点阵常数

K9 镀铝点阵分光片，不同于介质膜分光片。其一分光性能对入射角度不敏感，其二适用的波长范围很宽从可见到短波红 外都可以使用 (350~2000nm)。反射光部分是铝膜的反射，透射光则是由直径为 0.25mm~0.5mm 的未镀膜圆孔点阵列 透光而成。

玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

功能介绍1.自动停机：试样破坏后，移动横梁自动停止移动（或自动返回初始位置、2.自动换档：根据试验力大小自动切换到适当的量程，以确保测量数据的准确性3.条件模块：试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储；方便用户的调用和查看，节省试验时间4.自动变速：试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变5.自动程制：根据试验要求，用户可方便的建立自己的试验模板（方法、，便于二次调用，可实现试验加载速度、应力、应变的闭环试验控制6.自动保存：试验结束，试验数据和曲线计算机自动保存，杜绝因忘记存盘而引起的数据丢失7.测试过程：试验过程及测量、显示、分析等均由微机完成8.批量试验：对相同参数的试样，一次设定后可顺次完成一批试验9.试验软件：中文Windows用户界面，操作简便10.显示方式：数据与曲线随试验过程动态显示11.曲线遍历：试验完成后，可对曲线进行放大再分析，用鼠标查到试验曲线上各点对应的数据12.试验报告：可根据用户要求进行编辑打印13.限位保护：具有程控和机械两级限位保护14.过载保护：当负荷超过额定值3～5%时，自动停机15.报告显示：自动和人工两种模式求取各种试验结果，自动形成报表，使数据分析过程变的简单，便于用户16.添加试验方法：用户可跟据试验要求，添加试验方法玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。

品牌：梅特勒-托利多 METTLER-TOLEDO名称：打印机型号：RS-P26/02 梅特勒实验室仪器专用打印机RS-P26/02记录您的结果.点阵打印机，RS232接口，打印速度2.3行/秒，内置实时时钟，置零/去皮键用您所使用的语言进行打印在标准纸张或连续标签上进行简单直接的无障碍打印。 统计和求和应用程序可用所连接梅特勒-托利多仪器的操作语言打印。GxP 合规性文档内置的真实时间与日期支持用户记录所有测量值和定制的数据打印输出信息； 满足 GxP 的要求。规格 - 实验室仪器专用打印机RS-P26/02接口RS232类型打印机内置实时时钟是打印速度2.3行/秒应用：统计、求和否置零/去皮键是打印材质标准纸张（纸张、连续标签纸）打印装置点阵，24个字符/行打印技术点阵物料号 (s)11124313分类型号订货号说明梅特勒打印机RS-P2811124314具有统计和累加、日期和时间、主动对天平清零/去皮、获得称量数据、图像打印和自适配通讯参数功能，适用RS232C通讯接口的天平RS-P2611124313具有日期/时间、主动对天平清零/去皮、获得称量数据/图像打印和自适配通讯参数功能，适用RS232C通讯接口的天平和仪器RS-P2511124310MT记录结果打印机，具图像打印/自适配通讯参数功能，适用RS232C通讯接口的天平USB-P2511124311MT记录结果打印机，具图像打印/自适配通讯参数功能，适用USB通讯接口的天平P-52RUE30237290MT点阵式色带打印机，适用于RS232,USB,Ethernet通讯接口的天平USB电缆线12130716USB电缆线，1米，USB-P打印机自粘贴打印卷纸116003883卷打印机可粘贴纸，57.5*D50mm

便携式智能溶解氧分析仪产品简介:便携式智能溶解氧分析仪主要是为方便用户携带到现场操作的。该仪器可分为传感器和电子单元两个部份。传感器采用极谱型覆膜式溶室电极。电子单元为***集成电路组成。仪器采用点阵液晶显示，可显示溶解氧值和温度。主要特点:1.点阵背光液晶显示。2.自动温度补偿、响应时快3.便携式，携带方便。4.配本厂溶解氧电极(极谱型覆膜式)。技术指标:测量范围:溶 解氧: 0.00~20.0mg/L温度: 0~40°C基本误差:溶 解 氧: 0.3mg/L温度: +1°C残余电流: 不大于0.15mg/L响应时间: 不大于30s(20°C时90%响应)自动温度补偿范围: 0~40C电源: 7号碱性电池四节外形尺寸: 180x80x30mm重量：1kg

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。

产品特点：1.五档量程，自动切换，自动进位显示，操作简单，测量精度高2.采用汉字点阵液晶显示，电导率、TDS、电极常数、温度同时显示3.可对溶液温度系数及电极常数进行设置4.自动对溶液进行温度补偿5.秒表计时功能6.面板操作步骤提示技术指标：1.测量范围：0～2.4×105μS/cm,分辨率:1×10-4μS/cm(电极系数0.1时)2.仪器分成五档量程，各档档量程间自动切换3.TDS测量范围：0.000～119.9g/L；4.电子单元基本误差：±1.0%(FS) ±l个字5.仪器的基本误差：1.5%(FS)±1个字6.电子单元温度补偿误差：±1.0%(FS) ± l个字7.温度补偿范围：0～50℃,基准温度：25℃8.计时范围：0～9999秒，计时/停止/清零双按键控制9.配套电极：塑料电极 电极常数：1.0 cm-1

