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封装器件

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封装器件相关的仪器

  • 哈希封装Ph/ORP探头 典型应用适合于应用在恶劣的环境条件下,例如测定酸性物质、碱性物质、酒精、碳氢化合物、芳香族化合物、酯类、酮类和其它化学物质等;已经被证明可用于电厂烟气脱硫石灰浆液pH值测量。哈希封装Ph/ORP探头 特性和优点● 使用差分测量技术,具有优异的准确度和可靠性——用三电极取代传统的 pH 传感器的双电极● 更高的可靠性降低了维护时间和停机时间● 内置的前置放大器● 多种安装方式● 914 米的传输距离● LCP 传感器,降低了热曲变● Ryton 传感器,与强碱性物质有优异的兼容性● 锑电极可耐受氢氟酸● 可更换的盐桥延长了传感器寿命哈希封装Ph/ORP探头 操作原理GLI差分传感器技术使用三个测量电极取代传统的 pH 传感器中的双电极。测量电极和标准电极测得的 pH值相对于第三个溶液背景电极的差分值。该技术被证实具有精准的准确性,减少了参比电极连接的污染,有效的消除了闭路循环。减少了故障时间和维护时间。差分传感器的保修哈希公司对于 GLI的差分传感器提供了传感器工业领域中较好的保修政策。一年之内,传感器出现任何由于制作工艺或材料方面的问题,我们将免费更换。
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  • 功率器件分析仪 400-860-5168转5919
    1.产品概述:以 B1506A 功率器件分析仪为例,它是完整的功率电路设计解决方案 125。可在不同工作条件下评测功率器件的众多参数,如高达 3kV/1500A 的运行范围,能进行 IV 参数(击穿电压和导通电阻)测量,具备在高压偏置下的三端电容(如 Ciss、Coss、Crss 等)、栅极电荷(Qg)和功率损耗的测量功能,还支持 -50°C 至 +250°C 的全自动快速热测试等。2.设备应用:研发领域:帮助工程师在功率半导体器件的设计阶段,精确测量和分析器件的各种特性参数,如导通电阻、击穿电压、电容特性、栅极电荷等,为优化设计提供数据支持,加速研发进程。生产环节:用于对功率器件进行大规模的质量检测和筛选,确保产品的性能和质量符合标准,提高生产效率和产品良率。失效分析:当功率器件在使用过程中出现故障时,可通过该分析仪对器件进行详细的测试和分析,找出失效的原因和部位,为改进和修复提供依据 5。例如在新能源汽车的 “三电系统” 中,对功率半导体的测试就非常关键。 3.设备特点在各种工作条件下都能执行准确的测量一体化解决方案可以表征高达 1500 A 和 10 kV 的功率器件可在高压偏置下进行中档电流测量(例如 1200 V 时为 500 mA)μΩ 导通电阻测量能力在高压偏置下进行准确的皮安以下电流测量-50 ℃ 至 +250 ℃ 全自动热测试广泛的器件评测功能在高达 3000 V 直流偏置下进行全自动电容(Ciss、Coss、Crss 等)测量短 10 μs 的大功率脉冲测量封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅电荷测量用于表征 GaN 电流崩塌效应的高压/大电流快速开关选件多达五个高压(3 kV)源表通道,大地提高灵活性通过配有互锁装置的测试夹具进行安全的温度相关测试测量效率更高无需重新连接线缆即可在高压测量和大电流测量之间切换自动形成测试电路,用于测试封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等)标配配有互锁装置的测试夹具,用于安全地测试封装功率器件有支持和安全保障的晶圆上大功率测试,电流超过 200 A,电压高达 10 kV示波器视图使您可以验证所输入的电压和电流波形在 MS Windows 环境中运行的 EasyEXPERT 软件有助于改善数据管理和分析可升和可扩展的硬件体系结构多种测量模块可供选择支持多达 6 个引脚的大功率器件
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  • 品牌: 华科智源 名称: IGBT测试仪 型号: HUSTEC-1600A-MT 用途: 广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行华科智源HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;测试参数:ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用1) 物理规格 设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)mm; 质量:30kg2) 环境要求 海拔高度:海拔不超过 1000m;储存环境:-20℃~50℃; 工作环境:15℃~40℃。相对湿度:20%RH ~ 85%RH ;大气压力:86Kpa~ 106Kpa。 防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;3) 水电气 用电要求:AC220V,±10%; 电网频率:50Hz±1Hz
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  • 金丝球焊推拉力测试机标准:冷/热焊凸块拉力-JEITAEIAJET-7407BGA凸点剪切-JEDECJESD22-B117A冷焊凸块拉力-JEDECJESD22-B115金球剪切-JEDECJESD22-B116引线拉力-DT/NDTMILSTD883芯片剪切-MILSTD883注:JEDEC固态技术协会微电子行业的领导标准机构ASTM美国材料与试验协会MILSTD美国军用标准883微电子器件试验方法和程序金丝球焊推拉力测试机特点:1、可实现多功能推拉力测试 2、任意组合可实现多种功能测试 3、满足单一测试模组 4、创新的机械设计模式 5、强大的数据处理功能 6、简易的操作模式,方便、有效。型号:LB-8600产品介绍LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试,IC半导体封装测试、TO封装测试,IGBT功率模块封装测试,光电子元器件封装测试,汽车领域,航天航空领域,军工产品测试,研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍:1.设备整体结构采用五轴定位控制系统,X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计,全方位保护措施,左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动,让操作更加简单、方便并更加人性化。2.可达200KG的坚固机身设计,Y轴测试力值100KG,Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统,减少手工更换模块的繁琐性,同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法,使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统,当设备空闲状况下,照明灯光自动熄灭,人员操作时,LED照明灯开启设备软件:1.中英文软件界面,三级操作权限,各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N,可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线,测试数据实时保存与导出功能,测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度:传感器精度±0.003%;综合测试精度±0.25%测试传感器量程自动切换。测试精度:多点位线性精度校正,并用标准法码进行重复性测试,保证传感器测试数据准确性。软件参数设置:根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台:真空360度自由旋转测试平台,适应于各种材料测试需求,只需要更换相应的治具或压板,即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号:LB-8600外型尺寸:680*580*710(含左右摇杆)设备重量:95KG电源供应:110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气:4.5-6Bar真空输出:500mm Hg控制电脑:联想PC软件运行:Windows7/Windows10显微镜:标配双目连续变倍显微镜(选配三目显微镜)传感器更换方式:自动切换平台治具:360度旋转,平台可共用各种测试治具XY轴有效行程:100*100mmZ轴有效行程:80mmXY轴分辩率:±1um Z轴分辩率±1um传感器精度:传感器精度±0.003%;综合测试精度±0.25%
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  • 光通信TO封装推拉力测试机,确保光通信器件可靠性!在光通信行业中,TO封装推拉力测试机是确保光通信器件可靠性的关键设备。我们的光通信TO封装推拉力测试机采用高精度的传感器和算法,能够对TO封装进行精确的推力和拉力测试。适用范围:光通信器件制造商、质量检测中心等。芯片推力测试机,为您提供精确、可靠的数据!在半导体行业中,芯片推力测试是一项至关重要的工作。我们的芯片推力测试机采用先进的技术和精准的传感器,能够对芯片和金球的推力进行准确测量,为您提供可靠的数据支持。适用范围:芯片制造商、封装厂、质量检测中心等。金线拉力测试机,确保电子产品可靠性!在电子产品制造过程中,金线拉力测试是确保电子产品可靠性的关键环节之一。我们的金线拉力测试机采用高精度的传感器和算法,能够对金线在各种条件下的拉力进行准确测量,为您提供可靠的数据支持。适用范围:电子产品制造商、质量检测中心等。4. 金球推力测试:金球推力测试主要用于检测BGA(Ball Grid Array)封装的焊接点。由于BGA封装的焊接点往往非常小且密集,所以金球推力测试能够精确地测量每个焊接点的质量。如果焊接点的质量不达标,这个测试将会失败,需要重新进行焊接。金球推力测试金球推力测试机,为您的设计提供精确数据!在光通信行业中,金球推力测试是一项至关重要的工作。我们的金球推力测试机采用先进的技术和精准的传感器,能够对金球的推力进行准确测量,为您提供可靠的数据支持。适用范围:光通信器件制造商、质量检测中心等。
