电学性能

For many materials, the truly important is how they perform and behave under the conditions that they are likely to be exposed to during their use-lifetime. This may be the application of stresses and strains in construction materials, the dielectric properties of ceramics or the corrosion resistance of materials as they are exposed to a variety of atmospheric conditions.

半导体透明导电氧化薄膜（TCO）具有优异的光学和电学性能，可见光区高透射率，红外区高反射率和微波强衰减性，同时具有低的电阻率，是功能材料中具有特色的一类薄膜， 已广泛应用于太阳能电池、真空电子器件、防护涂层、电磁屏蔽等领域中。

检测方法优势：非接触式无损测厚方法；太赫兹具有穿透性，能穿透多种非极性材料；无需制备样品的繁琐步骤方案性能优势：功能强大—专利提取算法，一次测量可得电阻率、电导率、载流子迁移率、载流子密度、载流子散射时间、均匀性等所有参数分布图，包括每点位置的时域频域信号与各类分析数据快速与高分辨率—分辨率可达50um，扫描速度高达12cm2/min大面积表征—探测面积可从0.5 mm2到更大面积(m2)，可用于工业化检测可测材料多—石墨烯、薄膜、半导体、光伏器件等多种材料

科研中MOKE常用来表征材料的电子和磁学特征，例如磁畴结构、自旋态密度、磁相变动力学。在高质量纳米结构和2D材料中新的实验进展表明，有望在集成的光子或自旋电子器件中利用磁光效应在纳米尺度上加强对光的控制。MOKE实验需要灵活的光路与电学通道以及磁场环境。样品需要一个超稳定的低温环境并且能够调整配置以适应实验需求的多种几何光路。Cryostation基础系统与成熟的选件库可为MOKE提供多种解决方案。通过不同的搭配组合我们可以轻松实现磁光克尔效应、光磁测量、光致发光、偏振分辨测量、自旋输运与动力学、磁畴壁移动、磁阻研究、电学和高频测量、输运性质等方面的研究。以下是部分低温磁光克尔效应实验举例：

石墨烯(GR)由于其独特的微观结构使其具有优异的光学、电学和力学等性能，被广泛应用于材料化工、电化学、超级电容器、纳米电子器件及生物医药等领域。但GR在制备过程中引入的杂质元素(主要为过渡金属和硫）会大大影响其优异性能，从而制约其发展，因此，准确测量GR中的杂质元素含量具有非常重要的意义。

在合成高分子领域中，为了获得理想的材料性能，经常需要将不同的单体聚合，得到共聚物材料。研究证明共聚物分子量，以及分子结构对材料的机械性能、电学性能和热力学性能都有极大的影响。凝胶渗透色谱（GPC）作为一个基本的分子量测定方法，可以用来测定单一组分聚合物的分子量和分子量分布。但是通常情况下，无法用来分析和测定共聚物的分子量。本文介绍了利用最新型的EcoSEC仪器，简便、快速分析共聚物的方法。

嵌段共聚物(BCP)纳米复合材料由于独特的纳米结构形态以及碳纳米管（CNTs）的定向掺入使得开发具有特殊热、机械和电学性能的功能材料成为可能。CNTs具有优良抗拉强度，优异导电性，高导热性，密度低等众多特点。通过将CNTs选择性地定向掺入到非混相共混物的合适相形态中，可以特异性地调整电学、热学和力学性能。碳纳米管的长径比较大阻碍了碳纳米管在纳米级BCP结构域中的定向掺入，碳纳米管的平均长度为1.5µm，明显超过了嵌段共聚物相的结构域尺寸。使用短CNTs比较容易将CNTs选择性掺入嵌段共聚物，但随着长径比的减小，电渗透阈值增加，即需要更多的填料含量来生产导电复合材料。对碳纳米管进行不同时长的球磨处理，并分别与BCP进行混合制备成复合分散体，利用LUMiSizer®分散体分析仪进行分散稳定性表征，研究不同研磨时间对稳定性的影响。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Mn等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Al等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ca等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ni等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Al、B、Ca、Fe、Ni、Mn、P、Ti 8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

徐老师团队主要利用共聚焦拉曼对半导体的两个重要参数进行了分析： 1. EPI 层厚度 ，因为不同的半导体器件对于外延EPI 层厚度的要求并不相同，因此，获知 EPI 厚度并对其 进行准确控制 是制备半导体器件的重要一步。 2. 载流子浓度 ，作为一个重要的电学性能参数，研究这一浓度分布情况，也可以帮助优化半导体的加工参数，比如指导离子注入剂量、退火温度和时间等关键加工参数的调控。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ti等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Fe等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中P等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中B等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。

氧化石墨烯是石墨烯的氧化物，因经氧化后，其上含氧官能团增多而使其性质较石墨烯更加活泼，可经由各种与含氧官能团的反应而改善其本身性质，从而具有良好的润湿性能、水分散性和表面活性，将在改善材料的热学、电学、力学等综合性能方面发挥重要作用。本文参考国家标准GB/T 40066-2021《纳米技术 氧化石墨烯厚度测量 原子力显微镜法》，采用岛津扫描探针显微镜测试了氧化石墨烯样品的表面形貌，并通过线性拟合法计算了氧化石墨烯的厚度，希望对氧化石墨烯的研究提供一定的帮助。

