高碳铬铁

【C6-C12低碳VOCs在线气相色谱系统】该系统基于气相色谱技术，结合常温吸附-快速热解析系统，对样品气体中的C6~C12VOCs进行分析。 采用隔膜泵主动抽取空气样品，由高精度质量流量控制器（MFC）精确控制采样体积，样品中的低碳挥发性有机物被吸附在复合填充吸附管中，闪蒸进样后进入带预柱反吹的气相色谱分离系统，C12以上的高沸点化合物被反吹出去，C6-C12范围内目标化合物进入氢火焰离子化检测器(FID)被检测到。【系统特色】1、复合填料填充吸附管，对不同种类的目标化合物均具有良好的吸附性能，最大采样体积高达1L以上；2、极速闪蒸技术，吸附管最大升温速率高达40℃/s，保证了较窄的进样谱带宽度；3、采用预柱/反吹技术，保留目标组分，反吹样品中高沸点组分，既缩短了总分析时间，又延长了分析柱的使用寿命，减少了运行维护成本； 4、分析流路采用去活钝化管路和器件，对样品无吸附，测量结果准确；5、使用自动电子流量控制技术（EPC）控制载气、空气和氢气，高精度（0.01psi），重复性和再现好；6、核心部件均使用国际知名品牌，可靠性高，使用寿命长。【应用领域】1、城市环境空气在线监测2、化工园区排放口或厂界挥发性有机物在线监测3、特定污染物在线监测【技术参数】检测能力C6-C12高沸点挥发性有机物量程0-300ppb 吸附管；0.1ppm-100ppm 定量环检测器氢火焰离子化检测器（FID)检出限≤0.03 ppb (苯)重复性RSD≤3% (苯)分析周期15-30 min功率电源800w，220V AC/50Hz气源要求载气：高纯氮气或零级空气（≥99.999%）；燃烧气：高纯氢气（≥99.999%）助燃气：零级空气（烃类＜20ppb）输出4-20mA、RS232/RS485、以太网尺寸19"标准机箱，6U

TC-80C红外定碳（硫）仪采用高频感应炉配合红外碳硫分析系统，能快速、准确地测定催化剂、普碳钢、高中低合金钢、生铸铁、灰铸铁、球墨铸铁、各种铁合金、硅铁、锰铁、镍铁、铬铁、锂铁、稀土金属、焦炭、煤、炉渣、矿石等各种材料中碳硫元素含量。该产品是集光机电、计算机、分析技术于一体的高新技术产品，多项技术国内领跑。 ★ 执行标准:ASTM UOP703-2009感应炉燃烧和红外线检测法测定催化剂中碳含量 ★ 仪器特点： 1、采用低噪声、高灵敏度、高稳定性的红外探测器 2、整机模块化设计，提高了仪器的可靠性 3、电子天平自动联机（赛多利斯天平） 4、上下机位采用USB2.0接口通讯，大大提高了通讯速度 5、红外检测部分与高频炉采用安捷伦1521/2521高速光纤连接，配合多级隐蔽式隔离电路，彻底杜绝了高频干扰 6、高频电路设计合理，高频炉功率可调，适合于不同材质样品分析要求 7、专用窄带滤光片和红外热释电固定光锥型传感器，可有效检测ppm级的碳硫含量 8、炉头加热装置，使硫的转化率趋于一致，提高了硫测定的稳定性 9、软件功能齐全，提供文件帮助、系统监测、通道选择、数理统计、结果校正、断点修正、系统诊断等四十多项功能 ★ 技术参数： 1、测量范围：碳0.0001%-10.0000%(可扩至99.999%) 硫0.0001%-0.3500%(可扩至99.999%) 2、分析精度：符合ASTM UOP703-20093、灵敏度（最小读数）：C/S：0.1ppm4、分析时间：20-100秒可调（通常为35秒）5、工作周期：24h连续运转6、高频炉输出功率：2500W；频率：20MHz ★ 主要配置：主机、高频炉、天平、计算机尺寸/（mm）：主机：530（长）×370（宽）×200（高）高频炉：690（长）×520（宽）×800（高）

EDX9000B能量色散荧光光谱仪-粘土分析专家作为一款高性能的台式能量色散X射线荧光（EDXRF）元素分析仪，新款EDX9000B配置了最先进的基于Windows基本参数算法的FP（Fundamental parameter）软件，同时配备了最优的高性能硬件，来满足客户对于复杂矿石样品的元素分析需求。无论客户的样品是是固体，合金，粉末，液体或者浆液，EDX9000B都可以轻松实现从钠（Na）到铀（U）元素的无损定性和定量分析。更快的分析速度，更精确的测试结果，更稳定的仪器性能， 使得EDX9000B成为了客户进行元素分析的最佳工具之一。产品特点&bull 无需或者很少的样品制备，全程无损分析，一到三分钟即可出结果&bull 强大的基于Windows的FP（基本参数算法）软件降低了基体效应的影响&bull 50 kV 光管管和电制冷的SDD硅漂移检测器不仅具有出色的短期重复性和长期重现性，而且具有出色的元素峰分辨率&bull 能同时进行元素和氧化物成分分析&bull 多重仪器硬件保护系统，并可通过软件进行全程实时监控, 让仪器工作更稳定、更安全&bull 特别设计的光路和真空系统大大提高了轻元素(Na, Mg, Al, Si, P）的测试灵敏度和准确性，同时在测试Cd,Pb,Cr,Hg,Br,Cl等其他元素的灵敏度和稳定性都有了明显的提高&bull 友好的用户界面，可定制的分析报告，可一键打印测试报告，包括分析结果，样品信息，光谱信息和样品图像&bull 八种光路准直系统，根据不同样品大小自动切换，亦可测试样品不同位置再求平均值，降低样品不均匀性造成的误差&bull 高清内置摄像头，清晰地显示仪器所检测的样品部位