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  • 价格电议氦质谱检漏仪红外探测器杜瓦封装器件检漏 随着空间遥感技术的不断发展, 对空间探测器的性能和光谱提出越来越高的要求. 红外探测器是红外探测系统的核心元件, 在航天和天文领域有广泛的应用, 随着波长向长波扩展和探测灵敏度的提高, 红外探测器必须在超低温下工作. 因此需要将红外探测器封装在杜瓦瓶中, 组装成杜瓦封装器件, 目前红外探测器在空间应用中多采用机械制冷方式, 将外部制冷机与杜瓦封装器件连接. 从而实现低温工作. 真空度的保持是杜瓦封装器件的重要指标. 真空度差或者真空度保持时间短将直接影响红外探测器组件的性能. 因此需要进行泄漏检测, 上海伯东德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪提供无损的检漏方法, 成功应用于红外探测器杜瓦封装器件检漏!上海伯东杜瓦瓶检漏客户案例: 某天文所研发红外探测器, 红外探测器应用于火星探测项目, 红外探测器安装封装于杜瓦瓶中, 形成杜瓦封装器件, 真空模式下漏率值要达到 1.10-8Pa.m3/s. 上海伯东根据客户杜瓦瓶腔体大小和腔体材质, 结合要求的真空值和漏率值, 提出使用便携式检漏仪 ASM 310 + 分子泵组 Hicube 700 解决方案.杜瓦瓶检漏方法: 采用真空模式检漏, 分子泵组 Hicube 700 作为辅助泵先对杜瓦组件进行抽真空, 当真空度达到待检值时, 在杜瓦瓶周围怀疑有漏的位置吹扫一定量的氦气, 启动便携式检漏仪 ASM 310 开始检漏, 漏率值设定为1.10-8Pa.m3/s, 若有检测到实际漏率小于设定值, 则会报警提醒, 从而可以定位定量判断杜瓦封装器件泄漏位置, 判断是否符合使用要求.便携式检漏仪 ASM 310清洁无油, 极轻的重量 21kg 和全球通用电压使它成为理想的检漏工具便携式氦质谱检漏仪 ASM 310 是目前市场上同类型检漏仪最轻便紧凑的产品 对氦气的最小检测漏率 真空模式 5E-13 Pa m3/s吸枪模式 1E-8 Pa m3/s对氦气的抽气速度 1.1 l/s 涡轮分子泵组 Hicube 700 Classic极限真空 1X10-7 mbar前级泵配置隔膜泵 MVP-070, 抽速 3.8 m3/h结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家检漏仪的技术优势, 上海伯东德国 Pfeiffer 推出全系列新型号氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解杜瓦瓶检漏, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: T: F: F: M: M: 上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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  • KEW3500测试主机与HCD大电流台选件链接成测试系统,可测试IGBT参数包括了ICES、BVCES、IGESF、IGESR、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、GFS、RCE等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度。阳极可扩展至500A、1000A、1250A、1500A、2500A。 针对目前封装的多单元IGBT特征,根据用户需要提供4/8/20单元扫描测试适配器,从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试。
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  • 在电子制造领域,PCBA(Printed Circuit Board Assembly)组装是一个关键环节,其中包括了焊接质量、连接可靠性等测试。以下是对PCBA电子组装推力测试、弯曲及压断测试、LED封装测试、金球推力测试以及Y轴距离测量等专业内容的介绍。1. PCBA电子组装推力测试:推力测试是检查PCBA上元器件焊接质量的一种重要方式。测试过程中,通过对PCBA施加一定的推力,检测元器件是否在焊接过程中牢固地连接在电路板上。如果焊接质量良好,元器件应能承受住该推力而不会脱落。这种测试的目的是确保PCBA在承受正常使用时可能遇到的机械应力情况下,仍能保持稳定。2. PCBA电子组装弯曲及压断测试:弯曲测试和压断测试是用来评估PCBA的机械强度和耐用性的。在弯曲测试中,电路板会受到弯曲应力的作用,以检测其是否有开裂或分离的现象。压断测试则是通过施加压力,以检测PCBA在受力情况下的表现,确保其结构强度满足设计要求。3. LED封装测试:LED封装测试是用来确保LED灯珠在PCBA上的封装效果良好,以及其性能参数如亮度、色温等符合设计要求。此外,该测试还会检查LED在PCBA上的焊接质量和电气性能,以确保其在整个系统中能正常工作。4. 金球推力测试:金球推力测试主要用于检测BGA(Ball Grid Array)封装的焊接点。由于BGA封装的焊接点往往非常小且密集,所以金球推力测试能够精确地测量每个焊接点的质量。如果焊接点的质量不达标,这个测试将会失败,需要重新进行焊接。5. Y轴距离测量:Y轴距离测量主要用于测量PCB上不同层之间的距离,以确保其满足设计要求。这种测量对于多层PCB的设计和制造非常重要,因为各层之间的距离会影响到信号的传输质量和电源的稳定性。如果测量的结果不符合设计要求,那么这个PCB就需要被返工或者报废。以上就是PCBA电子组装推力测试、弯曲及压断测试、LED封装测试、金球推力测试以及Y轴距离测量的专业内容介绍。这些测试的目的是确保PCBA的制造质量和可靠性,从而保证整个电子产品的稳定性和使用寿命。
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  • 产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件ST-DP_S(2500A) 半导体器件IGBT 短路电流测试仪IGBTs,MOSFETs, Diode短路电流测试仪,短路电流2500A短路电流 Isc 1A~500A(VDS 电压>600V 条件下)短路耐量 Esc 1uJ~5000mJ(VDS 电压>600V 条件下)短路时间 Tsc 1us~150us(VDS 电压>600V 条件下)?产品简述 ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换,可测试各类封装外观的 IGBTs,MOSFETs,DIODEs等功率器件,包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计,根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT(双脉冲测试 Double Pulse Testing,以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性)栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。 产品功能及输出功率进行了模块化设计,满足用户潜在的后期需求,*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA,变温测试支持常温到200℃,支持生产线批量化全自动测试。?产品特点? 测试系统电压以1500V为一个模块,电流以2000A为一个模块,可扩展至10KA/10KV? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)? 另有程控式电感箱可供选择? 针对不同结构的封装外观,通过更换 DUT适配器即可? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能? 测试软件具有实验模式和生产模式,测试数据可存储为Excel文件? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用(24hr 工作)? 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)? 系统具有安全工作保护功能,以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害,设计符合CE认证? 支持半自动和全自动测试? 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点? 自动化:单机测试时只需手动放置DUT,也可连接机械选件实现自动化测试线? 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传指定局域网? 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。?参数指标
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  • hiVIP HCE/TDDB 封装级可靠性测试系统,涵盖电压要求高达 ±200 V的高功率器件可靠性要求。高压电流,功率老化可靠性测试精密电阻测量
