快离子导体薄膜

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

薄膜无损检测系统/半导体无损检测系统姓名：田工(Allen)电话：（微信同号）邮箱：薄膜无损检测仪产品特点：系统使用获得专利的光声技术设计无损测量系统。源自 CNRS 和波尔多大学的技术转让，它依靠激光、材料和声波之间的相互作用实验超精密材料物性，薄膜厚度检测系统使用无接触，无损光学测量。运用激光产生100GHz以上超高频段超声波，以此检测获得材料诸如厚度，附着力，界面热阻，热导率等。产品尤其适测量从几纳米到几微米的薄层，无论是不透明的（金属、金属氧化物和陶瓷），还是半透明和透明的。 这种全光学无损检测技术（without contact, no damage, no water, no Xray）不受样品形状的影响。产品适用精度可以达 1nm to 30 microns , Z轴分辨率为亚纳米于此同时，系统提供附着力、热性能（纳米结构界面热阻）测量分析 多种材料适用性广泛的材料至关重要。我们的技术已证明其能够测量许多金属材料以及陶瓷和金属氧化物，并且不受外形因素的影响。 薄膜无损检测仪广泛的应用中发挥作用半导体行业半导体行业为我们周围遇到的大多数电子设备提供了基本组件。它的制造需要在硅晶片上进行多次薄膜沉积，。工业过程中厚度测量和界面表征都是确保质量的关键。尤其是半导体行业中多层/单层不透明薄膜沉积对于以上问题，我们针对提供：-高速控制检测-无损无接触测量-单层/多层测量显示行业今天，不同的技术竞争主导显示器的生产，而显示器在我们的日常使用中无处不在。事实上，由于未来 UHD-8K 标准以及新兴柔性显示器的制造工艺，这不断扩大的行业存在技术限制单个像素仍然是一堆薄层有机墨水、银、ITO… … 在这方面，控制薄层厚度的问题仍然存在。这些问题可能会导致产品出现质量缺陷。对此我们可提供：- 对此类层级样品的独特检查。- 提取厚度的可能性。- 非破坏性和非接触式厚度测量。薄层沉积无论是在航空工业还是医疗器械制造领域，技术涂层都可用于增强高附加值部件中的某些功能。这些涂层的厚度随后成为确保目标性能的关键因素。接触式破坏测量对于此领域会带来特定问题，且受限于待测样品形状因素、曲率等原因，很难控制样品特性。 对此我们可以提供：不改变样品形貌无损检测（Form factor postage）快速厚度测量在线测量控制 部分合作单位

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10^-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10^-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 极限真空 离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

产品名称：等离子薄膜溅射仪 GSL-1100X-SPC-12产品简介：GSL-1100X-SPC-12型等离子薄膜溅射仪是为扫描电镜和电子探针等进行试样制备的设备，可进行真空蒸碳、真空镀膜和离子溅射，它也可以在高纯氩气的保护之下进行多种离子处理。用本设备处理的试样既可用于样品的外貌观察又可以进行成分分析，尤其是成分的定量分析更为适宜。本仪器装有分子泵，分子泵系统特别适用于对真空要求高、真空环境好的用户选用。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：抽速快，操作简便，真空度高，安全可靠技术参数：●试样处理室 （1）钟罩：内径250mm× 高度340mm （2）玻璃处理室： 玻璃罩 A：内径88mm× 高度140mm 玻璃罩 B：内径88mm× 高度57mm （3）试样台：直径40mm（最大） （4）试样旋转：电动 （5）挡板：电动 （6）蒸发加热器：可同时安装两个加热器 ●真空系统 （1）抽气系统：由分子泵、机械泵组成的高真空机组 （2）真空检测：热偶计、冷规 （3）常用真空度：1.3× 10-2 ~6× 10-3Pa （4）操作：手动 ●处理电源 （1）高压电源：DC3千伏10mA连续可变，用表指示。 （2）低压电源：AC10V100A连续可变，电流用表指示。 （3）电源要求：AC220V 50HZ 10A ●气体要求 氩气纯度99.9%（对样品有特殊要求时可使用） ●冷却要求 本系统采用F100/110F―普通轴承风冷涡轮分子泵，其冷却方式为风扇强制风冷和通水冷却两种，当工作环境低于32℃时，可采用风冷冷却，当工作环境温度高于32℃时，则必须采用水冷。重量：约150公斤 体积：L800mm× W560mm× H1340mm可选配件：氧化铝坩埚，石英坩埚，真空泵等具体信息请点击查看：

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备特点：本设备是一个镀膜平台，可把磁控靶拆下换电子枪成为电子束镀膜系统、或换蒸发源作为热蒸发系统、或换上离子枪作为离子束镀膜系统等。设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:φ500x500x500mm限真空度:≤3.0E-5Pa沉积源:永磁靶4套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.7米×2米电控描述:全自动工艺:具备计算机化的工艺自动化功能。片内膜厚均匀性：≤±3%

【ITO薄膜测厚仪 电池薄膜厚度测定仪 接触式薄膜厚度测试仪】ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器 （EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。ITO薄膜是一种很薄的金属薄膜，在透明导电薄膜方面得到普遍的应用，具有广阔的前景。但薄膜的厚度是否均匀直接关系到企业的生产成本控制，所以对ITO薄膜厚度的高精度测量，是企业必须重视的检测项目之一。Labthink兰光研发生产的CHY-C2A测厚仪，采用机械接触式测量方式，严格符合标准要求，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。设备分辨率高达0.1微米，配置的自动进样系统，使用户可自行设置进样步距、测量点数和进样速度，大大提高了薄膜厚度测试效率。 技术特征： 负荷量程：0～2 mm（常规）　　　　　0～6 mm；12 mm （可选）分辨率：0.1 μm测量速度：10 次/min （可调）测量压力：17.5±1 KPa（薄膜）；50±1 KPa（纸张）接触面积：50 mm2（薄膜）；200 mm2（纸张）　　　　　注：薄膜、纸张任选一种；非标可定制电源：220VAC 50Hz / 120VAC 60Hz外形尺寸：461mm(L)×334mm(W)×357mm(H)净重：32kg 以上【ITO薄膜测厚仪 电池薄膜厚度测定仪 接触式薄膜厚度测试仪】信息由济南兰光机电技术有限公司发布，如欲了解更详细信息，欢迎致电0531-85068566垂询！

