光致发光

碳纳米管，是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级、管子两端基本上都封口）的一维量子材料。它主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约为0.34nm，直径一般为2～20nm。由于其独特的结构，碳纳米管的研究具有重大的理论意义和潜在的应用价值，如：其独特的结构是理想的一维模型材料 巨大的长径比使其有望用作坚韧的碳纤维，其强度为钢的100倍，重量则只有钢的1/6 同时它还有望用作为分子导线，纳米半导体材料，催化剂载体，分子吸收剂和近场发射材料等。 Specim可提供碳纳米管近红外光谱及影像分析工具，采用近红外光谱相机，搭载与近红外显微平台，并配合压电陶瓷纳米位移台，实现碳纳米管的影像及光谱扫描，不仅可以用于电致发光的光谱分析，也可用与光致发光光谱测量，为研究者提供大量的光谱及影像数据以供研究分析使用。光谱测量范围：970nm- 2500nm（900nm-1700nm）。

光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点： 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询；**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长：325nm，功率：20mW，制冷机最低制冷温度：10K ZnO材料的PL谱: 激发波长：325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带，而在500 ～ 600nm 波段，有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带，可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。

组合式荧光光谱测量系统-OmniPL系列光致发光（photoluminescence）即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。PL 荧光测量系统通常是用较强的单色光（如激光器等）激发样品/ 材料（如GaN/ZnO 等）产生荧光，通过对其荧光光谱的测量，分析该材料的光学特性。典型应用于LED 发光材料、半导体材料的研究。OmniPL 系列稳态荧光光谱测量系统采用模块化设计，在满足PL 光谱测量的同时，用户可以根据不同的实验需求，选择不同的配件，灵活的进行系统功能的扩展。系统组成：激发光源+ 样品室＋荧光光谱仪＋数据采集及处理系统＋软件＋计算机OmniPL-LF325型稳态光致发光光谱系统主要技术参数● 激发光源：HeCd激光器● 激发光功率：20mW● 激发波长：325nm● 瑞利散射截止滤光片，OD6● 荧光光谱仪光谱范围：300-850nm（可扩展至2500nm）● 荧光光谱分辨率：优于0.2nm（@1200g/mm光栅）● 波长准确度：±0.2nm● 波长重复性：±0.1nm● 光探测器：科研级制冷型背感光CCD，300-1000nm● 可选配闭循环超低温制冷机，最低温度可达2K● 系统扩展性：系统采用模块化设计，可扩展至近红外波段光谱测量● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能，可随时储存和提取图谱，并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算系统结构图PL图谱

Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打：010-56370168-601 性能特点：● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件：325nm激发，功率30mW● 光谱范围：340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。

PMEye-3000光致发光光谱成像（PL-Mapping）测量系统是卓立汉光最新研制的，用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等，在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像，扫描结果以3D方式进行显示，使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好，操作简单，只需简单培训就能使用。测试原理：PL（光致发光）是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术，可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例：LED外延片，太阳能电池材料，半导体晶片，半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点：◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度：180点/秒◆ 空间分辨率：50um◆ 光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计，操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计，关键尺寸根据人体工学理论设计，不管是样品的操作高度和电脑使用高度，都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成，方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台，可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮，方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想，可根据用户的样品特点来选择规格配置，让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统，采用整机设计，用户只需要根据需要放置检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，避免了用传统方式固定样品而造成的损坏；可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位，提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度，而没有对激发光源进行监控，而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器，使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置选配激光器波长为：325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台，最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等，扫描速度可高达每秒180个点，空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验，,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯，从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量，给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示，Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。

光致发光影像系统--HeliosHelios是全自动实时材料分级和过程控制的在线监控设备，鉴别太阳能电池材料中可能降低效率的隐性伤痕，提高生产效率的同时降低成本。每条生产线每年提升效益170万美元！应用：1.进料监控 通过少子寿命自动对晶圆定级2.过程控制 监控和优化关键工序，如扩散和镀膜等3.损伤鉴别 检测电池片成品的破损和微小裂痕 特点：1. 线上监控或线下分析都适用2. 采用InGaAs探头提升测量灵敏度，减少检测时间3. 采用高灵敏光学成像技术，每片晶圆测试时间1s4. 鉴别并预防低质量材料进入高损耗工序，降低成本5. 采用简单明了的图形界面和是非判定6. 相比于其他同类PL系统更具性价比

