电镀槽

作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备8月31日发布了新产品——Ultra ECP GIII电镀设备，以支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。Ultra ECP GIII还配备了全自动平台，支持6英寸平边和V型槽晶圆的批量工艺，同时结合了盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现最佳性能。盛美半导体设备董事长王晖表示:“随着电动汽车、5G通信、RF和AI应用的强劲需求，化合物半导体市场正在蓬勃发展。一直以来，化合物半导体制造工艺的自动化水平有限，并且受到产量的限制。此外，大多数电镀工艺均采用均匀性较差的垂直式电镀设备进行。盛美新研发的Ultra ECP GIII水平式电镀设备克服了这两个困难，以满足化合物半导体不断提升的产量和先进性能需求。”盛美的Ultra ECP GIII设备通过两项技术来实现性能优势：盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术。第二阳极技术可通过有效调整晶圆级电镀性能，克服电场分布差异造成的问题，以实现卓越的均匀性控制。它可以应用于优化晶圆边缘区域图形和V型槽区域，并实现3%以内的电镀均匀性。盛美的高速栅板技术可达到更强的搅拌效果，以强化传质，从而显著改善深孔工艺中的台阶覆盖率，同时提升的步骤覆盖率可降低金薄膜厚度，从而为客户节约成本。盛美半导体的Ultra ECP GIII已取得来自中国化合物半导体制造商的两个订单。第一台订单设备采用第二阳极技术的铜-镍-锡-镀银模块，且集成真空预湿腔体和后道清洗腔体，应用于晶圆级封装，已于上月交付。第二台订单设备适用于镀金系统，将于今年下一季度交付客户端。

8月8日，作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商的盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）推出用于扇出型面板级封装（FOPLP）的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备。盛美上海的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美上海自主研发的水平式电镀确保面板具有良好的均匀性和精度。该设备可加工尺寸高达515x510毫米的面板，同时具有600x600毫米版本可供选择。该设备兼容有机基板和玻璃基板，可用于硅通孔（TSV）填充、铜柱、镍和锡银（SnAg）电镀、焊料凸块以及采用铜、镍、锡银和金电镀层的高密度扇出型（HDFO）产品。Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美上海自主研发的技术，可精确控制整个面板的电场。该技术适用于各种制造工艺，可确保整个面板的电镀效果一致，从而确保面板内和面板之间的良好均匀性。此外， Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用水平（平面）电镀方式，能够实现面板传输过程中引起的槽体间污染控制，有效减少了不同电镀液之间的交叉污染，可作为具有亚微米RDL和微柱的大型面板的理想选择。该设备还采用了卓越的自动化和机械臂技术，以确保整个电镀工艺过程中面板被高效和高质量的传输。自动化程序与传统晶圆处理过程类似，但为了处理更大更重的面板，额外添加面板翻转机构以正确定位以及转移面板便于进行面朝下电镀等步骤，确保处理的精确性和高效性。 盛美上海董事长王晖博士表示：“先进封装对于满足低延迟、高带宽和高性价比半导体芯片的需求越来越重要。扇出型面板级封装能够提供高带宽和高密度的芯片互连，因此具有更大的发展潜力。由于可在更大的矩形面板上重新分配芯片，扇出型面板级封装为封装大型图形处理器（GPU）和高密度高带宽内存（HBM）节约了大量成本。我们的Ultra ECP ap-p面板级的水平式电镀设备充分利用我们在传统先进封装的晶圆电镀和铜工艺方面的丰富技术专长，满足市场对扇出型面板级封装不断增长的需求。凭借这项技术，我们能够在面板中实现亚微米级先进封装。”

以往电镀液的更换或何时再添加接性剂（如促进剂），是以经验值或时间来决定，如此做法是无法量化数据化，不知所以然的做法。电镀液中除了含有欲镀上之金属离子,电解质,错合剂外尚有有机添加剂（光泽剂,结构改良剂,润湿剂），其中润湿剂是影响被镀物（导线架，铜箔基板，构装基板）与金属离子，光泽剂之类等物质之间附着力好坏。镀膜易剥离是因接口活性剂选用不对或是浓度不对所造成。表面张力仪在电镀行业中的应用介绍01如何选定附着力好的电镀液主要是电镀液供货商配方问题，使用者可依供货商所提供电镀液实际去镀看看结果如何而选定，选定后以这新电镀液去测量表面张力值，以这个值当进料检验标准值。电镀液效果好坏还有因选用电镀设备有关，如使用何种电源供应器，选用何种电源供应器技术原理，是整个电镀设备的技术关键点。02制程中电镀液表面张力监控理论上电镀液表面张力愈小，表示电镀液愈容易渗入小缝隙里面，愈容易在被镀物表面润湿，也就是愈容易使用金属离子镀上去。但在品质与经济效益需取得平衡点，故表面张力值需控制在哪一点，这必须有赖使用者去抓。因每一家所考虑的都不一样，故无一定标准。但有一CMC（CriticalMicelleConcentration）点需先抓出来，因为超过CMC点后，表面张力反而不会改变，不但没达到预期效果且浪费接口活性剂。在CMC点之前的任何表面张力值，选一点你们认为制程上的，作为监控的标准值。当CMC点与标准值定下来后，再定时作电镀液取样量测。03结论假设金属离子（欲镀物）浓度是在控制范围内，但因无法渗入较小缝隙内，会造成缝隙内厚度不均匀甚至没镀到，或因润湿性不好除了厚度不均匀外，更是造成易剥离主要原因。表面张力计与底材表面自由能分析仪界面科学领域中，有一物化性质很值得去了解与应用它，尤其在精密化学,半导体,光电等新兴科技产业，在研发,制程改善和品保方面常会碰到界面上瓶颈问题，但因人们没深入去了解此一物化现象，似懂非懂，没有很清晰建立起正确观念，这些观念就是液体表面张力，固体表面自由能与表面自由能分布，和润湿功在实务解释应用上所代表的意义如何，因而无法利用这些观念去发现问题之所在，以谋求解决之道。只要把这物化性质清晰了解后，配合表面张力计和底材表面自由能分析仪的数据，相信可以解决许多表面张力方面的问题。相关仪器A1200自动界面张力测定仪基于圆环法（白金环法），测量各种液体的表面张力(液-气相界面)及液体的界面张力(液-液相界面)。分子间的作用力形成液体的界面张力或表面张力，张力值的大小能够反映液体的物理化学性质及其物质构成，是相关行业考察产品质量的重要指标之一。广泛用于电力、石油、化工、制药、食品，教学等行业。执行标准适应标准：GB/T6541

国家《电镀污染物排放标准》将于2010年7月1日起正式实施，新环标大限将至，宁波企业抱团应对，探索集中废污处理，推动表面工业升级。 　　8日上午，宁波市电镀协会邀请了国内有关专家和企业家，在象山召开“贯彻电镀新环标清洁生产研讨会”。中国表面工程协会电镀分会顾问委员会副主任、中国表面工程协会电镀分会老专家委员会副主任、我国著名电镀专家王一夫说，因环保要求越来越高及综合性因素，全宁波电镀厂已从600多家减少到了200多家。新环标实施后，如无好“偏方”，电镀厂数量还会继续下降，从管理上要求企业从分散型管理到集中型管理。

6月19日，由苏州市电镀协会联合天瑞仪器主办的“华东电镀行业分析检测技术交流研讨会”召开，这是苏州电镀行业协会在天瑞仪器举行的第二次会议，来自华东地区的各类电镀企业代表以及江苏、苏州两级电镀协会专家和学者参加了此次会议。 　　董事长刘召贵博士亲自对来宾进行了公司介绍，苏州电镀协会王万秘书长做了《苏州电镀产业发展报告》，分析了近几年来苏州电镀行业的发展趋势，剖析了当前电镀行业发展中亟需解决的环保和质量控制问题，并对电镀行业的未来进行了展望。 　　会议现场重点讲解了《XRF在电镀行业的应用及行业解决方案》和《化学分析方法在电镀行业的应用及行业解决方案》，对XRF技术、化学分析方法在电镀行业的深层应用，各企业代表和专家对本次技术讲座及应用兴趣浓厚，反响强烈，提出了不少对实际操作中遇到的问题。 　　会后，客户和专家学者参观了天瑞仪器实验室和产业园，并对天瑞生产的THINK800A等镀层行业专用仪器表示极大兴趣。　　 　　董事长刘召贵博士作公司介绍　　 　　电镀协会王万秘书长作对苏州电镀产业做发展报告　　 　　现场技术讲座　　 客户和专家学者参观实验室 　　了解天瑞仪器：www.skyray-instrument.com

记者从安阳市环保局获悉，今年，安阳市将继续开展整治违法排污企业、保障群众健康环保专项行动，以解决危害群众健康和影响可持续发展的突出环境问题为重点，进一步加大对重金属污染物排放企业环境违法行为的整治力度，加快推进安阳河综合整治等重点工作。 　　在集中整治重金属排放企业方面，环保专项行动重点查清重有色金属矿采选及冶炼、含铅蓄电池、皮革及其制品、化学原料及化学制品、电镀、危险废物处置等重金属排放企业及历史遗留重金属废物堆场，彻底取缔国家明令淘汰的“小电镀”、“小制革”、“小冶炼”等落后工艺装备和生产能力，对饮用水源地一级保护区、二级保护区内的重金属排放企业一律取缔。 　　加快推进重点环保项目建设，继续推进安阳河综合治理工作，确保安阳河水质得到明显改善。全面开展“碧水工程”，提高我市主要河流省市控断面达标率。滑县、林州市所有堆存铬渣要在年底前完成无害化处置。宗村污水处理厂要在11月底之前开展污泥处理处置示范工程建设。唐沟垃圾综合处理场和各县(市)生活垃圾处理场要加快渗滤液处理设施建设进度，尽早投入运行。今年，我市还要完成洪河流域综合整治和金堤河综合整治。 　　为了保证今年的环保专项行动有效开展，安阳市还成立了由环保、发改、工信等9部门组建的专项行动小组，共同打击环境违法行为。5月至9月为专项行动全面排查和集中整治阶段，环保专项行动小组要对重金属排放企业、污染减排重点行业存在的环境违法问题进行集中整治，严肃查处一批典型违法案件。10月至11月为督察阶段，对督察中发现的问题，新闻媒体将对整改落实情况进行跟踪报道。12月为总结阶段。

