电子束感生电流

品牌： GATAN名称型号：Gatan SmartEMIC 电子束感应电流测量系统制造商： GATAN公司经销商：欧波同有限公司 产品综合介绍： 产品功能介绍EBIC分析系统，可以实时软件控制全自动采集电子束感生电流（EBIC）信号，获得EBIC图像信息，还可以获得IV曲线信息，最终可以测试PN结位置，宽度，少子扩散长度，材料或器件的失效点定位，广泛应用于电子半导体领域。品牌介绍美国GATAN公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。GATAN公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商，其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学，能源科学等领域， 客户范围涵盖全球的科研院所，高校，各类检测机构及大型工业企业实验室，并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍 欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商，是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业，总部位于香港，分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、GATAN扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴，公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念，与蔡司，GATAN品牌强强联合，正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。产品系统特点：高性能、地噪声EBIC系统，进行定量EBIC测量。界面友好的智能分析软件运行于DigitalMicrograph软件平台。用于SEM的SmartEBIC 系统包括：?计算机控制的、充电电池供电的EBIC放大器?高级EBIC样品座(ASH)，并配有可调节的钨探针以进行台式接触。配以适当的Gatan适配器还可以通过空气锁来装载试样*? 与SEM样品台接口?链接插座及4个BNC型的电缆链接，低噪声这空馈通，适于EBIC和电子束流的测量?具有Fireware技术的DigiScan II数字电子束控制系统。它包括两个模拟输入，可同时采集摄影质量的图像，并可灵活控制像素强度、每点驻留时间、扫描旋转等。对于某些SEM，它还可以通过软件通讯SEM的操作参数。?配有先进的SmartEBIC应用插件的Digital Micrography软件，以进行定量测量、线性轮廓的实时和后处理分析 产品主要技术参数： SmartEBIC可以对EBIC信号进行自动控制采集和定量分析: 扫描控制系统: 1、1-, 2- or 4-比特数据采集提供了超大的动态范围 2、从 16 x 1 至 8000 x 8000 像素扫描分辨率 3、电子束停留时间，在0.5毫秒/像素到300毫秒/像素之间可调4、自动调节图像显示大小，使得EBIC实验过程变得更方便*5、配置Digi-Scan控制器，实时软件控制全自动采集，可以在EBIC信号的采集时就对信号进行定量分析，无需附加的后处理，*6、不仅获得EBIC图像信息，还可以获得IV曲线信息。噪音控制: 1. 特别设计的EBIC附属样品台2. 同轴绕线方式3. 可重复使用的铅酸电池 (15小时续航时间)4. 可以改变放大器的增益，从而最优化数据采集的信噪比和带宽5. 两种可选的一阶RC滤波器 ，低通或高通滤波6. 低漂移放大模式7. 在与PC通讯的时间以外，系统的微处理器会自动切换到睡眠状态8. 丰富的图像处理工具。包含锐化工具、平滑工具和傅立叶变换工具等。 9. 可以适配与Lock-in技术（本系统并不提供，这样的配置系统将不会对EBIC信号定量分析）追踪:通过软件实现。在12bit（1.22mV）采集分辨率模时为+/-5V。自动化:即使在放大器参数设定欠佳的条件下，系统也能自动优化图像的显示大小，从而提供更方便的图像浏览可以对放大器的偏移/增益进行自动设置软件:流程式一维扩散长度测量广泛的面扫/线扫描分析工具，包括数学分析工具，滤波应用等广泛的图像显示方案选项，包括二次电子图像与EBIC图像的叠加编程语言可助您为自己的实验编写定制化软件 产品主要应用领域： 测试PN结位置，宽度，少子扩散长度金属材料材料或器件的失效点定位测试半导体材料的位错密度IV特性测试应用实例：应用一：测试PN结位置，宽度，少子扩散长度应用二：材料或器件的失效点定位

