f 50 mm收集角α 52.7°收敛角ß 10°艾里盘直径at 300 GHz 3.6 mmat 1 THz 1.1 mmat 3 THz 0.36 mm

STX-620型晶体定向切割一体机，主要用于材料分析样品的精密切割，本系统由金刚石线切割机和X射线定向仪组合而成，金刚石线切割机的Y轴可通过程序控制平行进入定向仪，并带有360度水平旋转的载样台，满足晶体在定向仪中的位置要求，晶体定向后，再利用连接的Y轴进入回切割设备中，避免了二次装夹带来的切割角度误差，从而实现快速定向并切割。适用于脆性、容易解离晶体的精密切割。采用X射线晶体定向仪和金刚石线切割机进行连接组合，精准测量，无缝衔接切割。整体采用铝型材结构，美观轻便。产品名称STX-620型晶体定向切割一体机产品型号STX-620主要参数金刚石线切割机部分1、供电接口：国标带保险三极插座 AC220 50Hz 10A2、总功率：350W3、主体构成：铝合金框架4、金刚石线长度 ：≤150m5、金刚石线直径 ：φ0.25-0.45mm6、金刚石线张紧方式 ：可调气动张紧7、张紧压力调节范围 ：0.1-0.4Mpa8、主轴切割旋转方式 ：往复式旋转9、主轴驱动电机 ：交流变频+减速机 AC220V 300W10、主轴转速 ：5m/s 可调11、Z轴工作台有效行程 ：≤160mm（选配机以实物为准）12、Y轴工作台有效行程 ：≤480mm13、Z、Y 轴进给精度 ：0.01mm14、样品台 ：电动三维转台，水平 0-360°15、角度台 ：电动：±15°16、Y轴、Z 轴、R 轴驱动电机 ：精密步进电机17、两导向轮内侧最大间距 ：≤180mm18、切割最大工件直径和长度 ：Φ150mmX150mm19、工作台中心承重 ：≤10Kg20、控制方式 ：PLC 编程器+4.3 寸触摸屏21、参数显示形式 ：数字22、安全控制装置 ：绕线筒超行程、 断线自停 急停开关23、产品规格：尺寸：640x700x1450mm重量：约170kgX射线晶体定向仪原子曲面分析系统V2.0一、功能概述：1. 此仪器一台多角度、多功能的晶体定向仪，用于：晶锭端面定向；2. 仪器支持多角度测量。3. 免校准、仪器手动上下被测材料。4. 仪器θ轴及2θ轴自动调节方式。5. X光焦点采取机械接触式顶针。6. HMI显示数据。7. 故障提示。二、被测晶体：序号项目内容（规格、参数）1材料单晶2形状晶棒3规格直径8英寸以下。4被测部位端面三、技术参数：序号项目内容（规格、参数）1工作台此仪器有一个工作位2测量方式手动上、下物料。3电源输入单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。4X射线管铜靶，风扇冷却，阳极接地。5管 电 压最大管电压为 30KV、全压合闸。6管 电 流0-1mA、连续可调（超过1mA有可能损坏X光管）。7总耗电功率整机总耗电功率不大于1.2KW。8仪器精度±30”（以供方提供的石英标准片10ī1面测量）。9最小读数3”。10校 准免校准（断电后免校机）。11显示方式PLC 触摸屏操作及显示（度及度分秒两种）。12测量角度范围2θ角：0~+104°，θ角：0°~+52°。13保护Door interlock、EMO、高压连锁，温控保护。14测量空间φ300*300mm。15接收器接收器B。四、环境要求：序号项目内容（规格、参数）1电源单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。2插座电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。3环境温度环境温度+5~+35℃。建议恒温使用，最好安装在有空调的房间内使用（温度变化大，可能会影响测量精度）4环境湿度相对湿度不得大于 65%。5接地装置有良好的接地装置，接地电阻不应大于4Ω。6配水需求无7空气源需求无五、验收标准：序号项目内容（规格、参数）1精准检测以卖方提供的标准片石英片10ī1面测量以标准石英片 10ī1面对设备检测，仪器精度为±30"，微安表下降±2个小格，最小读数为1"。2重复精度测量重复精度，98%以上在精度范围内。

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar 最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

电化学石英晶体微天平EQCM是一款通过测量石英晶体的频率变化实现质量检测的高灵敏度设备。电化学石英晶体微天平EQCM作为高灵敏度的测试仪器， 它可以测量在传感器表面或附近吸附层ng级的“湿质量”。该设备的测量原理是基于石英晶体的阻抗分析，测量谐振频率和谐振电导曲线的峰宽。谐振电导曲线的峰宽或半峰宽与耗散因子（Q）直接相关。可以对多种不同类型表面的分子相互作用和分子吸附进行研究，应用范围包括蛋白质、脂质、聚电解质、高分子和细胞/细菌等与表面或与已吸附分子层之间的相互作用；可提供多个频率和耗散因子数据， 用于充分了解在传感器表面吸附的分子的状态。应用领域? 传感器开发? 蛋白质凝聚研究? 生物膜表面污垢表征? 细胞学表征? 双脂质层表征? 电池材料研发? 电聚合? 各类工业条件（真空、滴铸、油墨喷印）下的覆膜监控? 手套箱环境? ALD逐层沉积仪器参数频率测试范围1-61 MHz (基频为5 MHz时，可测试13级倍频)基频为3MHz时，可测试17阶倍频基频为5MHz时，可测试12阶倍频基频为10MHz时，可测试5阶倍频液体中倍频灵敏度1 Hz液体中耗散灵敏度～1x10-6质量灵敏度5ng cm-2每个倍频下测试参数倍频曲线、频率、频率变化、半峰宽、半峰宽变化、耗散因子、耗散因子变化、温度