金属化学刻蚀

SuperHawk2002SS金属化光纤光栅应用传感器封装特点全光型加速度探测现场不需要供电免受雷击损坏和电磁干扰描述 SuperHawk2002SS金属化光纤光栅用来取代无胶封装。镀层附着力强，可焊性好，焊接温度短期可承受300度。主要参数：产品型号SuperHawk 2002SS性能指标波长范围1528～1568nm边摸拟制比≥15dB3dB带宽≤0.25nm反射率≥90%镍管长度定制工作温度范围-40~260℃是否需要加工端面定制封装方式金属封装外形尺寸定制出纤方式双端出纤安装方式激光焊接

1. 产品概述NMC 612G 12英寸金属刻蚀机，可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀。2. 设备用途/原理NMC 612G 12英寸金属刻蚀机，可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀，高性能静电卡盘，可用于 Si wafer 及玻璃片稳定吸附，设备提供多种均匀性调节手段。本土化服务及定制化软件配置能力。 3. 设备特点晶圆尺寸 12英寸，适用材料 铝、硅、氧化物、钼、氧化铟锡，适用工艺 铝线、铝垫、硅、介质刻蚀、铝 / 钼 /ITO 等金属刻蚀，适用域 新兴应用、集成电路。百科：&zwnj 半导体金属刻蚀机的原理&zwnj 主要涉及到湿法刻蚀和干法刻蚀两种技术。这两种技术都是半导体制造工艺中非常重要的步骤，用于有选择地从硅片表面去除不需要的材料，以达到在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形的目的。

1. 系统特性Kessel® Pishow® M 金属刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（stripchamber）、冷却腔（cooling chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的铝垫刻蚀及钨回刻（W Recess）工艺也可换用6英寸ESC。2. 工艺数据铝垫刻蚀铝线工艺钨塞刻蚀 3. 详细介绍Kessel&trade Pishow® M 金属刻蚀设备为可用于8英寸的IC产线铝金属工艺的量产型机台，基于自有开发的优化设计，保证了优异的刻蚀均匀性（片内8%，片间5%）和颗粒控制。在4微米厚铝刻蚀工艺中，可以提供8000片/月的产能。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。

1. 系统特性Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备是面向12英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（strip chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.18微米及其他技术代逻辑应用中的高密度铝导线工艺，以及铝垫刻蚀2. 详细介绍Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备，为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的用产品， 同时也可应用于铝垫（Al pad）刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案

1. 产品概述：Super-SPECTROS&trade 200 是一套先进的有机薄膜沉积和金属化系统，针对有机材料沉积进行了优化。它能够实现精确的薄膜沉积控制，可沉积多种材料，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、非晶硅等硅基薄膜，以及各种金属薄膜，在半导体、光电等领域有广泛应用。 2. 设备应用： 半导体领域：用于半导体芯片制造过程中的薄膜沉积，如制作晶体管的栅极绝缘层、金属互连层等，对提高芯片性能和集成度至关重要。例如在先进的逻辑芯片制造中，精确沉积的绝缘薄膜可确保晶体管之间的电隔离，金属薄膜则用于实现芯片内的电路连接。 光电领域：在有机发光二极管（OLED）制造中，可沉积有机发光材料和电极材料等，对于实现高质量的发光显示效果意义重大。比如在 OLED 屏幕生产中，通过该系统精确控制有机薄膜的沉积，能保证发光层的均匀性和稳定性，提升显示品质。 科研领域：为高校和科研机构的材料研究、新型器件研发等提供了强大的实验手段，助力科研人员探索新的材料体系和器件结构，推动相关领域的技术创新和发展。3. 设备特点： 多源配置灵活：多达 12 个 LTE 信号源，并且有 1cc、10cc 或 35cc 等不同容量可供选择，还配备多达 4 个热蒸发源，可满足多种材料和复杂结构的沉积需求，能实现对不同材料的精确控制沉积，为制备多功能、高性能的薄膜器件提供了基础。 精确的沉积控制：具有自动基板、掩膜存储和更换功能，以及基板快门，可确保在沉积过程中对基板的精准操作和保护，实现高质量、均匀性良好的薄膜沉积。例如在制备高精度的光学薄膜时，能保证薄膜厚度和光学性能的一致性。 工艺参数监控与调节：通过高温计端口实时监测沉积过程中的温度等参数，结合 KJLCEKLIPSE&trade 控制软件，实现基于配方的基于 PC 的系统控制，且速率控制分辨率可达 0.05 &angst /s，能够精确控制薄膜的生长速率和厚度等参数，满足不同应用场景对薄膜性能的严格要求。 高效的真空系统：采用低温泵高真空泵和 2 位闸阀，确保系统具有高真空度环境，有效减少杂质和气体对沉积过程的影响，提高薄膜的质量和纯度。例如在制备对纯度要求极高的半导体薄膜时，高真空环境可保证薄膜的电学性能和稳定性。 创新的双楔工具：KJC 双楔工具可将单个基材转换为多个基材，而无需打破真空或进行复杂的掩膜操作。这种方式减少了昂贵且长时间的研究时间，允许在几天而不是几个月内完成大量的基材变化。此外，结合基板的旋转 / 取向操作，可实现多种材料和厚度的组合沉积，极大地拓展了系统的应用灵活性和功能性。 4. 产品参数： 晶圆尺寸：可支持多种规格晶圆，具体支持情况未详细说明，但通常能够满足常见的半导体晶圆尺寸需求。 源的类型和数量：多达 12 个 LTE 信号源，有不同容量选择；多达 4 个热蒸发源。 沉积速率控制：速率控制分辨率为 0.05 &angst /s。 真空系统：配备低温泵高真空泵，确保高真空度环境；采用 2 位闸阀。 温度监测与控制：具有高温计端口，可实时监测温度，但具体的温度控制范围未给出。 软件控制系统：采用 KJLCEKLIPSE&trade 控制软件，基于配方的基于 PC 的系统控制，方便用户进行参数设置和工艺管理。 双楔工具特性：可实现单个基材到多个基材的转换，且能与基板旋转 / 取向结合，实现多种复杂的沉积组合，但关于具体的尺寸、角度等参数未详细说明。 实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

