电沉积

RWD-02电沉积仪产品特征:具有散热性好的风扇冷 却系统，避免电解过程中样品湿度过高人体工程学设计，可快速装载样品抗腐蚀性强电*可更换精*的电流调节控制 技术参数:分 解路数：二路电*：铂盘电*，螺纹接口电解电流：稳流，*大5 A电*旋转：可调节旋转速度，速度稳定性好，旋转速度可在屏幕上显示冷 却系统：大流量风扇冷 却桅杆：可调节高度的电*夹重量：8kg

EP-4电沉积仪产品特征:可单路（EP-1），2路（EP-2），4路（EP-4），8路（ EP-8），12路（EP-12）多重选择制样更薄,显著提高的效率和分辨率。有 效降低系统MDA采用高纯铂金丝作为电镀柱。经久耐用样品瓶采用聚乙烯材料制作，不易污染,可重复使用样品大小可选，3/4 in和1 in直径可选。也可按照用户需要定制

1 产品概述: 原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种先进的薄膜沉积技术，它通过化学反应将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面。这种技术属于化学气相沉积的一种，但其独特之处在于其自限制性和互补性，使得对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD广泛应用于力学、物理学、材料科学以及纳米技术等领域。2 设备用途：原子层沉积设备主要用于在各种基底上沉积高质量的薄膜，其应用范围包括但不限于：半导体领域：用于晶体管栅极电介质层（如高k材料）、光电元件的涂层、集成电路中的互连种子层、DRAM和MRAM中的电介质层，以及集成电路中嵌入电容器的电介质层等。纳米技术领域：用于制备中空纳米管、隧道势垒层、光电电池性能的提高、纳米孔道尺寸的控制、高宽比纳米图形、纳米晶体、纳米结构、中空纳米碗等复杂纳米结构。此外，还可用于纳米颗粒、纳米线等材料的涂层。其他领域：包括微电子、食品包装、光电、催化剂、储能技术、航天器外壳聚合物涂层等3 设备特点 高度可控性：沉积参数（如厚度、成份和结构）高度可控，能够精确控制薄膜的厚度至纳米级甚至亚纳米级。 优异的均匀性和一致性：所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，这对于提高器件性能至关重要。 广泛的适应性：设备能够适应不同尺寸和形状的基底，包括平面基底和复杂的三维结构。 高效性：通过优化工艺参数，可以实现高效的薄膜沉积，提高生产效率。 灵活性：可沉积多种类型的材料，包括金属氧化物（如ZnO、TiO2、Al2O3、SnO2）、金属（如Pt、Ir）等，满足不同应用需求。 4 技术参数和特点：卷筒纸宽度：大420mmALD镀膜厚度：大100nm动态沉积速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min过程温度：高 250°C

1.产品概述：NEXUS IBD是由VEECO研发的第三代NEXUS® 离子束沉积 （IBD），适用于硬偏置、引线、绝缘层和传感器堆栈沉积。2.产品原理：离子束辅助沉积的原理是在离子束的作用下，将气态或液态物质引导到材料表面，通过物理或化学反应，形成固态薄膜。 离子束辅助沉积具有沉积温度低、薄膜质量高、可控制性好等优点，因此在光电、电子、能源等领域得到广泛应用。3.产品优势：数据存储制造商可以借助 Veeco 的第三代 NEXUS® 离子束沉积 （IBD） 系统大幅提高 80Gb/in2 传感器的产量，并满足未来 TFMH 设备制造的需求。支持各种设备，从当的 CIP 到高 CPP 设备MRAM 应用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁头的理想选择改进了所有准直沉积应用的 CD 控制通过沉积羽流的对称到达获得更锐利的起飞角度平台易于与 PVD、IBE 和其他技术集成

1. 产品概述SENTECH SIPAR ICP沉积系统是为使用灵活的系统架构的各种沉积模式和工艺开发和设计的。该工具包括 ICP 等离子体源 PTSA、一个动态温控基板电和一个受控的真空系统。该系统将等离子体增强化学气相沉积 （PECVD） 和原子层沉积 （ALD） 结合在一个反应器中。2. 主要功能与优势SENTECH SIPAR ICP 沉积系统将原子层沉积 （ALD） 和电感耦合等离子体增强真空沉积 （ICPECVD） 技术结合在一个反应室中以顺序沉积方法进行。用户可以利用这两种工艺的优势来实现精确、保形和高质量的多层膜，同时对膜厚、均匀性、选择性和沉积速率有出色的控制。这在先进的有机电子学、微电子学、纳米技术和半导体器件研究中尤为重要。3. 灵活的系统架构该系统采用灵活的系统架构，为各种沉积模式和工艺而设计和开发。由均匀和保形沉积的原子层沉积的原子层沉积层和快速生长的 ICPECVD 薄膜组成的混合多层膜在有机器件技术、纳米技术以及半导体研究和工业中具有优势。4. 高性价比SENTECH SIPAR ICP的高效多层沉积能力和小尺寸使其具有很高的成本效益和多功能性。它非常适合用于有机设备技术、纳米技术和半导体研究的研发和学术机构。5. 灵活性和模块化SENTECH SIPAR ICP 沉积系统允许使用 ALD 和电感耦合等离子体增强化学气相沉积 （ICPECVD） 进行顺序沉积，而无需在不同反应室之间转移底物。由均匀和保形沉积的原子层沉积物原子层沉积层和快速生长的 ICPECVD 薄膜组成的混合多层膜在有机器件技术、纳米技术和半导体研究中具有优势。SENTECH SIPAR ICP沉积系统为生产、研发和大学使用提供了高效的多层沉积。更低的价格、更高的吞吐量和更小的占地面积使 SENTECH SIPAR ICP 沉积系统比集群解决方案更具优势。

