[size=16px][color=#339999][b]摘要：大量MEMS真空密封件具有小体积、高真空和无外接通气接口的特点，现有的各种检漏技术无法对其进行无损形式的漏率和内部真空度测量。基于压差法和高真空度恒定控制技术，本文提出了解决方案。方案的具体内容是将被测封装器件放置在一个比器件内部真空度更高的真空腔体内，采用电动可变泄漏阀和控制器自动调节微小进气流量进行高真空度控制，由此在被测器件内外建立恒定压差，通过测量此压差下的漏率可得到器件内部真空度。[/b][/color][/size][align=center][size=16px][color=#339999][b]=========================[/b][/color][/size][/align][size=18px][color=#339999][b]1. 问题的提出[/b][/color][/size][size=16px] 真空密封器件通常需要在特定的真空度下才能正常工作，即需要高真空度和长时间的真空保持度。例如杜瓦组件作为广泛使用的绝热容器在制冷、 红外探测以及超导中都有应用，而杜瓦的绝热效果与其夹层真空度直接相关。有机发光二极管对水蒸气和氧气含量特别敏感，工作时需要真空条件，含量超标的水蒸气和氧会严重影响其寿命和稳定性。高精度的MEMS惯性器件如MEMS陀螺仪、MEMS谐振式加速度计等需要工作在高真空环境中，其内部真空度的好坏决定其品质因数的大小。由此可见，为了保证真空密封器件的密封性能，需要对漏率和真空度的变化进行测试评价，但由于存在以下几方面的原因，使得这种评价技术成为目前迫切需要解决的难题：[/size][size=16px] （1）对于大多数真空密封器件而言，其几何尺寸一般很小，且不能配置真空度和漏率测量接口，这导致了很多现有真空测量领域的传感器和仪器都无法直接使用。[/size][size=16px] （2）对于个别真空封装器件，可通过在外部形成高压将示踪气体（如氦气）加载到真空封装器件内，然后再在外部抽真空条件下采用检漏仪测量真空封装器件的漏率。但这种方法往往会破坏真空封装器件内部的真空度，且不可逆转，可能会造成真空封装器件性能的降低。[/size][size=16px] （3）直接在真空密封器件内集成真空度传感器不失为一种有效手段，如集成如皮拉尼计和音叉石英晶振等，国内外的各种研究也曾在这方面做过努力，但由于所集成传感器自身特性（如结构形状、尺寸、真空度测量范围和精度等）以及所带来附加影响，使得这种技术仅勉强适用于个别真空密封器件，根本无法作为一种通用技术得以应用。[/size][size=16px] 为了解决目前真空封装器件存在的检漏问题，特别是实现对真空封装器件内部真空度的测量，本文基于压差法提出了一种间接测量的解决方案。[/size][size=18px][color=#339999][b]2. 解决方案[/b][/color][/size][size=16px] 对于内部具有一定真空度的真空封装器件，其漏率和内部真空度的测量将基于压差法。具体是即将被测真空封装器件放置在一个要比器件内部真空度更高的密闭腔体内，由此在封装器件内外形成压差。通过测量获得此压差下的漏率，然后再通过漏率计算出器件内部真空度。[/size][size=16px] 依据解决方案设计的真空封装器件漏率和真空度测量装置结构如图1所示。[/size][align=center][size=16px][color=#339999][b][img=真空密封器件漏率和真空度测试系统结构示意图,690,253]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/09/202309041023569886_4228_3221506_3.jpg!w690x253.jpg[/img][/b][/color][/size][/align][align=center][size=16px][color=#339999][b]图1 真空密封器件漏率和真空度测试系统结构示意图[/b][/color][/size][/align][size=16px] 依据检漏中的压差法原理，漏率的测量结果与压差（P1-P0）呈线性关系。因此，如图1所示，只要精确控制密闭腔体内的真空度P1，在测量得到漏率后，就可以计算出真空封装器件内部的真空度。由此可见，测试真空密封器件漏率和真空度需要解决以下两个关键问题：[/size][size=16px] （1）腔体真空度P1的精确控制：对于具有高真空（如P01E-03Pa）的封装器件，腔体真空度需要达到P11E-03Pa的更高真空度，以形成尽可能大的压差，这就要求对超高真空度能实现准确控制，控制精度越高则计算得到器件内部真空度的精度越高。[/size][size=16px] （2）漏率测量：漏率测量也是决定精度的关键因素，具体实施时可以采用各种高灵敏度的漏率测量方法，如氦质谱检漏仪。为了实现定量和高精度的漏率测量，也可以采用特殊设计的漏率测试系统，但这部分内容不在本文阐述的内容之内。[/size][size=16px] 本文的重点是介绍解决方案中的超高真空度精密控制技术。如图1所示，超高真空度的控制采用调节进气流量来实现，具体采用了VLV2023型号的电动可变泄漏阀，进气流量的调节范围是1E-8PaL/s~500PaL/s，调节信号为0~10V。超高真空度控制回路有真空计、真空控制器和电动可变泄漏阀组成，真空控制器采集真空计信号并与设定值进行比较后，输出PID控制信号对可变泄漏阀进行驱动来调节微小的进气流量，由此使腔体真空度快速恒定在设置值处。[/size][size=16px] 在超高真空控制中还面临另外一个问题是真空计输出信号的非线性，为此本文解决方案中采用了具有线性化处理功能的VPC2021系列真空压力控制器，通过在真空和电压的关系曲线中取八个数据点进行拟合，可很好的解决线性PID控制非线性信号的问题。[/size][size=18px][color=#339999][b]3. 总结[/b][/color][/size][size=16px] 综上所述，本解决方案很好的突破了真空密封件漏率和内部真空度测量难题，关键是实现了高真空度精密控制中的微小进气流量自动调节以及传感器非线性输出信号的PID控制器线性化处理。解决方案中的高真空度控制装置可广泛应用于任何真空系统，PID控制器线性化技术可广泛应用于各种非线性传感器测量控制场合。[/size][size=16px] 本解决方案对高真空微小压差下的漏率测试技术并未做详细的介绍，这部分内容将在后续研究报告中给出详细的测试系统描述。[/size][size=16px][/size][align=center][b][color=#339999]~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/color][/b][/align]
力标精密设备有限公司产品广泛用于半导体封装测试，LED封装测试，摄像头模组测试，光通领域，电子器件，目前已成为一流测力设备制造商搜索复制