1. 产品概述LMEC-300&trade 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（MTJ）、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发，图形化挑战很大。 LMEC-300&trade 反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺，可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题，也可突破 IBS 路径的工艺线宽局限。薄膜沉积腔室可以不脱离真空环境为器件覆盖钝化层，避免侧壁金属氧化、水化，从而改善可靠性。这种 RIE、IBS与原位钝化工艺集成方案，使 LMEC-300&trade 成为新兴存储器件关键工艺的优选。2. 系统特性设备集成了 Chimera® N 反应离子刻蚀（RIE）腔室、Pangea® A 离子束塑形（IBS）腔室、Basalt® A 原位（in-situ）沉积腔室，工艺不离开真空环境对于磁隧道结等难于形成挥发性产物的金属/合金叠层，该设备可实现等离子体刻蚀、干法清洗和原位钝化保护的功能可提供不同工艺解决方案，满足磁存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（ReRAM）、磁传感器等器件的图形化需求可选配硬掩模刻蚀腔室 Chimera® A，形成从金属硬掩模到器件功能层的一体化刻蚀方案适用于12英寸晶圆

1. 产品概述满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。 2. 产品优势利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化学液叠层控制，占地面积小，多可配置4个刻蚀单元3. 应用域：半导体制造中湿法刻蚀工艺封装域中金属层刻蚀，满足UBM及RDL工艺要求OLED 域中金属及金属氧化物（ITO/IGZO）刻蚀、缓冲层成膜的表面（SiO2）刻蚀清洗等工艺满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

Propel&trade 300mm全自动单晶圆簇系统是唯一经过行业验证的GaN MOCVD工具，能够在300mm衬底上生产5G RF、Photonic和先进的CMOS器件。Propel 300mm 系统采用单晶圆反应器平台，能够在 300mm 晶圆上生产一流的高质量外延膜，具有出色的均匀性、可重复性和产量。Propel 300mm 系统可配置多达 3 个模块化集群室，并提供自动化的膜包到膜包处理，以实现最大的灵活性和生产率。单晶圆反应器基于 Veeco 领先的 TurboDisc® 设计，包括 IsoFlange&trade 和 SymmHeat&trade 技术，可在整个晶圆上提供层流和均匀的温度分布。客户可以轻松地将工艺从 Veeco 单晶圆反应器 Propel 和 Propel HVM 系统转移到 Propel 300mm GaN MOCVD 系统，以便快速开发到生产。

1. 产品介绍 槽式湿法刻蚀清洗设备2. 应用领域RCA清洗，湿法去胶，介质层湿法刻蚀，金属层湿法刻蚀，炉管前清洗等3. 技术参数晶圆尺寸：100mm~300mm4. 设备配置：支持化学液C.C.S.S.、L.C.S.SMarangoni dry 或 spin dry自动换酸，自动补液、配液加热控制，浓度控制，流量控制，压力控制等槽体过温保护，各单元配置漏液传感器支持化学液回收全面支持SECS/GEM通讯协议5. 工艺指标蚀刻非均匀性 片内：≤4%；片间：≤4%；批次间： ≤4%；6. 颗粒控制增加值30颗@0.09μm（带氧化硅膜测试，来料颗粒50颗）7. 金属离子5E9 atoms/cm28. 企业概括深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

1.产品概述： PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。2.设备原理：利用气体放电产生的等离子体，在射频电源的作用下，使气体分子电离并形成离子，这些离子在电场的作用下加速并轰击被刻蚀材料的表面，从而实现材料的去除。RIE技术的关键在于，刻蚀过程中产生的化学反应与物理轰击相结合，既保证了刻蚀的均匀性，又提高了刻蚀的速率。3.特色参数：直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀控制和速率测定出色的晶圆温度均匀性晶圆大可达200mm购置成本低符合半导体行业S2/S8标准小型系统——易于安置优化的电冷却系统——衬底温度控制高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率增加500毫的数据记录功能—— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配通过端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