一、主要特点：◇大屏幕点阵液晶显示、中文菜单操作、多参数同时显示。◇自动/手动温度补偿功能。◇通讯功能：具有RS-485通讯接口（MODBUS协议部分兼容）（选配），可转换RS-232。◇可选配本公司上位机在线采集软件，进行数据采集和处理。◇可选配本公司上位机软件。◇可恢复出厂设置。◇看门狗功能：确保仪表不会死机。◇掉电保护＞10年。◇防护等级IP65，防水防潮防尘。二、技术指标：测量范围：0-20.00 mg/L（ppm）分 辨 率： 0.01mg/L信号输出：1路4～20mA 隔离保护输出工作条件：环境温度为0~60℃相对湿度：≤90%输入阻抗：≥1×1012Ω输出负载：负载＜750Ω（4-20mA）工作电压：220VAC±10%、50/60Hz尺 寸：218×183×126 mm安装方式：壁挂式重 量：1.5Kg防护等级：IP67

河北稳控科技红外成像仪测温模块点阵智能开发板USB供电安防生物识别发热检测红外热成像仪，可以以“面”的形式对目标整体实时成像，使操作者通过屏幕显示的图像色彩和热点追踪显示功能就能初步判断发热情况和故障部位，然后加以后续分析，从而高效率、高准确率地确认问题所在。Red Eye Camera可直接连接计算机和手机，配合上位机软件或者手机 APP 程序，使用十分方便。广泛应用于电子设备开发、 PCB 测试、 新材料、供暖施工、非接触温度测控、生物探测等行业和领域。 是基于红外阵列高精度温度传感器以及先进软件算法的非接触式热成像仪器，可对视场范围内任 何物体进行红外成像，成像分辨率达 512*384 像素， 温度灵敏度 0.1℃，绝对精度±1.5℃，刷新频率最高达 64Hz。具备数据实时输出显示、拍照存储功能，可直接连接计算机和手机，配合上位机软件或者手机 APP 程序优势与特点 可 USB 接口供电，即插即用。 多种滤波方法，参数自由设置。 多种颜色方案，满足不同需求。 高斯滤波，保留原始信息不畸变。应用领域：安防生物识别，发热检测，水暖电施工，故障排查，空调热度检测，安检通道等。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

漆膜介电常数介质损耗因数测试仪δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等漆膜介电常数介质损耗因数测试仪结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗漆膜介电常数介质损耗因数测试仪介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。【依据标准】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M功能介绍1.自动停机：试样破坏后，移动横梁自动停止移动（或自动返回初始位置、2.自动换档：根据试验力大小自动切换到适当的量程，以确保测量数据的准确性3.条件模块：试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储；方便用户的调用和查看，节省试验时间4.自动变速：试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变5.自动程制：根据试验要求，用户可方便的建立自己的试验模板（方法、，便于二次调用，可实现试验加载速度、应力、应变的闭环试验控制6.自动保存：试验结束，试验数据和曲线计算机自动保存，杜绝因忘记存盘而引起的数据丢失漆膜介电常数介质损耗因数测试仪若取不同C1进行多次测量后取一个平均值，则测试结果将较为准确。B．自然频率法（此法可获得较准确的结果） a．将被测线圈接在“Lx”接线柱上；b．将微调电容器度盘调至零，调谐电容器度盘调到最大电容值C1； c．调讯号源频率，使回路谐振，该频率为f1；d．取下被测线圈，换上一个能在调谐电容器调节范围内和十倍于f1频率谐振的电感； e．讯号源调到10 f1位置，调节调谐电容器到谐振点；f. 将被测线圈接在“Cx”两端，调节调谐电容器达谐振，此时视电容读数是增加还是减小。若增加，则应将振荡器频率调高些，若减小，则频率调低些；g. 再取下被测线圈，调节主调电容达到谐振；漆膜介电常数介质损耗因数测试仪a．选择要求的测试频率；b. 用一只合格元件或一只辅助线圈调谐主调电容，使Q值读数指示在所需预置Q值位置上；例150，按一下Q值设置键，使显示屏第三行显示“COMP OK”，同时仪器发出鸣叫声，Q值大于150值，液晶屏第三行显示“COMP 150”；再调谐主调电容，使Q值读数指示在所需预置Q值位置上；例170，再按一下Q值设置键，液晶屏第三行显示“COMP 170150”，此时Q合格范围预置功能的设置就结束了；产品的交收检验1. 检验环境要求a．环境温度：20℃±2℃，相对湿度50％； b．供电电源：220V±10V，50Hz±1Hz； c．被检设备要预热30分钟以上。2. 检验设备要求a. 设备应在计量后的有效使用期内；b. 检验设备应按仪器规定预热。3. Q值指示检验a. 检验设备：BQG-2标准线圈一套；b. 把标准Q值线圈接入A/C表电感接线柱上； c．选择标准Q值线圈所规定的检定频率；d．A/C Q表的Q值读数的相对误差应符合二.1.C条中的固有误差之规定。4．调谐电容器准确度检验a. 测试时如发现干扰，应断开内部信号源；b. 设备连接如图六所示，连接线应尽量短，尽可能减小分布电容；1. 谐振点频率自动搜索功能的使用如果你对电感元件无法确定它的数值时，你就可用该功能来帮你寻找出它的谐振频率点。步骤如下：a. 把元件接以接线柱上；b. 主调电容调到约中间位上；c. 按一下频率搜索按键，显示屏左下部显示“SWEEP””，仪器就进入搜索状态。仪器从最低工作频率一直搜索到最高工作频率，如果你的元件谐振点在频率覆盖区间内，搜索结束后，将会自动停在元件的谐振频率点附近。如果临时要退出搜索状态，可再按一次搜索键，仪器会退出搜索操作。 8．谐振点电容自动搜索功能的使用如果你想在已知的频率找出被测量器件的谐振频率点时，你就可用该功能来帮你寻找出它的谐振 点。步骤如下：a．把元件接以接线柱上； b．频率设置为所需的频率；c．按一下电容搜索按键，仪器就进入电容搜索状态，仪器从最小电容一直搜索到最大电容，如果你的元件谐振点在电容覆盖区间内，搜索结束后，主电容将会自动停在元件的谐振频率点附近。如果临时要退出搜索状态，可再按一次搜索键，仪器会退出搜索操作。a. 频率计数器技术要求测量范围：10Hz-1000MHz； 测量误差：1×10-6；测量灵敏度：30mV。d. 测试线要求：高频电缆SYV-50-3；9．频率调谐开关的使用。A/C的频率调谐采用了数码开关，它能辨别使用者的要求，来调节频率变化的速率(频率变化值／ 档)。在你快速调节该开关时，频率变化速率也加快，当你缓慢调节开关时，频率变化速率也慢下来。 因此在调谐时接近所需的频率时，应放缓调节速度，当你调节的频率超出工作频段的频率时，仪器会自动选择低一个或高一个频段工作。