电镀作为制造业的四大基础工艺之一，广泛应用于各种行业，如高端的电子、航空、航天、能源、核工业，低端的日用五金、汽车配件、文具类产品等，是无法取代的服务性行业。 　　据不完全统计，2009年我国电镀企业数量(规模以上企业)总计1.5万家，5000多条生产线和2.5~3亿平方米电镀面积生产能力。近几年，随着各地政府对重污染企业的整治，电镀企业数量有减少的趋势。 　　2008年，环境保护部颁布了《电镀污染物排放标准》(GB21900-2008)，标准的颁布为重点行业及重点污染源的管理提供了依据。 　　排放新标遭遇哪些问题? 　　需要寻求达标与投资、运行成本之间的平衡 　　根据电镀水污染物的理化特性、危害性以及污染控制的需要等，新标准共选择了20项污染物作为水污染控制项目，其中金属污染物11项，非金属污染物9项。与欧盟部分国家表面处理废水排放浓度限值比较，标准中金属污染物排放标准严格程度均处于中上游水平。而化学需氧量、磷等非金属污染物几项指标由于列入地表水体污染物排放总量，控制也较严格。 　　调查发现，各地电镀企业/园区在执行标准中普遍存在一些问题： 　　首先，COD、氨氮、总氮、总磷等生化指标由于废水生化性比较差，常规AO或A2O工艺无法处理，是超标的主要因子。电镀废水中COD的来源主要为：前处理废水(除油、除蜡)中的酯类 镀液中的各种添加剂(表面活性剂、光亮剂、络合剂等) 还原剂的过量添加产生的&ldquo 假性COD&rdquo 。虽然电镀废水的COD浓度不高(200~300mg/L)，但由于其生化性较差而造成常规的生物法无法有效处理。 　　其次，Cu离子在化学法处理工艺中是重金属离子的主要超标因子。电镀工序产生的络合剂(EDTA、酒石酸钠等)与铜螯合形成络合铜，以及其他工序也会产生相应的含铜络合物，这造成在化学沉淀法中容易破络或沉淀不完全而造成铜超标。 　　再次，达到标准中水污染物特别排放限值的投资及运行成本压力大。园区或者企业为了达到标准，重金属废水及可回用的废水多数采用了膜技术工艺。调查发现电镀废水大型集中式污水处理厂膜处理的投入成本约占总成本的20%~30%，运行成本约增加25%~40%，中小型电镀废水处理厂膜处理投入成本及运行成本更高，这对于已经改造或新建的电镀废水污水处理厂而言，压力有点大。 　　园区成主要发展形式 　　由广泛式分布向集中式发展，但企业入园情况不理想 　　调查发现，标准颁布4年后，电镀行业及相应治理行业格局已经发生了变化。 　　首先，行业形态由广泛式分布向集中式分布发展。电镀园区集中化发展已成为电镀行业目前及未来的主要发展模式。电镀园区的建设，能够实现统一生产、统一管理和统一治污，有利于实现对一个地区电镀行业的监管。但同时，电镀企业入园发展也意味着电镀企业规模、自动化程度、管理水平及要求的提高以及近半的搬迁损失和客户流失，这对于政府部门形成了较大的挑战。调查发现，目前全国共有已建及在建的电镀园区或集聚区100多个。 　　调查发现，虽然广东、重庆等省市均在积极推动电镀企业入园发展，并采取了一定的强制手段，但入园情况仍不太理想。如广东中山、惠州等地的入园率约为50%，而重庆市园区外电镀企业仍占50%以上。 　　2010年以后，浙江省针对电镀企业制定了越来越严格的综合整治标准和验收标准，发布了一系列的政策。比如浙江省环保厅印发的67号文件中提出，&ldquo 2012年底前，电镀企业众多的县(市、区)建成电镀园区，除保留少数标杆式企业外，原则上所有电镀企业完成搬迁入园或在园区租赁厂房设备整合发展。&rdquo 同时制定了56条电镀企业污染综合整治验收标准，涉及9条废水处理、6条废气治理、3条固废处理验收标准。56条严格的验收标准在浙江省电镀企业中留下了深刻的印象，调研中发现，当地几乎所有电镀企业都会提到这个标准。 　　浙江省通过两年对电镀企业的综合整治取得了明显成效，如宁波市210家电镀企业(含配套电镀车间)中，位于电镀园区(集聚区)和工业功能区中的共196家，占比达到93.3%。建议其他地区可借鉴浙江省的经验结合本地方特色，采用引导和强制并用的手段，积极引导规模以上企业入园，取缔小、黑、散企业。 　　第三方运营找到商机 　　专业治理公司发展迅速，为园区电镀废水治理提供环境服务 　　新标准颁布后，有技术和有实力的治理企业认为这是一种机遇，迅速开拓市场，做大做强，逐渐垄断市场，而技术实力偏弱的企业只能分浅浅一杯羹。 　　值得注意的是，随着电镀园区的集中化发展以及排放标准的严格，园区集中式污水处理设施对专业化运营商的需求越来越大，针对电镀行业污染治理的第三方专业运营公司由此得到发展。 　　目前，各电镀园区的集中式污水处理厂运营模式主要为自运营(政府自运营或投资商自运营)和第三方运营两种模式。 　　如浙江省主要以第三方运营为主，其中温州已投运的4个电镀园区全部为第三方运营，而宁波、衢州等市也以第三方运营为主。统计发现，浙江省20多个电镀园区75%以上为第三方运营，广东省第三方运营的比例约为50%，重庆市第三方运营比例低于50%。 　　浙江海拓环境技术有限公司作为第三方运营公司的代表，近几年其运营规模以每年翻番的速度增长。公司成立于2007年，2008年公司营业额约400万元，2012年公司营业额就达1.6亿元。 　　据了解，海拓环境目前对浙江省12个电镀园区及企业进行第三方运营，总运营规模达到4万吨/天(设计规模)。而随着各地区对标准实施的严格要求及整治力度的加强，第三方运营企业的数量及规模也将呈现出快速发展的趋势。 　　在线监测开始成新热点 　　重金属污染企业强制安装，国内外厂家纷纷抢占市场 　　根据《电镀污染物排放标准》规定，新建设施应按照《污染源自动监控管理办法》的规定，安装污染物排放自动监控设备，并与环保部门的监控中心联网。这对在线监测的发展起到了积极促进作用。同时，随着国家对重金属污染控制的重视，部分省市逐渐开始关注重金属排放的在线监测，重金属监测成为水质在线监测市场一个新的热点领域。 　　目前国内市场上的重金属监测仪主要有铜、镍、锌、铅、铬、砷、锰等。调查发现，2008年重金属在线监测仪国内需求较少，生产厂家也很少。在《电镀行业污染物排放标准》颁布一年后市场开始预热，直至2010年才开始真正引爆市场，各地政府相继出台政策，强制要求重金属污染企业安装在线监测仪。 　　在各地需求激增的情况下，老牌的在线仪器厂家利用已有的技术积累和市场渠道策马圈地，占据了大半江山 一些本不是从事环保仪器的厂商也从中看到了商机，加入竞争行列中。同时，国外厂家(比利时的Applitek、澳大利亚的MTI、捷克的Istran、意大利SYSTEA等)也纷纷通过经销商向国内输入产品。 　　专家预测，未来2~3年，重金属在线监测仪的规模约为5000套。考虑电镀行业重金属在线监测40%的占比，未来2~3年电镀行业重金属在线监测的市场规模约为500~1500套，市场金额约为3~9亿元。 　　作者单位：李瑞玲 江苏省(宜兴)环保产业研究院 卢然 李小朋 环境保护部环境规划院

塑料电镀是电镀行业最*大的增长市场之一。制造商正在使用塑料电镀部件来降低成本，包括从汽车标识到洗衣机上的各种装饰性部件。在这些部件镀上镍或铬饰面，以确保具有良好外观。消费者对此似乎并不介意；至2024年，塑料电镀市场规模将达到7.5亿美元。日立分析仪器的镀层分析专家Matt Kreiner在此解释了为什么应准备就绪，以及XRF技术应如何成为质量控制工具包的一部分。面向消费者市场的巨大趋势对塑料电镀的需求由两大面向消费者市场驱动：汽车和家用电器。在汽车行业中，造成塑料电镀组件数量增加的主要原因如下：第一，减轻车辆重量以提高燃料效率，第二，降低生产成本。通过在塑料制作的复杂形状上镀上镍和铬以获得性能良好的饰面，将大幅降低成本。塑料组件也不易腐蚀和磨损。在汽车制造业中，塑料电镀用于车轮盖、门把手、饰件、仪表板、格栅和许多其他组件。即日起至2024年，预计汽车塑料电镀细分市场规模将增长6.5%以上（复合年增长率）。2023年，预计全球家用电器行业规模将从1,740亿美元增至2,030亿美元。在该行业中，塑料电镀旨在降低制造成本。镀镍和镀铬是不锈钢的廉价替代品。而且，制造商仅需改变饰面，即可提供外观截然不同的独特产品，而无需在设计上做出巨大改变。这适用于从烤面包机到大型双门冰箱等大量产品。铬和镍是两种主要饰面；镍用在铬层下方，或者作为完整的饰面。采用的电镀技术是化学镀镍和电镀铬。可使用许多塑料材料，常见的基底类型包括：ABS、聚碳酸酯、聚乙烯和液晶聚合物。塑料电镀的XRF最*佳实践使用装饰电镀的成败均在于质量。质量欠佳的饰面会让消费者失望，并损害供应商的声誉。作为塑料金属表面处理提供商，必须提供高质量的部件。XRF分析无损、准确且快速，是最适合测量饰面厚度的理想技术。然而，当塑料上同时镀有铬和镍层时，某些XRF设备难以识别并难于准确测量。这是因为装饰电镀中的元素拥有非常接近的荧光X射线光谱峰位。处理这类问题的好方法是确保XRF设备配备正确类型的探测器。首先应考虑的探测器类型是硅漂移探测器（即SDD探测器）。SDD探测器比传统正比计数器具有更优的分辨率，可轻松读取不同金属层的谱峰。因此可轻松确保获得正确的电镀厚度，这对确保在组件的整个使用寿命期间提供高质量饰面至关重要。就金属表面处理提供商而言，塑料电镀带来的是真正的增长机会，尤其是在其已为汽车和家用电器制造商供货的情况下。联系我们，了解适用于准确测量镍和铬厚度的XRF光谱仪系列。

法国M.P.C公司的Titraplate CP 电镀添加剂分析系统 独一专门为电镀工业和电镀剂（特别是用于酸性铜和酸性锡电镀液）中添加剂浓度测定的CVS（循环伏安溶出）分析仪。 分析方法 标准加入法测定铜、锡电镀液中荧光增亮剂 校准曲线法测定铜、锡电镀液中Carrier / Leveller 创新技术用于锡荧光增亮剂分析 旋转圆盘电极 转速100～5000rpm 视觉控制 参比电极 Ag/AgCl新型玻璃双接界电极（寿命长，维护简单） Pt辅助电极 增大Pt面积以将gaz发射降至最低 同时推出该公司最新的多样品自动处理系统T-100型，分离式的喷淋电极清洗设计，大幅减小了交叉污染。 详细信息请直接与雷迪美特广州办联系 020－87683635，radiometer@126.com

在电镀工艺中，表面活性剂在镀液中起到润湿零部件的作用，获得光滑的表面。然而，过量的表面活性剂也会导致电镀液产生不必要的气泡。因此在电镀工艺中，表面活性剂含量是一个非常重要的工艺参数，监测表面活性剂浓度对于提高工艺可靠性和质量控制至关重要，一般通过测量电镀液动态表面张力来获得。德国析塔SITA全自动动态及静态表面张力仪测出电镀液表面张力仪，为后续添加表面活性剂浓度提供保证。2021年12月15号，德国析塔SITA将举办在线研讨会，介绍电镀工艺中优化控制的润湿剂的方法，以及德国析塔SITA表面张力仪在电解质测量的实际应用。在研讨会上，来自德国析塔SITA公司的应用专家André Lohse and Tilo Zachmann将介绍以下几个方面内容：1.什么是动态表面张力，如何测量2.介绍德国析塔SITA全自动动态表面张力仪3.德国析塔SITA表面张力仪在电镀工艺和半导体工艺的应用4.实验示范：如何处理样品，如何在最初测试中确定参数，测量结果解释说明发邮件到【marketing@hjunkel.com】，邮件主题写【12月15号网络研讨会】进行登记，我们将在研讨会结束后给您发送资料和视频。马上点击了解更多关于德国析塔SITA全自动动态及静态表面张力仪的产品信息和技术应用。翁开尔是德国析塔SITA中国独家代理，负责析塔SITA系列产品如表面清洁度仪，动态表面张力仪，泡沫仪等在中国的销售、技术支持，马上致电联系佛山翁开尔公司。