EBIC电子束感生电流电性失效分析系统是一种基于扫描电子显微镜（SEM）的图像采集及分析系统，主要用于半导体器件及其他材料的失效及结构分析。它通过分析电子束照射样品时在样品内产生的电流信号，以图像方式直观表征出样品特征、样品中P-N结位置、失效区域，并可以突出显示样品的非同质性区域，从而对样品进行全面分析。EBIC原理当扫描电镜电子束作用于半导体器件时，如果电子束穿透半导体表面，电子束电子与器件材料晶格作用将产生电子与空穴。这些电子和空穴将能较为自由地运动，但如果该位置没有电场作用，它们将很快复合湮灭（发射阴极荧光），若该位置有电场作用（如晶体管或集成电路中的pn结），这些电子与空穴在电场作用下将相互分离。故一旦在pn结的耗尽层或其附近位置产生电子空穴对，空穴将向p型侧移动，电子将向n型侧移动，这样将有一灵敏放大器可检测到的电流通过结区。该电流即为电子束感生电流（EBIC）。由于pn结的耗尽层有最多的多余载流子，故在电场作用下的电子空穴分离会产生最大的电流值，而在其它的地方电流大小将受到扩散长度和扩散寿命的限制，故利用EBIC进行成像可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究。 EBIC应用领域包括但不限于：1）材料晶格缺陷探测分析，缺陷以黑点和黑线标识出来；2）P-N结缺陷区域定位；3）双极电路中导致集电极-发射极漏电电流的收集管路的探测；4）探测额外连接或者多层掺杂；5）确定静电放电/电过载（ESD/EOS）导致的失效位置；6）测量减压层/耗尽层（depletion layer）宽度和少数载流子扩散长度和时间（minority carrier diffusion lengths/lifetimes）等等。EBIC图像对于电子-空穴的重新组合非常敏感，因此EBIC技术能够非常有效的对半导体材料缺陷等进行失效分析。 EBIC 信号采集系统一流的硬件和软件，构成高品质的用于SEM/TEM的定量电性分析系统和电子活动相关联的样品形貌、组成及结构图像 同步记录EIBC电子束感生电流、二次电子、背反射电子以及X射线能谱信号。为样品空间关联信息赋予不同颜色和混合信号。区分样品主动和被动缺陷。 为透射电镜TEM和原子探针显微镜制样 高空间分辨率条件下，对TEM样品制备中的缺陷进行定位有效避免在FIB电镜中使用EBIC直接获取图像时造成的校正误制样过程中，可通过实时EBIC图像功能随时停止样品研磨通过内置直流偏压及实时覆盖（live overlay）功能，确认设备操作模式 通过图像直接显示延迟装置（delayered device）中的节点及区域形貌直接显示太阳能电池中的电子活动图像 通过系统模拟功能可直观地通过图像对比样品电学性能 系统允许的最高分辨率下，以图像方式直接显示样品连结缺陷 通过电子运动特征，对样品结构缺陷进行观测分析通过图像直观显示PN结活动区域和电场区域 可获得样品掺杂区域分布图 运用样品的高度数据，获取样品三维信息 通过调整扫描电镜中电压，获得EBIC信号中的样品高度信息可对FIB电镜中的样品截面EBIC图像进行分析可为样品3D图像重构输出样品高度信息获取更多信息，敬请联络裕隆时代。

样品电流感生电流探测器是设计用来对扫描电镜中样品吸收的小电流进行探测。它提供精确的吸收电流测量，也能提供宽范围的束流成像。在较高的电子束流下，可以得到TV速率的图像；而在慢扫描时，可以得到低噪声的图像。差分输入能力允许样品对地浮动高达5V电压。当高能电子穿透晶体半导体时，随着硅价电子从其轨道中射出，硅原子的电离将吸收其大部分动能。每一次电离都产生一个自由电子，而空价位使原子的电不平衡，并带净正电荷。这种被称为空穴的净正电荷似乎在外场的影响下从一个原子迁移到另一个原子，造成了正电荷流动的错觉。在p掺杂区和n掺杂区交界处，由于电子和空穴的重新分布所产生的电场(费米势)，形成了一个移动载流子的狭窄空穴区。如果电子和由撞击电子产生的空穴可以进入这个耗尽区，那么它们也会被费米势扫到一边。载流子的这种运动表现为外部电路中的电流。n 吸收电流测量n 吸收电流成像n 兼容偏压样品在硅中，平均电子空穴对需要大约3.6eV的能量，与进入耗尽区载流子的数量成正比的外部电流很可能比原束流大2到4个数量级，这取决于原束流能量和能被吸收到耗尽区的空穴对的百分比。这种现象被称为电子束感生电流或EBIC。光子轰击可以产生同样的效果，这也是光电二极管和太阳能电池工作的基础。现代平面半导体器件由于其独特的二维结构，使其易于在扫描电子显微镜和激光扫描显微镜下采用EBIC（电子束感生电流）和OBIC（光束感生电流）技术进行定性和定量研究。 对未钝化器件进行检查是需要的，EBIC也可以很容易地在已完成钝化的器件上执行，事实上，它可以揭示关于钝化层厚度和结深度的信息。EBIC图样的空间扩展可以提供载流子寿命和扩散长度的信息，而这些信息又指向了电阻率和晶体取向。EBIC方法也能用来检查用于半导体制造的晶圆的质量，方法是在表面涂上合适的结层，并在下面形成大面积结。晶界和孪晶界、层错和螺位错等晶体缺陷为电子空穴对形成了俘获（重组）中心，当束流冲击这些缺陷附近时，EBIC电流输出明显减少。

