晶体取向特征

XRD 系列晶圆和铸锭快速准确的晶向定位从全自动的在线分析到晶圆材料的快速质量检查,我们的晶向定位解决方案在设计时考虑到了晶棒、铸锭、切片和晶圆的全部应用场景。此系列产品利用XRD分析技术在晶圆生产的全部流程中，提供简单、快速、高精度的晶体定向测量，大大提高产品良率。Omega/Theta（XRD） 用于超快晶体定向的全自动垂直三轴XRD 10秒内完成定向 定向精度：0.003°定向转移技术：多铸锭取向测定，实现高效切割晶锭端面及定位边定向和转移夹具可选光学测量工具可选，可测样品直径、平边/V 槽位置、形状、长度、深度适应不同样品的精密样品转盘、mapping台和工装夹具摇摆曲线测量DDCOM（XRD）紧凑型超快晶体自动定向仪10秒内完成定向定向精度：0.01°两个闪烁探测器专为方位角设置和晶向标记而设计可测直径为 8 mm 至**225 mm的晶圆和晶锭无需水冷SDCOM（XRD）用户友好的紧凑型多功能XRD超快测量，10秒内返回结果定向精度：0.01°定向转移技术：多铸锭取向测定，实现高效切割光学测量工具可选，可测样品直径、平边/V 槽位置、形状、长度、深度样品直径1-200mm无需水冷 XRD-OEM在线晶体定向测定标准工业接口，可集成到任何自动化或加工系统中线切/研磨前对大型晶锭进行全自动在线定向可内置于磨床和切割机等恶劣环境中使用平边/V槽的光学测量功能，如位置、形状、长度、深度等Wafer XRD 200 / 300Wafer XRD 200无缝融入生产线的全自动高速XRD用于3-8英寸晶圆片定向精度：0.003°产能：100万片/年几秒钟内提供各种基本参数的关键数据，如晶体取向和电阻率、几何特征（如 V 槽和平槽）、距离测量等全自动处理和拣选晶圆片Wafer XRD 300用于300mm晶圆生产的高速XRD超快速提供12英寸晶圆的晶体取向和几何特征等定向精度：0.003°几秒钟内提供各种基本参数的关键数据，如晶体取向和电阻率、几何特征（如 V 槽和平槽）、距离测量等附加功能 晶圆面扫 铸锭堆垛 自动化晶圆拣选 小样品夹具

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

晶圆XRD的特点：◇ 完全自动化的晶圆处理和分类系统（例如：盒到盒）。◇ 晶体取向和电阻率测量 ◇ 晶片的几何特征（缺口位置、缺口深度、缺口开口角度、直径、平面位置和平面长度）的光学测定 ◇ 未抛光的晶圆和镜面的距离测量 ◇ MES和/或SECS/GEM接口 全自动化的晶圆分拣独特的Omega-scan方法： ◇ 高的精度 ◇ 测量速度： 5秒/样品 ◇ 易于集成到工艺线中 ◇ 典型的标准偏差倾斜度（例如：Si 100）： 0.003 °，小于 0.001 °。 更多信息请联系我们。

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

Freiberg Instruments的单晶XRD定向仪 主要里程碑： ◆ 1961 - EFG GmbH公司由X-ray Ing.集团亚瑟布拉达切克和他的儿子汉斯布拉达切克创立。 ◆ 1969 - 研制了世界上首台基于集成电路的x射线检测计数装置，名为 COUNTIX 130。◆ 1989 - 开发 Omega-Scan 方法BOSCH 要求提供圆形石英毛坯的定向测量系统 - 振荡器产量从 50% 提高到 95%◆ 2005 - 将 Omega 转移到其他材料，如SiC、蓝宝石、GaN、GaAS、Si、Ni基高温合金 ◆ 2010 - 推出用于晶体取向测量的台式 X 射线衍射仪 ( DDCOM ) 全球售出 约 150台石英分选系统◆ 2015 - X 射线技术和 EFG GmbH 合并到 Freiberg Instruments GmbH 传承60年德国工匠精神-三代X射线工程师 产品优势： ◆ 采用Omega-scan扫描方法（专利技术） ◆ 测试速度快: 5s ◆ 测角精度高: 0.003 ◆ 兼具XRD定向功能以及Flat/Norch功能 ◆ 磨抛定向解决方案 ◆ 拥有晶锭粘接转移的专利技术（堆垛 stacking）专为SiC工业设计，被多家SiC衬底头部企业青睐，如：II-VI Advanced Materials, SiCrystal等，国外四分之三的碳化硅制造商依赖Freiberg Instruments公司的晶体取向测量技术，极大提高了生产效率，提升产品质量。 ◆ Mapping 面扫功能，摇摆曲线测定 ◆ 易于集成到工艺线中 ◆ MES和/或SECS/GEM接口 ◆ 倾斜的典型标准偏差（例如：Si 100）： 0.003 °，小于 0.001 ° Omega/Theta X射线衍射仪是一个全自动的垂直三轴衍射仪，用于使用Omega-Scan和Theta-Scan方法对各种晶体进行取向测定和摇摆曲线测量。大而宽敞的设计可以容纳长度达450毫米、重量达30公斤的样品和样品架。 所有的测量都是自动化的，可以从用户友好的软件界面上的访问。使用Omega扫描，可以在晶体旋转时（5秒）确定完整的晶格方向。Theta扫描更加灵活，但每次扫描只能得到一个取向成分。 倾斜角可以以非常高的精度确定；使用Theta扫描可以达到0.001°。对于所有其他晶体方向，精度取决于与表面垂直的角差。 该系统是模块化的，已经配备了许多不同的扩展，用于特殊的目的，如形状或平面的确定、绘图和不同的样品架。样品的倾斜是通过光学测量检测出来的，并可用于校正所产生的方向。 单晶衍射仪定向仪： ◆ 全自动完整的单晶体晶格取向测量 ◆ 使用欧米茄扫描法进行超快速的晶体取向测量 ◆ 自动摇动曲线测量功能 ◆ 衍射仪的角度分辨率：0.1角秒。 ◆ 样品尺寸可达450毫米 ◆ 适用于生产质量控制和研究 用户友好，成本效益高： ◆ 方便的样品处理，易于操作 ◆ 先进的、用户友好的软件 ◆ 能源消耗和运行成本低 ◆ 模块化设计，灵活性强 ◆ 各种升级选项 ◆ 根据用户的要求进行定制 选配功能： ◆ 自动Mapping面扫功能 ◆ Omega/Theta – 晶锭粘接转移的专利技术（堆垛 stacking） ◆ Omega/Theta - 摇摆曲线测量 ◆ Omega/Theta - 定制的样品台 ◆ 用于样品形状测量的激光扫描仪 ◆ 光学检测，用于平面和凹槽检测 ◆ 额外的样品旋转轴用于3D绘图 ◆ 二级通道切割准直器（分析器） ◆ 用于样品调整的设备

