磷光发光材料铱

北京理工大学董宇平教授与温州大学雷云祥老师在 Advanced Functional Materials 上发表合作论文：《Achieving Efficient Phosphorescence and Mechanoluminescence in Organic Host–Guest System by Energy Transfer》。该研究基于主客体掺杂策略，构建出同时具有室温磷光（RTP）以及力致发光（ML）的有机掺杂材料，并对该类材料的发光机理进行了深入探究。

令人高兴的是，华东理工大学的田禾院士、马骧教授团队 近年来一直致力于无定形态纯有机室温磷光材料的研究，对这一领域有着深刻的理解和认识，并且取得了一系列突破性进展。近期该团队受邀撰写了关于室温磷光材料的综述，并发表于 Angew . Chem. Int. 该综述主要 从无定形态纯有机室温磷光材料的设计思路入手，总结评述了近年来该领域的一些代表性研究成果和热门应用 。

在通过引入氧空位缺陷来改善α-Zn3(PO4)2：Mn2+，Na+绿色长余辉发光材料的发光性能。通过研究Na+掺杂量对氧空位缺陷的影响及其对发光性能的作用机制，进一步了解长余辉材料的发光机理，并优化发光材料的制备条件。

中国的稀土蕴藏量和产量在位居世界第一，探明储量占全球的36.52%，被称为稀土大国。如何有效地利用稀土资源，是众多关注中的重点。其中上转换发光稀土材料的就是研究中的热门材料。

上转换发光材料由于其短波激发长波发射的特性，再加上其寿命长、潜在生物毒性低、可制备成纳米颗粒的特点，具有非常丰富的应用前景，其在生物成像、荧光示踪、太阳能电池转换、上转换激光、防伪、3D成像等方面均有报道其应用

本应用说明介绍了一种运行时间短且选择性高的方法，该方法应用了超高效合相色谱（UPC2）-二极管阵列检测器-质谱法来分析一种铱络合物染料（Ir (Fppy) 3）的纯度，Ir (Fppy) 3是一种重要的发光材料，蓝光发光寿命长，被用于制造OLED的部件。同时，本方法也评估了OLED装置中存在其他添加材料时，本方法对Ir (Fppy) 3 测定的专一性。

本申请说明展示了根据77开尔文下测得的磷光光谱计算量子效率的新专用系统。关键词：FP-6500，FWSQ-6017，荧光，磷光，量子效率，材料，积分球

有机发光半导体材料是一组用于制造OLED显示屏的化合物，主要由可产生荧光的多环芳烃构成。有机发光半导体材料的合成和杂质的结构表征是开发新的、高性能产品必不可少的，而多数情况下需要高纯度化合物，因此需要纯化目标组分。本文中，我们介绍了使用超临界流体色谱Nexera UC分析系统进行小容量制备以及Nexera UC Prep用于大量制备。

使用岛津差示扫描量热仪DSC-60A Plus建立了测试有机发光二极管（OLED)材料玻璃化转变温度（Tg）的方法，通过设置指定的温度程序对OLED材料进行测试，可获得其Tg信息，为掌握OLED材料的性质和确定生产工艺提供重要参考。

所谓光致发光（Photoluminescence简称PL），是指物体依赖外界光源 进行照射，从而获得能量，产生激发导致发光的现象。也指物质吸收光子（或电磁波）后重新辐射出光子(或电磁波)的过程。光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。

卤化物钙钛矿已成为下一代光电应用(如太阳能电池和发光二极管)的特殊候选者。钙钛矿薄膜在微观和纳米尺度上具有非均质性。对纳米尺度的理解是开发和改进这些新型材料的基础。CL允许在高空间分辨率下探测材料的特性。然而，这些软半导体对电子束损伤非常敏感，这主要阻碍了CL的使用。

本文首次提出了一种新的材料，其分子式为ZrScMo2VO12。结果表明，该材料不仅在较宽的温度范围内（至少在150～823K）表现出良好的负热膨胀（NTE）性能，而且在整个可见光区域具有很强的光致发光特性。用膨胀计（高温用LINSEIS DIL L76，低温用LINSEIS DIL L75）测量相对长度变化。

近中红外光广泛应用于光纤通信、医疗、遥感探测、说环境监控等应用领域，高效、稳定、紧凑的近中红外光光源是这些应用得以实施的基础。近中红外发光玻璃是制备近中红外光光源的核心材料，但是玻璃中含有的羟基是近中红外发光的淬灭中心与光吸收损耗的主要原因。怎样降低玻璃中的羟基含量成为提升近中红外发光玻璃的发光效率并降低光吸收损耗的重要方法。利用鼓泡法向玻璃液中通入去羟基试剂是目前降低玻璃中羟基含量的主要方法，但这种方法并不适合于所有基质玻璃材料，如掺铋发光玻璃、硫氧化物玻璃等，所以研究开发新的去羟基方法有利于开发新的近中红外发光材料，并开拓近中红外光的应用领域。