请联系：张先生一、设备简介纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。 日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。二、设备特点CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。三、设备参数型号CABL-UH（130kV）系列CABL-AP（50kV）系列电子发射枪／加速电压范围TFE（ZrO／W）／25～130kVTFE（ZrO／W）／5～50kV加速电压130 kV，110 kV，90 kV50kV，30kV电子束直径1.6nm2.0nm (研发) /3.0nm (量产) 最小线宽＜10nm＜10/20nm扫描方式矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)高级光刻功能场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻写场的尺寸30μm² ，60μm² ，120μm² ，300μm² ，600μm² , 1000μm² 30μm² - 1000μm² （50kV) (研发) 30μm² - 1500μm² （50kV) (量产)加工晶圆尺寸4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装4/6/8寸CAD软件专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)操作系统WindowsWindows

电子束束闸用于开关扫描电镜电子束（打开和关闭电子束），这种功能主要需要用于电子束光刻，有时EDX、CL或EBIC也需要使用。许多SEM都有一个内置的电子束开关，通过用扫描线圈使电子束关闭。虽然这种方法适用于某些应用，但它通常在数毫秒内完成开关，如果需要更快的关闭速度，应该安装一个单独的电场型束闸。DEBEN PCD型电子束闸适配与场发射扫描、钨灯丝扫描和六硼化镧扫描电镜，为其提供高速关闭电镜束，脉冲开关电子束以及其他形式的电子束控制。n 电子束光刻n 阴极荧光n EBIC/电压对比n EDXn 电子声学显微镜 n 集成法拉第杯n 50nS开关频率n 电动插入n 5V TTL输入n RS-232遥控 n 1MHz最大频率n 可用于JEOL和Hitachi SEMs束闸安装与电镜镜筒PCD端口（物镜光栏对面）30kV电压下具有50ns的开关速度。集成一个法拉第杯在束闸前端，具备测量电子束束流强度的能力。如果您需要一个更加精确的电流数据，束闸的尾部具有一个BNC接口，允许外接皮安表读取。束闸极板由钴金涂层的磷青铜制成，以确保在插入板时不影响扫描电镜的正常运行。极板可以伸到电子束光路中使用，在不使用时缩回。极板的长度和间距是一个开关效率最佳的设计，可适用的电镜电压范围1kV~30kV。

1.产品概述：eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计，超越了经典的电子束光刻(EBL)。2.产品优势：世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸（ 1.6 nm）EBL抗蚀剂的线宽小于5nm使用电子束诱导沉积（EBID）技术演示了亚7纳米线新的eLINE Plus被设计为最通用的多重技术纳米光刻系统，用于所有科学学科的广泛应用ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能，并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。专业和无损的EBL：保证优越的系统规格和世界上最小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合，使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。3. 产品参数：最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架拼接精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma套刻精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma束电流稳定性＜0.2%/h 束位置稳定性＜120nm/8h

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。 采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。 Stitching accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ) Overlay accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ)Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。 主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。 电子束光刻 最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm 超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）我的特色?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸?无放电电子枪?光束直径： 1.6nm?细线能力：7nm?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像?使用双热控制器实现超稳定的写入能力I规格电子发射器/加速电压TFE（ZrO / W）Z25?130kV最小光束直径/最小线宽1.6nm / 7.0nm扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）高级光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，像素数240,000x 240，OO点© 矢量扫描（标准）10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）最小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）0.0012nm@600pmZfield（可选）尺寸为4、6、8英寸的工件（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）■拼接业纭苏• 50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ重叠精度50nm（3o）@ 600pmZCAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）操作系统Windows

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点：电子枪ZrO/W热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm□ 小/大写场大小小 100 μm大（选项）3000 μm扫描频率大 400 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 束流调整功能&bull 曝光文件功能 &bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 10 nm标准写场大小5000 μm□小/大写场大小小 1000 μm□ 大 5000 μm□扫描频率大 400 MHz发射间距小 1.0nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 射束调整功能&bull 曝光文件功能&bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm小/大写场大小小 100 μm 大（选项）3000 μm扫描频率大 100 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm搬送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms束流调整功能曝光文件功能图案数据转换功能帐户管理功能Python脚本