6月19日，&ldquo 华东电镀行业分析检测技术交流研讨会&rdquo 即将在天瑞仪器分析测试研究院召开。此次会议由江苏天瑞仪器股份有限公司和苏州市电镀协会联合主办，中国电镀网做媒体支持，并邀请江苏省机械工业联合会分会秘书长作为此会议特邀嘉宾。 此次研讨会的举办旨在为电镀业内人士介绍当前最新镀层检测方法和现阶段国内外最先进的检测设备。为广大镀层行业人士提供X荧光分析仪器和化学分析类仪器在实际应用中的检测方法，推动苏州地区镀层行业的发展。届时将有苏州市电镀协会领导、专家出席此次会议，与参会的行业客户共同交流讨论。 天瑞仪器积极组织此次会议的召开，为行业客户提供一个学习交流的机会，机会难得，期待广大镀层行业客户的参与。 大会流程： 详情咨询研讨会会务组：0512-57018653 了解天瑞仪器：www.skyray-instrument.com

p 　　ClassOne Technology是面向200毫米及更小半导体制造行业的新型电镀和湿法加工工具的主要供应商，近日宣布将其旗舰Solstice& reg CopperMax& #8482 电镀系统多工具销售给中国一家复合半导体制造商。作为中国较大的半导体供应商，也是世界上极具优势的砷化镓(GaAs)晶圆厂之一，ClassOne的新客户将使用CopperMax& #8482 来锚定高度先进电芯的生产，其突破性设计适用于各种前沿半导体市场。 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201808/insimg/67dd3b26-ddc9-4ffb-9eef-7298de333c80.jpg" title=" Solstice& reg CopperMax& #8482 .jpg" width=" 400" height=" 296" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 296px " / /p p 　　 span style=" color: rgb(79, 129, 189) " i “ClassOne已成为复合半导体行业严格需求的优选供应商，” /i /span ClassOne首席执行官Byron Exarcos表示。 span style=" color: rgb(79, 129, 189) " i “ClassOne在世界各地领先的复合半导体晶圆厂都有业务，目前在基于GaAs衬底的半导体的开发和制造方面处于全球优势地位。此次销售进一步证实了ClassOne在全球电镀技术领域的优势地位。” /i /span /p p 　　ClassOne预计未来几个月将有多个类似的销售行为，因为遍布亚洲的半导体制造设施扩展了其对于先进应用的处理能力，包括3D传感，自动驾驶汽车和4G/5G通信等需要高度先进的复合半导体芯片技术的应用。 /p

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10月20日，盛美半导体设备宣布，已收到一家主要集成电路制造商购买其Ultra ECP map镀铜设备的DEMO设备订单。订单确定的交付日期在 2022 年初。图片来源：盛美半导体设备据介绍，Ultra ECP map是在盛美半导体设备已经得到证明的电镀 (ECP) 技术基础之上制造的。该设备配备多阳极局部镀铜功能，可以在先进的技术节点上实现双大马士革铜互连结构铜金属层沉积。该设备可兼容超薄种子层，生产量高、运行时间长，同时能降低耗材成本和运营成本。

1、在医疗领域应用很广泛，不管是在实验还是临床治疗中都具有很重要的作用，主要应用于超导磁共振、直线加速器、CT、低磁场核磁共振、X光机、微波治疗机、医用冷帽、降温毯等。 　　2、在生命科学领域中，主要用于研究一些生命在不同环境温度下的反应和特性。通过恒温让生物处于不同的生长环境下，观察其生长规律和在特定温度下的反应。也可通过容器观察细胞等微生物在低温下的活数等实验。主要用于生命实验研究。 　　3、在生化领域中，通常是通过一些化学原理和方法，创造各种不同环境温度，不同营养物质和化学成分下，研究生物体的代谢、信息传播和结构变化等信息。同时也可以和旋转蒸发仪、阿贝折光仪、旋光仪、原子吸收、ICP-MS、ICP、核磁共振、CCD、生物发酵罐、化学反应器等分析仪器配套使用。 　　4、材料领域中主要是对一些材料的特性经行检测，是否可以耐低温，是否可以耐高温，是否耐腐蚀等，适用于电镜、X射线衍射、X荧光、真空溅射电镀、真空镀膜机、ICP刻蚀、各种半导体设备、疲劳试验机、化学沉积系统、原子沉积系统等。 5、化学实验中的应用　　精密恒温液浴槽对于化学实验非常重要，可以在不同的温度下控制试剂的反应速率以及优化反应条件，提高反应的收率和选择性。例如，在药物合成中，利用精密恒温液浴槽可以控制反应过程中的温度变化，从而避免产物的分解和不良反应的发生。　　 6、生物实验中的应用　　生物实验中，对于细胞和生物样品的处理通常需要严格控制温度，以避免细胞死亡或者破坏样品结构。精密恒温液浴槽可以提供非常精确和稳定的温度环境，对于细胞培养、酶催化反应等实验有着非常重要的作用。　　 7、材料研究中的应用　　材料研究中需要对不同材料进行热处理，以改变其性质和结构。通过控制精密恒温液浴槽的温度，可以精确地调节样品的热处理条件，从而获得所需的性质和结构。

2022年4月28日，日立高新技术集团旗下的全球性公司日立分析仪器推出了革命性的XRF仪器FT230，扩大了电镀和镀层分析范围。FT230的设计大幅简化和加快了部件和组件的测试流程，助力电子产品和组件制造商、一般金属表面处理厂和塑料电镀厂实现全方位镀层检测并符合严格的规范要求。FT230消除了XRF分析的传统障碍，加快了分析速度并减少了代价高昂的错误，以帮助电子和零部件制造商、通用金属精加工商和塑料电镀企业实现全方位检测并满足严苛的规范要求。让XRF成为决策助手FT230设计的每个方面都旨在减少完成XRF测量所需的时间。目前，操作员在准备测量和处理结果方面所耗的时间要远远多于XRF分析零件的时间。通过智能零件识别功能Find My Part™ （查找我的样品），用户可自动选择需要测量的部件、分析程序和报告规则，从而使FT230的用户体验（UX）得到极大改善，因此操作员在使用XRF设备方面耗时更少，而将更多时间用于处理分析结果。随着用户的工作内容的变化，可轻松快速地对用户自建机载库进行扩展，以处理新部件和新程序。智能至简的新体验作为运行日立全新FT Connect软件的首款产品，FT230延续了已有软件SmartLink和X-ray Station的优势，还增加了新的功能，提高了可用性。FT Connect颠覆了传统的界面。在传统软件中，屏幕的大部分空间都被控件所占据——其中许多控件并不常用，而FT Connect将XRF设备的关键部分集中显示在界面上，呈现超大规模的样品视图和清晰的结果，使用户更容易找到部件来进行分析和查看分析结果。工业4.0时代的数据处理水平利用FT Connect灵活的数据处理功能，可按需要得到分析结果。分析结果会显示在主测量屏幕的醒目位置，方便操作员快速采取行动，同时存储在机器上供日后查阅。分析结果可以电子表格或综合JSON格式导出，与CADA、QMS、MES或ERP系统集成。同样，也可为内部或外部客户创建定制报告。仪器维护更简单除了一系列确认仪器稳定性的功能（包括常规仪器检查和校准验证工具）外，机载诊断程序还为用户提供了更多关于仪器健康状况的信息。可通过ExTOPE（日立基于云计算的高级数据管理和存储服务，可让用户即时安全地共享数据）直接与日立的技术支持团队共享此类数据信息。 不仅仅包括涂镀层测量的功能除了测量涂镀层的厚度和成分之外，FT230还增加了其他功能。强大的软件和高分辨率的硅漂移探测器实现了以下功能：（1）筛选部件是否符合受限制材料法规（如RoHS）的规定；（2）分析包括电镀槽溶液和金属合金在内的材料的成分，对检验来料中的基板和确认化学性质（对处理贵金属的质量证明中心至关重要）非常有用。一次就成功日立的镀层分析产品经理Matt Kreiner表示：“FT230从根本上改变了操作员与XRF设备的互动方式。几十年来，XRF的用户必须记住或查找生产零件的测量方法，以及决定其应用领域（是电镀镍/金还是镍/钯/金）、测量位置、焦斑尺寸、测量时间和报告条例的方法。即使有些系统可以通过条形码或二维码扫描提供部分信息，用户依然需要做出相关决定。而上述决定可能会出现错误，这是制造商无法承受的结果。一旦使用FT230，用户可将部件装入样品舱，运行Find My Part™ （查找我的样品）程序，仪器便会处理余下的工作。日立在FT230中所设计的一切细节都是为了缩短和简化XRF设备测量流程中‘设置’这个耗时和复杂的环节。此举能减少错误，让操作员腾出时间执行能够增值的任务，并增加了测试量，因此拥有这款XRF设备的用户可以实现事半功倍的目标。”从简单的涂镀层到有关超小部件的复杂应用领域，日立推出的全系列分析仪——现在包括FT230——旨在从来料检验、过程控制到终端质量控制的整个生产过程中能为部件镀层提供高置信度的测量结果。

高精度测量极微小部位的金属薄膜厚度 精工电子纳米科技有限公司（简称：SIINT，社长：川崎贤司，总公司：千叶县千叶市）是精工电子有限公司（简称：SII，社长：新保雅文，总公司：千叶县千叶市）的全资子公司，其主要业务是测量分析仪器的生产与销售。本公司于12月19日开始销售可高精度测量电镀・ 蒸镀等极微小部位的纳米级别的镀层厚度测量仪「SFT9500X系列」。出货时间预定为2012年2月上旬。 高性能X射线荧光镀层厚度测量仪　「SFT9550X」 要对半导体、电子部件、印刷电路板中所使用的电镀・ 蒸镀等金属薄膜的膜厚・ 组成进行测量管理，就必须确保功能、品质及成本。特别是近年来随着电子仪器的高功能化、小型化的发展，连接器和导线架等电子部件也逐渐微细化了。与此同时，电镀・ 蒸镀等金属薄膜厚度的测量也要求达到几十微米的极微小部位测量以及达到纳米等级的精度。 「SFT9500X系列」通过新型X射线聚光系统（毛细管）和X射线源的组合，可达到照射直径30μmφ的高能量X射线束照射。以往的X射线荧光膜厚仪由于照射强度不足而无法获得足够的精度，而「SFT9500X系列」则可以对导线架、连接器、柔性线路板等的极微小部位进行准确、迅速的测量。 SIINT于1978年在世界上率先推出了台式X射线膜厚仪，而后在日本国内及世界各地进行广泛销售，得到了顾客很高的评价。此次推出的「SFT9500X系列」是一款凝聚了长期积累起来的X射线微小部位测量技术的高性能X射线荧光膜厚仪。今后将在电子零部件、金属材料、镀层加工等领域进行销售，对电子仪器的性能・ 品质的提高作出贡献。 【SFT9500X系列的主要特征】1. 极微小部位的薄膜・ 多层膜测量通过采用新型的毛细管（X射线聚光系统）和X射线源，把与以往机型（SFT9500）同等强度的X射线聚集在30μmφ的极微小范围。因此，不会改变测量精度即可测量几十微米等级的微小范围。同时，也可对几十纳米等级的Au/Pd/Ni/Cu多镀层的各层膜厚进行高精度测量。 2.扫描测量通过微小光束对样品进行XY扫描，可把样品的镀层厚度分布和特定元素的含量分布输出为二维扫描图像数据，更方便进行简单快速的观察。 3. 异物分析通过高能量微小光束和高计数率检测器的组合，可进行微小异物的定性分析。利用CCD摄像头选定样品的异物部分并照射X射线，通过与正常部分的能谱差进行异物的定性分析（Al～U）。 【SFT9500X系列的主要产品规格】 SFT9500X SFT9550X 样品台尺寸（宽）×（长）　 175×240 mm 330×420 mm 样品台移动量（X）×（Y）×（Z）　 150×220×150 mm 300×400×50 mm 被测样品尺寸（最大）（宽）×（长）×（厚度）　 500×400×145 mm 820×630×45 mm X 射 线 源 空冷式小型X射线管（最大50kV，1mA） 检 测 器 Vortex半导体检测器（无需液氮） 照 射 直 径 最小30μmφ 样 口 观 察 CCD摄像头（附变焦功能） 样 品 对 焦 激光点 滤 波 器 Au极薄膜测量用滤波器 操 作 部 电脑、19英寸液晶显示器 测 量 软 件 薄膜FP法、薄膜検量線法 选 配 能谱匹配软件、红色显示灯、打印机 测 量 功 能 自动测量、中心搜索 数 据 处 理 Microsoft® Excel、Microsoft® Word（配备统计处理；测量数据、平均值、最大・ 最小值、CV值、Cpk值等测量结果报告制作（包含样品图像）） 安 全 功 能 样品室门安全锁、仪器诊断功能 【价格】　1,650万日元～（不含税） 【出货开始时间】　2012年2月上旬 【销售目标台数】　50台（2012年度） 　　　Microsoft是美国　Microsoft　Corporation在美国及其它国家的登记商标或者商标。 以上 本产品的咨询方式中国：精工盈司电子科技(上海)有限公司TEL：021-50273533FAX：021-50273733MAIL：sales@siint.com.cn日本：【媒体宣传】精工电子有限公司综合企划本部 秘书广告部 井尾、森TEL：043-211-1185【客户】精工电子纳米科技有限公司分析营业部 营业三科TEL: 052-935-8595MAIL：info@siint.co.jp