超高速Omega扫描方法比Theta扫描方法快200倍自动评估三维完整的晶格方向在5秒内测定整个晶体的方位紧凑，用户友好和成本效益易于移动和轻量级的桌面设计样品处理方便，操作方便空气冷却x射线管能耗低，运行成本低(无需水冷)有效的质量控制流程用于标准研究和工业工作流程晶体方位设定及标示预编程立方晶体参数先进方便的软件精度高，例如高至(1/100)°控制切割、研磨和抛光单晶的完全晶格取向适用于各种尺寸和重量范围大的独特材料，如：2-12英寸的晶圆片和20公斤以下的晶锭特点确定单晶的完全晶格取向使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量立方晶体任意未知取向的测定特别设计用于点阵方向的方位设置和标记气冷式x射线管，无需水冷适合于研究和生产质量控制可测量材料的例子立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3可根据客户的要求进一步选料 在5秒内一次旋转中被捕获DDCOM的应用平面方向的标记和测量Omega扫描能够在一次测量中确定完整的晶体方位。因此，平面方向可以直接识别。这是一个有用的功能，以标记在平面方向或检查方向的单位或缺口。在晶圆片的注入和光刻过程中，平面或凹槽作为定位标记。经过加工后，晶圆片携带数百个芯片，需要通过切割将其分离。晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平台或缺口的位置是必要的。为了确定平面或缺口的位置，必须测量平面内的部件。该仪器通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。这简化了将标记应用到特定平面方向的任务，例如必须定义平面方向时。对于高吞吐量应用程序，可提供自动测量解决方案。

劳厄晶体衍射仪产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

SDCOM的特点能够测量小至1mm的晶体到或更大的样品各种样品架及输送夹具，用于线锯、抛光等侧晶方向标记选项无水冷却最高精度：0.01°(视晶体质量而定)确定单晶的完全晶格取向使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量气冷式X射线管，无需水冷适合于研究和生产质量控制手动操作(没有自动化选项) 晶体的方向是由反射位置决定 适合多种材料可测量材料的例子立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3可根据客户的要求进一步选料SDCOM的应用平面方向的标记和测量Omega扫描能够在一次测量中确定完整的晶体方位。因此，平面方向可以直接识别。这是一个有用的功能，以标记在平面方向或检查方向的单位或缺口。在晶圆片的注入和光刻过程中，平面或凹槽作为定位标记。经过加工后，晶圆片携带数百个芯片，需要通过切割将其分离。晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平台或缺口的位置是必要的。为了确定平面或缺口的位置，必须测量平面内的部件。该仪器通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。这简化了将标记应用到特定平面方向的任务，例如必须定义平面方向时。对于高吞吐量应用程序，可提供自动测量解决方案。

核心参数：DigiSTAR P2010 数字化旋进电子衍射控制器&bull 适合于任意 200-300kV 透射电镜 &bull 电子束的旋进和扫描不依赖于电镜STEM附件,有无STEM附件均可 安装时可选择工作于 TEM 或 STEM 模式；&bull 电子束旋进角范围：0 ~ 2.5° &bull 电子束旋进频率 : 场发射 TEM 典型值为 100/200Hz；安装Merlin 直接电子探测器后可提高到≥ 300Hz（取决于 TEM）；&bull 最小束斑 ≤ 2nm (FEG-TEM)；平行光模式和纳米束模式；&bull 电子束的旋进和去扫描控制可以单独控制和微调 &bull 电子束旋进过程中可以通过控制器独立实现电子束的微调和对中 &bull 旋进电子衍射控制器关闭后对电镜的所有参数均不产生影响。TopSPIN 旋进电子衍射扫描和数据采集软件平台&bull 使用所支持的光学相机和 / 或直接电子探测器实现虚拟 STEM/ 明场像 / 暗场像；&bull 多种扫描方式，如点、线、面；&bull 基本图像处理功能，如亮度直方图、Gama 调整、自动数据转移和图像输出等；&bull 集成旋进电子衍射工作模式；&bull 电子束旋进控制和自动合轴对中；&bull 相机常数辅助校准，畸变辅助矫正；&bull 电子束漂移矫正；&bull 为 ASTAR 优化的数据采集工作流程。ASTAR 纳米晶体取向和晶相分布分析软件&bull 电子束最小扫描步长：≤ 1 nm (FEG TEM)；&bull 空间分辨率 : ≤ 2 nm (FEG TEM) &bull 晶体取向分辨率 ≤ 1° &bull 使用 Merlin 1R 直接电子探测器 , 衍射花样采集速度可达 150 ~≥ 400 幅 / 秒（取决于 TEM） &bull 电子衍射花样模版生成系统包含所有晶系 &bull 电子衍射花样的识别和指标化全自动完成 &bull 自动完成晶体取向图、晶相分布图；&bull 虚拟明场像、虚拟暗场像 ( 可选一个或多个衍射斑点 )；&bull 孪晶、晶界、晶粒度、非晶化区域分析功能。STRAIN 纳米晶体应变分析软件&bull 空间分辨率≤ 3nm；&bull 应变分析精度≤ ±0.02% &bull 在旋进电子衍射条件下快速实现点、线、面分析。ADT-3D 电子衍射花样三维重构分析软件&bull 对序列旋进电子衍射花样 ( 样品倾斜范围 +/-40°或更大，倾斜步长 1° ) 进行三维倒易空间重构，确定晶体的单胞参数 ( 精度 2~3%)； &bull 对特殊晶体结构 ( 如孪晶和位错 ) 进行分析；&bull 对每个衍射斑点自动指标化并提取出其强度，然后使用标准的晶体学软件 ( 本系统未包含这些软件 ) 进行晶体学分析。产品介绍：旋进电子衍射原理示意图DigiSTAR/MerlinEM-1R 应用实例样品：Ti 合金。从左至右：虚拟明场像，相分布图 ( 红色α 相、蓝色 β 相 )，晶体取向图样品：Al-9nm/TiN-1nm 多层膜结构。上：ASTAR 取向图，红色层为 Al 层，绿色层为1nm TiN 层。下：ASTAR 取向图，1nm TiN 标示为黑色带。Si 基底上纳米 SiGe 层的应变分析

