晶格常数

PCAS-2TE-9-0.1X0.1-TO8-wZnSeAR-70是一种具有优良参数的II型超晶格两级热电冷却红外光导体。光导检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，在低频率下的性能会降低。3 °楔形硒化锌增透涂层窗(wZnSeAR)防止不必要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，推荐使用光斩波系统。该探测器不含汞和镉，符合RoHS标准。 光谱响应1.6-11um技术参数产品特点● 光谱范围：1.6 ~ 11.0 μm ● 高响应度● 极好的线性关系产品应用● 中红外激光探测● 中红外气体分析测试条件：Ta=20℃参数探测器类型PCAS-2TE-9-0.1X0.1-TO8-wZnSeAR-70有源元件材料外延超晶格异质结构起始波长λcut-on（10%），μm 1.6±0.2峰值波长，λpeak，μm 6.2±0.3截止波长λcut-off（10%），μm11.0±0.3响应度D*(λpeak, 20 kHz), cmHz1/2/W~2.8×108电流响应度Ri(λpeak), A/W~2.8时间常数T,ns~12电阻R,Ω~95偏置电压Vb, Vtyp. 0.51/f噪声角频率fc, Hztyp. 20k工作温度Tdet,K~230光敏面A,mm×mm0.1×0.1 封装TO8接收角度Φ~70°窗口wZnSeAR20℃探测器的光谱响应曲线两级TE冷却参数表参量数值Tdet,K～230Vmax,V1.2Imax,A1.3Qmax,W窗口镜抗反射涂层透过率曲线输入功率与输出电流线性度曲线（TBB—黑体温度） 封装及尺寸2TE-TO8封装尺寸图2TE-TO8引脚定义功能 产品应用

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。 中文名：磷化镓外文名：Gallium phosphide分子式：GaP分子量：100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description 1 GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. 2 GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. 5 GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制

测试放大镜配合底片观察灯，可以直接估测晶格间距。坐标10倍

1835型附常数乌氏粘度计 0.38，0.3-0.4，0.4-0.5，0.5-0.6，0.7-0.8，0.9-1.0，1.0-1.1，1.1-1.2，1.2-1.3规格齐全，带鉴定证书。毛细管粘度计按结构、形状可分为乌氏、芬氏、平氏、逆流四种。它们测定的样品粘度是运动粘度。已广泛地运用在石油、化工、轻工、机电、国防、交通、煤碳、冶金医药、食品、造纸、纺织、科研、高等院校等单位。正确使用毛细管粘度计，对确保产品质量和科研数据的准确是很重要的。洗涤与烘干：使用前必需将粘度计洗净，一般先用能溶解粘度计内残留物的溶剂反复洗涤，再用酒精或汽油洗，然后用发烟硫酸洗或重铬钾洗液浸2-3小时，最后用自来水冲洗，蒸馏水冲一下，放放烘箱，升温至150℃左右即可，或在自然温度下倒置数天，蒸干为止。

雷磁电导电极 常数0.6型号260(光亮)电导电极260(铂黑)电导电极类型光亮电极铂黑电极电导率范围0.1～1000μS/cm0.1～10000μS/cm测量温度//材质玻璃玻璃工作温度0~80 ℃0~80 ℃尺寸Φ12×120 mmΦ12×120mm接口U型叉片×3U型叉片×3

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Tm:YLF晶体由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Tm:YLF晶体,掺铥氟化钇锂晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。Tm:YLF晶体是固体激光器新兴材料，广泛用于工业，医疗和科研应用。纯的氟化钇锂晶体(YLF晶体)是透明的光谱范围0.12-7.5 μm, 掺铥氟化钇锂晶体具有较低的非线性折射率和热光学常数数值，非常适合应用到科研，生产，教育等光电子领域。Tm:YLF晶体典型的应用包括： 复杂测量系统使用多种激光波长：Tm:YLF晶体激光波长2.35-1.89 μmTm:YLF晶体参数掺杂公差：+/-0.1%平行度： 10 arc seconds垂直度： 5 arc minutes净孔径：95%表面质量：S/D 10-5表面平整度：λ/10 , @ 633nm波前畸变： 7mm diameter: λ/10 @ 633nm /=7mm diameter: λ/8 @ 633nm激光损伤阈值：over 15J/cm2 TEM00, 10ns, 10HzTm:YLF晶体是固体激光新兴材料,掺铥氟化钇锂晶体具有较低的非线性折射率和热光学常数数值,Tm:YLF晶体广泛用于工业,医疗和科研应用.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

