非线性扫描现象

高非线性光纤HNLF系列高非线性光纤不仅具有很高的非线性系数，同时还具有很小的群速度色散。该系列光纤采用高折射率差纤芯设计，纤芯外包围一层深度压缩的掺氟环层。HNLF有四种版本：色散斜率为0.019ps/(nm2km) 的版本，零色散斜率型版本，PM版本和为增加SBS阈值在核心掺铝的版本。 每一款都有很大的色散范围可供选择。产品特点 高非线性系数 多种类型可选 低熔接损耗产品应用 光再生 光采样 参量放大 紫外线光栅 脉冲压缩 超连续谱产生 波长转换技术参数订购信息HNLF-PM-LLLL-P-M-DDLLLL：长度(每50m间隔)(0050, 0100, 0150, .. 2000)P:尾纤类型：1 = SSMF with FC/APC Connectors 2 = SSMF with FC/PC ConnectorsM:包装类型：1 =29x175 mm线轴，带硅胶 2 =29x175 mm线轴，不带硅胶DD：1550 nm处的色散(ps/nm*km)z0 =0.0 ± 1.0p1 =1.0 ± 1.0p2 = 2.0 ± 1.0p3 = 3.0 ± 1.0p4 = 4.0 ± 1.0p5 = 5.0 ± 1.0

IRF-S系列硫族化物非线性中红外光纤IRflex的非线性中红外光纤(IRF)，由超高纯度的硫系玻璃制成，是为生成和/或指导中波红外波长(MWIR)(2 - 10μm)而专门设计和制造的。一套基于光纤的硫系玻璃的相关专利已经授权给IRflex来自美国的海军研究实验室（NRL）。这些专利，结合IRflex经验丰富的团队，使IRflex找到了非线性中红外应用先进的解决方案。硫系玻璃由硫族元素的混合物：硫、硒和碲制成。由于其有很多有前途的性能，如传输中、远红外区域的光谱，较低的声子能量值，较高的折射率值，相对于硅有非常大的非线性，硫系玻璃光纤对于需要高功率激光传输、化学传感、热成像和温度监测的中红外应用来说，是理想的材料。商业可用，IRflex的IRF-S系列非线性中红外光纤，由超高纯度的硫系玻璃制成，是为生成和/或指导从1.5到6.5μm，具有高传输效率的中红外波长和约100倍的非线性石英玻璃光纤而专门设计和制造的。IRF-S-100和IRF-S-200多模光纤典型的光损失为0.05 db@3.3μm和0.08db@3.3μm，这是市场上最低的。 IRF-S-100光纤最初被设计是用于大功率红外对抗（IRCM）导弹防御激光器。IRF-S-5、IRF-S-7、 IRF-S-9和IRF-S-10单模纤维有广泛的传输范围（2 - 6μm）。考虑到他们约5、7、9和10μm的内芯直径以及0.3 - 0.32的数值孔径，对于相对截止波长大于1.988，2.930，3.560和4.380μm的光纤，阶跃光纤是真正的单模光纤。波长小于临界值的，对于整个的光纤传输范围，通过适当的耦合，发射光束在短光纤( 2m)上仍将保持单模(或稍多)。IRF-S-50多模光纤被开发来用于中红外组合器的制造。用我们的IRF-S-100作输出光纤，50/85μm内芯/包层的设计非常适合制作7 x1光纤组合器。优点非常低的损耗高功率处理强度机械灵活性高可靠性和重复性应用中红外激光光束传输红外光谱学化学传感科学和医学诊断红外成像系统非线性超连续谱的产生红外对抗(IRCM)商业可用的模型IRF-S系列中红外光纤内芯直径 (μm)包层直径(μm)操作波长 (μm)IRF-S-55 1001.5 - 3IRF-S-771401.5 - 4.4IRF-S-991701.5 - 5.3IRF-S-10101701.5 - 6.5IRF-S-5050851.5 - 6.5IRF-S-1001001701.5 - 6.5IRF-S-2002002501.5 - 6.5 参数传输范围 (μm)1.5 to 6.5典型的光损失 (dB/m)0.1@3.3 & 4.8 (μm)内芯/包层结构As2S3玻璃内芯折射率2.4有效数值孔径 (NA)0.28 - 0.32内芯不圆度 (%)1内芯/包层不圆度误差(μm)3拉伸测试 (kpsi)15 应用生物和化学剂检测化学传感定向红外对抗(IRCM)激光手术和医疗诊断非线性应用

提供各种非线性晶体（LBO，BBO，KDP，DKDP，KTP，LiIO3等），激光晶体（Nd：YAG，Yb：KGW，Yb：KYW，Nd：KGW，Ti：Sapphire等），拉曼晶体（KGW，Ba（NO3）2，调Ｑ晶体等） ，尺寸，掺杂浓度，镀膜，切割方向等参数完全按照用户的需求制作。使用户百分百的满意。