高真空热蒸发镀碳仪全自主支持产权，效率更高、颗粒更细，膜厚更均匀。适用于EDS样品制备；EBSD样品制备；MLA系统样品制备；其它需要制备碳膜的领域。全自主支持产权效率更高、颗粒更细，膜厚更均匀应用领域：1、EDS样品制备2、EBSD样品制备3、MLA系统样品制备4、其它需要制备碳膜的领域技术参数：人机界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏蒸发源高纯碳纤维（选配碳棒）蒸发源数量1-4根（更多请咨询厂家）工作模式连续、脉冲操作方式全自动一键操作真空系统涡轮分子泵+旋片泵极限真空≤5E-3Pa工作真空＜0.1Pa抽气节拍＜3分钟真空室~φ170×130mm其它样品台旋转、样品温度检测、蒸发除气等

一．用途 该款拉力机适用于寻求材料力与形变关系的实验，可对金属，非金属的原材料、加工件、成品进行拉伸、弯曲、剥离、压缩、压陷、附着力、撕裂等多项力学实验及分析。符合标准：GB/T 31290-2014 碳纤维 单丝拉伸性能的测定 二：技术指标：1、试 验 载 重： 10KN2、有效测试空间： 高度 800mm3、单 位 选 择： Gf、Kgf、N、KN、LB、Mpa（根据需要任意选择）4、感 应 方 式： 选用美国Transcell公司力传感器10KN5、动 力 系 统： 日本松下Panasonic伺服机电组+专业松下Panasonic交流伺服控制器6、力 分 辨 率： ±1/5000007、测 力 范 围： 04%-100（满量程）8、测 量 精 度： 示值的±0.5%以内9、位 移 分辨率： 0.05mm(注:此型号设备已内置变形装置,更方便有助于测量金属或非金属材料及各种复合材料的弹性变形和塑性变形的物理性能)10、位移测量精度： 示值的±0.5%以内（采用高精度位移传感器跟踪测试）11、变形分辨率： ±1/300000F.S（全程分辨力不变）12、变形测量范围： 0.2%-100 F.S13、变形示值误差： 示值的±0.5%以内14、试验控速范围： 0.001-500 mm/min分段控制，无级调速15、试验控速精度： 速度＜0.01mm/min时，为设定值的±1%以内； 速度≥0.01mm/min时，为设定值的±0.5%以内；16、力控速率范围： 0.5%～6％FS/S17、力控速率精度： 设定值的±1%以内18、变形速率范围： 0.2%～6％FS/S19、变形速率精度： 速率＜0.05％FS时，为设定值±1%以内； 速率≥0.05％FS时，为设定值±0.5%以内；20、电 源： AC 220V 50HZ21、外 形 尺 寸： 800*400*1800 mm 约W×D×H) 22、 重 量： 约300 KG23. 专用中英文测试软件一套.（随时根据客户要求进行改版或升级且不收任何费用）三、配套夹具：四、产品配置 测力传感器进口美国Transcell力传感器机台丝杆台湾ABBA高碳丝杆导向杆韩国太敬导杆制作，表面经高温及硬铬电镀处理，HRC60以上防尘装置台湾抑叠防尘罩，保护丝杆；延长使用寿命控制系统日本松下控制系统显示方式触摸屏操作，可连接PC和打印机，能输出曲线图形报告 深圳市喜德盛于2006年购买我司材料试验机，目前试验机仍然奋斗在检测一线，机器运行状况良好，十三年的品质见证。部分使用我司材料试验机高校案例1、防水型液体创可贴的研厦门大学2、纳米颗粒--聚合物薄膜制备及力电特 性研究江苏大学3、银纳米颗粒- 聚合物柔性应变传感薄 膜制备与压阻传感特性研究江苏大学4、功能性纤维素气凝胶的制备及其在 水净化中的应用研究浙江理工大学5、应用于 3D 打印技术的 ABS/纳米二氧 化钛复合材料制备及力学性能研究衢州职业技术学院6、金属-有机框架复合材料的制备及其 去除水中重金属离子的研究浙江理工大学7、聚酰亚胺基锂电隔膜的制备及性能辽宁石油化工大学8、急冷处理、抽气充氮结合纳米包装对绿茶保鲜品质的影响南京财经大学9、基于神经网络算法的高强镁合金热处理工艺优化保定广播电视大 学10、灵武长枣果实力学特性与采摘机械损伤研究宁夏大学11、用于精馏的中空纤维膜填料的疏水改性及分离传质性能分析浙江工业大学12、聚合物封边砂浆的研制与应用浙江省建筑科学设计研究院有限 公司13、车身反光贴用聚氨酯胶粘剂的研制洛阳石化工程设 计有限公司14、壳聚糖聚醚衍生物的制备及其在 棉织物活性染料无盐染色中的应用青岛大学15、高温电热法制备高致密魔芋海绵武汉大学16、全水发泡聚氨酯硬泡的制备及阻燃性能的研究吉林大学17、Ni、Mn 对低温高韧性球墨铸铁组织和性能的影响郑州大学18、高性能环氧树脂复合材料的制备与性能研究山东科技大学19、镍含量对球墨铸铁组织性能的影响商丘职业技术学院20、H13 热作模具钢 脉冲电流处理及其性能研究海南科技职业学院21、苯丙乳液基水泥复合道面填缝料力学性能研究空军工程大学22、异种材料超声辅助激光点焊机理研究长春理工大学23、微波加热预处理铬铁矿工艺研究昆明理工大学24、振动结构耦合动刚度的间接逆子结构辨识方法西北工业大学25、伪半固态触变成形制备SiCp/Al电子封装材料的组织与性能北京科技大学26、室温固化型 MDI 体系聚氨酯弹性 体力学性能的研究陕西省化工研究院27、提高RTV732硅酮胶剥离强度的试验研究中航飞机股份有限公司28、环氧树脂/二氧化硅复合材料界面强度表征方法国家电子电路基材工程技术研究中心29、微晶纤维素单颗粒定量结构及其对片剂崩解性质的作用上海应用技术大学30、竹材纤维素气凝胶的形成机理及性能研究浙江农林大学31、石墨烯液晶及宏观组装纤维浙江大学32、十二烷二酸改性共聚酯热熔胶的制备及性能表征华东理工大学部分客户认可