自2009年有机无机钙钛矿被报道应用于太阳能领域以来，不断挖掘出的优异性能使得钙钛矿在诸多领域成为明星材料，如太阳能电池，电致发光器件，激光等等。

上转换发光是指材料分子吸收两个或两个以上低能光子而辐射一个高能光子的发光现象。目前研究的重点是能够将近红外光（波长较长，低能）转换成可见光（波长较短，高能）的上转换材料——例如稀土上转换材料。事实上，稀土离子的上转换发光几乎覆盖了可见光的各个波段，其在近红外量子计数器、激光器、三维立体显示、荧光粉、医学成像及生物传感器等方面己经获得了广泛的应用。

近年来，石墨烯材料由于其优异的性能在科研及工业上均得到了极为广泛的关注。石墨烯具有奇特的电子带结构，其价带和导带在动量空间中形成锥形表面，并与狄拉克点相接触（如图1）。价带和导电带的接触意味着石墨烯没有带隙，被称为零带隙半导体。这种带隙的缺失导致纯的石墨烯在光致发光（PL）方面没有性质，因为零带隙材料无法发光。然而，可以通过氧化石墨烯形成氧化石墨烯，石墨烯中碳原子的π电子网被破坏，导致在价带和导带之间形成间隙，从而表现出光致发光特性，打开新应用的大门。

在光电领域，量子产率（PLQY）是一项至关重要的参数。对于那些对此领域充满热情和挑战的研究者来说，选择一款可靠、精细、易于操作的光致发光量子产率量测系统就显得至关重要。光焱科技Enlitech研发的LQ-100X-PL就是为满足这些需求而生，LQ-100X-PL适用的研究领域广泛，包括荧光粉、LED荧光材料、OLED荧光材料、钙钛矿、雷射染料、钙钛矿量子点粉末与单晶、PbS量子点等。

1、能与多个激发波长匹配2、内置数码相机设计，可实时观察样品3、可提供物镜朝下或物镜侧向的两种配置选择，便于测量侧向发光器件或放置在正置低温恒温器中的样品

电致发光材料（Electroluminescent Materials）被广泛应用于各种显示、照明等领域。在电致发光材料性能表征的过程中，我们通常将待测样品加上恒定的电压，来测试器件的电流、亮度等参数。这些参数很多都受器件电阻的影响，因此准确的获得器件电阻就非常的重要。

光致发光和拉曼光谱是材料研究的重要技术手段，但样品可能具有多种形状和大小，或不易移动。采用光纤耦合、能够适合特殊样品的光学探头进行探测显得尤为重要。由Superhead光纤耦合的探头、iHR光谱仪及CCD探测器组成的模块化光致发光、拉曼测量系统，可进行在线、远程的光致发光和拉曼分析测量，大大拓展了测量系统的灵活性。

“目前获得 ³CT 态的主要思路有两种：1）构建具有扭转 D-A 结构的经键电荷转移（TBCT）型化合物；2）构建具有平面的 D-A 结构的 TBCT 型化合物。不过前者会因 ³CT→S0 的辐射跃迁过程会具有较强的旋轨耦合作用导致磷光寿命变短，而后者则会因 D、A 单元间存在较强的经键电子耦合作用，降低 3CT 态的辐射跃迁过程禁阻程度，导致磷光寿命变短。我们的工作则是构建仅具有空间电荷转移（TSCT）性质，而不具有 TBCT 性质的 D-CH2(sp³-C)-A 型化合物，借助 D、A 单元间较小的二面角，赋予 3CT 与 S0 态间以较弱的旋轨耦合作用，同时通过阻隔 D、A 单元间的经键电子耦合作用来降低其 CT 激发态的辐射跃迁允许程度。最终双管齐下，有效延长了化合物的 3CT 态寿命。”陈宽表示。陈宽师从四川大学卢志云教授，上述研 究 已 经 发 表 在 《 Angewandte ChemieInternational Edition》上。

文通过电热恒温水槽对钙钛矿量子点进行热致发光实验，探究了其在受热后释放光的特性，以期了解材料的热历史和稳定性。实验结果表明，通过表面钝化策略可以有效提高钙钛矿量子点的抗热淬灭性能。

