爹氮化物

氮化学发光检测器Agilent 8255 氮化学发光检测器 (NCD) 是氮选择性检测器，对氮化合物呈等摩尔线性响应。检测原理是：采用不锈钢燃烧器使含氮化合物在高温下燃烧生成氮氧化物 (NO)。光电倍增管检测到由 NO 和臭氧发生连续化学发光反应而产生的光。因为反应的专属性，分析复杂样品基质也几乎没有干扰。● 用于气相色谱 (GC) 的氮特异性检测器● 皮克级检出限● 没有烃的淬灭● 对有机氮化物呈等摩尔线性响应● 对氨、肼、氰化氢和 NOX 有响应● 重新设计的燃烧头和检测器，NCD 也具有亚硝胺特定配置选项● 安捷伦还提供 8355 硫化学发光检测器 (SCD)

氮化物陶瓷涂层垂直电阻率测试仪、膜燃料电池炭纸电池炭纸、双极板垂直电阻率测试仪垂直方向电阻率测试仪主要用于膜燃料电池炭纸电池炭纸、双极板或其他材料的垂直电阻测量，以碳纤维作为原料生产的多孔性碳纸,，简称碳纸，具有透气性与导电性。炭纸垂直方向电阻率测试仪依据标准：GB/T20042.7质子交换膜燃料电池第7部分:炭纸特性测试方法GB/T20042.6质子交换膜燃料电池第6部分:双极板特性测试方法炭纸垂直方向电阻率测试仪试验原理：样品放置在两块电极之间，在电极两侧施加一定的压强，测试过程中仪器通过自动记录不同压强下的电阻值。垂直方向电阻率测试仪技术特点：1、触摸屏显示器实时显示试验值，自动完成测试。2、采用数字调速及精密减速机，驱动精密丝杠副进，实现速度的大范围调节，运行平稳。3、 采用高精度传感器，专业测控软件，测试精度高，可测试范围广，操作简单。4、标配微型打印机，可随时打印结果，可以统计多次试验结果，最大值，最小值，平均值。垂直方向电阻率测试仪技术参数：测量范围 ：（30～2000）N (0.05~5.0MPa) ；1μΩ-20kΩ分辨力 ：0.1N准确度 ：±0.5%电阻分辨率：1μΩ 、0.001mΩ试验速度： (1-300) mm/min样品面积：4cm 2上、下压板平行度： 0.025mm上、下压板直径 ：80 mm外形尺寸 ：430×350×710mm质量： 45kg电源 ：220V, 50Hz氮化物陶瓷涂层垂直电阻率测试仪、膜燃料电池炭纸电池炭纸、双极板垂直电阻率测试仪

智能蒸馏仪采用目前全新的远红外加热方法，具有热效率高、寿命长、起温和降温速度快、加热时间和加热功率可调等优点。仪器可外接循环水冷却装置。整个系统简洁、安装维护方便、使用方便，节能环保。广泛适用于环境监测、环保、疾控、水产、供排水、高校、科研院所、厂矿企业等各类化学实验室需要蒸馏处理的场所，如样品中的挥发酚、氰化、氨氮、凯氏氮等项目的蒸馏实验。 适用标准GB/T 5750.5-2006 生活饮用水标准检验方法 无机非金属指标 氰化物/挥发酚 GB 8538-2016食品安全国家标准 饮用天然矿泉水检验方法 HJ 1191-2021 水质 叠氮化物的测定分光光度法 HJ 537-2009 水质 氨氮的测定 蒸馏-中和滴定法 HJ 535-2009 水质氨氮的测定 纳氏试剂分光光度法HJ 536-2009 水质氨氮的测定 水杨酸分光光度法HJ 484-2009 水质 氰化物的测定 容量法和分光光度法 HJ 503-2009 水质 挥发酚的测定 4-氨基安替比林分光光度法 HJ 745-2015 土壤 氰化物和总氰化物的测定 分光光度法 HJ 833-2017 土壤和沉积物 硫化物的测定 亚甲基蓝分光光度法 HJ 717-2014 土壤质量 全氮的测定 凯氏法主要特征1、仪器机身采用框架一体式设计，稳固牢靠，主体采用1毫米厚度的品牌冷轧板配合静电粉末涂装，更加耐磨、耐腐蚀；2、从空开到触点，继电保护器到按钮开关等，选用正泰/德力西或同级别品牌电气，保证仪器品质和的使用寿命；3、控制模块采用PLC控制，性能强劲稳定；5寸液晶触摸屏反应灵敏，设置方便；4、加热单元采用远红外陶瓷加热碗加热，贴合度高，效率更高，更节能，同时具备防水防干烧功能；5、一次可同时对1-6个样品进行蒸馏，大大提高了工作效率，每个加热单元都可独立控制加热功率0-500w可调，可以预设加热时间；6、系统内部自带微沸模式，设定时间到点自动切换微沸模式；7、自带两路样品测温，能高精度实时监控烧瓶内样品的实时温度（可升级六路）8、特殊定制异形蒸馏冷凝管，冷凝效果好，标配专属冷水机；可以一键自动回流，冷凝水自动排空，防止长期不使用滋生细菌；9、自带冷凝管路清洗功能，实验结束后，可以针对馏出液管路进行一键反向冲洗；10、系统内自带说明书和服务中心二维码，手机扫码自动查看电子说明书和一键连接服务中心； ☆11、可升级6路氮气吹扫，能用于发泡样品蒸馏，也可实现针对食品中二氧化硫残留的蒸馏实验；☆12、可升级6路夹管阀实现每一路的防止过量蒸馏保护。