日本电子扫描电镜JSM-6510A/JSM-6510LA详细介绍日本电子扫描电镜JSM-6510A/JSM-6510LA型与日本电子公司的元素分析仪（EDS），统合于一体。结构紧凑的EDS由显微镜主体系统的电脑控制，操作员只用一只鼠标，就可完成从图像观测到元素分析的整个过程。扫描电镜最基本的功能是对各种固体样品表面进行高分辨形貌观察。大景深图像是扫描电镜观察的特色，应用于生物学、植物学、地质学、冶金学等领域。观察可以是一个样品的表面，也可以是一个切开的面，或是一个断面。冶金学家已兴奋地直接看到原始的或磨损的表面。可以很方便地研究氧化物表面，晶体的生长或腐蚀的缺 陷。它一方面可更直接地检查纸，纺织品，自然的或制备过的木头的细微结构，生物学家可用它研究小的易碎样品的结构。例如：花粉颗粒，硅藻和昆虫。另一方面，它可以拍出与样品表面相应的立体感强的照片。电子束与样品作用区内，还发射与样品物质其他性质有关信号。例如：与样品化学成分分布相关的，背散射电子，特征X射线，俄歇电子，阴极荧光，样品吸收电流等；与样品晶体结构相关的，背散射电子衍射现象的探测；与半导体材料电学性能相关的，二次电子信号、电子束感生电流信号；在观察薄样品时产生的透射电子信号等。目前分别有商品化的探测器和装置可安装在扫描电镜样品分析室，用于探测和定性定量分析样品物质的相关信。操作窗口： 直观的操作界面的设计，简明易懂便于迅速掌握操作。支持多用户：单个用户可以根据常用功能设置相应的图标，营造快捷的操作环境。用户登录时，即可加载已注册过的设定。同时显示两幅图像：画面上并列显示二次电子成像和背散射电子成像这两种实时图像。可同时观察样品的形貌和组成分布。微细结构测量：适合于多种测量功能。可在观察图像上直接进行测量。也可将测量结果贴至SEM图像，保存在文件中。标准的全对中样品台，能收录三维照片3D Sight（选配件），能够进行平面测量和高度测量，实现立体俯视图。 从图像观察到元素分析，配合连贯一条龙分析型扫描电子显微镜配备两台监视 器，一台用于SEM图像观察和另一台用于元素分析（EDS）。一只通用鼠标即可同时控制两台监视 器。大尺寸画面使操作更加简便与舒 适。维护简便：工厂预置中 心灯丝，十分便于更换。因此，可长期保持稳定的高性能。此外，操作界面还能以映像形式显示灯丝维护的步骤说明。可信赖的真空系统：真空系统使用高性能的扩散泵保证了洁净的高真空状态。扩散泵内部无活动部件，体现了操作稳定，维护简便的特色。 日本电子扫描电镜JSM-6510A/ JSM-6510LA型的规格保证分辨率3.0nm（30kV）8.0nm（3kV）15nm（1kV）放大倍数5至300,000x加速电压0.5kV至30kV电子枪工厂预对中灯丝聚光镜变焦聚光镜物镜锥形物镜样品台全对中样品台X-Y80mm-40mmZ5mm至48mm旋转360°倾斜－10°至＋90°排气系统（高真空模式）DPx1，RPx1排气系统（低真空模式）DPx1，RPx2日本电子最 大的亮点——方便的导航系统

电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。 技术参数：1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

电子束光刻系统 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm 产品介绍产品介绍纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技 术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 系列zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻 精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

产品简介：450型电子束蒸发镀膜系统用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。产品型号450型电子束蒸发镀膜系统技术参数系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。　　技术指标：　　极限真空度：≤6.7×10 Pa　　恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　真空室：真空室500x500 x600mm采用U型箱体前开门，后置抽气系统e型电子枪：阳极电压：6kv、8kv(1套)　　坩埚：水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml　　功率：0-6KW可调　　电阻蒸发源(可选)　　电压：5、10V　　功率：电流300A，输出功率3Kw1套，可切换水冷电　　极3根，组成2个蒸发舟　　基片尺寸：可放置4″基片　　样品台：基片可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热温度 ≤800°C±1°C，可调手动控制样品挡板组件1套　　气路系统：质量流量控制器1路　　石英晶振膜厚控制仪：监测膜厚显示范围：0-99μ9999?

仪器简介：e-flux Mini e-Beam蒸发器是一种超高压蒸发器，适用于温度范围为400K至3100K的中小型材料。可以直接从棒状（26mm）的蒸发器中蒸发，也可以从坩埚中蒸发。集成通量监测器可实现最大沉积控制。高效的水冷却确保了操作过程中可忽略不计的放气。电子束电子束蒸发器非常紧凑，安装在CF-40法兰（2.75“OD）上。很容易安装在已经有的 UHV 或 MBE系统上。 主要应用是：表面科学，薄膜沉积，薄膜掺杂 主要蒸发材料： Mo, Ta, W, Au, Ag, Pt, Al, Cu, Ni, Ti, C, Si, Cr技术参数：真空腔体内长度: 190mm (without options). Special length possible on request.最大真空端直径: 34mm安装法兰口径: NW40CF (2.75"OD)烘烤温度: max. 200°Crod feed棒材: 25mm, optionally 50mm坩埚体积: 0,3ccm坩埚材料: Mo, Ta, W, pyrol. Graphite, BN liner, Al2O3, Quartz沉积速率: from 0,01A/s to 2nm/s束流发散角: ±15° (±12° with flux monitor)电子束功率: max. 600W控制器: 19" rack mount, 3U high,230VAC/50Hz选项:挡板 (manual and motorised)flux monitor/flux controller, Deposition Controller*热电偶离子阱各种坩埚 (see above) with end caps for horizontal mountmotorised rod feedcontrol options (schematic)主要特点：独有特点:1,发射电流稳定性:The emission current stabilizer is a closed loop control to keep the emissioncurrent constant automatically with rod melting down or decrease of crucible content2,LED提示棒材位置An LED alerts when the evaporation rod has to be fed. Threshold can be customer set.3,可输入需要的发射电流The emission current can now be set directly on a linear scale for easy reproduction.4,离子阱选项The ion trap option allows to deflect all charged particles out of the beam.