BSO晶体和硅酸铋晶体是一种优异的光折变晶体，具有广阔的应用。BSO晶体和硅酸铋晶体是一种淡黄色的光电电光晶体，又是光折变晶体,可用于：电光读出光存储器（PROM),薄膜光波导,光折变和相位共轭等研究。BSO晶体和硅酸铋晶体参数晶体对称性：立方体，23密度：9.2 g/cm^3硬度：5熔点：900deg透光范围：0.45-6um折射率：5.0(r41) &lambda =0.63 um介电常数：56 （低频）BSO晶体,硅酸铋晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的BSO晶体,硅酸铋晶体系优质光折变晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。

光学性能对粒子尺寸的依赖性是量子点独特的和最具吸引力的功能。例如，通过控制粒子的大小，CdSe量子点的发射光波长在整个可见光范围内连续可调。然而，二元素量子点，如CdSe量子点，有两个缺点。第一，其表面缺陷形成表面陷阱态，使发光效率和稳定性降低。通过在量子点表面包附ZnS，形成Core-shell结构可以降低面缺陷，但CdSe和ZnS晶格失配，在很大程度上影响其发光效率和光学稳定性。第二，量子点的消光系数同粒子的体积成正比例关系。标记6nm（红光）CdSe量子点的物质发射光强度是2nm（绿光）量子点的三十倍，这会引起检测灵敏度的差异。不同于二元素量子点，梯度合金CdS/ZnS量子点， 在发光核和ZnS壳中加入三元合金过渡组分，因而带来了以下几个优点：1、通过调整合金元素组成控制其光学性能，制备体积一致但发光频率不同的量子点，从而降低由于应用不同颜色量子点引起的检测灵敏度上的差异；2、合金量子点晶格力度强，性能稳定；3、实现晶格的逐步过渡，有效降低量子点晶格缺陷造成的内部压力，从而使量子点具有较高的发光效率和稳定性。 发射峰：400-460 nm半峰宽：25 nm量子产率：75%表面基团：十八胺（或客户指定配体）溶剂：甲苯（或客户指定溶剂）我们可根据客户需求，提供不同表面基团、溶剂、浓度、400-460nm间任一发射波长的GA_CdS/ZnS 量子点。由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服发射峰 & 吸收峰TEM测试图