2022年5月3-5月10号，德国析塔SITA将举办网络研讨会，此次研讨会的主题是“工业清洗工艺清洗质量的量化、监控和优化”。在此次的网络研讨会中，你将了解工业清洗工艺和量化工业清洗工艺质量的解决方案，了解如何使用析塔清洁度仪、表面张力和污染度仪等仪器有效监测和控制工业清洗质量！“工业清洗工艺清洗质量的量化、监控和优化-析塔清洁度仪、表面张力仪和污染度仪”网络研讨会2022年5月3号-10号举办的"工业清洗工艺量化、监控和优化网络研讨会"涉及三大模块内容：模块1：高效控制零部件清洗质量和优化清洗工艺。在模块1中，我们将回顾工业清洗过程，通过量化测量技术监控工业清洗工艺，稳定零部件的表面清洁度，建立工业清洗质量保证标准。模块2：量化监控清洗槽污染程度。在模块2中，我们将了解工业清洗工艺对清洗槽的污染程度以及如何量化监控表面活性剂浓度，通过使用析塔SITA DynoTester+动态表面张力仪和析塔SITA ConSpector污染度仪，可以了解有关表面活性剂浓度和清洗槽的污染程度，以及高效监控表面活性剂浓度和监测清洗槽的污染度，以此有效优化清洗槽液的使用寿命。模块3：零部件表面清洁度检测技术。在模块3中，通过使用析塔SITA CleanoSpector表面清洁度仪和析塔SITA SurfaSpector接触角仪，了解量化检测零部件表面清洁度的方法和技术---荧光法。析塔SITA工业清洗工艺量化控制清洗质量网络研讨会主讲人翁开尔是德国析塔SITA在中国的独家代理商，扫码联系我们报名参加！参会人员可以收到电子版的讲义课件。德国析塔SITA表面清洁度仪介绍在涂装、粘接等过程中，金属部件表面残留污染物会严重降低涂层、粘胶结合层的附着力、牢固度。析塔表面清洁度仪通过荧光测量技术，协助稳定零部件清洗质量，有效避免附着力下降等问题。德国析塔SITA表面清洁度仪可量化检测金属表面的清洁度仪，保证焊接、涂装、电镀、粘胶前的金属部件清洁度符合后面的工艺要求。仪器通过荧光法检测出金属表面诸如油渍、油脂、冷却润滑剂、手指纹及蜡等污染物。点击了解更多关于析塔清洁度仪产品信息测试结果可为清洗时间、清洗剂选择和浸泡温度等整个清洗过程的优化提供量化依据。通过控制清洗过程金属部件表面清洁质量来确保产品的高质量要求。德国析塔SITA表面张力仪介绍德国析塔SITA的表面张力仪可以监控清洗槽液的质量，为研发和清洗工艺过程建立良好的基础进而获得高质量结果。此外，表面张力检测还能避免过量使用表面活性剂，从而降低生产成本。点击了解更多关于析塔全自动动态表面张力仪产品信息析塔SITA表面张力仪采用创新的气泡压力法原理测量液体的动态及静态表面张力，无需精确控制毛细管浸入深度，测量精度高，操作灵活。传统的表面张力测试仪采用铂金环法/铂金板法原理，而这种方式不能反映表面活性剂的迁移过程，因此也就不能测出动态表面张力。而SITA析塔公司生产的表面张力仪通过智能控制气泡年龄（bubble lifetime），可以测出液体中表面活性剂分子迁移过程中表面张力的变化过程，即连续的一系列的的动态表面张力值以及静态表面张力值。德国析塔SITA污染度仪介绍德国析塔公司研制的污染度测量仪，可检测液体的荧光物质从而判断污染程度。主要应用于工业清洗过程中，监测清洗槽的污染度。用户可根据此数量有效优化槽液的使用寿命，避免污染度过高的槽液二次污染工件造成的质量问题，并可节省成本。污染物包括：油、蜡、冷却液、松香、酯、醇等。点击了解更多关于析塔污染度仪产品信息翁开尔是德国SITA析塔在中国的独家代理商，欢迎致电咨询。

5月9日，盛美上海宣布，与一家中国领先的先进晶圆级封装客户签订了10台Ultra ECP ap高速电镀设备的批量采购合同，这些设备将于2022年和2023年交付。据盛美上海介绍，采用新式高速电镀技术的Ultra ECP ap电镀设备已被多家先进晶圆级封装客户用于更先进的晶圆级封装制程。△Source：盛美上海官微盛美上海是国内知名的半导体设备厂商，主要从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单片晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备和立式炉管设备的研发、生产和销售。在签订此合同前，盛美上海已于今年年初宣布接到了一家中国顶级代工厂的10台前道铜互连电镀设备的批量采购订单。事实上，自2022年以来，盛美上海已经接到了多个批量采购订单。包括18腔300mm Ultra C VI单晶圆清洗设备、21台电镀设备订单、29台槽式湿法清洗设备订单等。当前，为满足5G、移动电话和自动驾驶汽车等多种应用对高性能处理器的需求，新型WLP结构的新兴需求日益提升。在此背景下，无意推动了市场对盛美上海Ultra ECP ap高速电镀设备的强劲需求，该设备可靠的性能也在本年度为我们带来了多份订单。盛美上海董事长王晖博士表示：“此次来自中国领先的先进晶圆级封装客户将采购10台设备使我们在这个成长迅速的先进封装市场中进一步占有更多份额。”