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

1.产品概述：TFS 200 是一款适用于科学研究和企业研发的灵活的 ALD 平台。 TFS 200 是为多用户研究环境中将可能发生的交叉污染降至低而特别设计的。TFS 200 不仅可以在晶圆，平面物体上镀膜，还适用于粉末，颗粒，多孔的基底材料，或是有高深径比的3D物体内沉积高保形薄膜。 直接和远程等离子体沉积 (PEALD) 可作为 TFS 200 的标准选项。等离子体是电容性耦合(CCP)，这是当的工业标准。等离子体选件可为直径200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和远程等离子体增强沉积 (PEALD)2.设备用途/原理：设备用途原子层沉积（ALD）设备主要用于半导体制造、光电子、纳米技术和材料科学等领域。它广泛应用于制造高性能电子器件、光电材料、薄膜电池、传感器和催化剂等，能够在复杂结构上沉积均匀且高质量的薄膜。工作原理ALD 设备通过交替引入两种或多种气相前驱体和反应气体，以原子层的方式在基材表面沉积薄膜。每个前驱体分子在基材表面吸附并反应，形成一层薄膜，然后多余的前驱体和反应产物被清除，接着引入下一种气体。这个过程持续进行，直到达到所需的薄膜厚度。由于每一层的沉积都受到严格控制，ALD 技术能实现极薄膜层的精确沉积，通常在纳米级别，确保薄膜的均匀性和致密性。3.主要技术指标：循环周期小于2。在特定的条件下可以小于1。高深径比(HAR)选项适用于通孔和多孔的基底材料。可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔。安装在真空反应腔的辅助接口可实现等离子体和在线诊断等。加载锁可用于快速更换基底材料并与其他设备集成。

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

1. 灵活的沉积平台服务于广泛的应用Veeco 的单靶点 NEXUS PVDi 物理气相沉积（PVD）系统，为各类薄膜沉积应用提供了极大的灵活性和多功能性，使其在当今快速发展的技术环境中脱颖而出。无论是在半导体、光电子材料、显示技术还是其他高科技领域，NEXUS PVD 都能够满足客户的多样化需求。该系统的加工精度高达 200 毫米，不仅保证了沉积过程的精确控制，还使得它能够支持多种不同的工艺需求。NEXUS PVD 的先进工艺能力，结合无与伦比的均匀性，确保了每一层沉积膜的质量和性能都达到行业领先水平。这种优质的性能在提高整体工艺产量方面发挥了关键作用，用户能够以更高的良率实现高效生产。此外，NEXUS PVD 平台彰显了出色的吞吐量和正常运行时间，显著降低了设备的拥有成本。这意味着客户可以在保持高产量的同时，减少维护和运营成本，进一步提升投资回报率。2. NEXUS 平台还集成了 Veeco 多项技术包括离子束沉积、离子束蚀刻和原子层沉积（ALD），使得该系统具备处理多种沉积需求的能力。离子束沉积能够实现高质量薄膜的沉积，适合于对膜厚均匀性和膜缺陷有严格要求的应用；而离子束蚀刻技术则用于精细图案的刻制，更好地满足高精度集成电路制造的需要。原子层沉积技术则在沉积极薄膜方面表现卓越，适用于高技术含量的光电材料、传感器及其他前沿科技领域。Veeco 的 NEXUS PVDi 系统通过其顶尖的灵活性、可靠性和高效性，为广泛的薄膜沉积应用提供了卓越的解决方案，帮助客户在竞争激烈的市场中保持领先地位。无论是从技术创新还是经济效益来看，NEXUS PVDi 系统都为用户创造了巨大的增值潜力。