技术特点▼l 能够测量小至1mm的晶体到或更大的样品l 各种样品架及输送夹具，用于线锯、抛光等l 侧晶方向标记选项l 无水冷却l 精度可达0.01°(视晶体质量而定)l 确定单晶的完全晶格取向l 使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量l 气冷式X射线管，无需水冷l 适合于研究和生产质量控制l 手动操作(没有自动化选项)晶体的方向是由反射位置决定的可测量材料的例子▼? 立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP ? 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3 ? 正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4 ? 六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14 ? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3 ? 可根据客户的要求进一步选料 适合多种材料SDCOM的应用▼平面方向的标记和测量在晶圆片的注入和光刻过程中，需要平面或凹槽作为定位标记。切割过程中，晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平面或缺口的位置至关重要。为了确定平面或缺口的位置，就需要测量平面内的部件。由于Omega扫描法可以在一次测量中确定完整的晶体方位，基于此，便可以直接识别在平面方向或检查方向的单位或缺口。DDCOM通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。在必须定义平面方向的情况下，这可以大大简化将标记应用到特定平面方向的过程。

QCM-D石英晶体微天平 对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量，频谱测量可获得诸多信息，可在响应幅值最大处获得谐振频率，峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。 JSK-T(I)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级物质质量的传感技术。QCM仪器价格便宜，操作简单，可实现电化学、光化学、光电化学的现场联用动态监测分析。可广泛用于电活性聚合物表征、电池储能材料如Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、光电材料、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、细胞黏附行为、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。仪器特点 QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术，能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。仪器模块化结构、数据显示储存一体、无需外接电脑、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz，8MHz，10MHz，33MHz，100MHz可任选。可3、5、7、9、11倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。技术参数l 本仪器使用商用镀金8MHzAT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在±0.1Hz。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示，U盘储存数据，无需外接电脑。l 仪器常规石英晶片直径14 mm，能够非常灵敏地检测非常薄的吸附层的质量、耗散、分子的结构（构象）变化。并可计算其他参数，如：厚度、粘度、弹性模量，同时可以进行分子间反应的动力学分析。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度为4ng Hz-1 cm-2(基频10MHz) 0.4 pg Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集0.2s一组数据 ；（可定制相移角测定模式，数据采集速度可达10微秒，可用于快速瞬态测定）。

弗莱贝格DDCOM（台式X射线晶体定向仪）采用Omega扫描方法，可以进行超高速的晶体定向测量，用于确定各种晶体的取向。技术特点▼l 方便快捷的晶圆检测l 用于科研 & 研发，小型实验工厂l 适用多种可测量材料l 重量轻、成本低l 手动处理样品工作原理▼ 从样品台底部测量- 用于晶锭、晶圆、芯片的检测- 控制切割、研磨、抛光等过程超高速Omega扫描方法▼l 比Theta扫描方法快200倍l 自动评估三维完整的晶格方向l 在5秒内测定整个晶体的方位紧凑，用户友好和成本效益▼l 易于移动和轻量级的桌面设计l 样品处理方便，操作方便l 空气冷却x射线管能耗低，运行成本低(无需水冷)有效的质量控制流程▼l 用于标准研究和工业工作流程l 晶体方位设定及标示l 预编程立方晶体参数l 先进方便的软件l 精度高，例如高至(1/100)°控制切割、研磨和抛光▼ l 单晶的完全晶格取向l 适用于各种尺寸和重量范围大的独特材料，如：2-12英寸的晶圆片和20公斤以下的晶锭 技术参数▼X-ray 源30 W气冷式x射线管，铜阳极 检测器两个闪烁计数器 样品架精密转台，设定精度0.01°，工具定义样品定位和标记尺寸600 mm × 600 mm × 850 mm重量80 kg电源100-230 V, 100 W，单相室温要求≤ 30° C

技术特点▼确定单晶的完全晶格取向 使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量 立方晶体任意未知取向的测定 特别设计用于点阵方向的方位设置和标记 气冷式x射线管，无需水冷 适合于研究和生产质量控制 所有想要的晶体方向参数在5秒内一次旋转中被捕获可测量材料的例子▼立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3 正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4 六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3 可根据客户的要求进一步选料DDCOM的应用▼平面方向的标记和测量在晶圆片的注入和光刻过程中，需要平面或凹槽作为定位标记。切割过程中，晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平面或缺口的位置至关重要。为了确定平面或缺口的位置，就需要测量平面内的部件。由于Omega扫描法可以在一次测量中确定完整的晶体方位，基于此，便可以直接识别在平面方向或检查方向的单位或缺口。DDCOM通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。在必须定义平面方向的情况下，这可以大大简化将标记应用到特定平面方向的过程。

lithium indium sulphide 主要特征 透射范围, µ m0.35- 12.0非线性系数, pm/Vd31=8.35, d32=8.3对称度Orthorombic, mm2 point group晶胞参数, Å a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射折射1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频x-y, Type II, eoe2.35 - 6.11x-z, Type I, ooe1.78 - 8.22y-z, Type II, oeo2.35 - 2.67y-z Type II, oeo5.59 - 6.11Total interval covered1.617 - 8.71光学损伤阈值 GW/cm21053 nm(t=10 ns)~1热导率k, WM/M° Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.3Absorption edge in the far-IR on 0.2transparency level2.58 THz at 118 µ m 取向精确度, arc min 30平行度 arc sec, 30平整度546 nml/6表面质量, scratch/dig20/10 应用 Ti:Sapphire激光泵浦的 1-12微米范围的OPO中红外的差频（2-12微米）