RAITH电子束曝光设备资料一、基本信息:品牌名称：RAITH主要设备：电子束曝光及成像系统、图形发射器。主要用途：在化合物半导体等领域加工线宽8-350纳米图形或掩膜板加工。 二、设备及应用:(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: eLine Plus是一款集成了纳米操纵设备，如纳米探针、用于聚焦电子束诱导过程的气体注入系统等各种多功能选件的电子束光刻设备，广泛应用于学校和各大科研机构，采用30kV Gemini电子束技术，应用于4英寸以下基板的纳米级光刻、纳米工程、纳米操纵、纳米探测、纳米轮廓仪、聚焦电子束诱导和成像分析等。 HSQ胶上制作亚5nm线条(三). 专业型电子束光刻设备Raith150 Two: Raith150 Two是一款高分辨电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻，可实现亚5nm的曝光结构。 HSQ胶上制作亚4.5nm线条及PMMA胶上制作精细的11nm线条(四). 专业型电子束光刻设备Voyager: Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。 HSQ胶上制作亚7nm线条(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200: EBPG5150/5200是一款高自动化的电子束光刻设备，采用100kV EBPG 电子束技术，应用于8英寸以下基板（5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸）的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写，适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。 制作GaAs T型器件及在化合物半导体上的应用(六). 纳米加工和纳米光刻升级配件Elphy: Elphy系列光刻升级配件可以将现有的SEM、SEM-FIB、HIM等聚焦离子束电子束系统升级为纳米光刻和纳米加工设备。

1.产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成，体现立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装，操作面板一端处在相对要求较高超净环境，其余部分（含低温泵抽系统）处在相对要求较低超净环境。2.设备用途：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。该系统的主要功能是利用电子束蒸发技术在基片上沉积各种薄膜材料。3.产品优势：限真空度高：能够达到≤6.×10^-5 Pa，这有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。电子枪功率可调范围大：电子枪功率 0—10kW 可调，可以满足不同材料蒸发和薄膜沉积的需求，适应多种工艺条件。配备水冷式坩埚：4 穴坩埚，每个容量不少于一定数值（具体容量可能因型号而有所不同），可容纳多种材料同时蒸发。样品台性能优良：可容纳较大尺寸的样品，并且能够加热至较高温度（具体温度可能因型号而有所不同），转速可在一定范围内调节，满足不同实验需求。具备精确的膜厚监测仪：彩色 LCD 显示屏，提供英文或中文版本，设有“quick setup”（快速设定）菜单、多个区分上下文按钮以及简便的参数设定旋钮，易于设定和操作，且测量速率和分辨率较高，存储容量大，能够使用单传感器或多传感器监控源材料，提供精确的源分布监控，有利于实现对薄膜沉积过程的精确控制和质量监测。包含金属蒸发源组件：可提供多套蒸发电源，大输出功率满足一定要求（如 1.8kW，电压 6V，电流×A），有助于提高薄膜沉积的效率和稳定性。拥有较高的分子泵抽速：≥×l/s，能够快速有效地抽取真空室内的气体，维持高真空环境。其他方面：可能还具有良好的设备稳定性、可靠性，以及完善的售后及质保服务等。4.产品参数：真空室结构:U形开门真空室尺寸:900×900×1100mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.5米x3.9米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 超高分辨率的电子束光刻技术参数：加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

