光子晶体

近年来，钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面，钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得，成本极低，且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面，铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点，在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱，荧光寿命，瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS 成像，单像素成像，TFT 面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含：皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上，样品发射荧光，经光谱仪分光之后，由探测器探测光信号，数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求：a：3 米，b：6 米，c：30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV，不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标：TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时，分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量：4-50KV，功率：0-50W 连续可调，靶材：钨靶，铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量：0-25Sv/h光路透射和反射双光路，可切换 光谱范围200-900nm（可扩展近红外）监视器内置监视器方便观察样品发光，可拍照快门可控屏蔽快门，辐射光源最大功率下，关闭快门，样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》（GBZ115-2023）样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积：直径20mm（可定制更大面积：120mm×80mm）成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白，分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V)，像元尺寸：2.4μm×2.4μm，量子效率：84%@495nm，暗电流：0.001e-/pixel/s，制冷温度：-15℃，成像分辨率：优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管：波长：100Hz-100MHz 可调，峰值功率：400mW@ 典型值，脉冲宽度：100ps光激发X 射线光管：辐射灵敏度：QE10%（@400nm），靶材：钨，操作电压：40KV，操作电流：10μA@ 平均值，50μA@ 最大值 电压：150KV脉冲宽度：50ns重复频率：10Hz平均输出剂量率：2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机（同时获得光谱和寿命）示波器瞬时饱和计数率：100Mcps 时间分辨率(ps)：16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数：65535死时间：＜ 10ns支持稳态光谱采集数据接口：USB3.0最大量程：1.08μs @16ps，67.1μs@1024ps， 2.19s@33554432ps 光谱测量范围：200-900nm时间分辨率：=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器：同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围：500ps-100us( 十档可选)工作模式：静态模式，高频同步模式以及 低频触发模式；系统光谱分辨率：0.2nm@1200g/mm单次成谱范围：=100nm@150g/mm静态（稳态）光谱采集，瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽：500 MHz通道数：4+ EXT实时采样率：5GSa/s( 交织模式），2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度：250Mpts/ch( 交织模式)，125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸：2.4μm×2.4μm量子效率：84%@495nm暗电流：0.001e-/pixel/s制冷温度：-15℃XY 二维电动位移台：XY5050：行程：X 轴50mm，Y 轴50mm，重复定位精度1.5μm，水平负载4Kg；XY120120：行程：X 轴120mm，Y 轴120mm，重复定位精度3μm，水平负载20KgTFT 阵列传感芯片（可提供直接型和间接型芯片）：背板尺寸（H×V×T）：44.64×46.64×0.5 mm，有源区尺寸（H×V）：32×32mm，分辨率（H×V）：64×64， 像素大小：500×500μmTFT 读出系统：成像规格：解析度：64 行×64 列，数据灰阶：支持256 灰阶显示，数据通信方式：WIFI 无线通讯，数据显示载体：手机/ 平板（Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存）辐射剂量测定辐射计量表探测器：塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射：50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射：5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围：10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间：0.03 s相对固有误差：连续和短期辐射：±15% 最大137 Cs 灵敏度：70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额（也称为光输出或光子产额）是指晶体在受到电离辐射（如γ 射线、X 射线或粒子）激发后，发射光子（通常是可见光）的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示，单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一，它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一，也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠（NaI），碘化铯（CsI），和氧化镧掺铈（LaBr3）等。不同的晶体材料会有不同的光产额，这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下：碘化钠（NaI(Tl)）：约38,000 photons/MeV氯化铯（CsI(Tl)）：约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧（LaBr3）：约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子（YAG:Ce）：约14,000 photons/MeV 光产额越高，意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子，从而在探测器中生成更强的信号，通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱（被测器件及光路）、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件，实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22（或 Cs-137 可选），屏蔽铅箱（被测器件及光路），充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围：160-650nm，有效面积：46mm 直径，上升时间：≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供：0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间＜ 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率：250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%，同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率，前置放大器下降时间：信号源阻抗为 1 MΩ，则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱，适合所有类型的辐射探测器（Ge、Si、闪烁体等） 积分非线性（单极输出）: 从 0 到 +10V0.025%噪声：增益 100 时，等效输入噪声 5.0uV rms；手动模式下，增益＞ 1000 时，等效输入噪声 4.5uV rms；或者自动模式下，增益 100 时，等效输入噪声 6.0uV rms温度系数（0 到 50° C）单极输出：增益为 +0.005%/'C，双极输出：增益为 +0.07%/'C，直流电 平为 +30μV/° C误差：双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围：2.5-1500 连接可调，增益是 COARSE（粗调）和 FINE GAIN（微调增益）的乘积。单极脉冲形状：可用开关为 UNIPOLAR（单极）输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间，包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸：1500*1200*800mm台面 430 材质，厚度 200mm，带脚轮。固有频率：7-18Hz，整体焊接式支架

光子晶体波片1/2(1/4)光子晶体波片光子晶体波片简介： 日本 Photonic-lattice 公司成立于 1996 年，以日本东北大学的光子晶体的研究技术为核心，成立的合资公司，尤其是其光子晶体制造技术领先世界，并由此开发出的测量仪器。 类型工作波长有效区域尺寸波片1/2波片355nm12x12mm1/4波片偏振片1/2波片266nm1/4波片我们可以提供波长在240-1500nm范围内任何波长的光子晶体偏振片，目前266,355nm偏振片/波片是标准产品.