(cesium lithium borate) 主要特征 透射范围, µ m0.18 - 2.75非线性系数, pm/Vd36=0.86对称度Tetragonal, 4m2 point group晶胞参数, Å a=10.494, c=8.939典型反射折射1064 nm532 nmno=1.4852, ne=1.4355no=1.4985, ne=1.4462光学损坏1053 nm(t=10 ns)25Cut off SHG471 nmWalk off angle, ° 532 nm488 nm1.830.98Mohs hardness4 取向精确度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nml/6表面质量, scratch/dig10/5 应用 YGA谐波产生(SHG，THG，4HG，5HG),Ti:Sapphire 与Alexanderite 激光二次谐波光学参量振荡器可调谐染料激光的SHG与SFG的紫外源

电化学石英晶体分析仪可分析测试液体的成分、电合成、电沉积、元素的嵌入与脱出、电聚合以及微质量测量等研究课题。 QCM922A是QCA922的全新升级产品，可同时通过晶振片频率和电阻的变化来检测微小的质量和粘度变化，同样可测试电导的频率特征。QCM922A测试频率高达30MHz，测试灵敏度更高，且测试速度达到10毫秒。应用领域：● 生物聚合物相互作用的表征，如蛋白质● 高分子的形成和分解的实时监测● 采用EQCM对锂离子二次电池进行评价● 气相分析，如湿度及有气味的物质● 表面清洁性的定量分析● 沉积层的厚度测试● 通过测试电导的频率特征来对结构变化进行分析技术参数：测试项目：同时测试晶振片频率和电阻或者电导的频率特征晶振片频率：分辨率：0.01Hz，量程：5MHz-30MHz晶振片电阻：分辨率：0.01 ?，量程：1 ?-10k ?电导频率表征：频率范围4MHz-30MHzdeltaF模拟输出：全量程：±10V(14位)，范围：±100Hz - ±500kHzdeltaR模拟是输出：全量程：±10V(14位)，范围：±10欧姆- ±10 k欧姆模拟输入：2通道，全量程：±3V/6V/12V(14位)控制时间：10毫秒/20毫秒/100毫秒/1秒/10秒显示：20字符 4线 OLED接口：USB 2.0输入电源：AC 100-240 V, 50/60Hz尺寸（长×宽×高）（mm）：162×160×95重量：1.3公斤操作环境温度：5℃ - 40℃ 无冷凝认证标准：CE认证9MHz AT切割晶振片QA-A9M系列：电极材料：Au, Pt, Ag, Al, C, Cu, ITO, Mo, Ni, Si, SiO2, SUS304, Ti等电极面积：5mmφ9MHz AT切割晶振片QA-A30M系列：电极材料：100nm的Au等通过气相沉积到一层Ti膜上电极面积：5mmφ主要特点：● 连接方式：USB2.0● 晶振片频率：分辨率：0.01Hz，量程：5MHz-30MHz，灵敏度更高● 电导测试● 改进性能：● 可测试1ng/Hz-0.1ng/Hz的变化● deltaF分辨率高达14bit● deltaR分辨率高达14bit● 时间控制提高至10ms● 完全兼容QCM922的晶振片，并有更多类型的晶振片可供选择

电化学石英晶体分析仪可分析测试液体的成分、电合成、电沉积、元素的嵌入与脱出、电聚合以及微质量测量等研究课题。 QCM922A是QCA922的全新升级产品，可同时通过晶振片频率和电阻的变化来检测微小的质量和粘度变化，同样可测试电导的频率特征。QCM922A测试频率高达30MHz，测试灵敏度更高，且测试速度达到10毫秒。应用领域：● 生物聚合物相互作用的表征，如蛋白质● 高分子的形成和分解的实时监测● 采用EQCM对锂离子二次电池进行评价● 气相分析，如湿度及有气味的物质● 表面清洁性的定量分析● 沉积层的厚度测试● 通过测试电导的频率特征来对结构变化进行分析技术参数：测试项目：同时测试晶振片频率和电阻或者电导的频率特征晶振片频率：分辨率：0.01Hz，量程：5MHz-30MHz晶振片电阻：分辨率：0.01 ?，量程：1 ?-10k ?电导频率表征：频率范围4MHz-30MHzdeltaF模拟输出：全量程：±10V(14位)，范围：±100Hz - ±500kHzdeltaR模拟是输出：全量程：±10V(14位)，范围：±10欧姆- ±10 k欧姆模拟输入：2通道，全量程：±3V/6V/12V(14位)控制时间：10毫秒/20毫秒/100毫秒/1秒/10秒显示：20字符 4线 OLED接口：USB 2.0输入电源：AC 100-240 V, 50/60Hz尺寸（长×宽×高）（mm）：162×160×95重量：1.3公斤操作环境温度：5℃ - 40℃ 无冷凝认证标准：CE认证9MHz AT切割晶振片QA-A9M系列：电极材料：Au, Pt, Ag, Al, C, Cu, ITO, Mo, Ni, Si, SiO2, SUS304, Ti等电极面积：5mmφ9MHz AT切割晶振片QA-A30M系列：电极材料：100nm的Au等通过气相沉积到一层Ti膜上电极面积：5mmφ主要特点：● 连接方式：USB2.0● 晶振片频率：分辨率：0.01Hz，量程：5MHz-30MHz，灵敏度更高● 电导测试● 改进性能：● 可测试1ng/Hz-0.1ng/Hz的变化● deltaF分辨率高达14bit● deltaR分辨率高达14bit● 时间控制提高至10ms● 完全兼容QCM922的晶振片，并有更多类型的晶振片可供选择