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

PHI 4700薄膜分析仪产品介绍产品名称：薄膜分析仪产品型号：PHI 4700品 牌：日本ULVAC-PHI产 地：日本前言在开发新材料及薄膜制程上，为了有助于了解材料组成间的相互作用及解决制程上的问题，材料组成或薄膜迭层的深度分析是非常重要的。PHI 4700使用了AES分析技术为基础，搭配高感度半球型能量分析器、10 kV LaB6扫瞄式电子枪、5 kV浮动柱状式Ar离子枪及高精密度自动样品座。针对例行性的俄歇纵深分析、微区域的故障分析，提供了全自动与及高经济效益的解决方法。PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇扫描纳米探针。它提供了高度自动化，成本效益的方案进行例行俄歇深度分析和微米范围的故障分析。 PHI 4700可以轻易的配备上互联网的设备，以供远程操作或监控之用。优点量化薄膜的成分 层的厚度测量检测相互扩散层 微米范围多点分析基本规格全自动多样品纵深分析: PHI 4700薄膜分析仪在微小区域之纵深分析拥有绝佳的经济效益，可在SEM上特定微米等级之微小区域快速进行深度分析。图2显示长年使用的移动电话镀金电极正常与变色两个样品之纵深分析结果，两者材质皆为镀金之锡磷合金。从电极二（变色电极）可看到金属锡扩散到镀金膜上，因为界面的腐蚀而产生氧及锡导致电极变色。高感度半球型能量分析器：PHI 4700半球形能量分析器和高传输输入镜头可提供最高的灵敏度和大幅缩短样品侦测时间。除此之外，具有全自动的量测功能，此装置可在短时间内测量多个样品。点选屏幕上软件所显示的样品座，可以记录欲量测的位置，对产品与制程管理上之数据搜集可进行个别分析。10 kV LaB6扫瞄式电子枪：PHI的06-220电子枪是基于一个以LaB6为电子源灯丝以提供稳定且长寿命电子枪的工具，主要在氩气溅射薄膜时进行深度分析。06-220电子枪还可以：产生二次电子成像，俄歇测绘和多点分析。在加速电压调节从0.2至10千伏。电子束的最小尺寸可保证小于80纳米。浮动柱状式Ar离子枪：PHI的FIG- 5B浮动柱状式Ar离子枪:提供离子由5伏到5千伏。大电流高能量离子束被用于厚膜，低能量离子束（250-500 V）用于超薄膜。浮动柱状式，确保高蚀刻率与低加速电压。物理弯曲柱会停止高能量的中性原子，从而改善了接口定义和减少对邻近地区的溅射。五轴电动样品台和Zalar方位旋转：PHI 15-680精密样品台提供5轴样品传送：X，Y，Z，旋转和倾斜。所有轴都设有摩打及软件控制，以方便就多个样品进行的自动纵深分析。样品台提供Zalar（方位角）旋转的纵深剖析，透过减少构件与溅射在一个固定样本的位置，以优化纵深分析。PHI SmartSoft用户界面：PHI SmartSoft是一个被认同为方便用者使用的操作仪器软件。软件透过任务导向和卷标横跨顶部的显示指导用户从输入样品，定义分析点，并设定分析。多个分析点的定义和最理想样品的定位是由一个强大的&ldquo 自动Z轴定位&rdquo 功能所提供。在广泛使用的软件设置，可让新手能够快速，方便地设立测量及其模板。可选用配备热/冷样品座样品真空传送付仪（Sample Transfer vessel）应用领域半导体薄膜产业微电子封装产业无机光电产业微摩擦学

半导体激光模块 新势力光电供应半导体激光模块，波长：405nm、445nm、635nm/638nm、650nm。该系列半导体激光器具有效率高、可靠性好、结构紧凑、寿命长、免维护的特点，广泛应用于：生物医疗、数据存储、材料检测、科学研究、OEM系统集成。ModelLDM-405LDM-445LDM-635/638LDM-650Wavelength405± 5nm445± 5nm635± 5nm650± 5nmSpatial modeNear TEM00Near TEM00MultimodeMultimodeOutput power10, 20, ..., 200mW100, 200, 500, 1000mW200, 500, 800mW250, 500, 900mWHigher power could be available upon requestOperation modeCW or ModulationBeam diameter (1/e2)4.0mm2x4mm4.0mm5.0mmBeam divergence0.5mrad3x0.5mrad2mrad1.5 or 3mradPower stability3% per 4 hrs3% per 4 hrs3% per 2 hrs3% per 2 hrsWarm up time2minsOperating temp.20-30℃Storage temp.10-50℃Lifetime10000 hours10000 hours5000 hours5000 hours相关商品半导体激光二极管 光纤耦合激光二极管 皮秒半导体激光器 DPSS激光器