紫外空心光子晶体光纤 —— 可传输266-355nm紫外皮秒激光脉冲上海昊量光电设备有限公司推出一系列Kagome型中空光子晶体光纤，Kagome光纤是一种不依赖带隙导光的新型空心微结构光纤。UV波段空心光子晶体光纤（无暗化）结构设计灵活、损伤阈值高、损耗低（高透区损耗可低至~40dB/km）、支持宽带传输（100-500nm）。UV波段空心光子晶体光纤（无暗化）可通过改变纤芯所充气体及调节气压实现对光纤色散、非线性效应的有效调制，在强场物理、超强激光技术等领域研究中优势突出。我们的中空光子晶体光纤工作波段包含266nm-3μm范围内的大部分常见波长，主要包括266-355nm、405-450nm、515-532nm、780-800nm、1030-1064 nm、1550nm、2μm波段，具有近单模传输、低色散低损耗、承受功率高（可承受50W或者500μJ&百fs激光脉冲），宽波段传输等特点。主要应用包括激光微加工、激光脉宽压缩、激光频率转换等应用。关键词：紫外光子晶体光纤,UV 光子晶体光纤,Kagome 光子晶体光纤,Kagome光子晶体光纤,Kagome,反谐振,空心光子晶体光纤,空心光纤除了裸纤维，同时我们提供针对该系列空心光子晶体光纤的充气阀门，简化了相关用户的实验方案，如下图所示：下表为传输损耗和光纤色散优化在266nm-355nm波段的空心光子晶体光纤参数，如您需要其他波段，请联系上海昊量光电！PMC-C-UV Hollow-core Fiber optimized for 266-405nm rangePhysical PropertiesCore ContourHypocycloidInner core diameter25μm±1 or 40μm±1Output fiber diameter200μm or 230μm±1%Fiber coating diameter400μm ±30μmOptical Propertiescenter wavelength355nmAttenuation @355nm150dB/kmAttenuation @343nm150dB/kmDISPersion @343nm-355nm-5 5ps/nm.km 关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