OmniPL-MicroS组合式显微光致发光光谱系统 显微光路通常具有较高的通光效率，用在荧光光谱测量中，不仅可以进一步提升系统的信噪比，更可以实现微区测量。我公司除了可以提供“Flex One(微光）”系列显微光致发光光谱仪一体机，还为组合式系统的客户提供了两种类型的显微光路模块，一种是不带显微镜的水平光路显微模块，另一种是带有显微镜的垂直光路显微模块，它们都可以与我公司的光谱及配件组合成为显微光致发光光谱系统。 性能特点● 模块化的结构设计——水平和垂直光路可选，组合方便● 超宽光谱范围*——200nm-1600nm● 默认适配激光波长——325nm● 其它激光器波长可选*——405nm/532nm/633nm等● 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项● **——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定；**选配项，请详细咨询。 参数规格表(*)主型号OmniPL-MicroS光谱测量范围200-1600nm荧光光谱分辨率0.1nm激光波长325nm探测器类型制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs512×1单点PMT单点制冷型InGaAs探测光谱范围200-1000nm800-1600nm200-870nm800-1600nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！OmniPL-MicroS-A垂直光路型 垂直光路型系统架构基于标准显微镜体和光谱仪等模块组合而成，光路垂直更有利于一般的样品放置，测量过程更方便。OmniPL-MicroS-B 水平光路型 水平光路型的系统不采用显微镜体，光路水平输出，需将样品竖直放置，系统可以配置多维可调的样品架，可以夹持固体、液体等多种类型的样品；水平光路更适合于液体样品，以及与低温制冷机配合使用时的光学布局。OmniPL-MSA-325型显微PL光谱系统主要技术参数（垂直光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）● 预留CCD接口● 可升级电致发光（EL）测量● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20W- 显微光路模块（OmniPL-KS-A）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 标准显微镜（带样品X-Y手动调节台）? 内置CCD监视光路? 可加装滤光片轮 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0? 光谱仪整体支架- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mmOmniPL-MSB-325型显微PL光谱系统主要技术参数（水平光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）、液态● 预留CCD接口● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）● 可升级至超低温（10K）测量功能详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20mW- 显微光路模块（OmniPL-K1-325）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 样品架：固体（片状、粉末）、液体比色皿样品池，可五维手动调整? 内置监视光路 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mm应用举例某用户提供的ZnO参杂发光材料（测试设备：OmniPL-MSA-325显微PL光谱系统）

仪器简介： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。技术参数：主要规格特点：■ 采用5.5(224nm)或5.0 eV(248.6nm)深紫外激光器■ 室温PL光谱测量范围：190~650nm（标准），190~850nm（选配）■ 高分辨率：0.2nm（@1200g/mm光栅，标配），0.07nm（@3600g/mm光栅，选配）■ 门闸积分平均器（Boxcar）进行微弱脉冲信号的检测■ 可实现量子效率测量■ 基于LabView的界面控制■ 光谱分析软件可获得光谱带宽、峰值波长、峰值副瓣鉴别、光谱数据运算、归一化等■ 最大可测量50mm直径样品，样品可实现XYZ三维手动调整（标准）■ 可选配自动样品扫描装置，实现Mapping功能■ 可用于紫外拉曼光谱测量■ 高度集成化，体积：15 × 18 × 36cm，重量：8kg主要特点： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。

SpectrumTEQ-PL光致发光量子效率测量系统SpectrumTEQ-PL系列光致发光量子效率测量系统，针对器件的光致发光特性进行有效测量，可在手套箱内完成搭建，无需将样品取出，即可完成光致发光量子效率的测试。系统搭配QE Pro光谱仪为业内公认旗舰系列，信噪比高、杂散光低， 动态范围大，适合不同波段和强度的激发光发射光测量。同时，系统配有强大的测试软件，向导式的软件操作逻辑让测试过程变的简单，迅速。 应用：无机光致发光有机光致发光EL器件封装前体 优势：体积小巧：便于灵活使用及运输原位测量：可放至手套箱内，实现原位测量结构稳定：设备无需频繁校准 光谱仪型号QEPro/QE65Pro(可选) 光谱范围（nm）350-1100 信噪比1000:1 分辨率2.5nm(FWHM) 动态范围85000:1(QEPro单次采集) 25000:1(QE65Pro单次采集) AD位数18-bit(QEPro) 16-bit(QE65Pro) 积分球尺寸3.3" 涂层材料Sperctralon激发光源365-880nm光纤耦合高功率LED 强度可调典型半峰全宽 (FWHM)=14nm@405nm

1 产品简介在开发新的发光材料过程中，提高它们的光致发光效率是至关重要的。提高该效率就需要测量量子效率的精确技术。QES-PL光致发光量子效率测量系统针对器件的光致发光特性进行有效测量，其深制冷型背照式CCD具有高的灵敏度和信噪比，可以更加稳定快速得到结果。涂有PTFE涂料的积分球，光谱范围覆盖200-1100nm。可以支持粉末、薄膜和液体样品的测量，Spectralon涂料在全谱波段拥有的高反射率，可以完全匀化入射光，去掉积分球反射不均匀对结果的影响，此系统能用于多种领域，包括工业、生物和学术研究等。2 系统配置1）高功率氙灯2）单色仪3）积分球4）液体采样支架5）XS7031光纤光谱仪6）3根光纤7）绝对辐射标准光源（附带计量证书，绝对辐照度测量所需，另购） 3 规格参数产品型号QES-PL测量波长范围200-1100nm单色光源氙灯加单色仪，半峰全宽（FWHM)=14nm@405激发波长365-880nm带宽2nm激发波长控制软件控制波长分辨率视光谱范围与狭缝而定探测器像素点数1024*58探测器制冷温度-25℃光纤种类抗紫外石英光纤光纤波段UV-VIS积分球材料Spectralon积分球尺寸3.3″#光谱范围可根据用户需求进行定制4 测试项目? 量子效率测量? 颜色指标、辐射指标与量子指标? 标准灯校准绝对辐射 5 产品特点? 测量精度高：采用深度制冷型面阵CCD的光纤光谱仪作为探测器，极大降低长积分时间下噪声水平，提高测量精度。? 操作简单： Uspectral Plus专业光谱采集分析软件，一键式操作。? 功能齐全：可用于粉末、溶液、固体、薄膜样品的测量。6 应用领域? 无机光致发光? 有机光致发光? EL器件封装前体7 操作软件