AgGaS2 (AGS) 红外非线性晶体√ZnGeP2√GaSe √AgGaSe2√ZnTe√AgGaS2由于具有独特的功能，ZnGeP2、 AgGaSe2、 AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体，在中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的兴趣。它们的应用包括:? 中红外波段OPO? 近、中红外波段频率转换? CO2 激光倍频? THz生成红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性，宽的光谱和角度接收范围，透光范围宽，对温度稳定性和振动控制没有苛刻的要求，可以进行良好的机械加工（ GaSe除外）。其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSAgGaS2AgGaS2的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的，但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验，直接红外对抗系统，以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频，硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。 14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱 AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线ZnGeP2AgGaSe2GaSeZnGeP2晶体的透光波段为0.74至12 μm，其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP2拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域：? 通过与10.6 μm 波长混频的 CO2激光的上转换；? CO和 CO2 激光辐射的和频；? 脉冲式CO、CO2 和DF化学激光的高效倍频；饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。Terahertzlabs 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶体，更好的适应OPO或OPA应用，然后泵浦2.05-2.1 μm，镀增透膜。 ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 ZnGeP2晶体在2 μm附近的吸收光谱 15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体OPO@2.1 μm 的透过光谱AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 μm波段之间。其有用透光范围0.9-16 μm及宽的相匹配能力，在被多种当前常用激光泵浦时，能为OPO应用提供极具潜力的应用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下，已经获得2.5-12 μm的波长，以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下，获得1.9-5.5 μm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。 AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱 25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 μm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面：CO2 激光的高效倍频，脉冲式CO、CO2和DF化学 激光(λ = 2.36 μm)倍频，CO和CO2激光向可见光的上转换，通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲，3.5–18 μm范围内 OPG光的发生，飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域，为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。 17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱 GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐曲线 切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上物理特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe晶体对称性四方四方四方六角立方闪锌矿点群42m42m42m62m43m晶格常数, ? a5.4655.99015.7573.7426.1037c10.77110.882310.30515.918-密度, g/cm34.1755.714.565.035.633光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe透光范围,μm0.74-120.73-180.53-120.65-180.65-17折射率@1.06 μm no3.23242.70052.45082.90822.7779ne3.27862.67592.39662.56765.3 μm no3.11412.61402.39542.83402.6974ne3.15242.58232.34212.459910.6 μm no3.07252.59152.34662.81582.6818ne3.11192.55852.29242.4392吸收系数, cm-1 @1.06um3.00.020.090.25-2.5um0.030.010.010.05-5.0um0.020.010.010.05-7.5um0.02-0.020.05-10.0um0.4-0.060.05-11.0um0.8-0.060.05-非线性光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe激光损失阈值, MW/cm260251028-@脉宽, ns1005020150-@波长, μm10.62.051.069.3-非线性, pm/V111433163-Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg76556714-Walk-off角@5.3 μm, deg 0.570.570.670.853.4-热学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe熔点, oC129885199812331295热膨胀系, 10-6/oK⊥17.5(a)23.4(c)12.59.08.0⊥9.1(b)18.0(d)---‖1.59(a)-6.4(c)-13.28.25-‖8.08(b)-16.0(d)---@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K计算折射率的SELLMEIER方程:晶体ABCDEF表达式ZnGeP2no8.04091.686250.408241.2880611.05-n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ2(λ2-E)ne8.09291.86490.414680.84052452.05-AgGaSe2no6.85070.42970.158400.00125--n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2ne6.67920.45980.212200.00126--AgGaS2no3.39702.39820.093112.1640950.0-n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2)ne3.58731.95330.110662.33911030.7-GaSeno7.4430.4050.01860.00613.14852194n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2)ne5.760.3879-0.22880.12231.8551780ZnTeNo, ne9.920.425300.377662.6358056.5-n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1)可以根据客户要求提供的其它晶体有： CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSZnTe / 碲化锌: 碲化锌晶体在110方向被用于通过光整流过程来产生太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应，也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲，不同的频率分相互作用产生从0到几太赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个110方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时，太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射，这一现象被线偏振可见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时，可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光，用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组平衡光电二极管，通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间，就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读出完整的电场、振幅和延迟，是时域太赫兹光谱的魅力之一。 碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提供尺寸为?40x30 mm的光学元件。注意： 碲化锌含有微气泡，这并不影太赫兹的产生，然而，它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体内有气泡的投诉。如何订购：ZnGeP2 (ZGP) Crystals货号Size, mmθφ镀膜 标注 交货期TL-ZP-4017x5x15 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周TL-ZP-4027x5x20 mm54° 0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周 TL-ZP-4037x5x25 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm6周AgGaS2 (AGS) Crystals货号Size, mmθφ镀膜 标注含税单价交货期TAGS-401H5x5x1 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 19800 元1周TAGS-402H6x6x2 mm50°0°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 216450元联系我们TAGS-403H5x5x0.4 mm34°45°BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μmSHG @ 3-6 μm, Type 112300元1周TAGS-801H8x8x0.4 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm DFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 126800元1周TAGS-802H8x8x1 mm 39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 123490元1周关于晶体选择列表仅供客户参考AuGaPLiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-PT A-F系列G-H系列 L-N系列 P-Z系列 SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4

ZnGeP2 (ZGP) 红外非线性晶体√ZnGeP2√GaSe √AgGaSe2√ZnTe√AgGaS2由于具有独特的功能，ZnGeP2、 AgGaSe2、 AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体，在中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的兴趣。它们的应用包括:? 中红外波段OPO? 近、中红外波段频率转换? CO2 激光倍频 ? THz生成红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性，宽的光谱和角度接收范围，透光范围宽，对温度稳定性和振动控制没有苛刻的要求，可以进行良好的机械加工（ GaSe除外）。其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSAgGaS2AgGaS2的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的，但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验，直接红外对抗系统，以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频，硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。 14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱 AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线ZnGeP2AgGaSe2GaSeZnGeP2晶体的透光波段为0.74至12 μm，其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP2拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域：? 通过与10.6 μm 波长混频的 CO2激光的上转换；? CO和 CO2 激光辐射的和频；? 脉冲式CO、CO2 和DF化学激光的高效倍频；饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。Terahertzlabs 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶体，更好的适应OPO或OPA应用，然后泵浦2.05-2.1 μm，镀增透膜。 ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 ZnGeP2晶体在2 μm附近的吸收光谱 15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体OPO@2.1 μm 的透过光谱AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 μm波段之间。其有用透光范围0.9-16 μm及宽的相匹配能力，在被多种当前常用激光泵浦时，能为OPO应用提供极具潜力的应用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下，已经获得2.5-12 μm的波长，以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下，获得1.9-5.5 μm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。 AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱 25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 μm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面：CO2 激光的高效倍频，脉冲式CO、CO2和DF化学 激光(λ = 2.36 μm)倍频，CO和CO2激光向可见光的上转换，通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲，3.5–18 μm范围内 OPG光的发生，飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域，为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。 17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱 GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐曲线 切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上物理特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe晶体对称性四方四方四方六角立方闪锌矿点群42m42m42m62m43m晶格常数, ? a5.4655.99015.7573.7426.1037c10.77110.882310.30515.918-密度, g/cm34.1755.714.565.035.633光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe透光范围,μm0.74-120.73-180.53-120.65-180.65-17折射率@1.06 μmno3.23242.70052.45082.90822.7779ne3.27862.67592.39662.56765.3 μm no3.11412.61402.39542.83402.6974ne3.15242.58232.34212.459910.6 μmno3.07252.59152.34662.81582.6818ne3.11192.55852.29242.4392吸收系数, cm-1 @1.06um3.00.020.090.25-2.5um0.030.010.010.05-5.0um0.020.010.010.05-7.5um0.02-0.020.05-10.0um0.4-0.060.05-11.0um0.8-0.060.05-非线性光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe激光损失阈值, MW/cm260251028-@脉宽, ns1005020150-@波长, μm10.62.051.069.3-非线性, pm/V111433163-Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg76556714-Walk-off角@5.3 μm, deg 0.570.570.670.853.4-热学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe熔点, oC129885199812331295热膨胀系, 10-6/oK⊥17.5(a)23.4(c)12.59.08.0⊥9.1(b)18.0(d)---‖1.59(a)-6.4(c)-13.28.25-‖8.08(b)-16.0(d)---@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K计算折射率的SELLMEIER方程:晶体A BCDEF表达式ZnGeP2no8.04091.686250.408241.2880611.05-n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ2(λ2-E)ne8.09291.86490.414680.84052452.05-AgGaSe2no6.85070.42970.158400.00125--n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2ne 6.67920.45980.212200.00126--AgGaS2no3.39702.39820.093112.1640950.0-n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2)ne3.58731.95330.110662.33911030.7-GaSeno7.4430.4050.01860.00613.14852194n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2)ne5.760.3879-0.22880.12231.8551780ZnTeNo, ne9.920.425300.377662.6358056.5-n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1)可以根据客户要求提供的其它晶体有： CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSZnTe / 碲化锌:碲化锌晶体在110方向被用于通过光整流过程来产生太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应，也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲，不同的频率分相互作用产生从0到几太赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个110方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时，太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射，这一现象被线偏振可见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时，可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光，用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组平衡光电二极管，通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间，就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读出完整的电场、振幅和延迟，是时域太赫兹光谱的魅力之一。 碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提供尺寸为?40x30 mm的光学元件。注意： 碲化锌含有微气泡，这并不影太赫兹的产生，然而，它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体内有气泡的投诉。如何订购：ZnGeP2 (ZGP) Crystals货号Size, mmθφ镀膜 标注 交货期TL-ZP-4017x5x15 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周TL-ZP-4027x5x20 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周 TL-ZP-4037x5x25 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm6周AgGaS2 (AGS) Crystals货号Size, mmθφ镀膜标注含税单价交货期TAGS-401H5x5x1 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 19800 元1周TAGS-402H6x6x2 mm50°0°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 216450元联系我们TAGS-403H5x5x0.4 mm34°45°BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μmSHG @ 3-6 μm, Type 112300元1周 TAGS-801H8x8x0.4 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 126800元1周TAGS-802H8x8x1 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 123490元1周关于晶体选择列表仅供客户参考A-F系列G-H系列 L-N系列 P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGaPLiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 单晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2 GaSbLaF3SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通；热解)LGS 硅酸镓镧SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si(?超薄Si片)Bi2Te3GGG (Gd3Ga5O12)LGT钽酸镓镧SiC?(4H,6H,3C)Bi2Se3GeMgAl2O4 SBNBi2Se2TeHg(1-x)Cd(x)TeMgF2SiO2（玻璃和单晶）Bi2Te2SeInPMgOSi-GeBP 黑磷InAsMoSe2TiO2(锐钛矿型,金红石型)CdSInSbMoS2TbScO3CsI (TI)KH2PO4MoTe2TGGCaCO3KTaO3MgO:LiNbO3TeO2Cu（单晶）KTa 1-X NbXO3NdCaAlO4WTe2CdSeKClNaClWS2Ce:Lu2SiO5KTN Nb:SrTiO3CaF2ZnTeDyScO3ZnSeFe:SrTiO3