仪器简介：全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；电子束蒸发系统：1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System5.离子电镀系统Ion Plating System6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System技术参数：1.电子束源&电源 单个或者可自由切换换电子束源： --蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6) --坩埚容量：7 ~ 40 cc (最大可达200 cc) --标准：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) --最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积 --偏转角度：180o, 270o --输出功率：6, 10, 15, 20 kW --支持两个或者三个电子束源在一个系统上 --可连续或者同时沉积两种或三种材料 --高速率沉积 2.薄膜沉积控制： IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制 --沉积过程参数可控 --石英晶体振荡传感器 --光学检测系统用于光学多层薄膜沉积：测量波长范围350-2000 nm，分辨率1 nm --薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制 --薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制 --支持大面积沉积 --支持在线电子束蒸发沉积 --基底尺寸：20~100英寸 --薄膜均匀性 ±1.0 to 5.0 % 3.真空腔体： --圆柱形腔体 --直径：φ500 ~ 1,500 mm --高度：800 ~ 1500 mm --方形腔体 --根据客户的需求定制 4.真空泵和测量装置： --低真空：干泵和convectron真空规 --高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规 --超高真空：双级涡轮分子泵，离子泵和离子规 5.控制系统PLC和 触摸屏计算机： --硬件: PLC, 触摸屏计算机 --包括模拟和数字输入/输出卡 --显示器: LCD --自动和手动程序控制 --程序控制：加载，编辑和保存 --程序激活控制： --泵抽真空，蒸发沉积，加热， 旋转等 --膜厚度检测和控制多层薄膜沉积 --系统状态，数据加载等 --问题解答和联动状态扩展功能：1、质量流量控制器：反应和等离子体辅助惰性气体控制 2、离子源和控制器：等离子体辅助沉积 3、射频电源：基底预先处理 4、温度控制器：基底加热 5、热蒸发器：1 or 2 boat 6、蒸镀源cell：1 or 2 for doping 7、冷却器：系统冷却

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。电子束光刻最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点 1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

✽ 集合多项电源功能，可有效满足电子束加热等多种工作模式。✽ 在电子束工作模式中，被加热物体可选择接地或接高压，同时控制实现对 灯丝的电流控制和对被加热物体的高压控制。✽ 高压低流单元和低压高流单元可分别做独立电源使用。✽ 标准机型技术指标为：36V3A低压单元、1000V300mA高压单元，可根据 客户需要定制不同范围的低压高流单元和高压低流单元。✽ 高精度、高分辨率、低温漂、高稳定性（整机温漂小于 50ppm，精度 0.1%， 分辨率：V=10mV、I=1mA)；✽ 操作方便，智能数字化控制系统。前面板的显示屏实时显示灯丝的电压值、 电流值、加速场的电压值、电流值等；✽ 具有过压、过流、短路保护；✽ 开关电源和线性电源的理想结合（即有开关电源的高效率，又有线性电源 的低纹波）。电子束蒸发工作模式 功能：✽ 具有恒流和恒压两种模式✽ 低压单元：电压最高36V，电流最大3A。✽ 高压单元：最大高压1000V，最大发射电流300mA。（可根据客户需求定制不同系列的低压单元和高压单元）

磁刺激工作原理：根据法拉第电磁感应定理：随时间变化的磁场可以感生出电场，当可兴奋组织处于时变磁场时，在组织中产生感生电场和感生电流，当感生电流超过组织兴奋阈值，就会像电刺激一样引起细胞膜局部去极化使组织兴奋。总之，电刺激和磁刺激的原理是一样的，都是基于组织的可电兴奋性。磁刺激：通过盆底磁刺激装置，产生可调聚焦磁场，进一步产生感应电流，有效穿透无需更衣及内置电刺激探头。由于磁导率更加均匀，到达组织后衰减小，便可刺激更深度组织。优点是：无痛、衰减小、操作方便。体外磁刺激疗法，可以增强盆底肌肉的收缩力，恢复尿道括约肌正常张力，促进盆底组织和结构的运动功能、支持功能、感觉功能的恢复。尤其对于尿道括约肌功能不全以及膀胱机能障碍疗效更加显著。