冠测高低频介电常数测试仪GCSTD-D满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法GB／T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法ASTM D150／IEC 60250固体电绝缘材料的（恒久电介质）的交流损耗特性和介电常数的测试方法试验方法：接触法：适用于厚度均匀、上下表面平整、光滑材料非接触法：适用于上下表面不平整、不光滑材料电极类型：固定电极-测量电极φ38mm／φ50mm（标配电极1套，标配为38mm）液体电极-液体容量15ml粉体电极-根据样品量可配专用电极试样类型：固体、液体、粉体、膏体／规则物或者不规则物性能特点：测试频率20H2～2MHz，10mHz步进测试电平10mV～5V，1mV步进基本准确度0.1％最高达200次／s的测量速度320x240点阵大型图形LCD显示五位读数分辨率可测量22种阻抗参数组合四种信号源输出阻抗10点列表扫描测试功能内部自带直流偏置源外置偏流源至40A（配置两台TH1776）（选件）电压或电流的自动电平调整（ALC）功能V、1测试信号电平监视功能图形扫描分析功能20组内部仪器设定可供储存／读取内建比较器，10档分选及计数功能多种通讯接口方便用户联机使用2m／4m测试电缆扩展（选件）中英文可选操作界面可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序测试材料：无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阳抗参数评估和性能分析。半导体元件：变容二极管的C-VDC特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性

应用用于饮用水处理厂、罐装厂、饮料厂、饮用水分布网、游泳池、冷却循环水等对水溶液中的臭氧含量进行连续监测和控制。主要特点◇采用非膜式恒电压传感器，无须更换膜片与药剂，灵敏度高，信号响应迅速，测量准确、性能稳定、零位稳定、维护简单。◇大屏幕点阵液晶显示、中文菜单操作。◇多参数同时显示：臭氧值、温度、输出电流等同时显示，直观易读，并有量程超限提示。◇有恢复出厂设置功能，斜率修正功能。◇手动/自动温度补偿功能。◇通讯功能（选配）：具有RS-485通讯接口（MODBUS协议部分兼容），4～20 mA电流输出对应的臭氧值可以任意设定。◇光电隔离4～20mA电流输出。◇迟滞量任意设定功能，避免开关继电器频繁动作，有设置开关量关和闭功能。◇看门狗功能：确保仪表不会死机。◇掉电保护＞10年。◇PID脉冲控制输出（选配）。◇ABS塑料外壳，防水防尘防潮设计。技术指标◇测量范围：臭氧：0-20.00 mg/L（ppm），温度：0~60℃◇分 辨 率： 0.01mg/L, 0.1℃◇精 度：优于±1%或±0.01 mg/L， ±0.5℃ ◇手动/自动温度补偿功能（0~60℃）。◇控制接口：两组ON/OFF继电器接点，分为高点、低点报警信号光电隔离输出。◇信号隔离输出：光电耦合器隔离保护4～20mA信号输出。◇继 电 器：继电器滞后量任意设定，继电器负载 3A 220VAC/24VDC。◇工作条件：环境温度为0~60℃,相对湿度≤90%◇输出负载：负载＜750Ω（4-20mA）◇工作电压：220VAC±10%、50/60Hz◇尺 寸：96×96×156 mm◇开孔尺寸：91×91mm◇重 量：0.9Kg◇防护等级：IP65，防水防尘防潮 订购指南：1、可选配进口探头与意大利SZ283电极探头可以通用。2、流通式安装3、可定做英文仪表