PHOTONIC CRYSTAL FIBER INTERFACING光子晶体光纤(PCF)连接头ALPhANOV是一个光学和激光技术中心，拥有光纤激光设计和熔接光纤组件的丰富经验。ALPhANOV与NKT Photonics合作，提供光子晶体光纤(PCF)的最终处理解决方案。例如光纤的准备，包括PCF接头、密封和PCF切割、端帽PCF 和 带模式适配器的PCF。ALPhANOV可以处理NKT Photonics的整个PCF产品线，范围从双覆层大模式面积光纤(例如DC-200/40-PZ-Yb和棒式光纤“rod-type fibers”)到被动PCF(例如空芯光纤和非线性光纤)。ALPhANOV公司的一个使命是帮助用户开发基于光学和激光的创新的产品。PCF的引入，经常会在性能、紧密度和可靠性方面有一些实质性的优势。通过与NKT Photonics的合作，ALPhANOV可以分享其与PCF使用者的经验，并帮助他们更快的得到创新的和高效的解决方案。 Photonics Crystal Fibers光子晶体光纤(PCF)HOLLOW-CORE FIBERS 空心光纤光子带隙(空芯)光纤在被微结构包围的空隙中传导光。光子晶体光纤(PCF)就是在石英中周期性排布空气孔形成的。光子带隙引导机制跟传统的全部内部反射引导原理是完全不同的。此新技术为无非线性影响和材料损伤的高功率传输提供了基础。 例如: HC-440 HC-532 HC-580 HC-800 HC-1060 HC-1550 HC-19-1550 HC-2000LARGE MODE AREA FIBERS大模式面积光纤大模式面积晶体光纤，涵盖了覆盖了用于衍射极限高功率传输的光纤，可以在一个大的波长范围内用于单模式操作——不停止的单模式操作。大模式面积使高功率能够在光纤中传输，而不会有材料损伤，或由光纤的非线性特性会导致的有害效应。例如: LMA-5 LMA-10 LMA-10-UV LMA-15 LMA-25 LMA-PM-5 LMA-PM-10 LMA-PM-15YTTERBIUM DOPED DOUBLE CLAD FIBERS掺镱双包层光纤 掺镱双包层光纤拥有最大的单模纤芯，可以放大到更大的功率水平，通知保证很好的模式质量和稳定性。例如: DC-135-14-PM-Yb DC-200/40-PZ-YbNONLINEAR FIBER非线性光纤优化用于超连续光谱产生和非线性波长转换，非线性光子晶体光纤可实现一种独特的定制色散图形和非常高的非线性系数的组合。例如: NL-PM-750 SC-5.0-1040 (PM)End-capping端帽SMALL END-CAPS小端帽用于所有的PCF光纤纯硅可选不同的直径和长度可选不同抛光角度小的端帽不仅可以保护光纤的微结构避免沾污和湿气，还可以在不改变N.A.的情况下降低输入和输出端的光束影响。S-end-cap S号端帽§ 端帽直径：125 μm§ 端帽长度：≤100 μm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅M-end-cap M号端帽§ 端帽直径：从125 μm 到 400 μm§ 端帽长度：≤400 μm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅L-end-cap L号端帽§ 端帽直径：从400 μm 到 1.5 mm§ 端帽长度： ≤1.5 mm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅端帽选配项目§ 抛光角度 (最大 12°) § 长度§ AR涂层* 特殊的端帽开发可与我们咨询5×5 MM END-CAPS 5×5 mm端帽用于高能量激光束用于LMA 或 DC 光纤锥形几何形状纯硅0°或 5°抛光角度，AR涂层这些端帽用于高能量系统。独特的几何形状可以可以实现光纤的紧密结合，从而提供了把他们容易的固定到支架上的可能性。规格§ 端帽直径: 5 mm§ 端帽长度: 5 mm§ 抛光角度: 5°或0°，AR@800-1300 nm§ 材料: 纯硅(其他AR涂层可与我们咨询)尺寸锥形端帽抛光0°，AR 涂层为800 nm - 1300 nm 锥形端帽抛光5° PCF connectors PCF接头FFC/PC connectorsFC/APC connectorsSMA connectorsSpecifications规格Standard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameter Fiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μmPower limitations500 mW injection loss500 mW injection loss500 mW injection lossFerrule typeCeramicCeramicMetallicFerrule diameter2.5 mm2.5 mm3.2 mmPolished angle0°8°0-12°Options选配项On-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmPM alignmentFast or slow axisFast or slow axisFast or slow axisDimensions尺寸 SMA-1 connectorsSMA-2 connectorsSMA-6 connectorsSMA-AF connectorsSpecificationsStandard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μm100 μmPower limitations1 W injection loss2 W injection loss6 W injection loss200 W injection lossFerrule typeMetallicMetallicMetallicMetallicFerrule diameter3.2 mm3.2 mm3.2 mm3.2 mmPolished angle0-12° ±10-12° ±10-12° ±10-12° ±1OptionsOn-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmPM alignmentFast or slow axis

NKT Photonics公司于2009年由世界大型的商业化微结构光纤供应商Crystal Fibre公司和业界前沿的窄线宽光纤激光器和连续谱白光光源制造商Koheras公司合并成立，隶属于丹麦有名的工业集团NKT Holding。近几年市场地位不断加强，收购Onefive，加快了NKT在快激光器领域的步伐。NKT 快激光器系列可提供从飞秒到皮秒的大范围脉冲长度，输出功率高达100W，提供固定或可调重复频率。NKT Photonics致力于研发、制造商用和工业级微结构光纤（光子晶体光纤）、高功率光纤放大器、连续谱白光激光器和窄线宽DFB光纤激光器。这些产品均已在众多领域得以应用，如：生物光子学、计量、光纤传感、相干通信、测试测量、高精度光谱学以及激光等。利用光子晶体光纤技术制做的双包层光纤称为空气包层光纤，特点： 大模场面积单模光纤；可承受很高的峰值功率；高脉冲能量（单模时）；高泵浦数值孔径（0.6~0.7）；高的泵浦吸收效率（达30dB/m）；全硅结构（无聚合物，保证了良好的功率处理能力）；良好的温度特性；高可靠性。 应用：高脉冲能量光纤放大器；光纤激光器；大模场面积，可以支持高功率水平；具有大数值孔径多模波导，可以有效收集反向散射光或者荧光。产品型号、参数：型号 纤芯直径 内包层直径外包层直径涂覆层直径MFD纤芯NA@1μm泵浦吸收@976nm泵浦吸收@915nm泵NA@ 950nm DC-135-15-PM-Yb15 ± 1135 ± 5280±10345±2016 ± 10.055± 0.012.8~80.6 ± 0.05DC-200-40-PZ-Yb40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03~10~30.55± 0.05DC-200-40-PZ-Si40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03-- 0.55± 0.05aeroGAIN-ROD-PM55-Power55200 ± 101000±100NA45 ± 5-155 ± 0.5≥0.5aeroGAIN-ROD-PM85-Power85260± 101000±100NA65 ± 5-155 ± 0.5≥0.5