?进口CM120型高碳含量分析仪 ●CM120型高碳含量分析仪的一般特点：1)可精确、轻松测定高碳产品中的总碳(TC)含量，通过自动燃烧、电位检测；2)应用包括：碳纤维、高弹纤维盘根、石墨、碳黑、煤炭、焦煤、污泥、硫磺、垃圾、地质等样品；3)可测各种高碳产品中的总碳TC含量。包括高温燃烧炉、高灵敏的CO2检测器。4)无须进行样品校正等复杂步骤，CM120能轻松处理浓度从(ppm级) 0~ 100%的固体或液体样品。坚固、精确，能适合大多数应用，能满足工业、研究、教育实验室；5)红外法测CO2的非常适合低绝对含量的CO2，且必须进行校正处理，水蒸汽对检测器的精度干扰也非常大,其他气体也易对CO2红外检测造成干扰。但我们的仪器采用电位法，无须校正，精确测碳的绝对值，碳的绝对含量可达10,000ug或更高。6)操作方便，界面友好，操作人员只须简单培训即可操作。 ●CM120型高碳含量分析仪的仪器组成：1)CM5015 CO2 分析仪：无须用户标定，宽的线性动态范围；分辨率为0.01 ug绝对值碳(1ug=1ppm相对值)；CO2检测范围：0 ~ 100%；绝对值范围为 1~ 10,000ug碳；用户可选择显示单位；存储卡可用于保存数据； 2)CM5300水平燃烧炉和CM5322燃烧配件：可编程，加热到1100℃；预燃烧清洗器能去除氧载气中的干扰物；后燃烧清洗器能去除样品在燃烧中产生的干扰物；样品装运可用带柄的铂或瓷船； ●仪器功能：CM120型总碳分析仪的主要优点是采用电位检测方法，不需要任何校正操作。采用法拉第原理，CM5015 CO2分析仪能自动测出样品氧化而产生的全部CO2含量。无须用户标定，可线性检测从1~10,000 ug的碳含量。采取该100%的有效电位处理，标准物质的相对误差正常为0.2%或更好。对更低的浓度，绝对误差一般为约1ug 碳；此外，它还可用于分析含颗粒的液体、固体或固液混合的污泥、垃圾等样品。根据样品的种类不同，氧化时间会有变化，但最普遍的分析时间为5~7分钟； ●CM120型高碳含量分析仪的操作原理： 1)总碳(TC)测定：样品经称重后，用锡船包好，锡船被放入石英勺上，被然后送入高温氧气燃烧室（一般950℃）。在燃烧室中所有样品中的碳被快速氧化成CO2。干扰反应的产物（如硫氧化物，卤化物，水和氮氧化物）通过后燃烧清洗器而去除，剩下的CO2被送入CM5015 CO2分析仪，在这里进行自动电位滴定测量； ●数据处理：最多50个样品的名称、重量、容量或面积参数能输入CM5015，以计算最终结果。用户可选择分析程序并数字显示。完成一系列样品测试后，可打印报告，可总结分析50个样品。数据可储存在存储卡以用于数据转移； ●订购信息：1) 进口CM120型高碳含量分析仪。 ?

货号适用仪器型号说明参数分析方法包装量程2760445-CNDR6000 紫外-可见光分光光度计总有机碳（TOC），高量程，TNT试剂套装总有机碳TOC 10128 100-700mg/L C；有机碳，总计10128 高量程 20-700mg/L； TOC 10128 20-700mg/L C-100-700mg/L，C2760445-CNDR3900 可见光分光光度计总有机碳（TOC），高量程，TNT试剂套装总有机碳TOC 10128 100-700mg/L C；有机碳，总计10128 高量程 20-700mg/L； TOC 10128 20-700mg/L C-100-700mg/L，C

专为高电压和大电流量测应用而设计：适合至高 10kV / 600A 的晶圆级高功率组件量测晶圆载物台表面镀金，小化接触电阻；真空吸孔优化，适合装载至薄 50 μm 的薄晶圆可选配搭载 Taiko 晶圆载物台可搭配专用的高电压和大电流探针提供抗电弧解决方案MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽环境专为EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所设计的精密量测环境支援飞安级低漏电值量测温度量测范围 -60 °C to 300 °C工效学与安全设计便利的晶圆单片上片，搭配简单快速的晶圆预对准功能，实现自动化流程简单化内建互锁光栅，合乎安全规范，确保使用者安全无虞内建防震系统 完整的硬件操控整合，方便更快速安全的量测操作安全测试管理系統 (Safety Test Management, STM™ ) 选配，方便在任意温度进行上片/下片，并进行自动露点控制

KT-150CF桌面分子泵郑科探 分子泵工作原理标准复合分子泵机组是一台清洁的高真空获得设备。此设备是根据真空知识原理，利用机械泵、涡轮分子泵组合成的真空获得系统，具有启动时间快、真空度高、操作方便等特点。广泛应用于表面分析、加速器技术、等离子体技术、电真空器件制造及真空的各个领域。设备的具体组成主要包括真空测量系统、真空室、阀门及真空管路、电器控制系统等 郑科探 分子泵工作原理技术参数：控制方式手动人机界面控制前级泵接口KF25（客户根据真空环境洁净度要求自行安装前级泵）分子泵FF-100/150 51000转/分分子泵抽气速率140L/S分子泵启动时间≤2min空载极限压强≤1X10-4Pa真空测量方式冷阴极标准规管真空测量范围1E﹢2到1E-5 Pa真空测量精度1E-4到1E-5 Pa ±40%的读数 1E﹢2到1E-4 Pa ±20%的读数 重复性：　±5%抽气接口KF25阀门类型KF25手动挡板阀系统电源AC220V系统功率≤750W环境温度5~32℃冷却方式强制风冷却湿度≤80%RH 外形尺寸250 X360 X 300mm （宽-深-高）重量25KG随机配件：KF25高真空挡板阀X1个 KF25卡箍X3个 kf25-1米不锈钢波纹管x1根 说明书X1本 电源线x1根 冷阴极真空计X1个