PCB封装实际就是把元器件、芯片等各种参数(如大小、长宽、焊盘的大小等)用图形的方式表现出来，这样才可以在画PCB图时进行调用。所以在PCB设计前，元件的选择就成了重中之重，否则在设计时总会遇到这样那样的问题，从而导致你花了大量时间设计出的PCB板从不能在实际上运用。今天请元坤智造的工程师为大家介绍一些在选择PCB元件时需要注意的地方。 这里主要是说了从PCB设计封装来解析选择元件的技巧。元件的封装包含很多信息，包含元件的尺寸，特别是引脚的相对位置关系，还有元件的焊盘类型。当然我们根据元件封装选择元件时还有一个要注意的地方是要考虑元件的外形尺寸。 引脚位置关系：主要是指我们需要将实际的元件的引脚和PCB元件的封装的尺寸对应起来。我们选择不同的元件，虽然功能相同，但是元件的封装很可能不一样。我们需要保证PCB焊盘尺寸位置正确才能保证元件能正确焊接。 焊盘的选择：这个是我们需要考虑的比较多的地方。 首先包括焊盘的类型。其类型包括两种，一是电镀通孔，一种是表贴类型。我们需要考虑的因素有器件成本、可用性、器件面积密度和功耗等因数。从制造角度看，表贴器件通常要比通孔器件便宜，而且一般可用性较高。对于我们一般设计来说，我们选择表贴元件，不仅方便手工焊接，而且有利于查错和调试过程中更好的连接焊盘和信号。 其次我们还应该注意焊盘的位置。因为不同的位置，就代表元件实际当中不同的位置。我们如果不合理安排焊盘的位置，很有可能就会出现一个区域元件过密，而另外一个区域元件很稀疏的情况，当然情况更糟糕的是由于焊盘位置过近，导致元件之间空隙过小而无法焊接，下面就是我失败的一个例子，我在一个光耦开关旁边开了通孔，但是由于它们的位置过近，导致光耦开关焊接上去以后，通孔无法再放置螺丝了。 另外一种情况就是我们要考虑焊盘如何焊接。在实际过程中我们常按一个特定的方向排列焊盘，焊接起来比较方便。 元件的外形尺寸：在实际应用当中，一些元件(如有极性电容)可能有高度净空限制，所以我们需要在元件选择过程中加以考虑。我们在最初开始设计时，可以先画一个基本的电路板外框形状，然后放置上一些计划要使用的大型或位置关键元件(如连接器)。这样，就能直观快速地看到(没有布线的)电路板虚拟透视图，并给出相对精确的电路板和元器件的相对定位和元件高度。这将有助于确保PCB经过装配后元件能合适地放进外包装(塑料制品、机箱、机框等)内。当然我们还可以从工具菜单中调用三维预览模式浏览整块电路板。 对于元件的选择，除了要依据设计要求外，还要选择正规厂家所生产的产品，这样才能保证实现你的设计目标。
超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等） · 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等 ;材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；
问题描述：半导体集成电路芯片封装指的是什么？解答：[font=宋体][color=black]集成电路封装是半导体开发的最后一个阶段，不仅起着物理包裹、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是芯片内部世界与外部电路沟通的桥梁。封装是将载板技术、芯片封装体、元器件等全部要素按照设备整机的要求进行连接装配，以实现芯片的多方面功能并满足整机和系统的适应性。[/color][/font][align=center][font='Times New Roman','serif'][color=black][img=,386,224]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207041430104834_1301_3389662_3.jpg!w385x224.jpg[/img][/color][/font][/align][align=center][font=宋体][color=black]芯片封装示意图[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]*[/color][/font][font=宋体][color=black]引自[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black][5] p12[/color][/font][/align]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》
[url=http://www.ldteq.com/article/3027.html]Hypertronics[/url][font=宋体][font=宋体]的堆栈封装（[/font][font=Calibri]PoP[/font][font=宋体]）测试解决方案具备行业顶级的设计制造。由于设计比较复杂，[/font][font=Calibri]PoP[/font][font=宋体]检测中需要同时连结[/font][font=Calibri]IC[/font][font=宋体]顶端和底部。[/font][/font][font=宋体][font=Calibri]Hypertronics[/font][font=宋体]的[/font][font=Calibri]Euclid[/font][font=宋体]手动测试解决方案则应用了装置至处理器顶端接触器器件。这一器件将包括[/font][font=Calibri]PCB[/font][font=宋体]，[/font][font=Calibri]PCB[/font][font=宋体]在顶端接触器周边两侧提供多种目标。底部接触器则具备弹簧探针框架，这一结构将源自检测仪端口[/font][font=Calibri]PCB[/font][font=宋体]的信号前往顶端[/font][font=Calibri]PCB[/font][font=宋体]，从而使得信号从检测仪发送至位于封装顶部的内存配件特征。[/font][/font][font=宋体][font=宋体]针对[/font][font=Calibri]Euclid[/font][font=宋体]产品设计而言，因为封装各侧校准需要通过各种情况下的验证，因此[/font][font=Calibri]Hypertronics[/font][font=宋体]品类齐全的设计验证设备系列是极为重要的；这些工具可以判断和解释热、应力、容差产生的影响。[/font][font=Calibri]Hypertronics[/font][font=宋体]的[/font][font=Calibri]Euclid[/font][font=宋体]手动测试产品囊括手动式压盖器件，堆栈封装测试芯片中所含的顶端接触器，以替换处理器。在诸多设计上，这款压盖还乘载内存设备。[/font][/font][font=宋体]特征[/font][font=宋体]搭载内存、无内存及手动式测试解决方案[/font][font=宋体]针对顶层和底层设备的先进校中功能性[/font][font=宋体]严谨细化的预测工具，确保可制成解决方案[/font][font=宋体]可控性阻抗，实现最高信号完整性[/font][font=宋体][font=宋体]具备[/font][font=Calibri]ATE[/font][font=宋体]和手动测试功能[/font][/font][font=宋体]深圳市立维创展科技有限公司授权代理销售[/font][font=Calibri]Hypertronics[/font][font=宋体]连接器产品，[/font][font=Calibri] Hypertronics[/font][font=宋体]连接器面向高可靠性市场，以其独有的[/font][font=Calibri]Hypertac[/font][img=,1,]file:///C:/Users/Administrator/AppData/Local/Temp/ksohtml18276/wps1.png[/img][font=宋体]双曲面连接专利技术，为连接器产品提供性能优异的可靠连接。[/font][font=Calibri]Hypertronics[/font][font=宋体]产品主要为全球军用、航空航天、医疗、舰载领域服务，欢迎咨询。[/font][font=Calibri] [/font][font=宋体]详情了解[/font][font=Calibri]Hypertronics[/font][font=宋体][font=宋体]请点击：[/font][font=Calibri]http://www.ldteq.com/brand/75.html[/font][/font]
有朋友咨询：在IC封装现场进行管控的时候如何进行清洁的相关样品取样动作，比如空气、工具(请问有没有对应的法规或者规范)!