近日，德州仪器半导体制造（成都）有限公司凸点加工及封装测试生产扩能项目（二期）竣工验收。该二期工程建设内容包括：在集成电路制造厂（FABB）新增凸点加工产能18.7975万片/年（全为常规凸点产品），在封装测试厂（AT）新增封装测试产能 10 亿只/年（均为常规QFN产品）。二期工程建设完成后，扩能项目新增凸点加工产能33.3975万片/年（全部为常规凸点33.3975万片/年），新增封装测试产能 21.48 亿只/年（其中常规QFN 15.48 亿只/年，WCSP 6 亿只/年）。仪器信息网通过公开文件查阅到该项目的相关仪器设备配置清单和工艺流程。FABB 集成电路制造厂主要生产设备清单.封装测试厂（AT）主要生产设备清单生产工艺:1、凸点加工晶圆凸点是在封装之前完成的制造工艺，属于先进的封装技术。该工艺通过在晶圆级器件上制造凸点状或球状结合物以实现接合，从而取代传统的打线接合技术。凸点加工制程即从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统 Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积，此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。 扩能项目凸点包括普通凸点和 HotRod 凸点两种，其主要区别在于凸点制作所采用的焊锡淀积技术不同，普通凸点采用植锡球工艺，工艺流程如下图所示，Hot Rod 凸点采用电镀锡银工艺，工艺流程如下图所示。扩能项目凸点包括 RDL(Redistribution Layer)、BOP-on-COA(Bump on Pad – Copper on Anything)、BOP(Bump on Pad)、BOAC (Bond Over Active Circuit)、 BOAC PI (Bond Over Active Circuit with Polyimide)、Pb-free HotRod，上述各类凸点结构如下图所示，主要区别为层次结构和凸点类型不同。扩能项目各类凸点结构示意普通凸点加工主要工艺流程及产污环节注：普通凸点产品中的 BOAC 不含灰化、回流焊与助焊剂去除工艺Hot Rod 凸点加工主要工艺流程及产污环节凸点加工的主要工艺流程简述如下：（1）晶圆检测分类(wafer sorting)：对来料晶圆进行检测，主要是检测晶圆有无宏观缺陷并分类。（2）晶圆清洗(incoming clean)：由于半导体生产要求非常严格。扩能项目清洗工艺分为两种工艺，第一种仅使用高纯水，另一种使用 IPA 清洗，清洗后再用纯水进行清洗。IPA 会进入废溶剂作为危废收集，清洗废水进入中和废水系统进行处理。（3）烘干(Dehydration bake)：将清洗后的晶圆烘干。该工序产生的烘干废气通过一般废气排气系统排放。 （4）光刻（Photo）扩能项目采用光刻机来实现电镀掩膜和PI（聚酰亚胺）层制作，包括涂胶、曝光，EBR和显影。涂胶是在晶圆表面通过晶圆的高速旋转均匀涂上光刻胶（扩能项目为光阻液和聚酰亚胺（PI））的过程；曝光是使用曝光设备，并透过光掩膜版对涂胶的晶圆进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影之前，需要使用EBR对边缘光阻进行去除。显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。通过曝光显影后再进行烘干，晶圆表面可形成绝缘掩膜层。扩能项目该制程使用了各类光阻液、聚酰亚胺、EBR、显影液及纯水，完成制程的废液统一收集，作为危废外运处置。显影液中由于含有四甲基氢氧化铵，将产生少量的碱性废气，由于其浓度很低，扩能项目将其通入酸性废气处理系统进行处理；显影液及显影液清洗水排入中和废水处理系统。光刻工艺示意图（5）溅射（SPUTTER）溅射属于物理气相沉积（PVD）的一种常见方法，即金属沉积，就是在晶圆上沉积金属。UBM（凸点底层金属）是连接焊接凸点与芯片最终金属层的界面。UBM 应在芯片焊盘与焊锡之间提供一个低的连接电阻。为了形成良好的 UBM，一般采用溅射的方法按顺序淀积上需要的金属层。扩能项目采用 Ti:W 合金-Cu 的顺序进行溅射。溅射示意图（6）电镀（Plate）凸点电镀根据需求，可单纯镀铜，也可镀铜、镍、钯或镀铜、锡银，镀层厚度也有差异，可为铜膜或铜柱。扩能项目普通凸点电镀工艺包括镀铜膜、镀镍和镀钯。扩能项目 HotRod 凸点电镀工艺包括电镀底层铜（plateCOA，Copper on Anything）、电镀铜柱（plate Cu POST）、电镀锡银。基本的电镀槽包括阳极、阴极、电源和电镀液。晶圆作为阴极，UBM的一部分作为电镀衬底。在电镀的过程中，铜、锡银溶解在电镀液中并分离成阳离子。加上电压后，带正电的 Cu2+、Sn2+、Ag+迁移到阴极（晶圆），并在其表面发生电化学反应而淀积出来。电镀工艺原理示意图如下：电镀工艺示意图扩能项目采用的铜、镍阳极为颗粒状，会全部消耗，不产生废阳极；扩能项目使用的镀钯、锡银阳极是镀铂钛篮，呈网状支架作为电镀阳极，不消耗也不更换，镀银采用烷基磺酸盐无氰镀银工艺。 阳极金属如下图所示：电镀阳极实物图b.电镀操作过程进机台→将每片晶圆上到杯状夹具上→用超纯水预湿→镀铜→清洗→镀锡银（或镀镍→清洗→镀钯）→清洗→甩干→出机台。c.电镀清洗扩能项目电镀清洗采用单槽快速喷洗，清洗水直接排入废水处理系统，不重复利用，清洗废水排入 FABB 一楼电镀废水处理系统进行处理，保证处理设施出口一类重金属排放达标。清洗过程中产生有机废气排入有机废气处理系统统一处理。d.电镀槽液更换项目对电镀槽中电镀液离子浓度定期检测，适时添加化学药剂，保证电镀液可用。使用一段时间后，因电镀液中悬浮物浓度升高，需对电镀液进行更换。扩能项目依托 FABB 一层现有的2个2m³的电镀废液收集槽将电镀废液全部收集暂存，委托有资质的危废处理公司外运处置。电镀废液约半年排放一次，年排放量约为 3.5m³，因此收集槽的容积可满足废液收集需求。（7）去光阻（Resist stripping）电镀完成后，利用光阻去除剂去除电镀掩膜光阻，依次使用 NMP 与 IPA 进行湿式清洗，最后用纯水进行清洗，清洗后进行干燥。干燥通过自燃烘干或者 IPA吹干。（8）蚀刻(ETCH) 将凸点间的 UBM 刻蚀掉。扩能项目采用湿法腐蚀。湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，对不同的去除物质使用不同的材料。扩能项目采用过氧化氢作为 Ti-W 合金的腐蚀材料，普通凸点采用硫酸腐蚀铜，含锡银凸点采用磷酸腐蚀铜，产生的含磷的酸性废水排入 CUB5c 氢氟废水处理系统进行处理，不含磷的酸性废水排入中和系统进行处理。蚀刻完成后，使用气体吹扫晶圆表面进行去杂质。（9）灰化(Ash)剥离光掩膜的过程可以使用干燥的、环保的等离子工艺（‘灰化’），即用氧 等离子体轰击光掩膜并与之反应生产二氧化碳、水等物质使其得以剥离。该过程 产生一般热排气，排入一般排气。（10）凸点制作晶圆凸点工艺最主要的 3 种焊锡淀积技术是电镀、焊锡膏印刷以及采用预成 型的焊锡球进行粘球。RDL、BOP、BOAC 等凸点采用粘球工艺(Ball place)，粘 球的一般操作过程为，首先在晶圆表面涂抹一层助焊剂，然后将预先成型的焊锡 球沾在助焊剂上，接着进行检查，确保每个晶粒都沾有焊锡球。Hot Rod 等凸点 焊锡淀积技术采用电镀锡银工艺。回流(reflow)，该过程将焊料熔化回流，使凸点符合后续封装焊接要求。最 后，再使用纯水对助焊剂进行清洗去除（Flux wash）。助焊剂清洗废水排入中 和废水系统进行处理。（11）自动检测(AVI) 对凸点加工完的晶圆进行自动检测，确认是否有缺陷。至此，晶圆上的凸点 制作完成。 （12）晶圆针测(Probe)在凸点完成后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒。针测（Probe）是对每个晶粒检测其导电性，只进行通电检测操作，没有任何化学过程。不合格晶粒信息将被电子系统记录，在接下来的封装和测试流程中将不被封装。扩能项目晶圆针测工序全部在 OS5 进行。（13）包装(Packing)：利用塑料盒、塑料袋等对完成凸点的晶圆进行简单包装，然后进入AT厂房进行封装（后工序）。2、封装测试QFN 封装测试QFN 封装即倒装式四周扁平无引脚封装(QFN，Quad Flat No lead Package)，扩能项目 QFN 封装包括传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装（Flip Chip on Lead frame QFN Package，框架上倒装芯片封装）。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装的结构如图所示。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装结构对比覆晶框架QFN在工艺流程上相较传统QFN主要区别在芯片与载板框架的连接方式，传统 QFN 通过金属导线键合，覆晶框架 QFN 通过芯片倒装凸点键合，相比传统工艺新增助焊剂丝网印刷、覆晶结合、助焊剂清洗、等离子清洗等工艺，以下对 QFN 封装的工艺及产污进行表述。贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过程中保 护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（1）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（2）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。 （3）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（4）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（5）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（6）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（7）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）或激光将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒（die）。刀片的金刚石颗粒 大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。激光划片属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性 参数优于机械切割方式，用超纯水进行硅屑冲洗。（8）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射使粘结剂失去黏性达到去膜的目的。（9）点银浆：将银浆点到框架上以备粘合用；（10）粘片：将芯片置入框架点银浆处；（11）银浆固化：在氮气保护环境下烘干固化，将芯片牢固的粘结在框架上；（12）引线键合：使用金线或铜线将芯片电路 Pad 与框架引脚 Lead 通过焊接的方法连接起来，实现电路导通，焊接采用超声波焊接，无焊接烟尘产生，主要产污为废引线。（13）助焊剂丝网印刷：在密闭机台内用丝网将助焊剂印刷到引线金属框架上，无排气。丝网采用 IPA 清洗，清洗有有两种情况，一种是用设备自动清洗，IPA 会喷到丝网上，然后用棉布擦拭，擦拭布吸收 IPA 及丝网上的脏物后就当作 危废处理，没有废液，设备是密闭的，不连接排气；另外一种是人工擦拭，会在 化学品通风橱内操作，也是用棉布擦拭，没有废液产生，通风橱连的一般排气。（14）覆晶结合：将晶圆 IC 反扣在引线金属框架上，让锡银铜柱对准丝网印刷的助焊剂。（15）回流焊：将覆晶结合后的芯片放在氮气保护的回焊炉内按一定的温度曲线通过该炉，使用回流焊的方式实现晶圆 IC 与引线金属框架的焊接，该过程使用的助焊剂无挥发性物质，后续使用专用清洗剂进行清洗。（16）助焊剂清洗：使用助焊剂清洗剂洗掉回流焊残留的助焊剂并用水冲洗干净。设备自带清洗废气冷凝装置，冷凝液进入废水处理系统，不凝气接入现有一般排气系统。（17）等离子清洗：使用等离子清洗剂激发氧氩等离子体实现更高级别的彻 底清洗，将残留的微量氧化层清洗干净，清洗废气接入现有一般排气。 （18）塑封固化：使用环氧树脂对 IC 进行外壳封装。（19）去毛刺：去除塑封外壳毛刺并进一步烘烤固化成型将塑封固化好的芯片置入有机盐溶液中去除塑封外壳毛刺及溢出料，产生去毛刺废水。（20）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商 的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将 产生打印粉尘和硅粉。（21）切带：切开胶带使单个晶粒分离。（22）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（23）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（24）终检：使用最终检测设备进行终检。（25）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。传统 QFN 工艺流程及产污环节FCOL QFN 工艺流程及产污环节2、WCSP 封装WCSP 封装（Wafer Chip Scale Packaging，晶圆级封装），即在晶圆片未进 行切割划片前对芯片进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片尺寸相同。此外，WCSP 封装无需载板框架，可直接焊接在 PCB 印制线路板上使用。凸点和针测完成后，晶圆即进入封装测试厂 AT 厂房进行 WCSP 封装及测试，主要工艺流程如下：（1）贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过 程中保护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（2）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（3）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。（4）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀 +中和处理。（5）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面 被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（6）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（7）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（8）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的 履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将产生打印粉尘和硅粉。（9）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒。刀片的金刚石颗粒大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。（10）激光切片：首先进行晶圆黏片，即在晶圆背面贴上水溶性保护膜然后进行切割。激光切割属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性参数优于机械切割方式；激光可以切割任意形状，如六角形晶粒，突破了钻石刀只能以直线式加工的限制，使晶圆设计更为灵活方便。切割过程中使用超纯水进行硅屑冲洗。 （11）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射去膜。（12）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（13）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（14）终检：使用最终检测设备进行终检。（15）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。WCSP 工艺流程及产污环节

2016年8月19日，瑞士万通在广州翡翠皇冠假日酒店举办了cvs产品技术交流会。在会上，瑞士万通中国区产品经理孙焕先生给大家讲解了 cvs的基本理论，介绍了功能强大的cvs仪器，最好的cvs软件，分享了方法开发，质量控制和排除故障，参比电极维护的相关经验，以及重金属分析在电镀行业的应用。并与参会用户就实际工作中遇到的仪器和应用问题进行了交流。 瑞士万通中国区产品经理孙焕作报告 + 解答客户技术问题 客户参观894专业型cvs 894专业型 cvs仪器加viva软件 — 就是更加灵活、简单、安全的cvs解决方案！894专业型 cvs专为客户定制的模块化设计的测量系统内置的校正设备保证测量的精确度和可信度可拆卸的测量头丰富的自动化设备选择独特的液体处理系统—800 多思自动加液系统、抽排液泵和液位传感器viva软件个性化、面向问题的编程方式数据库针对方便浏览和测量结果评估的多种功能设计数据安全性和自动备份功能测量结果具有可追溯性和安全性，方便用户溯源控制图表功能894 专业型cvs搭载viva软件是目前利用循环溶出伏安法（cvs）测定电镀槽液中的有机添加物，功能最强大的系统。 更强的灵活性894专业型cvs以其独特的灵活性而出众。由于系统完全模块化设计，它可以通过添加其它的模块单元。例如，多思tm自动加液系统、泵和样品处理器等，可以随时地扩展和升级系统的功能。viva电脑软件是实现最大的灵活性的强有力保障。所有的参数都可以自由定义，您可以在viva软件中几乎无限制地编辑您自己的方法参数。viva软件同时控制894专业型cvs主机和其他的连接设备。软件中已预先安装好一些重要的实验方法，这样可以使系统在简单几步中，即可实现快速、简单的进行操作。更强的简便性viva软件另一项强大的功能是其强大而完善的数据库功能。除了数据自动采集和评估功能，同时它还可以实现测量数据的便捷管理。更好的安全性用户管理与自由定义访问权限，自动备份功能确保高水平的数据安全性。更进一步地，使用的溶液、电极和系统的其它附件都可以被系统监控，以符合glp（良好实验室规范）来确保最高级别的安全性。此外，metrohm在cvs测定电镀槽液中的有机添加剂领域的检测，已有超过10年的丰富经验，这使我们在分析电镀槽液可以成为您的忠实可信赖的合作伙伴。最重要的应用mlat法测定电镀槽液中光亮剂的含量（改进型线性逼近技术）dt法测定电镀槽液中抑制剂的含量（稀释滴定法） 工作平台 数据管理 方法管理 安装设置 客户端/服务器