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  • 产品描述功率器件动态参数测试系统专业测试SiC及Si基IGBT、MOSFET动态时间参数特性,测试范围可达3500V 4000A l 3500V 4000A超宽测试范围l 适用于全种类的功率器件l 模块化设计,适应不同需求l 可满足定制化需求l 卓越的测试性能l 中文系统,用户友好性l 高可靠性动态测试项目l 开通测试:Tdon、Tr、Ton、Eonl 关断测试:Tdoff、Tf、Toff、 Eoffl 栅极特性:Qgl 反向恢复测试:Trr、Qrr、Irm、Erecl SC:Idmax、Vdsmax适用产品l 兼容各种封装方式的:Si基,SiC基的各种功率器件单管及模块项目内容平台设计值备注工作环境设备输入电压220V±10%设备输入频率50HZ±5%设备输入电流45A/驱动电压VgeVgon=0~+30V可调Vgoff=0~-30V可调(5V≤Vgon-Vgoff≤30V)通过计算机设定;精度±3%脉冲宽度单、双脉冲时间可调4us(总时间)通过计算机设定母线电压波动范围±3%/功率回路寄生电感寄生电感15nH/开关特性 开通特性Td(on): 5-400nsTr: 5-400nsTon: 5-1000nsEon:1-500mJ1. Rgon/Rgoff=客户焊接电阻2. 开通测试发双脉冲,脉冲时间在计算机输入,4us(总时间)3. 关断测试发单脉冲,脉冲时间在计算机输入,4us(总时间)4. 分辨率:0.1ns5. 测试精度±5%关断特性Td(off):5-400nsTf: 5-400nsToff: 5-1000nsEoff: 1-500mJ二极管反向恢复特性反向恢复Trr: 5-400nsQrr:1nC~100uCIrm:0~400AErec:1~500mJ1. 发双脉冲,脉冲时间在计算机输入,4us(总时间)2. 分辨率:0.1ns3. 测试精度±5%SC关断电流Idmax关断峰值电压VdsmaxIdmax:0~6000AVdsmax:0V~1500V1. 发单脉冲,脉冲时间4us,脉冲时间在计算机输入2. 分辨率:0.1ns3. 测试精度±5%栅极特性栅电荷Qg: 1nC~100uC1. 漏极电压50V~1500V2. 分辨率:0.1ns3. 测试精度±5% 软件配置l 采用labview上位机软件作为人机交互界面l 画面显示内容包括:测试时间、被测器件条码、测试条件、测试结果、测试波形、测试数据记录等 硬件方案i. 示波器采用力科HDO3104。ii. 电压探头采用HVD3220。iii. 电流探头采用SDN414同轴电阻。 测试数据示例 服务与支持免费测样/软件更新/定期校准/完善培训
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  • 华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;测试参数:ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用1) 物理规格 设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)mm; 质量:30kg2) 环境要求 海拔高度:海拔不超过 1000m;储存环境:-20℃~50℃; 工作环境:15℃~40℃。相对湿度:20%RH ~ 85%RH ;大气压力:86Kpa~ 106Kpa。 防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;3) 水电气 用电要求:AC220V,±10%; 电网频率:50Hz±1Hz
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  • 微焦点CT-半导体元器件X射线显微成像系统-布鲁克代理商 CT基本原理微焦点CT/三维X射线显微镜(3D XRM)是一种基于X射线的成像技术,使用微型计算机断层扫描技术(Micro Computed Tomography)。包括扫描和重构两个主要部分,Micro/Nano 表明其分辨率可达到微米/亚微米级别。 半导体产业是国家重点支持和鼓励的发展方向,半导体器件封装和内部缺陷检测越来越重要,而微焦点CT/三维X射线显微镜(3D XRM),可以在无损不破坏样品的情况下,清晰地观测到电子元器件的分布情况及封装器件的内部结构,同时,可检测虚焊、连锡、断线等缺陷信息,可以三维重构整个半导体器件内部结构,对于研发和后期加工工艺的改进、提升起到重要的指导作用。 SkyScan 1272 High Resolution Micro CT针对半导体领域小样品器件,如电阻电容、摄像头的镜头等有着超高分辨率优势。 小型电子产品 Inductor – 3 μm voxel size Chip – 2 μm voxel size 了解更多应用方向,请致电束蕴仪器(上海)有限公司~
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  • LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试,IC半导体封装测试、TO封装测试,IGBT功率模块封装测试,光电子元器件封装测试,汽车领域,航天航空领域,军工产品测试,研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍:1.设备整体结构采用五轴定位控制系统,X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计,全方位保护措施,左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动,让操作更加简单、方便并更加人性化。2.最高可达200KG的坚固机身设计,Y轴最大测试力值100KG,Z轴最大测试力值20KG3.智能工位自动更换系统,减少手工更换模块的繁琐性,同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法,使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统,当设备空闲状况下,照明灯光自动熄灭,人员操作时,LED照明灯开启设备软件:1.中英文软件界面,三级操作权限,各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N,可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线,测试数据实时保存与导出功能,测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据最大值、最小值、平均值及CPK计算。传感器精度:传感器精度±0.003%;综合测试精度±0.25%测试传感器量程自动切换。测试精度:多点位线性精度校正,并用标准法码进行重复性测试,保证传感器测试数据准确性。软件参数设置:根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台:真空360度自由旋转测试平台,适应于各种材料测试需求,只需要更换相应的治具或压板,即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号:LB-8600外型尺寸:680*580*710(含左右摇杆)设备重量:95KG电源供应:110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气:4.5-6Bar真空输出:500mm Hg控制电脑:联想PC软件运行:Windows7/Windows10显微镜:标配双目连续变倍显微镜(选配三目显微镜)传感器更换方式:自动切换平台治具:360度旋转,平台可共用各种测试治具XY轴有效行程:100*100mmZ轴有效行程:80mmXY轴分辩率:±1um Z轴分辩率±1um传感器精度:传感器精度±0.003%;综合测试精度±0.25%
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  • 滨松光源器件欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息!氙灯/汞氙灯 氙灯能发射出具有高亮度和高色温的连续谱,覆盖了紫外到可见再到红外的波段。因此氙灯能理想地应用在众多类型的光度学设备中,包括光谱仪等。本公司所有的氙灯都采用了高性能阴极,避免了常规氙灯的诸多问题。它们被广泛使用在高精度测量灯管不可或缺的应…闪烁氙灯 相比于连续发光灯管,闪烁氙灯具有更紧凑的结构和更少散热的构造。它们也能提供从紫外到可见再到红外的高强度连续谱。由于比常规灯管高出5倍的弧长稳定度和高出10倍的寿命等出色性能,以及改进型的电极结构和材料,滨松公司的闪烁氙灯尤其适用于精密光度…氘灯 这些是全新的下一代氘灯,为分光光度法提供了所需的高稳定度,高输出和长寿命。空心阴极灯 空心阴极灯是专门为原子吸收光谱法而开发的金属蒸汽放电灯。可供选择的空心阴极灯有66种类型的含有Ag、Al和As等的单元素灯和7种类型的含有Na-K和Ca-Mg等的多元素灯。LED 发光二极管(LED)是将电能转化为光能的光电半导体。相比于激光二极管(LD), LEDs具有低成本和长寿命等优点。滨松公司提供了理想地应用于光开关、编码器、测量和光通信等的高输出功率LED。连续激光二极管 用连续波(CW)驱动的连续激光二极管(CWLD)输出功率从mW量级到几个W。封装形式有多种,例如,C接口(C-mount),紧凑密封型和高热负载型等。脉冲激光二极管 这些激光二极管在脉冲作用下有高峰值功率。峰值输出功率范围为10W到90W。发光区域面积从70 um到350 um。可用于激光雷达中的距离测量,安全性应用中的灾害监控等领域。高亮度二极管(SLD) 这种高亮度激光二极管(SLD)既具备LD的高亮度 又具备了LED的低相干度;弥补了LD的相干噪声的缺陷。它们广泛应用于光学测量和医学成像。量子级联激光器 量子级联激光器(QCL)是一种峰值发射波长在中红外波段 (4 um 到10 um) 的半导体激光器。由于它为分子气体分析等中红外应用提供了新型光源而日益被关注。高功率激光二极管线阵模块 排列成线阵的发光区域使激光二极管阵列模块能输出高可靠性、高功率和高性能的激光;这个过程需有制冷器件的参与。当叠加使用时其输出功率可以高达几千瓦。现有三种基本的制冷方式:紧凑而简易的Peltier型开放散热器(OHS)、更高效的水冷型和滨松独创的F…DDL DDL是一种发出从高功率LD直接照射到目标物上的聚焦激光束的光源。它适用于多种用途,包括焊接、淬火、钎焊和退火等。相比于传统的固体激光器或CO2激光器,这种激光器的优点有小尺寸和低功耗等。高功率光纤耦合激光二极管 光纤耦合输出型激光二极管(Fiber out laser diode,FOLD)不仅具备直接输出型激光二极管(direct diode laser ,DDL)的特性,它的外观紧凑而轻巧;使之非常适用于三维