玻碳基底电极夹电极杆材质：PEEK电极触点：玻碳特点：有效防止铂金析氢对体系的干扰

一．用途 该款拉力机适用于寻求材料力与形变关系的实验，可对金属，非金属的原材料、加工件、成品进行拉伸、弯曲、剥离、压缩、压陷、附着力、撕裂等多项力学实验及分析。 二：技术指标：1、 载 重： 50KN（5000KG）2、有效测试空间：1000*1500*2000MM3、单 位 选 择： Gf、Kgf、N、KN、LB、Mpa（根据需要任意选择）4、感 应 方 式： 选用美国Transcell公司力传感器10KN5、动 力 系 统： 日本松下Panasonic伺服机电组+专业松下Panasonic交流伺服控制器6、力 分 辨 率： ±1/5000007、测 力 范 围： 04%-100（满量程）8、测 量 精 度： 示值的±0.5%以内9、位 移 分辨率： 0.05mm(注:此型号设备已内置变形装置,更方便有助于测量金属或非金属材料及各种复合材料的弹性变形和塑性变形的物理性能)10、位移测量精度： 示值的±0.5%以内（采用高精度位移传感器跟踪测试）11、变形分辨率： ±1/300000F.S（全程分辨力不变）12、变形测量范围： 0.2%-100 F.S13、变形示值误差： 示值的±0.5%以内14、试验控速范围： 0.001-500 mm/min分段控制，无级调速15、试验控速精度： 速度＜0.01mm/min时，为设定值的±1%以内； 速度≥0.01mm/min时，为设定值的±0.5%以内；16、力控速率范围： 0.5%～6％FS/S17、力控速率精度： 设定值的±1%以内18、变形速率范围： 0.2%～6％FS/S19、变形速率精度： 速率＜0.05％FS时，为设定值±1%以内； 速率≥0.05％FS时，为设定值±0.5%以内；20、电 源： AC 220V 50HZ21、外 形 尺 寸： 800*400*1800 mm 约W×D×H) 22、 重 量： 约300 KG23. 专用中英文测试软件一套.（随时根据客户要求进行改版或升级且不收任何费用）四、产品配置 测力传感器进口美国Transcell力传感器机台丝杆台湾ABBA高碳丝杆导向杆韩国太敬导杆制作，表面经高温及硬铬电镀处理，HRC60以上防尘装置台湾抑叠防尘罩，保护丝杆；延长使用寿命控制系统日本松下控制系统显示方式触摸屏操作，可连接PC和打印机，能输出曲线图形报告 部分使用我司材料试验机高校案例1、防水型液体创可贴的研厦门大学2、纳米颗粒--聚合物薄膜制备及力电特 性研究江苏大学3、银纳米颗粒- 聚合物柔性应变传感薄 膜制备与压阻传感特性研究江苏大学4、功能性纤维素气凝胶的制备及其在 水净化中的应用研究浙江理工大学5、应用于 3D 打印技术的 ABS/纳米二氧 化钛复合材料制备及力学性能研究衢州职业技术学院6、金属-有机框架复合材料的制备及其 去除水中重金属离子的研究浙江理工大学7、聚酰亚胺基锂电隔膜的制备及性能辽宁石油化工大学8、急冷处理、抽气充氮结合纳米包装对绿茶保鲜品质的影响南京财经大学9、基于神经网络算法的高强镁合金热处理工艺优化保定广播电视大 学10、灵武长枣果实力学特性与采摘机械损伤研究宁夏大学11、用于精馏的中空纤维膜填料的疏水改性及分离传质性能分析浙江工业大学12、聚合物封边砂浆的研制与应用浙江省建筑科学设计研究院有限 公司13、车身反光贴用聚氨酯胶粘剂的研制洛阳石化工程设 计有限公司14、壳聚糖聚醚衍生物的制备及其在 棉织物活性染料无盐染色中的应用青岛大学15、高温电热法制备高致密魔芋海绵武汉大学16、全水发泡聚氨酯硬泡的制备及阻燃性能的研究吉林大学17、Ni、Mn 对低温高韧性球墨铸铁组织和性能的影响郑州大学18、高性能环氧树脂复合材料的制备与性能研究山东科技大学19、镍含量对球墨铸铁组织性能的影响商丘职业技术学院20、H13 热作模具钢 脉冲电流处理及其性能研究海南科技职业学院21、苯丙乳液基水泥复合道面填缝料力学性能研究空军工程大学22、异种材料超声辅助激光点焊机理研究长春理工大学23、微波加热预处理铬铁矿工艺研究昆明理工大学24、振动结构耦合动刚度的间接逆子结构辨识方法西北工业大学25、伪半固态触变成形制备SiCp/Al电子封装材料的组织与性能北京科技大学26、室温固化型 MDI 体系聚氨酯弹性 体力学性能的研究陕西省化工研究院27、提高RTV732硅酮胶剥离强度的试验研究中航飞机股份有限公司28、环氧树脂/二氧化硅复合材料界面强度表征方法国家电子电路基材工程技术研究中心29、微晶纤维素单颗粒定量结构及其对片剂崩解性质的作用上海应用技术大学30、竹材纤维素气凝胶的形成机理及性能研究浙江农林大学31、石墨烯液晶及宏观组装纤维浙江大学32、十二烷二酸改性共聚酯热熔胶的制备及性能表征华东理工大学部分客户认可

ISC150T桌面型磁控溅射仪采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂,EDS和EBSD喷碳，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。另外附加旋转/偏转样品台选配件，具有公转+自转+偏转行星式样品台，针对3D结构及多孔隙结构样品多角度均匀喷镀导电层。