上海那艾实验仪器设备[那艾仪器厂家]网站 全国送货厂家一手货! 品质保证!实验仪器非电子产品,使用效率和售后服务很重要。我们同品质比价格,同价格比效率,同效率比售后。设备仪器属于精密设备 客户订单录档案 免费1年质量保质,任何问题提供配件保养维护上海那艾仪器专注以实验仪器设计、研发,生产,销售为核心的仪器企业,目前销售生产有一体化蒸馏仪,中药二氧化硫蒸馏仪,COD消解仪,高氯COD消解仪,硫化物酸化吹气仪,全自动液液萃取仪,挥发油测定仪等等。智能一体化蒸馏仪（立面款）（NAI-ZLY-6L）是根据实验室蒸馏预处理操作规程，集恒温加热、蒸馏终点自动控制、冷却水循环于一体的新型智能蒸馏处理装置。该仪器实验了精密控温、自动防倒吸、加热均匀、防暴沸、智能终点控制等功能。使用方便，节能环保。广泛适用于环境监测、环保、疾控、水产、供排水、高校、科研院所、厂矿企业等各类化学实验室需要蒸馏处理的场所。 适用标准GB/T 5750.5-2006 生活饮用水标准检验方法 无机非金属指标 氰化物/挥发酚GB 8538-2016 食品安全国家标准 饮用天然矿泉水检验方法HJ 1191-2021 水质 叠氮化物的测定分光光度法HJ 537-2009 水质 氨氮的测定 蒸馏-中和滴定法HJ 484-2009 水质 氰化物的测定 容量法和分光光度法HJ 503-2009 水质 挥发酚的测定 4-氨基安替比林分光光度法HJ 745-2015 土壤 氰化物和总氰化物的测定 分光光度法HJ 833-2017 土壤和沉积物 硫化物的测定 亚甲基蓝分光光度法HJ 717-2014 土壤质量 全氮的测定 凯氏法主要特征1、仪器机身采用框架一体式设计，稳固牢靠，主体采用1毫米厚度的品牌冷轧板配合静电粉末涂装，更加耐磨、耐腐蚀；2、从空开到触点，继电保护器到按钮开关等，选用正泰/德力西或同级别品牌电气，保证仪器品质和的使用寿命；3、PLC控制系统，性能强劲稳定；7寸液晶触摸屏反应灵敏，设置方便；4、采用碗状远红外陶瓷加热，红外线辐射加热（无明火、防水，耐干烧），导热效果佳；5、采用压力称重传感器控制蒸馏终点，可任意设置蒸馏体积重量（误差±1克），到量自动停止加热；6、带有防过量截止阀，实现自动精确定量，定量范围：1-500g（ml），整个实验过程无需人员看守，自动化程度高；7、冷却系统：外接专用冷水机，采用封闭式内循环回流系统，适合大批量样品连续工作，节能降耗；☆8、设有防真空电磁阀，自动识别瓶内压力，通过和夹管阀的配置，具有蒸出液防倒吸功能。9、接收装置不受限制，默认配置为容量瓶接收可根据实验要求更换其他器皿接收，托盘可灵活配置。☆10、自带冷凝管路清洗功能，实验结束后，可以针对馏出液管路进行冲洗；11、实验结束后可选择冷凝水自动排空功能，防止长期不使用滋生细菌；12、系统内自带说明书和服务中心二维码，手机扫码自动查看电子说明书和一键连接服务中心；13、可选配水蒸气发生器，针对蒸馏过程中需要导入水蒸气的蒸馏实验，即可升级成智能水蒸气蒸馏仪(NAI-ZLY-6F)使用。产品参数产品型号NAI-ZLY-6L 控制方式PLC；7寸触控屏加热方式远红外陶瓷加热，6路独立可控，有微沸设置加热功率0~500W功率可调升温时间5~8min（沸腾时间）蒸馏速度12ml/min蒸馏终点控制自动侦测蒸馏终点功能，自动停止加热蒸馏体积控制±2ml之内，自动化程度高冷却方式外接专用冷水机，环保节能防倒吸有夹管阀和泄压配合，具有防倒吸功能时间控制0~200min可调蒸馏瓶规格500mlx6个清洗方式有在线清洗功能冷凝水排空有冷凝水排空功能处理样品数1-6个功率3800W额定电压220V/50HZ尺寸大小930×490×442mm（不含支架）样品架配套6位500ml蒸馏瓶样品架

型号408一氧化氮校准源是一个便携式的，使人们得以实现任何一氧化氮检测仪的校准。该仪器收集从周围空气中一氧化氮并产生具有一氧化氮的混合比的取值范围为10-1,000ppb的零空气或空气。从易于使用的菜单旋转开关选择所需的一氧化氮浓度。总输出流量为3.0升/分钟的体积，和一氧化氮的混合比被控制成独立的环境温度、压力和湿度。您可以将一氧化氮校准源直接输出到任何一氧化氮监测仪的入口，通过一个一氧化氮收集器将排出多余的流量给校准源内部。除了便携性，该校准源的一个重要优点是它提供了含有相同水平的湿度的空气样本被测定已知浓度的环境空气中的一氧化氮。一氧化氮校准源工厂校准针对NIST-可追溯的标准。然而，校准参数可能会改变的情况下，用户在菜单中对维护一个单独的标准，即要重新校准无需校准源，无需校准源可作为传递标准。一氧化氮的校准源，可以使用，例如用于保持大量的一氧化氮监测仪的字段相对于一个高度稳定的实验室标准的校准。在这种情况下，一氧化氮的校准源一个巨大的优点是它的便携性。产品规格：一氧化氮产生方法：185nm光解的二氧化氮输出浓度：0或10-1000 PPB一氧化氮输出的精度和准确度：大于3 ppbv或读数的3％工作温度范围：0至40° C总输出流量：3升/分钟升华时间：30秒选定的浓度达到95％工作温度范围：大于3 ppb或读数的3％诊断数据输出：RS232电源要求12 V DC或120/240 V AC，21W大小： 9.4 X21.6 X24.1厘米重量： 2.4KG