1. 产品概述GSE C200 多功能刻蚀机等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性.GSE C200采用高密度等离子体源，刻蚀速率高、均匀性好、颗粒控制能力强、易维护、性能稳定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、金属、有机物等多种材料的刻蚀上性能优良。本刻蚀机已进入多家IC Fab主流产线以及化合物等新兴应用量产产线，具有快速导产能力，同时针对大学、科研院所提供高性价比配置。2. 设备用途/原理GSE C200 多功能刻蚀机，等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性。适用于滤波、光电、功率等多个应用领域的多种材料刻蚀与失效分析。刻蚀材料种类覆盖硅、氮化硅、氧化硅、锑化镓、聚酰亚胺、铌、金属、有机物等。提供研发所需的丰富的工艺数据库支持。3. 设备特点晶圆尺寸 8 英寸及以下，适用材料 硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、金属、有机物等，适用工艺多种材料刻蚀工艺，适用领域科研。

1. 产品概述NMC 508系列 ICP刻蚀机，等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率。2. 设备用途/原理NMC 508系列 ICP刻蚀机，等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率。应用域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS，工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀，灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用，突出的量产稳定性，更高的 MTBC。3. 设备特点晶圆尺寸 6/8 英寸兼容，适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅 \ 氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等。适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺。适用域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用。

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体 N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压100 ~ 3000 V 连续可变离子流密度Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速时）O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速时）离子束有效直径Φ 20 mm (FWHM 35 mm)离子流稳定性±5 ％ / 2 H大试样尺寸Φ 4英寸

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压300 ~ 2000 V 连续可变离子流密度Ar: 0.16 ~ 0.20 mA/cm2 以上 (700V加速时）离子束有效直径Φ 108 mm气体导入机构自动流量制御6系統大试样尺寸Φ 6英寸晶片

1. 产品概述NMC 508系列 ICP刻蚀机是电感耦合高密度等离子体（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蚀机，具有高精度、高选择性和高效率等特点。该设备广泛应用于半导体制造、微电子制造、光电子制造等领域，特别是在集成电路、微机电系统（MEMS）、光电子器件等制造过程中发挥着重要作用。2. 设备用途/原理NMC 508系列 ICP刻蚀机的工作原理主要是通过等离子体刻蚀和反应离子刻蚀两种技术实现。在高频电场和磁场的作用下，反应腔中产生等离子体，这些等离子体与反应气体反应，产生刻蚀反应。高频电场和磁场能够控制等离子体的分布和运动，从而实现对面片的精确刻蚀。3. 设备特点高精度刻蚀：NMC 508系列 ICP刻蚀机能够刻蚀出非常精细的图案，满足半导体制造对精度的要求。通过高频电场和磁场的作用，精确控制等离子体的分布和运动，实现对面片的精确刻蚀。多腔室集群设计：该设备为多腔室集群设备（Cluster Tool），具备全自动、能够进行串行或并行工艺处理的能力。系统由传输模块、金属刻蚀工艺模块、去胶模块、冷却模块、电源柜和控制柜等组成，各模块协同工作，确保工艺的高效性和稳定性。优良的颗粒控制能力：通过腔室结构和温度控制设计，提供优良的颗粒控制能力，维护便利。这有助于提升设备的稳定性、重复性和生产工艺水平，确保产品质量的一致性。广泛的应用领域：主要用于200mm硅片的金属铝和钨的刻蚀工艺，适用于0.35-0.11μm集成电路等应用场景。在Logic、BCD、Power（Si/SiC/GaN）、MEMS等多种特色工艺中均有应用。高效生产：北方华创的NMC 508系列 ICP刻蚀机已经实现量产，并在多家客户中完成验证。设备的高效生产能力有助于缩短生产周期，提高生产效率。

1 产品概述: 刻蚀设备是半导体制造、微电子加工及光电子器件生产中的关键设备之一。它利用化学或物理方法，通过选择性去除材料表面的部分区域，以形成所需的图案或结构。刻蚀设备的发展与光刻技术、互连技术等密切相关，是芯片制造流程中不可或缺的环节。随着半导体工艺技术的不断进步，刻蚀设备也在不断升级，以满足更高精度、更高效率、更低损伤的加工需求。2 设备用途：刻蚀设备的主要用途包括：半导体芯片制造：在集成电路（IC）制造过程中，刻蚀设备用于在硅片上刻蚀出晶体管、电容器、电阻器等微细电路结构。这些结构构成了芯片内部的电子元件，决定了芯片的功能和性能。平板显示器制造：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）等平板显示器的制造过程中，刻蚀设备用于制作像素、透明导电层等关键结构。微电子元件制造：刻蚀设备还广泛应用于制造传感器、MEMS（微机电系统）、纳米器件等微小尺度的电子元件。3 设备特点刻蚀设备具有以下几个显著特点：高精度：刻蚀设备能够实现微米甚至纳米级别的加工精度，确保芯片和其他微纳器件的结构精确无误。高效率：通过先进的工艺技术和设备设计，刻蚀设备能够在短时间内完成大量加工任务，提高生产效率。低损伤：在刻蚀过程中，设备采用温和的刻蚀方法和精确的控制技术，以减少对材料表面的损伤和破坏。多功能性：刻蚀设备通常具有多种工作模式和加工能力，可以适应不同材料和结构的加工需求。4 技术参数和特点：除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。为实现制程再现性及安定性搭载了星型电及各种调温技能。拥有简便的维护构造，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。