Ophir高功率热电堆探头: ? 高灵敏度：50 mW- 100 kW ； ? 波长响应范围：0.15-20 um ； ? 制冷方式：风扇，水冷； ? 可用于单发脉冲能量测量，还提供美容IPL 光专用测试探头； ? 提供光纤适配器、BNC模拟输出等附件；按功率大小分为三组：1）50 mW—500 W 风扇制冷系列热电堆功率计探头；2）1 W —1500 W 水冷系列热电堆功率计探头；3）20 W—100 K W 水冷系列热电堆功率计探头（十万瓦）；1）50 mW—500 W 风扇制冷系列热电堆功率计探头 ? 高损伤阈值 ? 风扇制冷 ? 高损伤阈值 ? 响应谱线：0.19-20um ? 高达250 W连续测量、500 W间歇测量 ? 最快响应时间1.5s ? 孔径从17.5mm到35mm以及50mm、65mm ? 多种吸收膜层适合短脉冲、长脉冲、高能量和高功率密度的不同激光测量2）1 W—1500 W 水冷系列热电堆功率计探头 ? 水冷 ? 大口径设计 ? 谱线响应范围：0.19-20um ? 高损伤阈值最大可达39KW/cm2 ? 最快响应时间2.5s ? 高功率密度、长脉冲连续测量 ? 功率测量范围：50mW-1500W ? 单发脉冲测量120 mJ-200 J ? 超薄设计便于狭窄空间测量及系统集成 ? 多波长校准3）20 W—100 K W 水冷系列热电堆功率计探头（十万瓦功率计探头） ? 水冷 ? 超高功率设计，可到100 kW ? 高损伤阈值 ? 光谱响应范围：0.19-20um ? 功率测量范围：20W-100 kW ? 多波长校准

产品概要：TS2000-DP是MPI提供一套多功能且经济高效的8寸半自动高功率测试探针台，可在20°C至300°C的温度范围内进行晶圆载片上高功率应用的测量，且测量能力高达3kV(三轴)/10kV(同轴)和600A(脉冲)。基本信息：探针卡和微型定位器TS2000-DP可提供最高12倍的高压(最高3kV三轴或10kV同轴)或4倍的多手指高电流(最高400A的微型定位器)。其具有的大量单探头，专用于防电弧高功率探针卡的的探针卡夹，使得该系统成为高功率设备特性测量的理想选择。防电弧技术该系统配备了ArcShield&trade ，可防止卡盘和探针压板之间发生任何可能的电弧。防电弧探针卡具有在DUT周围施加高压的能力，并且可以使用帕申定律来防止焊盘之间产生电弧。特别设计的防电弧LiquidTray&trade 只需将其放在高功率卡盘表面即可用于抑制电弧。晶圆可以安全地放置在托盘内，以浸没在液体中进行无电弧高压测试。此卡盘可在300°C最高可达10kV(同轴)。仪器集成TS2000-DP可以配置多种仪器连接套件，其中包括必要的高压/大电流探头和电缆附件，以便与测试仪器进行最佳连接，例如Keysight B15005(3kV或10kV)，包括集成的模块选择器或Keithley 2600-PCT-XB，以及集成的8020高功率接口面板。软件套件SENTIOMPI自动工程探针系统有着多点触摸操作控制SENTIO 软件套件——简单直观的操作节省了大量的培训时间。“滚动”，“缩放”，“移动”命令模仿了现代智能移动设备，使每个人都可以在短短几分钟内成为专家。在活动应用程序与其余APP之间的切换仅需简单的手指操作即可。对于RF应用，无需切换到另一个软件平台——MPI RF校准软件程序QAlibria 与SENTIO完全集成，为了遵循单一操作概念方法而易于使用。技术优势：1、可提供最高12倍的高压2、具有防电弧技术3、可配置多种仪器连接套件应用方向：可应用于晶圆的高功率测量。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

更多内容，请访问中国总代理商和服务商“覃思科技”官方网站电镜制样设备CCU-010 HV_CT高真空碳蒸镀仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV_CT-010为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，变换镀膜头非常简单。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理(可选项)。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能蒸发镀碳和可选等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜仪涵盖了最高级的SEM，TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块电镜制样设备CCU-010 HV_CT高真空碳蒸镀仪采用紧凑的插入式碳蒸发模块，为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 HV镀膜主体后，即可立即使用，既适合EDS喷碳应用，更适合SEM、TEM和任何需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可以进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到在FIB应用中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可选对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件（可选）使用基于PC的Coating-LAB软件，可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚，镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件（可选）◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010系列喷金喷碳仪提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV 系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空镀碳仪采用优质组件和智能设计，可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作，采用TFT 触摸屏，配方可编程，保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油，含高性能涡轮泵和前级隔膜泵，均位于内部，外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时，该设备可以保持在真空下，这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响，并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本：CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪；CCU-010 HV高真空离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪CCU-010 HV 系列高真空镀膜仪的主要亮点在于实现了两大技术性突破：一是独家采用自动碳纤维供给系统，在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行，比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作，既适用于大多数常规镀碳应用，也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁（增加附着力）+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性（比如：亲水化）或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成，大大提高了镀膜质量，拓宽了应用范围。另外，瑞士制造，是“精密”和“高品质”的代名词；瑞士原厂货源，覃思本地服务，客户买得放心、用得省心！