我司具有软件、自动化和机械等整套研发人员，可依据客户需求，完成定制化设备的研发生产。客户在我司定制的第三代半导体材料氮化镓、碳化硅可用的新型快速退火炉，已在上海为客户装机调试完毕，如有需求，欢迎广大客户来电咨询定制氮化镓氮化硅快速退火炉的报价、型号、参数等。设备规格:6英寸快速退火炉；适应于2英寸-6英寸晶圆或者支持150mmx150mm样品；退火温度范围300℃-1400℃；升温速率≦150℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。应用领域:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；化合物合金（砷化镓、氮化物等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；高温退火；高温扩散。

SHNTI的X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作（即薄膜与光束成一定角度）时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线（上海光源透射成像/能谱线站）、TEM、SEM、IR、UV等。现在SHNTI可以提供X-射线显微成像/能谱（同步辐射）用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下：外框尺寸 (4种标准规格):5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm 或 2.5 mm)10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm 或 5 mm 方形)边框厚度： 200μm、381μm、525μm。Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nmSHNTI也可以为用户定制产品（30-500nm），但要100片起订。本产品为一次性产品，SHNTI不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。与X射线用氮化硅窗口类似，透射电镜（TEM）用氮化硅薄膜窗口也使用低应力氮化硅薄膜基底。但整体尺度更小，适合TEM装样的要求。窗口有单窗口和多窗口阵列等不同规格。同时SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。现在SHNTI可以提供透射电镜（TEM）用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下：外框尺寸:3 mm x 3 mm (窗口尺寸：0.5 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：100 nm) 边框厚度： 200μm、381μm。Si3N4薄膜厚度： 50nm、100nmSHNTI也可以为用户定制产品(30-200nm)，但要100片起订。本产品为一次性产品，SHNTI不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标：表面平整度：我们认为薄膜与其下的硅片同样平整， TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度为：0.6-2nm。完全适用于TEM表征。亲水性该窗格呈疏水性，如果样品取自水悬浮液，悬浮微粒则不能均匀地分布在薄膜上。用等离子蚀刻机对薄膜进行亲水处理，可暂时获得亲水效果。虽然没有对其使用寿命进行过测试，但预期可以获得与同样处理的镀碳TEM网格相当的寿命。我们可以生产此种蚀刻窗格，但无法保证其使用寿命。如果实验室有蚀刻工具也可对其进行相应的处理提高其亲水性能。温度特性：氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。化学特性：氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。应用简介和优点：1、 适合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的对同一区域的交叉配对表征。2、 大窗口尺寸，适合TEM大角度转动观察。3、 无碳、无杂质的清洁TEM观测平台。4、 背景氮化硅无定形、无特征。5、 耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，（薄膜直接沉积在窗口上）。6、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。。7、 耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。8、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。氮化硅薄膜应用范围非常广，甚至有时使不可能变为可能，但所有应用都有无氮要求（因样本中有氮存在）：惰性基片可用于高温环境下，通过TEM、SEM或AFM（某些情况下）对反应进行动态观察。作为耐用基片，首先在TEM下，然后在SEM下对同一区域进行“匹配”。作为耐用匹配基片，对AFM和TEM图像进行比较。聚焦离子束（FIB）样本的装载，我们推荐使用多孔薄膜，而非不间断薄膜。许多研究纳米微粒，特别是含氮纳米微粒的人员发现此种薄膜窗格在他们实验中不可缺少。气凝胶和干凝胶的基本组成微粒尺寸极小，此项研究人员也同样会发现氧化硅薄膜窗格的价值。优点：&bull SEM应用中，薄膜背景不呈现任何结构和特点。&bull x-射线显微镜中，装载多个分析样的唯一方法。&bull 无氮高温应用，氮化硅薄膜在1000°C高温下仍能保持稳定的性能。使用前清洁：氮化硅薄膜窗格在使用前不需进行额外清洁。有时薄膜表面边角处会散落个别氧化物或氮化物碎片。由于单片网格需要从整个硅片中分离，并对外框进行打磨，因此这些微小碎片不可避免。尽管如此，我们相信这些碎片微粒不会对您的实验产生任何影响。如果用户确实需要对这些碎片进行清理，我们建议用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清洁有机物，用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清洁金属。通常不能用超声波清洗器清洁薄膜，因超声波可能使其粉碎性破裂。详细情况，您可以与我们取得联系。我们为您一一解答。

BCT 960SN 硫氮化合物进样系统，用于工业芳烃、轻质烯烃中总硫、总氮等有机卤素工业高压样品的稀释进样。进样器采用定量环填充进样方式，标准定量环是25ml，定量环可以进行选配。能够实现工业气体样品高浓度稀释功能，稀释倍数2-2000倍，不需要存储装置（罐子），降低存储过程中的吸附，更适合易吸附的物质（硫化物，甲醛，甲酸）低浓度稀释。采用限流器结合高精度压力控制装置进行流量控制，不使用质量流量计，避免交叉污染，避免气体基质改变而造成偏差， 稀释精度高，结果更准确。样品流路全部惰性化处理，惰性涂覆技术经过严格的惰性测试，无吸附、无残留、无交叉污染，供货时提供惰性涂覆的测试报告。传输线加热温度可到200℃。适用于工业气体、采样袋、采样罐、真空采样瓶进样。

Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE——用于IC器件开发和制造的多模薄膜计量学想了解相关产品，可联系上海尔迪仪器科技有限公司，拨打电话021-61552797FilmTek&trade 6000标准杆数-SE先进的多模薄膜计量系统在1x nm设计节点和更高的位置为广泛的薄膜层提供生产验证的薄膜厚度、折射率和应力测量监测。该系统能够在新一代集成电路的生产过程中实现更严格的过程控制，提高器件产量，并支持下一代节点技术的开发。制造1x nm的先进IC器件需要使用高度均匀的复合膜。能够监测非常薄的薄膜的计量工具，通常在多层膜堆叠中（例如，高k和氧化物-氮化物-氧化物膜），使制造商能够保持对膜构建过程的严格控制。此外，一些工艺，如多重图案化，会导致薄膜厚度的梯度，必须对其进行监控，以获得佳器件性能（例如，注入损伤和低k薄膜）。不幸的是，现有的计量工具依赖于传统的椭偏测量或反射测量技术，其检测这些应用的薄膜梯度变化的能力有限。为了克服这些挑战，FilmTek 6000标准杆数-SE将光谱椭圆偏振仪和DUV多角度极化反射仪与宽光谱范围相结合，以满足与多图案和其他前沿器件制造技术相关的需求。该系统采用我们多角度差分偏振（MADP）和差分功率谱密度（DPSD）技术，可独立测量薄膜厚度和折射率，显著提高其对薄膜变化的灵敏度，尤其是多层堆叠中的变化。这种组合方法对于用于复杂器件结构的超薄和厚膜叠层都是理想的。技术规格膜厚范围0 &angst to 150 µ m膜厚精度±1.0 &angst for NIST traceable standard oxide 100 &angst to 1 µ m光谱范围190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)光斑尺寸的测量50 µ m样本量2 mm - 300 mm (150 mm standard)光谱分辨率0.3 nm - 2nm光源Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime)探测器类型2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR)ComputerMulti-core processor with Windows&trade 10 Operating System测量时间~2 sec per site (e.g., oxide film) 性能规格Film(s) 厚 测量参数精确 (1σ)氧化物/硅0 - 1000 &angst t0.03 &angst 1000 - 500,000 &angst t0.005%1000 &angst t , n0.2 &angst / 0.000115,000 &angst t , n0.5 &angst / 0.0001150.000 &angst t , n1.5 &angst / 0.00001氮化物/硅200 - 10,000 &angst t0.02%500 - 10,000 &angst t , n0.05% / 0.0005光致抗蚀剂/硅200 - 10,000 &angst t0.02%500 - 10,000 &angst t , n0.05% / 0.0002多晶硅 / 氧化物/硅200 - 10,000 &angst t Poly , t Oxide 0.2 &angst / 0.1 &angst 500 - 10,000 &angst t Poly , t Oxide0.2 &angst / 0.0005

产品名称：氮化镓(GaN)薄膜产品简介：氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。 技术参数： 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. 0001±1° N型注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。产品定位C轴0001±1°传导类型N型；半绝缘型；P型电阻率R0.05 Ohm-cm；半绝缘型R106 Ohm-cm位错密度1x108 Cm-2表面处理(镓面)AS Grown有效值1nm可用表面积90%标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

氮化镓晶片生产厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片，衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um，4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂，N型硅掺杂及镁掺杂。蓝宝石氮化镓晶片包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。蓝宝石氮化镓衬底晶片尺寸：2 inch 50.8mm±1mm蓝宝石衬底厚度：430um衬底结构：GaN-On-Sapphire掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°位错密度：≤5x108cm-2包装方式：晶圆盒或Cassette盒抛光要求：单抛/双抛氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

FR-uProbe是涂层表征应用的解决方案，要求光斑尺寸小至极小微米，例如微图案表面，具有不规则表面的样品，其表现出高水平的散射光和许多其它。使用FR-uProbe，在UV / Vis / NIR上的局部薄膜厚度，光学常数，反射率，透射率和吸光度测量只需点击即可。白光反射光谱（WLRS）测量在一定波长范围内从薄膜或多层叠堆反射的光量，入射光垂直于（垂直于）样品表面。通过来自界面的干涉产生的测量的反射光谱用于确定自支撑和支撑（在透明或部分/全反射基板上）薄膜堆叠的厚度，光学常数（n和k）等。应用o大学和研究实验室o半导体（氧化物，氮化物，硅，抗蚀剂等）o MEMS器件（光刻胶，硅膜等）o LEDo数据存储o阳极氧化o弯曲基板上的硬/软涂层o聚合物涂料，粘合剂等o生物医学（聚对二甲苯，气球壁厚等）特征o 单击分析（无需初始猜测）o 动态测量o 集成USB摄像头o 保存视频进行演示o 350+不相同的材料o 3年免费软件更新o 在Windows 7/8/10上运行

产品名称：氮化铝(AlN)薄膜产品简介：AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！技术参数：尺寸 dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向 c轴（0001)±1.0deg衬底： Al2O3 SiC GaN薄膜厚度：10-5000nm导电类型： 半绝缘型位错密度：XRD FWHM of 0002500arcsec XRD FWHM of 10-121500arcsec 有效面积：80%抛光：单抛光 产品规格： 氮化铝(蓝宝石衬底)：dia2"*1500nm±10% 注：可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： SapphireGaNOther AlN templateZnO金刚石刀真空吸笔系列基片包装盒系列旋转涂层机

产品名称：氮化镓(GaN)晶体基片产品简介：GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数：制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R0.5 Ω.cm；R106Ω.cm表面粗糙度：0.5nm位错密度：5x106Ω.cm可用表面积：90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格：晶体方向: 0001 常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品： Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

联系我们：X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述： X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下： 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度： 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm)，但要100片起订。 本产品为一次性产品，不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标： 透光度： 对于X射线用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，对于软X射线(例如碳边吸收谱)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性： 真空适用性数据如下：　 薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度： 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm)，对于X射线应用没有任何影响。 温度特性： 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性： 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点： 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压 厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。联系我们：