产品说明高非线性光子晶体光纤这在一个被大空气孔包围的小实心石英纤芯内传导光。此类结构的光学性质与悬浮在空气中的玻璃棒极为相似，都对光有很强的限制作用，也就是说，非线性系数大。通过选择合适的芯径，零色散波长可以在可见和近红外光谱的宽范围内选择，使此类光纤特别适合用二极管泵浦Nd(3+)激光器产生超连续谱辐射，或者光学交换和信号处理应用。产品特性单模纯石英纤芯泵浦源在1um范围内具有零色散特性应用范围光谱学频率计量学光相干层析成像（OCT）NKT Photonics SC-3.7-975 非线性光子晶体光纤 SC-3.7-975高非线性光子晶体光纤具有高非线性系数，在用975nm附近具有零色散特性，可用在1060nm激光器中。该光纤是专为使用高功率泵浦源产生超连续光谱优化设计的，由于优化了色散的特性，当使用高功率泵浦源时，只需要10-15m的此光纤就可以有效的产生倍频生成的光谱。该系列光纤同时和标准的单模光纤或永久单模光纤能很好的耦合，同时也可以对端面处理，加FC/PC连接器。 产品性能曲线图NKT Photonics SC-5.0-1040-PM 非线性保偏光子晶体光纤 SC-5.0-1040-PM 保偏非线性光子晶体光纤具有高非线性系数，在用1040nm附近具有零色散特性，可用在1060nm激光器中。该光纤是专为使用高功率泵浦源产生超连续光谱优化设计的，由于优化了色散的特性，当使用高功率泵浦源时，只需要10-15m的此光纤就可以有效的产生倍频生成的光谱。该系列光纤同时和标准的单模光纤或永久单模光纤能很好的耦合，同时也可以对端面处理，加FC/PC连接器。产品性能曲线图NKT Photonics SC-5.0-1040 非线性光子晶体光纤 由于优化了色散的特性，在使用脉宽为1ns，重复频率为5-10kHz,平均功率为几十毫瓦的中心波长为1064nm脉冲激光器时，只需要20m的该光纤就可以使转换效率接近100%，同时和标准的单模光纤或永久单模光纤能很好的耦合，同时也可以对端面处理，加FC/PC连接器。 产品性能曲线图技术参数参数SC-3.7-975SC-5.0-1040-PMSC-5.0-1040零色散波长975±15nm1040±15nm1040±10nm截止波长＜1000nm＜1000nm＜1000nm非线性系数18(W-1km)-1@1060nm11W(-1km)-1@1060nm11(W-1km)-1@1060nm衰减＜5dB/km(@1060nm)＜3dB/km(@1550nm)＜15dB/km(600nm)＜3dB/km(@1040nm)＜2.5dB/km(@1550nm)＜25dB/km(@600nm)＜3dB/km(@1040nm)＜2.5dB/km(@1550nm)＜15dB/km(@600nm)模场直径3.3±0.3um@1060μm4.3±0.2um@1060μm4.0±0.2um数值孔径0.25±0.05@1060μm0.20±0.05@1060μm0.20±0.05材料纯石英纤芯纯石英纤芯纯石英纤芯包层直径125±10um125±3um125±3um纤芯直径3.7±0.3um4.8±0.2um4.8±0.2um涂覆层直径245±10.0um244±10.0um244±10.0um涂覆层材料单层丙烯酸酯丙烯酸酯丙烯酸酯

KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)非线性晶体是近年来发展起来的一种用于非线性光学和电光器件应用的优良光学非线性晶体。与KTP相比，这些非线性光学和电光系数更高，并且它们还具有显著降低2.0-5.0μm区域吸收的额外好处。大的非线性系数与宽的角度和温度带宽相结合。砷酸盐的其他优点是较低的介电常数、较低的损耗角正切和比KTP小几个数量级的离子电导率。这些砷酸盐的单晶具有化学和热稳定性，不吸湿，并且对高强度激光辐射具有高度抗性。KTA晶体在二次谐波产生（SHG）、和差频率产生（SFG）/（DFG）、光学参量振荡（OPO）、电光调Q和调制以及作为光波导的衬底方面具有重要作用。基于这些晶体的OPO器件是可靠的固态可调谐激光辐射源，其能量转换效率超过50%。KTA有很高的伤害阈值。皮秒染料激光在10-20 GW/cm2的水平下未观察到光学损伤。这种晶体是用高温熔剂技术生长的。 技术参数主要特性复合物KTiOAsO4透光率, μm 0.35 – 5.5非线性系数, pm/Vd31= 2.76 d32= 4.74 d33= 18.5对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, ?a=13.103, b=6.558, c=10.746典型反射系数1064 nm532 nmnx=1.7826, ny=1.7890, nz=1.8677nx=1.8293, ny=1.8356, nz=1.9309光学损坏阈值, GW/cm21064 nm(t=10 ns)1.5电光系数, pm/Vr13=15, r23=21, r33=40莫氏（Mohs）硬度5光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用中间红外区域1 - 5.5μm的光学参量振荡器(OPO) 在1 - 5.5μm的红外中间区域产生不同的频率（DFG） 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

