硅单晶材料

产品名称：单晶靶材 产品简介：我公司是各种靶材的专业生产商。可为光学镀膜、半导体、磁数据存储，玻璃，机械加工等镀膜企业和科研院所提供高品质（高纯度、高致密度、单相性好）的靶材。不仅满足了国内科研院所及相关企业的需求，而且远销至美国、德国、日本、韩国、新加坡等国家和地区，并得到客户的称赞和信赖。欢迎来函来电定购。本公司生产的单晶靶材由单晶棒制作，质量可靠，为广大用户理想选择。 具体信息：材料纯度相对密度最大直径Al2O34N100%4"CaF24N100%2"GaAs5N100%2"GaP5N100%2"LaAlO34N100%3"LiNbO34N100%3"LiTaO34N100%3"MgO4N100%2"SrTiO34N100%1"SiO24N100%4"Si5N100%6"Ge5N100%4"YSZ4N100%2"

DAD-4型交流法导电材料电阻率测试仪关键词：电解质溶液、导电凝胶、碳粉、石墨烯粉体浆料 DAD-4型交流法导电材料电阻率测试仪是一种区别于直流法测试材料电阻率的新的测试方法，主要是针对于离子导电物质（如电解质溶液、导电凝胶）和导电粉体悬浊液（如碳粉、石墨烯粉体浆料）设计的电阻率测试仪器。适用范围：广泛应用于科研单位、高等院校对凝胶、溶液、离子导电材料以及不适用于直流测试样品的导电性能测试。一、主要功能材料测试项目：1、离子导电物质（如电解质溶液、导电凝胶）电阻率，电导率测试2、导电粉体悬浊液（如碳粉、石墨烯粉体浆料）电阻率，电导率测试3、可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或 PE 膜等基底薄膜涂层电阻率/方阻二、符合：符合：符合 GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等国标并参考美国 A.S.T.M 标准。三、 优势特征：1、本测试仪特增设测试结果自动分类功能。2、可定制 USB 通讯接口，便于其拓展为集成化测试系统中的测试模块。3、8 档位超宽量程，行业。 同行一般为五到六档位。4、仪器小型化、手动/自动一体化。5、仪器操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便而且免除模拟定位器的不稳定。6、 探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。四、基本技术参数3.1 测量范围1、电阻率：2πS*（0.10Ωm～100kΩm），（ S 针距，单位 m）2、电阻：0.10Ω～100.0kΩ3、 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)4、直 径：测试台直接测试方式 180mm×180mm5、手持方式不限. 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm,6、测量方位: 轴向、径向均可7、碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距 1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调(薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距 2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调8、电源：22V，DC 8.4V (充电锂电池，大容量电池为厂家定制)9、.外形尺寸、重量：10、主 机： 240mm（长）×130 mm（宽）×50mm（高）， 净 重：≤2.5kg11、带电脑软件，可以保存、查询、统计分析数据和打印报告。12、USB 通讯接口，通用性好、方便快捷。13、可以配置ZJ-3型压电测试仪进行D33系数测试

YXG-2型单晶滚磨X射线定向仪YXG-2 MODEL SINGLE CRYSTAL GRINDER X-RAY ORIENTATION INSTRUMENT 产品特点用于大直径硅单晶及蓝宝石参考面的定向测量,也可以用于其它种类的单晶定向测量,需和磨床配合。因该机测量的角度是固定的,所以保证了滚磨后晶向的准确性。 FeaturesThis model suits for orientation measurement of cylindrical surface of silicon single crystal with big diameter. It can also be used for other types of single crystal' s orientation measurement. It is specially used with roller mill, orientation for crystal cylindrical surface. Because this machine is with fixed angel and assures precision of crystal' s direction after rolling mill, products' orientation precision can be improved. 技术指标●输 入 电 源: 单相交流电压220V,50Hz,0.3kW● X 射 线 管: 铜靶,风冷.管电压:30kV,管电流:0~5mA●计 数 器: 盖革计数管●时 间 常 数: 0.1、0.4、3秒三档●狭 缝: 4' 5' 6' ●光 闸: 电动●外 形 尺 寸: 控制部分:550mm(长)×350mm(宽)×1700mm(高) 测试部分:750mm(长)×550mm(宽)×1750mm(高)●重 量: 180kg TechnicalParameters●Input power: Single-phase AC voltage with 220V,50Hz,0.3kW●X-ray tube: Cu target, air cooling. Tube voltage: 30kV, Tube current :0~5mA●Counter: Geiger counter●Time constant: 0.1s, 0.4s, 3s●Slit range: 4' , 5' , 6' ●Optical Shuttle: electricity●Size:Controller device:550mm(L)×350mm(W)×1700mm(H) Testing device:750mm(L)×550mm(W)×1750mm(H)●Weight:180kg