3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析. 沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程 蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁.3D NAND 工艺概述工艺步骤 堆叠沉积: 交替氧化物（蓝色）和氮化物（绿色）薄膜沉积（每个堆叠 200 对） 通道蚀刻: 沉积硬掩模, 形成开口, 高纵横比通道贯穿所有层（每个晶片1 万亿个孔） 阶梯蚀刻: 字线的接触焊盘是使用产生阶梯结构的受控蚀刻来创建的. ASTON 优势 均匀的厚度对电气性能至关重要. Aston™ 质谱分析仪可实现厚度控制, 层定义和化学计量工程. 高纵横比通道孔需要从上到下完整且均匀, 没有弯曲或扭曲. Aston™ 质谱能够在腔内测量蚀刻反应物. 蚀刻轮廓控制精度（埃）. 蚀刻深度能力（微米）.Aston™ 质谱仪通过动态测量化学物质来实现蚀刻 工艺步骤 狭缝蚀刻: 沉积硬掩模层, 形成硬开口图案, 蚀刻狭缝以分离通道孔列. 这将创建一个存储单元阵列. 字线沉积: 在一些 3D NAND 方案中, 去除氮化物层, 然后使用由内向外的原子层沉积工艺（紫色）创建钨字线. 晶圆上最终 3D NAND 结构的横截面 ASTON优势 Aston™ 质谱仪通过连续测量反应物来实现蚀刻的均匀性和精度. 去除氮化层并填充钨. Aston™ 质谱仪实现了分子水平的控制. 来源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM Aston™ 质谱仪优势ppb 级灵敏度的高速采样非常适合高纵横比的 3D 结构耐腐蚀性气体, 坚固紧凑易于集成到工具平台中沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁 Atonarp Aston™ 质谱分析仪技术参数类型Impact-300Impact-300DPPlasma-200Plasma-200DPPlasma-300Plasma-300DP型号AST3007AST3006AST3005AST3004AST3003AST3002质量分离四级杆真空系统分子泵分子泵隔膜泵分子泵分子泵隔膜泵分子泵分子泵隔膜泵检测器FC /SEM质量范围2-2852-2202-285分辨率0.8±0.2检测限0.1 PPM工作温度15-35“℃功率350 W重量15 kg尺寸299 x 218 x 331 LxWxH(mm)400 x 240 x 325 LxWxH(mm)若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

脉冲等离子PulsPlasma系统包括真空炉室，辅助加热系统，保温系统，温度测量系统，钟罩提升系统，工艺气体循环系统，冷却系统，工艺控制系统以及离子发生器系统。这其中的离子发生器系统是普发拓普公司的设计，可以完全避免打弧现象的发生而且节能效果明显。炉体可以是钟罩式设计，也可以是井式炉或卧式设计。根据设备的大小，加热控制区至少配有三组独立控制升温和降温的加热器，通过这些独立控制的加热器获得较好的均温性。工艺特点：通过热壁技术实现良好的均温性工艺气体消耗少，没有污染气体灵活的渗氮温度，温度范围 300 ℃ - 800 ℃白亮层可控可处理不锈钢可处理烧结钢可以在同一炉工艺集成脉冲离子氮化-氧化工艺 设备特点：不产生打弧，工件表面无破坏加热和控制系统，至少3区独立的加热和冷却区域控制区温度均匀分布PulsPlasma电源，电压和电流近乎方波，几微妙内获得设定的全部脉冲电流，主动抑制打弧监测（开关时间 0.1 μs）电源可升级至5年质保可在低温下对工件表面进行等离子清洗设备布局紧凑，节省空间，所有部件集成在一个基础框架内模块化设计，提供单室型、交替型和双室型设备特殊航天保温材料，热容量低，功率损耗低，节省重量

SG系列原位芯片生产的TEM氮化硅膜窗格SG系列由先进的微电子工艺打造，可用于微纳米样品高分辨电镜观测。此款窗格为3mm外径的八边形，适用于所有TEM样品杆，为适用于多种实验条件，原位芯片为科研人员提供了单窗格，多窗格及微孔窗格三种标准产品。氮化硅膜采用低应力技术（250MPa），化硅膜薄透且不易破损，非常适合于前沿的生物、材料、物理、化学等方面的研究。 产品应用• 搭载TEM、SEM、AFM、拉曼和XRD等设备的样品。超薄的氮化硅膜可以为您提供稳定的样品观测平台；• 可适用于需要加热处理的样品观测，本产品可耐受约1000℃高温；• 可适用于需要化学处理的样品观测，可以耐受盐酸、硫酸和强碱的腐蚀；• 可用于生物样品观测，氮化硅薄膜具有良好的生物亲和性；• 可适用于需要避C/Cu等元素的样品观测，载网表面无碳元素薄膜；• 可用于TEM、SEM、AFM、拉曼、XRD和同步辐射等设备的单一以及联合交叉检测。 技术参数SG同步辐射氮化硅薄膜窗口外框项目参数外框参数材料N/P 型硅片 电阻率1~10Q*cm氮化硅项目 参数 氮化硅项目 参数材料 LPCVD 氮化硅 应力250MPa介电常数6-7介电强度10 (106V/cm）电阻率1016Ω*cm粗糙度（Ra)0.28±5% nm杨氏模量270Gpa 粗糙度(Rms)0.40±5% nm 产品型号产品编号膜厚窗口尺寸SG010Z10nm0.10×0.10mmSG015Z10nm0.15×0.15mmSG025Z10nm0.25×0.25mmSG050Z10nm0.50×0.50mmSG025A15nm0.25x0.25mmSG050A15nm0.5x0.5mmSG100A15nm1x1mmSG025B30nm0.25x0.25mmSG050B30nm0.5x0.5mmSG100B30nm1x1mmSG025C50nm0.25x0.25mmSG050C50nm0.5x0.5mmSG100C50nm1x1mmSG050D100nm0.5x0.5mmSG025E200nm0.25x0.25mmSG050E200nm0.5x0.5mm每盒包含10枚芯片