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  • Edmund 封装版近红外消色差透镜对 #47-29330mm直径套件,专为近红外应用而设计针对多种放大倍率进行了优化适合OEM应用针对 750-1550nm 的 NIR II 镀膜通用规格有效孔径 CA(mm):22.0基底:N-LAK22 / N-SF6 / N-LAK22 / N-SF6表面质量:40-20涂层:NIR II (750-1550nm)涂层规格:Rabs ≤1.5% @ 750 - 800nmRabs ≤1.0% @ 800 - 1550nm Ravg ≤0.7% @ 750 - 1550nm防护罩直径 (mm):30.0 +0.0/-0.10防护罩长度 (mm):34.00 ±0.2构造 :Achromat Pair in Anodized Aluminum Housing波长范围 (nm):750 - 1550我们的15.0mm和30.0mm安装消色差对将我们流行的TECHSPEC® 消色差器组合成用于中继和投影应用的常见配置。每一对都封装在纤细的铝制外壳中,可以集成到一系列OEM应用中,无需处理松散的光学器件。每个镜头都经过了优化,以获得最佳系统性能。所有镜片均涂有AR涂层。根据性能要求,较低的f/#对可能不适合成像应用。柱面透镜可以装在空筒中,以产生光线。
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  • 价格货期电议inTEST 热流仪搭配 Keysight 进行功率器件自动化高低温测试上海伯东美国 inTEST 热测产品搭配 Keysight 机台, 提供 IGBT, RF Device, MOSFET, Hi Power LED 等功率器件 -50℃ - 250℃ 自动化热测试解决方案. Keysight 机台完美兼容 inTEST 软件, 操作简单.功率器件高低温测试案例一:上海伯东美国 inTEST Thermal Plate HP289-PM 搭配 Keysight B1505A 或 B1506A, 完成室温至 250℃ 温度测试. 通用软件, 操作简单, 只需将待测器件放置在 Thermal Plate 上即可. 通过使用 inTEST 可能的减少长线缆导致的测试问题, 兼容接头将 Keysight 分析仪与 inTEST 热板连接在一起.上海伯东美国 inTEST HP289-PM 是一个温控平台, 可以与 Keysight B1505A 和 B1506A 功率器件分析仪联用. 该平台允许自动控制板温度, 从外壳环境温度到 250°C, 用于表征功率器件, 例如 IGBT 和 MOSFET.主要特点1. 自动温度循环2. 实时数据记录3. 动态 DUT 温度控制4. 本地和远程操作功率器件高低温测试案例二:inTEST ThermalStream 高低温冲击测试机搭配 B150XA 系统, 提供 -50℃~250℃ 的温度测试环境.测试时, 只需将待测功率器件放置在高低温测试机测试罩内即可. 如果未连接测试腔, 则测试器件可能会因热空气或冷凝水而损坏. 连接到测试设备和 Thermostream 的热防护罩解决了这个问题, 可进行准确. 可靠和可重复的温度特性测试.上海伯东美国 inTEST ThermalStream 热流仪搭配 Keysight B150XA 系统评估 -50°C 至+ 250°C 温度范围内的功率器件特性, 是半导体器件制造商中比较通用的测试手段, ThermoStream 具有快速的热循环和精确的温度控制,是高功率器件可靠性测试和表征的理想选择.主要特点1. 自动温度循环2. 实时数据记录3. 动态 (DUT) 温度控制4. 本地和远程操作5. 无霜测试环境6. 节能模式功率器件高低温测试案例三:某企业通过上海伯东推荐, 购入美国 ThermoStream ATS-710 高低温冲击测试机, 为 MOSFET \ MOS 管, 场效应管, TO 封装等器件提供 -50 至 +150 °C 快速的外部温度环境, 满足测试器件性能的要求.inTEST Thermal Plate 热台 (环境温度至 +250°C) 和 ThermoStream (-50 至 +250°C) 可满足高温和极低温测试的需求. 两种温度测试都具有温度自动循环, 数据记录和远程通信功能.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士,分机107现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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  • 对于陆续登场的高新电子元器件,表面的检测已经无法满足现在客户的检测要求。由于内部电子电路的连接短路断路不可直接观测,所以高性能的X射线实时检测显得如此重要并且有效。针对BGA检测,多层PCB焊锡检测而专门开发出来的XTV130 X射线检测专用系统,让PCB电路板的缺陷检测分析变得更加迅速灵活。其中配置的Inspect-X软件,让自动检测以及电路板自动识别(选配)成为可能,以得到高效的检测处理能力。 主要特点 • 焦点尺寸为3微米的特制微焦点枪源 • 16位色深高解析度图像与图像处理工具 • 可以同时放置多块样品电路板的大型托盘 • *大可达60°的倾斜角度观测 • 旋转样品托盘(360°连续旋转)(选配) *大可到320倍对感兴趣观测区域放大 *大可倾斜60°的灵活观测可以发现立体连接处的问题 引进功能 • 电子元器件品质保证检测用X射线工作站 • 不需要特别的编程技术的基于宏的自动化功能 • 针对零件特性的合格与否自动判定,离线的可视化检测以及报告生成 • 基于VBA可以让复杂的工序变得简单自动化 • 多轴的方向操作杆让在线的导航更加直观 • X射线开管式技术让维护成本更加低廉 • 不需要额外保护措施的射线计量安全系统 • 占用空间小,重量轻,安装设置简单 用途 BGA缺陷检测 • 电子零件、电路零件 • 金线引脚连接故障点、球形虚焊点、金线弧度、芯片粘合、干接合、桥接/短路、内部气泡、BGA等等 • 装配前/装配后PCB • 零件的位置偏差,焊缝空隙、桥接、表面装配等缺陷显示 • 通孔镀层,多层排列详细检查 • 晶圆片级芯片规模封装(WLCSP) • BGA以及CSP检测 • 非铅焊锡检查 • 微机电系统MEMS,微光机电系统MOEMS • 电缆,连接器,塑料件等等
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  • 总览器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。8mm大光敏面硅(Si)硅光电探测器,8mm大光敏面硅(Si)硅光电探测器技术参数特点:平面正照结构快速响应低暗电流高响应度高可靠性 应用领域:光纤通信、传感、测距可见光至近红外领域的光探测快速光脉冲检测各种工业控制系统。 产品参数:*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定 具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表. 产品参数:参数符号测试条件典 型 值单位光敏面尺寸Φ0.2Φ0.5Φ1Φ2Φ4Φ5Φ80.5X0.51X11.3X1.32X23X3mm 光参数光谱响应范围 λ 400~1100 nm 响应度 ReVR=15Vλ=900nm 0.40 0.45 0.5 0.5 0.5 0.5 0.55 0.45 0.45 0.5 0.5 0.5 A/W 响应时间 trVR=15V,RL=50Ω 2 5 6 8 15 15 25 3.5 5 8 10 15 nS电参数暗电流IDVR=15V1235124060334610nA反向击穿电压 VBR IR=10μA 100 50 80 V 电容 Cjf=1MHzVR=15V 0.8 1.2 2.0 6 20 30 70 6.0 3 3 10 25 pF工作电压VR0~15V 管座型号同轴 II 型、5501、TO46、插拔式、带尾纤 T0-5 TO-8同轴 II 型、5501、TO46、插拔式、T05 T0-5饱和光功率 0.3w/cm2*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定 具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表. 封装尺寸::封装图片尺寸信息订购代码 C-II TO46 5501 TO5A TO5B TO8 FC-SA ADP 注意事项该器件在反向偏置电压下工作,注意器件极性不能接反。光纤弯曲度不能小于 45 度。器件在贮运、使用中注意静电防护措施。