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

据准相位匹配 (QPM : Quasi Phase Matching）理论，可以通过对晶体的非线性极化率的周期性调制来补偿非线性频率变换过程中因色散引起的基波和谐波之间的波矢失配，从而获得非线性光学效应的有效增强。以色列Raicol公司拥有**的周期极化 KTP(PPKTP)制造技术，相比传统切割工艺制造下的KTP晶体，拥有以下突出的优点：1. 更高的非线性转换效率，适合于产生高亮度量子纠缠光子对2. 更大的器件接收角，可接驳半导体激光泵浦源3. 几乎消除了去离角效应。由于以上的优点，周期极化 KTP(PPKTP)特别适合于产生高亮度纠缠光子对，用于光量子信息科学研究，比如：玻色子采样和量子干涉： -775nm-1550nm, 推荐采用2型PPKTP获得高配对速率量子密钥分发： 405nm-810nm。推荐选择0型PPKTP提供更高的配对速率和频谱带宽，而选择II型易于使用。挤压光： 研究人员应首先决定挤压是在单程还是空腔中产生。对于前者，标准晶体就足够了，而对于*佳参数振荡器，*选单片或半单片选项。选择0型PPKTP量子叠加态识别成像：推荐0型ppKTP，周期专为非简并设计。PPKTP晶体0型与II型PPKTP谱线形貌比较PPKTP晶体用于量子密钥分发PPKTP晶体用于压缩光Raicol公司PPKTP晶体可用于SHG倍频，DFG差频，SFG合频，OPO光学参量震荡。Raicol公司另外还生产PPMGLN晶体，详情见链接：PPSLT Products | RaicolRaicol公司另外还生产PPSLT晶体，详情见链接：PPSLT Products | Raicol

周期性极化KTP (PPKTP） 周期性极化磷酸氧钛钾晶体(PPKTP)是一种高效率的非线性材料。 PPKTP可以根据不同的非线性应用定制。相比在传统的KTP应用，PPKTP没有相位匹配的局限性。PPKTP的非线性系数大约是传统KTP的三倍。PPKTP也是产生纠缠光子源的一种理想材料。 我们可以针对生产企业提供大量的PPKTP晶体，也可以提供少量晶体满足工程和科研客户的需求。 晶体参数 通光孔径[mmXmm] 1x2 长度 [mm] up to 30 光谱范围 [nm] 400-4000 垂直度 [arc min] 15 平面度 &lambda /10 平行度 [arc sec] 30 划痕/Dig 10/5 镀膜 AR/HR/PR *晶体可以接受定制，具体参数请与我们沟通。 OPO Yuchen offers the following types of crystals for OPO applications: - KTP - RTP - LBO - BBO - PPKTP - PPSLT - PPMgLN Part Numbering System for bulk OPO crystals C - &theta - &phi - S - D - L - T - P C - Crystal Type: K (KTP),HGTR KTP (H), R(RTP), L(LBO), B (BBO) &theta &ndash Orientation in Z-X direction [degrees] &phi - Orientation in X-Y direction [degrees] S - OPO type: R (regular), M (monolithic), D-(double pass), N (uncoated) D - Cross Section [mm] L - Crystal Length [mm] T &ndash Transmission of signal wavelength on output face [%] P &ndash Pump Wavelength [nm] Examples: KTP OPO, Cross-section 5x5mm, Length 30mm, Regular, &theta =90O,&phi = 0O, Transmission of signal wavelength on output T99.5%, Pump 1064 nm. K-90-0-R-5-30-99.5-1064 KTP ,Monolithic, &theta =90O, &phi = 0O, Cross-section 7.5 x 7.5mm, length 30mm, Transmission of signal wavelength on output T=50%, Pump -1064 nm, K-90-0-M-7.5-30-50-1064 KTP, Uncoated, &theta =90O,&phi = 0O, Cross-section 3x3 mm, Length 10mm, Pump 1064 nm, K-90-0-N-3-10-T-1064