产品名称：A-Z单晶蒸发料产品简介：产品规格：1-6mm，不规则形状；规格形状，3x3x3mm，5x5x5mm；可按照客户要求加工尺寸产品种类：Al2O3YSZCdWO4NdCaAlO4GGGLSATLaAlO3LaSrAlO4SrTiO3MgAl2O4TiO2MgO 标准包装：1000级超净室100级超净袋包装 规则形状 不规则形状 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米 装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤 热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

四电弧高温单晶生长炉 日本GES公司生产的四电弧高温单晶生长炉，采用电弧放电的高温材料合成方法，非常适合生长化学性质活跃但熔点高（一般在3000摄氏度左右）的金属间化合物，包括含有稀土元素（或者金属铀）的二元及四元金属间化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金单晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金单晶。生长的过程中，原料放在旋转的铜坩埚中，四个电同时放电形成高温熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法将熔化的原料拉成单晶。样品室的真空度可达10-6托，也可以充入保护性气体。产品特点* 采用四电弧法加热* 可实现3000°C高温* 适用于金属间化合物材料基本参数样品腔：高温度：3000℃气氛：Ar工作压强：5x10-6 Torr~1.1Atm真空度：10-6 Torr尺寸:直径208*300H材料:不锈钢冷却:水冷提拉棒：提拉生长速度：0.1-39mm/hr转动速度:0-10rpm行程：150mm坩埚：转动速度：0-10rpm行程：20mm电弧电流：样品：25/30A（可调） 真空吸气剂：25/30A（可调）炉体：重量：350Kg尺寸：600W*700D*2155H工作原理图发表文章1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013), 124 (2):336-339.2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf, Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. , 013004 (2020).国内用户单位北京大学中科院物理所复旦大学国外用户单位Tokyo UniversityOkayama UniversityOsaka UniversityUniversity of California San DiegoUniversity of MarylandVienna University of Technology

CGS-Lab单晶炉是PVA产品线中最小的直拉法晶体生长系统，专门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于最多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设备开炉状态时高度为3.4米，对安装场地的高度要求相当低。晶体提升速度和旋转速度适用于生产特定尺寸的晶棒。借助用于直径测量的相机系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。提供适合工厂需求的真空泵和除尘器 (SiO) 系统。产品数据概览:最大晶棒直径： 4英寸晶棒长度： 最长300 毫米装料容量： 高达5公斤热场： 10英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！应用领域可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀 ● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力● 采用了特的实时温度集成控制系统RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数： 加热控制加热类型5束激光激光功率2KW熔区温度2600℃ ~ 3000℃*温度稳定性+/-1℃晶体生长控制 晶体生长设计长度可达150mm*晶体生长设计直径可达8mm*晶体生长速度/转速可达 300mm/hr 100rpm样品腔可施加压力可达10bar样品腔气氛多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配晶体生长监控高清摄像头晶体生长控制PC控制*具体取决于材料及实验条件应用案例采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： RubyDy2Ti2O7BaTiO3 Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供用户单位东京大学日本国立材料研究所

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar 最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