测量荧光量子效率，蓝光吸收比、激发光、荧光等的光谱和色坐标，可拓展成电致发光测量系统定制光致发光荧光量子效率测试系统是对发光材料的发光特性，发光效率等光学性能进行测试的系统，可以测薄膜，液体和粉末。产品优势体积小巧：便于灵活使用及运输。流程化操作：设备无需频繁校准。便携式、波长可定制的准直激发光源，与积分球的球口匹配，无需手动对准。测试参数荧光量子效率，蓝光吸收比 ，激发光、荧光等的光谱和色坐标 该系统可拓展成电致发光测试系统，可测试光度量（Lux, lum, Candela）,EQE,电参数等系统特点6英寸Spectraflect积分球， 球大小可定制配置样品夹具/比色皿，可测试薄膜，液体和粉末NIST可溯源的标准灯2Pi-1-INT-050, 已知350nm~1050nm下每1nm的绝对光谱辐射通量光谱仪CDS2600 ，更多光谱仪可选便携式、波长可定制的准直激发光源定制软件主要规格参数积分球直径：6inch激发光光斑大小：在7mm距离处，光斑面积直径不大于6mm积分球内部涂层：Spectraflect激发光波长：308nm, 365nm, 405nm, 455nm,535nm, 590nm， 740nm夹具比色皿夹具，薄片夹具软件定制软件，测试方法：直接法，AM法备注：积分球尺寸，开口，激发光波长等均接受定制

光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点： 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询；**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长：325nm，功率：20mW，制冷机最低制冷温度：10K ZnO材料的PL谱: 激发波长：325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带，而在500 ～ 600nm 波段，有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带，可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。

LQ-100X-PL 光致发光与发光量子产率测试系统产品介绍： 精巧的光致发光量子产率量测系统1. 什么是 PL? PL (Photoluminescence, 光致发光)：当材料吸收光子后，电子跃迁至激发态，再回到低能态，将能量以光的形式发出。2. 什么是 PLQY?PLQY (Photoluminescence Quantum Yield, 光致发光量子产率) 计算方式为发出的光子数除以吸收的光子数。PLQY 是评价发光材料的重要指标，除了可以用来对材料进行初级分类的基本参数，且对于发光系统与其载子动力学的重要分析方法。LQ-100X-PL 如何测试 PLQY?3. 量测背景讯号量测样品计算样品的光致发光量子产率PL 与 PLQY 是研究材料表征的重要工具，目前材料测试面临挑战有以下三点：(1) 无法在手套箱内测试。(2) 无法进行原位时间光谱解析。(3) 红外波段扩展不易。LQ-100X-PL 针对上述的3大痛点，做出了应对。特色LQ-100X-PL 拥有以下几点优势，可应对材料测试面临的挑战：以紧凑的设计，尺寸大小 502.4mm(L) x 322.5mm(W) x 352mm(H)，搭配 4 吋外径 PTFE 材质的积分球，并且整合 NIST 追溯的校准，让手套箱整合 PL 与 PLQY 成为可能。利用先进的仪表控制程序，可以进行原位时间 PL 光谱解析，并且可产生 2D 与 3D 图表，说明用户可以更快地表征材料在原位时间的变化。系统光学设计可容易的做红外扩展，波长由1000 nm 至 1700 nm。粉末、溶液、薄膜样品都可兼容测试。规格标准配置：全向式收光系统 (100 mm 积分球)增强型多信道光谱仪测试系统光致发光量测模块 (365 nm LED 激发光源)量测软件工控机与屏幕选配规格：EL光谱整合测试套件 (源表/PMT模块/背探式样品盒/多通道手动切换盒/EL量测软件升级)红外光谱扩充模块 (900 – 1700 nm)手套箱整合套件激发光源LED光源 (波长可选：385 nm / 405 nm / 430 nm / 470 nm / 532 nm)Laser光源 (波长可选：375 nm / 405 nm / 532 nm)应用荧光粉 (Phosphor)发光二极管荧光材料 (LED fluorescent material)有机发光二极管荧光材料 (OLED fluorescent material)钙钛矿 (Perovskite)雷射染料 (Laser dies)钙钛矿量子点粉末与单晶 (Perovskite quantum dot powder and single crystal)PbS 量子点 (PbS quantum dot)实证PL 光谱显示LQ-100X-PL 系统可以针对多种材料进行 PL 与 PLQY 测试。步骤如下：测量背景讯号，如图中蓝色曲线，并可计算入射激发光子总数。测量样品光谱，如图中绿色曲线。计算得到发射光子总数。计算 1. 2. 步骤中，样品吸收光子率与吸收光子总数。由 1. 3. 相除可得到 PLQY。发射光谱分析LQ-100X-PL 软件可以针对 PL 发射光谱进行多种分析，以定量的表征材料的特性。包含：发光 CIE 色坐标CIE-xyzCIE-XYZCIE-uv色温色彩纯度原位时间解析 PL 光谱变化LQ-100X-PL 除了 PLQY 测量外，还可进行 PL 光谱随时间变化连续测试，并绘制成 2D 或 3D 显示图-称为原位时间解析 PL 光谱图。如图所示，钙钛矿的 PL 光谱随着时间增加的变化，可以波长半宽 (FWHM) 随之增加，并且产生中心波长 (Peak Lambda) 红移的现象。分析原位时间解析 PL 光谱图，对于新型材料如钙钛矿的稳定性或亚稳态特性，具有直接的的证据说服力。是材料表征的最佳工具。