中图仪器WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备系统自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等； 2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。无图晶圆厚度、翘曲度的测量 通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

JSK-T（III）型 多通道石英晶体微天平传感仪JSK-T(III)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化多通道QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级物质质量的传感技术。仪器价格便宜、操作简单，可广泛用于聚合物表征、电池储能材料如Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、细胞黏附行为、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等研究领域。仪器原理：对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量，频谱测量可获得诸多信息，可在响应幅值最大处获得谐振频率，峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。 仪器特点l QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术，能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。 l 1-8通道任意定制，仪器模块化结构、数据显示储存一体、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz，8MHz，10MHz，33MHz，100MHz可任选。可3、5、7、9、11、13倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。液相多倍频测试结果：

MONA车载式大晶体搜源系统产品特征:基于光谱的实时检测与定位快速采集(高达0.1s，根据配置不同)自动校准检测单元**运行探测器单元与PC之间无需布线无线数据可以通过WiFi传输G P S 接 收 机集成电池供电，自主操作有监测间隔和报 警级别技术参数:探测器：Nal(TI)探测器体积可选：1L，2L，4L剂量率范围：0.001μSv/h~50μSv/h（1L)0.001μSv/h~25μSv/h（2L)0.001μSv/h~12μSv/h（4L)误差：±20%能 量响应：30keV~3MeV固有本底：＜5nSv/h可选配GM探测器和中子探测器

EQCM-D石英晶体微天平JSK-T(II)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化电化学联用QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级甚至皮克级物质质量的传感技术。EQCM仪器价格便宜，操作简单，可实现电化学、光化学、光电化学的现场联用动态监测分析。可广泛用于聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀。对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量，频谱测量可获得诸多信息，可在响应幅值最大处获得谐振频率，峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。仪器特点l QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术，能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。 l 仪器带有基本电化学分析模块（含三种常见电分析技术，其他电化学模块可根据要求定制），同步记录石英晶体微天平数据和电化学数据。l 仪器模块化结构、数据显示储存一体、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz，8MHz，10MHz，33MHz，100MHz可任选。可3、5、7、9、11倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。技术参数l 本仪器使用商用镀金8MHzAT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在±0.1Hz。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 仪器常规石英晶片直径14 mm，能够非常灵敏地检测吸附层的质量、耗散、分子的结构（构象）变化。并可计算其他参数，如：厚度、粘度、弹性模量，同时可以进行分子间反应的动力学分析。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度为4ng Hz-1 cm-2(基频10MHz) 0.4 pg Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集0.2s一组数据 ；（可定制相移角测定模式，数据采集速度可达10微秒，可用于快速瞬态测定）。l 电化学分析模块参数：电压范围-5V—+5V，扫描速度0.001V—10V/s，电流下限0.1nA。电化学分析技术：线性伏安法、循环伏安法、电位阶跃法。可定制其他特殊电化学模块。

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

Qsense石英晶体微量天平一、传感器和样品处理系统：1、 传感器数量：8（流动模式中最多至4个平行测试）2、 传感器上方容积：~40μL3、 最小样品用量：~100μL4、 工作温度：4~70℃，通过软件控制，稳定性±0.02℃5、 典型流速：20-100μl/min6、 最小分配体积：1μl7、 传感器：5MHz，直径14mm，抛光，AT切割，金电极8、 测样数量：3x12样品架，样品管直径13,16或18mm，3x24样品架，2ml微量管96微孔板，上述任意样品管9、 自动加样器机械臂移动速度：在X和Y方向350mm/s：在Z方向上125mm/s10、 自动加样器水平移动强度：X和Y方向，2.0kg（4.5lb）11、 自动加样器垂直冲击强度：3.2kg（7lb）二、频率和耗散特性：1、 频率范围：1-70MHz（5MHz芯片，能够在7个频率测试，最高至13倍频/65 MHz）2、 最大时间分辨率，单个芯片，单个频率：~200数据点/秒3、 最大液相质量精度：~0.5ng/cm2（5pg/mm2）4、 液相常规质量精度：约1.8 ng/cm2（1.8 pg/mm2）5、 最大液相耗散因子灵敏度：0.04 *10-66、 液相常规耗散因子精度： 0.1×10-67、 液相典型峰间（rms）噪音： 0.16HZ（0.04Hz）三、软件：1、 对计算机的要求：USB2.Windows7，Vista或XP2、 分析软件输入数据：多重倍频频率与耗散因子数据3、 分析软件输出数据：拟合的粘度、弹性、厚度和动力学常数 4、 进口/出口：Excel，BMP，WMF，JPG，GIF，PCX，PNG，TXT四、尺寸：1、 仪器尺寸（H* W*D/cm）：70* 67 *572、 重量（kg）：83五、仪器特点：1、 测量分子层的质量、厚度及其结构特征2、 全自动高度集成的即开系统3、 每个传感器低至100ul的样品量4、 实时在线无需标记技术5、 灵活的表面材料选择6、 保证高效测试的2X4芯片组合独立通道、自动混合

一 仪器概述实时跟踪分子变化. 我们的QCM-D系统是建立在一个行之有效的技术之上,它具备许多科学依据.其技术基础是在 接通恒频电源的情况下,通过石英晶体振荡频率来进行测试,由于石英晶体上的质量变化而导致 振荡频率也变化.在测试过程中,其质量微小的变化可通过纳克灵敏度来测量. 独特的Q-Sense设备分散测量法可提供有关薄片结构及粘弹性特性的信息.它还能提供反应前 后诸如吸附膜的分子结构，厚度和含水量以及对基板表面的独特见解等相关信息。耗散因子的 测量是通过断开电源后石英振荡频率渐渐减慢过程中得出的。 QCM-D可测量任何能被加工成薄膜状的表面，比如聚合体，金属或化学生成的表面。此系统 还能实时进行分析且每秒可提供高达200个数据点。二 仪器特点l 实时追踪表面通过可达到纳克级别的灵敏度来测量物体质量变化,结构特征 及粘弹性特性.可辨别两个相似的物体或观测约束层中的相位 变化和结构变形.l 实时分析Q-Sense系统每秒可高达200个数据点可使您一步一步有序 地完成分子间相互作用力的测试.l 灵活选择测试面可测试多种物质表面及涂料层包括金属，金属氧化物，聚合 物，油脂和反应表面l 系统Q-sense提供 系统. E1系统包括指导,软件,电脑和安装. Q-sense还会提供培训和技术支持.l 单个传感器系统紧凑,易于使用,免标定的单个传感器式设计使得此系统在 进行测量时可靠,稳定并有优良的重复性.l 可供选择模块附件模块,可选择电化学和窗口模块等,