单晶铁石榴石YIG球体和立方体铁石榴石球体和立方体（单晶YIG）具有低衰减和很高的品质因数！单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品描述：昊量光电全新推出的单晶铁石榴石YIG球体和立方体，十多年来，matesy一直在制造具有高Q值的低衰减单晶铁石榴石球体，用于商业微波应用。单晶铁石榴石YIG球体和立方体设计与功能:单晶材料通常由高温溶液（助焊剂熔体）生长而成。将单晶切成薄片，然后切成立方体，以产生直径约为 0.25 毫米的光学抛光球体。然后将它们四舍五入成球体，并进行蕞高质量的蕞终表面抛光。球体的饱和极化（4pMs）取决于抗磁性离子取代的程度。matesy 目前提供 4pMs YIG 立方体和 1600 ± 80 G 的球体，铁磁共振线宽 ΔH 的典型 FWHM 小于 1.5 Oe。单晶铁石榴石YIG球体和立方体技术规格：铁磁共振线宽ΔH的典型FWHM小于1.5 Oe4pMs von 1600 ± 80 G球体直径： 0.25 mm立方体尺寸：0.5 mm 边缘长度单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品亮点：低缺陷单晶确定每个球体的饱和磁化强度单晶铁石榴石YIG球体和立方体优势：低衰减高 Q 值YIG薄膜应用领域：钇铁石榴石 （YIG） 单晶主要用于构建微波振荡器（YIG 振荡器）和滤波器，这些振荡器和滤波器可以通过外部磁场进行频率调谐。YIG球体被用作这些固态谐振器中的频率决定元件。产品详细信息可联系我们或下载数据资料！更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

EVG301 Single Wafer Cleaning SystemEVG301 单晶圆清洗系统 研发型单晶圆清洗系统 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。 EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的R＆D型系统，适用于灵活的清洁程序和300 mm的能力。 EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。 特征使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高效清洁单面清洁刷（选件）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程 选件带有红外检查的预粘接台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米清洁系统：开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：最高3000 rpm（5秒内）超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：30-60 W去离子水流量：最高1.5升/分钟有效清洁区域：?4.0 mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：最大 2.5 W /cm2有效面积（最大输出200 W）去离子水流量：最高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石；刷；材质：PVA

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用*广泛,*重要的基片材料之一。目前,铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的**物理性质, 直径为3英寸,上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 中层为2微米厚的二氧化硅（SiO2）, *下层为0.5毫米厚的铌酸锂芯片衬底。其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜集成到铌酸锂衬底上，此结构可应用于电光调制器、光波导、谐振器、声表面波器件、铁电存储器等。 技术参数 产品应用 光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽,功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。信息存储领域, 可实现高密度信息存储。电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。

高精度光学浮区法单晶炉Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，温度可达2100℃-2200℃，系统采用高效冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率......应用领域：✔ 高温超导体✔ 介电和磁性材料✔ 金属间化合物✔ 半导体/光学晶体/宝石产品特点：✔ 占地空间小，操作简单，易于上手，立支撑设计✔ 镀金双面高效反射镜，加热效率更高✔ 可实现温度达2150°C✔ 稳定的电源✔ 内置闭循环冷却系统，无需外部水冷装置✔ 采用商业化标准卤素灯 光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。 浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点高材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。镜面系统 部分生长晶体Photographs of (a) a wafer with a growth rate of 5 mm/h in pure oxygen. (b) An as-grown (Nb + ln) co-doped TiO2 crystal with growth rate of 5 mm/h in air and the crystal wafer cut perpendicular to the growth direction.发表文章1. Evidence of linear magnetoelectric effect in Mn4Nb2O9 single crystal, Journal of Alloys and Compounds, Volume 886,2021,161272,ISSN 0925-8388.2. Enhanced stability of floating-zone by modifying its liquid wetting ability and fluidity for YBa2Cu3O7-δ crystal growth, Ceramics International，Volume 47, Issue 4, 15 February 2021, Pages 5495-5501.3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).4. 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能, 硅酸盐学报 Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.5. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.国内合作用户，排名不分先后北京大学武汉大学中科院物理所吉林大学中科院硅酸盐所哈尔滨工业大学上海大学浙江师范大学南京大学浙江大学东南大学南方科技大学中科院宁波材料所曲靖师范学院西北工业大学

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g) 发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