近年来，光伏产业发展迅猛，提高效率和降低成本成为整个行业的目标。在晶体Si太阳电池的薄片化发展过程中，出现了许多严重的问题，如碎片、电池片隐裂、表面污染、电极不良等，正是这些缺陷限制了电池的光电转化效率和使用寿命。同时，由于没有完善的行业标准，Si片原材料质量也是参差不齐，一些缺陷片的存在直接影响到组件乃至光伏系统的稳定性。因此，太阳能行业需要有快速有效和准确的定位检验方法来检验生产环节可能出现的问题。 发光成像方法为太阳电池缺陷检测提供了一种非常好的解决方案，这种检测技术使用方便，类似透视的二维化面检测。 光致发光(photoluminescence，PL)检测过程大致包括激光被样品吸收、能量传递、光发射及CCD成像四个阶段。通常利用激光作为激发光源，提供一定能量的光子，Si片中处于基态的电子在吸收这些光子后而进入激发态，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时间内会回到基态，并发出以1150 nm的红外光为波峰的荧光。利用冷却的照相机镜头进行感光，将图像通过计算机显示出来。发光的强度与本位置的非平衡少数载流子的密度成正比，而缺陷处会成为少数载流子的强复合中心，因此该区域的少数载流子密度变小导致荧光效应减弱，在图像上表现出来就成为暗色的点、线，或一定的区域，而在电池片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域。因此，通过观察光致发光成像能够判断Si片或电池片是否存在缺陷 。操作界面如下图 测试样本实例如下图： PL测试设备性能参数 ParameterSpecificationGeneralMeasurement System:Sample TypeSolar Cells:6” solar (5” configuration available too specify with order)Busbar Configurations:2 busbars and 3 busbars and Back-Contact (BC-) cellsDefect Types Found:(for both mono- and poly-cell material)Micro Cracks / Large Cracks / Dark Areas / Low efficiency areas / Whole Cell defectMax. Throughput:Inspection Cycle Time:3000 cells / hOperation:Stop & Go measurementOpticsCamera:1 x 1 Megapixel Camera (Black & White sensor)à 0.15 mm/pixel resolutionLens:NIR optimized lens + cut-off filters for PLCamera specificationsImage device:1MP Deep depletion cooled CCD sensorPicture size:1024 H x 1024 VPixel size:13 μm x 13 μm (large pixel for best SNR)Resolution depth:16 bitLens mount:C-MountFrame rates:2,25 fps (full resolution)IlluminationPL excitation source:Laser

Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打：010-56370168-601 性能特点：● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件：325nm激发，功率30mW● 光谱范围：340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。