ZnGeP2 (ZGP) 红外非线性晶体√ZnGeP2√GaSe √AgGaSe2√ZnTe√AgGaS2由于具有独特的功能，ZnGeP2、 AgGaSe2、 AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体，在中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的兴趣。它们的应用包括:? 中红外波段OPO? 近、中红外波段频率转换? CO2 激光倍频 ? THz生成红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性，宽的光谱和角度接收范围，透光范围宽，对温度稳定性和振动控制没有苛刻的要求，可以进行良好的机械加工（ GaSe除外）。其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSAgGaS2AgGaS2的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的，但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验，直接红外对抗系统，以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频，硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。 14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱 AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线ZnGeP2AgGaSe2GaSeZnGeP2晶体的透光波段为0.74至12 μm，其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP2拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域：? 通过与10.6 μm 波长混频的 CO2激光的上转换；? CO和 CO2 激光辐射的和频；? 脉冲式CO、CO2 和DF化学激光的高效倍频；饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。Terahertzlabs 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶体，更好的适应OPO或OPA应用，然后泵浦2.05-2.1 μm，镀增透膜。 ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 ZnGeP2晶体在2 μm附近的吸收光谱 15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体OPO@2.1 μm 的透过光谱AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 μm波段之间。其有用透光范围0.9-16 μm及宽的相匹配能力，在被多种当前常用激光泵浦时，能为OPO应用提供极具潜力的应用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下，已经获得2.5-12 μm的波长，以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下，获得1.9-5.5 μm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。 AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱 25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 μm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面：CO2 激光的高效倍频，脉冲式CO、CO2和DF化学 激光(λ = 2.36 μm)倍频，CO和CO2激光向可见光的上转换，通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲，3.5–18 μm范围内 OPG光的发生，飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域，为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。 17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱 GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐曲线 切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上物理特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe晶体对称性四方四方四方六角立方闪锌矿点群42m42m42m62m43m晶格常数, ? a5.4655.99015.7573.7426.1037c10.77110.882310.30515.918-密度, g/cm34.1755.714.565.035.633光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe透光范围,μm0.74-120.73-180.53-120.65-180.65-17折射率@1.06 μmno3.23242.70052.45082.90822.7779ne3.27862.67592.39662.56765.3 μm no3.11412.61402.39542.83402.6974ne3.15242.58232.34212.459910.6 μmno3.07252.59152.34662.81582.6818ne3.11192.55852.29242.4392吸收系数, cm-1 @1.06um3.00.020.090.25-2.5um0.030.010.010.05-5.0um0.020.010.010.05-7.5um0.02-0.020.05-10.0um0.4-0.060.05-11.0um0.8-0.060.05-非线性光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe激光损失阈值, MW/cm260251028-@脉宽, ns1005020150-@波长, μm10.62.051.069.3-非线性, pm/V111433163-Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg76556714-Walk-off角@5.3 μm, deg 0.570.570.670.853.4-热学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe熔点, oC129885199812331295热膨胀系, 10-6/oK⊥17.5(a)23.4(c)12.59.08.0⊥9.1(b)18.0(d)---‖1.59(a)-6.4(c)-13.28.25-‖8.08(b)-16.0(d)---@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K计算折射率的SELLMEIER方程:晶体A BCDEF表达式ZnGeP2no8.04091.686250.408241.2880611.05-n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ2(λ2-E)ne8.09291.86490.414680.84052452.05-AgGaSe2no6.85070.42970.158400.00125--n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2ne 6.67920.45980.212200.00126--AgGaS2no3.39702.39820.093112.1640950.0-n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2)ne3.58731.95330.110662.33911030.7-GaSeno7.4430.4050.01860.00613.14852194n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2)ne5.760.3879-0.22880.12231.8551780ZnTeNo, ne9.920.425300.377662.6358056.5-n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1)可以根据客户要求提供的其它晶体有： CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSZnTe / 碲化锌:碲化锌晶体在110方向被用于通过光整流过程来产生太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应，也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲，不同的频率分相互作用产生从0到几太赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个110方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时，太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射，这一现象被线偏振可见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时，可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光，用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组平衡光电二极管，通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间，就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读出完整的电场、振幅和延迟，是时域太赫兹光谱的魅力之一。 碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提供尺寸为?40x30 mm的光学元件。注意： 碲化锌含有微气泡，这并不影太赫兹的产生，然而，它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体内有气泡的投诉。如何订购：ZnGeP2 (ZGP) Crystals货号Size, mmθφ镀膜 标注 交货期TL-ZP-4017x5x15 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周TL-ZP-4027x5x20 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周 TL-ZP-4037x5x25 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm6周AgGaS2 (AGS) Crystals货号Size, mmθφ镀膜标注含税单价交货期TAGS-401H5x5x1 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 19800 元1周TAGS-402H6x6x2 mm50°0°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 216450元联系我们TAGS-403H5x5x0.4 mm34°45°BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μmSHG @ 3-6 μm, Type 112300元1周 TAGS-801H8x8x0.4 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 126800元1周TAGS-802H8x8x1 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 123490元1周关于晶体选择列表仅供客户参考A-F系列G-H系列 L-N系列 P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGaPLiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 单晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2 GaSbLaF3SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通；热解)LGS 硅酸镓镧SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si(?超薄Si片)Bi2Te3GGG (Gd3Ga5O12)LGT钽酸镓镧SiC?(4H,6H,3C)Bi2Se3GeMgAl2O4 SBNBi2Se2TeHg(1-x)Cd(x)TeMgF2SiO2（玻璃和单晶）Bi2Te2SeInPMgOSi-GeBP 黑磷InAsMoSe2TiO2(锐钛矿型,金红石型)CdSInSbMoS2TbScO3CsI (TI)KH2PO4MoTe2TGGCaCO3KTaO3MgO:LiNbO3TeO2Cu（单晶）KTa 1-X NbXO3NdCaAlO4WTe2CdSeKClNaClWS2Ce:Lu2SiO5KTN Nb:SrTiO3CaF2ZnTeDyScO3ZnSeFe:SrTiO3