绝大部分电子产品都要求在干燥条件下作业和存放。据统计，全球每年有1/4以上的工业制造不良品与潮湿的危害有关。对于电子工业，潮湿的危害已经成为影响产品质量的主要因素之一。 （1）集成电路：潮湿对半导体产业的危害主要表现在潮湿能透过IC塑料封装和从引脚等缝隙侵入IC内部，产生IC吸湿现象。 在SMT过程的加热环节中形成水蒸气，产生的压力导致IC树脂封装开裂，并使IC器件内部金属氧化，导致产品故障。此外，当器件在PCB板的焊接过程中，因水蒸气压力的释放，亦会导致虚焊。 根据IPC-M190 J-STD-033标准，在高湿空气环境暴露后的SMD元件，必需将其放置在10%RH湿度以下的干燥箱中放置暴露时间的10倍时间，才能恢复元件的“车间寿命”，避免报废，保障安全。 （2）液晶器件：液晶显示屏等液晶器件的玻璃基板和偏光片、滤镜片在生产过程中虽然要进行清洗烘干，但待其降温后仍然会受潮气的影响，降低产品的合格率。因此在清洗烘干后应存放于40%RH以下的干燥环境中。
板级封装测试焊膏—回流焊工艺如图1所示：在PCB板上印刷焊膏，贴装（靠焊膏的粘性）并暂时固定SMD、SMC，然后通过回流焊焊接，最后进行清洗（可根据焊膏的类型及产品的应用范围选择清洗或不清洗）。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509281041_568241_3042675_3.png图1 焊膏—回流焊工艺图本实验进行测试的封装方式有QFP、PGA。QFP封装技术的中文含义是方形扁平是封装技术，该技术实现的芯片引脚之间距离很小，管脚很细。该技术主要适用于SMT表面安装技术在PCB上安装布线。PGA封装技术的中文含义是插针网格阵列封装技术，由这种技术封装的芯片内外有多个方阵形的插针，每个方阵插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的多少，可以围成2-5圈。模板印刷过程：1）将模板与PCB精确对准；2）模板上放置焊膏；3）刮刀以一定角度、压力及恒定速率刮过模板；4）将模板与PCB分离，即脱模。印刷图形在室温下放置30分钟，进行焊接。回流焊过程：在SMT生产流程中，回流炉参数设置的好坏是影响焊接质量的关键，通过温度曲线，可以为回流炉参数的设置提供准确的理论依据。回流温度曲线分为四段。1）预热段，这一段的目的是把室温的电路板尽快加热； 2）保温段，这一段溶剂不断蒸发，同时保证电路板上的全部原件在进入焊接段之前达到相同的温度；3）回流焊阶段，这一段把电路板带入铅锡粉末熔点之上，让铅锡粉末微粒结合成一个锡球并让被焊金属表面充分润湿；4）冷却段，这一段焊膏中的铅锡粉末融化并充分润湿被焊接表面。板级封装回流焊实验结果1 QFP回流焊实验结果SYS305焊膏形成的焊点不能铺展、浸润焊盘，形成润湿不良。见图2a。SYS305-G焊膏形成焊点铺满焊盘，但有回流现象，没有流平。见图2b。W焊膏形成焊点没有铺满焊盘，没有回流现象。见图2c。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509281047_568243_3042675_3.png图2 QFP回流焊实验结果（20倍）（a- SYS305；b-SYS305-G；c-W焊膏）4.5.2 BGA回流焊实验结果SYS305焊膏焊后焊点表面不光滑、有凹凸。见图3a。SYS305-G焊膏焊后焊点表面光滑、无凹凸，铺满整个焊盘。见图3b。W焊膏焊后焊点表面光滑、无凹凸，没有铺满整个焊盘。见图3c。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509281048_568244_3042675_3.png图3 BGA回流焊实验结果（20倍）（a- SYS305；b-SYS305-G；c-W焊膏）
有谁知道半导体激光器整个封装流程啊 从里面的芯片到封装 到外部光线的准直聚焦 谁知道的告诉我下
元器件就是电路中一个个独立的个体，随着电子行业的不断发展，元器件的种类、品牌、生产厂家越来越多，这对于从事元器件采购员的要求也越来越多，有到时细节决定成败。在你进行选购时，对于一些细节了解的越多，就越不容易掉进陷阱。以下是元坤伟业资深采购人员所总结出来的一些经验。 1、品牌陷阱：拿光耦817来说，全球生产光耦817的品牌不下十家，理论上来说可以相互替换，但是在应用要求严格的时候，就需要经过工程师的测试，通过之后才能正常流入批量生产。如果没有和客户确认清楚，会存在产品无法正常使用的隐患。 2、功能型号陷：比如光耦817的功能型号包括CTR这个参数，每个品牌都会有几个等级去细分产品的用途。如果忽略这方面，很可能给到客户的产品不是对方所需要的，进而产生物流上的额外费用，甚至是客户的产品出现问题，带来经济上的损失。 3、后缀陷阱：后缀包括封装形式、管脚尺寸、包装方式等。比如，客户已经指明是要贴片的封装，但其实贴片的封装又有宽脚和窄脚两种 管脚尺寸也分为红胶焊接工艺问题和锡膏焊接工艺尺寸 包装方式方面又有芯片管脚的标示位 最重要的是还有铁脚和铜脚之分。如果这些问题不确认清楚，都会给客户的产品在生产过程中带来极大的隐患。产品完整型号=品牌前缀+功能型号+细节后缀，完整型号上的任何一个字母或事数字如果少一位就是一个陷阱。 4、顶端标记陷阱：记得以前给客户出货SN74LVC4245APWRG4 500片，给客户确认过的完整型号，因为没有原包装，到客户那里质检不接受，原因是芯片上的型号是LJ245A，执意要退货，后来到客户那里把PDF文档打开给他看才把货办理入库。实际上，LJ245A就是这个完整型号的顶端标记。我们经常会遇到一些小体积的封装，基本上都会要接触到顶端标记。不注意的话，会产生不必要的麻烦，甚至是造成订单退货。原因很简单，并不是每一个从业人员都是专业的，不会在一开始就想到查看芯片的PDF文档。 5、生产批号陷阱：有的客户品质会要求在一年半之内的元器件产品生产批号，有的会要求在两年之内的生产批号，如果在采购时没有问清楚供应商的生产批号，那么将面临客户拒收的危险。这样我们将搭上来回的物流运费，而若是供应商不同意换货，那这些产品会成为我们的库存，甚至是呆死料。 6、封测地陷阱：大家都知道原厂的晶圆制造地和封装测试地，通常不在一个地方，而且原厂的晶圆制造地和封装测试地通常会有几个，还要包括原厂的代工商。芯片的包装或是顶端标记上通常只是封测地。有时候客户会指定他们所要产品的产地，这些方面也是我们要注意的。 对于元器件采购所存在拭陷阱就为大家介绍到这里，除了这些以外，还有一些如合同上的一些陷阱，如签订地点，物流等等，在这里就不为大家一一介绍了。
想使用安瓿瓶，火焰封装一种易燃有机液体。实施起来有危险性，如何解决这个问题，进口或国内采购厂家有哪几家？求高人指点
TVOC标样开瓶后用什么瓶封装？
[align=left][b][font='微软雅黑','sans-serif']全自动点胶机如何加强LED灯管的硅胶封装质量[/font][/b][/align][align=left][font='微软雅黑','sans-serif']液晶显示屏LED灯管硅胶材料封裝实际效果跟运用的[b]全自动点胶机[/b]具有非常大的联系，比如说：半自动点胶机在液晶显示屏LED灯管生产流水线中运用，那么硅胶材料封裝的产出率是极其的低，实际效果远远没有运用适合的全自动点胶机高，如果增强硅胶材料粘结强度还要运用[b]全自动点胶机[/b]，它能自动将硅胶材料正确处理好后完成封裝工作，这个机器设备运用的零配件是极其适合在液晶显示屏LED灯管中完成硅胶材料封装粘结，主要的性能指标都跟硅胶材料有许多联系。[/font][/align][align=left][font='微软雅黑','sans-serif']硅胶大部分可分为有机硅胶和无机硅胶，一般来说[b]全自动点胶机[/b]采用的是有机硅胶，具有[b]耐高温性、耐老化、电气绝缘性能、生理可塑性[/b]这些，适宜运用在LED灯管封装生产制造中，由于LED灯管长期使用就会经常出现温度过高的问题，为了避免LED灯管热度过高导致胶水融化，选择硅胶在LED灯管点胶生产中运用再适宜不过了。全自动点胶机在工作中时可以全自动对有机硅胶正确处理，确保LED灯管封装品质。[/font][/align][align=left][font='微软雅黑','sans-serif']其实[b]全自动点胶机[/b]不仅仅点胶封装层面能够适合，并且点胶封装速率层面也是比较快，现阶段的LED灯管点胶加工线主要都是应用自动化生产线的方式进行生产制造，全自动点胶机能在这种方式下进行LED灯光硅胶封装工作，应用前先将硅胶正确处理好，再根据智能控制器将出胶量、点胶气压等主要参数调整好，规避在工作中时出现点胶封装问题，确保LED灯管封装的产品质量。不管是在单一化的点胶加工线中，还是在自动化生产线，都能够应用到全自动点胶机。[/font][/align][align=left][font='微软雅黑','sans-serif']目前对LED灯管进行硅胶封装效果最好的是[b]全自动点胶机[/b]，但全自动点胶机的配件种类比较多，所以对LED灯管封装的效果比较好，大连华工生产的全自动点胶机适用于各种领域的点胶模式，可搭载各种点胶方式，如：计量式，喷射阀，螺杆阀，多头点胶阀体等。点胶世界你做主！[/font][/align][img=,690,380]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/04/202104300941229285_4452_4017671_3.jpg!w690x380.jpg[/img][font='微软雅黑','sans-serif'] [/font]