产品概要：MPI的TS2000-HP半自动化探针台测试系统可提供8英寸及以下晶圆器件的高功率测量，先进的ShielDEnvironment&trade 可提供低噪声和屏蔽的测试环境。基本信息：安全系统采用可互锁的安全光幕，可通过互锁系统关闭仪器，保护用户免受意外高压冲击，该系统具有后门，并由互锁保护，以提供简便的初始安全测量设置。ShielDEnvironment&trade MPI ShielDEnvironment&trade 是一个高性能的微暗室屏蔽系统，可为超低噪声、低电容测量提供出色的EMI和不透光的屏蔽测试环境。为了防止卡盘和压盘之间产生电弧，TS2000-HP卡盘专门设计了ArcShield&trade 。高压探针(HVP)低泄漏探头专门设计，可承受高达10kV(同轴)和3kV(三轴)的高压。可选择多种连接器选项，如Keysight Triax / UHV，Keithley Triax / UHV，SHV或Banana等。大电流探针(HCP)专为用于高达200A(脉冲)的大电流晶片测量而设计的高性能探针。MPI多指大电流探头采用单片结构，可有效处理大电流并提供低接触电阻。高功率测试系统该测试系统提供了一个一体化的解决方案，用于表征2极和3极功率器件，如场效应(FET)、双极结(BJTs)晶体管、二极管、电容器(高达3 kV和100 A)。只要插入一个DUT，就可以测量断开状态和接通状态的所有相关参数以及特性电容(Ciss、Coss Crss)。IV特性可以在脉冲模式下进行，也可以在直流模式下进行。这样可以提高效率并防止任何重新布线错误。超快动态RDS(on)超快速动态RDS(on)测试是被设计用来表征GaN晶体管的特性的。电力电子学的一个关键要求是在从高压离态切换到低压导通状态后立即获得非常低的导通电阻(RON)。超快动态RDS(on)测试能够在关闭和打开状态之间切换后立即测量RDS(on)。第一个RDS(on)值在大约1 us后生成。该系统是为高达100A(脉冲电流)或高达1kV电压而设计的。由于探针的特殊设计，可以测量更多参数(泄漏或者其他)。自动化晶圆装载系统自动化的单晶片装载机和安全测试管理提供了独特的功能，可以在任何温度下装载/卸载晶片。装载或卸载晶片不再需要冷却或加热到环境温度。这样可以节省大量的停机时间，并显着提高MPI测试系统的整体效率，同时，管理员方便的登录过程有利于产品的设置和保护。可选的防电弧液体托盘专门设计的防电弧液体托盘，只需放在大功率卡盘表面，即可用于抑制电弧。晶圆可以安全地放置在托盘内，浸没在液体中进行无电弧高压测试。软件套件SENTIOMPI自动工程探针系统有着多点触摸操作控制SENTIO软件套件，简单直观的操作节省了大量的培训时间。“滚动”，“缩放”，“移动”命令模仿了现代智能移动设备，使每个人都可以在短短几分钟内成为专家。在活动应用程序与其余APP之间的切换仅需简单的手指操作即可。对于RF应用系统，无需切换到另一个软件平台——MPI RF校准软件程序QAlibria与SENTIO完全集成在一起，遵循单一操作概念方法，易于使用。技术优势：1、适合至高 10kV / 600A (脉冲)的晶圆级高功率组件量测2、提供载片下的高功率动、静态参数的测试3、晶圆载物台表面镀金，接触电阻面积小 真空吸孔优化，适合装载至薄 50 µ m 的薄晶圆4、可选配搭载 Taiko 晶圆载物台5、提供抗电弧解决方案6、MPI ShielDEnvironment&trade 屏蔽环境7、专为 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所设计的精密量测环境8、支援飞安级低漏电值量测9、温度量测范围 -60 °C to 300 °C应用方向：专为高电压和大电流量测应用而设计。

OPHIR高功率热电堆探头，激光辐射检测探头高灵敏度：50mW-100kW响应波长范围：0.15-20um制冷方式：风扇，水冷；可用于单发脉冲能量测量，还提供美容IPL光专用测试探头提供光纤适配器、BNC模拟输出等附件；按功率大小分为三组：1）50mW-500W风扇制冷系列热电堆功率计探头；2）1W-1500W水冷系列热电堆功率计探头；3）20W-100KW水冷系列热电堆功率计探头（百万瓦功率计探头）1）50mW-500W风扇制冷系列热电堆功率计探头；产品参数：产品型号产品特点探头口径波长范围功率范围能量范围F100A-PF-DIF-18短脉宽激光风冷探头Φ17.5mm0.24-2.2um50mW-100W60mJ-200JF100A-PF-DIF-33短脉宽激光风冷探头Φ33mm0.24-2.2um50mW-100W60mJ-200JFL250A-BB-35风冷250W探头Φ35mm0.19-20um150mW-250W50mJ-300JFL250A-LP1-35长脉冲及连续激光高损伤阈值Φ35mm0.25-2.2um150mW-250W50mJ-300JFL250A-LP1-DIF-33连续及长脉冲激光高损伤阈值Φ33mm0.4-3um200mW-250W200mJ-600JFL250A-BB-50风冷250W大口径探头Φ50mm0.19-20um150mW-250W80mJ-300JFL400A-BB-50风冷400W探头Φ50mm0.19-20um300mW-400W75mJ-600JFL400A-LP-50连续及长脉冲激光高损伤阈值Φ50mm0.4-1.5um,10.6um300mW-400W75mJ-600JFL500A风冷500W探头Φ65mm0.19-20um500mW-500W100mJ-600JFL500A-LP1高损伤阈值Φ65mm0.25-2.2um500mW-500W100mJ-600J2)1W-1500W水冷系列热电堆功率计探头产品参数：产品型号产品特点探头口径波长范围功率范围能量范围L250W水冷，超薄250W探头Φ50mm0.19-20um4W-250W200mJ-200JL300W-LP水冷，超薄250W探头Φ50mm0.14-1.5um,10.6um4W-300W200mJ-300J1000W水冷1000W探头Φ34mm0.19-20um5W-1000W300mJ-300J1000W-LP搞损伤阈值Φ34mm0.4-1.5um,10.6um5W-1000W300mJ-300JL1500W水冷1500W探头Φ50mm0.19-20um15W-1500W500mJ-200JL1500W-LP高损伤阈值Φ50mm0.4-1.5um,10.6um15W-1500W500mJ-200J3)20 W-100KW 水冷系列热电堆功率计探头（百万瓦功率计探头）产品参数：产品型号产品特点探头口径波长范围功率范围5000W水冷5000W探头Φ50mm0.19-20um20W-5000W5000W-LP高损伤阈值Φ50mm0.4-1.5um,10.6um20W-5000W10K-W高损伤阈值水冷10KW探头Φ45mm0.8-1.1um,10.6um100W-10000W30K-W-V1-C水冷30KW二氧化碳激光探头Φ74mm10.6um100W-30KW100K-W水冷100KW探头Φ200mm0.8-1.1um.10-100KWCalibrated for 1070nm