NSK-T(III)型高频石英晶体微天平分析仪是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达400MHz，精确测量纳克级甚至皮克级物质质量的传感技术。QCM仪器价格便宜，操作简单，可实现非标记检测生物大分子，可广泛地应用于疾病诊断、药物检测、环境检测、食品检测等多个领域。可无需标记高灵敏传感蛋白分子探针与DNA、RNA、肽段、多糖、酶、细菌、病毒、细胞、组织切片等各类生物大分子之间的相互作用，可用于测定亲和力、免疫特征以及浓度定量等。仪器采用创新设计、融合相关领域最新技术，仪器模块化结构、采用PID 模糊智能控温技术、蠕动泵或注射泵进样系统，能够进行在线检测生物分子靶向作用过程。仪器价格优惠、使用简单、抗电磁干扰能力强、性能稳定、检测结果可靠。根据客户需要可定制高达32通道多阵列“一键式”检测系统。

eQCM 10M石英晶体微天平特征： 0.02赫兹的频率分辨率 阻抗扫描给予晶体震动的全谱 无需手动补偿并联电容 USB接口 集成的QCM和恒电位仪的数据采集 数据分析采用Gamry的灵活软件或者广泛使用的Echem Analyst™ 软件包。 包括电解池和五个晶片 eQCM 10M石英晶体微天平应用： 聚合物吸附/脱附 电活性聚合物 锂离子的嵌入 离子和溶剂的传输 腐蚀研究 镀研究 欠电位沉积 抗体抗原相互作用 表面活性剂的吸附 自组装膜 纳米粒子吸附 表面涂层 快速数据采集及拟合非常高的数据采集速率。和更昂贵的其他分析仪比较，eQCM 10M 是更为经济的选择。 例如，可以在20毫秒以内获取20 kHz的晶片频谱。与其他一些QCM仪器相比，它不依赖于锁相振荡器，所以它不需要手动取消并联电容。 晶片的频谱是建立在一个有规律函数的线性拟合，Pade近似方程，并且分别提供一系列的串联共振频率和并联共振频率，fs和fp。凭借这两个参数，除了质量变化信息，还可以获得膜的粘弹性质的变化。同时也可以使用这两个参数来获得衰减因素，Qr，其可以很好的定义膜的特性，从一个僵化的膜到粘性膜的变化信息。eQCM 10M石英晶体微天平软件GAMRY的谐振器软件控制QCM和Gamry电化学仪器。谐振器软件配备了全套物理电化学技术。 电化学技术 循环伏安 线性扫描伏安法 计时电流 计时电位 计时电量 控制电位库仑 重复计时电流 重复计时电位 多步骤的计时电流 频率数据和电位数据同时显示在数据采集图中。下面是在金电极上的铜膜的循环伏安中的QCM和电化学数据。采用GAMRY Echem analyst 的数据分析当你采用10 M Gamry的eQCM和Reference 600 TM的结合，就可以建成目前最好的电化学石英晶体微天平。数据可以通过Gamry 的强大Echem 电化学分析软件提供一个直观的感受，包括分析和报告文稿。显示标准的电流/电压曲线，频率数据图。其他绘图格式例如?m对电荷（库仑或摩尔）或Qr随时间变化的曲线也可以自由选择。线性拟合的?m与进入或进出膜的物质摩尔质量的变化曲线。在Echem电化学分析软件中，电流/电压数据覆盖高频数据作为标准数据分析的一部分。我们给予您可以灵活安排任何方式的图表。 此外，采用Visual Basic® 编写的 Echem电化学分析应用程序，大幅度提高修改数据处理的能力。例如，如果你想计算聚合物薄膜中发生氧化还原反应的溶剂通量，你可以写一个自定义的脚本来计算显示通量与电位，时间，或充电的关系曲线。 谐振器甚至有能力记录晶体的整个相对阻抗谱到数据库，包括每个数据点（或每隔n个点）。这激动人心的功能，让你调查实验现象的更多细节。Echem电化学分析软件或任何其他光谱绘图或分析程序（如Mathcad或MATLAB）都可以打开结果而建立模型。 单机使用eQCM 10M系统也可以被用来作为一个独立的仪器来使用。如果你有兴趣研究质量的变化过程，如形成的自组装单层，细胞吸附，或蛋白质结合过程，你会发现eQCM 10M是一个方便的选择。数据分析可以通过GAMRY的强大和灵活的Echem电化学分析软件包完成。 腐蚀工程师对腐蚀过程中的质量的变化也会感兴趣和感觉该技术特别有用，因为金属晶片相关频率的变化可以直接获得物质增重或损失。你甚至可以自定义的数据分析脚本软件，根据质量损失随时间变化率的基础上自动计算出腐蚀速率。 eQCM 10M石英晶体微天平系统信息eQCM 10M与Gamry谐振器软件，Gamry Echem分析师软件，快速启动指南，硬件操作手册（光盘版），软件操作手册（CD），一个eQCM电解池，AC电源适配器，一个USB接口电缆，一个BNC电缆, 一个恒电位仪接口电缆，5 个涂金层的石英晶片。 eQCM 10M提供为期两年的工厂保修服务。eQCM 10M通过连接到一台计算机与一个Gamry恒电位仪，至少含有PHE200™ 许可证的软件完成测量，然后通过Echem结合的QCM和电化学数据分析软件包完成数据的分析。这个 Gamry恒电位仪可以是型号Reference 3000™ ，Reference 600™ , Reference G750™ ，或者G 300™ 。分析软件与微软的Windows XP，Windows Vista® 或 7是兼容的。 eQCM 10M石英晶体微天平相关配件 eQCM 电解池 5兆赫，直径为1.37厘米AT切的涂金层的晶片 5兆赫，直径为1.37厘米AT切的碳包覆晶片系统频率范围1-10 MHz频率分辨率0.02 Hz界面USB操作温度范围0 - 45 oC相对湿度最大90%,非凝结重量1 Kg尺寸75×115×80 mmAC 电源适配器100-264 V AC, 47-63 Hz石英晶体微天平12 V DC, 25 W