半导体器件芯片内部失效分析 超声波扫描显微镜（扫描频率最高可以达到２Ｇ）． 其主要是针对半导体器件 ,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/emyc1002.gif请点激链接:半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。ＸRAY 与C-SAM区别ＸRAY：X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形 在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞，很容易探测到. 而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难，因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法，这已是破坏性分析了。C－SAM：由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力，根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。 超声波在行经介质时，若遇到不同密度或弹性系数之物质时，即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此，只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时，即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置C-SAM服务超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等）· 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等; 材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；
[align=left][font=宋体][font=宋体]交通系统的电气化进程正在不断加速。除了乘用车外，两轮车、三轮车和轻型轿车也越来越多完成了电气化。因此，由[/font][font=宋体]24V-72V电压驱动的车用电子操控单元（ECU）市场预计将在未来几年持续增长。英飞凌科技股份公司针对这一发展趋势，推出选用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品，进一步弥补其OptiMOS? 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些产品能以小巧外形提供超卓的热功能与卓越的开关功能。[/font][/font][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]六款新产品具有较窄的栅极阈值电压（[/font][font=宋体]V GS(th)），支持并联 MOSFET设计，以增加输出功率能力。60 V MOSFET产品型号为IAUTN06S5N008、IAUTN06S5N008G 和 IAUTN06S5N008T；120 V MOSFET产品型号为IAUTN12S5N017、IAUTN12S5N018G 和 IAUTN12S5N018T 。120 V MOSFET 的导通电阻（RDS(on) ）为1.7 mΩ 至 1.8 mΩ，60 V MOSFET的导通电阻为0.8 mΩ。这使得60 V MOSFET非常适用于24V供电的大功率 CAV 使用或 xEV 使用中的高低压直流-直流转换器；120 V MOSFET 适用于两轮或三轮车及轻型电动轿车的48V-72V供电的牵引逆变器。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体]销售各种电子元器件，需要请联系[/font][/align]
[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=174499]GBT 16606.1-2009 快递封装用品 第1部分：封套[/url]
[font=宋体][font=Calibri]DirectBond[/font][font=宋体]是[/font][/font][url=https://www.leadwaytk.com/article/5252.html]Thunderline-Z[/url][font=宋体][font=宋体]对超高性能直接密封封装需求的回应，其中玻璃与金属机壳直接适配并密封。虽然[/font][font=Calibri]THUNDERLINE-Z[/font][font=宋体]在焊接相关经验造成了优质的焊接封装，但[/font][font=Calibri]THUNDERLINE-Z[/font][font=宋体]对严格监控的温度控制系统的额外研究和开发也保障了最紧密适配的直接密封封装。通过借助这些操控，[/font][font=Calibri]THUNDERLINE-Z[/font][font=宋体]优化了一种方式，[/font][font=Calibri]DirectBond[/font][font=宋体]高性能密封封装确保在最宽的温度范围内具备真正的密封性，并能够有效解决其它制造工艺中原有的高频功率损耗问题。[/font][/font]
1月3日消息，博纳半导体设备（浙江）有限公司（以下简称「博纳半导体」）获得数千万元A轮融资，资方为宁波梓禾和嘉善经开同芯创业投资，独木资本将为项目的后续融资提供财务顾问服务。资金将用于生产基地建设，技术团队建设以及完善公司管理体系。「博纳半导体」创始人兼CEO刘亮表示，当摩尔定律发展到极致，晶圆也在越做越薄——在先进封装应用中，晶圆厚度一般小于100μm，晶圆减薄技术是封装技术工序中最重要的工艺之一。「博纳半导体」创始人兼CEO刘亮表示，临时键合和解键合流程此前多用日本设备，但日本厂商往往有不平等条约，比如需要采用其指定的材料、为不少额外类目的付费等等，并且交付周期和价格也更长，国产设备相比之下，优势则高下立现。据介绍，目前「博纳半导体」已经推出了临时键合、临时解键合设备、临时解键合清洗一体机在内的三款设备，公司已建设完整的打样试验线，为客户提供一体化，完整工艺段的服务。相比国外设备，「博纳半导体」产品造价是国外同等产品的一半左右。并且，这些机器的零部件中有超过85%为该公司自主研发，更加自主可控，也可配合下游客户的具体需求。目前，「博纳半导体」的商业化进展快速，已经与国内先进封装龙头企业长电科技及关联企业交付数台整机设备、并且实现量产。团队方面，「博纳半导体」创始人兼CEO刘亮有着超过 15 年的先进封装、晶圆制造设备开发经验，团队拥有自主知识产权、全国首创的临时解键合清洗一体机产业化技术。领投方梓禾资本创始人郑昕表示，「博纳半导体」公司产品具备较大的先进性，处于国内领先地位。公司设备相较进口设备具有性价比高、设备重量轻体积小等优势，并符合国家战略发展方向；临时键合/解键合设备在先进封装、化合物半导体、MicroLED等领域均具有较大应用场景；「博纳半导体」发展思路清晰，在围绕晶圆临时键合/解键合工艺进行前后端机台研发，未来发展前景可期。[来源：投资界][align=right][/align]
传感器和仪表元器件的现状问题与发展重点2006年12月22日 13:43 来源：中国机经网 传感器和仪表元器件是仪器仪表与自动化系统最基础元器件之一。传感器和仪表元器件具有服务面广、品种繁多、需求量大等特点，其技术水平和产品质量的提高，将为我国制造业信息化奠定基础。 现状与问题 我国传感器和仪器仪表的技术和产品，经过发展，有了较大的提高。全国已经有1600多家企事业单位从事传感器和仪表元器件的研制、开发、生产。但与国外相比，我国传感器和仪表元器件的产品品种和质量水平，尚不能满足国内市场的需求，总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。存在的主要问题有： （1）科技创新差，核心制造技术严重滞后于国外，拥有自主知识产权的产品少，品种不全，产品技术水平与国外相差15年左右。 （2）投资强度偏低，科研设备和生产工艺装备落后，成果水平低，产品质量差。 （3）科技与生产脱节，影响科研成果的转化，综合实力较低，产业发展后劲不足。 战略目标 到2020年，传感器及仪表元件领域应争取实现三大战略目标： 以工业控制、汽车、通讯、环保为重点服务领域，以传感器、弹性元件、光学元件、专用电路为重点对象，发展具有自主知识产权的原创性技术和产品； 以MEMS工艺为基础，以集成化、智能化和网络化技术为依托，加强制造工艺和新型传感器和仪表元器件的开发，使主导产品达到和接近国外同类产品的先进水平； 以增加品种、提高质量和经济效益为主要目标，加速产业化，使国产传感器和仪表元器件的品种占有率达到70%~80%，高档产品达60%以上。 发展重点 传感器技术 （1）MEMS工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（DRIE）工艺或IGP工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器：如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器，汽车专用压力、加速度传感器，环保用微化学传感器等。 （2）集成工艺和多变量复合传感器微结构集成制造工艺； 工业控制用多变量复合传感器，如：压力、静压、温度三变量传感器、气压、风力、温度、湿度四变量传感器，微硅复合应变压力传感器，陈列传感器。 （3）智能化技术与智能传感器信号有线或无线探测、变换处理、逻辑判断、功能计算、双向通讯、自诊断等智能化技术；智能多变量传感器，智能电量传感器和各种智能传感器、变送器。 （4）网络化技术和网络化传感器，使传感器具有工业化标准接口和协议功能。 （1）弹性元件开发和完善新型成型工艺：电沉积成型工艺，焊接成型工艺；重点开发航空、航天用的低刚度、大位移、长寿命的微小型精密波纹管，高温高压阀用波纹管；研制波纹管高效成型工艺设备和性能检测仪器。 （2）光学元件开发先进工艺：非球面光学元件设计、制造技术、光学多层测射镀膜技术和新型离子辅助镀膜技术。 开发光纤通讯和数字成像用新型光学元件。如：微型变密度滤光片、超窄带滤光片，微透镜阵列、大面积偏振元件、非球面玻-塑混合透镜。 （3）专用电路提高专用电路集成度和个性化服务的设计技术和制造工艺； 应用软件固化技术，开发适合智能化、网络化传感器和仪表的信号变换、补偿、线性化、通讯、网络接口等专用电路
在封电极时，有什么好的方法尽量消除电极材料与封装材料的微缝隙
[align=center]GaN HEMT半导体器件的特点及其应用[/align][align=center]西安国联质量检测技术股份有限公司[/align][align=center]品控 张敏莉[/align]摘 要[b]：[/b]随着电力电子技术的发展，高频、高功率密度成为未来的发展趋势，GaN器件由于其高频、低损耗等特点而受到广泛关注。本文通过将GaN HEMT器件和Si器件进行对比，对GaN HEMT半导体器件的自身特性以及未来的应用趋势进行综述。关键词[b]：[/b]电力电子器件；GaN器件 与传统的Si器件相比，GaN宽禁带半导体材料有很多出色的性能,随着其商业化，其应用也越来越广泛，本文针对增强型GaN器件的特性进行分析，1 GaN功率器件的特点1.1 与Si功率器件的特性对比表 1 宽禁GaN器件与传统Si器件对比Tab.1 The comparison of Wide Band Gap GaN device and Traditional Si devices[table][tr][td][align=center]器件特性[/align][/td][td][align=center]IPW65R110CFDA[/align][align=center]Cool MOSFET[/align][/td][td][align=center]GS66508B[/align][align=center]GaN HEMT[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]漏源电压V[sub]DS[/sub]/V[/align][/td][td][align=center]650[/align][/td][td][align=center]650[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]通态电流I[sub]D[/sub]/A(25℃)[/align][/td][td][align=center]31.2[/align][/td][td][align=center]30[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]通态电流I[sub]D[/sub]/A(100℃)[/align][/td][td][align=center]19.7[/align][/td][td][align=center]25[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]通态电阻R[sub]DS(on)[/sub]/mΩ(25℃)[/align][/td][td][align=center]110[/align][/td][td][align=center]50[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]驱动电压Vgs/V[/align][/td][td][align=center]-20/20[/align][/td][td][align=center]-10/7[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]驱动阈值电压V[sub]GS(th)[/sub]/V[/align][/td][td][align=center]4[/align][/td][td][align=center]1.3[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]输入电容C[sub]iss[/sub]/pF[/align][/td][td][align=center]3240[/align][/td][td][align=center]260[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]反向恢复电荷Q[sub]rr[/sub]/nC[/align][/td][td][align=center]800[/align][/td][td][align=center]0[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]封装[/align][/td][td][align=center]14.81x9.70mm[sup]2[/sup][/align][/td][td][align=center]7.0x8.4mm[sup]2[/sup][/align][/td][/tr][/table]表1是选取了GaN System公司的GaN器件GS66508B以及Infineon公司的Si器件Cool MOSFET进行主要的参数对比。100℃和25℃下通态电流的对比可以发现GaN HEMT的高温稳定性能更好，在高温下仍能承受很高的电流；通态电阻对比可以发现GaN HEMT的通态电阻更小，其通态功率损耗小，提升变换器的效率；通过对比驱动电压可以发现GaN HEMT驱动电压更小，驱动电源设计更加简化；通过驱动阈值电压以及输入电容可以发现，GaN HEMT的驱动阈值电压以及输入电容远远小于Si器件，说明再开通过程中米勒效应影响较小、驱动损耗小、开通时间更短、开通损耗更小、开关频率更高；通过对比反向恢复电荷可以发现GaN HEMT的反向恢复特性好，反向恢复损耗小；通过对比封装可以发现，相同的电压等级下，GaN的封装面积更小。 1.2 GaN半导体器件其他特性GaN HEMT除了以上的从datasheet中可以得到的特性外，还可以发现GaN HEMT还存在以下特性：1) 虽然GaN HEMT的开关频率比Si Cool MOSEFET高很多，但实际测试以及实验中发现，其共模干扰与Si MOSFET相差不大。2) GaN HEMT。1.3 GaN器件应用上存在的问题2 功GaN器件的应用趋势2.1 发展现状[align=center][img=,197,146]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031902104965_5678_2904018_3.png!w197x146.jpg[/img][/align][align=center]表1是选取了功率等级相同的GaN器件以及Si器件进行其材料性能的对比。[/align]图 1 现有光伏逆变器功率密度分析2.2 宽禁带器件的应用前景表 2 目前已经商用的SiC功率器件[table][tr][td]材料特性[/td][td]U[sub]DS[/sub]/V[/td][td]R[sub]ON[/sub]/m[/td][td]I[sub]Dmax[/sub]/A[/td][td]U[sub]GS(DC)[/sub]/V[/td][/tr][tr][td]C3M0065090J[/td][td]900[/td][td]65[/td][td]35[/td][td]-4/15[/td][/tr][tr][td]C3M0120100J[/td][td]1000[/td][td]120[/td][td]22[/td][td]-4/15[/td][/tr][tr][td]C2M0025120D[/td][td]1200[/td][td]25[/td][td]90[/td][td]-5/20[/td][/tr][tr][td]C2M0045170D[/td][td]1700[/td][td]45[/td][td]72[/td][td]-5/20[/td][/tr][/table]表 3 