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

GCSTD-D 高低频介电常数测试仪满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法GB／T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法ASTM D150／IEC 60250固体电绝缘材料的（恒久电介质）的交流损耗特性和介电常数的测试方法 试验方法：接触法：适用于厚度均匀、上下表面平整、光滑材料非接触法：适用于上下表面不平整、不光滑材料电极类型：固定电极-测量电极φ38mm／φ50mm（标配电极1套，标配为38mm）液体电极-液体容量15ml粉体电极-根据样品量可配专用电极试样类型：固体、液体、粉体、膏体／规则物或者不规则物性能特点：测试频率20H2～2MHz，10mHz步进测试电平10mV～5V，1mV步进基本准确度0.1％高达200次／s的测量速度320x240点阵大型图形LCD显示五位读数分辨率可测量22种阻抗参数组合四种信号源输出阻抗10点列表扫描测试功能 内部自带直流偏置源外置偏流源至40A（配置两台TH1776）（选件）电压或电流的自动电平调整（ALC）功能V、1测试信号电平监视功能图形扫描分析功能20组内部仪器设定可供储存／读取内建比较器，10档分选及计数功能多种通讯接口方便用户联机使用2m／4m测试电缆扩展（选件）中英文可选操作界面可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序测试材料：无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阳抗参数评估和性能分析。半导体元件：变容二极管的C-VDC特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性

冠测仪器高低频介电常数测定仪GCSTD-D.1满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法GB／T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法ASTM D150／IEC 60250固体电绝缘材料的（恒久电介质）的交流损耗特性和介电常数的测试方法试验方法：接触法：适用于厚度均匀、上下表面平整、光滑材料非接触法：适用于上下表面不平整、不光滑材料电极类型：固定电极-测量电极φ38mm／φ50mm（标配电极1套，标配为38mm）液体电极-液体容量15ml粉体电极-根据样品量可配专用电极试样类型：固体、液体、粉体、膏体／规则物或者不规则物性能特点：测试频率20H2～2MHz，10mHz步进测试电平10mV～5V，1mV步进基本准确度0.1％最高达200次／s的测量速度320x240点阵大型图形LCD显示五位读数分辨率可测量22种阻抗参数组合四种信号源输出阻抗10点列表扫描测试功能 内部自带直流偏置源外置偏流源至40A（配置两台TH1776）（选件）电压或电流的自动电平调整（ALC）功能V、1测试信号电平监视功能图形扫描分析功能20组内部仪器设定可供储存／读取内建比较器，10档分选及计数功能多种通讯接口方便用户联机使用2m／4m测试电缆扩展（选件）中英文可选操作界面可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序测试材料：无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阳抗参数评估和性能分析。半导体元件：变容二极管的C-VDC特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性

冠测仪器音频损耗介电常数测试仪 GCSTD-D4满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法GB／T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法ASTM D150／IEC 60250固体电绝缘材料的（恒久电介质）的交流损耗特性和介电常数的测试方法试验方法：接触法：适用于厚度均匀、上下表面平整、光滑材料非接触法：适用于上下表面不平整、不光滑材料电极类型：固定电极-测量电极φ38mm／φ50mm（标配电极1套，标配为38mm）液体电极-液体容量15ml粉体电极-根据样品量可配专用电极试样类型：固体、液体、粉体、膏体／规则物或者不规则物性能特点：测试频率20H2～2MHz，10mHz步进测试电平10mV～5V，1mV步进基本准确度0.1％最高达200次／s的测量速度320x240点阵大型图形LCD显示五位读数分辨率可测量22种阻抗参数组合四种信号源输出阻抗10点列表扫描测试功能内部自带直流偏置源外置偏流源至40A（配置两台TH1776）（选件）电压或电流的自动电平调整（ALC）功能V、1测试信号电平监视功能图形扫描分析功能20组内部仪器设定可供储存／读取内建比较器，10档分选及计数功能多种通讯接口方便用户联机使用2m／4m测试电缆扩展（选件）中英文可选操作界面可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序测试材料：无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阳抗参数评估和性能分析。半导体元件：变容二极管的C-VDC特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性