本产品由于具有独特的功能，ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体，在中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的兴趣。它们的应用包括：中红外波段OPO，近、中红外波段频率转换，CO2 激光倍频，THz生成。红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性，宽的光谱和角度接收范围，透光范围宽，对温度稳定性和振动控制没有苛刻的要求，可以进行良好的机械加工（ GaSe除外）。其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS 技术参数1、AgGaS2 硫镓银晶体AgGaS2简称AGS晶体,中文名是硫镓银晶体,他的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的，但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验，直接红外对抗系统，以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频，硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱 AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线2、ZnGeP2晶体(简称ZGP晶体),磷锗锌晶体 ZnGeP2磷锗锌晶体的透光波段为0.74至12 μm，其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP2拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域：■ 通过与10.6 μm 波长混频的 CO2激光的上转换；■ CO和 CO2 激光辐射的和频；■ 脉冲式CO、CO2 和DF化学激光的高效倍频；饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。E K S M A 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶体，更好的适应OPO或OPA应用，然后泵浦2.05-2.1 μm，镀增透膜。

IRF-Se系列硫族化物非线性长波中红外光纤IRflex现在正把它的纤维产品家族延伸到长波红外光谱区。IRflex的IRF-Se系列硫族化物非线性长波中红外光纤，由额外的高纯硫族化物玻璃As2Se3制成，是为产生和/或指导中红外波长在1.5到10μm范围内具有高传输效率和1000倍的非线性石英玻璃纤维而专门设计和制造的。IRF-Se系列已经研发了IRF-Se-100、IRF-Se-150和IRF-Se-200可以用于商业销售的多模光纤模型。它们传输范围很宽，从1.5到10μm。典型的光学损失小于0.2 db@ 6.5μm，由于纯度极高的原因，核心不圆度不到1%，核心/保护层的同心度误差小于2μm。IRF-Se系列光纤可以做连接器或裸露的光纤使用。请注意IRF-Se系列光纤是研发光纤，更多的光纤正在研发中，更多的测试正在进行中。想了解IRF-Se系列的工业效用，请通过irflex@irflex.com联系IRflex。优点低损耗广泛的传输范围：1.5 - 10μm高功率处理强度 机械灵活性高可靠性和重复性应用中红外激光光束传输红外光谱学化学传感科学和医学诊断红外成像系统用于环境的气体监测设备非线性超连续谱的产生参数IRF-Se 系列IRF-Se-100IRF-Se-150IRF-Se-200内芯直径 (μm)100150200包层直径 (μm)170250250保护涂层直径 (μm)330450450内芯/包层结构As2Se3As2Se3As2Se3传输范围 (μm)1.5 to 101.5 to 8.51.5 to 9.5典型的光损失 (dB/m)0.58 @ 5.98(μm)0.168 @ 3.89 (μm)0.32 @ 2.5 (μm)内芯折射率2.72.7 2.7内芯不圆度 (%)111内芯/包层同心度误差 (μm)333拉伸测试 (kpsi)N/AN/AN/A应用生物和化学剂的检测化学传感激光手术和医疗诊断非线性应用

BBO晶体非线性晶体倍频晶体(?-BaB2O4)产品介绍 BBO晶体非线性晶体倍频晶体(?-BaB2O4，?-硼酸钡）是一种优异的光学非线性晶体。它具有宽相位匹配范围、高非线性（约为KDP的6倍）、高光损伤阈值、良好的机械和温度稳定性等特性。这种三角形单轴晶体具有0.19至3.3μm的宽透明度。其有用的透射范围（5％/ cm）为0.21至2.1μm，并且已经证明其对于产生低至约0.21μm的二次谐波辐射有效。它对于宽可调光学参量振荡器（OPO）和放大器（OPA）也很有用。自相关应用可以低至0.19um。其出色的红外透射和宽热接收带宽可实现高平均功率OPO/OPA操作。 BBO晶体相对较窄的角度接收带宽（特别是在UV中）可能限制其在涉及激光的某些应用中的有用性，所述激光具有小于衍射极限的光束质量。在大多数情况下，其温和的吸湿性不限制其有用性。 BBO非线性晶体(?-BaB2O4)广泛的相位匹配性使其成为Nd：YAG和其他Q开关/锁模固态激光器的通用应用的理想选择。当使用可调谐的Ti：蓝宝石，Alexandrite紫翠玉石或染料激光器时，BBO可用于产生从近红外到紫外线的可调辐射。这种高功率、广泛可调的激光辐射有许多应用，包括光谱学、医学、材料处理、非线性光学、激光雷达、遥感和光化学。在商业市场中，基于BBO的固态非线性系统可以与染料激光器竞争，并且具有降低操作成本和在大频率范围内更方便调谐的优点。典型应用： • Nd：YAG激光器的谐波产生（SHG、THG、4HG，5HG） • Ti: Sapphire 钛蓝宝石激光器、飞秒振荡器、飞秒放大器的SHG、THG产生 • OPO的可调固态激光器（泵浦355,532或1064 nm） • 染料激光器光源SHG、SFG的UV输出 • 用于超短脉冲（ps和fs）激光器的自相关测试主要规格：可根据客户要求提供不同规格:800nm钛蓝宝石飞秒激光器SHG/THG BBO倍频晶体：PN BBO-TX/XHG08- LW -TX尺寸，mm厚度，mmΘ，degΦ，deg镀膜 BBO-T1SHG08-66×60.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.029.290P/P@400-800 nm BBO-T1SHG08-88×80.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.029.290P/P@400-800 nmBBO-T1SHG08-1010×100.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.029.290P/P@400-800 nmBBO-T1SHG08-1212×120.1/0.2/0.5/1.0/2.029.290P/P@400-800 nmBBO-T1SHG08-1515×150.1/0.2/0.5/1.0/2.029.290P/P@400-800 nmBBO-T1SHG08-2020×200.1/0.2/0.5/1.0/2.029.290 P/P@400-800 nmBBO-T1SHG08-2222×220.1/0.2/0.5/1.0/2.029.290P/P@400-800 nmBBO-T1THG08-66×60.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/144.390P/P @ 400-800/266BBO-T1THG08-88×80.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/144.390 P/P @ 400-800/266BBO-T1THG08-1010×100.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/144.390 P/P @ 400-800/266BBO-T1THG08-1212×120.1/0.2/0.5/144.390 P/P @ 400-800/266BBO-T1THG08-1515×150.1/0.2/0.5/144.390 P/P @ 400-800/266BBO-T1THG08-2020×200.1/0.2/0.5/144.390P/P @ 400-800/266BBO-T1THG08-2222×220.1/0.2/0.5/144.390P/P @ 400-800/266Type 1, SHG @ 800 nm,Θ=29.2°, φ=90°（脉宽fs-厚度mm）：10fs-0.05；20fs-0.1；50fs-0.2；100fs-0.5；200fs-1Type 1, THG @ 800 nm, Θ=44,3°, φ=90°（脉宽fs-厚度mm）: 10fs-0.01；20fs-0.02；50fs-0.05；100fs-0.1；200fs-0.2 1030nm飞秒激光器SHG/THG/FHG BBO倍频晶体：PN BBO-TX/XHG10-LW-TX尺寸，mm厚度，mmΘ，degΦ，deg镀膜BBO-T1SHG10-6-TX6×6 0.5/1.0/1.5/2.023.490AR/AR @ 515+1030 nmBBO-T1SHG10-8-TX8×80.5/1.0/1.5/2.023.490AR/AR @ 515+1030 nmBBO-T1SHG10-10-TX10×100.5/1.0/1.5/2.023.490AR/AR @ 515+1030 nmBBO-T1THG10-6-TX6×60.15/0.25/0.4/0.5532.590AR/AR @ 1030+515/343 nmBBO-T1FHG10-6-TX6×60.1/0.15/0.2/0.35090P/P @ 515/257 nmType1, SHG @ 1030 nm,Θ=23.4°, φ=90°（脉宽fs-厚度mm）：50fs-0.5；100fs-1；150fs-1.5；200fs-02Type1, THG @ 1030nm, Θ=32.5°, φ=90°（脉宽fs-厚度mm）: 50fs-0.15；100fs-0.25；150fs-0.4；200fs-0.55Type1, FHG @ 1030nm, Θ=50°, φ=90°（脉宽fs-厚度mm）: 50fs-0.1；100fs-0.15；150fs-0.2；200fs-0.3 BBO晶体非线性晶体倍频晶体(?-BaB2O4)特性：类型BaB2O4晶体结构三角, 3m光学对称负单轴(none)晶架群R3c密度3.85 g/cm3莫氏硬度5光学均匀性?n = 10-6 cm-1 “0”水平透射区域189 – 3500 nm1064 nm处线性吸收系数 0.1% cm-1折射率none1064 nm1.65511.5426532 nm1.67501.5555355 nm 1.70551.5775266 nm1.75711.6139213 nm1.84651.6742Sellmeier方程(λ, μm)no2 = 2.7366122+0.0185720 / (λ2-0.0178746)- 0.0143756 λ2ne2 = 2.3698703+0.0128445 / (λ2-0.0153064)- 0.0029129 λ2相位匹配范围 Type 1 SHG410 – 3300 nm相位匹配范围Type 2 SHG530 – 3300 nm离走角55.9 mrad (Type 1 SHG 1064 nm)非线性系数d22 = ± 2.2 pm/V d15 = d31 = ± 0.08 pm/V 损伤阈值（TEM00） 0.5 GW/cm2 at 1064 nm, 10 ns~ 50 GW/cm2 at 1064 nm, 1 ps 200 GW/cm2 at 800 nm, 100 fs, 50 Hz上海屹持光电技术有限公司