光学性能对粒子尺寸的依赖性是量子点独特的和具吸引力的功能。例如，通过控制粒子的大小，CdSe量子点的发射光波长在整个可见光范围内连续可调。然而，二元素量子点，如CdSe量子点，有两个缺点。第一，其表面缺陷形成表面陷阱态，使发光效率和稳定性降低。通过在量子点表面包附ZnS，形成Core-shell结构可以降低面缺陷，但CdSe和ZnS晶格失配，在很大程度上影响其发光效率和光学稳定性。第二，量子点的消光系数同粒子的体积成正比例关系。标记6nm（红光）CdSe量子点的物质发射光强度是2nm（绿光）量子点的三十倍，这会引起检测灵敏度的差异。不同于二元素量子点，梯度合金CdSe量子点， 在发光核和ZnS壳中加入三元合金过渡组分，因而带来了以下几个优点：1、通过调整合金元素组成控制其光学性能，制备体积一致但发光频率不同的量子点，从而降低由于应用不同颜色量子点引起的检测灵敏度上的差异；2、合金量子点晶格力度强，性能稳定；3、实现晶格的逐步过渡，有效降低量子点晶格缺陷造成的内部压力，从而使量子点具有较高的发光效率和稳定性。 发射峰：460-650 nm半峰宽：30 nm量子产率：85 %表面基团：十八胺（或客户指定配体）溶剂：甲苯（或客户指定溶剂）我们可根据客户需求，提供不同表面基团、溶剂、浓度、500-650nm间任一发射波长的GA_CdSe /ZnS量子点。由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服发射峰 & 吸收峰TEM测试图

激光隔离器,法拉第隔离器,法拉第光隔离器由中国领先而专业的进口激光器件旗舰型服务商-孚光精仪进口销售！精通光学，服务科学，先后为中科院上海光机所,哈尔滨工业大学等单位提供进口激光隔离器,法拉第隔离器, Faraday Isolator。法拉第隔离器的原理 法拉第隔离器又叫法拉第光隔离器,激光隔离器,Faraday Isolator,与此相似的是：法拉第旋转器当 光束通过的材料处于轴向磁场时，光的偏振面会发生旋转， 这就是大家熟知的法拉第效应。法拉第效应与光线通过石英之类的光学材料发生的现象非常相似，但是与后者不同的是偏振面旋转的角度与光在介质中传播的方向无 关。光通过介质后偏振轴的旋转（如顺时针的旋转）是可被观察者观察到的，光通过又被反射到介质后，观察者会发现偏振轴又沿原有的方向旋转了同样的角度。 (而在光学介质中，发生的现象确实第一次偏振轴顺时针旋转，而光反射后通过时将发生同样大小角度的逆时针旋转，最终回到原始状态）展示这个过程的器件就是法拉第隔离器，又叫法拉第光隔离器,激光隔离器, Faraday Isolator。实际中的法拉第隔离器的 构造主要是随意用一个光学材料棒放置于轴向磁场中，再使用一些特殊维尔德常数（偏振磁光常数）的光学玻璃，如SF57玻璃，但是我们使用的是最高质量的单 晶TGG（铽镓石榴石），我们这种使用了TTG单晶的法拉第隔离器的优点是非常明显的：适用波长范围广（从可见到近红外波长都可用），产生的维尔德常数质 量高，可承受的光强大，光学畸变小。我们法拉第隔离器的独特优势：×结构超级紧凑，小巧 ×高透过率（(98%）和高消光比（35-40dB)*多种磁光材料任选TGG, MOS*适合任何波长的产品都有×高损伤阈值（3GW/cm2 @ 1ns脉冲）× 可提供大孔径产品 法拉第隔离器,法拉第光隔离器,激光隔离器与光旋转器,法拉第旋旋转器的区别：法拉第隔离器,法拉第光隔离器,激光隔离器,Faraday Isolator两端带有偏振器，而光旋转器,法拉第旋旋转器两端不带有偏振器！

雷磁电导电极 常数10 铂黑型号DJS-10VTC电导电极DJS-10-L 电导电极DJS-10C(铂黑)电导电极DJS-10CF(铂黑)电导电极类型铂黑电极铂黑电极铂黑电极铂黑电极电导率范围2000～200000μS/cm2000～200000μS/cm2000～200000μS/cm2000～200000μS/cm测量温度0~80 ℃///材质玻璃玻璃玻璃玻璃工作温度0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃尺寸Φ12×120 mmΦ12×120mmΦ12×120mmΦ12×120mm接口五芯航空插MiniDIN 8芯三芯航空插三芯航空插(防水)可选试剂&配件电导率溶液111.3ms/cm，250ml●●●●电导率溶液12.85ms/cm，250ml●●●●12.85ms/cm电导率溶液（袋装），20ml，30袋●●●●