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  • LEDLED是一种能将电能转化成光能的光半导体器件。和半导体激光相比,LED具有低功耗和长寿命的优点。滨松光子能够提供高能量输出的LED,广泛的应用于光开关、编码、光通信,及其他工业领域。 应用领域光通信自动控制系统光开关远程控制光编码湿度测量异物检查自由空间光学(FSO)测距仪产品列表产品名称封装峰值波长(nm)辐射功率(mW)截止频率(Hz)备注 L10596金属TO-46870315M L10596-02金属TO-46带透镜870315M L10596-03树脂TO-468706.515M L1915树脂TO-46890101M L1915-01金属TO-46带透镜8904.51M L1915-02金属TO-468904.51M L2388树脂TO-4694560.3M L2388-01金属TO-46带透镜9453.40.3M L2656树脂TO-46带反射镜890151M L2656-03金属TO-46带透镜89091M L2690树脂890141M L2690-02金属TO-46带透镜89091M L3989树脂TO-46带反射镜830830M L3989-01金属TO-46带透镜8303.630M L3989-02金属TO-468305.830M L6112树脂TO-46带反射镜6705.55M L6112-01金属TO-46带透镜6702.55M L6112-02金属TO-466702.55M L1939树脂890101M L1939-04金属TO-468902.81M L1909树脂TO-4689010mW1M L3882树脂带反射镜6601.84M L4100树脂带反射镜890141M L9337树脂带反射镜8702340M L9338树脂带反射镜945150.3M L11767树脂660136M L6108树脂6705.55M L2204塑料94560.3M L2204-01塑料94560.3M L2204-03塑料94560.3M L2402塑料89091M L2402-01塑料89091M L2402-02塑料89091M L3458塑料890131M L3458-01塑料890131M L3458-02塑料890131M L8957金属带透镜8702.1(光输出)40M编码器用L9437金属带透镜8701.6(光输出)40M编码器用L10660金属TO-4614502.415M水分(湿度)检测L10660-01金属TO-46带透镜14502.815M水分(湿度)检测L7558树脂带反射镜8501450M光通信用L7558-01金属带透镜850750M光通信用L10762金属660 70M光通信用L10881塑料带透镜650 70M光通信用L7560金属带透镜850 100M光通信用L8013金属870 50M光通信用L8045塑料带透镜650 50Mbps光通信使用L5276塑料(带透镜)8802.2 超小型L5586塑料(带透镜)9400.5 超小型L6286塑料(带透镜)9400.8 超小型L5766塑料(带透镜)660 红外微小型L6287塑料(带透镜)9401.4 微小型L6895-10塑料(带透镜)9401.2 高功率近红外
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  • 保偏光纤跳线产品简介:尖丰光电保偏跳线采用一体化物料加工,工艺先进,所制作的产品消光比稳定,插损小 。特点应用低插入损耗光纤放大器EDFA高消光比和高隔离度光纤光学仪器功率监测高稳定性和可靠性光纤传感器规格参数参数数值连接头类型FC/UPC, SC/UPC,LC/UPC ,FC/APC, SC/APC, LC/APC中心波长(nm)1310,1480, 1550980, 1064,插入损耗 (dB)≤0.3≤0.5回损(dB)UPC Type≥50APC type≥60消光比 (dB)≥23≥23光纤类型PM1310,PM1550PM980连接头轴向慢轴对轴精度(deg)±3工作温度 (℃)-5~+70储存温度 (℃)-40 ~ +80封装尺寸: 订单信息:保偏光纤跳线连接头类型1连接头类型2波长 尾纤类型光纤类型光纤长度 NE=NoneFA=FC/APCFC=FC/UPCSA=SC/APCSC=SC/UPCLC=LC/UPCLA=LC/APCX=OtherNE=NoneFA=FC/APCFC=FC/UPCSA=SC/APCSC=SC/UPCLC=LC/UPCLA=LC/APCX=Other980106413101550250=250um bare fiber900=900um loose tube2000=2mm loose tube3000=3mm loose tubePM850PM980PM1310PM15501=1m2=2mX=Other 上海尖丰光电技术有限公司可以提供各种光无源器件:各种光纤准直器:单模光纤准直器,多模光纤准直器(波长:850nm/980nm/1064nm/1310nm/1550nm)光隔离器:偏振无关光隔离器,(类型:单级和双级,波长:1064nm/1310nm/1550nm)偏振控制:三环偏振控制器,挤压光纤式偏振控制器光起偏器/消偏器:光纤在线起偏器 光纤检偏器(波长:980nm/1064nm/1310nm/1550nm)光环形器:三端口/四端口光环形器(波长:1064nm/1310nm/1550nm/1625nm,C波段,C+L波段)光衰减器:机械可调光衰减器,电可调光衰减器(波长:850nm/980nm/1064nm/1310nm/1550nm)波分复用器:CWDM,DWDM(100G/200G),FWDM,PMWDM(类型:1X1,1X2波长:850/1310,980/1550,980/1064,1310/1550)光耦合器:单模/多模光纤耦合器 (类型:1X2,1X3,2X2,3X3波 长:980nm/1064nm/1310nm/1550nm分光比1:99—50:50(任意分光比)光合束器:偏振合束器/分束器,隔离型偏振合束器/分束器(波长:980nm/1064nm/1310nm/1550nm)保偏光器件:--保偏跳线、保偏尾纤--保偏隔离型WDM、保偏隔离器--隔离型偏振分束器 、隔离型偏振合束器--保偏偏振分束器 、偏振合束器--保偏隔离器、保偏环形器、保偏准直器--保偏波分复用器、保偏FWDM、保偏DWDM(100Ghz、200Ghz)--保偏可调衰减器--保偏法拉第镜 1060nm/1064nm 器件--1064nm 保偏跳线--1064nm 起偏器、消偏器--1064nm 偏振分束器、偏振合束器--1064nm 保偏隔离器、保偏环形器、保偏准直器--1064nm 高功率准直输出隔离器(5w,10w,20w) 高功率光器件--高功率保偏准直器--高功率保偏准直输出隔离器--高功率 偏振无关隔离器--高功率保偏隔离器--高功率自由空间尾纤输出隔离器
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  • 产品概要:低成本高性能晶圆ESD测试仪,从LED到系统LSI的大口径Wafer,可适用于HBM和MM的放电 ESD印加后,可根据漏电流测试判断pass/fail 并且可以与ESD测试有关联性的TLP测试设备进行组合测试 对ESD测试中发生问题的器件,能有效取得保护电路中的工作参数,是满足日本、国际标准的高可靠性设备。(满足JEITA/ESDA/JEDEC规格)基本信息:技术优势:1.HBM波形在晶圆级实时捕获2.符合J EDEC、ESDA和JEITA标准3.提高效率,使用一个测试仪执行两个测试4.Zap装置可以安装在探测站上5.封装级性能可以从晶圆级测试结果推断出来6.可选HMM zap测试(IEC 61000-4-2)应用方向:
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  • Cutting Edge Optronics(简称CEO)是Northrop Grumman公司的一个子部门,是世界上未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器的主要供应商。基于CEO二极管激光器的产品已经成为工业标准,并应用在多种商业、工业和军事应用中。CEO公司的主要产品包括:未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器。 未安装二极管靶条、已封装激光二极管CEO高功率激光二极管产品线可选多种(传导冷却型和水冷型)热沉设计,每个激光耙条的CW输出功率超过100W,QCW输过300W。CEO具有10年以上经验,封装类型超过200种,其生产的激光二极管广泛用于工业、军事和航空应用中。CEO波长范围从790nm到1550nm,其中包括808nm、885nm和940nm,且能为特殊的泵浦应用提供定制设计,可以根据客户应用要求提供标准产品或者设计完整的封装。产品特点• 可选两种工作模式:CW和QCW• 总输出功率可达20kW• 可选配准直:快轴或慢轴• 多种封装方式其它特点? 多种组装• 激光二极管耙条• 激光二极管子模块• 已封装激光二极管? 标准波长范围• 780nm – 815nm• 875nm – 890nm• 935nm – 945nm• 965nm – 975nm? 冷却方法• 传导冷却• 水冷• 微通道冷却 芯片和耙条CEO具备提供大批量激光二极管耙条的实力,不管是客户需求每年1000耙条还是数万耙条,CEO都有相应的产能来满足要求。这些耙条的特点是CEO的专利外延结构设计,有多种波长可供选择,标准波长(nm)包括:790-820、872-890、930-950、970-990(其它波长可定制)? CW输出功率可达:100W/bar ? QCW输出功率可达:300W/bar激光二极管芯片(子模块)可选Silver或者Golden Bullet封装技术,两者都使用长寿命激光二极管耙条且可选CW或QCW工作模式。有多种波长可供选择,标准波长(nm)包括:790-820、872-890、930-950、970-990(其它波长可定制)。? CW输出功率可达:100W/bar? QCW输出功率可达:300W/bar 散热类型:传导冷却型 HDS阵列功率密度达到了25 W/cm2。这种高密度堆栈(HDS)阵列是在尽可能小的面积上要求极大二极管密度的轻小型应用的理想选择。这些阵列可选多种波长,也可以封装在几乎所有的CEO激光二极管阵列平台上,包括G、Cs和Derringer封装。? QCW工作? 耙条数:5-20? 总输出功率:0.5 - 6kWG型封装分为G1、G2和G3封装。