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。 技术参数主要特性复合物GaSe透光率, μm0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 μm 对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, ?a=3.74, c=15.89典型反射系数 10.6 μm 5.3 μmno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 μm4.1应用10.6 μm激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

BBO 或 beta-BaB2O4或β-BaB2O4是一种非线性光学晶体，它结合了许多独特的特性。这些特性包括宽透明度和相位匹配范围、大非线性系数、高损伤阈值和出色的光学均匀性。因此，BBO 为各种非线性光学应用提供了有吸引力的解决方案。技术参数 主要特性复合物 β-BaB2O4透光率, μm0.189 - 2.6非线性系数, pm/Vd22=2.2, d15=0.16对称度三方晶系, 3m point group 晶胞参数, ?a=12.519, c=12.723典型反射系数1064 nm532 nmno=1.5980, ne=1.5432no=1.6139, ne=1.5555光学损坏阈值, GW/cm2 1064 nm(t=10ns)1-2二次谐波截止Type I Type II411 nm 527 nm离散角, °Type I, 1064 nm3.2温度验收, °C*cmType I 1064 nm55莫氏（Mohs）硬度4.5光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig10/5应用YAG激光器的2次，3次，4次，5次谐波产生；Ti: Sapphire 和翠绿宝石激光器的2次谐波产生使用OPO的可调谐固态激光器（泵浦功率为355,532或1064nm）使用可调谐染料激光器的SHG和SFG的高效紫外光源 皮秒和飞秒激光系统中的自相关器(薄晶体中) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

高分辨率扫描探针显微镜配件是欧盟革命性的高分辨率扫描探针显微镜，SPM显微镜， 它具有目前世界上最为紧凑的机构构成，同时可作为扫描探针显微镜和原子力显微镜使用。高分辨率扫描探针显微镜配件有不同类型的纳米定位平台，包括各种扫描位移台，以确保用户大面积扫描样品，扫描探针显微镜具有最佳的多功能性，可提供EFM, MFM, STM, Phase Imaging, CAFM, KPM 等诸多模式供用户使用。 高分辨率扫描探针显微镜配件特色双光学样品观察（正置和倒置）扫描尺度高达 250 μm全自动样品拾取X-Y 扫描尺寸100 x 100μm (高压模式) 10 x 10 μm (低压模式)高电压模式闭环分辨率: 2 nm高电压模式开环分辨率: 0.2 nm闭环线性： 0.1%.Z 方向扫描尺寸:10 μm (高压模式)1 μm (l低压模式)分辨率: 0.16 nm (高压模式), 0.02 nm (低压模式)高分辨率扫描探针显微镜配件特色 适合样品大小: 可容纳不同结构的直径最高达到30mm的样品。扫描探针显微镜控制系统： 数字控制器和模拟反馈系统，具有高分辨率和低噪音的特点。扫描探针显微镜,SPM显微镜采集软多窗口应用的基于Windows 系统开发的软件，控制所有的硬件工作。

微阵列芯片扫描仪配件专业为扫描基因芯片，蛋白质芯片等微阵列芯片而设计，是功能强大的高分辨率荧光扫描仪。适合所有微阵列芯片，如DNA芯片，蛋白质芯片和细胞和组织，并适用于各类型的应用研究，如基因表达，基因分型，aCGH，芯片分析片内，微RNA检测的SNP，蛋白质组学和微阵列的方式。微阵列芯片扫描仪配件是完全开放的系统，兼容任何标准的显微镜载玻片25x75mm（玻璃基板，塑料，透明和不透明），可以扫描生物芯片，有3 1.mu.m/像素的分辨率，同时保持高图像质量。能够同时扫描两个检测通道3.5分钟（10.mu.m/像素，最大扫描区域），InnoScan900是市场上最快的扫描器，扫描速率可调节，达10到35行每秒。 微阵列芯片扫描仪配件共焦扫描仪配备有两个光电倍增管（PMT），非常敏感，整个工作范围（0至100％）线性完美，允许用户简单地改变PMT，调整2种颜色的荧光信号。使用这种独特的动态自动聚焦系统，提供的是不敏感的基板的变形，整个扫描表面上完美，均匀。微阵列芯片扫描仪有出色光度测定性能，特别是在灵敏度和信噪比方面。 微阵列芯片扫描仪有一系列可满足您的应用程序，四扫描器（710，710 U，900 U和900）。该Innoscan® 900和900AL系列（磁带自动加载机）是专为现在和未来的高密度微阵列发展。