电动水底沉积物取样器电动水底沉积物取样器P型主要用于浅水环境沉积物取样，是一款高频率的轻便手持式沉积物取样钻机，和传统柱状手持式沉积物取样器相比，本款电动水底沉积物取样器降低了沉积物取样过程中的压缩，使得沉积物能保持原始厚度和结构。操作时使用2块蓄电池即可满足全天的取样需求。P型取样器同样可以在取样管安装独特岩心爪，以便于更有效率的在沙土环境或者软沉积物环境取样。独特的设计使得取样管能在采样后较容易的从水中脱离。顶部的浮动排气和密封系统有助于实验人员收集非常柔软的沉积物样品，并且几乎无须损失任何样品。优势：机头潜入水下取样（水深20米）锂电池动力、操作简单、携带便携、柱状样品应用领域：水域沉积物调查、河道清淤调查、湿地环境调查技术参数：动力提供：2节12伏特小型蓄电池单次取样所需时间：20秒至1分钟单次充电可取样品数量：30次以上震动频率：5,000至6,000次/分取样管长度：1至2米取样管口径：76毫米取样管管壁厚度：1.3毫米主机重量：8千克【此款设备同时承接取样项目、设备租赁】

1 产品概述：化合物半导体沉积系统是一种高度专业化的设备，主要用于在特定衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜。这些薄膜在电子、光电、微波通信等领域具有广泛的应用。该系统通常集成了多种先进的沉积技术，如化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）等，以满足不同材料和工艺的需求。2 设备用途： 化合物半导体沉积系统的主要用途包括：薄膜沉积：在硅、蓝宝石、碳化硅等衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。器件制造：用于制造高频、高速、高功率的化合物半导体器件，如射频功率放大器、微波器件、LED等。材料研究：支持新材料的研究与开发，包括新型化合物半导体材料的探索与性能验证。工艺优化：通过精确控制沉积参数，优化薄膜的结晶质量、成分、厚度等，提高器件的性能和可靠性。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：1 高精度与可重复性：采用先进的沉积技术和精密的控制系统，确保薄膜的厚度、成分、结晶质量等关键参数具有高精度和可重复性。2 多工艺兼容性：支持多种沉积工艺，如CVD、PVD、ALD等，可根据具体材料和工艺需求进行选择和优化。3 高度自动化：系统集成度高，自动化程度高，能够实现从衬底预处理、沉积过程到后处理的全程自动化控制，提高生产效率和产品质量。4 广泛的材料适应性：可适用于多种化合物半导体材料的沉积，包括但不限于GaN、GaAs、InP等，满足不同应用领域的需求。5 高效能：沉积速率快，生产效率高，同时能够保持较低的能耗和成本。4 设备参数：1、可用反应器容量：42x2 英寸/11x4 英寸/6x6 英寸 2、最高的晶圆吞吐量和快速的循环时间3、通过提高均匀性和工艺稳定性实现最大生产量4、提高生产率

原子层沉积技术原子层沉积系统：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积系统应用：高介电薄膜疏水涂层钝化层 深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜微流控台阶涂层用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池ALD-4000原子层沉积系统特点：独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能 安全互锁设计，强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖最多7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀ALD-4000原子层沉积系统选配项：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)臭氧发生器 等等客户定制选项 案例：6”晶圆片上的均匀性数据

1 产品概述： 化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其独特的高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。2 设备用途：化合物半导体沉积系统的主要用途包括：晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。 精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。多功能性： 多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。 多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。高温与低温兼容性： 高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。 低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。高效与自动化： 高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本。 自动装载与卸载：部分设备配备自动卫星装载系统，实现样品的自动装载与卸载，提高操作便捷性。4 设备参数：用于在 150/200 mm 衬底（Si/Sapphire/SiC）上进行高级 GaN 应用 间歇式反应器的成本优势与单晶圆反应器独特的轴对称晶圆上均匀性相结合，在以下方面：o Wafer Bow （威化弓）o 层厚、材料成分、掺杂剂浓度o 组件产量暖吊顶通过晶圆提供最低的热通量o 由于垂直温度梯度最小，晶圆曲率最小o 允许使用标准厚度的硅晶片通过客户特定的衬底腔设计优化晶圆温度配置8x150 毫米5x200 毫米