应用：（系统配合HORIBA FluoroMax+P)液氮低温环境及常温环境下的 光致发光量子效率 磷光量子产率 吸收光谱 荧光光谱 光致发光绝对量子效率测量是发光材料表征的重要手段；温度的变化对于表征材料的特殊应用有着重要的影响。2020年首发，东方科捷推出液氮低温量子效率（LN-QE）测试功能附件。 液氮环境下，发光分子被冷冻，发光会增强，特别对于磷光材料；某些磷光材料在室温下发光较弱，不利于光致发光量子效率的准确测量及数据对比，如果在液氮温度下就能很好解决这个问题。 其他特殊材料，比如AIE材料，如果进一步了解聚集导致的空间位阻形成的发光增强，可以对比分子冷冻位阻发光差异。延迟荧光材料，比如热延迟荧光材料，可以对照不同温度调节下的发光差异，结合荧光寿命数据，即可明确给出某些结论。 同理，如果材料发光既有荧光又有磷光，研究者关注磷光部分，希望通过材料设计及修饰提高磷光发光比重，那么，采用这套附件配合磷光光谱仪，即可获得液氮低温的磷光量子效率数据。 由于设计中包括液氮温度和积分球，当然，获得液氮低温下发光材料的吸收光谱，这也是值得兴奋的事情。通常发光材料吸收光谱，不能采用常用的紫外可见近红外分光光度计获得真实数据，我们通常是采用双单色仪（比如荧光光谱仪）同步扫描的方式获得。加上液氮温度和积分球，显然，固体材料的液氮温度下的漫反射吸收数据就唾手可得。 技术描述：* 采用高纯铝粉作为空白样品采集空白激发散射峰及空白荧光峰；* 同样的测试条件放入待测样品，获得；样品放入时的散射峰和荧光峰；* 带入公式，导入积分球校正文件计算量子效率；* 采用散射校正扣除散射能量差异，对空白荧光峰中的噪声和样品荧光峰中的噪声做归一化。主要技术指标：1、积分球内衬：聚四氟乙烯材质；2、波长：300nm-850nm；（依赖于光谱仪）3、液氮杜瓦容积150ml；4、装机时完成校正文件的采集；5、采用双曲线法或四曲线法进行数据采集。

PMEye-3000光致发光光谱成像（PL-Mapping）测量系统是卓立汉光最新研制的，用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等，在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像，扫描结果以3D方式进行显示，使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好，操作简单，只需简单培训就能使用。测试原理：PL（光致发光）是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术，可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例：LED外延片，太阳能电池材料，半导体晶片，半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点：◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度：180点/秒◆ 空间分辨率：50um◆ 光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计，操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计，关键尺寸根据人体工学理论设计，不管是样品的操作高度和电脑使用高度，都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成，方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台，可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮，方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想，可根据用户的样品特点来选择规格配置，让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统，采用整机设计，用户只需要根据需要放置检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，避免了用传统方式固定样品而造成的损坏；可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位，提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度，而没有对激发光源进行监控，而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器，使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置选配激光器波长为：325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台，最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等，扫描速度可高达每秒180个点，空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验，,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯，从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量，给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示，Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。

光致发光影像系统--HeliosHelios是全自动实时材料分级和过程控制的在线监控设备，鉴别太阳能电池材料中可能降低效率的隐性伤痕，提高生产效率的同时降低成本。每条生产线每年提升效益170万美元！应用：1.进料监控 通过少子寿命自动对晶圆定级2.过程控制 监控和优化关键工序，如扩散和镀膜等3.损伤鉴别 检测电池片成品的破损和微小裂痕 特点：1. 线上监控或线下分析都适用2. 采用InGaAs探头提升测量灵敏度，减少检测时间3. 采用高灵敏光学成像技术，每片晶圆测试时间1s4. 鉴别并预防低质量材料进入高损耗工序，降低成本5. 采用简单明了的图形界面和是非判定6. 相比于其他同类PL系统更具性价比

SpectrumTEQ-PL系列光致发光测试以模块化思路设计，适合手套箱内使用，也可以和电致发光方案共用部分器件，配合组成一套完整的测试方案，应对无论是OLED，QLED，PeLED发光器件，在器件制备的全流程中进行器件测试，测试系统经过可溯源的光源进行定标，能够进行准确的绝对量子产率，色度，和光谱测量。PL系统针对手套箱做了易用化的设计,采用升降台承载样品防止手持造成洒落，在保证操作方便的同时，保证了每次安装的位置都相同，降低了人为操作的误差，提高了整体测试过程中的结果可靠度。含激发光滤光片插槽，根据激发光波长搭配滤光片，防止激发光和样品发光重合对结果的影响。 测量参数亮度色坐标主波长量子效率量子效率随激发功率的曲线辐射通量，光通量 应用领域无机光致发光有机光致发光EL器件封装前体 产品优势体积小巧：便于灵活使用及运输原位测量：可放至手套箱内，实现原位测量结构稳定：设备无需频繁校准 产品参数

WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命。 瞬态光电导衰减法（PCD）和荧光方法两种互为补充。操作和使用起来和WCT120一样方便。 wct-120pl系统能力主要应用：通过使用QSSPC或短暂的寿命测量和PL测量制造过程监控和优化步骤。其它功能：?初始材料（硅片）质量监控?（硅片）加工过程中的重金属污染晶圆检测?评价表面钝化和发射极的掺杂剂扩散?使用隐含的VOC测量来查找生产过程引入的漏电因素?迭代计算qsspl和QSSPC数据得到衬底掺杂情况上图是wct-120pl得到的一个校准的荧光寿命曲线与一个校准的QSSPC寿命曲线产生寿命数据的载流子密度对照曲线。 更多内容请见附件文件

WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命。 瞬态光电导衰减法（PCD）和荧光方法两种互为补充。操作和使用起来和WCT120一样方便。 wct-120pl系统能力主要应用：通过使用QSSPC或短暂的寿命测量和PL测量制造过程监控和优化步骤。其它功能：?初始材料（硅片）质量监控?（硅片）加工过程中的重金属污染晶圆检测?评价表面钝化和发射极的掺杂剂扩散?使用隐含的VOC测量来查找生产过程引入的漏电因素?迭代计算qsspl和QSSPC数据得到衬底掺杂情况上图是wct-120pl得到的一个校准的荧光寿命曲线与一个校准的QSSPC寿命曲线产生寿命数据的载流子密度对照曲线。 更多内容请见附件文件

SpectrumTEQ-PL系列光致发光量子效率测量系统，针对器件的光致发光特性进行有效测量，可在手套箱内完成搭建，无需将样品取出，即可完成光致发光量子效率的测试。系统搭配QE Pro光谱仪信噪比高、杂散光低，动态范围大，适合不同波段和强度的激发光和发射光测量。同时，系统配有强大的测试软件，向导式的软件操作逻辑让测试过程变的简单，迅速。 测量参数量子效率量子效率随不同激发能量变化的曲线辐射通量，光通量发射光谱亮度，色坐标主波长 应用领域无机光致发光有机光致发光EL器件封装前体 产品优势体积小巧：便于灵活使用及运输原位测量：可放至手套箱内，实现原位测量结构稳定：设备无需频繁校准 产品参数系统配置配置方案　方案1 方案2 方案1光谱仪型号QEPro / QE65Pro（可选）NIRQuest+1.7/2.2（可选）光谱范围(nm)350-1100900-2200信噪比1000:115000:1(@100ms积分时间)分辨率2.5 nm (FWHM)3.4-10.8 nm (FWHM)动态范围85000:1（QEPro单次采集）；25000:1（QE65Pro单次采集）15000:1 (单次扫描）AD位数18-bit（QEPro）；16-bit（QE65Pro）16-bit积分球尺寸3.3”1.5”3.3”材质PTFEPTFE源表Keithley2400或2450Keithley2400或2450光纤芯径1000um（可更换其他芯径）1000um（可更换其他芯径）材料石英石英校准灯HL-3-INT-CALHL-3-INT-CAL 5W（电功率）5W（电功率）夹具　夹具形式多通道（可定制）多通道（可定制）控制器多通道无线多通道无线软件Ocean QY专用软件Ocean QY专用软件性能参数：测试范围（依配置决定）亮度0.01-2*106nit通量5*10-6-300 lm辐射亮度350-1100nm0.02-2*106mW/Sr/m2辐射亮度900-1700nm300-6*108mW/Sr/m2辐射通量350-1100nm1*10-5-650mW辐射通量900-1700nm0.02-3.5*104mW亮度重复性＞98%主波长重复性0.5 nm光致量子效率测试结果重复性5%电致量子效率测试结果重复性2%注：以上测试样品为标准朗伯体测试结果。

仪器简介：外延片PL谱扫描成像仪用于快速在线检测发光二极管外延片的质量，主要用于发光二极管外延片和芯片生产线．生成高分辨率的图谱和测定薄膜厚度等。本仪器为外延片生产工艺优化控制提供快速可靠的数据反馈．为高效高质量生产提供可靠保证。本成像仪现已成功应用于多条LED外延片生产线上。逐点扫描检测计算机分析计算外延片的积分光强，主波长，峰值波长，光谱半宽等参数以绘图形式显示分布和数据截面分布囤，显示单点光谱显示各个参数的统计结果显示选择范围的各项统计参数可进行局部扫描，并对扫描结果进行去孤立点和去边处理采用白光反射谱测量薄膜厚度并以绘图形式显示分布和数据配备离线数据处理软件本成像仪可靠。结构紧凑。全部检测和数据处理由计算机自动完成。采用用户友好的窗口界面，操作简便。用户仅需最小的培训就可使用。另外可根据不同外延片，选配不同的激光器。技术参数：1 、光致发光样品腔 10x M-Plan镜头颜色修正，波长范围：350-1800nm 工作距离：30.5mm, 20mm FL, z轴可调 系统空间分辨率：10微米(1微米选配) 镜子带孔洞作为激光束及PL信号的通道 Iris光圈用于激光束的调整 可变ND过滤器用于激光能量的控制(99% to 2%) 10毫米孔洞PL信号校准镜头 马达控制的XY台，最大速度30毫米/秒，1微米扫描分辨率 2 & 4外延晶片样品盘 包括高分辨控制器和电缆 2、IG512近红外光谱仪，900-1700nm, 512像素, InGaAs阵列 25um x 500um像素尺寸，14bits, 2.5MHz数字转换器, f/4, 40mm FL 探测范围：900nm全谱，300gr/mm, 1um blaze grating 包括SMA905, 400um多模光纤，1米长 3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可见光，衍射光栅光谱仪 f/4, symX-Czerny-turner类型 分辨率：1.6nm (50um狭缝，@600gr/mm grating) 包括2048像素CCD探测器，12bit数字转换器 600gr/mm grating 接口：USB-2&平行 SMA905光纤光学输入，0.22NA，400um多模光纤，1米长主要特点：仪器特点 高品质及中等价位的PL扫描系统(高性价比)； 波长范围宽广(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um)； 噪声低，高PL信号探测； 设计紧凑，易于调谐； 各种激发激光源可选； 易于发现峰及FWHM；