拉曼光谱系统：共聚焦显微拉曼光谱系统、小型科研拉曼光谱仪多种型号可选。借助各类原位池或者探针台，我们可实现对原始反应状态的样品进行检测而避免将其暴露在空气中，电学可根据需求搭配客户的电化学工作中或源表等电学测量设备。

LEIPS结合UPS能够直接对半导体材料的电学带隙进行表征，可被广泛应用于研究材料的掺杂状态、电子器件的表/界面能级工程、材料的电荷转移和载流子传递行为等。

纤维饱和点(fiber saturation point,FSP)指的是木质纤维素材料细胞壁中吸着水处于饱和状态，而细胞腔和细胞间隙中没有自由水的特定含水率状态。纤维饱和点是木材物理力学性能发生变化的转折点，纤维饱和点可以采用多种方法测量，比如电学法、干缩法、差示扫描量热法和力学法等。以上几种实测法目前普遍存在操作过程复杂、限制条件多、耗时长等缺点，而且不同方法的测量结果之间存在一定差异，准确度也存在争议。

材料在低温下常常表现出“奇异”的力学行为。获得材料在低温区各温度点的力学性能数据才能认识材料随温度变化的力学行为，进而更深入地揭示材料力学行为中的规律。精确测量材料在低温环境中的力学性能，对材料、力学和物理等基础研究和高精技术应用发展具有重要的意义。要进行低温下的材料力学行为研究，材料低温力学性能测试系统是必不可少的重要装备之一。如2014年9月，Science 杂志报道了 CrMnFeCoNi 高熵合金优异的低温力学性能（A fracture-resistant high-entropy alloy for cryogenic applications，Science 2014: Vol. 345 no. 6201 pp. 1153-1158 DOI: 10.1126/science.1254581），此项成果的取得，离不开美国劳伦斯-伯克利国家实验室低温力学性能测试装备的支持。中国科学院理化技术研究所经过二十多年的研制和积累，开发出低温综合力学测试系统，此系统能进行材料低温环境（4.2K—300K（-269℃—室温）温区内任意温度）的力学性能测试，包括：拉伸、压缩、弯曲、剪切、扭转、断裂韧度等静态力学性能；疲劳裂纹扩展速率；拉拉疲劳、拉压疲劳、压压疲劳、扭转疲劳、拉（压）扭复合疲劳等疲劳性能测试。同时，还包括超导材料（低温超导线材、高温超导带材）加载电流时的力学性能、电学性能测试；非标试样和零部件的低温力学性能测试。

固体的电学、光学和化学性质深受其占据态（occupied state）和非占据态（unoccupied state）电子结构的共同影响。

在制造薄膜太阳能电池过程中的主要挑战是控制膜层的成分。商品化所需要的膜层结构重复再现性和依靠膜层精确成分的电池的电学性质同样重要。辉光放电发射光谱分析能够适用于确定整个涂层系统的深度剖面元素含量分析。

磁电耦合的机理和应用是当今研究的热点科研问题之一。磁场对物质电输运性质的影响已经被广泛研究，例如钙钛矿结构中的庞磁阻现象。当前磁场对物质介电性质的影响也已成为研究的热点。PPMS作为功能强大的物性测量平台不仅可进行磁学、热学和电学等测量，也可进行介电测量，国内外众多研究组用PPMS在该领域做出了很多高水平的工作。

随着信息技术及太阳能光伏电池产业的飞速发展，半导体硅产业发展到了新的高潮。硅单晶材料在增大直径的同时，对其结构、电学、化学特征的研究也将日益深入；缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷的相互作用以及提高单晶硅片的表面质量已经是工艺技术研究的主攻方向。

稀土元素独特的电学、光学和磁性使其应用非常广泛，其中掺杂有稀土元素Eu和Tb的氧化锌薄膜可作为白光LED材料。等离子体飞行时间质谱仪（PP-TOFMS）可快速获得各元素随深度的分布，并获得镀层任意深度的全质谱，为快速全方位的表征此类材料提供了可能。

瑞士万通光伏行业应用专辑离子色谱法测定电子级二氧化硅中的痕量磷半导体中掺杂剂的量决定半导体的质量，并直接影响它的电学性质，最重要的是它会直接影响物质的载流子浓度。

通过改变有机相中乙基纤维素的质量分数, 制备了具有不同流变性能的银浆, 并应用于硅太阳电池。对银浆流变性能、电池正面电极形貌和电池电性能等的分析测试结果表明, 银浆的流变性能影响所印制电池的电极形貌及其电性能。当有机相中乙基纤维素质量分数为 6% 时, 银浆具有较高低剪切速率下的黏度和较低高剪切速率下的黏度, 能使所印的电极栅线边缘整齐, 具有较高的高度和较小的线宽, 所印制电池电性能优越, 具有较好的填充因子( FF ) 和转换效率( G) 。

人造皮肤基本性能研究与性能测试摘要：人造皮肤在当前临床医学领域的地位愈发重要，作为专用于大面积创口愈合的医用敷料，往往对其透湿性和力学性能有一定的要求，以维持创口的适度湿润并满足日常伸曲、缝合等要求。通过对两种人造皮肤材料的性能测试，简单分析了影响其透湿性和力学性能的多重因素。关键词：人造皮肤、水蒸气透过率、力学性能　　了解关于更多相关仪器信息，您可以登陆济南兰光公司网站查看具体信息或致电0531-85068566咨询。Labthink兰光期待与行业中的企事业单位增进技术交流与合作。