TE系列：原位芯片X-Ray氮化硅薄膜窗口TE系列，为满足科研人员对样品的观测需求，苏州原位芯片采用先进的微电子工艺，设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜(SEM)的标准氮化硅膜窗格。苏州原位芯片氮化硅膜窗格具有高洁净度，高X-射线透射性，低应力，高强度且膜厚均匀一致的特性，适用于高温(～1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。 产品应用纳米材料，半导体材料，光学晶体材料，功能薄膜材料胶体，气凝胶，有机材料和纳米颗粒的表征实验含碳样品分析（光阻剂，聚合物，食品，油品，燃料等)用于化学反应及退火效应的原位表征作为生物、细胞载体技术参数TE同步辐射氮化硅薄膜窗口外框项目参数外框参数材料N/P 型硅片 电阻率1~10Q*cm氮化硅项目 参数 氮化硅项目 参数材料 LPCVD 氮化硅 应力250MPa介电常数6-7介电强度10 (106V/cm）电阻率1016Ω*cm粗糙度（Ra)0.28±5% nm折射率@630nm2.15-2.17 粗糙度(Rms)0.40±5% nm 产品型号产品编号膜厚窗口尺寸框架大小TE025Z10nm0.25x0.25mm5x5mmTE050Z10nm0.5x0.5mm5x5mmTE025Y20nm0.25x0.25mm5x5mmTE050Y20nm0.5x0.5mm5x5mmTE025A30nm0.25x0.25mm5x5mmTE050A30nm0.5x0.5mm5x5mmTE100A30nm1x1mm5x5mmTE025B50nm0.25x0.25mm5x5mmTE050B50nm0.5x0.5mm5x5mmTE100B50nm1x1mm5x5mmTE150B50nm1.5x1.5mm5x5mmTE200B50nm2x2mm5x5mmTE025C100nm0.25x0.25mm5x5mmTE050C100nm0.5x0.5mm5x5mmTE100C100nm1x1mm5x5mmTE150C100nm1.5x1.5mm5x5mmTE200C100nm2x2mm5x5mmTE75050C100nm0.5x0.5mm7.5x7.5mmTE75200C100nm2x2mm7.5x7.5mmTE100300C(5pcs)100nm3x3mm10x10mmTE100500C(5pcs)100nm5x5mm10x10mmTE010D200nm0.1x0.1mm5x5mmTE025D200nm0.25x0.25mm5x5mmTE050D200nm0.5x0.5mm5x5mmTE100D200nm1x1mm5x5mmTE150D200nm1.5x1.5mm5x5mmTE200D200nm2x2mm5x5mmTE250D200nm2.5x2.5mm5x5mm每盒包含10枚芯片

英国Ellutia 800系列氮化学发光检测器(NCD)自进入市场以来，由于其极高的灵敏度和对含氮化合物的高选择性，已成为亚硝胺类化合物检测的行业标准，主要应用于烟草和食品行业特定物质检测。热能分析仪设计小巧，操作便捷，维护简单，是专一性极强的气相色谱检测器。运行原理由带有先进电子流量控制系统的高性能毛细管气相色谱仪和高温裂解装置串联使用，催化裂解释放出亚硝酰基(NO)，经特异性亚硝基专属检测器进行检测。产品特点高灵敏度N响应级别可达pg级：2pg线性好：104信噪比高：3∶1 强选择性实现含氮化合物的特异性响应：N/C107，用于复杂化合物分析或痕量物质检测 多操作模式可选硝基/亚硝基模式或含氮化合物模式 典型应用烟草烟雾中特有亚硝胺化合物测定食品、酒类在生产和仓储中的质量控制食品接触类橡胶制品中亚硝胺类检测空气、水体等环境分析弹药痕迹、爆炸物碎片等刑侦检测医学研究，分析血液中的痕量物质

美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物，SiGe4’’SM-6Si，Ge，金属4’’或6’’S-8Si，Ge，介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源，裂解源，RF源，电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

我们提供了一套完整的MOCVD，主要产品包括台式研发型、中试型和生产型。其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统。应用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半导体等提供适用不同材料研究需要的反应器：透明导体氧化物（TCO）应用于LCD、太阳能电池、透明加热器、电极、LED、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系统MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD系统储存器 (DRAM & NVRAM)介电/钝化材料应用于栅极、介电层、铁电、高频设备、钝化、保护层等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系统波导, 光电, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统其他材料如：超导、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统金属及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...半导体: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...高介电材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...铁电材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…超导材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …压电材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性钛酸铅...金属:Pt, Cu,...巨磁阻材料...热涂层, 阻挡层, 机械涂层, 光学材料...我们提供了从桌面型反应器（针对研究和提高的需要）到自动化生产系统。出于材料变化种类的适应性和经济价格的考虑，对任何研究人员来说桌面型反应器是最合适的选择，而且也极容易升级为量产型。科研型MOCVD设备，包含液体直接注入ALD工艺，同一腔室完成沉积和退火。-更低的设备及使用成本、更少的前驱体源使用、更小的腔体尺寸、跟高的薄膜沉积品质！-非常适合高校及研究所科研使用！仪器参数：1/ 1~4英寸MOCVD系统；2/ 专为满足科研单位需求而设计；3/ MOCVD系统可在不同基底上，以MOCVD方式，在固体、液体有机金属基源上沉积氧化物、氮化物、金属、III-V 和 II-VI膜层；4/ MOCVD配有前驱体直接处理单元，可在大范围内使用MO源，用于外延材料的研发和制备；5/ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺；性能及特点：1， 温度范围: 室温至1200°C ；2， 带质量流量控制器的气体混合性能；3， 真空范围: ~ 10-3 Torr，可选配高真空；4， 选配手套箱；5， 已被客户广泛接受6， 坚固耐用7， 可靠性高8， 良好的可重复性9， 经济适用

氮化硅弹珠可提高胰腺消化效率，同时防止胰腺与腔室系统同步移动。 这些弹珠还能够增加胰腺组织在腔室系统内的分散程度。 弹珠尺寸：直径15.875mm 9个/包，无菌包装，供一次性使用。

脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统美国BlueWave公司是半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统，包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。1、脉冲激光沉积系统产品特点：◆ 电抛光多空不锈钢超高真空腔体◆ 可集成热蒸发源或溅射源◆ 可旋转的耐氧化基片加热台◆ 流量计或针阀控制气体流量◆ 标准真空计◆ 干泵与涡轮真空泵◆ 可选配不锈钢快速进样室 ◆ 可选配基片-靶材距离自动控制系统◆ 可制备：金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格等。 2、物理气相沉积系统（Physical Vapor Deposition Plus）产品特点◆ 超高真空不锈钢腔体◆ 电子束、热蒸发、脉冲激光沉积可集成◆ 立衬底加热，可旋转◆ 多量程气体流量控制器◆ 标准气压计◆ 机械、分子、冷凝真空泵可选不锈钢快速进样室◆ 衬底和源距离可控◆ 可用于金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜 3、热化学气相沉积系统（TCVD）产品特点◆ 高温石英管反应器设计◆ 温度范围：室温到1100℃◆ 多路气体控制◆ 标准气压计◆ 易于操作◆ 可配机械泵实现低压TCVD◆ 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜◆ 液体前驱体喷头◆ 2英寸超大温度均匀区4、热丝化学气相沉积系统（HFCVD）产品特点：◆ 水冷不锈钢超高真空腔◆ 热丝易安装、更换 ◆ 4个不同量程气体控制器◆ 标准气压计◆ 衬底与热丝距离可调节◆ 2英寸衬底加热、可旋转 ◆ 制备金刚石和石墨烯

产品名称：天然六方氮化硼单晶BN技术参数：纯度：99.5%常规尺寸：0.6-1mm订购数量：≥20片/盒

一、 产品介绍：在实验室中蒸馏操作是非常常见且又十分重要的前处理步骤，传统的蒸馏设备，其加热、蒸馏、冷凝、接收部分等各自独立，操作繁琐，效率较低；且由于缺乏蒸馏时间控制，常导致蒸馏失败，影响工作效率，而且明火加热极易爆瓶，操作危险，电热套加热效率又过低且不防水，针对这些需求采用一体化设计理念，使用定制的远红外陶瓷加热装置代替大功率电加热器，同时采用温控器来实现温度控制和蒸馏时间控制、通过外接冷却水自动降温及回流装置手段，实现了操作简单、自动蒸馏、美观实用、节能降耗等目的，同时极简化设计实现了设备低成本，是实验室蒸馏装置的性价比之选。二、 工作原理：纯的液态物质在一定压力下具有确定的沸点，不同的物质具有不同的沸点。蒸馏操作便是利用不同物质的沸点差异对液态混合物进行分离和纯化。当液态混合物受热时，由于低沸点物质易挥发，首先被蒸出，而高沸点物质因不易挥发或挥发出的少量气体易被冷凝而滞留在蒸馏瓶中，从而使混合物得以分离。不过，只有当组分沸点相差在30℃以上时，蒸馏才有较好的分离效果。如果组分沸点差异不大，便需要采用分馏操作对液态混合物进行分离和纯化。需要指出的是，具有恒定沸点的液体并非都是纯化合物，因为有些化合物相互之间可以形成二元或三元共沸混合物，而共沸混合物是不能通过蒸馏操作进行分离的。通常，纯化合物的沸程(沸点范围)较小(约0.5～l℃)，而混合物的沸程较大。因此，蒸馏操作既可用来定性地鉴定化合物，也可用以判定化合物的纯度。三、 适用范围：可广泛用于环保、食品检测、疾控、供排水、高校、科研院所、厂矿企业等各化验室需要蒸馏处理的场所四、 适用标准：1. GB/T 5750.5-2006 生活饮用水标准检验方法 无机非金属指标 氰化物/挥发酚2. GB 8538-2016食品安全国家标准 饮用天然矿泉水检验方法3. HJ 1191-2021 水质 叠氮化物的测定分光光度法4. HJ 537-2009 水质 氨氮的测定 蒸馏-中和滴定法5. HJ 535-2009 水质氨氮的测定 纳氏试剂分光光度法6. HJ 536-2009 水质氨氮的测定 水杨酸分光光度法7. HJ 484-2009 水质 氰化物的测定 容量法和分光光度法8. HJ 503-2009 水质 挥发酚的测定 4-氨基安替比林分光光度法9. HJ 745-2015 土壤 氰化物和总氰化物的测定分光光度法五、主要特点：1. 可外接循环水冷却装置；2. 系统简洁、安装维护方便、使用可靠；3. 具有热效率高、寿命长、起温和降温速度快、加热时间和加热功率可调等优点。六、产品参数：主要参数参数范围蒸馏单元个数6 个远红外陶瓷加热炉显示方式数字显示、按键操作加热方式红外线辐射加热（防水、无明火）升温时间5-8min蒸馏速度2~12ml/min时间控制有最大功率650W*6额定电压AC ～220V/50HZ温度控制有单点单控有蒸馏瓶规格500ml×6回收瓶规格100ml×6制冷方式外接水源连接的制冷方式主机外形尺寸688mm×810mm×500mm裸机重量约30kg七、产品配件：