G1可使用多达8个QCW耙条,该配置可以提供高达2.4kW峰值输出功率;G2可使用最多22个QCW耙条,该配置可以提供高达6.6kW峰值输出功率;G3可使用多达26个QCW耙条,该配置可以提供高达7.8kW峰值输出功率。另外,G型封装也可选CW配置,连续光输出功率可达40W。? CW和QCW工作? 耙条数:1-26? QCW功率:0.1kW到7kW以上密闭封装能够防尘和湿气,可以防止性能退化,设计用于多种环境条件下。QCW输出功率可达2.4kW,而CW功率可达40W,这种密闭封装是激光照明和激光测距应用的理想选择。该封装带有10kΩ热敏电阻,用户可以监测器件的温度变化,可根据要求提供其它监测电路。? CW和QCW工作? 耙条数:1-8? CW功率可达40W,QCW可达2.4kWCs封装是激光器工业的一种标准,经常在大型激光系统中用作搭建模块,或者在实验室环境中用作独立单元。如果选择QCW配置可使用多达8个耙条,总峰值功率可高达2.4kW。也可选择单耙条40W CW版本。? CW和QCW工作? 耙条数:1-8? CW功率可达40W,QCW可达2.4kWA型封装分为A、AA、AAA和AAAA四种,是一种紧凑的传导冷却型激光二极管阵列,可选脉冲配置或连续波配置,脉冲功率Max.可达9.6kW,连续波功率可达160W。? CW和QCW工作? 耙条数:1-32? CW功率可达160W,QCW可达9.6kW 散热类型:水冷型E2封装是一种紧凑的水冷激光二极管阵列,可选CW或QCW配置。对于CW工作输出功率可达40W,对于QCW配置E2封装可用多达15个激光二极管耙条,总峰值功率可达4.5kW。? CW或QCW工作? 耙条数:1-15? CW功率可达40W,QCW功率可达4.5kDerringer封装的特点是使用了专利水冷设计,该阵列非常适合固态激光晶体的侧向泵浦。Derringer按照发光的输出长度分为三种,分别是125px、100px和75px,它们都可以选择QCW和CW配置。Shooter 5的CW和QCW功率分别可达200W和12kW;Shooter 4功率分别可达160W和9.6kW;Shooter 3功率分别可达120W和7.2kW。? CW或QCW工作? 耙条数可达40? CW功率可达200W,QCW功率可达12kWShooter封装是一种坚固的二极管阵列,非常适合工业应用。这种阵列的特点是高电流电气连接和电螺柱,它们能够确保阵列在高平均电流下工作。Shooter封装分为6 shooter、8 shooter、10 shooter和12 shooter四种,它们都能配置以CW或QCW模式工作。? CW或QCW工作? 耙条数可达96? CW功率可达480W,QCW功率可达29kW 散热类型:微通道冷却型微通道冷却型(MCS)封装安装耙条数分为三种,分别是1耙条、3耙条和6耙条版本,它们都可以选择CW或QCW配置,使用先进的冷却技术确保较佳的散热效果,因此可以比其它阵列类型有更高的输出功率。 ? CW或QCW工作? 耙条数:1-6? CW功率范围60-600W
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  • 铌酸锂电光调制器Thorlabs自由空间电光(EO)振幅和相位铌酸锂调制器是我们在晶体生长和电光材料方面经验的结晶。我们的电光调制器使用掺氧化镁的铌酸锂,用于高功率工作。调制器有一个SMA RF输入端,直接兼容我们的HVA200高压放大器(请见下方)。我们提供宽带DC耦合和高Q共振型号。特性高性能,紧凑封装宽带DC耦合或高Q共振2 mm直径通光孔径掺氧化镁的铌酸锂晶体SMA RF调制输入接头DC到100 MHz提供定制OEM版本电光振幅调制器电光振幅调制器(EO-AM)是一种普克尔盒型调制器,由封装在紧凑外壳中的两个匹配铌酸锂晶体(请看右图)组成,外壳带射频输入接头。对晶体施加电场将改变折射率(寻常光和非寻常光),产生电场相关的双折射效应,以此改变光束的偏振态。电光晶体相当于一个可变波片,其延迟量与施加电场成线性关系。在输出端放置一个线偏振片,通过偏振片的光束强度将随施加电压的线性变化而发生正弦变化。请注意,工作在-C4波段(400 - 600 nm)的AM调制器仅用于几赫兹以上的AC调制。掺氧化镁的铌酸锂对这个波长范围的光敏感,对施加的DC电场显示出缓慢的负压。光越强,DC场消除得越快。因此,实际上,DC电压不能用于在指定的工作点给调制器施加偏压。但是,可以使用可调波片在需要的工作点给调制器施加光学偏置。 空间光调制器 EO-AM-NR-C4光电器件
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  • 精液手动封装系统 400-860-5168转4446
    精液手动封装系统硬件配置包括触屏与条形码扫描器,不需要键盘和鼠进行操作,自动载物台按照固定的路线将计数舱移动至分析点下,使得分析时间大幅度减少,对解冻和处理过的精子进行分析。可与鲜精分析连接。对精液在生产过程中进行分析: 对精液样品在各个生产步骤中多次分析,并可与其原精质量进行比较。手动6管封装机:1、可同时封装6个精液管2、用操作杆进行封口3、两个焊接块各带一个4 mm的加热带4、自主调节加热和冷却循环5、产量: 400管/小时6、230V:产品号码: 13225/60007、115V:产品号码: 13225/6001手动3管封装机:1、可同时封装3个精液管2、自主调节加热时间3、产量: 200管/小时4、230V:产品号码: 13225/00035、115V:产品号码: 13225/00136、管架,可放置6个精液管:产品号码: 13204/9006标签打印机:1、标签打印机,带剥离器2、标签尺寸104mm宽x279mm长3、接口rS 232,USB,并行,可联接IDEE4、标签打印机产品号码: 18800/00025、粘合标签30x50 mm,1000个/卷 产品号码: 13210/4829精液瓶:1、操作简便:500瓶/盒100ml2、公猪精液瓶:产品号码: 13450/0100精液手动封装系统操作非常简便,只需点击鼠标三次即可得出检测结果,在20秒(不带AutoMorph)或30秒(带AutoMorph)内分析多达4个视野,语言设置由英语、西班牙语、汉语、葡萄牙语、俄语、德语,可调整的分析参数与用户自定义数据,照度计用于照明控制可进行多物种分析。
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  • BW-4022A晶体管直流参数测试系统一、产品介绍:BW-4022A 晶体管直流参数测试机是新一代针对半导体器件测试系统,经过我公司多次升级与产品迭代,目前测试性能、精度、测试范围及产品稳定度得到大幅提升,成为半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、研发分析、产品选型等重要检测设备之一。BW-4022A 晶体管直流参数测试机大规模 32 位 ARM&MCU 设计, PC 中文操作界面,高压源 2500V:选配 1.4KV-- 2KV,高流源 500A :选配 40A、100A、200A、300A 及以上。程控软件基于 Lab VIEW 平台, 填充调用式菜单操作界面,测试界面简洁灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座,只需要根据不同器件更换测试座配合系统自适应测试设置可完成大多数电子元件的静态参数参数, 系统内部配置因线路、接触性、及 EMC 引起的干扰进行自动补偿,确保测试结果准确度;针对 Si/SiC/GaN 材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR 等高精度静态参数包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数进行精确测试。该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具(其他联机设备)三部分组成。可对常见的 SOD/SOT/DO/TO/LL/DFN 等封装进行直接配置测试,对特殊封装夹具进行定制,通过 Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试,测试数据可在线存贮、导出,二、服务领域与应用场景:产品特点:▶ 客户端PC、工控机均可程控测试机进行测试▶ 菜单调用式测试程序亦可编辑软件操作简便、人机界面友好▶ 针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等高精度静态参数测试▶ 系统基于 Lab VIEW 平台开发▶ 自动识别器件极性、 NPN/PNP▶ 16 位 ADC,1M/S 采样速率;▶ 高压源 2500V:选配1.4KV-- 2KV▶ 高流源500A :选配 40A、100A、200A、300A及以上▶ 驱动电压 10mV~40V ▶ 控制极电流 10uA~100mA▶ 四线开尔文连接确保连接可靠性 ▶ RS232 串口通信▶ Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)▶ 提供丰富的测试适配器 ▶ 切换板采用高速水银继电器,测试效率与可靠性大大提高,▶ 可与分选机、探针台、编带机等联机测试三、BW-4022A 可测试器件类型及测试项目:(1)测试类型▶ 二极管类:Diode/ZD(Zener Diode) /SBD(SchottkyBarrierDiode)/TVS/整流桥堆▶ 三极管类:三极管/单双向可控硅/MOS/JFET/IGBT/三端功率驱动器/七端半桥驱动/高 边功率开关▶ 保护类:压敏电阻/单组电压保护器/双组电压保护器▶ 稳压集成类:三端稳压器/基准 IC(TL431) /四端稳压/稳压集成类▶ 继电器类&光耦类&传感监测类▶ 高压源 2400V:(选配 1.4KV-- 2KV)▶ 高流源 500A :(选配 40A.100A,200A.300A 及以上)▶ 栅极电压 40V/100mA 分辨率至 1.5uV / 1.5pA 精度可至 0.1%▶ 支持“脉冲式自动加热”▶ 支持“分选机”、”编带机“、“探针台”等半导体设备通信联机(2)测试项目:▶ 漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、 IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)▶ 击穿参数:BVCEO BVCES (300μS Pulse above 10mA) BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO▶ 导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、 VGSON、VF(Opto-Diode) VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、 VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)▶ 关断参数:VGSOFF ▶ 触发参数:IGT、VGT ▶ 保持参数:IH、IH+、IH-▶ 锁定参数:IL、IL+、IL- ▶ 增益参数:hFE、CTR、gFS▶ 间接参数:IL ▶ 混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、 Output Regulation四、物理规格及电气环境:主机尺寸:深 660*宽 430*高 210(mm)主机重量:<28kg 电气环境主机功耗:<300W海拔高度:海拔不超过 4000m环境要求:-20℃ ~ 60℃(储存)、5℃ ~ 50℃(工作)相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露 ,湿球温度计温度 45℃以下)大气压力:86Kpa ~106Kpa防护条件:无较大灰尘 ,腐蚀或爆炸性气体 ,导电粉尘等电网要求:AC220V、 ±10%、50Hz±1Hz工作时间:连续五、功能与配置:1、设备配置选项详见产品说明书。2、设备配置选项详见产品说明书。3、测试种类及参数(1) 二极管类:二极管 Diode Kelvin ,Vrrm ,Irrm ,Vf ,△Vf ,△Vrrm ,Cka ,Tr(选配);(2) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode) Kelvin ,Vz ,lr ,Vf ,△Vf ,△Vz ,Roz ,lzm ,Cka;(3) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode) Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;(4) 二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode) Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka 、Tr(选配);(5) 二极管类: 瞬态二极管 TVS Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;(6) 二极管类:整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;(7) 二极管类:三相整流桥堆 Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;(8) 三极管类:三极管 Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、 Ts (选配)、Value_process;(9) 三极管类:双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;(10)三极管类:单向可控硅 Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm;(11)三极管类: MOSFET Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;(12)三极管类:双 MOSFET Kelvin、Pin_chk、Ic fx chk、Type_ident、Vgs1(th)、VGs2(th)、VBR)Dss1、VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、 Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss(13)三极管类:JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss;(14)三极管类: IGBT Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;(15)三极管类:三端开关功率驱动器 Kelvin 、Vbb(AZ) 、 Von(CL) 、 Rson 、Ibb(off) 、Il(lim) 、Coss 、Fun_pin_volt;(16)三极管类:七端半桥驱动器 Kelvin 、lvs(off) 、lvs(on) 、Rson_h 、Rson_l 、lin 、Iinh 、ls_Volt 、Sr_volt;(17)三极管类:高边功率开关 Kelvin 、Vbb(AZ) 、Von(CL) 、Rson 、Ibb(off) 、ll(Iim) 、Coss 、Fun_pin_volt;(18)保护类:压敏电阻 Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、 △Vr(19)保护类:单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm 、Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、△Vr;(20)保护类:双组电压保护器 Kelvin 、Vrrm 、Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、△Vr;(21)稳压集成类 :三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg ix chk 、Vout 、Reg_Line 、Reg_Load 、IB 、IB_I 、Roz 、 △IB 、VD、 ISC 、Max_lo 、Ro 、Ext _Sw 、Ic_fx_chk;(22)稳压集成类 :基准 IC(TL431) Kelvin 、Vref 、△Vref 、lref 、Imin 、loff 、Zka 、Vka;(23)稳压集成类 :四端稳压 Kelvin 、Type_ident 、Treg ix chk 、Vout 、Reg_Line 、Reg_Load 、IB 、IB_I 、Roz 、△lB 、VD 、 Isc、 Max_lo 、Ro 、Ext_Sw 、Ic_fx_chk;(24)稳压集成类 :开关稳压集成器选配;(25)继电器类:4 脚单刀单组、 5 脚单刀双组、 8 脚双组双刀、 8 脚双组四刀、 固态继电器 Kelvin 、Pin_chk 、Dip6_type_ident 、Vf 、Ir 、Vl 、Il 、Ift 、Ron 、Ton(选配)、Toff(选配);(26)光耦类:4 脚光耦、 6 脚光耦、8 脚光耦、 16 脚光耦 Kelvin 、Pin_chk 、Vf 、Ir 、Bvceo 、Bveco 、Iceo 、Ctr 、Vce(sat) 、Tr 、Tf;(27)传感监测类: 电流传感器(ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列)(选配); 霍尔器件(MT44XX 系列、A12XX 系列)(选配); 电压监控器(选配); 电压复位 IC(选配);六、精度与指标详见产品说明书。
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  • 产品关键词:电致发光、IVL、电致发光量子效率、量子效率、亮度、前向亮度、角度分辨、器件寿命、外量子效率、发光量子产率测量系统、绝对量子效率、EQE、JV、IV、绝对发光量子产率测量系统、自动对焦、朗伯假设、相对法、光分布法、光谱功率分布( λ)、辐射通量、光通量、相关色温(CCT)、显色指数(CRI)、电功率密度▌ 产品简介电致发光测量系统NovaLum是东谱科技HiOE稳态综合光电特性测量平台中的重要成员,用于对电致发光样品的性能进行精确测量。该系统包括IVL测试、器件寿命测试、空间角度分布测试等功能,可以便捷、快速地得到电致发光器件全面的性能参数,如电致发光效率(电流效率、功率效率、外量子效率等)、光度学、色度学、稳定性、发光角度分布等相关性能参数。该设备很好地解决了行业上:(1)利用分光辐射度计测试时,存在低亮度测试速度慢、高亮度过曝的问题,从而不能用于易老化器件的测试,也不适宜用于宽亮度范围的器件测试;(2)利用积分球系统测试时,无法得到准确的前向亮度参数,且高亮度时也存在过曝问题,不能对强发光样品进行测试等的问题。▌ 产品特点□ 可以得到准确的亮度,因而适宜OLED、钙钛矿LED、量子点LED、显示屏等面光源的测量。□ 配备自动化的角度分辨测试功能,可以快速得到样品发光的空间分布特性。□ 配备了稳定性测试功能,进行老化测试,具有宽的亮度检测范围(1cd/m^2 ~999900 cd/m^2 )。□ 可以进行各种环境的测试,如气体氛围、器件不封装转移测试等,同时可以实现手套箱内快速换样测试。□ 配备自动对焦和观察、自动位移、自动子器件切换等系统,可以极大地提升测试效率。▌ 产品功能□ 多种扫描模式:电压扫描、电流扫描、角度扫描、时间扫描。 □ 分段循环电流、电压扫描:可以研究器件的迟滞效应等。□ 实时测量:可以实时单点测量,灵活判断器件的工作情况。 □ 两线/四线测量:四线测量可更加准确地测量器件的电流电压。 □ 自动切换器件:通过软件选择测量的子器件。□ 自动积分时间:避免因为亮度过低导致测不出信号、或亮度过高导致的过曝的问题。□ 配备可视化实时观察及位移系统:在软件中可以实时观察到器件的表面发光情况,可软件操作对焦。□ 自动保存数据:测量过程中自动保存数据,避免数据丢失等状况。▌ 规格参数亮度测量光谱测量亮度范围0.01~9,999,000 cd/m^2波长范围200-850nm 或者 350-1000nm测试角1/3°积分时间4 ms - 10 s视角9°动态范围1300:1相对光谱敏感度匹配 CIE 光谱发光效率函数 V (λ)校准线性度99.8%最小测量面积 Ø 4.5 mm (0.4mm)光学分辨率~1.5 nm (FWHM)最短测量距离 1012mm (213mm)电流电压测量测量时间AUTO:0.7~4.3 s电压范围/分辨率-210V~210V/100nVMANUAL:0.7~7.1 s电流范围 /分辨率-1.05A~1.05A/1pA▌ 产品应用□ 量子点发光二极管(QLED)□ 有机发光二极管(OLED)□ 发光二极管(LED)□ 钙钛矿发光二极管(PeLED)□ 其它各种类型的电致发光器件▌ 测试案例LED器件测试示例显示屏测试示例