1. 产品概述FTPadv是一种经济高效的台式光谱反射解决方案，具有快速厚度测量功能。测量时间不到 100 ms，精度低于 0.3 nm，膜厚范围为 50 nm – 25 μm。包括一系列预定义的配方，便于光谱反射仪操作。2. 主要功能与优势获得薄膜厚度的短方法通过选择并开始适当的配方，SENTECH FTPadv 反射仪可在不到 100 ms 的时间内完成厚度测量，精度小于 0.3 nm，厚度范围为 30 nm – 25 μm。AutoModel 功能和基于 SE 的材料库通过比较测得的反射光谱和光谱库，可以将操作员的误差降低。基于SENTECH的椭圆偏振光谱仪测量的大型材料库，为新材料的光学常数测量提供了方法。应用业知识30 多年来，SENTECH 已成功销售用于各种应用的 FTPadv 膜厚探头。这款台式反射仪可在工业或研究环境中，通过远程或直接控制，在低温或高温下，原位或在线测量小样品到大窗玻璃的厚度。 3. 灵活性和模块化SENTECH FTPadv的一个关键特性是可以测量多层样品中任何层的厚度，这使得FTPadv成为膜厚测量的理想、经济高效的解决方案。用于过程控制的FTPadv包括一个带有柱子和样品架的光纤束、一个带卤素灯的稳定光源以及FTP光学器件和控制器站。通过LAN连接到PC，可以在恶劣的工业应用环境、受到特殊保护的房间或大型机械中远程控制工具。反射仪 FTPadv 带有大量预定义的配方，例如半导体上的电介质、半导体上的半导体、硅上的聚合物、透明基板上的薄膜、金属基板上的薄膜等。自动建模功能允许通过与光谱库进行比较来快速检测样品类型。该反射仪将操作员错误降低。通过光学反射测量薄膜厚度从未如此简单。FTPadv菜单驱动的操作软件允许在出色的操作员指导下对单层和多层结构进行厚度测量。此外，它还具有强大的分析工具和出色的报告功能。额外的映射软件可用于控制电动样品台。将软件升到软件包FTPadv EXPERT，用于反射测量的高分析，通过应用具有未知或不同光学特性的材料，扩展了标准软件包。因此，可以进行厚度测量以及单片薄膜的折射率和消光系数分析。

具备三维翘曲（平整度）、薄膜应力、纳米轮廓、宏观缺陷成像等检测功能，适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产.优势对各种晶圆的表面进行一次性非接触全口径均匀采样测量简单、准确、快速、可重复的测量方式，多功能强大的附加模块：晶圆加热循环模块（高达400度）；表面粗糙度测量模块；粗糙表面晶圆平整度测量模块适用对象2 寸- 8 寸/12 寸抛光晶圆（硅、砷化镓、碳化硅等）、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等；液晶基板玻璃；各类薄膜工艺处理的表面适用领域半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查半导体薄膜工艺的研究与开发半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析检测原理晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响。采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布，通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布，具有非接触、免机械扫描和高采样率特点，12英寸晶圆全口径测量时间低于30s。通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布。三维测量分析软件易用性强，具有丰富分析功能，包括：三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计（BOW，WARP，GFIR，SFLR等），薄膜应力及分布，模拟加热循环，曲率，各种多项式拟合、空间滤波和各类数据导出。

1.产品概述：系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。2.设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用景。3.真空室：真空室结构:球形开门双室真空室尺寸:镀膜室尺寸：Ф450mm ；进样室尺寸：Ф150x300mm限真空度:镀膜室≤6.0E-8Pa；进样室：≤6.0E-5Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个；或φ1英寸靶材，6个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.8米x1.3米x1.9米电控描述:部分电动控制特色参数 :配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器

LD滨松光子能提供常规的半导体激光器、半导体激光器Bar模块、超快半导体探测器、太赫兹波天线等产品 应用领域电视、手机等液晶面板发光校正各种模拟人眼的应用场合光开关复印机、打印机、传真机中的光信号探测激光探测产品列表产品名称峰值波长（nm）功率（W）工作电流（A）备注 L76508500.020.07A连续（CW）L104528080.50.65连续（CW）L876380811.2连续（CW）L882880822.4连续（CW）L1040280855.6连续（CW）L927783011.2连续（CW）L1137391511.2连续（CW）L1137491555.5连续（CW）L1041594011.2连续（CW）L1052694022.3连续（CW）L941898011.2连续（CW）L66908701010脉冲L70558703030脉冲L70608703535脉冲L977780855.6连续（CW）L822783030mW× 120.065连续（CW）阵列L84148300.0030.1超发光L101078700.0030.11超发光L11348系列87020/60/907/20/303 Stack 脉冲激光器L841080830 高功率激光器模块Funryu-cooling（水冷散热片）L8411808100 高功率激光器模块珀尔帖、水冷、水冷散热三种可选择模式L841280820 高功率激光器模块水冷L841380815 高功率激光器模块珀尔帖电冷