OmniPL-MicroS组合式显微光致发光光谱系统 显微光路通常具有较高的通光效率，用在荧光光谱测量中，不仅可以进一步提升系统的信噪比，更可以实现微区测量。我公司除了可以提供“Flex One(微光）”系列显微光致发光光谱仪一体机，还为组合式系统的客户提供了两种类型的显微光路模块，一种是不带显微镜的水平光路显微模块，另一种是带有显微镜的垂直光路显微模块，它们都可以与我公司的光谱及配件组合成为显微光致发光光谱系统。 性能特点● 模块化的结构设计——水平和垂直光路可选，组合方便● 超宽光谱范围*——200nm-1600nm● 默认适配激光波长——325nm● 其它激光器波长可选*——405nm/532nm/633nm等● 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项● **——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定；**选配项，请详细咨询。 参数规格表(*)主型号OmniPL-MicroS光谱测量范围200-1600nm荧光光谱分辨率0.1nm激光波长325nm探测器类型制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs512×1单点PMT单点制冷型InGaAs探测光谱范围200-1000nm800-1600nm200-870nm800-1600nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！OmniPL-MicroS-A垂直光路型 垂直光路型系统架构基于标准显微镜体和光谱仪等模块组合而成，光路垂直更有利于一般的样品放置，测量过程更方便。OmniPL-MicroS-B 水平光路型 水平光路型的系统不采用显微镜体，光路水平输出，需将样品竖直放置，系统可以配置多维可调的样品架，可以夹持固体、液体等多种类型的样品；水平光路更适合于液体样品，以及与低温制冷机配合使用时的光学布局。OmniPL-MSA-325型显微PL光谱系统主要技术参数（垂直光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）● 预留CCD接口● 可升级电致发光（EL）测量● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20W- 显微光路模块（OmniPL-KS-A）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 标准显微镜（带样品X-Y手动调节台）? 内置CCD监视光路? 可加装滤光片轮 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0? 光谱仪整体支架- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mmOmniPL-MSB-325型显微PL光谱系统主要技术参数（水平光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）、液态● 预留CCD接口● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）● 可升级至超低温（10K）测量功能详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20mW- 显微光路模块（OmniPL-K1-325）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 样品架：固体（片状、粉末）、液体比色皿样品池，可五维手动调整? 内置监视光路 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mm应用举例某用户提供的ZnO参杂发光材料（测试设备：OmniPL-MSA-325显微PL光谱系统）

基于发光成像和激光扫描的太阳能电池检测工具.该系统提供多种成像测试解决方案，如电致发光、光致发光、热成像和光束感应电流测量，用于检测太阳能电池的内部缺陷和器件故障。-电致发光成像-光致发光成像-光束感应电流(LBIC)成像-热成像-通过发光检测，检测出太阳电池和组件的缺陷，如裂纹、暗区和指状缺陷.....

一、SpectrumTEQ-PL光致发光量子效率测量系统SpectrumTEQ-PL系列光致发光量子效率测量系统，针对器件的光致发光特性进行有效测量，可在手套箱内完成搭建，无需将样品取出，即可完成光致发光量子效率的测试。系统搭配QE Pro光谱仪为业内公认旗舰系列，信噪比高、杂散光低，动态范围大，适合不同波段和强度的激发光和发射光测量。同时，系统配有强大的测试软件，向导式的软件操作逻辑让测试过程变的简单，迅速。 测量参数 量子效率 量子效率随不同激发能量变化的曲线 辐射通量，光通量 发射光谱 亮度，色坐标 主波长 应用领域 无机光致发光 有机光致发光 EL器件封装前体 产品优势 体积小巧：便于灵活使用及运输 原位测量：可放至手套箱内，实现原位测量 结构稳定：设备无需频繁校准 产品参数：系统配置光谱仪型号QEPro/QE65Pro（可选）光谱范围（nm）350-1100信噪比1000:1 分辨率2.5nm(FWHM)动态范围85000：1（QEPro单次采集）；25000:1（QE65Pro单次采集）AD位数18-bit（QEPro）；16-bit（QE65Pro）积分球尺寸3.3"涂层材质Sperctralon激发光源365-880nm光纤耦合高功率LED；强度可调典型半峰全宽（FWHM)=14nm@405nm光纤芯径1000um（可更换其他芯径）校准灯型号HL-3P-INT-CAL功率5W（电功率）软件Ocean QY专用软件样品皿固/液/粉末专用样品皿 相关应用：光致发光和荧光量子效率计算 二、SpectrumTEQ-EL电致发光量子效率测量系统 SpectrumTEQ-EL系列电致发光量子效率测量系统，可以针对发光器件的光电特性进行有效测量，系统搭配的QEpro光谱仪为业内公认旗舰系列，具有信噪比、低杂散光等特性，可确保测量结果得准确性；同时，系统配有强大的测试软件，对话框式的软件操作界面让测量过程变得更为简单。 测量参数 量子效率 亮度 量子效率随电流密度的曲线 色坐标 辐射通量，光通量 主波长 应用领域 无机电致发光 有机电致发光 分子薄膜EL器件 产品优势 体积小巧：便于灵活使用及运输。 原位测量：可放至手套箱内，实现原位测量 流程化操作：设备无需频繁校准。 产品参数：系统配置配置方案　方案1 方案2光谱仪型号QEPro / QE65Pro（可选）光谱范围(nm)350-1100信噪比1000:01:00分辨率2.5 nm (FWHM)动态范围85000:1（QEPro单次采集）；25000:1（QE65Pro单次采集）AD位数18-bit（QEPro）；16-bit（QE65Pro）积分球尺寸3.3”1.5”材质Spectralon源表Keithley2400光纤芯径1000um（可更换其他芯径）校准灯角度2 Pi 型号HL-3-INT-CAL亮度50流明功率5W（电功率）无线遥控　通道数4无遥控软件SpectrumTEQ-EL专用软件 相关应用：荧光量子产率原理及应用