河北华凯光子科技有限公司 河北华凯光子科技有限公司于2017年6月由北京市海淀区迁至河北省保定市，公司主要经营溴化镧闪烁晶体与探测器的研发、生产和销售，我公司为国内首个成功研制并稳定量产大尺寸溴化镧闪烁晶体的公司，也因此打破了美国独家垄断地位，使我国成为世界上除美国外，第二个能工业化生产溴化镧晶体的国家。 目前公司是国家认定的科技型中小企业、河北省认定的科技型中小企业、河北省军民融合型企业、研发生产基地被评选为“保定市溴化镧闪烁晶体与探头工程技术研究中心”， 溴化镧闪烁晶体与探头研发及产业化”项目获批河北省发改委战略性新兴产业发展项目，并在第七届中国双创大赛中荣获20强，是河北省新材料领域唯一进入国家优秀企业的项目。2018年2月我公司已完成环保验收，目前正在积极申请国家高新技术企业。 公司拥有中国发明专利《溴化镧铈闪烁晶体》，及其它38项相关专利。 通过不断的自主研发创新，目前我们拥有溴化镧晶体生长、加工和封装的非专利技术、自主研发的晶体生长设备、以及集长晶、切割、研磨、抛光、封装为一体的完整的溴化镧探测器生产线。目前公司拥有55台长晶炉，2019年计划年产500件溴化镧探测器。 溴化镧闪烁晶体具有光产额高、能量分辨率好、衰减时间短、非线性响应小等优点，目前我公司能生产各种规格的晶体以及探测器，主要有1英寸、1.5英寸、2英寸、3英寸及不规则形定制产品。 溴化镧探测器被称为“高能射线的眼睛”， 是射线探测仪器的关键组成部分，主要进行材料元素种类与含量的分析。我们的产品也可以说是一件有关国计民生的产品，现已被应用于军工、安全检查、环境监测、核医学、工业计量、石油测井等国民经济的各个领域。目前比较成熟的客户重庆建安仪器有限公司（国营759厂）也在批量采购我公司探测器，另外在边境探测无人机上也应用过溴化镧探测器。 公司产品供不应求，目前我们也在积极进行二期生产基地建设的相关工作，新基地计划年产3000件探测器与核仪器仪表设备，总用地40000平方米，预计总投资为2-2.5亿元。同时也在进行例如溴化铈、溴化镧锂铯等更高性能晶体的研发。目前产品销售主要集中在国内市场，计划于2021年全面进入国际市场。未来将打造中国核探测新技术研发基地、中国核探测技术人才培训基地、中国新型核探测器制造基地，建立国际型的企业及研发基地。

天津瑞利光电优势供应EKSMA晶体LBO-302立陶宛EKSMA Optics是高功率激光应用，激光介质和非线性频率转换晶体，光机械，带驱动器的电光普克尔盒和超快脉冲拾取系统的制造商和供应商，它们用于激光器和其他应用光学仪器。EKSMA于1983年在激光领域开始其业务，它建立在激光和光学领域的长期专业知识之上。EKSMA的激光组件工作在从UV（193 nm）到VIS到IR（20μm）的波长范围内，并在太赫兹（1-5 THz）范围内工作，并在科学，工业，医学和美学，航空航天领域的不同激光和光子应用中使用。立陶宛EKSMA光学抛光设备专门从事由BK7，UVFS，Infrasil，Suprasil，CaF2以及DKDP，KDP，LBO，BBO，ZnGeP2晶体制成的平面光学器件的加工和最终抛光，而大功率激光应用需要高质量的精密抛光面。该公司还拥有先进的IBS涂层设备，球面，轴锥和非球面镜片CNC制造设备，BBO，DKDP和KTP Pockels电池装配的洁净室设备，超快电光脉冲拾取系统制造技术部门和质量控制设备。EKSMA主要产品：光学元件涂层、介电镜、金属镜、激光视窗、镜头、光学滤镜、光学棱镜、偏光、紫外线和红外光学、配件类非线性和激光晶体：非线性晶体、激光晶体电气光电Femtoline元件光学系统Nd：YAG激光线组件光电机械组件激光电子学天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

非对称晶体的二阶非线性成像（SONICC）一方面利用二次谐波 （SHG）技术来发现手性对称晶格的晶体。另一方面用紫外双光子 激发荧光（UV-TPEF）技术来分辨蛋白晶体和盐晶。主要优势 快速通过全局浏览快速查找到晶体揭示揭示结晶线索，进而深度优化发现 发现隐藏在沉淀中的微晶体分辨 明确分辨蛋白晶体和蛋白沉淀灵活 SONICC 可以作为与RI1000集成的子系统，或者是单独的桌面系统多种选择用户可以选择台式机型，一次成像一个微孔板。或者选择与RI1000集成的机型。RI1000集成的SONICC可以培养1000个微孔板。可见光成像和 与SONICC成像并行完成。一天内RI1000-SONICC系统能够完成40个96 孔板SONICC成像，并完成200个96孔板的可见光成像。参数运行环境环境温度: 4° C - 30° C， 温控极限低于环境温度5度，高于环境温度7度之内 湿度: 0 to 80% 相对湿度