汽车的历史新闻：　　近几年，汽车的质量问题屡见不鲜。时下的汽车安全问题，一直是汽车行业消费最关注的话题之一。那么，如今的汽车质量是否能跟上其日新月异的发展节奏呢？本次我们讨论的话题是，汽车电器中电器接插件方面的质量问题与其对应方法。在金属镀厚的过程中，主要有以下几种因素会影响其镀层质量： 镀前处理：生产实践证明造成镀层质量事故多数是由于金属制品的镀前处理不当或欠缺所致。镀前处理的每道工序都会直接问影响到镀层质量。电镀溶液：镀液的性质、各组成成分的含量以及附加盐、添加剂的含量等都会影响镀层质量。基体金属：镀层金属与基体金属的结合是否良好，与基体金属的化学性质有密切关系。如基体金属的电位负于镀层金属的电位，或对易于钝化的基体或中间层，若不采取适当的措施，难以获得结合牢固的镀层。电镀过程：电流密度、镀液温度、送电方式、移动和搅拌的速度等，也会直接影响镀层质量。析氢反应：在宁波电镀过程中大多数镀液的阴极反应都伴随着氢气的析出。当析出的氢气黏附在阴极表面上时会产生针孔或麻点；当一部分被还原的氢原子渗入基体金属或镀层中，会使基体金属及镀层的韧性下降而变脆，叫氢脆。氢脆对高强度钢及弹性零件产生的危害尤其严重。镀后处理：镀后对镀件的清洗、钝化、除氢、抛光、保管方法等都会继续影响镀层质量。电源问题：近年来除采用一般的直流电外，根据实际需要广泛采用换向电镀的方法，使用周期换向电流，还有脉冲电源提供的脉冲电流等都会对镀层质量产生影响。 　　那么，成品镀件的质量究竟该如何管控呢？　　镀层厚度测量已成为加工工业、表面工程质量检测的重要环节，是产品达到优等质量标准的必要手段。为使产品国际化，我国出口商品和涉外项目中，对镀层厚度有了明确要求。目前镀层厚度的测量方法主要有：楔切法，光截法，电解法，厚度差测量法，称重法，X射线荧光法，β 射线反向散射法，电容法、磁性测量法及涡流测量法等等。这些方法中前五种是有损检测，测量手段繁琐，速度慢，多适用于抽样检验。　　X射线和β 射线法是无接触无损测量，测量范围较小，X射线法可测极薄镀层、双镀层、合金镀层。β 射线法适合镀层和底材原子序号大于3的镀层测量。电容法仅在薄导电体的绝缘覆层测厚时采用。　　随着技术的日益进步，特别是近年来引入微机技术后，采用X射线镀层测厚仪 向微型、智能、多功能、高精度、实用化的方向进了一步。测量的分辨率已达0.1微米，精度可达到1%，有了大幅度的提高。它适用范围广，量程宽、操作简便且价廉，是工业和科研使用最广泛的测厚仪器。　　金属表面处理技术广泛应用于电子行业，而电镀处理更是其主要的表现形式，电镀效果也将直接影响电子设备的性能发挥，汽车电子行业也不例外，其中汽车电子连接器端子的电镀将会影响汽车电子设备的导电和信号传输等方面的性能发挥。 目前在汽车电子连接器端子中较为常见的是Sn/Ni/CuZn、Au/Ni/CuZn、Sn/Ni/CuSn、Au/Ni/CuSn等镀层结构，日立FT110系列产品能够有效地对应Sn/Ni/CuZn、Au/Ni/CuZn、Sn/Ni/CuSn、Au/Ni/CuSn结构的膜厚测量，使用日立FT110对Sn/Ni/CuZn、Au/Ni/CuZn结构的测量来讨论电镀工艺在质量管理上的重要性。解决方案请见： http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100718/s544330.htm