产品名称：碲化镉(CdTe)晶体基片产品简介：碲化镉(CdTe)晶体基片广泛应用于X射线检测；红外光学；外延基片；蒸发源的晶体片等相关领域。技术参数：晶体结构立方 F43m a = 6.483?生长方法：PVT方法熔点(℃) 1047密度(g/cm3)5.851热容(J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0热导率( W /m.kat 300K )6.3透过波长 (μm)0.85 ~ 29.9折射率2.72产品规格：常规晶向：100、001、110、111常规尺寸：5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1"x0.5mm注：也可提供多晶的，尺寸可按照客户要求加工，请发邮件确定信息。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

本公司研发团队开展石英晶体微天平化学生物传感分析研究已有三十余年，具有丰富的QCM应用研究经验，可根据客户需求提供个性化服务，解决客户QCM使用中出现的技术问题。该仪器融合多家著名高校相关领域研究成果，仪器模块化结构、便携式设计，可与电化学仪器光学仪器联用。仪器价格优惠、使用简单、性能稳定、检测结果可靠。石英晶体微天平（Quartz Crystal Microbalance，QCM）是一种非常灵敏的质量检测仪器。在一定条件下，石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈线性关系(Sauerbrey公式)，其测量灵敏度可达纳克级，可以测到单原子层的质量变化。本仪器采用10 MHz石英晶体，每Hz的频率变化相当于0.85 ng/cm2。石英晶体微天平作为纳克质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高的优点，被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中，可实现电化学、光化学、光电化学的现场动态监测分析。可广泛用以进行气体、液体成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度、液体粘度（血凝）检测等。例如：电活性聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、DNA的杂交 、 细胞吸附 、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。 仪器特点l 仪器接触溶液的激励电极做工作电极与电化学仪器联用可构成EQCM测量技术。 l 仪器便携式设计、操作简单、方法选择、操作过程、步步提示。l 锂离子电池可作为电源、抗干扰能力强。l 仪器智能化模块化设计、结构可靠，可适应现场使用。l SD卡储存数据，方便后续数据处理。l 数据同时通过蓝牙无线传输到手机，可在手机上同步进行显示和储存。l 仪器可与其他分析仪器联用，如电化学仪器、光学仪器联用实现现场多信息传感分析。根据科研需要可进一步开发应用。 技术参数 l 使用晶体频率范围5MHz-20MHz，本仪器使用商用镀金10MHz AT切石英晶体。l 频率稳定性，空气中+1Hz/小时，液相中精确控制实验条件可达到相近的信号稳定性。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 提供2G SD卡储存数据，每隔2秒储存一组实验数据。l 便携式QCM 配备直流供电电压范围9V-18V，建议使用12V，2A 直流稳压源。l 可配备12V 5400mAh 锂离子电池（12.6V，1A 充电器）。l 便携式仪器尺寸：150*97*40mm；仪器重量：500 g。