厂家正式授权代理商：岱美有限公司联系电话：，（贾先生）联系地址：北京市房山区启航国际3期5号楼801公司网址：ThetaMetrisis是一家私有公司，成立于2008年12月，位于希腊雅典，是NCSR' Demokritos' 的微电子研究所的第一家衍生公司。ThetaMetrisis的核心技术是白光反射光谱（WLRS），它可以在几埃到几毫米的超宽范围内，准确而同时地测量堆叠的薄膜和厚膜的厚度和折射率。 FR-Mic: 微米级薄膜表征-厚度，反射率，折射率及消光系数测量仪一、产品简介： FR-Mic 是一款快速、准确测量薄膜表征应用的模块化解决方案，要求的光斑尺寸小到几个微米，如微图案表面，粗糙表面及许多其他表面。它可以配备一台专用计算机控制的 XY 工作台，使其快速、方便和准确地描绘样品的厚度和光学特性图。o 实时光谱测量o 薄膜厚度，光学特性，非均匀性测量，厚度映射o 使用集成的， USB 连接高品质彩色摄像机（CCD）进行成像 二、应用领域 o 大学 & 科研院所o 半导体（氧化物、氮化物、硅、电阻等）o MEMS 元器件 (光刻胶、硅薄膜等)o LEDo 数据存储元件o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )o 其他更多 … (如有需求，请与我们取得联系) 三、产品特点o 单点分析(无需预设值）o 动态快速测量o 包括光学参数(n和k，颜色)o 为演示保存视频o 600 多种的预存材料o 离线分析o 免费软件更新 四、技术参数 FR-Scanner 自动化超高速精准薄膜厚度测量仪 一、产品简介： FR-Scanner 是一种紧凑的台式工具，适用于自动测绘晶圆片上的涂层厚度。FR-Scanner 可以快速和准确测量薄膜特性:厚度，折射率，均匀性，颜色等。真空吸盘可应用于任何直径或其他形状的样片。 独特的光学模块可容纳所有光学部件:分光计、复合光源(寿命10000小时)、高精度反射探头。因此，在准确性、重现性和长期稳定性方面保证了优异的性能。FR-Scanner 通过高速旋转平台和光学探头直线移动扫描晶圆片(极坐标扫描)。通过这种方法，可以在很短的时间内记录具有高重复性的精确反射率数据，这使得FR-Scanner 成为测绘晶圆涂层或其他基片涂层的理想工具。测量 8” 样片 625 点数据60 秒 二、应用领域o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )o 半导体生产制造：(光刻胶, 电介质,光子多层结构， poly-Si,Si, DLC )o 光伏产业o 液晶显示o 光学薄膜o 聚合物o 微机电系统和微光机电系统o 基底: 透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明 三、产品特点o 单点分析(无需预设值）o 动态快速测量o 包括光学参数(n和k，颜色)o 为演示保存视频o 600 多种的预存材料o 离线分析o 免费软件更新 四、技术参数FR-Scanner: 自动化超高速薄膜厚度测量仪 FR-pOrtable:一款USB驱动的薄膜表征工具 一、产品简介： FR-pOrtable 是 一 款独 特 的 便 携 式 测 量 仪器 ， 可 对 透 明 和 半 透明 的 单 层 或 多 层 堆 叠薄 膜 进 行 精 确 的 无 损（非接触式）表征。使用 FR-pOrtable，用户可以在 380-1020nm 光谱范围内进行反射率和透射率测量及薄膜厚度测量。二、应用领域o 大学 & 科研院所o 半导体（氧化物、氮化物、硅、电阻等）o MEMS 元器件 (光刻胶、硅薄膜等)o LEDo 数据存储元件o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )o 其他更多 … (如有需求，请与我们取得联系) 三、应用领域 FR-pOrtable的紧凑尺寸以及定制设计的反射探头以及宽带长寿命光源确保了高精度和可重复的便携式测量。 FR-Portable既可以安装在提供的载物台上，也可以轻松转换为手持式厚度测量工具。放置在待表征的样品上方即可进行测量。 FR-Portable是用于工业环境（如R2R、带式输送机等）中涂层实时表征的可靠而精确的测厚仪。四、产品特点o 一键分析 (无需初始化操作)o 动态测量o 测量光学参数(n & k, 颜色)，膜厚o 自动保存演示视频o 可测量 600 多种不同材料o 用于离线分析的多个设置o 免费软件更新服务 五、技术参数FR-pRo: 按需可灵活搭建的薄膜特性表征工具一、产品简介： FR-pRo 是一个模块化和可扩展平台的光学测量设备，用于表征厚度范围为1nm-1mm 的涂层.FR-pRo 是为客户量身定制的，并广泛应用于各种不同的应用 。 FR-pRo 可由用户按需选择装配模块，核心部件包括光源，光谱仪（适用于 200nm-2500nm 内的任何光谱系统）和控制单元，电子通讯模块此外，还有各种各种配件，比如:? 用于测量吸收率/透射率和化学浓度的薄膜/试管架,? 用于表征涂层特性的薄膜厚度工具,? 用于控制温度或液体环境下测量的加热装置或液体试剂盒,? 漫反射和全反射积分球通过不同模块组合，最终的配置可以满足任何终端用户的需求 二、应用领域o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )O 半导体生产制造：(光刻胶, 电介质,光子多层结构， poly-Si,Si, DLC )o 光伏产业o 液晶显示o 光学薄膜o 聚合物o 微机电系统和微光机电系统o 基底: 透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明 三、产品特点o 单点分析(无需预设值）o 动态快速测量o 包括光学参数(n和k，颜色)o 为演示保存视频o 600 多种的预存材料o 离线分析o 免费软件更新 四、技术参数