目前已经商用的GaN功率开关器件[table][tr][td]材料特性[/td][td]U[sub]DS[/sub]/V[/td][td]R[sub]ON[/sub]/m[/td][td]I[sub]Dmax[/sub]/A[/td][td]U[sub]GS(DC)[/sub]/V[/td][td]U[sub]GS(DC)[/sub]/V[/td][/tr][tr][td]EPC2100[/td][td]30[/td][td]8[/td][td]9.5[/td][td]-4/6[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][tr][td]EPC2033[/td][td]15[/td][td]7[/td][td]31[/td][td]-4/6[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][tr][td]EPC2025[/td][td]300[/td][td]120[/td][td]6.3[/td][td]-4/6[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][tr][td]EPC66502[/td][td]650[/td][td]220[/td][td]7[/td][td]-10/7[/td][td]0.8/2.5[/td][/tr][/table][align=center][img=,459,343]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031902312195_4497_2904018_3.png!w459x343.jpg[/img][/align][align=center](a) GaN HEMT开通波形 [/align][align=center][img=,437,339]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031902588253_3023_2904018_3.png!w437x339.jpg[/img][/align][align=center](b) GaN HEMT关断波形[/align][align=center][img=,629,470]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031903395129_2456_2904018_3.png!w629x470.jpg[/img][/align][align=center](a) Si MOSFET开通波形 [/align][align=center][img=,471,350]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807031903579049_1528_2904018_3.png!w471x350.jpg[/img][/align][align=center] (b) Si MOSFET关断波形[/align][align=center]图 2 GaN HEMT和Si MOSFET开通关断波形对比[/align]2.3 宽禁带器件的目前应用实例表 4 SiC 器件在光伏逆变器中的应用情况[table][tr][td]年份[/td][td]单位[/td][td]功率/kW[/td][td]效率%[/td][td]功率密度（KW/L）[/td][/tr][tr][td]2014[/td][td]三菱和欧姆龙[/td][td]5.5[/td][td]--[/td][td]--[/td][/tr][tr][td]2014[/td][td]富士电机[/td][td]20[/td][td]99[/td][td]0.25[/td][/tr][tr][td]2014[/td][td]富士电机[/td][td]1[/td][td]98.8[/td][td]0.2[/td][/tr][tr][td]2015[/td][td]三菱[/td][td]4.4[/td][td]98[/td][td]0.26[/td][/tr][tr][td]2015[/td][td]美国科锐[/td][td]50[/td][td]99.1[/td][td]0.23[/td][/tr][/table]3 总结本文通过对比Si半导体器件以及宽禁带器件的材料性能以及开关性能，发现使用宽禁带半导体器件的使用使功率变换器的成本降低、体积减小、功率密度提高，在新能源领域具有很好的应用前景。
CR-1201零件封装机适用于各种类型及规格的贴片元件的编带包装：贴片IC\晶振\电感等贴片式元件。包装方式为自动送料，自动封口，自动收带。走带采用检测OK料后步进驱动，收带自动检测并采用无段调速带刹车马达，间隔式封口，适合冷封自粘上带和热封上带；热封合拉力的平均值稳定到20g左右。 该零件计数器采用了精确的热压头：封合刀组独立恒温，温度控制准确稳定。电磁阀、气缸滑台、真空发生气、真空感应器、磁感应器、旋转气缸、真空压力表均采用SMC品牌。PLC可编程式控制器控制整机运行、自动计数且具有倒计数功能，采用日本基恩士光纤全套配置,互相监控;从振盘自动送料，分度盘分料，极性测试，机械手抓料，方向选择，自动送料，联锁控制;人机界面操作直观简便，可以分步动作参数设置，自动运行参数设置;开机自动对位功能，无料、无带、加工完成均可自动报警停机，性能稳定可靠。
半导体封装是半导体产业链的重要组成部分。半导体制造工艺的进步也在推动封装企业不断追求技术革新，持续加大研发投资。在半导体产业强势发展下，半导体行业对半导体封装设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，因此其中涉及的检测技术至关重要。 基于此，仪器信息网将于[color=#0070c0][b]2022年4月28日[/b][/color]举办[b]”半导体封装检测技术与应用“主题网络研讨会[/b],邀请业内专家进行精彩报告分享，旨在为广大半导体封装行业用户、检测人员和相关学者提供一个线上近距离交流平台。[b]会议日程：[/b][list][*][size=16px][back=#ededf3][/back]09:30 高灵敏cmos EBSD技术在封装行业的应用——马岚(牛津仪器应用工程师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]10:00 1200V碳化硅功率模块封装与应用——田鸿昌(陕西半导体先导中心总经理)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]11:00 面向感存算一体化应用的先进封装技术浅探——王刚(中国电子科技集团公司第五十八研究所 高级工程师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]13:30 可靠性评估的功率循环测试技术——邓二平(华北电力大学 讲师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]14:00 封装材料高温高湿可靠性检测新方法及应用——石琳琳(英国SMS仪器公司 市场与应用工程师)[/size][*][size=16px][back=#ededf3][/back]15:30 芯片封装及表面贴装后失效根因的追溯与分析——张兮(胜科纳米（苏州）股份有限公司 副总经理)[/size][/list]（更多精彩详见报名页面）[b][size=18px][color=#ff0000]点击链接报名参会：[/color][/size][/b][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/bdtfc20220428/[/url]
Fluke15B、17B、18B（2014年后升级为15B+、17B+、18B+）数字万用表，功能齐全，测量准确，使用2节5#电池，非常方便耐用，市场占有率较大。 Fluke系列万用表做工精细，质量可靠，很少出现故障。早期生产的Fluke15B、17B万用表主板电路上焊接一枚台湾富晶公司生产的FS9721_LP3带微处理的3/4位AD转换芯片，这种硬封装电路，集块损坏后可以直接更换芯片，后期生产的Fluke15B、17B主板电路，主板和芯片软封装在一起，这种电路，芯片损坏后只能更换整块主板。 本文讲述的是在测量过程中因行扫变压器高压放电导致Fluke17B万用表主板上软封装芯片损坏（电阻档、毫伏档失去测量功能），不更换主板的一种修复方法。修复过程如图所示：[img=,601,311]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241727197475_8553_2156493_3.png!w601x311.jpg[/img] 图1 因高压放电损坏的Fluke 17B万用表（电阻档） 正常电阻档位：屏幕应显示“OL”（无穷大）[img=,600,393]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241728322328_9322_2156493_3.png!w600x393.jpg[/img] 图2 因高压放电损坏的Fluke 17B万用表（mv档） 正常毫伏档位：屏幕应显示数字（0.003mv左右）[img=,607,305]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241728395425_8834_2156493_3.png!w607x305.jpg[/img] 图3 Fluke 17B万用表软封装主板电路（芯片损坏）我们看福禄克万用表软封装主板电路，芯片周边预留了FS9721_LP3集块引脚焊接走线，只要我们去除掉损坏的软封装芯片，就可以修复主板。