单态氧具有很高的活性并破坏生物分子。最近，人们研究了它用于破坏癌症细胞或细菌。在此，我们描述了使用具有Eosin Y作为光敏剂的JASCO近红外（NIR）FP-8700分光荧光计在1270nm处由单态氧发射的磷光的测量。关键词：FP-8700，单态氧，磷光，光敏剂

为了使光电(PV)发电提供世界能源需求的很大一部分，必须降低每瓦特产生的面板成本。低成本、高容量光伏发电的最佳前景是薄膜无机化合物，包括CdTe和Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)。两种材料目前占太阳能电池板销量的20%，由于与硅相比有以下优势，这一比例可能会增加:1、这些材料的直接带隙意味着与100-400 μm的Si相比，所需的材料厚度大大减少，为2-5 μm。2、这种减少的厚度导致大大降低了对太阳能吸收器晶体质量的要求，它为更广泛的可能生产路线打开了大门 降低成本，提高产量。

大多数典型的LED由III-V族化合物半导体构成。III-V半导体是指包含元素周期表中第III族(B, Al, Ga, In)和第V族 (N, P, As, Sb)元素的合金材料。对于蓝色和绿色的LED，通常为In、Ga和N元素。InGaN基LED中的p型和n型区域由GaN形成，其带隙较大，为3.4 eV (360 nm)。可以通过调节Ga与N比值使其成为p型或n型。InGaN基LED的有源区由InxGa1-xN形成，加入In元素会降低半导体的带隙。通过改变In与Ga的摩尔比，可以调谐LED的发射波长和发光颜色。但随着In含量的增加，InGaN发光二极管的效率也会随之降低。因此，通过增加In的含量使其发射波长大于550 nm是没有实用意义的。光谱覆盖范围超过550 nm最为常用的LED为(AlxGa1-x)0.5In0.5P。可通过增加Al和Ga的摩尔比，使其带隙增大, 发射波长蓝移。采用电致发光技术能够测试InGaN和AlGaInP LED的发射波长，并确定LED的有源区带隙及组成。本篇应用，通过使用耦合电致发光附件的FS5荧光光谱仪测试了四种III-V族化合物发光二极管的发光特性并确定它们的带隙和色度坐标。

使用短波红外（SWIR）相机的光致发光（PL）成像进行非接触式机器视觉检测可以帮助太阳能电池生产商提高其光伏产品的效率和质量。通过SWIR成像，可以对硅大块铸锭、切片晶圆、加工层和完整的光伏电池进行检查。PL发射发生在与半导体带隙相关的波长处，即使在以视频帧速率成像的情况下，半导体带隙对于高灵敏度、未冷却的砷化铟镓（InGaAs）相机也是可见的。这种检测技术以一个波长的高光功率照射感兴趣的物体，光子被吸收在大块材料中。在与分子结构的相互作用中，一些能量由于热量而损失，剩余的能量导致光子以更长的波长重新发射。所产生的辉光的均匀性和强度对材料的许多参数以及随后的处理步骤是敏感的。在许多情况下，材料的特性，如少数载流子寿命，可以从PL图像中映射出来，这些映射将直接关系到最终产品作为太阳能电池的性能。

显微激光拉曼光谱仪是许多宝石实验室的标准分析仪器，它同时也是一台很好的光致发光分析系统。光致发光光谱可以用于表征钻石是否是天然的还是经过了脱色处理(高压高温HPHT-处理)或颜色增强处理(加热、辐射)。