冠测仪器高低频介电常数分析仪GCSTD-D3满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法GB／T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法ASTM D150／IEC 60250固体电绝缘材料的（恒久电介质）的交流损耗特性和介电常数的测试方法试验方法：接触法：适用于厚度均匀、上下表面平整、光滑材料非接触法：适用于上下表面不平整、不光滑材料电极类型：固定电极-测量电极φ38mm／φ50mm（标配电极1套，标配为38mm）液体电极-液体容量15ml粉体电极-根据样品量可配专用电极试样类型：固体、液体、粉体、膏体／规则物或者不规则物性能特点：测试频率20H2～2MHz，10mHz步进测试电平10mV～5V，1mV步进基本准确度0.1％最高达200次／s的测量速度320x240点阵大型图形LCD显示五位读数分辨率可测量22种阻抗参数组合四种信号源输出阻抗10点列表扫描测试功能内部自带直流偏置源外置偏流源至40A（配置两台TH1776）（选件）电压或电流的自动电平调整（ALC）功能V、1测试信号电平监视功能图形扫描分析功能20组内部仪器设定可供储存／读取内建比较器，10档分选及计数功能多种通讯接口方便用户联机使用2m／4m测试电缆扩展（选件）中英文可选操作界面可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序测试材料：无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阳抗参数评估和性能分析。半导体元件：变容二极管的C-VDC特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性

冠测仪器高频介电常数测试仪GCSTD-D2满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法GB／T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法ASTM D150／IEC 60250固体电绝缘材料的（恒久电介质）的交流损耗特性和介电常数的测试方法试验方法：接触法：适用于厚度均匀、上下表面平整、光滑材料非接触法：适用于上下表面不平整、不光滑材料电极类型：固定电极-测量电极φ38mm／φ50mm（标配电极1套，标配为38mm）液体电极-液体容量15ml粉体电极-根据样品量可配专用电极试样类型：固体、液体、粉体、膏体／规则物或者不规则物性能特点：测试频率20H2～2MHz，10mHz步进测试电平10mV～5V，1mV步进基本准确度0.1％最高达200次／s的测量速度320x240点阵大型图形LCD显示五位读数分辨率可测量22种阻抗参数组合四种信号源输出阻抗10点列表扫描测试功能内部自带直流偏置源外置偏流源至40A（配置两台TH1776）（选件）电压或电流的自动电平调整（ALC）功能V、1测试信号电平监视功能图形扫描分析功能20组内部仪器设定可供储存／读取内建比较器，10档分选及计数功能多种通讯接口方便用户联机使用2m／4m测试电缆扩展（选件）中英文可选操作界面可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序测试材料：无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阳抗参数评估和性能分析。半导体元件：变容二极管的C-VDC特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性