[img=,600,319]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241735000761_2918_2156493_3.png!w600x319.jpg[/img] 图4 用砂轮磨掉主板电路上的黑色软封装芯片 小心操作！不要损伤外围元件！这一步是关键！[img=,597,391]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241735568861_9368_2156493_3.png!w597x391.jpg[/img] 图5 精细打磨掉多余引线，减小分布电容，吹净后，用烙铁在预留引脚上上锡[img=,599,373]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241737547011_4500_2156493_3.png!w599x373.jpg[/img] 图6 从网上购买集块FS921_LP3（连邮费我花了45元）[img=,603,381]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241738572525_8500_2156493_3.png!w603x381.jpg[/img] 图7 焊接芯片（注意引脚方向1-100）[img=,599,301]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241739541855_8251_2156493_3.png!w599x301.jpg[/img] 图8 修复好的Fluke 17B数字万用表[img=,600,478]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241740469745_7608_2156493_3.png!w600x478.jpg[/img] 图9 校准器具，VICTOR15+，福禄克287（比对）[img=,606,490]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241742005822_2863_2156493_3.png!w606x490.jpg[/img] 图10 主板内各校准电位器功能说明 R35和R49温度校准，R18直流电压校准，R8交流电压校准，R11电容校准，R64电阻校准（2个大箭头指向点之间电阻9.9-10MΩ），R27毫安电流校准，R29大电流A校准，电压、电流、电容校准电位器调整顺时针旋转—增加数值，逆时针调整—减小数值。[img=,598,366]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241742095971_1277_2156493_3.png!w598x366.jpg[/img] 图11 DC电压校准(校准前，发生100.00mv，显示98.7mv)[img=,597,395]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/07/201807241742160948_9853_2156493_3.png!w597x395.jpg[/img] 图12 校准后（发生100.00mv，显示100.0mv） 交流电压、电流、电阻、电容档校准不再叙述，从整个校准过程结果看，误差不大，如果没有校准条件，也可以不校准。 小结：正常情况下，电路中的集成电路很少损坏，损坏多为雷击、高压放电、静电或人为原因引起。本文为大家介绍了软封装集成电路损坏的一种修复方法，相比更换整块主板节省了许多费用。
[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=174500]GBT 16606.2-2009 快递封装用品 第2部分：包装箱[/url]
[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=174501]GBT 16606.3-2009 快递封装用品 第3部分：包装袋[/url]
玻璃粉封装烧结后对水温以及pH值非常敏感。通过药剂槽超洗(电流2.0，超洗5min)，接着一定水压冲洗，再5道超纯水漂洗(电流1.2，每槽3min，入水温度45°，实测36°左右)，清洗液依残留。不管水基型中性药剂还是偏高碱性溶剂，都会残留在烧结后的玻璃粉上。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/08/201908022258386343_4699_3971489_3.png[/img][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/08/201908022258399293_6246_3971489_3.png[/img]
产品品牌：永嘉微电/VINKA，产品型号：VK1640A，封装形式：SSOP28简述：VK1640A是一种数码管或点阵LED驱动控制专用芯片，内部集成有数据锁存器、LED驱动等电路。SEG脚接LED阳极，GRID脚接LED阴极，可支持8SEGx16GRID的点阵LED显示。适用于小型LED显示屏驱动。采用SSOP28的封装形式。 （C28-235）特点：工作电压 3.0-5.5V内置 RC振荡器8个SEG脚，16个GRID脚SEG脚只能接LED阳极，GRID脚只能接LED阴极2线串行接口8级整体亮度可调内置显示RAM为8x16位内置上电复位电路封装：SSOP28(150mil) (9.9mm x 3.9mm PP=0.635mm)[img=,630,483]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310301153370671_2736_6207987_3.png!w630x483.jpg[/img][img=,630,342]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310301153195418_2265_6207987_3.png!w630x342.jpg[/img]内存映射的LED控制器及驱动器：VK16D32 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：8段12位 共阳驱动：--- 通讯接口：SCL/SDA 静态电流/待机电流：＜1mA＜10μA 按键：--- 封装：SSOP24 恒流驱动VK16D33 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：--- 通讯接口：SCL/SDA 静态电流/待机电流：＜1mA＜10μA 按键：--- 封装：SOP28 恒流驱动VK16K33A 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位； 共阳驱动：8段16位 通讯接口：SCL/SDA 静态电流/待机电流：typ.1mA/1μA 按键：13*3 封装：SOP28 驱动电流大，适合高亮显示场合VK16K33AA 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位； 共阳驱动：8段16位 通讯接口：SCL/SDA 静态电流/待机电流：typ.1mA/1μA 按键：13*3 封装：SSOP28 驱动电流大，适合高亮显示场合VK16K33B 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：12段8位； 共阳驱动：8段12位 通讯接口：SCL/SDA 静态电流/待机电流：typ.1mA/1μA 按键：10*3 封装：SOP24 驱动电流大，适合高亮显示场合VK16K33BA 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：12段8位； 共阳驱动：8段12位 通讯接口：SCL/SDA 静态电流/待机电流：typ.1mA/1μA 按键：10*3 封装：SSOP24 驱动电流大，适合高亮显示场合VK16K33C 3.0～5.5V 驱动点阵：64 共阴驱动：8段8位； 共阳驱动：8段8位 通讯接口：SCL/SDA 静态电流/待机电流：typ.1mA/1μA 按键：8*3 封装：SOP20 驱动电流大，适合高亮显示场合VK1640 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：16段8位 通讯接口：CLK/DIN 静态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SOP28VK1640A 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：16段8位 通讯接口：CLK/DIN 静态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SSOP28VK1640B 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：8段12位 共阳驱动：12段8位 通讯接口：CLK/DIN 