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电致变色器件
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电致变色器件相关的方案
荧光光谱助力研发电致荧光变色分子开关
电致荧光变色分子开关,在一定电压刺激下可以呈现出不同荧光变色现象,展现出不同的荧光发射。因为这一特殊性质,电致荧光变色分子开关颇具发展潜力,譬如国立台湾大学Liou课题组报道的一类非共轭的聚苯胺类电致荧光变色材料。它量子产率高(21%)、对比度大(242)、响应速度快(0.4s),是一类非常具有商业价值的材料。
拉曼光谱+二维铁电材料+器件化
近期二维铁电材料所具有的面内或面外铁电性已在实验中得到了证实,为开发原子尺度的功能电子器件提供了机遇。然而要实现二维铁电材料的器件化应用,关键步骤在于如何有效地进行铁电极化及铁电畴结构的大规模均匀调控。但现阶段在二维材料极限厚度下利用外电场进行铁电畴工程的方法,不可避免地导致大的漏电流甚至材料击穿等问题。
椭圆偏振光谱仪表征电致变色器件
The UVISEL Spectroscopic Ellipsometer is a powerful instrument for characterizing complete EC devices with high accuracy and reliability, and provides information on surface roughness or interface layers along with their composition.
天津兰力科:ZRNx快离子导体薄膜的制备及其Cr掺杂性能的研究
全固态电致变色器件的实用化研究一直是该领域的研究热点。电致变色器件全固态化的关键是采用合适的快离子导体(有时亦称固体电解质)作为器件的离子传导层。目前,用于电致变色器件的快离子导体仍以固态聚合物电解质为主,然而,聚合物电解质存在易老化、机械强度差、工业化生产难度较大等缺点。无机快离子导体是最有希望用于全固态电致变色器件的离子导体材料。本实验室前期研究结果表明,在合适的工艺参数下制备的 ZrNx薄膜具有高的透过率、良好的热稳定性、耐磨性和化学稳定性,适合于作为电致变色器件的离子导体层。 到目前为止,制备离子导体薄膜最常用的方法有溶胶-凝胶法、真空蒸发法、化学气相沉积法和溅射沉积法等,其中磁控溅射以沉积速率高、基片温升低、膜层均匀性及附着力好、工艺参数易控制等优点而日益成为制备离子导体薄膜的理想工艺方法。 因此本文以纯锆靶及纯铬靶为靶材,采用反应磁控溅射工艺在 WO3/ITO/Glass基片上沉积 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜,通过紫外-可见分光光度计、循环伏安法、交流阻抗法、X 射线衍射仪、热场发射扫描电镜以及扫描隧道显微镜等测试分析方法,研究了制备工艺参数以及 Cr 掺杂对 ZrNx薄膜离子导电性能和结构的影响 。研究结果表明:采用射频反应磁控溅射工艺制备的 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜均为非晶态结构,溅射功率和氮气分量等工艺参数对薄膜的离子导电性能有较大影响,选择合适的氮分量和溅射功率有助于提高 ZrNx薄膜的离子导电性能,在本实验的条件下,原位沉积 ZrNx薄膜的可见光透过率大于 75%,ZrNx/WO3/ITO/Glass器件的光学调节范围最大可达 57%以上,在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。 掺杂后的 ZrNx:Cr 薄膜,晶态趋势大于未掺杂的 ZrNx薄膜,结构的变化导致ZrNx:Cr 薄 膜 的 离 子 传 导 性 能 有 所 下 降 , 电 化 学 窗 口 变 小 , 从 而 使ZrNx/WO3/ITO/Glass 器件的光学调节范围缩小。
inTEST 热流仪半导体元器件高低温测试
半导体器件 semiconductor device, 是导电性介于良导电体与绝缘体之间, 利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件, 可用来产生, 控制, 接收, 变换, 放大信号和进行能量转换.