玻璃薄膜介电常数试验测试仪ef——试样浸入所用流体的相对电容率，对于在空气中的测量则4等于1。对于相对电容率为10以上的无孔材料，可采用沉积金属电极。对于这些材料，电极应覆盖在试样 的整个表面上，并且不用保护电极。对于相对电容率在3〜 10之间的材料，能给出最高精度的电极是金 属箔、汞或沉积金属，选择这些电极时要注意适合材料的性能。若厚度的测量能达到足够精度时，试样 上不加电极的方法方便而更可取。假如有一种合适的流体，它的相对电容率已知或者能很准确地测出， 则采用流体排出法是最好的玻璃薄膜介电常数试验测试仪介电常数测试仪由高频阻抗分析仪、测试装置，标准介质样品组成，能对绝缘材料进行 高低频介电常数(ε)和介质损耗角(D或tanδ) 的测试。它符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。介电常数测试仪工作频率范围是20Hz～2MHz,它能完成工作频率内对绝缘材料的相对介电常数(ε)和介质损耗角 (D或tanδ)变化的测试。介电常数测试仪中测试装置是由平板电容器组成，平板电容器一般用来夹被测样品，配用高频阻抗分析仪作为指示仪器。绝缘材料的介电常数和损耗值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的D值(损耗值)变化和Cp（电容值）读数通过公式计算得到。 概述HRJD-DP 是具有多种功能和更高测试频率的新型阻抗分析仪，体积小，紧凑便携，便于上架使用。本系列仪器基本精度为0.05%，测试频率最高2MHz及10mHz的分辨率，4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面，操作方便简洁。集成了变压器测试功能、平衡测试功能,提高了测试效率。仪器提供了丰富的接口，能满足自动分选测试，数据传输和保存的各种要求。性能特点◎ 全自动一键操作可自动扫描最平稳的量程阶段◎微电脑处理器反应迅速可在最短时间内计算出最佳频段◎ 夹具数字显示◎ 4.3寸TFT液晶显示◎ 中英文可选操作界面◎ 最高2MHz的测试频率，10mHz分辨率◎ 平衡测试功能◎ 变压器参数测试功能◎ 最高测试速度:13ms/次◎ 电压或电流的自动电平调整（ALC）功能◎ V、I 测试信号电平监视功能◎ 内部自带直流偏置源◎ 可外接大电流直流偏置源◎ 10点列表扫描测试功能◎ 30Ω、50Ω、100Ω可选内阻◎ 内建比较器，10档分选和计数功能◎ 内部文件存储和外部U盘文件保存◎ 测量数据可直接保存到U盘◎ RS232C、 USB 、LAN、HANDLER、GPIB、DCI接口◎ 高频阻抗分析仪电容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值显示，保证了ε和D值精度和重复性。◎ 介电常数测量范围可达1～105主要技术指标： ε和D性能：固体绝缘材料测试频率20Hz～2MHz的ε和D变化的测试。 ε和D测量范围：ε：1～105，D：0.1～0.00005，ε和D测量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。测试参数 :C, L, R,Z,Y,X,B, G, D, Q, θ,DCR测试频率 :20 Hz～2MHz,10mHz步进测试信号电:f≤1MHz 10mV～5V,±（10%+10mV）平 :f1MHz 10mV～1V,±（20%+10mV)输出阻抗:10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω基本准确度 0.1%显示范围 :L 0.0001 uH ～ 9.9999kHC :0.0001 pF ～ 9.9999FR,X,Z,DCR :0.0001 Ω ～ 99.999 MΩY, B, G 0.0001 nS ～ 99.999 SD :0.0001 ～ 9.9999Q :0.0001 ～ 99999θ :-179.99°～ 179.99°测量速度 快速: 200次/s（f﹥30kHz） ,100次/s（f﹥1kHz）中速: 25次/s, 慢速: 5次/s校准功能 :开路 / 短路点频、扫频清零，负载校准等效方式 :串联方式, 并联方式量程方式:自动, 保持显示方式 :直读, Δ, Δ%触发方式 :内部, 手动, 外部, 总线内部直流偏 :电压模式-5V ～ +5V, ±(10%+10mV), 1mV步进置源 :电流模式（内阻为50Ω）-100mA ～ +100mA, ±(10%+0.2mA),20uA步进比较器功能:10档分选及计数功能显示器 320×240点阵图形LCD显示存储器 :可保存20组仪器设定值USB DEVICE( USBTMC and USBCDC support) USB HOST(FAT16 and FAT32 support)接口 :LAN(LXI class C support) RS232C HANDLERGPIB（选件）工作频率范围：20Hz～2MHz 数字合成，精度：±0.02%电容测量范围：0.00001pF～9.99999F 六位数显电容测量基本误差：±0.05%损耗因素D值范围：0.00001～9.99999 六位数显介电常数测试装置（含保护电极）： 精密介电常数测试装置提供测试电极，能对直径φ10～56mm，厚度10mm的试样精确测量。它针对不同试样可设置为接触电极法，薄膜电极法和非接触法三种，以适应软材料，表面不平整和薄膜试样测试。微分头分辨率：10μm最高耐压：±42Vp（AC+DC）电缆长度设置：1m最高使用频率：30MHz高频介质样品（选购件）： 在现行高频介质材料检定系统中，检定部门为高频介质损耗测量仪提供的测量标准是高频标准介质样品。该样品由人工蓝宝石，石英玻璃， 氧化铝陶瓷，聚四氟乙烯，环氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm测试样品。用户可按需订购，以保证测试装置的重复性和准确性。玻璃薄膜介电常数试验测试仪式中：G——电极常数；G——空气中电极装置的电容扌G——充有校正液体时电极装置的电容,孔——校正液体的相对电容率。从G和G的差值可求得校正电容Cg；玻璃薄膜介电常数试验测试仪来计算液体未知相对电容率Ex*式中：G——校正电容；Co——空气中电极装置的电容；cc——电极常数)Cx——电极装置充有被试液体时的电容；织——液体的相对电容率。假如G、Cn和役值是在鈴是已知的某一相同温度下测定的，则可求得最高精度的馭值， 采用上述方法测定液体电介质的相对电容率时，可保证其测得结果有足够的精度，因为它消除了由 于寄生电容或电极间隙数值的不准确测量所引起的误差.玻璃薄膜介电常数试验测试仪测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。5. 1零点指示法适用于频率不超过50 MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法；也就 是在接入试样和不接试样两种状态下，调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥、变压器 电桥(也就是互感耦合比例臂电桥)和并联T型网络。变压器电桥的优点：采用保护电极不需任何外加 附件或过多操作，就可采用保护电极；它没有其他网络的缺点。 6.2谐振法适用于10 kHz〜 几百MHz的频率范围内的测量,该方法为替代法测量，常用的是变电抗 法。但该方法不适合采用保护电极。