静态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SSOP24VK1650 3.0～5.5V 驱动点阵：32 共阴驱动：8段4位 共阳驱动：4段8位 通讯接口：CLK/DAT 静态电流/待机电流：typ.0.3mA/50μA 按键：7*4 封装：SOP16/DIP16VK1Q60 3.0～5.5V 驱动点阵：32 共阴驱动：8段4位 共阳驱动：4段8位 通讯接口：CLK/DAT 静态电流/待机电流：＜0.1mA/--- 按键：7*4 封装：QFN16VK1651 3.0～5.5V 驱动点阵：28 共阴驱动：4段7位 共阳驱动：7段4位 通讯接口：CLK/DIO 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：7*1 封装：SOP16/DIP16VK1637 3.0～5.5V 驱动点阵：48 共阴驱动：6段8位 共阳驱动：8段6位 通讯接口：CLK/DIO 静态电流/待机电流：--/-- 按键：8*2 封装：SOP20/DIP20VK1616 3.0～5.5V 驱动点阵：28 共阴驱动：7段4位 共阳驱动：4段7位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：--- 封装：SOP16/DIP16 抗干扰能力强VK1618 3.0～5.5V 驱动点阵：35/36/35/32 共阴驱动：5段7位；6段6位；7段5位；8段4位 共阳驱动：7段5位；6段6位；5段7位；4段8位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：5*1 封装：SOP18/DIP18 抗干扰能力强VK1620B 3.0～5.5V 驱动点阵：48/45/40 共阴驱动：8段6位；9段5位；10段4位 共阳驱动：6段8位；5段9位；4段10位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：--- 封装：SOP20 抗干扰能力强VK1624 3.0～5.5V 驱动点阵：77/72/65/56 共阴驱动：11段7位；12段6位；13段5位；14段4位 共阳驱动：7段11位；6段12位；5段13位；4段14 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：--- 封装：SOP24/DIP24 抗干扰能力强VK1S68C 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通讯接口：CLK/STB/DIO静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：SSOP24 抗干扰能力强VK1Q68D 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通讯接口：CLK/STB/DIO静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：QFN24 抗干扰能力强VK1668 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：SOP24/SSOP24 抗干扰能力强VK1628 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：SOP28 抗干扰能力强VK1S38A 3.0～5.5V 驱动点阵：64 共阴驱动：8段8位 共阳驱动：8段8位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*3 封装：SSOP24 抗干扰能力强VK1638 3.0～5.5V 驱动点阵：80 共阴驱动：10段8位 共阳驱动：8段10位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*3 封装：SOP28 抗干扰能力强VK1629 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位 共阳驱动：8段16位 通讯接口：CLK/STB/DIN/DOUT 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*4 封装：LQFP44(QFP44正方形)； 抗干扰能力强VK1629A 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位 共阳驱动：8段16位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：--- 封装：SOP32 抗干扰能力强VK1629B 3.0～5.5V 驱动点阵：112 共阴驱动：14段8位 共阳驱动：8段14位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*2 封装：SOP32 抗干扰能力强VK1629C 3.0～5.5V 驱动点阵：120 共阴驱动：15段8位 共阳驱动：8段15位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*1 封装：SOP32 抗干扰能力强VK1629D 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：12段8位 共阳驱动：8段12位 通讯接口：CLK/STB/DIO 静态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*4 封装：SOP32 抗干扰能力强VK6932 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：16段8位 通讯接口：CLK/STB/DIN 静态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SOP32 抗干扰能力强———————————————————————————————————(永嘉微电/VINKA原厂-FAE技术支持，主营LCD驱动IC； LED驱动IC； 触摸IC； LDO稳压IC； 水位检测IC)LED驱动、LED屏驱动、数显驱动IC、LED芯片、LED驱动器、数码管显示驱动、LED显示驱动、LED数显驱动原厂、LED数显驱动芯片、LED驱动IC、点阵LED显示驱动、LED屏驱动IC、数显驱动芯片、数码管芯片、数码管驱动、数显屏驱动、数显IC、数显芯片、数显驱动、LED数显IC、数显驱动原厂、LED屏驱动芯片、LED数显驱动IC、LED数显驱动IC、LED驱动电路、数显LED屏驱动、LED数显屏驱动、LED显示屏驱动、LED数码管驱动、数显LED驱动、LED数显驱动、数码管显示IC、数码管显示芯片、数码管驱动芯片、LED显示驱动芯片、显示数码管驱动、LED控制电路、数显LED驱动芯片、数显LED驱动IC、LED驱动芯片、数码管显示屏驱动、数码管驱动原厂、LED驱动厂家、LED驱动原厂、LED数码驱动、LED数码屏驱动、LED数显芯片、数码管驱动IC、显示LED驱动、数码管LED驱动、LED显示IC、点阵数显驱动、点阵数码管驱动、点阵LED驱动、点阵数显驱动芯片、点阵数显驱动IC、点阵LED驱动芯片、点阵LED驱动IC、LED数显原厂、点阵数码管显示芯片、数码管驱动厂家、数显LED原厂
[b]职位名称：[/b]广西大学光电材料和器件研究中心票-教授[b]职位描述/要求：[/b]1.招聘条件科研道德高尚，学风严谨，具有拼搏奉献精神；年龄不超过40周岁；原则上在海外知名高校取得博士学位，并有2年以上海外科研工作经历；在相关学术领域的研究能力和业绩水平达到或接近青年千人、青年拔尖的平均水平；研究方向明确，已初步形成研究特色，具有较大的发展潜力。2.入选后的待遇（1）科研启动经费最高不低于50万元。（2）个人补贴最高65万元。（3）中心提供不少于100平米的科研、办公场所。（4）年薪不低于25万元。（5）提供五险一金。享受子女教育等方面的优惠待遇。（6）学校提供一套120平米公寓。3.主要工作内容（1）文章发表（2）研究平台和产业平台建设（外延，器件设备，封装及检测设备的购买及安装）（3）硕博研究生的指导及教学任务4.应聘资料（1）简历（2）发表论文目录、论文引用情况，3-5篇代表性论文。（3）相关证明材料（已取得的重要科研成果（含专利）证明、国内外任职情况证明、最高学历学位证书、获奖证明等）。（4）对科研工作和教学工作的设想、计划和要求。（5）近期免冠照片（6）本人的详细联系方式（1）文章发表（2）研究平台和产业平台建设（外延，器件设备，封装及检测设备的购买及安装）（3）硕博研究生的指导及教学任务4.应聘资料（1）个人简历（2）发表论文目录、论文引用情况，3-5篇代表性论文。（3）相关证明材料（已取得的重要科研成果（含专利）证明、国内外任职情况证明、最高学历学位证书、获奖证明等）（4）3位国内外同行专家的推荐信（5）对科研工作和教学工作的设想、计划和要求（6）近期免冠照片（7）本人的详细联系方式[b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/50285]查看全部[/url]
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