非线性光学晶体三硼酸锂（LiB3O5或LBO）具有一系列独特的特性：从VUV到IR的宽透明范围、高光学损伤阈值、高有效非线性系数和非临界相位匹配可用性、非常小的走离(walk-off)。采用改进的高温熔剂法生长LBO晶体。LBO在0.16和3.3μm处具有带边(band edges)。其有效透射范围（5%/cm）为0.21至2.3μm。但是，如果可以接受更高的吸收，LBO通过允许更深的UV混合来补充BBO。它还允许标称1.0-1.3μm I型SHG的温度可控非临界相位匹配（NCPM）。LBO还为II型SHG（0.8-1.1μm）和THG（0.95-1.2μm）提供室温准NCPM（角度调谐，同时保持=90°），这是一种独特的性能，部分归因于其双轴性。LBO较低的双折射将其UV相位匹配限制在某些较长波长辐射的组合上，但它也具有明显较大的角度接收带宽，从而降低了对源激光器的光束质量要求 技术参数主要特性 复合物LiB3O5透光率, μm 0.16 – 2.6非线性系数, pm/Vd31 = 0.67 d32 = 0.85对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数 a=8.447, b=7.3798, c=5.1408 ?典型反射系数1064 nm 532 nmnx=1.5656, ny=1.5905, nz=1.6055 nx=1.5785, ny=1.6065, nz=1.6212光学损坏阈值, GW/cm21053 nm(t=10 ns)2.5截止二次谐波三次谐波554 nm794 nm离散角, °Type IType II0.430.22莫氏（Mohs）硬度6 定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10 应用 应用于YAG: Nd, YAG: Ho, Ti: Sapphire, 翠绿宝石激光器二次谐波的产生应用于YAG: Nd, Ti: Sapphire,翠绿宝石激光器三次谐波的产生光学参量放大器OPA与光学参量振荡器OPO（泵浦功率为308、355、532和1064 nm） 皮秒和飞秒激光系统中的自相关器(薄晶体中) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 μm。 技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12μm的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 μm at 300 K) 主要参数复合物AgGaS2透明度, μm0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 μm 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性 四方晶系, -42m point group晶胞参数, ?a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 μm 5.3 μmno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 μm0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 μm光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。

LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体通过定向凝固生长单晶。典型的生长晶体长约 20 毫米，直径约 10 毫米，呈深红色。晶格常数被确定为a = 7.218 埃， b= 8.441 ?，c = 6.772 ?，粉末 X 射线衍射。通过差热分析确定熔点为904℃。LiInSe 的能带隙2在室温下，通过光传输测量估计为 1.88 eV。典型的室温电阻率为 2.67 × 1011 Ω cm 具有 n 型电导率。双轴硒化锂铟（LiInSe 2或 LISe）非线性光学晶体的光谱透明度范围和高双折射使人们能够实现所有广泛使用的中红外激光器的倍频。它们的效率与AgGaS 2 晶体的效率相同，是LiInS 2晶体的效率的两倍。LiInSe 2晶体的优势在于可以创建由近红外固态激光器（特别是 Nd:YAG 激光器）辐射泵浦的中红外参量光振荡器，其效率比 AgGaS 2高一倍以上和 LiInS使用了2个晶体。还值得注意的是，LiInSe 2 晶体在飞秒脉冲频率转换方面的潜在优势超过了所有已知晶体，无论是在中红外区域，还是在飞秒 Ti：蓝宝石和 Cr：镁橄榄石激光的辐射直接转换到中红外区域. 技术参数主要特性复合物LilnSe2透光率, μm0.43– 13.2 非线性系数, pm/Vd31=11.78, d24=8.17 @2.3 μm 对称度斜方（晶系）, mm2 point group 晶胞参数, ?a=7.192, b=8.412, c=6.793 带隙, eV2.86典型反射系数10.0 μm 5.0 μmnx=2.2015, ny=2.2522, nz=2.2566 nx=2.2370, ny=2.2772, nz=2.2818用于SHG的基频x-y, Type II, eoe2.73 –8.24x-z, Type I, ooe2.08 – 12.4y-z, Type II, oeo2.73 – 3.07y-z Type II, oeo7.66 – 8.24Total interval covered2.08 – 12.4光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)~40 热导率k, WM/M°Ckx=4.73 ± 0.3 ky=4.67 ± 0.3 kz=5.45 ± 0.3室温带隙, eV Eg = 2.730.2透明度级别的远红外吸收边缘1.24 THz at 240 μm 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦下的光学参量振荡器 （范围 1 – 13 μm）中红外(2-13μm)的差频产生 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。 Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification _______________________________________________________________________________________???什么是 PPXX 技术 PPXX is an advanced technology for high efficiency and arbitrary wavelength conversion based on making engineered microstructure on the ferroelectric materials.2. 非线性波长转换Nonlinear wavelength conversion means the phenomenon that input light generates new wavelength via passing through the nonlinear material. For the common 2nd order nonlinearity, photon energy of the related wavelength is defined to be conserved as the relation below: Here are the commonnonlinear process appellations and its expression of frequency relation respectively.3. 相位匹配条件To have high conversion efficiency, the photon momentum should be conserved as well. Otherwise, incorrect phase will lead to destructive interference causing very low efficiency. The relation of photon momentum conservation is shown as below, which is called the phase matching condition. 4.双折射相位匹配(BPM)Typically, due to the material feature of dispersion, phase matching condition could only be achieved in the birefringence material, which has different refractive index of its o-polarization (perpendicular to the optical axis) and e-polarization (parallel to the optical axis).The phase matching condition could be achieved by changing temperature or the incident angle on the birefringence material with correct polarization. Two types of phase matching condition are shown as below: Type I: The polarization of the two low frequency photon is the same, i.e.Type II: The polarization of the two low frequency photon is different,i.e.5. 准相位匹配（QPM）和周期性极化（PP） Quasi phase matching is a technique that the photon momentum conservation is achieved through additional artificial structure. The structure could provide an extra vector Kg which matches the momentum conservation as below. Periodical poling is a special technique to form periodical microstructure on the ferroelectric material with a designed Kg. Not only the spatial walk-off issue in BPM material becomes eliminated through QPM technique but the phase matching temperature could also be designed. Moreover, the type of phase matching condition (Type 0), which is never existing in BPM (Birefringence phase matching) could be demonstrated through QPM. Type 0 is bringing about several tens of times for conversion efficiency enhancement.6. 什么样的色散方程，我们使用的折射率计算？We simulate the refractive index according to the reference below, which is the most appropriate function through our experience.Gayer, O., et al, "Temperature and wavelength dependent refractive index equations for MgO-doped congruent and stoichiometric LiNbO3." Appl. Phys. B 91, 343-348(2008)7. 如何计算 QPM 期?First you will need the information of the refractive index to calculate the wave vector mismatch of the involved wavelength. For example (up-conversion): Then, the QPM period equals to Which the final wave vector mismatch is canceled 8. 如何实现最优转换效率? To achieve the optimal conversion efficiency, the incident light should be focused on the center of the chip with the focusing condition L/b~2.84, where L is the chip length, b is the Gaussian beam focusing parameter. The above condition is for SHG/SFG only and with the assumption of Gaussian beam M2=1. For DFG, the optimal condition is more complicated and will change according to the wavelength, for further study, one can read the reference below.T. -B. Chu andM. Broyer, "Intracavity cw difference frequency generation by mixing three photons and using Gaussian laser beams." J. Phys. (Paris) 46, 523 (1985)9. How to know the acceptance of the chip?The phase matching spectrum is the square of a sinc function We know that once we design a QPM period for a target wavelength conversion, , and then we could calculate the wave vector mismatch near the designed wavelength to see when the becomes large enough that the square of sinc function becomes smaller than 0.5. 10. 如何实现波长调谐?There are two ways for wavelength tuning. One is changing the period, the other one is changing the temperature (because the refractive index is a function of temperature).Typically, the temperature tuning could not have wide tuning range, so we have special structures - multiple and fan-out, to achieve broadband wavelength tuning. Multiple structure is a chip with multiple channel, each channel has different period, through the change of the incident channel and modifying the temperature, one can achieve large tuning range then a single period chip.Fan-out structure is a chip with continuous period change in the width. One can tune the phase matching wavelength through moving the chip without changing the temperature.