仪器简介： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。技术参数：主要规格特点：■ 采用5.5(224nm)或5.0 eV(248.6nm)深紫外激光器■ 室温PL光谱测量范围：190~650nm（标准），190~850nm（选配）■ 高分辨率：0.2nm（@1200g/mm光栅，标配），0.07nm（@3600g/mm光栅，选配）■ 门闸积分平均器（Boxcar）进行微弱脉冲信号的检测■ 可实现量子效率测量■ 基于LabView的界面控制■ 光谱分析软件可获得光谱带宽、峰值波长、峰值副瓣鉴别、光谱数据运算、归一化等■ 最大可测量50mm直径样品，样品可实现XYZ三维手动调整（标准）■ 可选配自动样品扫描装置，实现Mapping功能■ 可用于紫外拉曼光谱测量■ 高度集成化，体积：15 × 18 × 36cm，重量：8kg主要特点： 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。

产品简介：- PL（荧光 / 磷光）测试 - EQE / IQE 测试 - 吸收 / 发射 / 发射光谱测试 - 适用于 PL 薄膜、固体、粉末、液体样品

仪器简介：太阳能电池 电致发光成像检测仪根据客户的应用分为研发型（手动）和生产型（全自动），研发型适合太阳能电池研究实验室用，性价比高，稳定性好，价格适中。另外，根据客户的需要也可做成跟光致发光检测仪（PL Imaging system) 一体机。同时可扩展到反射率 mapping的功能，也可以为改进工艺提供有效的参考依据。 技术参数：-DC/Pulse electrical power source/meter-constant current/voltage operation-电压:-20V~+5V-电流:Max.30mA,1A,20A(客户可选)-多种电流范围主要特点：&bull 通过对太阳能电池EL检测，可检测出Micro crack,印刷／烧结缺陷，电致发光强度，热点 ，颜色缺陷分析，串联电阻（mapping)。。。等。&bull 交流 EL影像检查适用(顺方向/逆方向同时测定)&bull 高分辨率 CCD影像检查&bull 太阳能电池cell及大面积模组对应&bull 生产检查用及研发分析用等多种型号&bull Hardware/Sofrware/Jig 等Total Solution 提供&bull LBIC, 外观检查等其他综合检测功能

瞬态电致发光模块 及推荐系统配置及功能整套包括: 成像光谱仪及冷冻CCD面阵检测器；单光子计数检测器；时间分辨多通道采集模块；真空液氮变温样品支架；积分球及器件夹具；常温样品支架；光激励用激光器；外加电场的电致发光驱动模块；标准发光光源；相关软件；以上功能模块可以根据需要取舍；选择需要的系统模块满足 光/电致发光 及 时间分辨测试（瞬态测试） 需要；电致发光光谱ELS电致发光效率QE时间分辨电致发光TREL外建偏压电场对发光寿命影响发光色度；时间分辨发射光谱TRPL/TRES瞬态电致发光模块EzTime-EL 主要技术指标1. 时间分辨区间：25ps-10s；2. 波长：350nm-1050nm；（依赖于配置）3. 电驱动脉宽20ns-1s可调区间；4. 电驱动电压 0-12V 步进0.1V；5. 外加电场延迟时间0-1000微秒可调；技术理解时间分辨的光致发光，可以了解材料的发光分子内部及分子间相互作用及能量转移效率，包括发光中心的空间间距； l 电致发光：发光对应开关电压，电压V-电流I关系；发光光谱；色坐标，发光效率QE；l 观察角度：采用高光谱模式，球面任意位置强度分布及发光光谱；l 时间分辨电致发光：发光器件对驱动电场的响应；发光衰减曲线；l 外建偏压电场：了解偏压对发光衰减的影响； l 真空和液氮低温环境：减少器件的气氛及温度干扰；