总览ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。名称型号货号 描述 价格 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 LiGaS2A80160204透光率, 0.33 – 11.6µ m,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiGaSe2A80160203透光率, 0.37 – 13.2µ m,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiInS2A80160202透光率,0.35– 13.2 µ m, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 LilnSe2A80160201透光率, 0.43– 13.2 µ m,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µ m ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体 AgGaSe2A80160206透光率,0.76 – 18 µ m,单轴负晶 no ne (at λ 0.804 μm ne no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µ m ,对称度 四方晶系, -42m point group GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSeG80010032透光率0.62 – 20µ m,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µ m,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µ m AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaS2A80160205透光率: µ m 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µ m , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311总览LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, µ m0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20总览LGSe是一种新型非线性红外材料，具有纤锌矿型结构，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数，如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等，从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, µ m0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 µ m0.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 总览硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, µ m0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 µ m 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 µ m）用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µ m范围内的激光器泵浦中红外(2-12µ m)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域&bull 中红外范围（2-12µ m）的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, µ m0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 µ m 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 µ m5.3 µ mno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 µ m0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µ m) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物GaSe透光率, µ m0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µ m对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µ m4.1应用10.6 µ m激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12µ m的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µ m at 300 K)主要参数复合物AgGaS2透明度, µ m0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 µ m 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性四方晶系, -42m point group晶胞参数, &angst a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 µ m0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 µ m光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种，其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI，它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%，发光主峰位在550nm，能与硅光电二极管很好地匹配，从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关，特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性，所以晶体可以制成各种各样形状的探测器，同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近，发射光谱的主峰位在420nm，更容易与光电倍增管配合；温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降，潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制，快/慢分量比可以达到4倍，总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数：晶体结构：立方：a = 5.6754 ?；生长方法：提拉法；密度：5.765 g/cm3 熔点：937.4 ℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2； 产品规格：晶体方向: 111，100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm（110 Ra5A，不化抛）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

啁啾布拉格光栅所属类别： ? 光学部件 ? 体布拉格光栅(VBG，VHG) 所属品牌：美国OptiGrate公司 BragGrate? Pulse 超短脉冲展宽器和压缩器 脉冲展宽器和压缩器（ BragGrate? Pulse）是一种特殊的反射型布拉格光栅。由于在光束传播的方向上光栅的周期逐渐发生变化，当光从一个方向入射时，激光脉冲将在时间上进行展宽；当光沿相反方向传播时，激光脉冲将在时间上被压缩。BragGrate? Pulse啁啾布拉格光栅产品专为飞秒及皮秒脉冲展宽和压缩而设计。 BragGrate? Pulse 啁啾布拉格光栅规格 光谱带宽：1-100nm 工作范围：800-2500nm 厚度：10-35mm 展宽时间：10-200ps (FWHM) 效率： 从70% 到95% 孔径：达 8×10mm2 适用于1030 nm光谱范围的BragGrate? Pulse的常用规格 在两个方向穿过30 mm厚度的BragGrate? Pulse后的输出光束形状 啁啾布拉格光栅中心波长：1032nm 光谱带宽：5,10,25nm 衍射效率：85% 光栅厚度： 20,35mm 展宽时间(FWHM)： ~ 150ps 分散率：~ 6,10,60ps/nm（线性） 压缩脉冲持续时间： 200fs 啁啾布拉格光栅 产品特色 体积小，容易对准对齐 是工业与科研应用场合的理想选择 高功率工作（平均功率高达1kW） 高能量工作（高达2mJ脉冲能量） 环境稳定性高 功能强大，易于操作，易于清洁 能保持飞秒激光光束的衍射极限质量，衍射效率超过80% 脉冲激光通过30mm展宽及30mm压缩啁啾光栅后的光束分布 理论计算值于实测值对比图 啁啾布拉格光栅理论上压缩脉冲的特点和实际测量数据的比较（使用了30mm厚度的BragGrate? Pulse） 应用 BragGrate? Puls用于瞬时展宽反射超短脉冲，并在脉冲从光栅相反方向发出时进行再压缩。 啁啾布拉格光栅相关文献： 产品名称：超短脉冲测量仪 所属类别： ? 光学/激光测量设备 ? 超短激光脉冲测量系统 所属品牌：美国Mesa Photonics公司 产品简介：上 海昊量光电提供超短脉冲测量仪FROGscan,能够严格、全面地测量脉冲脉宽、振幅、相位和时空畸变等信息，脉宽测量范围12fs-10ps,覆盖 450nm-3400nm宽波长范围，并拥有高分辨率，动态范围达到75dB。关键词：超快脉冲测量仪，脉宽测量，超短脉冲测量 仪，FROGScan，Real-TimeUltrafastLaserPulseMeasurement，UltrashortLaserPul …[详细介绍] 产品名称：自相关仪 所属类别： ? 光学/激光测量设备 ? 超短激光脉冲测量系统 所属品牌：美国Mesa Photonics公司 产品简介： 昊 量光电提供的用于超短脉冲测量的自相关仪拥有1fs分辨率，高达4Hz的刷新频率并可通过转换组件升级为FROGScan进行更复杂脉冲的测量。 关键词：自相关仪，超快脉冲测量仪，超短脉冲测量仪，频率分辨光学快门，FROG,飞秒激光脉冲测量，自相关 器，Autocorrelator，MesaPhotonics, FemotoChrome,APE,pulsechecker 自 …[详细介绍] 分享到 : 人人网 腾讯微博 新浪微博 搜狐微博 网易微博 啁啾布拉格光栅相关产品 多波长激光合束器 激光选模/波长锁定用体布拉格光栅 FROG 超短脉冲测量仪 高速、超高分辨率光谱仪（0.005nm） 自相关仪