QSense Omni 耗散型石英晶体微天平——高效无忧的QCM-D技术 创新引领未来QCM-D技术的开创者瑞典百欧林科技有限公司与查尔姆斯理工大学是QCM-D技术的开创者，QSense为纳米级表界面相互作用跟踪和表征提供全球领先的、高端的耗散型石英晶体微天平。QSense 耗散型石英晶体微天平通量高、易于使用，可以为您提供独特的、可重复的和有深度的数据。这有助于您了解反应的基本原理过程、提前预测真实结果以及优化产品和流程，以适应真实的反应条件。拥有一台QSense耗散型石英晶体微天平，可以使您和您的团队一直处于科学进步和技术创新的最前沿。QSense Omni是我们最新一代QCM-D耗散型石英晶体微天平，现有的技术加上几十年对表界面相互作用的深度理解，QSense Omni可以为您提供更清晰的结果和更顺畅的实验过程。QSense Omni可以更快展示您独到的见解，并基于高度可控的测量结果做出更可靠的结论。QSense Omni 适用场景：您需要简单易用 &bull 开箱即用的解决方案&bull 开启工作所需的一切皆已包含您需要灵活性 &bull 自由构建满足您现在和将来需求的系统您需要自动化 &bull 最大限度地减少操作时间&bull 最大限度地提高可重复性您重视数据质量 &bull 从全新一代高端QCM-D仪器中获取值得信任的结果QSense Omni 技术特点： &bull 自动样品切换&bull 自动运行QC程序 &bull 直接注入液体 &bull 快速液体交换 &bull 芯片自动锁紧 &bull 集成样品加热舱 &bull 各通道流速独立调节 &bull 实时编辑程序三个选用QSense Omni的原因： 数据解析更容易一流的信号处理和快速可重复的液体交换，QSense Omni为您提供清晰、简洁的数据。数据解析和分析更为轻松自信。实验过程更顺畅得益于直观的设计、智能的工作流程和灵巧的自动化，成功进行QCM-D实验并获取可信和可重复的结果变得史无前例地轻松简单。生产力大幅提高，工作更有效率。与研究共同成长设计卓越、功能智能，QSense Omni为科学进步和未来创新量身定制。升级到更多通道或增加QSense Orbit来构建更多元化的实验设置和补充测量，您可以轻松跨越入门级门槛，让QSense Omni与您的研究共同成长。QSense芯片——多种芯片表面可选：QSense芯片是QCM-D测量的核心。芯片涂层的选择对于您的实验至关重要。百欧林科技可提供超过我们提供50种标准芯片涂层和200多种定制芯片，涵盖各种材料，包括金属、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂层和标准化土壤。您可以从种类繁多的芯片中找出哪种芯片材料和涂层最适合您的研究。也可以根据您的需求让百欧林为您量身定制，我们可以让您尽可能接近真实的反应条件。百欧林科技开发和生产的芯片，经过严格的验证。QSense芯片将为您的QSense系统提供稳定、可靠和可重复的数据。芯片建议一次性使用。 QSoft Omni 软件：一同领略 QSoft Omni 软件的风采吧！一个全新的、用户友好的软件，旨在帮助您完成实验设置并成功获得实验数据。当您在准备实验时，QSoft Omni 软件会在后台进行QC程序，确保测量条件最佳。QSoft Omni帮您采集数据，而Dfind使您的数据分析更轻松。图片 2：QSoft Omni 软件QSoft Omni 软件主要特点：&bull 引导式工作流程带领您完成实验设置&bull 后台自动运行QC程序，确保实验结果最佳&bull 拖放界面和实时编辑使程序开发变得更为轻松&bull 事件日志自动记录自动操作和用户注释QSense Omni模块及配件——探索更多：浏览以下可选配模块，扩展您的实验设置和可能性。QSense湿度模块用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。QSense窗口模块该系统可以在芯片表面上同时进行QCM-D测量和显微镜观察。您还可以进行对光或辐射敏感的实验。QSense 电化学模块想在同一表面上同时进行QCM-D和电化学测量？该模块支持多种电化学方法，如循环伏安法和电化学阻抗测量，可探索如聚合物的界面行为、静电相互作用、腐蚀性能等。QSense电化学窗口模块该模块可在芯片表面上同时进行QCM-D测量和光学、电化学测试，该模块通常用于光伏等应用。QSense开放模块开放模块无需管路，样品需求量低。您可以直接移液少量液体确保覆盖芯片即可。该模块可进行样品挥发性、外部触发反应（如光诱导反应和化学触发反应）等研究。QSense湿度模块用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。QSense ALD（原子层沉积）样品架适用于真空或气相环境测量。QSense PTFE流动模块适用于对钛材料敏感的测量体系。类似于标准流动模块(QFM 401)，但流路部分的钛被PTFE替换。客户谏言：BASF试用QSense Omni后的第一印象“我观察到QSense Omni减少了交叉污染，这对于获取准确的数据至关重要。我认识到这在我们未来的研究中极具潜力和价值。”- Peter Stengel“从我进行实验的初步经验来看，很明显QSense Omni是为易于使用而设计的，多个用户可同时开展实验。”- Franziska TauberQSense Omni技术参数：让我们深入了解下QSense Omni的技术性能，您还可以将这些参数与其他QSense仪器进行比较。测量范围和能力通道数1 - 4工作温度4 到 70 °C芯片基频5 MHz 频率范围1-72 MHz倍频数量7, 均可用于粘弹性建模样品和流速芯片上方体积~ 20 μl最小样品体积（流动模式）~ 90 μl流速范围1-200 µ l/min测量特性最大时间分辨率每秒300个数据点 (每个数据点一个f 值和D值 )最小噪音a频率: 0.005 Hz耗散因子: 1∙ 10-9温度：0.0005 &ring C质量: 0.08 ng/cm2不同模式下的性能请参阅样本第7页长期稳定性 b C频率: 0.25 Hz/耗散因子: 0.04.10-6 /h温度: 0.003 &ring C/hSoftware软件QSoft OmniDfind分析软件数据输出7个倍频下的频率和耗散因子厚度（或质量）、粘度、剪切模量以及粘度和剪切模量的频率依赖性、动力学、斜率、上升时间等电脑配置USB 2.0或更高版本Type C接口Intel i5处理器（或同等处理器）内存不小于8GB屏幕分辨率不小于1920 x 108064位处理器屏幕分辨率不小于1366×768内存不小于4 GB操作系统Windows 10或更新版本（Windows早期版本可能无法正常运行）数据输入/输出SQLitepdf, rtf, png, svg, gif, csv, xls, ogw电源仪器输入24 V DC, 10 A外部电源输入100-240 V AC, 50-60 Hz, 12.5 A尺寸和重量高(cm)宽(cm)深(cm)重量(kg) d单通道32223614双通道32293622三通道32363629四通道32433637所有规格可能会在未经通知的情况下更改b. 温度稳定性取决于外部环境对样品舱的加热或者制冷。如果由于气流或热源等原因，室温变化超过±1℃，可能无法达到指定的温度稳定性。c. 数据测试条件如下：QSX 303 SiO2芯片在25℃的去离子水中测量，流速为20µ l/min，数据采集速率为每秒1个数据点，测量时长1小时。用于分析的数据间隔为2分钟。等待超过1小时可以获得更好的稳定性。d. 重量不包括外部电源。QSense Omni实际性能：更高的采样速率不可避免地会产生更高的噪音和提高检出限。通过明显降低噪音水平，QSense Omni极大地降低了检出限。下面的图表描述了QSense Omni在三种不同采样间隔下的检测限，可以看出在高采样频率下检出限也可以做到非常低。下面的图表列出了每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。表1 a：性能特征数据采集设置采集7个倍频数据需要的时间(s)f/n-噪音 (Hz)检测限(ng/cm² )耗散因子D噪音(∙ 10-6) 低噪音9.680.0050.2390.001正常1.060.0090.4960.003快速0.090.0291.5130.011图2a：每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。不同的采样间隔下的理论检测限（LOD）。检测限设定为频率噪音水平的3倍。a 实验条件如下：QSX 303 SiO2芯片在20°C温度下、流量15μL/min的去离子水中使用一个测量通道进行测量。每种测量模式测量5分钟，根据1分钟时间范围内采集数据点的标准偏差，统计确定噪音数据。