请通过我们的联系我们！分子层沉积系统MLD (Molecular Layer Deposition)是一种高级的有机聚合物薄膜与有机无机杂化膜制备技术，可以实现每个循环沉积一个分子层，精确控制厚度，在科研和工业界有非常好的发展前景。分子层沉积系统MLD相对于传统的有机聚合物薄膜沉积工艺（旋涂，热蒸发）而言，薄膜厚度精确可控（控制循环数），厚度更均匀、阶梯覆盖率和保型性更好、重复性更可靠。分子层沉积系统MLD：通过将两种反应气体（或者蒸汽）以气体脉冲形式交替地引入反应器，依靠留在基底表面的吸附分子（如羟基或氨基）进行反应而生成薄膜。由于每次参与反应的反应物局限于化学吸附于基底表面的分子，这使得 MLD 具有自限制生长特征。分子层沉积系统MLD目前可沉积的薄膜有： 有机聚合物物薄膜：Polyimide聚酰亚胺（热解可得到碳膜），Polyurea聚脲，Polyamide（聚酰胺（尼龙66），Polyimide–amide聚酰亚胺-酰胺，Polyurethane聚氨酯，Polythiurea聚硫脲，Polyester聚酯，聚乙二醇（PEG）等。 有机无机杂化薄膜：Al、Ti、Zn、Fe 的有机-无机杂化膜… 设备沉积部分薄膜均匀性数据：材料基片大小均匀性Al-EG(HQ, alucone)6”﹤1%Ti-EG(HQ, Tincone)6”﹤1%Zn-EG(HQ, zincone)6”﹤1%聚酰胺(polyamide)6”﹤3%聚酰亚胺(Polyimide)6”﹤3%聚脲(polyurea)6”﹤3%分子层沉积系统MLD应用领域：MLD沉积的有机聚合物薄膜、有机无机杂化薄膜、有机无机纳米叠层薄膜，可以用于微电子，MEMS， 薄膜封装、生物芯片，润滑，耐磨，耐腐蚀，防静电，阻燃，耐高温 防潮，防水保护层，药片薄膜衣等领域。MLD可实现单层、亚单层、埃级别的精确厚度控制，在分子水平上控制薄膜的形成和生长，并对形貌无特殊要求，能够在平面、粒子、纤维、多孔以及复杂结构上沉积薄膜。Polyimide聚亚酰胺与Ta2O5纳米叠层的介电常数与纳米力学性能：介电常数随Ta2O5含量增加而增加。薄膜的柔软度、弹性、塑性随Polyimide聚酰亚胺的增加而增加分子层沉积系统MLD沉积聚酰亚胺，热解成炭膜Al2O3/TMA+EG纳米叠层防水层：作为气体阻挡层，比单纯的氧化铝薄膜要好，WVTR值可达0.021 g/(m2day)，而氧化铝本身值为0.037 g/(m2day)，测试条件：85 °C，相对湿度85%。PEG薄膜作为防污薄膜-用于生物芯片MLD沉积PEG薄膜，可以提供厚度精确可控，高质量，防污的薄膜，使生物芯片具有高的选择性、稳定、可产业化。技术参数：反应器尺寸：4-8 英寸反应器温度：室温~400 oC前驱体源：4-6 路液/固源，2-3 路气源 MLD可与气相色谱、固定床/高压反应釜联用MLD 可与红外光谱仪联用以上类型 MLD，均可配备实验全程控制与监测系统、尾气处理等

1.产品概述： Beneq P1500 是我们大的原子层沉积系统，门用于涂覆大型板材和复杂零件。它还用于为较小组件的批次提供更高的吞吐量。我们的客户将 P1500 用于大直径基板上的光学镀膜、半导体设备部件的防腐镀膜，以及在玻璃或金属板上使用 ALD 的各种应用。2.产品配置:大型零件需要大型原子层沉积工具。 Beneq P1500 可容纳大 1300 × 2400 mm 的零件，并且可以在广域反射镜或透镜上沉积高质量、功能性的光学涂层。它还用于涂覆 300 至 1000 毫米尺寸范围的批量零件。可能的基材包括：第 4 代至第 6 代显示屏玻璃光伏玻璃板天文镜半导体腔室盖、衬垫和淋浴喷头印刷电路板可扩展性3.产品优势：提高较小基材批次的产量。 您目的涂料设备是否已满负荷生产？Beneq P1500 能够扩大批量生产的规模，并为您的工作流程增加额外的涂层容量。与较小的批量工具相比，P1500 可以提高您的涂层产量。此外，其大批量容量可以降低涂装较小零件的成本，使 ALD 在许多应用域中具有商业可行性。P1500 配备了高容量驱体源和驱体灭活和过滤系统，用于沉积厚度从纳米到微米不等的薄膜批次。Beneq P1500 是我们坚固可靠的 P 系列的新示例，它受益于 35+ 多年的工业 ALD 批量生产经验。P1500 可从室温加热到 400°C，轻松处理气态、液态和固体驱体，包括有毒、自燃和腐蚀性驱体材料。预热烤箱Beneq 有的预热器。 我们可选的预热烤箱缩短了加热时间，并进一步提高了您的吞吐量。