微电子大马士革工艺的发展现状赵心然中科芯集成电路有限公司随着“摩尔定律”逼近物理极限，前道晶圆制造的特征尺寸发展进程变慢，后道布线能力的升级成为提升集成电路密度的关键，而大马士革工艺是晶圆级再布线技术下一阶段需要引进的重要工艺，不仅可以将线宽/线距从PI-Cu 5/5 μm缩减到亚微米级别，还可以利用SiO2基介质材料加工工艺进一步提升再布线层的可靠性，甚至可以推进混合键合先进封装技术的加速落地。针对大马士革工艺，本文将对其工艺原理、流程、难题与突破进展进行总结，便于在封装领域中落地，将会为后道制造更精细的再布线提供新的思路。1 前言半导体产业初期，都是以铝（Al）作为互连材料，后来为了减小互连线的电阻、减轻电子“跳线”现象、避免电迁徙效应，IBM公司首先提出了以铜（Cu）作为互连材料，由于该工艺方法与2500多年前的叙利亚大马士革城铸剑工艺有异曲同工之妙，故以“大马士革”（Damascene）命名。大马士革工艺已经被广泛应用到了微电子工业中，大致思路是，先利用离子刻蚀、光刻蚀等技术在硅片上刻蚀好沟槽和通孔，然后将Cu电镀进入凹陷的硅片中，最后用化学机械抛光（CMP）将多余的Cu磨平，获得嵌有Cu线路的平整硅片。这种镀铜思路最早应用于前道PCB板上Cu线路的制造，虽然目前的工艺极限可以实现4 nm以下线宽，但28 nm被认为是收益最高的线宽，后来大马士革逐渐被中道和后道封装工序采用，来生产比引线键合、倒装、再布线+凸点等方法更加精细的封装系统。一方面，大马士革工艺的布线尺寸可以做到很小，目前已经可以做到几纳米的Cu线宽和焊盘，这是引线焊点、植球/植柱等毫米、微米级连接点所不能比的，这样就可以实现更高密度的互连；另一方面，它不仅可以用来制造2D方向上的沟槽，还可以制造3D方向上的通孔，这对2.5D/3D封装技术的发展也有促进作用。利用了大马士革的最具有代表性的封装技术就是Xperi公司的混合键合（Hybrid bonding），利用极其光滑的表面上的分子间作用力，直接将两个布有大马士革Cu线路的硅片“面对面”相互连接，这种工艺巧妙避开了植球/植柱、转接板、底填胶、引线等各类键合中间物体，在一定程度上模糊了前道和后道的界限。综上，大马士革工艺的精度直接影响了各类3D封装的精度，对微电子工艺一体化至关重要，是未来先进封装必不可少的一个环节，所以研究开发高精度大马士革工艺是很有意义的。2 大马士革工艺当芯片特征尺寸（线宽）达到25 μm以下时，会产生Cu线路间寄生效应，阻容（RC）耦合增大，信号传输延迟、串扰噪声增强、功耗增大、发热增加，器件频率受到抑制。线路之间的介质介电常数（k）对解决上述问题很关键，k值由公式k=Cd/(ε0A)计算，其中ε0为真空电阻率8.85×10-12 F/m，C为电容，A为电极面积，d为膜厚，均使用国际单位。为了减少寄生电容，现在经常使用多孔SiO2、掺氟SiO2（FSG）、掺氟聚酰亚胺（F-PI）等低介电常数材料（Low-k材料）。对于k值是否足够低，业界有以下定义：广义上，k低损耗、低漏电流、高击穿场强、尺寸稳定性、各向异性力学高附着力、高硬度、低应力、高机械强度热学高热稳定性、低热膨胀率、高热导率化学低释气量、耐腐蚀性、不与金属反应、低吸水性通俗地讲，大马士革工艺就是在Low-k介电材料上刻蚀出凹痕并电镀Cu的过程，并不会刻蚀较深的Si晶圆。IBM最早的大马士革工艺称为铜质双重镶嵌，所谓“双重”，即需要刻蚀出通孔和沟槽两种形状，在这两种形状中溅射Ti、Cu种子层，再电镀出Cu互连线，故该工艺也常被称为“双大马士革”（Dual-damascene）。通孔用于垂直方向的互连，直径小；沟槽用于平面方向的互连，直径大。此处的通孔与硅通孔技术（TSV）不同，大马士革刻蚀的是以SiO2为主要成分的介电层材料，而TSV刻蚀的是Si晶圆，由于Low-k介电层很薄，所以大马士革通孔的深度远不及TSV通孔。大马士革工艺有三种路径选择：1）先通孔后沟槽；2）先沟槽后通孔；3）自校准同步沟槽通孔。其中，2、3两种路径分别因为沟槽中的光刻胶堆积效应和校准工艺难度大而被逐渐淘汰，目前应用最广的是第一种先通孔后沟槽的工艺路径，该路径中沟槽刻蚀是最困难的。如图2-1所示，Cu线上方一般会有两层Low-k介电材料，中间夹有一层阻挡层用于更好地刻蚀出沟槽。整个刻蚀流程为，先在Low-k介电材料表面涂覆PR胶，曝光显影后，干法刻蚀穿透表面硬阻挡层和中间阻挡层直达底部SiN阻挡层，然后重新涂覆一层PR胶，使通孔中保留少量PR胶，刻蚀出沟槽，最后洗去PR胶。中间的阻挡层方便通孔和沟槽的分步刻蚀。图2-1 先通孔后沟槽的刻蚀方法示意图当前上海华力微电子有限公司还发展出了一体化刻蚀方法（All-in-one，AIO）[1]，即把上述流程中的通孔刻蚀、去除光刻胶、沟槽刻蚀三个步骤合为一体，在同一道工序中完成，具体工艺流程如图2-2所示，其优点是仅需要3步即可完成，与传统的先通孔后沟槽的工艺质量相比，其在小平面控制、光刻胶选择比、通孔边缘粗糙度等方面也有着较大的优势。图2-2 一体化刻蚀方法示意图目前大马士革工艺对光刻精度的要求越来越高，由于Low-k材料是多孔材料，质地较软，容易在高能量的刻蚀下出现侧壁弯曲、阶梯、栅栏等缺陷，故对射频能量、气体流量、压力的控制要求极高，需要经过大量理论计算和实验才能摸索出最优化的光刻条件。不只是光刻，整个大马士革工艺中存在着各种各样的难题，电镀、清洗、等离子体刻蚀、磨平抛光等各个环节都需要精雕细琢，才有助于实现高质量、高可靠性的电路互连，也为大马士革工艺在封装领域的应用奠定良好的基础。以下介绍各类前沿难题与突破，综合论述大马士革在应用时要重点关注的问题。3 难题与突破3.1 低电阻通孔制备难题[2]与沟槽布线相比，大马士革通孔线宽更窄，所以很容易产生更大的电阻，对电信号传输造成损耗。为了解决通孔电阻过高的问题，IMEC的Marleen等人将通孔制备为下半部是钨（W）上半部是Cu的复合型金属通孔。如图3-1（a）~（c）所示，通孔的深度为70 nm，介质层采用SiOCH低介电材料，k值为3.0，使用CVD沉积SiC阻挡层，最终获得的通孔线宽/线距为16/16 nm。图3-1（d）为该结构的电阻值，在相同的通孔直径下，W-Cu复合型通孔电阻值明显低于纯Cu通孔，在通孔直径为10 nm时，W-Cu通孔电阻仅为Cu通孔的一半。该工作还对Wu-Cu复合型通孔的热储存性能做了验证，在200℃的N2气氛下保持150 h后可以储存热量1000 h，证明了该结构的可靠性很高。该工作为微电子布线的材料创新提供了新思路。图3-1 W-Cu复合型大马士革通孔制备方法与电阻效果3.2 电迁移失效难题[3]越细小的Cu线宽和线距，越容易出现电子迁移现象。这种现象的原理是，当电流通过Cu线时，会使Cu原子发生迁移，迁移方向与电子移动方向相同，导致的问题称为失效现象，包括两方面：1）移动的Cu原子原来的位置留下了空洞，导致开路，通常以电阻增加10 %作为判定失效的标准；2）移动的Cu原子在其他地方停留，造成连线间的短路，短路会造成严重的逻辑功能紊乱，现象更加明显。迁移路径分为2种，如图3-2所示，下方金属线1宽较大，上方金属线2线宽较小，中间存在通孔，当电子由上至下迁移（金属线2至金属线1）称为顺流电迁移，电子由下至上（金属线1至金属线2）称为逆流电迁移。顺流迁移失效规律单一，更容易检测和改善，但逆流迁移失效原因复杂，不容易改善。2013年，上海交通大学针对电迁移问题，优化了大马士革结构的工艺参数，该工作就是专门针对逆流迁移失效展开研究，并寻找到了改善失效问题的方法。该实验所刻蚀的Low-k材料为SiCOH，阻挡层为SiCN，种子层为TaN/Ta+Cu（其中含Ta材料起到了粘结作用），整个结构Cu线宽为45 nm。图3-2 逆流电迁移截面示意图图3-2中还标记了大马士革结构的重要参数，可将4个参数归纳为2种深径比，有关通孔的深径比W1 = HD/D1，和有关沟槽的深径比W2 = HT/D2。逆流迁移失效的位置通常有2种，通孔底部和通孔斜面。一方面，如果种子层过厚，通孔会提前封口，在底部形成空洞，发生底部失效，经常发生在晶圆边缘；另一方面，如果溅射种子层的方向过于竖直，不利于在通孔斜面（侧壁）上积累种子层，那么斜面上就容易形成空洞，发生斜面失效。经实验与仿真，研究得出结论，减小W1和W2可以有效改善2种失效现象，具体的方法是：1）减小Low-k介质层总厚度HD；2）减小沟槽深度HT；3）增大通孔上方直径D2。当W1低至4.67，W2低至1.85时，可有效避免失效问题。3.3 电镀添加剂优化[4]上海集成电路研发中心有限公司的曾绍海等人在2018年针对电镀铜添加剂进行了研究。电镀添加剂涉及3种试剂，加速剂A，抑制剂S，平坦剂L。根据文献报道，加速剂A通常使用的是聚二硫二丙烷磺酸钠[bis-(3-sodiumsulfopropyl disulfide)，简称SPS]，SPS可以在铜沉积的电化学反应中参与到电荷转移步骤中，加速电荷转移过程，此外，SPS还可以在表面形成硫化物，加速Cu沉积时晶核的形成。抑制剂S通常使用的是氯离子Cl-和聚乙二醇（PEG），其中PEG可以在阴极表面阻挡活性位的暴露，而吸附在阴极上的Cl-有助于增强PEG的这种阻挡作用[5]。平坦剂L通常使用的是乙二胺四乙酸二钠（EDTA-2Na），因为EDTA含有2个自由电子对，4个亲水羧基基团，这种结构有助于阴极表面催化析氢反应的进行，析氢的气体张力对电镀层的抛光是至关重要的[6]。该工作使用了多种添加剂配方，探究3种成分的比例对Cu电镀层质量的影响，实验结果表明，抑制剂S的比例过高会引起Cu镀层应力的升高，平坦剂L的比例过高会增加Cu镀层内的杂质含量，也会增加Cu镀层的应力，过高的应力不利于Cu镀层的可靠性。最终，A3/S9/L2为最佳的添加剂配方，300℃下的封装级电迁移测试结果达到可靠性要求，大于10年。如图3-3所示，该工作还展示了SRAM产品55 nm技术双大马士革工艺的版图，通孔直径70 nm，沟槽宽度150 nm，电镀设备为12英寸Sabre品牌设备。图3-3 SRAM产品版图和TEM图像3.4 Ni污染现象[7]2019年，上海华力集成电路制造有限公司的陈敏敏等人研究了金属Ni污染对大马士革刻蚀过程的影响。在干法、湿法刻蚀过程中，很多化学试剂中含有成分为金属Ni的杂质，超标的Ni会严重影响刻蚀图形形貌，如图3-4所示，在光刻前用含Ni的清洗剂和无Ni清洗剂处理后的大马士革腔体形貌有很大区别，Ni的污染导致了光刻时聚合物颗粒的形成。该工作详细讨论了Ni污染的机理：金属Ni与CO气氛反应生成Ni(CO)4，会降低PR胶的刻蚀率，造成光刻胶的残留，然后会生成聚合物杂质。虽然我们使用的接触式光刻机不会涉及CO气体，该工作提出的反应机理也只是推测，理由源于文献的引证，缺乏确凿的证据，但仍然要警惕Ni单质会直接影响刻蚀速率的可能性，对于目前的光刻工艺还是有一定的指导意义。图3-4 (a) Ni污染的腔体；(b) 无污染腔体的SEM图像该工作为目前中道线工艺优化提供了一个思路：刻蚀形貌不理想有可能是原料纯度问题。原材料的纯度虚报在工业生产中屡见不鲜，只有通过购买后二次检测才能获得更真实的原材料信息。原材料成分精确的检测方法有：电感耦合等离子体质谱分析（ICP-MS），原子发射光谱分析（OES），X射线荧光分析（XRF）等。而我们常用的电镜能谱（EDX）精度较低，X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外光谱（FTIR）等方法检测对象较局限，不推荐用于原料成分的精细检测。3.5 等离子体损伤难题[8]2019年，中科院大学的赵悦等人从天线扩散效应出发，提出了改善大马士革等离子体损伤的方法。干法刻蚀和Low-k材料沉积的过程需要使用到等离子体技术，但高能量的等离子体会导致充电损伤，降低体系的可靠性。其原理是福勒-诺德海姆（FN）隧穿过程，由于等离子体携带高能光子，当光子能量超越Low-k材料的禁带宽度时，会令材料的电子从价带跃迁至导带，形成短路，所有Cu连线作为一个等势体，会从各个方向收集Low-k介电材料的电荷，所以收集电荷的面积大于连线上表面面积，从而增大了从Cu流向栅极的电流，使栅氧化层可靠性降低。这种电流放大的效应就是天线扩散效应。该工作展示了大马士革工艺的介质层结构，如图3-5所示，各金属层间介质为Low-k材料FSG与一层SiN阻挡层，而最上面是正硅酸乙酯TEOS。TEOS为常用的简单介质层，因为上表面并不需要考虑寄生电容，只需要起到防氧化、防腐蚀作用即可，TEOS完全水解后会形成极细的SiO2，起到保护作用。与FSG相比，上表面的TEOS层不容易被等离子体损伤，原因有：1）PECVD沉积时，TEOS使用的是He气氛，FSG使用的是N2气氛，N2激发的光子更容易诱发损伤；2）TEOS沉积时的腔体压强往往比FSG沉积的压强大很多，能有效缓冲离子轰击。图3-5 大马士革介质层结构示意图该工作提出了有效的等离子体损伤改善方法，一方面需要尽量减少单层的Cu面积，把大面积的Cu布线利用通孔分成多层布线（跳线法）；另一方面需要增加电流泄放路径，连接到保护二极管结构，如图3-6所示。故在前期的设计阶段就要充分考虑天线扩散效应，在天线比计算中引入扩散比，增强系统的可靠性。图3-6 电流泄放路径示意图3.6 CMP选择比难题[9]大马士革工艺的表面磨平抛光是一项难题，尤其近年来热门的Hybrid bonding技术要求表面足够光滑才能实现键合，目前使用的磨平技术是化学机械抛光（CMP）。2017年，Merhej等人研究了大马士革工艺中金属与介电材料CMP过程的重要参数：材料去除率（MRR），表示一种材料在CMP过程中去除的速率，单位nm/min。如图3-7，该工作在SiO2介电层中嵌入了Au互连线，最小线宽70 nm，深度50 nm，整个流程与传统的光刻工艺相同，构造了一层单大马士革结构。要想得到第8步Au-SiO2共存的光滑平面，必须要使用最优化的Au和SiO2相对的MRR之比。该工作的CMP分为2步，分别是第7步的多余Au去除，这步只涉及纯Au表面，和第8步Au-SiO2共存表面的抛光。经过实验验证，得到了最优化的CMP参数，涉及4个重要因素：1）时间，纯Au去除60 s，Au-SiO2抛光180 s；2）压力，P = 300 g/cm2；3）转速，Vpad = 50 rpm，Vhead = 40 rpm；4）浆料流量，Dslurry = 25 mL/min。最后可得Au的MRR为 40 nm/min，SiO2的MRR为20 nm/min，故Au/SiO2去除选择比为2。使用原子力显微镜（AFM）对表面粗糙度进行表征，所得结果RMS roughness为1.06 nm。该结果对提升本地CMP工艺能力有很大的参考价值。图3-7 70 nm线宽Au-SiO2大马士革工艺流程图4 发展建议与展望虽然大马士革工艺目前已有了很多突破，但仍有诸多难题有待解决，例如，FSG和SiO2刻蚀的方法在其他Low-k介质层材料中的普适性问题、电镀添加剂配方对于多种线宽的普适性问题以及CMP原位实时的粗糙度检测问题等。大马士革工艺的能力依然有很大的提升空间。大马士革在前道生产中应用广泛，在后道封装领域应用较少，但随着前道后道一体化的推进，我们开发大马士革工艺是有必要的，综合上述难题及研究进展，我们开发大马士革工艺应该重点从3个方面入手：1）刻蚀能力，我们目前只有Si刻蚀相关的技术，需要配备SiO2、FSG、F-PI等介电材料刻蚀相关的设备及原材料；2）电镀能力，我们目前拥有湿法电镀的技术，但仍需要结合大马士革的工艺需求对电镀添加剂成分进行优化；3）CMP能力，我们尚无较好的CMP设备，对粗糙度的检测也只用到了台阶仪，应考虑引入CMP设备及AFM表征渠道。大马士革工艺的开发将有利于混合键合技术的开发，是该技术中不可缺少的一环，更有利于增加前道与后道工艺的兼容性，扩大产品订单的种类。大马士革工艺与目前中道线的刻蚀-电镀技术有相似之处，可以在中道线的基础上增添或升级必要的设备，不用从头建立新的产线，具有较高的可行性。近年来，中科芯努力耕耘CPU、FPGA、DSP、存储器、微系统等领域，“十三五”期间在CPU、FPGA、DSP、存储器、DDS、微系统及封装技术领域都取得了显著的成绩，在“十四五”规划中也对相关重点发展方向提出了更高的要求。未来所制造的芯片性能会越来越强大，与之共存的是，芯片之间的互连密度也将迅速攀升。从晶圆制造栅极尺寸14 nm开始，前道工艺节点的演化已经开始变慢，与此同时，封装层面的布线尺寸进步开始加速，从50/50 μm的再布线线宽/线距迅速缩小到5/5 μm，并向着1/1 μm以下的趋势发展。届时，常规的晶圆级PI-Cu布线已经很难满足工艺需求，必须将大马士革布线技术引进至后道封测产线，配合更加精细的焊盘尺寸，实现芯片与封装基板之间的Si基互连。虽然低k值的SiO2介质层成本比PI高，但可靠性和制造灵活性也是PI介质层不可比拟的，各种先进封装技术将在SiO2介质工艺的支撑下实现完美兼容，例如，TSV转接板、内嵌桥芯片、带核基板等部分的组装，都将克服PI旋涂工艺的困难，利用SiO2-CVD沉积的方式，与各类功能性芯片进行灵活的异构集成。由此可见，大马士革布线工艺是后道先进封装技术发展的关键环节之一，而在此方面中科芯具有较大的优势，由于中科芯具备设计-制造-封测-组装全产业链，拥有较为成熟的前道晶圆制造和后道封测工艺基础，将前后道进行技术融合将有利于促进大马士革工艺在后道的落地，全面提升中科芯芯片产品的性能。参考文献：[1] 盖晨光. 40nm一体化刻蚀工艺技术研究. 半导体制造技术, 2014, 39: 589-595.[2] M. H. van der Veen,O. V. Pedreira, N. Heylen, et al. Exploring W-Cu hybrid dual damascene metallization for future nodes, 2021 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2021: 6-9.[3] 唐建新, 王晓艳, 程秀兰, 45 nm双大马士革Cu互连逆流电迁移双峰现象及改善, 半导体技术, 2013: 153-158.[4] 曾绍海, 林宏, 陈张发等, 55 nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究, 复旦学报（自然科学版）, 2018, 57: 504-508.[5] M. Tan, J. N. Harb, Additive behavior during copper electrodeposition in solutions containing Cl-, PEG, and SPS, J. Electrochem. Soc., 2003, 150: C420-C425.[6] S. Mohan, V. Raj, The effect of additives on the pulsed electrodeposition of copper, T. I. Met. Finish., 2005, 83: 194-198.[7] 陈敏敏, 张年亨, 刘立尧, 金属镍污染对大马士革刻蚀的影响, 中国集成电路, 2019, 244: 57-87.[8] 赵悦, 杨盛玮, 韩坤等, 大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应,半导体技术, 2019, 44: 51-57.[9] M. Merhej, D Drouin, B. Salem, et al, Fabrication of top-down gold nanostructures using a damascene process, Microelectron. Eng., 2017, 177: 41-45.