笼状介孔分子筛 FDU-12制备方法：水热法BET表面积（平方米/克）：600平均孔径（nm）：10入口尺寸（nm）：3.8孔隙体积（立方厘米/克）：0.66空间群：面心立方晶格颗粒尺寸（um）：2~3

[110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。 太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在（ZnTe）碲化锌晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体，通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点： — 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据：产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm，探测端晶体厚度分别为0.5mm，1mm，2mm碲化锌晶体参数规格：晶格结构：立方闪锌矿密度: 5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙 (300 K)：2.25 eV最大透过率 (λ =7-12 μm):60 % 最大电阻率：109 Ohm*cm折射率 (λ =10.6 μm):2.7电光系数 r41 (λ =10.6 μm):4.0×10-12 m/V电阻率：a). low: 103 Ohm*cm b). high: 109 Ohm*cm最大 IR-optic blank 直径/长度： 38×20 mm最大单晶尺寸 直径/长度： 38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品：碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长：1-50 mm厚度/长度：0.1-150 mm晶向：(110), (100), (111)表面质量：As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

在多孔碳膜上镀上金膜并沉积石墨化碳颗粒。通过孔观察颗粒可以反映电镜的性能。蒸发的金颗粒为多晶的岛形结构，在诸岛之间可分辨出晶格条纹。该标样亦可通过观察金膜中孔内碳的沉积速率监测电镜中的污染状况。

在多孔碳膜上镀上金膜并沉积石墨化碳颗粒。通过孔观察颗粒可以反映电镜的性能。蒸发的金颗粒为多晶的岛形结构，在诸岛之间可分辨出晶格条纹。该标样亦可通过观察金膜中孔内碳的沉积速率监测电镜中的污染状况。

雷磁电导电极 常数10 铂黑型号DJS-10VTC电导电极DJS-10-L 电导电极DJS-10C(铂黑)电导电极DJS-10CF(铂黑)电导电极类型铂黑电极铂黑电极铂黑电极铂黑电极电导率范围2000～200000μS/cm2000～200000μS/cm2000～200000μS/cm2000～200000μS/cm测量温度0~80 ℃///材质玻璃玻璃玻璃玻璃工作温度0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃尺寸Φ12×120 mmΦ12×120mmΦ12×120mmΦ12×120mm接口五芯航空插MiniDIN 8芯三芯航空插三芯航空插(防水)可选试剂&配件电导率溶液111.3ms/cm，250ml●●●●电导率溶液12.85ms/cm，250ml●●●●12.85ms/cm电导率溶液（袋装），20ml，30袋●●●●

雷磁电导电极 常数0.01 钛合金型号DJS-0.01VT型钛合金电导电极DJS-0.01VT型钛合金电导电极（套装）DJS-0.01L钛合金电极DJS-0.01 钛合金电极电导率范围0～2μS/cm0～2μS/cm0～2μS/cm0～2μS/cm测量温度0~60 ℃0~60 ℃//材质钛合金钛合金钛合金钛合金工作温度0~60 ℃0~60 ℃0~60 ℃0~60 ℃尺寸Φ18×50 mmΦ18×50 mmΦ18×50mmΦ18×50 mm接口（电极端）五芯航空插五芯航空插三芯航空插三芯航空插接口（仪器端）五芯航空插五芯航空插MiniDIN 8芯三芯航空插套装标配DX-55电导电极连接线标配电导测量槽，DX-55电导电极连接线标配电导电极连接线标配DX-10电导电极连接线可选试剂&配件DX-55电导电极连接线（1米，五芯转五芯）●●//DX-10电导电极连接线（1米，三芯转三芯）///●DX-35电导电极连接线（1米，三芯转五芯）///●电导测量槽（接口，外径10mm）●●●●进出水管（硅胶管，内径8mm，外径10mm，3米/1根)●●●●