仪器简介：Neocera公司的使命是为研究新型先进薄膜材料和器件的科学家和工程师提供服务。我们通过以下手段来实现此目标： l 发展在材料科学和器件工程方面的基础竞争力 l 在薄膜制造方面，提供最先进的脉冲电子束镀膜（PED）和脉冲激光镀膜（PLD）设备 l 提供卓越的技术支持 l 参与共同的研究与开发 Neocera公司是一家PED 和PLD设备的增值供应商。在PED 和PLD科学和技术的前沿方面，我们提供最先进的解决方案；我们的设备和实际经验将帮助解决你们的问题。 另外，Neocera公司参与政府部门和工业客户的前沿的研究与开发；作为材料科学家，我们了解你们的需要。技术参数：一、 PED-120系统的技术指标 l PEBS-20脉冲电子源和电源 l 真空腔：直径12" Ø 额定基压：1x10-6 Torr l 基片加热器，直径2"，带控温器 Ø 氧气可达大气压力 Ø 最高温度：950 ° C Ø 温度均匀性：± 5 ° C Ø 温度稳定性：± 1 ° C Ø 基片加热器档板 l 靶盒，手动控制 Ø 可放置6个1"的靶或3个2"的靶 Ø 靶与法兰的距离：4" l 气路 Ø 质量流量计控制进入真空腔的流量，量程100sccm Ø 控制采用单通道设置/数值显示 l 真空泵系统 Ø 260 l/s 带冷阱的涡轮分子泵，高真空泵 Ø 4 m3/hr无油机械泵 Ø 8"闸板阀，手动控制 Ø 排气/出气阀，用于氧气的安全操作 l 真空计，显示读数 Ø 冷阴极型 Ø 对流型 l 系统框架 Ø 占地面积：22&rdquo W x 34&rdquo D Ø 空间： 30&rdquo W x 34&rdquo D Ø 总高度： 54"-58" Ø 标准19"电子元件安装架 Ø 脚轮和水平调节器 l 电源 Ø 110-240 VAC/50 Hz, 20 A，单相 二、PEBS-20脉冲电子源系统的技术指标 组成： l PEBS-20脉冲电子源 l 电源 l 电子控制系统 l 预装软件的控制计算机 技术指标： 电压：115-230 VAC, 50/60 Hz, 单相 氧气压力：5-20 mTorr 电子能量：8-20 kV 单次脉冲能量：0.1 &ndash 0.8 J 脉冲能量偏差（Max）：± 10% 能量转换效率：25-30% 脉冲持续时间：~100 ns 脉冲重复速率（Max）：15 Hz 电子束斑面积（Min）：6 x 10-2 cm2 电子束斑面积偏差（Max）：± 20% 脉冲能量密度（Max）：1.3 x 108 W/ cm2 Z轴移动距离：50 mm XY轴移动距离：± 20 mm 工作寿命：107 次脉冲 PEBS源的工作温度（Max）：85 ° C主要特点：脉冲电子束沉积（PED）的特点 与CW技术相比，例如传统的电子束蒸发，脉冲系统的主要特点是可以在靶材表面上 产生最高达108W/cm2的高能量密度。因此，靶材的热动力学特性比如熔点和比热等 在蒸发过程中就变得不重要了。这一点对复杂的、多组分材料特别具有优势。与脉 冲激光沉积（PLD）相比，脉冲电子束沉积（PED）技术提供了独一无二的平台，在 一系列具有重要技术价值的基片上沉积复杂材料的薄膜，其独特的优点在于扩展了 材料的范围和应用。这种方法在大批量生产中可以大规模应用且成本低廉。

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：zui高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

德国Raith Voyager 新一代电子束光刻系统高速且价格合理的电子束光刻机实现精确的曝光效果对于工业界和学术界所有关注速度和高分辨的电子束曝光应用，我们推荐您选择VOYAGERTM这款专业电子束光刻系统。Raith非常重视这款具有吸引力的在使用寿命期间具有高性价比、新开发的、创新的eWRITE体系结构。系统的硬件和软件被一致设计为自动曝光操作，先进的高性能图形发生器和电子光学系统优化设计并协同一致。系统可实现8英寸样品的高速曝光。系统的稳定性是非常关键的指标，可保证大面积均匀曝光。该系统外部采用环境屏蔽罩，即使在稍差的实验室环境下，仍然能确保系统具有非常好的热稳定性，提高系统对外界环境的容忍度。 超高分辨率曝光系统从最初设计到样品制备完成，实现高速样品加工，提高产量智能设计：设备占地面积小，且集成环境屏蔽罩创新的、未来安全型系统架构专业的电子束曝光系统，可实现每小时1cm2的高速曝光，高性价比 eWrite技术Raith新推出的eWrite技术结合了专业电子束光刻的光学系统和创新的图形发生器设计，该技术适用于研发及批量生产的所有工作。 VOYAGER 应用.HSQ胶上制作亚7nm线条 .SU8胶上制作 1x1 cm2 菲涅尔透镜，曝光时间为53分钟，图为菲涅尔透镜中心区域 .PMMA双层胶上制作150nm T型栅结构 .ZEP520胶上制作 1x1 cm2光栅结构，曝光时间小于2小时 高速度模式（40nA束电流下曝光160um大结构）和高分辨模式（0.4nA束电流下曝光10nm细小结构）自动切换 ZEP520胶上制作光子晶体波导结构 VOYAGER 产品详情 主要应用:。高速直写。衍射光学元件。防伪元件。批量加工化合物半导体器件 样品台:。6“ 移动范围。Z方向移动范围大 电子枪技术:。eWrite。电子。50 kV 独特直写模式:。traxx 长线条无写场拼接曝光模式。periodixx周期结构无写场拼接曝光模式