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

Bruker FilmTek CD椭偏仪——多模态临界尺寸测量和先进薄膜计量学想了解相关产品，可联系上海尔迪仪器科技有限公司，拨打电话021-61552797 FilmTekTM CD光学临界尺寸系统是我们的领先解决方案，可用于1x nm设计节点及更高级别的全自动化、高通量CD测量和高级薄膜分析。该系统同时提供已知和完全未知结构的实时多层堆叠特性和CD测量。FilmTek CD利用多模测量技术来满足与开发和生产中最复杂的半导体设计特征相关的挑战性需求。这项技术能够测量极小的线宽，在低于10纳米的范围内进行高精度测量。依赖传统椭圆偏振仪或反射仪技术的现有计量工具在实时准确解析CD测量的能力方面受到限制，需要在设备研究和开发期间生成繁琐的库。FilmTek CD通过获得多模态测量技术克服了这一限制，该技术甚至为完全未知的结构提供了精确的单一解决方案。FilmTek CD包括具有快速、实时优化功能的专有衍射软件。实时优化允许用户以最小的设置时间和配方开发轻松测量未知结构，同时避免与库生成相关的延迟和复杂度。 测量能力：厚度、折射率和光盘计量未知薄膜的光学常数表征超薄膜叠层厚度广泛的关键尺寸测量应用，包括金属栅极凹槽、高k凹槽、侧壁角、抗蚀剂高度、硬掩模高度、沟槽和接触轮廓以及间距行走 系统组件：标准： 可选： 用于在1x nm设计节点及更远处实时多层堆叠特性和CD测量的多模测量技术具有专有严格耦合波分析（RCWA）的 多角度散射测量正入射椭圆偏振光谱法旋转补偿器设计的光谱广义椭圆偏振法（4×4矩阵广义法）多角度、DUV-NIR偏振光谱反射（Rs、Rp、Rsp和Rps）全CD参数测量，包括周期、线宽、沟槽深度和侧壁角度独立测量薄膜厚度和折射率抛物面镜技术–在50×50µm功能范围内测量小光斑尺寸快速、实时优化允许以最短的设置时间实现广泛的应用程序（无需生成库）模式识别（Cognex）盒式到盒式晶片处理FOUP或SMIF兼容SECS/GEM为了适应广泛的预算和最终用途应用，该系统还可作为手动负载、台式设备用于研发 典型应用包括：半导体研发与生产技术规格膜厚范围0 Å to 150 µm膜厚精度NIST可追溯标准氧化物的±1.0Å，100Ç至1µm光谱范围190 nm - 1000 nm (220 nm - 1000 nm is standard)光斑尺寸的测量50 µm光谱分辨率0.3 nm光源调节氘卤素灯（寿命2000小时）探测器类型2048像素索尼线阵CCD阵列电脑带Windows的多核处理器™ 10操作系统测量时间~2 sec (e.g., oxide film) 性能规格 Film(s)厚测量参数精确 (1σ)氧化物/硅0 - 1000 Åt0.03 Å1000 - 500,000 Å t0.005%1000 Åt , n0.2 Å / 0.0001 15,000 Åt , n0.5 Å / 0.0001150.000 Åt , n1.5 Å / 0.00001氮化物 /硅200 - 10,000 Åt0.02%500 - 10,000 Åt , n0.05% / 0.0005光刻胶 / 硅200 - 10,000 Åt0.02%500 - 10,000 Åt , n0.05% / 0.0002多晶硅 /氧化物/硅 200 - 10,000 Åt Poly , t Oxide0.2 Å / 0.1 Å500 - 10,000 Åt Poly , t Oxide0.2 Å / 0.0005

在以前，实验室使用电子显微镜观测样品做实验使用的耗材，这些氮化硅薄膜观测窗口基本都是从国外进口。耗材成本先不说，就购买的时间成本是非常长的。如果实验数据不是很理想，还要花时间和费用去购买耗材，非常不便捷。 为了打破这种垄断，在电镜氮化硅薄膜观测窗口的国产化上，国内科研人员也是花费了时间和精力去开发和生产。目前，原位芯片提供的显微镜氮化硅薄膜观测窗口已经可以取代进口，广泛用于高校、科研机构，也远销国外，成为实验室“好帮手”。原位芯片可以提供多种电镜氮化硅薄膜观测窗口，其中微孔氮化硅薄膜窗口主要是ME/NE系列。 ME/NE系列原位芯片生产的微孔/纳米孔氮化硅薄膜窗口均在百级洁净环境中制备，在窗口薄膜上利用MEMS工艺制备不同孔径大小的阵列，方便研究人员用于特殊样品观测。目前苏州原位芯片已推出以下标准微孔/纳米孔氮化硅薄膜窗口，如客户有其他微孔/纳米孔薄膜窗口需求，原位芯片可提供开发定制。 定制服务原位芯片拥有一支超过10年MEMS工艺经验的团队，拥有完整的设计，制造和测试能力。如您的实验需要更多定制化，高质量，高可靠性的氮化硅薄膜窗口，欢迎随时联系我们。为什么要选择原位芯片定制服务

氮化硅浆料是一种由氮化硅粉末和有机胶粘剂混合而成的浆料。氮化硅是一种耐高温、耐腐蚀和高机械强度的陶瓷材料，具有优异的绝缘性能和导热性能，在电子、光电、航空航天等领域有广泛应用。氮化硅浆料常用于制备氮化硅陶瓷部件，如氮化硅保护管、氮化硅密封件、氮化硅电子封装等。浆料的特点是可塑性好，可通过注浆、喷涂等工艺形成复杂形状的氮化硅零件，并在高温下烧结成致密的氮化硅陶瓷材料。氮化硅浆料亲和性分析仪产品简介：氮化硅浆料亲和性分析仪，配有专业的测试软件，方便快捷，人性化的软件操作确保高效的测试效率。 氮化硅浆料亲和性分析仪在外观设计、硬件配置、软件操作方面融合了先进的技术并不断升级，确保了卓越的产品性能与友好的客户体验的完美结合。 氮化硅浆料亲和性分析仪产品功能：1. 悬浮液体系颗粒湿式比表面积2. 粒子分散性、稳定性评估3. 颗粒与介质之间亲和性评价4. 粉体质量控制、分散工艺、研磨工艺研究5. 表面活性剂含量分析6. 顺磁铁磁性杂质识别7. 颗粒改性增强效果评价氮化硅浆料亲和性分析仪应用领域：1）制陶术：湿式制程、加工工艺改善, 分散性的质控和研发2）纳米科技：纳米粒子表面的化学状态, 如: 吸附和脱附作用, 比表面积的变化 等3）电子材料：浓稠状浆料和研磨液 (CMP) 的开发及品管4）墨水：碳黑、颜料分散, 最适研磨条件, 表面亲和性及化学和物理状态5）能源：电池, 太阳能板等的碳黑, 纳米碳管和浆料的分散, 粒子表面的化学和物理状态6）制药：API湿润性、亲和性及吸水性的差异7）其他: 全部的浓稠分散悬浊液体, 纳米纤维, 纳米碳等氮化硅浆料亲和性分析仪性能优势：1. 制样简单，无有毒溶剂 2. 快速 3. 非光学方法，可测不透光样品 4. 具有统计意义的结果 5. 样品可重复测量 6. 由未经培训的人员进行测量 7. 可现场测试 氮化硅浆料亲和性分析仪应用案例：斜率越大亲和性越强