喷雾干燥技术在制备电子陶瓷器件的基础母体材料钛酸钡方面的研究
钛酸钡是电子陶瓷器件的基础母体材料,因其介电常数高、介电损耗低等优良性能,被用于制造多层陶瓷电容器、各种传感器、半导体材料、微波器件和敏感元件,被称为电子陶瓷的支柱。
卓立汉光产品在光通信行业中的应用-光有源器件
光通信器件分为光有源器件和光无源器件,本文就光有源器件的分类、封装类型、结构和电性能做出简要介绍,并对对光有源器件生产过程中,卓立汉光可提供的工装方案、设备改进等方面做说明。 光无源器件的相关文章,请参照:卓立汉光产品在光通信行业中的应用——光无源器件篇。
电子元器件检测实验室专业测试仪器设备解决方案
在电子电路中,除了接触最多的电子元器件( 例如电阻,电感,电容,二极管,三极管,集成电路等) 以外,还有其他常用电子元器件,如电声器件,开关及接插件等。电子元器件的检测是家电维修的一项基本功,安防行业很多工程维护维修技术也实际是来自于家电的维护维修技术,或是借鉴或同质。如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常,不是一件千篇一律的事,必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否。Delta德尔塔仪器专业为电子元器件的检测提供整套测试仪器,我们可以各类电子、电器制造厂商提供一下检验测试项目的专业仪器设备:集成电路测试:成品测试、老化筛选、失效分析等;破坏性物理分析:外部目检、X射线检查、粒子噪声(PIND)试验、密封性试验、内部气体成分分析、内部目检、内引线键合强度、扫描电镜、芯片剪切强度;可靠性寿命和老化筛选:老化筛选试验、稳态寿命试验、加速寿命试验、可靠性强化试验;环境试验:正弦振动、随机振动、机械冲击、碰撞(或连续冲击)、恒定加速度、跌落、出点动态监测、温度-振动-湿热三应力试验、高低温低气压、温度循环、热冲击、耐湿、高压蒸煮、盐雾或循环盐雾、霉菌、淋雨、气体腐蚀、沙尘、热真空、强加速稳态湿热(HAST);物理性试验:物理尺寸、耐溶剂性、引出端强度、可焊性、耐焊接热、封盖扭矩、镀层厚度、阻燃性试验。电子元器件测试仪器应用测试产品类型:半导体集成电路、混合集成电路、微波电路及组件、半导体分立器件、真空电子器件、光电子器件、通用元件、机电元件及组件、特种元件、外壳、电子功能材料及专用设备等。诸如安规继电器、电动器热保护器、压缩机用电动机热保护器、压力敏感电自动控制器、定时器和定时开关、电动水阀、温度敏感控制器、热断路器、电动用起动继电器、湿度敏感控制器、安规电容器、陶瓷电容器、贴片电容、交流电动机电容器、微波炉电容器、电磁炉用高压电容器、小型熔断器、电磁发热线圈盘、高压变压器、高压熔断器等元器件进行各项指标合格性测试。
TOF-SIMS在光电器件研究中的应用系列之三
光伏发电新能源技术对于实现碳中和目标具有重要意义。近年来,基于有机-无机杂化钙钛矿的光电太阳能电池器件取得了飞速的发展,目前报道的最高光电转化效率已接近26%。卤化物钙钛矿材料具有无限的组分调整空间,因此表现出优异的可调控的光电性质。然而,由于多组分的引入,钙钛矿材料生长过程中会出现多相竞争问题,导致薄膜初始组分分布不均一,这严重降低了器件效率和寿命。
光致变色化合物光学物理性质的变化 光反应评价装置LightwayTM的应用
使用光反应评价装置Lightway可以观测P型和T型光致变色化合物在光线照射后出现的光学物理性质变化。P型会因为光线照射而发生可逆性变化,T型在因光线照射发生光学物理性质变化后,通过受热恢复原状。T型光致变色化合物 ,复原所需的时间取决于因光线照射而发生变化的结构。
利用UV-Vis DiffusIR测定热致变色材料漫反射光谱
利用配备加热真空漫反射测定装置UV-Vis DiffusIR的紫外可见分光光度计UV-2600i,在改变温度的同时,测定了热致变色材料PDA的漫反射光谱。本次介绍的加热真空漫反射测定装置可测定同一样品的同一位置,因此可更加详细地分析热致变色。
标乐先进的制样技术 功率器件IGBT的金相制备
随着节能环保等理念的推进,功率器件在市场上越来越多见;IGBT 是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的 IGBT也指IGBT模块。
卓立汉光机产品在光通信行业中的应用-光无源器件篇
文光无源器件的分类、封装类型、结构和电性能做出简要介绍,并对对光无源器件生产过程中,卓立汉光可提供的工装方案、设备改进等方面做说明。
【微光谱应用】探究不同测试方法在电致发光器件表征中的不同
电致发光材料(Electroluminescent Materials)被广泛应用于各种显示、照明等领域。在电致发光材料性能表征的过程中,我们通常将待测样品加上恒定的电压,来测试器件的电流、亮度等参数。这些参数很多都受器件电阻的影响,因此准确的获得器件电阻就非常的重要。
TOF-SIMS在光电器件研究中的应用系列之四
宽带隙钙钛矿(1.68 eV)是两端钙钛矿/硅叠层太阳电池的重要前电池吸光材料。然而,这类宽带隙钙钛矿太阳电池中存在大量缺陷诱导的非辐射电荷复合,导致器件开路电压(VOC)远低于理论值,严重限制了器件效率的进一步提升。深能级受体缺陷是影响VOC的主要因素,缺陷钝化是提供器件效率的有效策略。
氦质谱检漏仪半导体特殊器件检漏
半导体器件 semiconductor device 通常利用不同的半导体材料, 采用不同的工艺和几何结构, 已研制出种类繁多, 功能用途各异的多种晶体二极管, 晶体二极管的频率覆盖范围可从低频, 高频, 微波, 毫米波, 红外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各种晶体管 ( 又称晶体三极管 ). 晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类.