英国nanobean 电子束光刻机 JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界最高水平的产出量和定位精度，最大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。 产品规格： 电子枪ZrO/W 肖特基型描画方式圆形束, 矢量扫描, 步进重复式加速电压100kV 样品尺寸 样品尺寸 (可以安装): 最大300mmΦ的晶圆片, 最大6英寸的掩模版, 任意尺寸的的微小样品。最大场尺寸1000μm×1000μm样品台移动范围260mmX240mm样品台控制单元0.15nm（λ/4096）套刻精度≦±11nm场拼接精度≦±10nm （场尺寸为1000μm×1000μm）写场内位置精度≦±9nm（场尺寸为1000μm×1000μm）定位DAC20位扫描速度最大 100MHz 产品特点： JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界最高水平的产出量和定位精度，最大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。 此外，由于具有100MHz的最快扫描速度，场尺寸在1000μm×1000μm时的套刻精度达到±11nm、场拼接精度为±10nm、写场内位置精度达±9nm，是兼具世界最高水准产出率和位置精度的100kV圆形束光刻系统。 由于采用的位置偏转DAC为20位，扫描DAC为14位，能获得0.25nm的扫描步距，分辨率更高，描画数据增长1nm，可以更忠实地再现描画数据。 最快达到100ＭＨｚ的高速化扫描速度，保证了大电流描画时的扫描步距很短，因而能提高对精度要求极高的图形描画的产出量。 由激光束控制（LBC）的0.15nm（λ/4096）的最小定位单位及高分辨率，达到了世界最高水准的位置精度。 本公司独自的自动校正功能(自动补偿功能)，实现了可信赖的长时间稳定地描画。自动补偿可以根据时间（任意的）、场和图形进行分别设定，非常适合于周末及休假等无人值守等情况下的长时间描画。 该系统最大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的光掩模版，适合于纳米压印、光子器件、通信设备等各种领域的研发及生产。采用材料卡匣传送系统（选配），最多可装载10个卡匣。 利用微间距控制程序（场尺寸微调程序）可以制作DFB激光器等的啁啾光栅。

电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度大面积写场电子束光刻机 P21 系列。 百及纳米首次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机 P21 是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国 Raith 公司的成熟机型上 升级而成。该系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6 英寸晶圆）及扩展使用功能。P21 不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关 键指标于一身，包括： &bull 国际上首次开发的新颖电子束闭环控制系统，能够实现电子束的原位检测与校正 &bull 国际领先的写场拼接精度≤2 nm &bull 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的空间漂移，将其位置稳定性提高到≤10 nm/h； 有利于通过提高电子束光刻时间实现大尺寸图形的曝光需求。 百及纳米的 P21 系列以常规电子束光刻机为载体，通过独家专利技术对其进行功能及性能指标的大幅提升。P21 光刻机组件均为德国原装制造，以高品质、高性能满足客户的科研高端需求，实现新 一代超高精度电子束光刻功能。

日本Elionix 微细加式电子束曝光电子束直写机ELS-F125/F100/HS50 ELS-F125是Elionix推出的世界上首台加速电压达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125) ELS-F125具有以下优点： l 。超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应小化 @125 kV 2. 大通量、均匀性好- 宽视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，大通量而不影响分辨率，2 nm电子束直径@1 nA 3. 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件 二、主要功能 2.1 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板 2.2 技术能力 三、应用

德国Raith Voyager 新一代电子束光刻系统高速且价格合理的电子束光刻机实现精确的曝光效果对于工业界和学术界所有关注速度和高分辨的电子束曝光应用，我们推荐您选择VOYAGERTM这款专业电子束光刻系统。Raith非常重视这款具有吸引力的在使用寿命期间具有高性价比、新开发的、创新的eWRITE体系结构。系统的硬件和软件被一致设计为自动曝光操作，先进的高性能图形发生器和电子光学系统优化设计并协同一致。系统可实现8英寸样品的高速曝光。系统的稳定性是非常关键的指标，可保证大面积均匀曝光。该系统外部采用环境屏蔽罩，即使在稍差的实验室环境下，仍然能确保系统具有非常好的热稳定性，提高系统对外界环境的容忍度。 超高分辨率曝光系统从最初设计到样品制备完成，实现高速样品加工，提高产量智能设计：设备占地面积小，且集成环境屏蔽罩创新的、未来安全型系统架构专业的电子束曝光系统，可实现每小时1cm2的高速曝光，高性价比 eWrite技术Raith新推出的eWrite技术结合了专业电子束光刻的光学系统和创新的图形发生器设计，该技术适用于研发及批量生产的所有工作。 VOYAGER 应用.HSQ胶上制作亚7nm线条 .SU8胶上制作 1x1 cm2 菲涅尔透镜，曝光时间为53分钟，图为菲涅尔透镜中心区域 .PMMA双层胶上制作150nm T型栅结构 .ZEP520胶上制作 1x1 cm2光栅结构，曝光时间小于2小时 高速度模式（40nA束电流下曝光160um大结构）和高分辨模式（0.4nA束电流下曝光10nm细小结构）自动切换 ZEP520胶上制作光子晶体波导结构 VOYAGER 产品详情 主要应用:。高速直写。衍射光学元件。防伪元件。批量加工化合物半导体器件 样品台:。6“ 移动范围。Z方向移动范围大 电子枪技术:。eWrite。电子。50 kV 独特直写模式:。traxx 长线条无写场拼接曝光模式。periodixx周期结构无写场拼接曝光模式