产品型号： SrTiO3钛酸锶单晶基片产品简介：SrTiO3 单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料，同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。科晶公司拥有独立全套生产线，从高质量SrTiO3粉末，SrTiO3单晶到多种尺寸外延抛光基片，可为全球提供高质量低价位的SrTiO3单晶及基片。技术参数：晶体结构立方 晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度 6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300 损耗正切~5x10-4 @ 300K , ~3 x10-4 @77K颜色及外观透明（根据退火状态有时有轻微的棕色）无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia30x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A；可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：等离子清洗器专业清洗（详情请点击），1000级超净室，100级超净袋封装, 相关产品： SrTiO3LSATLaAlO3MgO旋转涂层机 SrLaAlO4NdCaAlO4SrTiO3YSZ基片包装盒系列

TD-5000型单晶X射线衍射仪产品介绍国内独家—填补国内空白仪器功能： TD-5000 X射线单晶衍射仪主要用于测定无机物、有机物和金属配合物等结晶物质的三维空间结构和电子云密度，分析孪晶、无公度晶体、准晶等特殊材料结构。测定新化合物(晶态)分子的准确三维空间(包括键长、键角、构型、构象乃至成键电子密度)及分子在晶格中的实际排列状况 可以提供晶体的晶胞参数、所属空间群、晶体分子结构、分子间氢键和弱作用的信息以及分子的构型及构象等结构信息。它广泛用于化学晶体学、分子生物学、药物学、矿物学和材料科学等方面的分析研究。X射线单晶衍射仪是以丹东通达科技有限公司为牵头单位，承担的国家科技部-【国家重大科学仪器设备开发专项】立项的高新技术产品，填补国内没有单晶衍射仪研制和生产的空白。仪器特点：整机采用可编程序控制器PLC控制技术； 操作方便，一键式采集系统；模块化设计，配件即插即用，无需校准；触摸屏实时在线监测，显示仪器状态；高功率X射线发生器，性能稳定可靠；电子铅门联锁装置，双重防护。仪器精度：2θ角重复精度：0.0001°；最小步进角度：0.0001°； 温度控制范围：100K—300K控制精度：±0.3K测角仪：采用四圆同心技术来保证无论发生怎么样的转动均可使测角仪中心保持不变,实现获得最精准的数据的目的,得到更高的完整率，四圆同心是常规单晶扫描的必要条件。PILATUS混合像素探测器：采用PILATUS混合像素探测器能够实现最好的数据质量的同时保证低功耗和低冷却的特点,该探测器将单光子计数和混合像素这两项关键技术相结合，应用于同步辐射和常规实验室光源等各个领域，有效排除读出噪声和暗电流的干扰，混合像素技术可以直接探测X射线，更易分辨信号，并且PILATUS探测器可以高效提供优质数据。 高速二维面探测器特点（可选配）： 敏感区域 [mm2]：83.8 × 70.0像素尺寸 [µ m2]：172 × 172像素间距： 0.03%最大帧速率[Hz]：20读出时间[ms]:7能量范围[keV]:3.5 - 18低温设备：通过低温设备采集的数据结果更加理想，在低温设备的作用下可提供更多的优势条件可以使不理想的晶体获得理想的结果，也可使理想的晶体获得更理想的结果。温度控制范围:100K~300K； 控制精度:±0.3K 液氮消耗量:1.1~2升/小时；完美的控制软件及测试结果：可选附件：多层膜聚焦透镜：X射线管功率：30W或50W；发散度：0.5~1 mrad；X射线管靶材：Mo /Cu 靶；焦斑：0.5~2 mm销售业绩：