GDAT-C介电常数测试仪简介满足标准：GBT 1409-2006 测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法高频介质损耗测试系统由S916测试装置（夹具）、GDAT型高频Q表、数据采集和tanδ自动测量控件（装入GDAT）、及LKI-1型电感器组成，它依据国标GB/T 1409-2006、美标ASTM D150以及国际电工委员会IEC60250的规定设计制作。系统提供了绝缘材料的高频介质损耗角正切值（tanδ）和介电常数（ε）自动测量的最佳解决方案。 1、《BH916介质损耗装置》（测试夹具）是测试系统的核心检测部件，它由一个LCD数字显示的微测量装置和一对经精密加工的、间距可调的平板电容器极片组成。平板电容器极片用于夹持被测材料样品，微测量装置则显示被测材料样品的厚度。通过被测材料样品放进平板电容器和不放进样品时的Q值变化的量化，测得绝缘材料的损耗角正切值。从平板电容器平板间距的读值变化则可换算得到绝缘材料介电常数。BH916介质损耗测试装置是本公司最新研制的更新换代产品，精密的加工设计、精确的LCD数字读出、一键式清零功能，克服了机械刻度读数误差和圆筒形电容装置不可避免的测量误差。 2、基于串联谐振原理的《GDAT高频Q表》是测试系统的二次仪表，其数码化主调电容器的创新设计代表了行业的最高成就，随之带来了频率、电容双扫描GDAT的全新搜索功能。该表具有先进的人机界面，采用LCD液晶屏显示各测量因子：Q值、电感L、主调电容器C、测试频率F、谐振趋势指针等。高频信源采用直接数字合成,测试频率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，频率精度高达1×10-6。国标GB/T 1409-2006规定了用Q表法来测定电工材料高频介质损耗角正切值（tanδ）和介电常数（ε），把被测材料作为平板电容的介质，与辅助电感等构成串联谐振因子引入Q表的测试回路，以获取最高的测试灵敏度。因而Q表法的测试结果更真实地反映了介质在高频工作状态下的特征。GDAT高频Q表的全数字化界面和微机控制使读数清晰稳定、操作简便。操作者能在任意点频率或电容值的条件下检测Q值甚至tanδ，无须关注量程和换算，彻底摒弃了传统Q表依赖面板上印制的辅助表格操作的落后状况，它无疑是电工材料高频介质损耗角正切值（tanδ）和介电常数（ε）测量的理想工具。 3、数据采集和tanδ自动测量控件（装入GDAT），实现了数据采集、数据分析和计算的微处理化，tanδ 测量结果的获得无须繁琐的人工处理，因而提高了数据的精确度和测量的同一性，是人工读值和人工计算无法比拟的。4、一个高品质因数（Q）的电感器是测量系统必不可少的辅助工具，关乎测试的灵敏度和精度，在系统中它与平板电容（BH916）构成了基于串联谐振的测试回路。本系统推荐的电感器为LKI-1电感组共由9个高性能电感器组成，以适配不同的检测频率。附表一,介质损耗测试系统主要性能参数一览表BH916测试装置 介电常数测试仪GDAT高频Q表 平板电容极片Φ50mm/Φ38mm可选频率范围20KHz-60MHz/200KHz-160MHz间距可调范围≥15mm频率指示误差3×10-5±1个字夹具插头间距25mm±0.01mm主电容调节范围30-500/18-220pF测微杆分辨率0.001mm主调电容误差1%或1pF夹具损耗角正切值≦4×10-4 （1MHz）Q测试范围2～1023 介电常数测试仪附表二,LKI-1电感组典型测试数据 线圈号测试频率Q值分布电容p电感值9100KHz989.425mH8400KHz13811.44.87mH7400KHz202160.99mH61MHz19613252μH52MHz1988.749.8μH44.5MHz231710μH312MHz1936.92.49μH212MHz2296.40.508μH125MHz50MHz2332110.90.125μH介电常数介质损耗（介质损耗角）测试仪 型号：GDAT-C一.介电常数测试仪主要特点：空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板，薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。 印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品（ 小于 10 mil） 量测值偏低,。 二.介电常数测试仪主要技术特性：介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。三.介电常数测试仪仪器技术指标：☆Q值测量：a．Q值测量范围：2～1023。 b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c．标称误差 频率范围：20kHz～10MHz； 固有误差：≤5％±满度值的2％；工作误差：≤7％±满度值的2％； 频率范围：10MHz～60MHz； 固有误差：≤6％±满度值的2％；工作误差：≤8％±满度值的2％。☆电感测量：a．测量范围：14.5nH~8.14H。b．分 档：分七个量程。 0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH， 0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。☆电容测量：a．测量范围：1～460pF（460pF以上的电容测量见使用规则）；b．电容量调节范围 主调电容器：30～500pF； 准 确 度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％； 注：大于直接测量范围的电容测量见使用规则☆振荡频率：a．振荡频率范围：10kHz～50MHz；b．频率分段（虚拟）10～99.9999kHz100～999.999kHz1～9.99999MHz10～60MHzc．频率误差：3×10-5±1个字。☆Q合格指示预置功能，预置范围：5～1000。☆仪器正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃； b．相对湿度：80％； c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。 ☆其他a．消耗功率：约25W； b．净重：约7kg； c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。☆ Q合格指示预置功能预置范围：5～1000。四、介电常数测试仪主要配置：a.测试主机一台；b.电感9只；c.夹具一 套附表 电感组典型测试数据五.介电常数测试仪仪器特点：☆接线简单（正接法两根线，反接可使用一根线），所有电缆线均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，测量电压缓升、缓降，全自动测量，结果直读，无须换算。☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路，将矢量运算法与移相法结合，有效地消除强电场干扰对测量的影响，适用于500kV及其以下电站的现场试验。☆CVT测量 独特自激法测量CVT功能，不需外加任何设备，可完成不可拆头CVT的测量。一次接线（三根电缆，不用倒线），一个测量过程（大约1分钟），两个最终测量结果（C1和C2的介损及电容值）。测量过程中文显示，能实时监测自激电流值和试验电压（高压）值。能消除引线对测试的影响，测量结果准确可靠。☆ 安全措施（1）高压保护：试品短路、击穿或高压电流波动，能迅速切断高压输出。（2）CVT保护：设定自激电压的过流点，一旦超出设置的电流值，仪器自动退出测量，不会损坏设备。（3）接地检测：仪器有接地检测功能，未接地时不能升压测量。（4）防误操作：具备防误操作设计，能判别常见接线错误，安全报警。（5）防“容升”：测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应，仪器能自动跟踪输出电压，保持试验电压恒定。☆ VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器，在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单，操作提示各种警告信息，直观明了，不需查阅说明书即可操作。☆打印 仪器附有微型打印机，以中文方式打印输出测量结果及状态。☆RS232 仪器具有RS232接口，与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。☆可选购与计算机通信应用程序。 介电常数测试仪介绍：一、 概述介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。二、介电常数测试仪技术指标 1．Q值测量 a．Q值测量范围：2～1023。 b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。 c．标称误差项 目GDAT-A频率范围20kHz～10MHz固有误差≤5％±满度值的2％工作误差≤7％±满度值的2％频率范围10MHz～60MHz固有误差≤6％±满度值的2％工作误差≤8％±满度值的2％ 2．电感测量范围：14.5nH~8.14H3．电容测量：1~ 460项 目GDAT-A直接测量范围1～460pF主电容调节范围准确度30～500pF150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％ 注：大于直接测量范围的电容测量见使用规则 4．信号源频率覆盖范围项 目GDAT-A频率范围10kHz～50MHz频率分段（虚拟）10～99.9999kHz100～999.999kHz1～9.99999MHz10～60MHz 频率指示误差3×10-5±1个字 5．Q合格指示预置功能预置范围：5～1000。 6．Q表正常工作条件 a. 环境温度：0℃～+40℃b．相对湿度：80％； c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。7．其他 a．消耗功率：约25W； b．净重：约7kg； c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。8．产品配置：a.测试主机一台；b.电感9只；c.夹具一 套 附表 电感组典型测试数据线圈号测试频率Q值分布电容p电感值9100KHz989.425mH8400KHz13811.44.87mH7400KHz202160.99mH61MHz19613252μH52MHz1988.749.8μH44.5MHz231710μH312MHz1936.92.49μH212MHz2296.40.508μH125MHz50MHz2332110.90.125μH 产品名称：工频介电常数介质损耗测试仪型号：BDAT-B一、主要用于测量高压工业绝缘材料的介质损失角的正切值及电容量。其采用了西林电桥的经典线路。二、主要可以测量电容器，互感器，变压器，各种电工油及各种固体绝缘材料在工频高压下的介质损耗（ tg）和电容量（ Cx）以，其测量线路采用“正接法”即测量对地绝缘的试品。由于电桥内附有一个2500KV的高压电源及一台高压标准电容器，并将副桥和检流计与高压电桥有机的结合在一起，所以本电桥特别适应测量各类绝缘油和绝缘材料的介损（tg）及介电常数（ε）。 桥体本身带有5Kv/100pF标准电容,测量材料介损更为方便。桥体内附电位跟踪器及指另仪，外围接线及少。 桥体采用了多样化的介损测量线路。三、技术指标测量范围及误差 在Cn＝100pF R4＝3183.2（?）（即10K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF 介质损耗tg? 0～1 ±1.5％tg?x±0.0001 在Cn＝100pF R4＝318.3（?）（即1K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF 介质损耗tg? 0～0.1 ±1.5％tg?x±0.0001Ｃｘ＝Ｒ４×Ｃｎ／Ｒ３tg?＝ω?Ｒ４?Ｃ４电容量及介损显示精度： 电容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。 介 损： ±0.5％tg?x±1×10-4高压电源技术特性电压输出：0～5000V/50Hz高压电流输出：0～10mA内置标准电容器 电容量为100pFtg小于5X10-5 QS37 型高压电桥1.概述：QS37 型西林电桥,主要用于测量高压工业绝缘材料的介质损失角的正切值及电容量。其采用了西林电桥的经典线路。主要可以测量电容器，互感器，变压器，各种电工油及各种固体绝缘材料在工频高压下的介质损耗（tg） 和电容量（ Cx）以，其测量线路采用“正接法”即测量对地绝缘的试品。电桥由桥体、指另仪、电位跟踪器组成，本电桥特别适应测量各类绝缘油和绝缘材料的介损（）及介电常数（ε）。2.技术指标：2.1 测量范围及误差本电桥的环境温度为 20±5℃，相对湿度为 30％－80％条件下，应满足下列表中的技术指示要求。在 Cn＝100pFR4＝3183.2（）（即 10K/π）时测量项目测量范围测量误差电容量 Cx40pF--20000pF±0.5% Cx±2pF介质损耗tg0～1±1.5％tg x士0.0001 在 Cn＝100pF R4＝318.3（）（即 1K/π）时测量项目测量范围测量误差电容量 Cx4pF--2000pF±0.5% Cx±3pF介质损耗tg0～0.1±1.5％tg x士0.0001