1. 产品概述：Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。12英寸硬掩膜刻蚀设备2. Herent® Chimera® A系统特性Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备是面向 12 英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）及传输模块（transfer module）构成适用于 55 纳米及其它技术代的 TiN 等硬掩膜刻蚀工艺为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

1. 产品概述ELEDE® 380系列 芯片刻蚀机，先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽。2. 设备用途/原理先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽。多片式托盘，实现高产能，同时确保优异的刻蚀均匀性。全路径全真空，全自动晶圆传输，颗粒控制优。工艺套件设计，更长的耗材寿命。3. 设备特点晶圆尺寸4、6 英寸及特殊尺寸。适用材料 蓝宝石、氮化镓、氧化硅 / 氧化钛、砷化镓、磷化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氮化硅、钛钨、有机物。适用工艺 PSS 刻蚀、电刻蚀、深槽隔离刻蚀、介质反射层（DBR）刻蚀、红黄光刻蚀、钝化层刻蚀、金属阻挡层刻蚀。适用域化合物半导体。

金属纳米颗粒制备 金纳米材料具有众多易于调控的特性，比如局域表面等离子共振、表面增强拉曼、光致发光、易于表面修饰和生物相容性好。这使得金纳米材料广泛应用于我们生活的多个方面。合成金纳米颗粒常用的制备方法有很多，其中，直接FSP火焰喷雾燃烧法生长法应用广泛。金属纳米颗粒制备采用火焰喷雾热解工艺，受益于极短的工艺链使复杂纳米颗粒的生产只需一步。纳米粉末生产FSP通常生产高结晶氧化纳米颗粒。但合成了磷酸盐、纯金属。根据工艺条件。颗粒的典型尺寸范围 5 ~ 50nm。这些初级粒子形成较大的团聚体。 纳米产品的例子包括简单的金属氧化物TiO2Al2O3 ZrO2以及YSZ CGO 钙 矿或尖晶石复杂氧化物。此外：贵金属纳米颗粒可以制造沉积在火焰中的氧化物支持颗粒上于某些组合物。可以制备表面包覆或基质化的纳米颗粒。 FSP纳米颗粒的应用包括:催化剂电池材料陶瓷牙科 生物医学材料体传感器聚合物纳米复合材料陶瓷.... 原材料FSP的源材料是低成本的金属化合物酸盐、硝酸盐或有机金属。这些所谓的前体是混合或溶解在标准有机溶剂。同心甲氧支持火焰、燃前驱溶剂喷雾，并确保稳定燃烧还可以使用可选的护套体。 NPS-20是一种用于纳米颗粒合成的全集成化桌面式火焰喷雾热解装置。应用于研究早期产品开发阶段。NPS-20设计用于快速筛选FSP合成中可用的材料组成 工艺条件的大量参数加速纳米材料的科学发展。纳米颗粒制备仪主要特点：1产品纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，高表面活性，松装密度低，气相法制备，克服了市场上湿化学法制备的颗粒硬团聚、难分散、纯度低等缺点；2表面存在大量的不饱和残键及不同键合状态的羟基，因表面欠氧而偏离了稳定的硅氧结构，所以具有高反应活性，粉体松装密度比较小，容易分散使用；3纳米颗粒晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好，可应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补强增韧，特别是提高陶瓷的致密性、光洁度、冷热疲劳性、断裂韧性、抗蠕变性能和高分子材料产品的耐磨性能尤为。由于颗粒也是性能优异的远红外发射材料，作为远红外发射和保温材料被应用于化纤产品和高压钠灯中。4公司可以进行针对性的表面处理包裹，使得纳米粉体可以稳定地分散在溶剂体系中，形成透明状或半透明状溶胶，应用在涂料、玻璃表面、电子封装等