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  • 总览Photop&trade 系列,将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装,确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的,既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置,也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器,在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件,利用不同的运算放大器,替换光电探测器,修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时,运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益,DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围,非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455,UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D,OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比,由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF),检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而,所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出,必须选择RF和CF值,使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率,即f3dB≤fmax。最后,下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108,工作频率为100 Hz,增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF,CJ = 15 pF和CA = 7 pF,fmax约为14.5 kHz。因此,由于f3dB≤fmax,电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读,请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域,因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下,尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中,您的光电二极管包装在不透明的填充容器中,以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动,光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱,当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时,可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境,以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管,尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时,应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中,光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚,用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力,并可能导致焊线与焊盘分离,因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距,请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品,除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定,引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口,0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的,而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。
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  • APIC高保真、光纤输出射频器件APIC公司成立于1999年,一直专注于防务、工业及通讯网络等研究领域,为他们提供专业的设计和高保真光纤射频服务解决方案,并与美国海军及DARPA拥有多年的合作经验。同时,APIC公司不仅拥有众多的专利技术,还在产品设计开发、晶圆制造、封装及系统集成方面,能为客户提供一流的工艺设计及工程服务。 产品特点 • 大功率 20-140mW • 窄线宽 250-500KHz 主要应用• 微波通讯 • 模拟通讯 • 其它大功率窄线宽半导体激光器应用场景 参数产品系列: Analog Laser模拟激光器(AL系列) *超低噪声,RIN -165~155dB/Hz *高功率:40~120mW *窄线宽:250~500kHz *CW连续模式或直接调制(Direct Modulation)频率可至1GHz RF *高边带抑制比 超低噪声连续激光器(CWL系列) *超低噪声,RIN -168~160dB/Hz *高功率: 80~120mW *窄线宽:250~500kHz *高边带抑制比 高性能便携式激光驱动模块(LN系列) *出厂已预设好,直接使用 *针对激光器优化设计,超低噪声 *精确控制激光器温度及驱动电流 *坚固的封装,符合MIL-STD-810G和MIL-STD 461G RE102 直接调制激光器(DML系列) *低噪声,RIN -160dB/Hz *高线性 *高功率:10~40mW *窄线宽:205~500kHz *直接调制RF信号可达6GHz *高边带抑制比 高线性光电探测器(ARx系列) *高响应度:0.6~0.9A/W(据型号不同) *高度线性化输出:10、20至40GHz *大功率:3~5V偏压时,80、50、25mA额定输出电流(据型号不同) *集成50Ohm阻抗匹配(依型号可选) *K-Connector RF输出,保证耦合效率 便携式接收模块(TTRx系列) *出厂时预设好,操作简单 *针对光电探测器优化设计,低噪声 集成式20GHz发送器-MicroATx *带宽:0.05~20GHz(with LNA);DC 20GHz(without LNA) *输出功率:>11.8dBm(15mW) *噪声:<8dB(with LNA);<22dB(without LNA)@10GHz *高线性度、高动态范围和射频饱和 *集成了全部的电子和光学零件 *符合MIL-STD的温度、冲击、振动、大气压力测试及EMI 集成式宽带发送器 *带宽:DC 20GHz *输出功率:>13dBm(20mW) *噪声:<22dB @10GHz *非常高的线性度、高动态范围、高RF饱和度 *集成全部的电子和光学零件 表面安装(贴片式)光电探测器(SMT系列) *高响应度:0.6~0.9A/W(据型号不同) *高度线性化输出:10、20GHz *大功率:3~5V偏压时,80、50mA额定输出电流(据型号不同) *集成50Ohm阻抗匹配(依型号可选) *小型化封装:10×7×4mm
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  • SMD封装系统 400-860-5168转3282
    SMD封装系统品牌:Powatec 型号:Expert-M 产地:瑞士 关键字:SMD封装系统,SMD组装系统,Surface Mounted Devices 当今用于原型制作或小批量的 SMT 板生产需要工具来确保最高质量标准。全球有超过 2000 个专家系统在日常使用。 Expert-M 手动取放系统广泛用于世界各地的原型设计实验室。可以快速准确地组装带有精密元件的单板和多板。Expert-SA 半自动贴装系统是复杂原型以及小批量高效生产的理想选择。软件控制和线性标尺可确保将正确的组件放置在正确的焊盘上,同时实现更高的工作速度。 所有 Expert 系统都配备了带空气悬架的专利拾放头,支持操作员放置各种组件,例如简单的电阻芯片、带细间距引线的 QFP 或 BGA。
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