用于沉积纳米级薄膜、纳米粉末包覆、长深孔样品镀膜 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生产型ALD 具备近100种膜层工艺。应用领域： 芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、5G通讯（SAW器件）、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等，细分及对应膜层如下： -High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3) -导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN) -金属互联结构 (Cu WN,TaN,Ru,Ir) -催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5) -纳米结构 (All ALD Material) -生物医学涂层 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN) -金属 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni) -压电层 (ZnO,AlN,ZnS) -透明电学导体 (ZnO:Al,ITO) -紫外阻挡层 (ZnO,TiO2) -光子晶体 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5) -防反射滤光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5) -电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce) -工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3,ZrO2) -光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO) -传感器 (SnO2,Ta2O5) -磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3,ZrO2,WS2) -OLED钝化层 (Al2O3)功能特点：-采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜-一个循环周期小于2秒钟-可以沉积有机高分子材料，实现表面亲疏水性-可以在纳米粉末或纳米颗粒上沉积薄膜-可以在三维、不规则体、带有长深孔（深宽比2500：1）样品上沉积薄膜-可以沉积低饱和蒸汽压材料-可增加在线椭偏仪和QCM检测-可增加等离子体装置-可扩展臭氧产生器-可集成手套箱设备-可增加Load-lock自动上下载片装置可沉积膜层： 氧化物氮化物硫化物 金属/碲化物

Anric Technologies是由哈佛大学的研究人员创立的，旨在解决台式ALD工具市场的空白，专门致力于为小样品和低预算设计和优化的。Anric 已经开发了几种新的薄膜工艺，包括最近获得专利的用于生长二氧化硅薄膜的混合ALD工艺。AT-410 设计灵感来自哈佛大学从事各种沉积工艺和设备应用时的观察。技术参数：基片尺寸：4英寸；加热温度：25℃~350℃；温度均匀性：±1℃；前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏控制；模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现 氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟高纵横比沉积，具有良好的共形性曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地小，可兼容各类洁净室要求的系统；可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5)纳米结构 (All ALD Material)；6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)； 8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17)传感器 (SnO2, Ta2O5) 18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

由于LTPS TFT具有高电子迁移率，从而得到快速应答。虽然电耗比具有低漏泄电流的Oxide TFT大，但一直应用于消耗大部分电力的智能手机OLED显示领域。 但最近在提高移动和在穿戴设备的能效上有了新的技术，LTPO (Low Temperature Polycrystalline Oxide) TFT，此技术是电子高迁移率的LTPS TFT和低漏泄电流的Oxide TFT合成技术。在这个TFT中，Switching TFT 需要快速ON/OFF光线，使用了低漏泄电流的Oxide TFT。而Operating TFT需要通过调节光量进行快速画面切换，所以使用了具有高电子迁移率的LTPS TFT. 智能手表主要使用黑色背景，由于Switching的电耗比较高，采用LTPO TFT可降低约40%的电耗。因此，包括苹果在内的众多智能设备制造商正在应用或即将应用LTPO. 另外，由于这种低电耗的优势，最近三星和苹果等智能手机制造商正在积极开发，目标是将LTPO显示屏搭载到高端智能手机上。 Oxide TFT中使用的IGZO薄膜仍在以Sputtering方式沉积，但厚度和成分均匀度的问题，等离子体损伤导致物理电器特性降低以及溅射目标均匀度的问题。但是，当应用 ALD-IGZO时，可以在低温度工艺下控制原子单位的厚度和组成，因为工艺过程中没有等离子体损伤，因此可以实现高质量的薄膜沉积。 通过用Thermal ALD的方法控制ALD循环比例，可以获得目标IGZO的原子组成(In:Ga:Zn)的薄膜。因此，这种方式能够轻松的调节适合客户元件结构IGZO的组成。从而获得优于溅射方式的元件特性。 研发IGZO工艺用高生产率配置ALD系统，该系统采用新的技术，将多元系氧化物IGZO的组成比控制在个别应用领域元件所需的组合比。特别是 GD Series的应用，可在多个大面积基板上沉积ALD，有望在目前迅速应用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供质量竞争力和高生产率。

该ALD拥有达到或超过市场上其他品牌的功能，同时易于使用和维护 - 成本远低于当今市场上的价格腔室温度：室温到325°C±1°C 前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C（带加热夹套）市场上最小的占地面积（2.5 平方英尺），台式 安装和洁净室兼容简单的系统维护和最低的实用程序和 市场上的前体使用流线型腔室设计和小腔室体积快速循环能力（高达 1.2nm/min Al2O3）和高 曝光，提供深度渗透处理全硬件和软硬件联锁，即使操作安全 在多用户环境中AT410 ALD 系统提供用于 TEM 和 SEM 样品制备的溅射替代方案用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料，例如Pt，Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷，减少局部光束加热引起的热损伤，并改善二次电子信号。传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不能通过PVD提供，因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜，因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统（与台式溅射的价格点相同） AT410 ALD 系统为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案，同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。AT 410 不仅突破了界限，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有这些都在台式配置中，价格相当。 沉积材料标配沉积材料菜单开发中设备具备沉积能力的材料氧化物 (AxOy)Al, Si, Ti, Zn, Zr, HfV, Y, Ru, In, Sn, PtLi, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd元素 (A)Ru, Pd, Pt, Ni, CoRh, Os, IrFe, Cu, Mo氮化物 (AxNy)Zr, Hf, WTi, TaCu, Ga, Nb, Mo, In硫化物 (AxSy)Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W其它化合物AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, HfYSZ (yttria stabilized sirconia) ITOMany others