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数：密度：5.765 g/cm3 ；熔点：937.4 ℃；热传导性：640；掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；类型：/；N；P； 电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2 4x103/cm2 4x103/cm2 常规尺寸：晶体方向: 111，100and110± 0.5° 或特殊的方向；标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm；（110 Ra5A，不化抛）注：也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注：1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

NdYAG激光晶体品牌：eksmaopticsNd:YAG激光棒和各种倍频非线性晶体倍频晶体LBO晶体具有高损伤阈值，低光束偏移和优异的倍频效率。是高功率高重复频率Q-Switch和锁模激光器倍频的最佳选择KTP晶体具有超高效率特别适合地平均功率和连续激光应用。该晶体对温度变化不敏感并能工作在极其锋利聚焦或高发散角激光光束环境大孔径的DKDP晶体在高能量Q-Switch激光器中有广泛应用 Nd:YAG激光晶体（标准激光棒）提供各种标准尺寸的Nd:YAG激光棒，包括AR增透膜，适合高能量高功率的脉冲激光应用speciFicAtiONs OF stANDArD Nd:YAG LAser rODsNd Doping Level 0.8% or 1.1%Orientation 111 crystalline directionSurface Quality 10-5 scratch & dig (MiL-PRF-13830B)Surface Flatness λ/10 at 633 nmParallelism 10 arcsecPerpendicularity 5 arcmin for plano/plano endsDiameter Tolerance +0/-0.05 mmLength Tolerance +1/-0.5 mmClear Aperture 90 % of full apertureChamfers 0.1 mm at 45 degCoating Both sides coated AR @ 1064 nm, R 0.2%, AOi = 0 degBarrel Grooving All dia 6.35, 8, 10, 12 mm rods with barrel grooving

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

产品名称：碲化镉(CdTe)晶体基片产品简介：碲化镉(CdTe)晶体基片广泛应用于X射线检测；红外光学；外延基片；蒸发源的晶体片等相关领域。技术参数：晶体结构立方 F43m a = 6.483?生长方法：PVT方法熔点(℃) 1047密度(g/cm3)5.851热容(J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0热导率( W /m.kat 300K )6.3透过波长 (μm)0.85 ~ 29.9折射率2.72产品规格：常规晶向：100、001、110、111常规尺寸：5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1"x0.5mm注：也可提供多晶的，尺寸可按照客户要求加工，请发邮件确定信息。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

QCM-D石英晶体微天平 对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量，频谱测量可获得诸多信息，可在响应幅值最大处获得谐振频率，峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。 JSK-T(I)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级物质质量的传感技术。QCM仪器价格便宜，操作简单，可实现电化学、光化学、光电化学的现场联用动态监测分析。可广泛用于电活性聚合物表征、电池储能材料如Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、光电材料、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、细胞黏附行为、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。仪器特点 QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术，能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。仪器模块化结构、数据显示储存一体、无需外接电脑、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz，8MHz，10MHz，33MHz，100MHz可任选。可3、5、7、9、11倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。技术参数l 本仪器使用商用镀金8MHzAT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在±0.1Hz。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示，U盘储存数据，无需外接电脑。l 仪器常规石英晶片直径14 mm，能够非常灵敏地检测非常薄的吸附层的质量、耗散、分子的结构（构象）变化。并可计算其他参数，如：厚度、粘度、弹性模量，同时可以进行分子间反应的动力学分析。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度为4ng Hz-1 cm-2(基频10MHz) 0.4 pg Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集0.2s一组数据 ；（可定制相移角测定模式，数据采集速度可达10微秒，可用于快速瞬态测定）。