ST2722-SZ型四探针法粉体粉末电阻率测试仪产品信息名称：ST2722-SZ型四探针法粉末电阻率测试仪品牌：苏州晶格产品特点 ST2722型半导体粉末电阻率测试仪是四探针法测试粉末电阻率的测量仪器。 四探针法测试台设计符合符合新GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“电阻率-压强曲线，” 原厂专利产品，行业粉末电阻率标准测试方式。产品特写图 操作-加料准备 操作-加料完毕 操作-调节料杯容量控制加料量 读取-电阻率值和测试压强条件参数 二、概述 2.1基本功能和依据标准： ST2722型半导体粉末电阻率测试仪是运用四探针法电阻率测试仪与自动化粉末压片机相组合，测试粉末“电阻率-压强”特性曲线的集成化、智能化测量仪器。四探针法符合新GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。2.2仪器成套组成：整套仪器有ST2722电阻率测试仪主机和SZ或SD型粉末压片机两大部分以及配套的电脑软件组成。 主机是整个系统电气控制显示主要部分，主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统单元以及压力、厚度显示单元、与PC机通讯单元等组成。压片机压片机由粉末标准容器、电极、加压机构、压力检测、厚度检测、连接线缆等单元组成。是粉末压片成型装置，用来装夹粉末（含高分子粉末和金属粉末等），进行压力施加（压片）和自动压力检测、高度检测。（以下简称压片机）。2.3优势特征： 1)测试仪设计，符合国标和行业规范，获国家专利。专利号：ZL201220082173.9 ST2722-SZ四探针法设计符合***新GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。2)同步式连续多点测试，高效快捷、准确度高、重复性好。一次装料，电阻率、压强、高度同步式连续多点测试，可快速绘制粉末“电阻率-压强”曲线。行业推荐粉末电阻率标准测试方式。可避免传统异步式的先压片脱模后再四探针测试的缺项：误差大，重复性差，直至散块不能成形无法测试的问题。3)带智能化电脑软件.可以保存、查询、统计分析数据和打印报告。4）USB通讯接口，通用性好、方便快捷。优于RS232或485方式，这些端口一般电脑都难配了！5）8档位超宽量程。同行一般为五到六档位。6）可脱电脑单机操作,小型化、手动/自动一体化。操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数码键盘输入。7）可拓展功能：压片机可独立当普通压片机用，电阻率测试仪也可以增配四探针测试台、探头拓展为普通四探针测试仪或电池极片电阻率测试仪。2.6适用范围： 本仪器具有操作简便高效、测量精度高、稳定性好、重复性好，一机多用使用方便等特点。也是区别于以往旧款同类测试台新特点！ 本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门、是检验和分析固态和粉态样品质量的一种重要优良工具。三、技术参数3.1.电阻率测量范围、分辨率电 阻 率：10.0×10-6～ k×200.0×103Ω-cm 分辨率1.0×10-6～ 0.1×103Ω-cm,k=1～103.2.电阻率量程划分及误差等级满度显示200.020.002.000200.020.002.000200.020.00量程KΩ-cmΩ-cmmΩ-cm基本误差±2%读数±4字±1.5%读数±4字±0.5%读数±2字±0.5%读数±4字3.3.数字电压表：⑴量程：10mV ～ 100 mV，自动⑵显示: 4位有效数字，显示999.9，小数点、单位自动显示3.4.数控恒流源8档宽量程电流输出：系统自动步进调整，直流电流0.1μA，1.0μA，10μA，100μA，1.0mA,10mA,100mA,1.0A共8档可调。3.5.粉末测试台部分参数：（1）试样成份：成份不限，但不得含有对测试台和电极有腐蚀作用的成份。（2）试样粒度：推荐以40目以下—60目以上（标准筛网），一般其他粒度也可！（3）料杯容积：截面：S=1.0cm2 高度：0～20mm可调,（4）自动高度测试单元，测量误差：±0.02mm。 四位有效显示数00.00～20.00mm，分别率±0.02mm。（5）自动压强测试单元，标准压强：P0=4Mpa±0.05Mpa。 压强量程：20Mpa, P=0～20 Mpa可调。四位有效显示数00.00～20.00MPa，分别率±0.01 MPa。（6）、压力机构采用手动操作、压力平稳可调。3.6.配套PC软件1 USB高速通讯接口。2带数据库方式存储数据，便于历史查询和第三方软件拓展共享。3自动生成excel形式的图表结合的测试报告,包含电阻率-压强曲线图形和详细测试数据。4带测试报告预览、编辑、打印功能。3.7.测试仪外形与重量前宽×长×总高=250mm×220 mm×540mm重 量=10Kg3.8.电源：功 耗：10W输入:220V±10% 50Hz3.9.本仪器工作条件为：温 度： 0-40℃相对湿度： ≥60%工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