薄膜体积和表面电阻率测试仪使用操作简便，在任何电阻量程和测试电压下均直接读显示数字结果，免去要乘以一个系数的麻烦，使测量超高电阻就如用万用表测量普通电阻样简便。薄膜体积和表面电阻率测试仪 仪器测量常见问题1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数？ 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器，如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作，将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199，既只为三位数且di一位数为1 时，其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时，不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时，即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大？ 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流，而仪器有一定内阻，若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高，所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时，读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。3为什么测量时仪器的读数总是不稳？ 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流，有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律，所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题，而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好，对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源？ 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容，这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值，如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大，测试电压越高时，电容器所储藏的电能越大，更容易损坏仪器，特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏，仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。5 为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压？ 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压，无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流，这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的（分布）电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低，当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压，在确保被测量物体不会因电压过高击穿时，要先将量程开关拨到104档后关闭电源，再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。6为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源？ 这是因为机内的电容器充有很高的电压（zui高电压达1200V以上），这些电容器的所带的电能保持较长的时间，如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源，则会将机内的高压电容器很快放电，不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档，虽然断了电源，但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压，将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击，要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。 薄膜体积和表面电阻率测试仪 概述既可测量高电阻,又可测微电流。机内测试电压10V/50V/100V/250V/500V/1000V任意可调。本仪器具有精度高,显示迅速,性好稳定,读数方便. 适用于橡胶,塑料,薄膜,地毯,织物及粉体,液体,及固体和膏体形状的各种绝缘材料体积和表面电阻值的测定。 工作原理根据欧姆定律,被测电阻Rx等于施加电压V除以通过的电流I。传统的高阻计的工作原理是测量电压V固定,通过测量流过取样电阻的电流I来得到电阻值。从欧姆定律可以看出,由于电流I是与电阻成反比,而不是成正比,所以电阻的显示值是非线性的,即电阻无穷大时,电流为零,即表头的零位处是∞,其附近的刻度非常密,分辨率很低。整个刻度是非线性的。又由于测量不同的电阻时,其电压V也会有些变化,所以普通的高阻计是精度差,分辨率低。本仪器是同时测出电阻两端的电压V和流过电阻的电流I,通过内部的大规模集成电路完成电压除以电流的计算,然后把所得到的结果经过A/D转换后以数字显示出电阻值,即便是电阻两端的电压V和流过电阻的电流I是同时变化,其显示的电阻值不象普通高阻计那样因被测电压V的变化或电流Ｉ的变而变,所以,即使测量电压,被测量电阻,电源电压等发生变化对其结果影响不大,其测量精度很高,从理论上讲其误差可以做到零,而实际误差可以做到千分之几或万分之几。 电源要求有很稳定的直流电压源。这可用蓄电油或一个整流稳压的电摞来提供。对电源的稳定度要求 是由电压变化导致的电流变化与被测电流相比可忽略不计。加到整个试样上的试验电压通常规定为100V、250V、500V、1000 V、2500 V、5000 V, 10000 V 和15000 V。 常用的电压是100V、500V和1000 V。在某些情况下，试样的电阻与施加电压的极性有关如果电阻是与极性有关的，则宜加以注明。取两次电阻值的几何平均值（对数算术平均值的反对 数）作为结果。由于试样电阻可能与电压有依存关系，因此应在报告中注明试验电压值。 技术指标1,电阻测量范围： 0.01×104Ω ～1×1018Ω。2,电流测量范围为： 2×10-4A～1×10-16A3,显 示 方 式：数字液晶显示4,内置测试电压： 10V ,50V,100V,250,500,1000V5,基本准确度：1% (*注)6,使用环境： 温度：0℃～40℃,相对湿度80%7,机内测试电压： 10V/50V/100/250/500/1000V 任意切换8,供电形式： AC 220V,50HZ,功耗约5W9,仪器尺寸： 285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm10,质量： 约5KG 测试电压（V）DC—10VDC—50VDC—100VDC—500VDC—1000V 温度影响温度对不同物质的电阻值均有不同的影晌。导电体 在接近室温的温度，良导体的电阻值，通常与温度成线性关系：ρ=ρ0(1+αt)上式中的 a 称为电阻的温度系数。未经掺杂的半导体的电阻随温度升高而下降：有掺杂的半导体变化较为复杂。当温度从零度上升，半导体的电阻先是减少，到了绝大部分的带电粒子 （电子或电洞/空穴） 离开了它们的载体后，电阻会因带电粒子的活动力下降而随温度稍为上升。当温度升得更高，半导体会产生新的载体 （和未经掺杂的半导体一样） ，原有的载体 （因渗杂而产生者） 重要性下降，于是电阻会再度下降。绝缘体和电解质 绝缘体和电解质的电阻与温度的关系一般不成比例，而且不同物质有不同的变化，故不在此列出概括性的算式。 仪典型应用 1．测量防静电鞋、导电鞋的电阻值 2、测量防静电材料的电阻及电阻率 3、测量计算机房用活动地板的系统电阻值 4、测量绝缘材料电阻(率) 5、光电二极管暗电流测量 6、物理,光学和材料研究 使用注意事项 ★高阻测量一定要严格按使用方法步聚进行，否则有可能造成仪器 损坏或电人。 1 应在“Rx”两端开路时调零（主机开机）如接在电阻箱或被测量物体上时调零后测量会产生很大的误差。一般一次调零后在测试过程中不需再调零，但改变测量电压后可能要重新调零。 2 禁止将“Rx”两端短路，以免微电流放大器受大电流冲击3 在测试过程中不要随意改动测量电压， ★随意改动测量电压可能因电压的过高或电流过大损坏被测试器件或测试仪器，而且有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。 4 测量时从低次档逐渐拔往高次档 ★每拨一次稍停留1～2秒以便观察显示数字，当有显示值时应停下，记录当前的数字即是被测电阻值。若显示“1”时，表示欠量程应往高次档拔。直到有显示数字时为止。当有显示数字时不能再往高次档拨，否则有可能损坏仪器(机内有过电流保护电路)。除104 Ω档之外，当显示低于1.99，表示过量程应换低档! 5 大部分绝缘材料，特别是防静电材料的电阻值在加电压后会有一定变化而引起数字变化 ★由于本仪器的分辩率很高，因而会引起显示值的末尾几位数也变化，这不是仪器本身的问题，而是被测量对象的导电机理复杂而使得阻值有些变化。在这种情况下往往取2位有效数就够了。 6 接通电源后，手指不能触及高压线的金属部分 ★本仪表有二连根线:高压线(红)和微电流测试线。在使用时要注意高压线，开机后人不能触及高压线，以免电人或麻手。 7 测试过程中不能触摸微电流测试端 ★微电流测试端 怕受到大电流或人体感应电压及静电的冲击。所以在开机后和测试过程中不能与微电流测试端接触，以免损坏仪表。 8 在测量高阻时，应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽. ★在测量大于1010 Ω以上时，为防止外界干扰面而引起读数不稳。 9 每次测量完时应将量程开关拨回“104 ”档再进行下次测试在测量时应逐渐将量程开关拨到高阻档，测量完时应将电流电阻量程、电压量程开关拨回低档。以 确保下次开机时量程开关处在低阻量程档。 产品保修承诺：1、免费送货到用户指定的地点，免费指导安装、培训及调试。2、保修期内人为损坏的零部件按采购（加工）价格收费更换。3、保修期外继续为用户提供优质技术服务，在接到用户维修邀请后3天内派工程师到达用户现场进行维修。并享有优惠购买零配件的待遇。4、传感器过载及整机电路超压损坏不在保修范围内。5、产品质保期：自安装正常使用日起一年；6、软件升级：终生免费提供新版本控制软件。