双光子显微镜系统可长时间多次观察，动物实时成像，包括清醒的动物成像，活体双光子显微镜搭载zui新的COHERENT飞秒激光器，成像波长可达690-1050 nm，穿透深度可达1000 um 活体共聚焦成像模块搭载4色通道（405, 420, 445, 473, 488, 505, 514, 532, 561, 633, 642, 660, 685, 705, 730, 785 nm (可任选4通道)），成像速度高达100 fps @ 512 x 512 像素。1、IVIM双光子显微镜 技术-超快旋转多面镜扫描仪-实现超高速体内成像（512x512像素，zui大100fps）-在整个成像视场（FOV）上实现均匀的激发照明-在FOV的中心区域没有降低的荧光信号和信噪比（SNR） -FOV边缘区域没有过度的光漂白-在整个FOV上均一的高信噪比-改善图像质量而不会浪费过多的光子2、IVIM双光子显微镜技术-集成运动伪影补偿-自动无忧的高精度运动补偿-通过GPU辅助并行计算立即获取运动补偿的成像结果，以加快算法处理速度-超快的活体成像的协同效应-确保从慢速运动的组织（例如肝，肾，脾等腹腔器官）到快速运动的组织（例如心脏，肺等胸腔器官）的时空组织运动范围广泛的zui佳结果该系统应用范围为：小鼠模型中各个器官的体内成像：-肝脏，淋巴结，脾脏，皮肤，视网膜，肺，脑，结肠，胰腺，小肠，前列腺，肾脏，心脏，气管，食道，食道，骨髓，胸腺等。细胞水平的图像处理和分析：-细胞动力学（细胞运动，细胞运输，细胞运动，细胞归巢）-细胞-细胞/细胞微环境/细胞-分子相互作用-细胞死亡/存活，细胞分布，细胞分化多种人类疾病的小鼠模型：-使用荧光癌细胞系（肺癌/乳腺癌/结肠癌/胰腺癌，胶质母细胞瘤，白血病，黑素瘤等）的异种移植和同基因癌症模型-急性/慢性炎症模型（全身注射，器官/组织）损伤，缺血再灌注损伤）-嵌合体模型，用于特定细胞类型的活体内成像（干细胞移植，淋巴细胞的过继性细胞转移等）

本公司研发团队开展石英晶体微天平化学生物传感分析研究已有三十余年，具有丰富的QCM应用研究经验，可根据客户需求提供个性化服务，解决客户QCM使用中出现的技术问题。该仪器融合多家著名高校相关领域研究成果，仪器模块化结构、便携式设计，可与电化学仪器光学仪器联用。仪器价格优惠、使用简单、性能稳定、检测结果可靠。石英晶体微天平（Quartz Crystal Microbalance，QCM）是一种非常灵敏的质量检测仪器。在一定条件下，石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈线性关系(Sauerbrey公式)，其测量灵敏度可达纳克级，可以测到单原子层的质量变化。本仪器采用10 MHz石英晶体，每Hz的频率变化相当于0.85 ng/cm2。石英晶体微天平作为纳克质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高的优点，被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中，可实现电化学、光化学、光电化学的现场动态监测分析。可广泛用以进行气体、液体成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度、液体粘度（血凝）检测等。例如：电活性聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、DNA的杂交 、 细胞吸附 、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。 仪器特点l 仪器接触溶液的激励电极做工作电极与电化学仪器联用可构成EQCM测量技术。 l 仪器便携式设计、操作简单、方法选择、操作过程、步步提示。l 锂离子电池可作为电源、抗干扰能力强。l 仪器智能化模块化设计、结构可靠，可适应现场使用。l SD卡储存数据，方便后续数据处理。l 数据同时通过蓝牙无线传输到手机，可在手机上同步进行显示和储存。l 仪器可与其他分析仪器联用，如电化学仪器、光学仪器联用实现现场多信息传感分析。根据科研需要可进一步开发应用。 技术参数 l 使用晶体频率范围5MHz-20MHz，本仪器使用商用镀金10MHz AT切石英晶体。l 频率稳定性，空气中+1Hz/小时，液相中精确控制实验条件可达到相近的信号稳定性。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 提供2G SD卡储存数据，每隔2秒储存一组实验数据。l 便携式QCM 配备直流供电电压范围9V-18V，建议使用12V，2A 直流稳压源。l 可配备12V 5400mAh 锂离子电池（12.6V，1A 充电器）。l 便携式仪器尺寸：150*97*40mm；仪器重量：500 g。

产品名称：锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片产品简介：锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。技术参数： 基本性质晶向100晶体结构立方晶格常数a=10.518?生长方法提拉法熔点1050℃密度7.12g/cm3莫氏硬度5 Mohs透过范围350~5500nm电光系数 (x10-12m/V ) r41 1.03折射率 2.098@ 632.8nm激发光谱 305nm荧光光谱 480~510nm相对光输出 10~14% Nal (Tl)衰减时间 300ns临界能量 10.5Mev能量分辨率(511千电子伏特) 20% 产品规格：可按客户要求定制尺寸标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

产品名称：硫化镉(CdS)晶体基片产品简介：II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。技术参数：晶体名称CdS生长方法PVT结构六方晶系晶格常数(A)a=4.1367 c=6.7161密度 ( g/cm3)4.821熔点 (oC)1287热容 (J /g.k)0.3814 热膨胀系数(10-6/K)4.6 // a 2.5 // c导热系数( W /m.k at 300K )2.7透明波长 ( um)2.5 ~ 15 (71%)折射率1.708 (o) 1.723 (e)产品规格：尺寸：25x25x15 mm注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装