变色龙软件控制气质联用仪分析环境中Aniline
采用变色龙软件控制气质联用仪用于分析环境中 161 种 SVOC,能够智能化地分析、处理数据,减少数据处理过程的时间。同时拥有环境中 161 中 SVOC 分析检测的 eWorkflow方法包,方便快捷建立仪器方法。
喷雾干燥技术在电子陶瓷器件的基础母体材料钛酸钡方面的研究
钛酸钡是电子陶瓷器件的基础母体材料,因其介电常数高、介电损耗低等优良性能,被用于制造多层陶瓷电容器、各种传感器、半导体材料、微波器件和敏感元件,被称为电子陶瓷的支柱。
应用分享 | TOF-SIMS在光电器件研究中的应用
光伏发电新能源技术对于实现碳中和目标具有重要意义。近年来,基于有机-无机杂化钙钛矿的光电太阳能电池器件取得了飞速的发展,目前报道的光电转化效率已接近26%。
天津兰力科:V2O5离子存储薄膜的制备及其Ni掺杂改性研究
离子存储层(对电极层)是全固态电致变色器件的关键膜层,其作用是存储和提供电致变色所需的离子,维持电荷平衡,因此要求它具有较大的离子存储能力,较好的离子存储稳定性及循环寿命,并且同电致变色材料同步致色时光学性能变化较小,其性能的好坏直接影响到整个器件的循环耐用性和光学对比度。在以a-WO3薄膜为电致变色层的灵巧窗中,弱阴极致色的V2O5薄膜是最具有实用价值的候选锂离子存储材料之一,它具有半导体特性和层状结构,有利于离子传输,在聚合物电解质中化学性能稳定,具有较大的电荷储存密度,光学性质不明显依赖于注入的离子和电子浓度。但是目前要使其真正进入实际应用还需进一步提高薄膜的离子存储能力,优化制备工艺参数和对薄膜进行合理掺杂是两种有效提高薄膜性能的方法。实验采用射频磁控反应溅射技术在ITO玻璃基片上沉积固态V2O5和V2O5:Ni薄膜,文中介绍了薄膜的离子存储及溅射掺杂机理,并通过X射线衍射、X射线光电子能谱、紫外-可见光分度计和标准三电极法分别研究薄膜的结构、组成、光学及电化学性能,主要讨论氧分量、溅射功率、溅射温度等工艺参数以及Ni掺杂参数对薄膜的结构和性能的影响。研究表明:室温下用射频磁控反应溅射技术制备的V2O5和V2O5:Ni薄膜为非晶态,少量Ni掺杂不会改变薄膜的非晶态结构,在Li离子注入/退出过程中表现出良好的离子存储特性;较低的氧分量和溅射温度有助于提高薄膜的半导体特性及离子存储特性,在一定范围内提高溅射功率,可有效提高薄膜的离子存储能力及伏安循环特性;而V2O5薄膜掺杂Ni之后,非晶态的趋势稍强于纯V2O5薄膜,结构的微弱变化导致了V2O5:Ni薄膜具有更好的离子存储特性;掺杂工艺对薄膜的电化学性能影响较为复杂,主要与相对掺杂量和掺杂方式有关,当相对掺杂量处于有效掺杂范围和最佳值附近时,掺杂越均匀,薄膜的综合性能越好,同时掺杂次数也存在一个最佳值。
变色龙软件控制气质联用仪分析环境中Atrazine
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变色龙软件控制气质联用仪分析环境中 o,p'-DDE
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