产品介绍雷磁电导电极 常数0.01 钛合金型号DJS-0.01VT型钛合金电导电极DJS-0.01VT型钛合金电导电极（套装）DJS-0.01L钛合金电极DJS-0.01 钛合金电极电导率范围0～2μS/cm0～2μS/cm0～2μS/cm0～2μS/cm测量温度0~60 ℃0~60 ℃//材质钛合金钛合金钛合金钛合金工作温度0~60 ℃0~60 ℃0~60 ℃0~60 ℃尺寸Φ18×50 mmΦ18×50 mmΦ18×50mmΦ18×50 mm接口（电极端）五芯航空插五芯航空插三芯航空插三芯航空插接口（仪器端）五芯航空插五芯航空插MiniDIN 8芯三芯航空插套装标配DX-55电导电极连接线标配电导测量槽，DX-55电导电极连接线标配电导电极连接线标配DX-10电导电极连接线可选试剂&配件DX-55电导电极连接线（1米，五芯转五芯）●●//DX-10电导电极连接线（1米，三芯转三芯）///●DX-35电导电极连接线（1米，三芯转五芯）///●电导测量槽（接口，外径10mm）●●●●进出水管（硅胶管，内径8mm，外径10mm，3米/1根)●●●●

雷磁电导电极 常数0.1 光亮型号DJS-0.1VTG电导电极DJS-0.1L型电导电极DJS-0.1C(光亮)电导电极DJS-0.1CF(光亮)电导电极类别光亮电极光亮电极光亮电极光亮电极电导率范围0.05～200μS/cm0.05～200μS/cm0.05～200μS/cm0.05～200μS/cm测量温度0~80 ℃///材质玻璃玻璃玻璃玻璃工作温度0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃尺寸Φ12×120 mmΦ12×120mmΦ12×120mmΦ12×120mm接口五芯航空插MiniDIN 8芯三芯航空插三芯航空插(防水)可选试剂&配件电导率溶液146.5μs/cm，250mL●●●●电导率溶液84μs/cm，250mL●●●●146.5μs/cm电导率溶液（袋装），20ml，30袋●●●●

品牌：洛克泰克供货周期：现货 品名：氧化镁（Mg,Co）品牌：RTK规格：52.5mm*φ10mm材料来源地：日本功能用途：绝缘，传压材料。生产厂家：湖北洛克泰克有限公司 红色氧化镁（掺钴氧化镁）是碱性氧化物MgO和Co2O3为主要成分以方镁石为主晶相的镁质耐火材料，氧化镁晶格离子间的静电引力很大，熔点很高，可达2000-3000℃。化学性质稳定，常温不导电。在高温高压实验中作为绝缘，传压材料。

Er:YLF晶体由孚光精仪进口,孚光精仪公司)是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Er:YLF晶体,掺铒氟化钇锂晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 Er:YLF晶体中文名掺铒氟化钇锂晶体,是固体激光器新兴材料，Er:YLF晶体广泛用于工业，医疗和科研应用。纯的YLF晶体Er:YLF晶体|氟化钇锂晶体是透明的光谱范围0.12-7.5 μm, YLF晶体具有较低的非线性折射率和热光学常数数值，非常适合应用到科研，生产，教育等光电子领域。Er:YLF晶体典型的应用包括：激光测距(Ho:YLF晶体激光波长- 0.75 μm ,Er:YLF晶体激光波长 - 0.85 μm)人眼安全的目标聚光激光系统(Er:YLF晶体,波长 - 1.73 μm)复杂测量系统使用多种激光波长：(Er:YLF晶体激光波长 0.85-1.73 μm) Ho:YLF晶体激光波长0.75-0.98 μm) (Tm:YLF晶体激光波长2.35-1.89 μm)激光制导系统的激光 (Ho:YLF晶体, 波长3.9 μm)Er:YLF晶体中文名掺铒氟化钇锂晶体,是固体激光器新兴材料,Er:YLF晶体广泛用于工业，医疗和科研应用.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

光折变晶体：BSO硅酸铋晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体Bi 12 SiO 20（BSO）Bi 12 GeO 20（BGO）Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m 4mm4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15 -a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0 晶体 折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5 ---在600nm处为 - deg / mm25 24---密度，g / cm 39.159.24.645.4 5.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C890 9201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数 564085（e11）30（e33）8803400 暗电阻，欧姆厘米10 1410 14 -- -吸收系数@0.44μm- -- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下--- -0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT- --3×10 -4 K -1 -居里温度--- 75℃56℃半波电压-- -240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。BSO硅酸铋晶体