LGSe是一种新型非线性红外材料，具有纤锌矿型结构，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数，如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等，从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。 技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, μm0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 μm)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘μm218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数 定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20

LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。 技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, μm0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 μm)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘μm92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53 光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4 表面质量, scratch/dig30/20 下载

磷酸氧钛钾（KTiOPO4或KTP）是一种优良的非线性晶体。它具有高的光学质量、宽的透明范围、相对较高的有效倍频系数（约为KDP的3倍）、极高的光学损伤阈值、宽的接受角、小的走离(small walk-off)以及宽波长范围内的I型和II型非临界相位匹配（NCPM）。KTP是Nd:YAG激光器和其他掺钕激光器倍频最常用的材料，特别是在低或中等功率密度下。KTP的特性使其作为电光调制器以及光波导器件（包括相位调制器、幅度调制器和定向耦合器）具有优越性。 技术参数主要特性复合物KTiOPO4透光率, μm0.35 – 4.5非线性系数, pm/Vd31 = 2.0 d32 = 3.6对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, ?a=12.818, b=6.404, c=10.596典型反射系数1064 nm 532 nmnx=1.7381, ny=1.7458, nz=1.8302 nx=1.7785, ny=1.7892, nz=1.8894 光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)~1电光系数, pm/Vr13=9.5, r23=15.7, r33=36.3莫氏（Mohs）硬度5 光学元件参数 定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6 表面质量, scratch/dig20/10应用近红外区高达4μm的光学参量振荡器（OPO）在高达4μm的近红外区域产生不同频率（DFG）1.064μm辐射产生的二次谐波（SHG） 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 ' AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 μm。 技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, μm0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 μm 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 μm5.3 μmno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 μm0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nm λ/4表面质量, scratch/dig30/20 应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 μm) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

IRF-S系列非线性中红外光纤是由高纯度的硫化物玻璃（As2S3）拉制而成，可产生或传输1.5-6.5μm光信号，其非线性可为传统石英光纤的100倍。中红外光是一种波长比可见光长，比微波短的电磁波。IRflex公司专注于2-10μm的中红外波段的应用。IRflex生产的中红外光纤基于高纯度硫族化物玻璃，硫化物光纤凭借其独有的优势，可以满足先进的、苛刻的光纤设备应用。硫化物光纤主要包含一种或多种硫族元素如S、Se、Te等与少量其他元素如Ge、As、Sb等。As-Se光纤具有大得多的折射率(2.3)和很高的非线性系数。以S元素或Se元素为主的光纤可以分别实现在0.8~7μm和1~10μm范围内的低损耗传输。IRflex公司的非线性硫族化物中红外光纤可以很好的满足长距离传输过程中需要低损耗和高损伤阈值的应用。 光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元产品特点● 低损耗 ● 可承受功率高 ● 机械灵活性 ● 高可靠性、高重复性 ● 纤芯的不圆度低于±1% ● 纤芯/包层同心度误差低于2μm 技术参数参数特性光纤型号 纤芯/Clad/Coating直径(µm)截至波长(µm)工作波长(µm)*IRF-S-55/100/2801.9882.05 – 2.95IRF-S-6.56.5/125/3002.461.5 – 4.15IRF-S-77/140/3002.933.0 – 4.4IRF-S-99/170/3203.563.6 – 5.3IRF-S-5050/85/275-1.5 – 6.5IRF-S-100100/170/340-1.5 – 6.5IRF-S-200 200/250/470-1.5 – 6.5IRF-S-400400/500/620-1.5 - 6.5备注: * 所有的光纤都可以传输1.5 to 6.5µm. 这里的中心波长 (µm) 是指超过50%以上的光在纤芯里传输。技术参数传输范围 (µm)1.5 – 6.5典型损耗(dB/m)0.05 @ 2.8μm 玻璃成分As2S3折射率2.4数值孔径 (NA)0.28±0.02纤芯圆偏度 (%)1芯/包同心度误差（μm）3抗拉试验（KPSI）15 耐化学性不溶于水、浓盐酸、非氧化酸、醇、丙酮、汽油和甲苯。溶于强碱溶液中，如KOH。差损测试曲线 光纤色散测试图产品应用● 生物化学传感 ● 非线性光学研究● 激光医疗诊断● 红外线干扰（IRCM）

断层扫描铜网这种边长1.5mm、300目的方形铜网，用于Fischione断层扫描的标本支架。该铜网的尺寸允许其在制备好的TEM样品中进一步倾斜。旋转超过90°时，识别标记和方形的形状方便参考。产品信息：货号产品名称规格74357Copper Tomography Grid, 300 mesh断层扫描铜网50/pk74357-01Lacey Carbon on Copper Tomography Grid25/pk74357-02 Lacey Carbon on Copper Tomography Grid50/pk74357-03Carbon Film on Copper Tomography Grid25/pk74357-04Carbon Film on Copper Tomography Grid50/pk