费氏粒度仪测定原理及使用说明书 一、仪器简介及应用范围AODE-305系列为第四代透过法粒度测定仪，是测定金属、非金属及其化合物粉末的比表面积和粒度的装置。可广泛应用于粉末冶金、精细化工、硅酸盐工业、食品、制药、核工业、以及表面技术的各种粉末粒度和比表面积的测定。本仪器结构简单，操作方便，仪器有快速计算板，不需要复杂计算，测定一次只需3~5分钟。本仪器运用的方法是测定金属及其化合物粉末比表面积和粒度的国家标准：GB11107-89 /GB 3249-82/GBT 11107-2018/GB3249-2009和国际标准：ISO10070-91的方法。AODE-305型带快速计算板，无须复杂计算，可直接读出粒径值，使用操作非常方便。 二、技术性能1、粒度测量范围：0.2μm(微米)─50μm(微米) 2、孔隙度范围：0.25-0.40、0.40-0.80、0.80-0.95 3、精度：3％ 4、工作环境：相对湿度不大于80％，温度：25±10℃ 5、电源：∽220±22v50-60Hz 6、功率：25w 7、重量：12kg8、外型尺寸：755*400*260 三、工作原理及结构本仪器是基于稳定空气流动下，气体透过粉末压缩床，气体的透过率受粉末的粒度、形状和床的有效孔隙度的影响。当已知粉末形状、孔隙度并测出其透过率时，就可以计算出粉末的粒度和各种比表面积。仪器由空气泵、干燥器、水柱稳压器、垂直压力计、泄气阀、试样管、粉末压缩装置、试样管夹紧装置、U型压力计、精密阀、游标卡尺和仪器计算面板等组成。仪器的气流及测压系统如(图一)。 空气由微型气泵(14)加压送入系统，泄气阀(1)和水柱稳压器(13)将过量的空气排入大气，垂直压力计(12)测量供气系统的压力。调节泄气阀开度和水柱稳压器的液面高度将供气压力稳定在500mm水柱。稳压后的少量的空气经干燥器后进入试样管，由U型压力计测得空气出试样管后、进精密阀前的压力。空气最后经精密阀排入大气。在上述系统中，对于一定量的粉末，按国标GB11107-89即可求得粒度值： 上列式中：m为粉末的质量（克）；ρe为粉末物质的物性密度或有效密度；εp定义为粉末床的孔隙度；α定义为试样的下料系数，是粉末质量与密度的比值；Δp是空气透过粉末床试样的压力降（厘米水柱）；H为U型压力计单根水柱上升高度值（厘米），U型压力计是精密等径管制成，真实的压力值应为2H厘米水柱；L为试样（粉末床）厚度，单位为（厘米）；a为仪器常数5.34，具有量纲（厘米）1.5，计算所得Dk值单位为（微米）。AODE-305型：中间的齿轮齿杆（8）的作用是压缩粉末床和测量压力计中水柱高度。四个腰圆型孔用来观察稳压系统的工作情况：左下孔观察水柱稳压器工作时的气泡冒出情况，以3-8（个/秒）的气泡冒出速率为宜。左上孔观察水柱稳压器的水位。右下孔观察垂直压力计的初始值，右上孔观察开泵后垂直压力计的水柱高度值，二者之差才是供气压力真实值。仪器正面的快速计算板上图形意义如下：横坐标表示的是试样的孔隙度值，纵坐标是公制的长度单位，可度量压力计的水柱高度和粉末床的厚度。中间互不相交的曲线簇是不同孔隙度和不同压力时的等粒度线，图形下部和等粒度线相交的粗黑线是试样（粉末床）厚度线L0，它的横坐标值是α=1时不同厚度粉末床对应的孔隙度值，计算板可左右移动。图二 四、仪器的调试与校准 仪器使用前必须进行调试和校准，两种型号基本相同，主要有三项： 1、U型压力计的校准 调节升降齿杆的旋钮，使齿杆上的指针与计算板的水平坐标基线平齐，此时U型压力计的基准水平面应与齿杆上的指针座平面平齐如（图四）所示。如不平齐，可先调节水位微调阀（图二-13）；如仍调节不到位，则须对U型压力计进行加水（当U型压力计的基准水平面低于指针座平面时）或放水的操作（当U型压力计的基准水平面高于指针座平面时）。加水操作：全部松开微调阀，将水加入加水小漏斗（图一-5），再松开流量计加水阀（图一-4，图二-11），慢慢放水入U型管，当U型管压力计的基准水平面接近指针座平面时，关闭加水阀。放水操作：松开加水阀（图二-11），用注射器吸出小漏斗内多余的水，直至U型压力计的基准水平面略低于齿杆上的指针座平面平面，关闭加水阀。最后调节微调阀，即可使U型压力计的基准水平面与齿杆上的指针座平面平齐。2、气源压力的校准与调节：供气压力应始终保持在500±0.5mm水柱。将水柱稳压器加水至规定高度，记下垂直压力计的初始刻度值（图三-15）。将空试样管接入气流系统如（图二-14）、（图三-14）并夹紧。开气泵，垂直压力计水位上升，调节泄气阀（图二-2），使压力计水柱上升500毫米，即达到（500毫米+初始值），并维持此高度至测试结束。测试过程中，如有变动，随时调节泄气阀，保持气源压力的稳定。 3、精密阀的校准：将标准管代替试样管进行测试，气流稳定后，U型压力计的读数应与标准管上标定的数值一致：若不一致，旋转调节精密阀（图二-10），使U型压力计的读数与标准管上标定的数值一致，稳定三分钟不变即可关泵停止。五、使用与操作步骤 1、仪器的准备：对于经常使用的仪器，在使用前须做前一节中1、2项，即U型压力计水平基准校准和供气压力校准两项。第3项只作定期的检查（一个星期左右一次，或视使用频度而定）。仪器调试好后，停泵侯用。2、试样的制备：在千分之一的天平上称待测干燥粉末m克，用漏斗将其灌入带有一片快速滤纸和一多孔塞的试管中，试管插入橡皮坐上，漏斗及纸上附着的粉末用毛刷扫入试管中，然后盖一片滤纸和多孔塞。称取粉末的数量时，应考虑下料系数α，以求得较高的测试精度。α取值的原则是：使测量时U型压力计的水柱高度落在满量程的1/3~2/3内，粉末越粗，α值应越大；粉末越细，α值应越小。当Dk=1~20微米范围，α可取值为1~2；当Dk=20~120微米范围，α可取值为2~5，此时滤纸应用针钻孔5~6个消除滤纸阻力；当Dk=0.5~1微米范围，α可取值为0.5~1；当Dk小于0.5微米时，α可取值为0.5~0.03。将装有被测粉末的试管一头套在压缩装置底座的圆柱上，另一头在齿杆下紧压，用游标卡尺测出粉末床的厚度L，由此算出试样的孔隙度 3、测量：将粉末试样管从齿杆下取出接入试样夹头处夹紧（图三-14），开气泵，通气3分钟，稳定后，利用游标测量出U型压力计的水柱上升量H。4、计算：将已知的α、εp、H和L值代入公式（5），即可求得Dk；粉末粘性流比表面积为：（微米）-1，或（米2/厘米3）。 停泵开泵重新读一次，测量数据，两数相对误差小于3%，就是本次测试的最终结果。若大于3%，再重新测样，在此孔隙度下或接近此孔隙度值，测出试样的Dk值，最后，三数据平均值为试样结果。 若试样Dk小于0.4微米，通常应计算β值，和δ值。 也可从β值查δ-β曲线（图六）得到δ，则Dv，Sv注意：三次测量应给粉末床加不同压力，以得到三种不同孔隙度下测得的粒度值。三值比较起伏应不超过3%。报告结果时，应指明测量时的孔隙度。Dv是纳米级粉末所须粒度。1、仪器测试：对于经常使用的仪器，在使用前须做前一节中1、2项。第3项只作定期的检查（视使用频度而定）。仪器调试好后，停泵侯用。 2、试样的制备：下料系数α取1，即m=ρe。在千分之一的天平上称待测干燥粉末m克，用漏斗将其灌入带有一片快速滤纸和一多孔塞的试管中，试管插入橡皮坐上，漏斗及纸上附着的粉末用毛刷扫入试管中，然后盖一片滤纸和多孔塞。将装有被测粉末的试管一头套在压缩装置底座的圆柱上，另一头在齿杆下紧压，移动计算板，找到试样高度线L0上与齿杆上的指针针尖等高的点并对准，该点的横坐标值即为粉末床的孔隙度εp。计算板保持不动。3、 测量：将粉末试样管从齿杆下取出接入试样夹头处夹紧打开开气泵，通气三分钟，待U型压力计读数稳定，调节齿杆，使指针座平面与U型压力计水面平齐，此时齿杆指针所指的粒度值即为Dk。4、 α≠1时的测量：当粉末粒度Dk≥20或≤1微米，改变粉末的下料系数（取α≠1）可提高测量的精度。此时，可采用与PSI-4B型相同的计算法测量。α取值的原则亦同。利用升降齿杆测出粉末床的厚度和水柱高度，代入公式（3）、（4）、（5）即可得出Dk。 粉末粘性流比表面积为：（微米）-1，或（米2/厘米3）。六、仪器的维护与保养1、仪器内使用的水必须是蒸馏水。2、经常保持仪器清洁，注意不要让粉末进入系统中。 3、经常检查橡皮管是否有老化、开裂导致的漏气。如有应及时更换。4、精密阀校准后，一般不准再动。如果不小心碰动，应重新校准。5、橡皮和玻璃管道内的水柱中不能夹带气泡。 6、仪器干燥剂的检查与更换：仪器出厂时以装好变色硅胶干燥剂在气路中，正常状态硅胶为兰色，受潮时变为粉红色。硅胶变红后，将其从管道中取出，换上干燥硅胶，管道不得泄漏溢气。原硅胶可在120℃~130℃干燥2~3小时脱去已吸附的水分后，可反复多次使用。 附注：仪器附件箱装有：美式针阀3套(已经安装到主机)，扭力计一套，试样管一只，多孔塞两只，毛刷一把，多孔塞提推杆一条，漏斗一个，橡皮坐一个，快速滤纸一盒，标准管一支，金属勺子一把，注水器一只，软管一根。