Beeker取样器是在水下土壤中静态取样的工具。样本收集到透明管中，这样它就能将材料保持在原位上，可以据此做出清楚的剖面描述。技术参数采样深度：5米 采样管尺寸：直径63×57mm，长度100/150cm配置：包括一个完整的沉积物采样器，不同长度的采样管，活塞，顶部的锤击头和扩展连接杆，一个真空手泵，一个压力手泵，软管绞盘和软管，一个气动排放和分离系统(04.23.SB型)，一个工具包，各种附件和铝质装运箱。采样原理在采样前，一个坚硬的切割头安装在采样管底部。一个垫圈安装在采样官顶部。切割头和垫圈用带子紧密连接，采样管被它们夹紧。这种构造可以用在不同长度的采样管上（最大1.5米）。一个橡胶隔膜装在切割头里，可以在一定压力下膨胀并完全关闭切割头，可以保证采样器提起时，样品完好保存。通过使用扩展连接杆和顶部的锤击头，可以将采样器插入到底泥中。通过使用活塞，Beeker采样器可以避免对样品产生压缩的问题。采样前，将活塞装在切割头里。当切割头位于沉积物上时，活塞通过绳子保持在一个固定高度（例如将绳子固定在船的栏杆上）。当采样管下降时，活塞保持静止状态。采样管被推入沉积物中，环绕着活塞。由于摩擦的作用而产生的压缩被部分真空产生反作用抵消。通过Beeker采样器采集的样品压缩率最大只有4-5%，其它的采样系统通常会压缩30%以上。采样管被密封以后，通过使用水-气动排放和分离系统，样品可以再细分成更小的、非破坏性的样品，用来深入研究。取样完成后，取样管密封，通过液压-气压排出和分离设备，样本可再分为更小的静态样本，以备相关的深度分析。全套装置包括：一套完整的沉积物取样工具，各种长度的取样管，活塞，顶杆和加长杆，一个真空/压力泵，真空/压力存储器，带软管的软管卷盘，一个排出/分离设备，一套工具，各种附件，以及一只铝制搬运箱。成都耀华科技有限公司 电话：，邮箱：地址：成都市高新区天益街38号理想中心4东907室优点装备完整，并带有详尽手册。土壤剖面和密度保存较好。由于样本的真实直径，周围很少有样本撒出。取样器重量轻，使用简便，所以一天之内可以采集多个样本。有了气压存储器和粗软管连接，取样器非常灵活，用途广泛。取样器可处理各种密度不同的沉积物，从含水很多、没有粘性到松散的沙土，不受土壤分层的影响。用液压-气压排出和分离设备，可轻松控制样本的排出以及/或者分离。标准装置可用于水中最深5米。在某些情况下，使用加长杆，还可在更深处采集样本。注意：随着取样深度的增加，流水中取样会越来越困难

美国SVT公司ALD原子层沉积系统自1990年来薄膜淀积设备顶级制造商。拥有独立的室内实验室用于材料研究和工艺开发。提供广泛的服务，包括淀积设备、淀积部件、集成传感器以及工艺控制设备制造和工艺技术的高度结合，为客户提供可靠的技术服务实验室7台应用淀积设备生长出世界级的材料多条设备生产线几乎覆盖了整个薄膜淀积设备市场在薄膜淀积领域拥有超过120台设备的顶级供应商。NorthStar ALD系统介绍：NorthStar ALD原子层沉积系统提供各种淀积方法，包括热淀积以及能量增强淀积。每台设备可以提供多达8个先驱源管路以及一个热壁淀积腔，使其应用范围极为广泛。设备的快速舱口盖或装载室（可选件）使样品操作快捷方便。NorthStar ALD系统不但能跟其他设备连接起来，还能连接多种测量仪器。原位测量工具以及RoboALD软件自动化系统提高了工艺的再现性。可以直接升级至超高真空提供工艺演示以及工艺培训服务为潜在客户提供免费样品测试。应用领域：High-K电介质纳米涂层MEMS光子晶体扩散阻挡层器件封装表面改性层技术参数：为科研客户量身打造最先进的原子层沉积系统。提供4"、6"、8"、12"等多种尺寸的样品平台。针对客户的需求，提供多种输气设计。---可控真空度: 1 Torr to UHV---气道加热---气体快速进出---样品尺寸: 4in standard, optional 12in---基底加热: up to 300 ℃, optional higher temp主要特点：最安全的设计，多样化的配置，全方位的测试手段。精确的控制手段打造完美的成膜质量。强大的科研团队铸就领先的科技实力。---气体离子化---臭氧输送装置---石英振荡器---四重质量分光计---实时温度显示---椭偏仪---进样室