薄膜体积电阻率测试仪电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件（常温下20°C）的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度、压力、磁场等外界因素有关。电阻率在国际单位制中的单位是Ωm，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆厘米”。薄膜体积电阻率测试仪准备工作：1、取被测液体（如：增塑剂）试样50ml。2、试样应在温度23±2℃，相对湿度65±5%的条件下处理2小时以上。 电阻定律导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(law of resistance)，公式为R=ρL/S 。其中ρ：制成电阻的材料的电阻率，L：绕制成电阻的导线长度，S：绕制成电阻的导线横截面积，R：电阻值。公式：R=ρL/S，R=U/Iρ——制成电阻的材料电阻率，国际单位制为欧姆 米（Ω m) ；L——绕制成电阻的导线长度，国际单位制为米（m)；S——绕制成电阻的导线横截面积，国际单位制为平方米（m2） ；R——电阻值，国际单位制为欧姆，简称欧（Ω）；U——电压值，国际单位制为伏特，简称伏（v）；I——电流值，国际单位制为安培，简称安（A）。其中：ρ叫电阻率：某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。是描述材料性质的物理量。国际单位制中，电阻率的单位是欧姆米，常用单位是欧姆平方毫米/米。与导体长度L，横截面积S无关，只与物体的材料和温度有关，有些材料的电阻率随着温度的升高而增大，有些反之。 典型应用 1．测量防静电鞋、导电鞋的电阻值 2、测量防静电材料的电阻及电阻率 3、光电二极管暗电流测量4、测量绝缘材料电阻(率) 5、测量计算机房用活动地板的系统电阻值 6、物理,光学和材料研究 影响电阻率的外界因素电阻率不仅与材料种类有关，而且还与温度、压力和磁场等外界因素有关。金属材料在温度不高时，ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率 α是电阻率的温度系数，与材料有关。锰铜的α约为1×10-1/℃(其数值极小)，用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小，适合于作标准电阻。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。制成的电阻式温度计具有较高的灵敏度。有些金属(如Nb和Pb)或它们的化合物，当温度降到几K或十几K(对温度)时，ρ突然减少到接近零，出现超导现象，超导材料有广泛的应用前景。利用材料的ρ随磁场或所受应力而改变的性质，可制成磁敏电阻或电阻应变片，分别被用来测量磁场或物体所受到的机械应力，在工程上获得广泛应用。1、电阻测量范围： 0.01×104Ω ～1×1018Ω。2、电流测量范围： 2×10-4A～1×10-16A3、全自动测量、体积小、重量轻、准确度高，电阻、电流双显示，性能好稳定、读数方便4、显 示 方 式：液晶、电阻、电流双显示5、基本准确度：≤1%；6、内置测试电压： 10V 、50V、100V、250V、500V、1000V（任意切换）；7、供电形式：AC 220V，50HZ，功耗约5W8、使用环境：温度：0℃～40℃，相对湿度80%9、所有测试电压(10V/50V/100/250/500/1000V) 测试时电阻结果直读10、配置：主机：一台屏蔽箱+电极：一套测试线：五条说明书+合格证+保修卡：各一份

高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成 在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） 未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

高功率半导体激光模块DioLas DD50-2 with diode module DioMod–808-50-600-Pi and heat sink HS 120 DiLas系统包括： ? 激光驱动和TEC控制器。用于高功率半导体激光模块，优化设计，在工业应用和研发实验室中表现出最优的性能。输出电流高至50A，输出电压高至3-6V，上升时间100μs，可用于脉冲和连续工作。 ? 风冷高功率LD热沉。设计热负载高至120，80，60，40W(依赖于所用半导体激光模块所需的热负载)。热沉包括金属挡块，温度传感器，帕尔帖致冷元件（TEC）和散热用风扇。 ? 半导体激光模块。大多数尾纤式的模块中都含有一个校准用的红光半导体激光器。两种不同系统：30W连续 / 脉冲系统可用于400μm、600μm光纤耦合@ 808 nm @ 940 nm @ 980 nm50W连续 / 脉冲系统可用于400μm、600μm光纤耦合@ 808 nm @ 940 nm @ 980 nm特点和应用范围高功率半导体激光器系统会根据客户的特殊应用来组装和配置。客户也可以只选择驱动和热沉，配自己的半导体激光模块，来组装自己的系统。高功率半导体激光系统器件DioMod系列高功率半导体激光模块 ? 可用于光纤耦合输出，SMA905连接头? 带或不带TEC（或者密封内置集成的TEC）? 带或不带pilot LD 30W模块参数50W模块参数半导体激光阵列DioMod/A/-xxx-40 (xxx = Wavelength)高功率半导体激光模块驱动Diodrive（集成TEC控制器）可靠的性能 LD保护是驱动的一个主要功能。采取AC线滤波器，瞬态抑制，微控制器对所有相关参数的监控等措施，以实现最佳和最安全的解决方案。出了任何差错，比如超出用户设置的限制，电流都将关断。本装置带有软启动/关断功能，以避免振荡的影响。简便的操作 所有关于电流、电流限制、帕尔帖致冷、辐射时间等参数的设置，都可以在前面板上完成，也可以通过RS232接口来设置。在脉冲模式下，脉宽和脉冲周期都可以设置。设置值和实际值都将在前面板显示出来。完整的选件 本系列产品包括完整的微电脑控制装置，带帕尔帖致冷模块，含RS232接口便于连PC操作。另外，DD单元也可根据用户要求设置成3或6V。智能的软件 通过内置软件，用户可以设置所有相关参数。模拟的调制（只针对50A版本） 外部模拟调制信号输入功能，有助于用户在多个应用场合精确控制激光输出。正弦波信号，三角波信号，以及其他形状的脉冲信号都可能实现。注：（1）根据用户要求 （2）脉宽和上升/下降时间会因电源和半导体激光模块间的连接线变长而延长 50A版本的额外特性：