纳米颗粒制备仪 桌面式喷雾燃烧合成纳米颗粒材料火焰喷雾热解(FSP)是一种多功能经济高效的纳米颗粒生产工艺。它依赖于含金属或过渡金属化合物的液体原料在高达3000度的温度燃烧。产品纳米颗粒在几毫秒内形成在过滤器上以干粉的形式收集。 火焰喷雾热解工艺受益于极短的工艺链使复杂纳米颗粒的生产只需一步。纳米粉末生产FSP通常生产高结晶氧化纳米颗粒。但合成了磷酸盐、纯金属。根据工艺条件。颗粒的典型尺寸范围 5 ~ 50nm。这些初级粒子形成较大的团聚体。 纳米产品的例子包括简单的金属氧化物TiO2Al2O3 ZrO2以及YSZ CGO 钙 矿或尖晶石复杂氧化物。此外：贵金属纳米颗粒可以制造沉积在火焰中的氧化物支持颗粒上于某些组合物。可以制备表面包覆或基质化的纳米颗粒。 FSP纳米颗粒的应用包括:催化剂电池材料陶瓷牙科 生物医学材料体传感器聚合物纳米复合材料陶瓷.... 原材料FSP的源材料是低成本的金属化合物酸盐、硝酸盐或有机金属。这些所谓的前体是混合或溶解在标准有机溶剂。同心甲氧支持火焰、燃前驱溶剂喷雾，并确保稳定燃烧还可以使用可选的护套体。 NPS-20是一种用于纳米颗粒合成的全集成化桌面式火焰喷雾热解装置。应用于研究早期产品开发阶段。NPS-20设计用于快速筛选FSP合成中可用的材料组成 工艺条件的大量参数加速纳米材料的科学发展。主要特点：实验室规格火焰喷雾反应器低脉动注射可精确输送液体前体用于输送工艺前体的质量流量控制器:火焰检测器集成微处理器、电子板。用于过程控制，通信通过rs232玻璃纤维过滤器：干式旋式真空。用于产品粉末的收集压力及温度计以监察过滤器的状态。