Ho:YLF晶体和掺钬氟化钇锂晶体是孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Ho:YLF晶体,掺钬氟化钇锂晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。Ho:YLF晶体中文名掺钬氟化钇锂晶体，是固体激光器新兴材料，Ho:YLF晶体广泛用于工业，医疗和科研应用。纯的YLF晶体，氟化钇锂晶体是透明的光谱范围0.12-7.5 μm, YLF晶体具有较低的非线性折射率和热光学常数数值，非常适合应用到科研，生产，教育等光电子领域。Ho:YLF晶体典型的应用包括：激光测距(Ho:YLF晶体激光波长- 0.75 μm ,Er:YLF晶体激光波长 - 0.85 μm)人眼安全的目标聚光激光系统(Er:YLF晶体, 波长 - 1.73 μm)复杂测量系统使用多种激光波长：(Er:YLF晶体, 波长 0.85-1.73 μm) Ho:YLF晶体,波长0.75-0.98 μm) (Tm:YLF晶体, 波长2.35-1.89 μm)激光制导系统的激光 (Ho:YLF晶体, 波长3.9 μm)Ho:YLF晶体中文名掺钬氟化钇锂晶体,是固体激光器新兴材料,Ho:YLF晶体广泛用于工业，医疗和科研应用.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究，并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体，我们还提供带有ITO（氧化铟锡）涂层的孔径高达30x30 mm2，厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯，由Ce，Cr，Co，Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学，声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶，没有生长条纹，夹杂物和其他不均匀性，以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术，可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元，Fe：LiNbO3（其他掺杂剂可用）。 铁掺杂铌酸锂晶体（Fe：LiNbO3）是一种常用的具有高电光（EO）系数，高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比，它具有易于操作和存储，成本低，尺寸利用率大等突出优点，使其更适用于批量制造和实用设备。因此，Fe：LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度，尺寸和光学处理要求的晶体。 光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20（BSO） Bi 12 GeO 20（BGO）Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23 三角形，3m4mm4mm晶格（胞）参数，?10.10 10.15-a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C8909201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33） 8803400暗电阻，欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下---- 0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体

雷磁电导电极 常数0.1 光亮型号DJS-0.1VTG电导电极DJS-0.1L型电导电极DJS-0.1C(光亮)电导电极DJS-0.1CF(光亮)电导电极类别光亮电极光亮电极光亮电极光亮电极电导率范围0.05～200μS/cm0.05～200μS/cm0.05～200μS/cm0.05～200μS/cm测量温度0~80 ℃///材质玻璃玻璃玻璃玻璃工作温度0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃0~80 ℃尺寸Φ12×120 mmΦ12×120mmΦ12×120mmΦ12×120mm接口五芯航空插MiniDIN 8芯三芯航空插三芯航空插(防水)可选试剂&配件电导率溶液146.5μs/cm，250mL●●●●电导率溶液84μs/cm，250mL●●●●146.5μs/cm电导率溶液（袋装），20ml，30袋●●●●

参数：制备方法：水热法BET表面积（平方米/克）：600平均孔径（nm）：10入口尺寸（nm）：3.8孔隙体积（立方厘米/克）：0.66空间群：面心立方晶格颗粒尺寸（um）：2~3Parameter:Preparation Method：Hydrothermal MethodBET Surface Area (m2/g)：~600Average Pore Diameter (nm)：10Entrance Size (nm)：3.8Pore Volume (cm3/g)：0.66Phase：f.c.c.Particle Size (μm)：2-3

Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体是一种性能优良的光折变测量，Fe:LiNbO3晶体具有高的电光系数和光折变灵敏度和衍射效率，而且没有附加电场。我们提供各种掺杂的进口掺铁铌酸锂晶体。Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体参数晶体对称性：三方晶系密度：4.64g/cm^3莫氏硬度：5熔点：1255摄氏度透光范围：0.35-5.5微米折射率： 2.29(n0), 2.2(ne) λ=0.63 um电光系数：32 (r33), 6.8 (r22), 10(r31) pm/V at λ=0.63介电质常数：85 (epsilon11), 30(epsilon33) Fe:LiNbO3晶体和掺铁铌酸锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体询问服务：为了方便您的询价，请填写如下晶体要求，复制粘贴到Email中发生给我们即可，我们将尽快回复。Dopant level0.005 - 0.1mol.% Fe2O3Aperture Dimensions:mmLength:mmDescription of AR coatings I Surface:Description of AR coatings II Surface:Electrodes Cr + AuYesNoComments

光折变晶体：BGO锗酸铋晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN 光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20（BSO）Bi 12 GeO 20（BGO） Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m4mm 4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15- a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C890920 1255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33）8803400 暗电阻，欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下----0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压-- -240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。BGO锗酸铋晶体