1. 产品概述凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精细的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。2. 特色参数高效的刻蚀速率低购置成本为腐蚀性的化学成分而设计出色的刻蚀均匀性适用于蓝宝石的静电压盘技术蓝宝石和硅上的GaN高导通抽气系统可与其它PlasmaPro系统集成主动冷却电 - 在刻蚀过程中保持样品温度。高功率ICP源 - 产生高密度等离子体。可靠的硬件且易于维护 - 可保持长时间正常运转。磁场垫环 - 增强离子的控制和均匀性。静电压盘技术 - 适用于蓝宝石，以及蓝宝石和硅基的GaN。加热的腔室内衬 - 优化以减少腔壁沉积。先进的自动匹配单元（AMU） - 提供快速，高效和准确的匹配，确保了工艺的高度精准重复性

EVG320 Automated Single Wafer Cleaning SystemEVG320 自动化单晶圆清洗系统自动单晶片清洗系统，可有效去除颗粒 EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。 机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。 除了使用去离子水冲洗外，配置选项还包括兆频，刷子和稀释的化学药品清洗。 特征多达四个清洁站全自动盒带间或FOUP到FOUP处理可进行双面清洁的边缘处理（可选）使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高效清洁先进的远程诊断防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程EVG320技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米 清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：最高3000 rpm（5秒内）超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）；输出功率：30-60 W；去离子水流量：最高1.5升/分钟；有效清洁区域：?4.0 mm；材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器：可选的；频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：最大2.5 W /cm2有效面积（最大输出200 W）去离子水流量：最高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性 材质：不锈钢和蓝宝石；材质：PVA

产品介绍： 1.产品概述： STADIVARI是STOE公司推出的一款具有划时代意义的新型单晶衍射仪，配备微聚焦点光源（可选双靶或液态金属靶）、三维聚焦镜、Pilatus探测器、OPEN Eulerian Cradles四圆测角仪，完美兼容高压DACs、高低温附件等，是目前市面上配置高、性能先进的单晶衍射仪；广泛应用于化学晶体学、分子生物学、药物学、矿物学和材料科学等方面的分析研究。 仪器主要用于测定新化合物（晶态）分子的准确三维空间（包括键长、键角、构型、构象乃至成键电子密度）及分子在晶格中的实际排列状况，可以提供晶体的晶胞参数、所属空间群、晶体分子结构、分子间氢键和弱作用的信息以及分子的构型及构象等结构信息。2.产品特点： 新一代Genix 3D微聚焦点光源； 三维全反射多层膜聚焦镜； OPEN Eulerian Cradles 四圆测角仪； 大样品空间，支持原位实验； 高性能 Pilatus 混合像素探测器，零噪音，单光子计数能力； 完美支持高压DACs、高低温样品台等附件。

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

产品型号：DX-100产品简介：该仪器是光机电一体化精密仪器，采用主机与电器控制分体化，体积小、重量轻，是各种单晶材料期间的科研部门和生产行业较为理想的仪器。技术参数：1、输入电源：单相220V(AC),50Hz，0.5KW X-ray管铜靶，风扇冷却，阳极接地。 2、最大管电压电流：30KV,5mA(连续可调) 3、探测器：盖革记数管。 4、工作电压最高为1050V 5、时间常数：1(快)、2(慢)两档 6、角度读数：刻度环上标出最小读数为2&theta :1度&theta :1度，数子显示以度、分、秒表示，最小读数为10度 7、角度调整：数字显示可置于任何角度上，测量的角度范围(2&theta ):--10度~140度(&theta ):--10度~70度 8、狭缝：4'、5'、6' 9、衍射峰位置的测量精度：± 30 标准配件：主光闸：电动 标准包装：体积：主机628 x 512 x 428mm，电气控制箱520 x 520 x 468mm 重量：45kg 具体信息请点击查看：