美国Nisene 化学/激光开封、湿法去层 Nisene是一家专注从事失效分析开封设备的美国公司，有着30多年自动开封研发制造历史。作为自动塑封开封技术的世界领导者, 可以提供全面的产品,方法和技术支持来满足所有半导体器件的开封要求.Nisene公司承诺提供创新的, 高质量的产品来满足半导体器件失效性分析领域内不断变化的需求.针对OmniEtch其独特的，专利的湿化学刻蚀技术，利用特殊的媒质材料将腐蚀液包含其中，对芯片的各个层面（主要是金属层）进行腐蚀而不相互影响，对集成电路IC（无论是个人芯片或者晶圆级），它能够很快、很精确地刻蚀芯片&mdash &mdash 一个高标准的选择。其优点表现在：1、用户可选的蚀刻化学媒介,湿刻蚀能去除金属层和多晶硅列；2、用户可选的蚀刻时间和蚀刻温度；3、可设定泵的转速（150-600 RPM）来控制蚀刻的效果；4、专有36-6载体媒介通过芯片内部通道去除下一层，蚀刻再循环使用，节省蚀刻化学剂；5、蚀刻目的非常明确到具体层，蚀刻效果非常平坦，没有斜角或圆角 ；6、没有热量或机械摩擦损坏样品，能通过石英窗口观测蚀刻过程和状况；7、设备小巧，只需很小的空间摆放,操作简单，便于清洁和维护；8、微电脑配备彩色触摸屏用户界面 ，方便设定和操作；

1 产品概述: 干法刻蚀是一种利用物理或物理与化学相结合的方法，通过高能气体分子或离子束轰击固体表面，使材料发生化学反应或物理溅射，从而去除不需要的部分，实现高精度的加工过程。干法刻蚀在半导体制造、微纳加工、光学加工等领域具有广泛应用，是芯片制造中的关键技术之一。2 设备用途：干法刻蚀设备主要用于以下领域：半导体制造：在半导体芯片制造过程中，干法刻蚀被用于去除硅片表面的多余材料，形成精确的电路图形。这是半导体制造工艺中的关键环节之一，直接影响芯片的性能和良率。微纳加工：干法刻蚀机在微纳加工中扮演着重要角色，能够制作出微米和纳米级别的精细结构，如微型天线、纳米光子晶体、微结构电极等。光学加工：在光学领域，干法刻蚀机被用于制作高精度、高质量的光学元件，如微型透镜、激光反射面、偏振器件、光通讯器件等。3 设备特点干法刻蚀设备具有以下特点：高精度：干法刻蚀能够实现微米甚至纳米级别的加工精度，满足高精度加工的需求。高选择比：干法刻蚀在刻蚀过程中能够精确控制不同材料的刻蚀速率，实现高选择比刻蚀，减少对其他材料的损伤。各向异性好：干法刻蚀技术能够产生垂直度高的侧壁，有利于形成精确的图形结构。刻蚀损伤小：相比湿法刻蚀，干法刻蚀在刻蚀过程中产生的损伤较小，有利于保护底层材料。 4 技术参数和特点： 对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子）产品特性在洁净房内作业可扩张为双腔。（可选配腔室：NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室），为时间空间可控的等离子，因此设备干法清洁容易。腔体维护简便。从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀，可提供各类工艺解决方案。门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

产品概要：RKD的Elite Etch Cu是一台可为铜线开封的化学开封机，通过集成了先进的特点来实现更高的产能。这台开封机可以通过将精密分配微等分的硝酸、硫酸或混酸到样品器件上，可开封直径为0.8mil铜线的塑封料。基本信息：每一次微等分的酸被输送到刻蚀腔内，由于泵产生的足够大的压力将会创造出非常大的湍流，可以极大的提高封装材料的去除效率。对酸温度的精密控制，并结合更高的分配效率使得对于铜线器件的开封不会产生引线或金属化损伤。特殊设计的酸热交换器能够在高达8ml每分钟的流量内精的确将酸温度控制在10℃到250℃范围内。即使是在低温度时，高的酸脉冲率也能获得合理的刻蚀时间。技术优势：Elite Etch Cu配置了一个酸控制器刻蚀头，它是由优质碳化硅材料制造的，具有很强的耐酸性。刻蚀头设计用于降低在开封工艺结束时残留在刻蚀头上残留酸的烟化现象,对于操作员更加安全，并且对酸的清洁也更方便。器件压制组件(压杆芯头)是气动激活的推杆，压杆芯头正常状态时缩回，当安全罩完全关闭时伸出，当刻蚀罩盖下以后，压头自动从上到下直线移动，沿垂直方向直接将固定样品或治具安全地固定刻蚀头上，可以完全消除被刻蚀器件和治具的移动。 Elite Etch Cu 在瓶子容器和开封器之间的所有流体接口都采用双重密封。瓶子容器组件和刻蚀机内部都配置了流体传感器，如果出现任何酸瓶或内部装置的酸泄漏，都会立即向操作员发出漏酸警 报。瓶子容器采用了通用的旋转互联，使得酸瓶更换非常简单，尽量避免接触残酸。 Elite Etch Cu开封机采用自动高低压气体转换系统和安全盖内部安全气压补充，确保操作员安全，并且更加节省N2气消耗。设备采用光 纤感应传感器检测开封时刻蚀罩盖上后的密合度。废酸收集采用了独特的冷却热交换系统，可将废酸冷却至90℃及以下，用于将废酸收集在一个废酸瓶内，而无需两个废酸瓶以及硝酸硫酸转换阀。单独的手持式键盘控制，可以在通风厨外面 进行控制避免酸对控制面板和电路的腐蚀。 应用方向：这台开封机可以通过将精密分配微等分的硝酸、硫酸或混酸到样品器件上，可开封直径为0.8mil铜线的塑封料。