近几年来，由于聚曝吩衍生物在发光器件、光伏电池及场效应份等方而潜在应用而备受关注。要使这类新型的光电聚合物材料走向实用化，还需要一步的改善和提高它们的光电特性和效率。这些性能除了与材料本身的化学构有关外，还与聚合物的物理形貌及分子形态有着密切的关系。Ll前聚合物理形貌对光电特性的影响研究主要集中在导电性能方面，而对光学方而的研较少。本论文分别用氧化聚合法和电化学聚合法合成和制备了聚{3一(2一甲软从苯唆吩』薄膜和纳米线阵列，详细分析了它们的发光特性和机理。利用同步辐射射线近边吸收技术(NEXAFS)，分析了不同电负性的取代基对聚咪吩电J气结和分子取向的影响。取得的结果包括以下几个方面:(1)通过格氏反应合成了3一(2甲氧基苯)唆吩，再用FeCI3作催化剂氧化合了聚〔3一(2一甲氧基苯)唾吩』(PMP-Th)。热重分析表明聚合物在400℃刁‘现失重现象，具有较高热稳定性。聚合物的最大发光波长为687nln，带较窄，是较好的近红外发光材料。X射线衍射技术证明聚合物内有微区，这可能是由分子的局域有序排列造成的。(2)以高纯铝为原料，分别在草酸溶液和硫酸溶液中，采用二次阳极钱化法制备了孔洞高度有序的阳极氧化铝(AAO)模板。通过改变制各条件，获了孔径在30tun一80nm，孔密度为一10’。孔/cm，的一系列氧化铝模板。用上自制的不同孔径的多孔氧化铝为模板，采用循环伏安法，制备PMP-Th的纳米线阵列，纳米线的直径与模板的孔径大小相当，纳米线长度可通过控制电量来调控。结果证明循环伏安法电化学技术与模板相结合是制备一维聚合物纳米阵列的有效方法，易于调控纳米线的长和维度。(3)分析研究了各种直径的PMP一Th纳米线阵列在由草酸溶液中制得的AA模板中的发光特性，与PMP一Th薄膜的发光光谱相比，纳米线阵列的发波长都有较大蓝移，强度显著增强。纳米线阵列的发光显示显著的尺依赖性，随着AAO孔径由80lun减小到60nm，发光波长逐渐从58On蓝移至560lun，当孔径从60nln减至40tun时，发光峰从56Onm红移580tun。经过红外光谱分析和对分子环境的比较探讨发现发光潜的蓝移摘要由模板的孔洞限制效应引起的，小孔径中发光的红移是聚合物分子有序取向使有效共辘程度增加带隙能降低导致的。结合聚合物薄膜和从O的吸收光谱和光致发光激发谱，对光强增强的机理进行了探讨，认为光强增强是由AAO与聚合物分子间的能量转移造成的，光强随孔径减小而降低是给体的发光谱与受体的吸收谱搜盖度降低以及分子有序堆积使荧光效率降低的结果。(4)分别比较了PMP一Th纳米线阵列和聚(3一澳代唾吩)(PBr一Th)纳米线阵列在硫酸溶液中制得的AAO(S-AAO)和草酸溶液中制得的从O(C一AAO)中的发光特性，发现PMP一Th纳米线阵列在S一AAO中的发光峰位和强度的尺寸依赖性与C-AAO一致，说明PMP-Th线阵列在从O的发光特性与AAO孔壁的化学环境无关，也进一步说明了PMP一Th纳米与AAO之间没有化学反应。与PMP一Th在C.AAO和S一AAO中的发光特性显著不同的是，PB卜Th纳米线在C.AAO和S一AAO中的发光强度相比于薄膜PB卜Th的光强大大降低，这可能是PB卜Th分子在模板中的取向度较高或者是PB卜Th与AAO有较复杂的相互作用造成的。与PMP一Th纳米线相同的是PB卜Th在两种模板里的发光波长的尺寸依赖性是一致的。因此对这一体系的研究还需要进一步的深入和扩展。(5)利用同步辐射NEXAFS技术，分析了PMP一Th和PB卜Th的电子结构，通过分析角分辨NEXAFS谱，确定了PMP一Th分子和PB卜Th分子在R片电极上的分子取向:PB卜Th分子链“倾斜”于金属表面，而PMP-Th由于甲氧基苯的位阻和电子效应的双重影响表现为无序。

上转换发光材料(Upco n v e r s i o n p h o s p h o r smaterial,UPM) 是一类在长波长激发下发射短波长光的材料，其特点是所吸收的光子能量低于发射的光子能量。由于使用红外光作为激发光源，此类材料在防伪标记、激光探测和立体显示上的用途已经广为人知。最近几年来, 科学家们又发现上转换发光材料有不易发生光漂白和发光强度高等优点, 用在生物标记中可以大大提高检测灵敏度和线性范围，因此上转换发光材料的荧光发射光谱是表征其性能的一个重要指标，具有非常重要意义。PerkinElmer 公司的LS-55 荧光光谱仪连接激光做光源的荧光分析方法能够准确的测试上转换材料的荧光发射峰，测试结果良好，为上转换材料的发光表征提供了完美的解决方案。该方法操作简单，使用方便，成本低廉，能够满足绝大多数样品的测试，并且易于拆卸，也能满足常规样品的测试，是一个非常实用的解决方案。

在本申请说明中，介绍了通过JASCO分光光度计评估发光颜色和显色性的方法，用于LED、有机EL和PDP显示器的开发。此外，还介绍了一种使用相同系统评估液晶显示器（LCD）颜色的方法。关键词：V-650/660/670，紫外可见/近红外，VWLU-788光色测量/分析程序，ELM-742外光源光纤，光色，材料