ST2742B型 四探针法电动粉末电阻率测试仪产品信息名称：ST2742B型四探针法[四端子法]电动粉末电阻率测试仪品牌：苏州晶格产品特点ST2742B型 电动粉末电阻率测试仪 是运用四端子法 或四探针法 测试粉末“ 电阻率-压强 ” 性能曲线的测量分析仪器。四端子法符合GB/T 24521-2009和YS/T 587.6-2006有关国标和行 业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。 四探针法测试台设计符合 符合 ***新GBT 30835 -2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551 - 2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A. S . T .M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“ 电阻率-压强曲线， ” 行业粉末电阻率标准测试方式。产品软件界面二、概述 2.1基本功能和依据标准： ST2742B型 电动粉末电阻率测试仪 是运用四端子法 或四探针法 测试粉末“ 电阻率-压强 ” 性能曲线的测量分析仪 仪器组成：整套仪器有四探针（四端子）主机和电动粉末测试台两大部分组成。 主机：是整个系统电气控制显示核心部分，主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统单元以及压力检测、厚度检测、彩色液晶显示窗口等单元组成。 粉末测试台：是连接测试主机，用来装夹半导体粉末（含高分子粉末和金属粉末等），进行电动自动压力施加（压片），并同步进行电阻率测试的装置（以下简称测试台）。 测试台为粉末标准容器、电极、加压机构、压力检测、厚度检测、连接线缆等单元组成。 2.2优势特征：1)测试台设计，符合国标和行业规范。有如下两款： 四端子法符合GB/T 24521-2009和YS/T 587.6-2006有关国标和行业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。 四探针法测试台设计符合 符合 ***新GBT 30835 -2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551 - 2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A. S . T .M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“ 电阻率-压强曲线， ” 行业粉末电阻率标准测试方式。 2）仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入；具有零位、满度自校功能；电压电流全自动转换量程；测试结果由彩色液晶屏直接显示。 3）压力机构采用电动执行，压力（压强）平稳可调、可保持。电子传感器自动同步检测、显示压力（压强）值和样本高度值。故本测试台可一边加压一边同步测试电阻率，可方便测绘粉末样品 “电阻率-压强”的性能曲线；也可以单独作为粉末压制成片的工具使用。 4）本测试仪配有成套PC软件，故不但可以单独（脱机）操作，还可以连接PC软件，自动保存当前测 试数据、查询并统计分析历史数据、打印测试报告等！ 2.3适用范围：本仪器具有测量精度高，操作简便、稳定性好，重复性好，一机多用使用方便等特点。也是区别于以往旧款同类测试台新特点！本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门、是检验和分析固态和粉态样品质量的一种重要优良工具。 三、技术参数3.1.电阻率测量范围、分辨率电阻率:15.0×10- 6 ～200 . 0×10 3 Ω-cm 分辨率1 . 5×10-6 ～0. 1×103 Ω- cm （1 .0×10-6 ～200. 0×101 Ω- cm 分辨率0 . 1×10-6 ～0 .1×101 Ω- cm） 3.2.电阻率量程划分及误差等级满度显示200.020.002.000200.020.002.000200.020.00量程KΩ-cmΩ-cmmΩ-cm基本误差±2%读数±4字±1.5%读数±4字±0.5%读数±2字±0.5%读数±4字 3.3.数字电压表：⑴量程：10mV ～ 100 mV，自动⑵显示: 4位有效数字，显示999.9，小数点、单位自动显示3.4.数控恒流源电流输出：直流电流0. 1mA～1000mA可调，系统自动步进调整。3.5.粉末测试台部分参数：（1）试样成份：成份不限，但不得含有对测试台和电极有腐蚀作用的成份。 （2）试样粒度：推荐以40目以下～60目以上（标准筛网），一般其他粒度也可！ （3）试样容器：内径：φ11 .28mm（S=1. 0cm 2） 高度：0～20mm可调,带高度传感器监测，测量误差： ±0. 02mm。 （4）测试压强 压强量程：30Mpa, P=0～30 Mpa可调。 （5）压力机构采用电动操作、压力平稳可调。压强可以阶梯式、多点预设，一次性自动完成。 四位有效显示数00 . 00～30 .00MPa，分别率 ±0 . 01 MPa。 3.6.测试仪外形与重量前宽×长×总高=300mm×310 mm×470mm重 量=15Kg3.8.电源：功 耗：50W输入:220V±10% 50Hz3.9.本仪器工作条件为：温 度： 0-40℃相对湿度： ≥60%工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。