这款扫描电镜X射线源专门用于电子显微镜设计的X射线源，非常适合扫描电镜的XRF光谱分析,是理想的XRF射线源和X射线荧光光谱仪X射线源。 扫描电镜X射线源具有紧凑的设计和滑动安装功能，允许与样品非常接近。 取向在样品表面的小到大的激发区域产生高“通量”（x射线）。 扫描电镜X射线源?XSEMTM提供500μ至25mm的激发区域。 集成的高压电源最大功率为10瓦（35千伏和0.1毫安，取决于阳极材料）。 紧密耦合提供与传统“台式”或“独立”单元相当的XRF分析结果。扫描电镜X射线源?X SEMTM设计使其不影响电子显微镜的正常工作，包括在同一样品上使用电子束，同时同时收集所有元素。不需要特殊的冷却。 电子束（来自扫描电子显微镜）产生非常高的背景隐藏样品中的微量元素。 来自真正的“X射线”源的X射线没有这种效果。 使用扫描电镜X射线源?XSEMTM可以轻松识别，量化，甚至生成痕量X射线图，以查看样品中微量元素的元素分布。 应用： 艺术与考古 石油EDXRF 化学 药物应用 涂料和薄膜 塑料，聚合物和橡胶 化妆品 电镀和电镀浴 环境 木材处理应用 食品应用 其他应用 取证 金属和矿石 矿产和矿产品 ?X 规格 阳极类型 端窗传输 目标材料 Ag，Mo＆W 加速电压 10-35kV 光束电流 0-100μA 阳极点尺寸 500μm 准直器尺寸 200μm，500μm，1000μm（其他可选） 源过滤器 可应要求提供 冷却要求 传导冷却，不需要风扇 控制/安全 可变控制kV /μA，X射线开/关按钮，kV /μA显示。 连接到SEM，键控上电开关，集成高压电源，HV-On灯，警示灯

蔡司ZEISS标记点，GOM三维扫描仪标记点，GOM标记点，三维扫描仪标记点

直接观察用样本舱（QX Capsules）QX Capsules是电子显微领域一重大的具有里程碑意义的技术突破，它的出现，使扫描电镜的样品准备、图像获得发生了质的飞越。 结束了以往扫描前必需的样本制备过程，油质、含水组织、活细胞、空气粒子等各类“含水”物质可以直接在电镜下扫描。获得的结果更加真实客观，重复性更强；节省您大量的宝贵时间；不需要购置各类样品制备设备。 产品特征：l 样本制备时间显著减少或完全消除l 湿体（含水）直接成像（食物、墨水、化妆品、细胞、组织等）l 湿体成分可通过X射线进行微量分析l 适用多种染料染色的组织和细胞，同时对未经染色或固定的组织、细胞同样可以观察l 对粘着或未粘着细胞均可成像l 高精度的组织病理成像l 扫描电镜的细胞内成像 l 细胞完整表面成像l 液体结构成像及保存性能l 操作简便 产品信息：货号产品名称规格QX-102-24QX-102 Capsules ：for cell biology and general liquid sample24/pkMP-10-2Multi-well Plate2/pkMA-4Multi-well Aspirator1个AT-60Aspirator Tips60/pkIB-64QX-102 Imaging Buffer1支RT-56QX-102 Calibration Capsule1个SP-202-24QX-202 Capsules24/pkSP-202-48QX-202 Capsules 48/pkQX-302-6QX-302 Capsules6/pkMP-12-2MP-12 Multi-capsule Plate2/pkIB-74QX-302 Imaging Buffer1支RT-58QX-302 Calibration Capsule1个

台式扫描电子显微镜配件是为客户提供的欧洲最高性价比扫描电镜，完全改变了动辄百万人民币的电镜价格，它为用户提供低价亚微米和纳米尺度的电子显微镜工具。台式扫描电子显微镜配件具有传统显微镜20倍的分辨率，提供高分辨率成像，非常适合科研人员，工程师获取高质量的亚微米分辨率图像，非常容易使用，用户接受培训10分钟即可独立操作，非常适合材料科学，微电子等领域获取高分辨率图像。扫描电子显微镜配件参数放大倍数：24-24000X图像分辨率：高达2048x2048像素空间分辨率：高达30nm样品加载：小于30秒自动样品控制功能超低能耗总重量：55kg扫描电子显微镜配件规格系统主要部件：成像模块，17' ' 触摸屏显示器，旋转手柄，真空泵，USB接口驱动光学放大：固定24X放大电学放大：120-24000X可调光学探测：彩色CCD相机电学探测：高灵敏度背散射探测器图像输出格式：JPEG,TIFF, BMP，图像分辨率：456 x 456, 684 x 684, 1024 x 1024 and 2048 x 2048可选数据存储：优盘样品台：计算机控制电动XY台样品容纳大小：直径25mm ，高度30mm样品加载时间：光学成像5s , 电学成像30s减震桌要求：120x75cm 尺寸以上的减震桌

大面积扫描开尔文探针系统配件能够在垂直方向移动开尔文探针实现电动控制开尔文探针与样品的距离。 样品安装到真空吸盘上，真空吸盘可带着样品移动150x150mm位移，从而实现开尔文扫描探针系统大面积扫描样品表面。大面积扫描开尔文探针系统配件特色: 电动控制开尔文探针与样品的距离 电动控制样品XY移动范围150 mm x 150 mm 具有编码器的主动定位定位追踪系统 Z方向步进大小: 625 nm X - and Y-方向: 5 μm / microstep 功函分辨率:: 1 meV with 1.4 mm tip diameter on metals 最小的探针直径: 0.1 mm 集成法拉第防护功能 框架表面镀金 开尔文探针头采用纯金工艺 最大外形尺寸: 50 cm (W) x 60 cm (D) x 25 cm (H) 最大样品尺寸: 150 mm x 150 mm 真空样品吸盘 包含参考样品标准: HOPG, Au on Si, Al/Au-edge, Potential Check 可选配温度和湿度传感器

四硼酸锂晶体是新型非铁电压晶体材料,它兼具高声表面波有效耦合系数和低延迟温度系数等优点,可作为温度补偿型压电基片材料,并已在高频、高稳定度的SAW器件工业上应用。国内外均使用提拉法生长,其生长缺陷主要是芯区、条纹、开裂和散射颗粒。我所采用独创的坩埚下降法生长大直径(50～80mm)四硼酸锂,得到了无芯区、无条纹、无开裂和无散射的宏观完整晶体。我们的研究显示了潜在的效率，并为由波长为 1064 和 800 nm 的广泛高功率激光器及其谐波泵浦的 LB4 晶体中非线性产生太赫兹辐射提供了必要条件。 技术参数主要特性透光率, μm0.16 – 3.5非线性系数, pm/Vd31 = 2.0 d31 = 0.12对称度正方晶系, 4mm point group晶胞参数, ?a=12.818, b=6.404, c=10.596典型反射系数1064 nm 532 nmno=1.5980, ne=1.5432 no=1.6139, ne=0.5564光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)1离散角, ° (532 nm)1.9莫氏（Mohs）硬度4-5化学性能不吸湿光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig 20/10应用 表面声波元件（SAW）的基板YAG激光器的二次，三次，四次，五次谐波产生基于SHG和SFG可见辐射的高功率紫外光源。