1 产品概述: 干法刻蚀是一种利用物理或物理与化学相结合的方法，通过高能气体分子或离子束轰击固体表面，使材料发生化学反应或物理溅射，从而去除不需要的部分，实现高精度的加工过程。干法刻蚀在半导体制造、微纳加工、光学加工等领域具有广泛应用，是芯片制造中的关键技术之一。2 设备用途：干法刻蚀设备主要用于以下领域：半导体制造：在半导体芯片制造过程中，干法刻蚀被用于去除硅片表面的多余材料，形成精确的电路图形。这是半导体制造工艺中的关键环节之一，直接影响芯片的性能和良率。微纳加工：干法刻蚀机在微纳加工中扮演着重要角色，能够制作出微米和纳米级别的精细结构，如微型天线、纳米光子晶体、微结构电极等。光学加工：在光学领域，干法刻蚀机被用于制作高精度、高质量的光学元件，如微型透镜、激光反射面、偏振器件、光通讯器件等。3 设备特点干法刻蚀设备具有以下特点：高精度：干法刻蚀能够实现微米甚至纳米级别的加工精度，满足高精度加工的需求。高选择比：干法刻蚀在刻蚀过程中能够精确控制不同材料的刻蚀速率，实现高选择比刻蚀，减少对其他材料的损伤。各向异性好：干法刻蚀技术能够产生垂直度高的侧壁，有利于形成精确的图形结构。刻蚀损伤小：相比湿法刻蚀，干法刻蚀在刻蚀过程中产生的损伤较小，有利于保护底层材料。 4 技术参数和特点：4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。&bull 搭载了在化合物半导体域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。&bull 高生产性（比以提高140%）。&bull 为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电。&bull 彻底贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。&bull 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。

产品详情 德国Sentech离子刻蚀与沉积机 200 RIE Cost-effectivenessRIE plasma etcher Etchlab 200 combines parallel plate plasma source design with direct load.成本效益：RIE等离子体蚀刻机Etchlab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。 可升级性：根据其模块化设计，Etchlab 200可以升级为更大的抽油机、真空负载锁和额外的气体管道。 SENTECH控制软件：用户友好功能强大的软件包括模拟GUI，参数窗口，食谱编辑器，数据日志，用户管理。Etchlab 200 RIE 等离子体蚀刻机是一种将RIE平行板电极设计的优点与直接负载的低成本设计相结合的直接负载等离子体蚀刻机系列。Etchlab 200具有简单快速的样品加载功能，从零件到200a€‰mm或300a€‰mm直径的晶圆片直接加载到电极或载体上。Etchlab 200的设计特点是灵活性、模块化和占用空间小。大型诊断窗口位于顶部电极和反应器可以很容易地容纳森泰克激光干涉仪或OES和RGA系统。椭圆度计端口可用于使用森泰克原位椭圆度计进行过程监测。 Etchlab 200可配置用于处理与晶圆片直接加载兼容的材料，包括但不限于硅和硅化合物、复合半导体、介质和金属。 Etchlab 200由先进的森泰克控制软件操作，使用远程现场总线技术和非常友好的通用用户界面。 Etchlab 200RIE plasma etcherOpen lidFor up to 200?mm wafersDiagnostic windows for laserinterferometer and OESEllipsometer ports optionally availableRIE等离子体刻蚀机打开盖子适用于200毫米晶圆激光干涉仪和OES诊断窗口椭圆偏振计端口可选Etchlab 200 with loadlock带有loadlock的Etchlab 200RIE etcher with loadlockFor 4?inch up to 8?inch wafersCarriers for pieces and smaller wafersChlorine etching chemistryLarger pumping unit带有loadlock的RIE蚀刻器适用于4英寸到8英寸的晶圆片片材和较小晶圆片的载体氯腐蚀化学更大的抽油机 Etchlab 200 ～ 300 RIE plasma etcherOpen lidFor up to 300?mm wafersDiagnostic windows for laser interferometer and OESRIE等离子体刻蚀机打开盖子可用于300毫米晶圆激光干涉仪和光学系统诊断窗口