光反射薄膜测厚仪原产国：美国薄膜表面或界面的反射光会与从基底的反射光相干涉，干涉的发生与膜厚及折光系数等有关，因此可通过计算得到薄膜的厚度。光干涉法是一种无损、精确且快速的光学薄膜厚度测量技术，我们的薄膜测量系统采用光干涉原理测量薄膜厚度。该产品是一款价格适中、功能强大的膜厚测量仪器，近几年，每年的全球销售量都超过200台。根据型号不同，测量范围可以从10nm到250um，它最高可以同时测量4个膜层中的3个膜层厚度（其中一层为基底材料）。该产品可应用于在线膜厚测量、测氧化物、SiNx、感光保护膜和半导体膜。也可以用来测量镀在钢、铝、铜、陶瓷和塑料等上的粗糙膜层。 应用领域理论上讲，我们的光干涉膜厚仪可以测量所有透光或半透光薄膜的厚度。以下为我们最熟悉的应用领域(半导体薄膜，光学薄膜涂层，在线原位测量，粗糙或弧度表面测量)：□ 晶片或玻璃表面的介电绝缘层(SiO2, Si3N4, Photo-resist, ITO, ...)；□ 晶片或玻璃表面超薄金属层(Ag, Al, Au, Ti, ...)；□ DLC(Diamond Like Carbon)硬涂层；SOI硅片；□ MEMs厚层薄膜(100μm up to 250μm)；□ DVD/CD涂层；□ 光学镜头涂层；□ SOI硅片；□ 金属箔；□ 晶片与Mask间气层；□ 减薄的晶片( 120μm)；□ 瓶子或注射器等带弧度的涂层；□ 薄膜工业的在线过程控制；等等… 软件功能丰富的材料库：操作软件的材料库带有大量材料的n和k数据，基本上的常用材料都包括在这个材料库中。用户也可以在材料库中输入没有的材料。软件操作简单、测速快：膜厚测量仪操作非常简单，测量速度快：100ms-1s。软件针对不同等级用户设有一般用户权限和管理者权限。软件带有构建材料结构的拓展功能，可对单/多层薄膜数据进行拟合分析，可对薄膜材料进行预先模拟设计。软件带有可升级的扫描功能，进行薄膜二维的测试，并将结果以2D或3D的形式显示。软件其他的升级功能还包括在线分析软件、远程控制模块等。

产品简介：GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪专门为在基底上镀金属膜（如金、铂、铟、银等）而设计，最大放置样品尺寸直径为40mm，膜厚可达300?，特别适用于为SEM样品镀金而作为导电极。 GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪操作视频 产品型号 GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上）清洗，需自备氩气气瓶4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，承重50kg以上5、通风装置：需要主要特点 1、可以调节电流大小，可设置溅射时间。 2、已经过CE认证。技术参数 1、输入电源：208V-240V 50Hz/60Hz 2、样品台：?60mm，高度可调节 3、石英腔体：?100mm×130mm 4、进气口：内部装有阀门，可以向腔体内通入各种气体 5、靶材：纯度为4N的金靶，?57mm×0.12mm 产品规格　尺寸：480mm×320mm×150mm；重量：20kg可选配件 1、Au（?57mm×0.12mm，4N） 2、Pt（?57mm×0.12mm，4N） 3、Ag（?57mm×0.5mm，4N）

有多少种不同的等离子工艺：真空等离子技术： 　　等离子体在封闭的真空中活生生，与常压条件下相比，每个单位体积中的微粒数较少，这样就增加了粒子自由程长度，并相对减少了碰撞过程，因此，等离子体能量削弱的倾向减弱，可以空间内更广泛的传播，要制造真空腔体，需要使用功能强大的气泵。高压等离子技术：　　高压等离子体由特殊的气体放电管产生，这种等高子体对于表面处理来说并不重要。 电晕处理技术：　　电晕处理是一种使用高电压的物理工艺，主要用于薄膜处理，电晕预处理的缺点是，表面活动能力相对较低，而且处理之后的表面效果有时不够均匀，薄膜的反面也会被处理，有时这是工艺要求需要避免的，而且，经由电晕处理得到的表面张力无法维持长时间的稳定性，经过处理的产品往往只能存放在限的时间。常压等离子处理技术：　　常压等离子是在大气压条件下产生的，也就是说，不需要使用真空腔体，采用直喷或旋转喷枪，首次实现在大气压条件下将非常有效，更重要的是安全无电势的等离子直接集成到制造工艺之中，常压等离子处理技术的成本低，性能好，因而作为真空等离子和电晕工艺的工艺替代和工艺提升，获得了广泛的应用。常压等离子技术的一大优势，在于其在线集成能力，作为一项工艺准则，这种技术能够顺利集成到现有的生产系统中。