美国相干公司推出了全新的高功率探头---- PowerMax BB+ kW。该探头结合了BB+涂层技术，相较旧款，全面提升了其损伤阈值，在不间断测量时损伤阈值高达14kW/cm2@1kW、2.3kW/cm2@6kW，同时全系将其波长响应范围扩展至190nm-11μm。根据功率测量要求的不同，分别有1kW、3kW、6kW三款探头型号可选，并且都配有USB、RS232、DB-25三种规格的接口供选型（DB-25接口需配置表头）。 产品特点： 功率测量高达6kW 高损伤阈值14 kW/cm2 at 1 kW 宽波长响应范围：190 - 11000nm 50mm直径有效探测面 USB、RS232、DB-25多种配置接口可选产品应用：监测连续和脉冲激光的平均功率切割，钻孔，焊接等激光材料加工领域工业OEM 集成 主要参数：规格PM1K+PM3K+PM6K+波长响应范围190-11000 nm190-11000 nm190-11000 nm功率测量范围5-1000W5-3000W10-6000W最大功率密度*20 kW/cm2 @ 500W10 kW/cm2 @ 1000W12 kW/cm2 @ 1000W5.8 kW/cm2 @ 2000W3.8 kW/cm2 @ 3000W14 kW/cm2 @ 1000W4.7 kW/cm2 @ 2000W2.3 kW/cm2 @ 6000W响应时间（0到95％）上升时间 下降时间 5s14s 5 s15s 5s20s探测器涂层BB+BB+BB+探测面直径50 mm50 mm50 mm冷却方式水冷水冷水冷线缆类型USB、RS232、DB-25USB、RS232、DB-25USB、RS232、DB-25 *请咨询武汉东隆科技获取更多信息。武汉东隆科技为美国相干公司的中国区总代理，如有任何产品疑问，欢迎垂询。

MINO/6型烘箱产地：英国Genlab简介该烘箱由于它的高效率，高可靠性和高成本效益，被广泛的用于干燥、加热以及一般实验室应用。设计特色外壳由覆有油漆层的薄板钢构成，很容易清洗。内腔采用镀铝低碳钢内腔，也可以采用不锈钢内腔。内部安装固定的滑行架和可移动的镀铬线栅架。关于加热烘箱由耐热镍铬铁合金护套加热元件来进行加热，自然对流烘箱的加热元件安装在内腔地板下面，机械对流的烘箱安装在内腔的后面和侧面。 控制系统控制系统包括一个直读温控器和一个过热温控器，控温控器上都有标准的刻度和防篡改锁。烘箱都安装有主开关和开关指示器，以及加热和过热指示器。产品特点1.有7种规格，容量在6~100L2.温度范围： 40~250oC3.温度波动范围： +/- 0.75oC4.机身有涂层，容易清洗5.采用镀铝低碳钢内腔6.采用直读自动调温器7.采用安全的过热控温器8.当容量大于等于30L时采用循环风机9.具有双重显示预设温度值和实际温度值的PID微电脑数字控制系统

产品概述：Model C3102热导式在线氢分析仪是根据气体的热导率而确定其成分的，即利用被测气体的相对热导率来测定气体中氢气的含量，该仪器采用进口的微流型热导传感器，结合单片机/嵌入式ARM控制技术，研发的新一代高精度氢含量在线分析仪表。应用领域：化肥厂合成氨、热电厂氢冷系统、煤化工加氢制氢装置、工业炉（电石炉、镍铁炉、钛渣炉、高碳铬铁炉）尾气、干熄焦领域。仪器特点：●配置进口长寿命热导式传感器，无需特殊保养维护；●测量精度高、响应迅速，量程范围宽、稳定性好； ●恒温控制，消除环境以及样气温度变化的影响；●智能化处理，全新数字化电路设计；●点阵液晶显示，标准RS232通讯接口，可与LJM-AMS过程分析仪监控软件配套使用；技术参数：测量范围：0～10%/20%/30%/50%/100% H2（可在此范围内选择不同的规格）精 度：≤±2%FS 重 复 性：≤±1%F.S 零点漂移：≤±1%F.S/7d 量程漂移：≤±1%F.S/7d样气压力：0.05MPa≤入口压力≤0.1MPa （需配相应预处理）样气流量：500±10ml/min （需配相应预处理）响应时间：T90≤10S 功 率：＜80W（含加热）工作环境：环境温度：-5～45℃ 相对湿度：0～90%RH模拟输出：4～20mA（2组/最大负载500Ω） 电 源：220VAC±10%,50HZ±10%