1. 产品概述Savannah® 配备了高速气动脉冲阀，以实现我们独特的曝光模式&trade ，用于在超高宽宽比基板上沉积薄膜。这种经过验证的精密薄膜镀膜方法可用于在纵横比大于 2000：1 基板上沉积保形、均匀的薄膜。Savannah® 提供三种配置：S100、S200 和 S300。Savannah® 能够容纳不同尺寸的基材（S300 可达 300 毫米）。Savannah® 薄膜沉积系统配备了加热的驱体线，并可选择添加多达六条线。Savannah® 能够处理气体、液体或固体体。Veeco 是全球先的原子层沉积 （ALD） 系统供应商，为研究和工业提供全面的服务和多功能的交钥匙系统，这些系统易于访问、经济实惠且精确到原子尺度。薄膜沉积是我们的长。我们的 Savannah® 系列薄膜沉积工具就是这些能力的例证。Savannah® 已成为全球从事原子层沉积 （ALD） 的大学研究人员的选系统，他们正在寻找经济实惠且强大的平台。在过去十年中，我们已经交付了数百个这样的系统。Savannah® 对驱体的高效利用和节能特性大大降低了薄膜沉积系统的运行成本。2. 主要功能包括原位椭圆偏振仪原位质量控制自组装单层膜2循环时间综合臭氧低蒸气压沉积批处理手套箱集成

Kurt J. Lesker Company Mini SPECTROS&trade 是基于主力SPECTROS平台的下一代薄膜沉积系统。SPECTROS平台在全球拥有100多台设备，是一种成熟、坚固和多功能的设计。Mini SPECTROS建立在原始设计的成功基础上，改进了系统基础压力和抽空时间。技术的腔室设计、具有高级编程功能的行业最佳软件控制系统、实时配方线程操作以及用于优化薄膜性能的众多功能，这些都是这种创新的设计提供的一些关键优势。® Mini SPECTROS&trade 与以下技术兼容：1cc 或 10cc LTE 信号源（除热源外，最多 4 个信号源）4 英寸热源（除 LTE 源外，最多 4 个源）TORUS 磁控溅射源（最多 6 个 2“ 或 3” 离子源）® 电子束蒸发源（4口袋8cc，8口袋12cc，6口袋20cc）上述技术的组合也可用。可根据要求提供定制配置TORUS离子源在典型的溅射压力（ 20 mTorr）下运行，并利用硅晶圆进行沉积。氧化硅® 2目标运行射频功率，膜厚 =500&angst 。铝目标使用直流电源运行，膜厚 =1500&angst 。Ni Target 使用高强度 TORUS 和直流电源运行，膜厚 =1500&angst 。® KJLC 电子束沉积运行利用 Si 晶圆进行沉积。Ti蒸发材料，膜厚=1500&angst 。所有薄膜均在正确校准的轮廓仪、反射仪或椭圆仪（如果适用）上进行测量。测量点从基板的中心开始，然后每 0.5 英寸（12.7 毫米）径向外径向外，标称值（右侧参考图）。均匀性计算公式为：（（最大 - 最小）/（2 x 平均值）） x 100%，带 0.2 英寸 （5mm） 边缘排除

芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的，与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术，因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品，于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有：标准型PICOSUN™ R-200 Standard，只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced，有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好，同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜，如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们！

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃预留模块：预留等离子体系统接口，无需更换腔体即可直接升级至等离子体系统（PEALD），实现Thermal-ALD与PEALD的双模式切换 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

1. 产品概述eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率。2. 设备用途/原理eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率，加热基座和高温静电卡盘设计，具备良好的温度均匀性，全新双腔传输平台，可配置性强，多可支持 10 个工艺模块，优质的 Whisker 解决方案，降低产品缺陷，大产能，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 8、12 英寸，适用材料 高温铝、氮化钽、氮化钛。适用工艺 热铝、铝焊盘、铝线，适用域 新兴应用。

产品详情德国 Sentech等离子沉积机 SI 500 D ： 超高密度等离子体SI 500d具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。 平面等离子体源森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。 杰出的沉积特性低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低，沉积温度小于100℃，使沉积薄膜具有优异的性能。 动态温度控制 采用动态温度控制的基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在室温至+350℃的大范围温度范围内，提供优良的稳定工艺条件。 SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500d。 从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 d中进行加工。 SI 500d等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOS、SiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。s500d特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障，以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。 森泰科提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的沉积和蚀刻模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。 SI 500 DICPECVD等离子体沉积工具与真空loadlock高达200毫米晶圆衬底温度从RT到350℃激光端点检测可选的衬底偏置