联系我们：X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述： X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下： 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度： 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm)，但要100片起订。 本产品为一次性产品，不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标： 透光度： 对于X射线用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，对于软X射线(例如碳边吸收谱)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性： 真空适用性数据如下：　 薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度： 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm)，对于X射线应用没有任何影响。 温度特性： 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性： 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点： 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压 厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。联系我们：

是一种用于产生等离子体的装置，通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺，以及半导体刻蚀和薄膜设备的预处理反应和清洗等。与传统等离子体源不同的是，RPS通常不直接接触要处理的表面，而是在一定距离之外产生等离子体，并将等离子体输送到目标表面，因此被称为“远程等离子体源”。应用特征采用新的固态微波源技术【非磁控管微波源】。具有很高的频率、功率稳定性，使用寿命长。自主开发的微波匹配器，能实现在不同气体条件下，快速进行微波源与等离子体的阻抗匹配。等离子体发生器材质可选，适用于多种气体。体积小、集成度高、便于更换。低颗粒污染 独特的等离子反应腔设计，适用于多种气体的电离与阻抗匹配。系统运行时，气体压力适应范围宽。气体电离率高、电离速度快。

EddyCus TF map 2525 薄膜电阻和薄膜厚度测试仪 方阻测试仪 薄膜电阻测试仪TF lab系列产品是一款适合实验室研发或成品检测使用的薄膜面电阻（方块电阻）及薄膜厚度测量的仪器。特点非接触成像高解析度成像（25 至1,000,000 点）缺陷成像封装层的地图参数薄膜电阻（欧姆/平方）金属层厚度（nm、μm）金属基板厚度（nm、μm）各向异性缺陷完整性评定应用建筑玻璃（LowE）触摸屏和平板显示器OLED和LED应用智能玻璃的应用透明防静电铝箔光伏半导体除冰和加热应用电池和燃料电池包装材料材料金属薄膜和栅格导电氧化物纳米线膜石墨烯、CNT（碳纳米管）、石墨打印薄膜导电聚合物（PEDOT:PSS）其他导电薄膜及材料规格参数测量技术：非接触式涡流传感器基板：例如：薄膜、玻璃、晶圆，等等最大扫描面积：10 inch / 254 x 254 mm（根据要求可以更大）边缘效应修正/排除：对于标准尺寸，排除2 mm的边缘最大样品厚度/传感器间隙：2 / 5 / 10 / 25 mm（由最厚的样本确定）薄膜电阻的范围：低 0.0001 - 10 Ohm / sq 2 至 8 % 精度标准 1 - 1,000 Ohm / sq 2 至 8 % 精度高 10 - 10,000 Ohm / sq 4 至 8 % 精度金属膜的厚度测量（例如：铝、铜）：2 nm - 2 mm (与薄膜电阻一致)扫描间距：1 / 2 / 5 / 10 mm （根据要求的其它尺寸）每单位时间内测量点（二次形）：5分钟内10,000个测量点30分钟内1,000,000 个测量点扫描时间：4 inch / 100 x 100 mm，在0.5至5分钟内（1-10mm 间距）8 inch / 200 x 200 mm，在1.5至15分钟内（1-10mm 间距）装置尺寸（宽/厚/深）：549 x 236 x 786(836) mm / 23.6 x 9.05 x 31.5 inch重量： 27 kg可用特色：薄膜电阻成像各向异性电阻传感器

产品详情DENTON 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台： DENTON 真空使创新成为可能，并已超过50年。全球成千上万的薄膜沉积工具安装,包括一个大型的、在全球范围内安装的精密光学沉积系统——工程师和研究人员依靠DENTON 的薄膜创新驱动更高的吞吐量,更好的收益和低拥有成本(首席运营官),受益于综合服务和支持,和一个专门的研发项目,提供可行的技术。探索者提供了薄膜工业中最广泛的配置和沉积模式:电子束蒸发、电阻蒸发、溅射、离子镀和离子辅助沉积。DENTON 薄膜沉积平台• R & D• 批量生产• 在线生产• 蒸发• 溅射• PE-CVD DENTON 的区别你们的过程就是我们的过程。我们与您合作设计一个系统，以解决您的确切薄膜涂装工艺的需要。当我们给你运送工具时，它已经准备好生产了。• 我们的系统规模可以满足您的生产需求• 我们永远相信客户• 全球支持网络 在DENTON，我们关心你的成功• 工厂验收测试• 个性化培训• 远程、实时支持• CE / UL / CSA兼容系统 能溅射电、磁、复合材料。柔性阴极，调整到冲击角也可用。 强大的控制系统可在半手动模式或全自动模式与一个推动自动化，以减少系统停机时间。 Processpro升级提供:1.所有登顿真空产品的一致性控制。2.标准软件使其易于支持和避免昂贵的定制费用。3.源代码为您的程序，以便您可以自定义您的程序。4.网络功能使资源管理器网络上支持实时、远程支持和升级的节点。 灵活的室大小可容纳多达10英寸的衬底。 多个泵配置多种扩散、低温和涡轮泵配置可用于满足您的预算和工艺。后方或底部安装的泵提供方便的访问服务，根据您的工作场所的需要。典型的应用PE-CVD• 材料研究• 小批处理系统• 3 d对象• 覆盖各种材料 溅射• 材料研究• 产品质量控制和质量保证• 半导体失效分析• CD掌握• 纳米技术• 化合物半导体• oled 蒸发• 材料研究• 离子辅助沉积(IAD)• 医疗设备• 电信• CD掌握• 发射• 保护涂层选项：