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电泳冷水机是对于电泳涂装、电镀生产线、阳极氧化等都是针对于电镀槽里面的电镀溶液来冷却。电泳冷水机冷却方式有两种，直接冷却与间接冷却。下面讲解下电泳冷水机间接冷却的制冷原理：冷却塔底盆里的水通过水泵输送到冷水机的冷凝器，对冷水机的冷凝器进行降温。再流回冷却塔内喷淋而下时通过冷却塔顶上的风扇对水进行了降温，再流回冷却塔底盆，就这样周而复始的运行。冷水机的冷凝器散热同时里面的冷媒液化，再流入水箱内的蒸发器进行蒸发，而蒸发时要吸收热量，从而就对水箱里的水进行了降温，降温后的水通过水泵输送到热交换器(中间隔开，一边水，一边硫酸，)，再通过热传递的过程就对硫酸进行了降温，就这样一个循环过程。田枫冷水机的优势在于安装方便，使用寿命相对比直接冷冻的长，酸碱不易腐蚀冷水机。这种冷水机一般换热器为板换的密闭的。 文章原创:上海田枫实业有限公司 www.tfsye.com上海田枫实业有限公司,专业生产各类制冷设备，包括层析冷柜,冻干机，冷水机，超低温冰箱，恒温槽等，一流的专业，一流的服务，上海田枫是您的最佳选择！

产品上新介绍RePure-D系列产品是柏恒科技潜心打造的智能二维梯度基因扩增仪，在此之前我们已发布有RePure-A/B/C系列PCR仪，在原有产品的基础上我们做了更新升级，此前RePure-A/B/C系列产品一经上市就深受广大用户的青睐，全新推出的RePure-D系列采用独特的复合式双槽二维梯度模块，两个模块可独立运行，满足多种实验需求。 柏恒科技新上市的RePure-D系列PCR仪共有三个型号，分别为RePure-D(B)、RePure-D及RePure-D(P)，以RePure-D(P)型号PCR仪为例，我们的仪器部分产品参数如下：产品型号RePure-D(P)样本容量64×0.2ml (A 槽) + 32×0.2ml (B 槽)试管0.2ml单管，8联管温度范围0-105℃最大变温速率8℃/s温度均匀性≤±0.2℃≤±0.2℃温度准确性≤±0.1℃≤±0.1℃变温速率可调0.1-8℃梯度温度范围30-105℃梯度类型二维梯度常规梯度(A槽)(B槽)梯度设置范围横向：1-30℃1-30℃纵向：1-30℃热盖温度范围30-115℃ RePure-D 系列PCR仪产品主要特点如下：1.复合双槽二维梯度模块，一机多用RePure-D系列PCR仪具有独特的复合式双槽二维梯度模块，A模块带二维梯度功能，B模块为常规梯度，两个模块可独立运行，复合式模块设置，一机多用，满足不同的实验摸索需求。2.快速升降温，最大变温速率达到8℃/s仪器采用进口温度循环器专用长寿命Peltier模块，最大变温速率8℃/S，快速的升降温可以提升反应速率，进行一次PCR实验所需时间明显缩短，使得实验更快捷。3.仪器操作便捷，功能强大RePure-D系列PCR仪采用安卓操作系统，匹配10.1英寸电容式触摸屏，图形化菜单式导航界面，操作简洁流畅；具备一键快速孵育功能，满足变性、酶切/酶连、ELISA等实验需要。 当然，我们的RePure-D系列PCR仪不只以上优势，还有其它更多特色，如配置自适应压杆式热盖，能适应不同高度试管以及自动断电保护功能等。想了解更多吗，可以访问我们的网站或者联系技术支持人员，我们提供详尽的产品介绍，更多PCR仪等产品可以访问柏恒科技官网了解。

“盛美半导体设备”官方公众号消息，10月18日盛美半导体湿法设备2000腔顺利交付！累计出货超过300台设备。资料显示，盛美是国内集成电路湿法设备龙头企业。在清洗机和电镀机等领域，该公司形成了集成电路专用清洗系列设备（包括单片、槽式、单片槽式组合清洗、背面清洗、刷洗等）、前道铜互连及先进封装电镀设备、先进封装湿法设备和立式炉管设备等产品线，覆盖了集成电路前道、先进封装和晶圆制造领域。盛美董事长王晖表示，近几年，盛美半导体在清洗、镀铜和炉管等多个领域不断取得重大突破，并跻身全球半导体设备供应商前列。今天很高兴与大家共同见证盛美湿法设备2000腔成功交付这一重要时刻，这标志着盛美在行业细分市场树立了新标杆 ，同时在半导体设备领域跨越新征程、开启新篇章。

四川城乡环境综合治理工作眼下正掀起新一轮高潮，6月29日记者随同有关部门在暗访成都双流县接待寺村七组的农居环境时意外发现，这里的住户不但居住在非常脏乱的卫生条件下，隐藏在这里的小电镀黑作坊更长期悄悄排放会酿成重金属污染的有毒废水。 　　毒源暗藏不起眼农房中 　　据展开查处行动的有关部门负责人介绍，今年4月，四川省政府曾专门召开会议对全省环保专项行动进行动员部署，并成立了包括四川省环保厅、发改委、经信委、监察厅、住房建设厅、工商局、司法厅、安全生产监督管理局和电监会成都电监办等九部门为成员单位的工作领导小组，加大污水处理日常监察，有效遏制重金属污染事件频发势头，正是此次会议为推进经济结构调整和环境综合治理所布置的一项重要内容。 　　记者在现场看到，双流接待寺村七组的农民居住集中区里，面积不到一百平米的简陋厂房中有十几名工人正敞开大门在紧张工作。所加工的产品是一堆堆的拉丝锁扣，正通过一道道工序进行电镀。而生产过程所产生的乳白色废水未经任何处理就排向了厂房外的水渠，水渠周围则全部是菜地。 　　走进厂房，记者立即闻到一股刺鼻的强碱气味，但厂房外则几乎闻不到什么异味，乳白色废水经渠水稀释后也很难被察觉。正因为表面没有异常，周围居住的很多村民都未对这个毒厂引起注意。但村民们不知道的是，这样的电镀黑作坊排出的废水含有大量重金属污染。一旦污染所产生的影响开始在人体显现，可能为时已晚。 　　环保部门当即取缔 　　据双流县环保部门透露，目前双流正规的电镀企业实际上只有两家，而违规的小电镀企业早在上世纪九十年代起就开始取缔。但双流县环保监测大队大队长陈锐也告诉记者一个尴尬的事实：该执法大队二十余人承担了近千平方公里辖区的监测工作，对于此类黑作坊眼下只能做到举报一家取缔一家。 　　随即，双流县环保局副局长刘平亲自带队前往藏身于接待寺村七组农房中的黑作坊。执法人员通过严格的现场取证，当即对该厂进行了断电停产处理，并书面勒令企业主在两日内对厂房中所有设备清场。 　　排放重金属污染的电镀小厂名为成都互邦有限公司，属于典型无证违规生产。赶到现场的企业主王军对于被查封还觉得很委屈，称自己花了六万元把这个厂盘下来才经营了几个月，而且为了中和酸性废水所产生的环境污染，每天都会向水渠里撒很多强碱。当执法人员问其知不知道电镀废水会产生重金属污染时，王军承认自己知道没经过正规处理的水肯定环保不达标。 　　成都电镀黑作坊有多少 　　明知道电镀污水对环境会造成巨大污染，居然还选择了人群居住非常集中的地点开厂。明知道被发现就会被取缔，为何黑作坊还这样明目张胆地开着门生产。据电镀行业人士透露，因为非法电镀企业没有污水处理和税收开支，生产设备又相对便宜，“他们往往关闭一处换个地方很快就能又开起来。” 　　据悉，一个正规电镀企业仅建污水处理设备就需根据规模不同投入50至500万不等，而生产过程中产生的污水处理费用是5到8元一吨，此外还涉及到废渣无害化处理等系列问题。以一个小扣件的电镀加工为例，正规厂家的加工成本需要0.45元，而黑作坊的加工费用比这个成本低很多。以此次被查封的黑作坊为例，加工一个这样的扣件收费就只要0.35元，据称还有0.20元以上的利润，其加工能力可达到每天20000件。 　　重金属污染水源后造成严重后果的报道曾屡现各地报端，专家称这种违规排污犹如向人体打毒针，意味着老百姓喝的井水成了毒水，意味着比地表污染多达数十倍甚至上百倍的治理费用，即使投入巨资治理也难恢复水环境。据记者在双流接待寺村七组的村民中了解到，大家实际上已经感觉到了一些危害。一位当地老大爷看到记者在拍照就凑上来告诉记者，“这个厂房后面的地里已经种什么东西都种不活了!” 　　电镀黑作坊让人触目惊心，被端掉自然众人称好。然而记者从资深电镀行业内人士处了解到，正是由于暴利驱使和非常隐蔽的原因，目前这样的电镀黑作坊和电镀黑工厂在成都很多地方都仍然隐蔽存在，这一现象已经引起了有关部门高度重视。

2022年3月15日，国家市场监督管理总局和国家标准化管理委员会联合发布《生活饮用水卫生标准》等5项强制性国家标准。新发布的《生活饮用水卫生标准》标准号定为GB5749-2022，将于2023年4月1日起正式实行，全面代替现行的GB5749-2006。 图1：《生活饮用水卫生标准》发布本次修订对标准的范围进行了更加明确的表述，对规范性引用文件及检验方法进行了更新，其中农残的测试仍占据很大的比重。可见我国对于农残危害以及检测依旧高度重视。 草甘膦作为通用型的广谱杀虫剂，日常的使用占比很大，在常规的环境检测中均属于必检项目。而在2022版的《生活饮用水卫生标准》中依然沿用了，草甘膦的经典测试方法——柱后衍生法。 针对标准相关要求，Pickering实验室开发了“草甘磷的完整应用方案”，本文也将剖析草甘磷衍生化中的关键问题，并进行逐一解释。草甘膦的衍生化原理是什么呢？草甘膦和AMPA在强阳离子交换柱(Pickering Lot No.1954150)上完全磺化，交联、分离。等度分离后，用柱再生液（Pickering Lot No.RG019）再生色谱柱后，再用洗脱液重新平衡。荧光检测遵循两阶段柱后反应。 *阶段，草甘膦通过次氯酸盐被氧化成氨基乙酸。在第二阶段，氨基乙酸与OPA(Pickering Lot No.0120)和Thiofluor™ （Pickering Lot No.3700-2000）在pH值为9-10反应时产生高荧光的异吲哚。而AMPA不需要初始氧化，可直接与OPA反应，事实上，氧化会降低AMPA的荧光效应。（如图2所示） 图2：氧化会降低AMPA的荧光效应 为何需同时测试草甘膦及AMPA？根据标准要求，需同时测试草甘膦及氨甲基膦酸（AMPA）。 这是因为，按照标准要求，衍生溶液制备过程中，OPA稀释液(Pickering Lot No.GA116)中需加入5%次氯酸钠溶液。草甘磷在含氯消毒液中会发生降解，信号值发生变化，AMPA作为草甘膦的降解产物，在测试过程中与草甘膦信号值有对应关系，可帮助校准和确定草甘膦信号值是否达到*状态。（参考图3） 图3：AMPA与草甘膦信号值有对应关系 此处请注意：在添加时次氯酸钠的浓度非常重要，目前市面上出售的溶液浓度标示有不准确情况，建议先从低浓度加起，缓慢调整。 Pickering应用方案的方法灵敏度如何？根据标准要求“本方法草甘膦和氨甲基膦酸的*检测质量均为5.0 ng，若取200 μL直接进样，则*检测质量浓度均为25 μg/L。” Pickering应用方案在优化流动相（Pickering Lot No.GA104、K200）梯度情况下，可达到100μL进样，*检测浓度达到12 μg/L,完全满足方法要求。 图4：12ug/L草甘膦 Pickering推荐配置方案&获取方式 图5：Pickering推荐配置方案 点击填写表单，即刻咨询更多相关内容 上述配置方案，还可用于扩展呋喃丹、甲萘威等农残的测试。