本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。

宽能高纯锗探测器伽马能谱仪HPGe第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

玻碳片（石墨片）电极夹材质：PEEK导电金属：铂金（纯度99.99%）电极杆直径：6mm

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

产品应用X荧光仪SpecS800可分析以下样品及元素（氧化物）：样品类别元素类别烧结矿/球团矿TFe 、Si、Ca、Mg、Al、Mn、Ti、P、S、K、V等高炉渣/转炉渣TFe 、Si、Ca、Mg、Al、Mn、Ti、P、S、K、V等精炼渣Al、Ca、Si、Mg、Fe、Ti等预熔渣Ca、Mg、Al、Si、Fe、P、S等铝酸钙Si、Al、Fe、Ca、Mg等铁酸钙Fe、Al、Ca、Si、S、P等富锰渣Mn、Fe、P、S、Si、Al、Ca等元素铁矿(精矿原矿尾矿）TFe 、Si、Ca、Mg、Al、Mn、Ti、P、S、K、V等赤铁矿/磁铁矿TFe、S、P、Al、Si、Mg、Ca、Mn、Zn、Cu、Ti等铅锌矿Pb、Zn、Ag、Cu、Sn、Fe、S、Cd、Mo、As等锰矿Mn、Si、P、S、Al、Ti、K、Zn、Ca、Mg等钛矿Ti、Mn、Fe、Si、P、S、Al、K、Zn、Ca、V、Cu、Mg等铜矿Mn、Fe、S、Cu、Pb、As、Au、Cd、Zn、Ag、Mg等铬铁矿Fe、P、S、Al、Cr、Ca、Mg、Si等耐火材料高硅质粘土Si、Al、Fe、Ca、Mg、K、Na、S、P等高铝质矾土Al、Fe、Ti、Na、K、Mn、Ca、Mg、Si、P等高镁质镁砂Mg、Ca、Si、Al、Fe等刚玉白刚玉Al、Na、Si、Ca、Fe等棕刚玉Al、Si、Ti、Fe等黑刚玉Al、Si、Ti、Fe等铬刚玉Al、Na、Cr、Fe等锆刚玉Zr、Si、Al、Na、Fe、Ti、Ca、Mg、K等水泥生料/熟料Si、Al、Fe、Ca、Mg、K、Na、 S、Cl-等石灰石S、P、Al、Si、Fe、Ti、Mn、Sr、Ca、Mg等白云石S、P、Al、Si、K、Na、Fe、Ti、Mn、Sr、Ca、Mg等硅灰石Si、Ca、Fe、Al、Ti、Mg等蛇纹石Mg、Si、K、Na、Ca、Fe、Ti、Mn、Al、S、P等莫来石Al、Si、Fe、Ti、Ca、Mg、K、Na等镁铝尖晶石Al、Mg、Ca、Si、Na、Fe等萤石Ca、P、S、Si、Al、Fe、Mg、Ti、Mn、K、Na等煤矸石Si、Al、Fe、Ca、Mg、Ti、P、V等石英砂Zr、Si、Fe、P、S 、Al、Ti等金红石Ti、S 、P 、Fe、Nb、Ta、Cr、Sn等石榴石Ca、Mg、Fe、Mn、Al、Cr等生铁Si、Mn、P、S、Ti、Cr、V等元素高锰生铁Fe、Mn、P、S、Si、Cr等元素硅铁合金Al、Si、Ca、Na、Mg、P、S、Fe、Cr、Mn、Cu、Ba等硅锰合金Mn、P、S、Si等硅锆合金Si、Ca、Al、Ba、ZR、Mn等硅铝钡钙Si、Al、Ba、Ca等硅钡钙/硅钙/硅钡Si、Ba、Ca、Ba 、Fe等镍铁Ni、Mn、Si、Cu、Co、Cr、V、S、P等钒铁V、Mn、Si、P、S等铬铁Cr、Si、P、S、V、Fe、Mn、Ti等锰铁Mn、Si、P、S、Cr、Ni、V、Fe等铌铁Nb、Al、Si、S、P等冶炼铅铅Pb、锑Sb、锡Sn、铋Bi、铁Fe、硅Si、钙Ca、硫S等电解锰锰Mn、硫S、磷P等元素锡渣锡Sn、Fe铁、Si硅、Ca钙等钒渣钒V、锰Mn、铬Cr、钛Ti、钙Ca、硅Si等玻璃Si、Al、Fe、Ca、Mg、K、Na 等粉煤灰（火电厂）Si、Al、Fe、Ca、Ti、Mg、K、Na、S、Mn等球化剂（稀土镁硅合金）Mg、RE、Si、Ca、Al等孕育剂Si、Ba、Ca、Al等蠕化剂Mg 、Re 、Ca 、Si 、Al 等覆盖剂Ca 、Si、Mg、Al、Fe等管模粉Si、Ca、Al、Ba、ZR、Mn等除渣剂SiO2、Al2O3、CaO 、Fe2O3、MgO、K2O、Na2O等烧结焊剂Si、Ti、Ca、Mg 、Al、Mn、S、P等钎焊粉Ti、Zr、Ni、Cu、Ag、Zn、Sn、Si、Mn、Ni、Cr、P等氧化铝Si、Fe、Ca、Mg等工业硅Al、Ca、Fe、Ti、Mn、Ni等SCR脱硝催化剂Ca、Na、K、As、W、V等土壤重金属Pb，As，Cd，Hg，Cu，Ni，Zn，Cr等农用化肥P2O5，K2O等钛白粉TiO2及微量元素中药材Pb,Cd, As, Hg, Cu, Cr, Ni, Ba, Mn, Mo, Sn, Se, Sb, Ti等微量元素铝土矿Al2O3, SiO2, Fe2O3, TiO2等宝珠砂Al2O3, SiO2 ,Fe2O3, TiO2, K2O等兰炭P, S，Al元素煤炭、焦炭Si、Al、Fe、Ca、Mg、K、Na、P等元素录井元素分析Si、Al、Fe、Ca、Mg、K、Na等元素合金元素分析铜合金、铝合金、镁合金等聚乙烯Fe、Ti、Al等元素

RAM-G/16高灵敏辐射测量仪探头型号类型探测器测量范围能量范围灵敏度RAM-G/16高灵敏辐射测量仪探头X、γGM管0.01μSv/h ~ 10mSv/h40keV ~ 3MeV90cps/(10μSv/h)

TA-200总有机碳分析仪应用范围广泛应用于饮用水、工业用水、生活污水、生产废水等方面的质量控制，以及江河、湖泊、海洋、地表水等方面的监测。可满足水质分析、环境监测、医药生产、质量控制、过程控制、特殊应用等行业的TOC分析。产品特点1、仪器设计极为精巧，体积小型化，是各大实验室理想的选择；2、仪器采用模块化设计，装配更换零部件极为简单，维修更为方便；3、多用途的配置能满足不同客户的各种需求，同时易于维护。技术优势1、自主知识产权的信号处理系统，具有在线设定、实时监控、自我检定、流速控制等优势，保证仪器性能优越；2、仪器内部采用弱电设计方式，操作安全；3、根据不同样品的不同性质，设定不同的控制温度，以使样品彻底消解，使测量数据更为准确可靠；4、根据进样量大小调节制冷模块功率，提升了整个系统的脱水效力，确保了进入检测器里气体的干燥性；5、实时监控软件的开发和应用，时刻检测仪器运行状态，对比实测参数和设定参数的差异，一旦超过临界设置，系统自动报警并提供处理方法；6、应用自动检漏控制系统，实时检测气体流量，杜绝误操作，全方位提高仪器性能，一定限度保证操作者及仪器的安全；7、流速控制信号处理技术的应用，屏蔽流速波动带来的影响；保证读数稳定准确；8、TIC反应池集加热、制冷、脱水、液位监控4位一体，使气流、液流路径简捷，节约了大量的分析时间，同时使检测限拓宽；9、TOC检测器使用24bitd数字解决方案，扩展了监测范围，控制系统使用32bin信号处理技术，使仪器的性能得到提高。