1.产品概述：Beneq Transform在其多功能性和适应性方面建立了全新的ALD集群工具产品，以满足广泛的应用和细分市场的需求。Beneq Transform 配置多个 ALD 工艺模块，以满足特定的晶圆容量要求，或者在以后进行升，以响应不断增长的数量或新的 ALD 应用。2.产品优势：一个平台，多种配置：Beneq Transform在其多功能性和适应性方面建立了全新的ALD集群工具产品，以满足广泛的应用和细分市场的需求。Beneq Transform 配置多个 ALD 工艺模块，以满足特定的晶圆容量要求，或者在以后进行升，以响应不断增长的数量或新的 ALD 应用。热原子层沉积和等离子体原子层沉积合二为一。单晶圆或批量处理：泛的高性能氧化物和氮化物。大限度地增加灵活的批量生产选择。凭借其灵活的自动化平台和将热批量和等离子体增强的原子层沉积工艺模块结合在一个集成系统中的功能，Beneq Transform 在如何实现处理序列以满足的薄膜沉积要求方面提供了灵活性。为晶圆厂设计：行业标准的水平晶圆装载提供即插即用的集成。预热模块消除了等待时间，并将吞吐量提升到一个全新的水平。SEMI认证：符合 SEMI S2/S8 和 SECS/GEM 标准。定制支持可确保在生产中顺利过渡到原子层沉积。

多通道沉积物捕集器,沉积物采样器,沉积物取样器,沉积物活塞柱状取样器, 丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器 28.150 &ndash 双通道沉积物捕集器 28.200 &ndash 四通道沉积物捕集器 丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器阵列的结构可以确保它在工作时处于垂直状态。转向翼(选配)可以使得沉积物捕集器阵列跟水流方向处于正确的角度。整套沉积物捕集系统是可以随意配置的。所有的部件都可以拆卸。根据您的需要，主框架上面安装1，2，3或4个沉积物捕集管。 多通道沉积物捕集器由可拆卸的圆柱形捕集管(底部带配重铅块)组成。带万向接头的固定器和转向翼由AISI316不锈钢制成。捕集管由透明聚丙烯酸组成，纵横比为6。 标准配置：配备1, 2 或 4根 ø 80/ø 74 mm 和ø 110/ø 104 mm的捕集管 其他尺寸的捕集管也可以根据客户要求订做。 万向接头 - 28.104 转向翼 - 28.105 多通道沉积物捕集器订购信息 ø 80 / ø 72 mm 外径/内径 长度 重量 订购货号 多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量1.9升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 4,5 kg 28.050 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼，采样量3.8升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 4,8 kg 28.075 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量3.8升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 6,6 kg 28.100 多通道沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量5.7升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 8,6 kg 28.150 多通道沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼，采样量7.6升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 8,8 kg 28.200 多通道沉积物捕集器附件和备用配件 捕集管 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 1,5 kg 28.101 锌阳极 ø 50 x 10 mm 28.102 主支架 0,75 kg28.103 万向接头臂和捕集管固定环 0,6 kg 28.104 转向翼，用于28.075, 28.100 和 28.150 1,9 kg 28.105 多通道沉积物捕集器固定器 28.106 平衡臂，只用于28.100 28.107 蝶型螺母，用于固定捕集管 28.108 螺丝，M6 x 12, AISI 316不锈钢, 5个 28.109 ø 110 / ø 104 mm 外径/内径 长度 重量 订购货号 多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量8.5升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.290 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，不包括转向翼，采样量17升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.295 沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量17,0升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.300 沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量25,5升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.350 沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量34升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.400 多通道沉积物捕集器附件 捕集管 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.301 多通道沉积物捕集器备用部件 锌阳极 ø 50 x 10 mm 28.102

美国SDI公司VC-MINI-P型电动水底沉积物取样器电动水底沉积物取样器P型主要用于浅水环境沉积物取样，是一款高频率的轻便手持式沉积物取样钻机，本款电动水底沉积物取样器降低了沉积物取样过程中的压缩，使得沉积物能保持原始厚度和结构。操作时使用2块蓄电池即可满足全天的取样需求。P型取样器同样可以在取样管安装独特岩心爪，以便于更有效率的在沙土环境或者软沉积物环境取样。设计使得取样管能在采样后较容易的从水中脱离。顶部的浮动排气和密封系统有助于实验人员收集非常柔软的沉积物样品，无须损失样品。优势：机头潜入水下取样（水深20米）锂电池动力、操作简单、携带便携、柱状样品应用领域：水域沉积物调查、河道清淤调查、湿地环境调查技术参数：动力提供：2节12伏特小型蓄电池单次取样所需时间：20秒至1分钟单次充电可取样品数量：30次以上震动频率：5,000至6,000次/分取样管长度：1至2米取样管口径：76毫米取样管管壁厚度：1.3毫米主机重量：8千克【此款设备同时承接取样项目、设备租赁】美国SDI公司MINI型电动水底沉积物取样钻机信息由北京特提斯科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于美国SDI公司MINI型电动水底沉积物取样钻机报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。注：对于医疗器械类产品，请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况