导电薄膜

【ITO薄膜测厚仪 电池薄膜厚度测定仪 接触式薄膜厚度测试仪】ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器 （EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。ITO薄膜是一种很薄的金属薄膜，在透明导电薄膜方面得到普遍的应用，具有广阔的前景。但薄膜的厚度是否均匀直接关系到企业的生产成本控制，所以对ITO薄膜厚度的高精度测量，是企业必须重视的检测项目之一。Labthink兰光研发生产的CHY-C2A测厚仪，采用机械接触式测量方式，严格符合标准要求，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。设备分辨率高达0.1微米，配置的自动进样系统，使用户可自行设置进样步距、测量点数和进样速度，大大提高了薄膜厚度测试效率。 技术特征： 负荷量程：0～2 mm（常规）　　　　　0～6 mm；12 mm （可选）分辨率：0.1 μm测量速度：10 次/min （可调）测量压力：17.5±1 KPa（薄膜）；50±1 KPa（纸张）接触面积：50 mm2（薄膜）；200 mm2（纸张）　　　　　注：薄膜、纸张任选一种；非标可定制电源：220VAC 50Hz / 120VAC 60Hz外形尺寸：461mm(L)×334mm(W)×357mm(H)净重：32kg 以上【ITO薄膜测厚仪 电池薄膜厚度测定仪 接触式薄膜厚度测试仪】信息由济南兰光机电技术有限公司发布，如欲了解更详细信息，欢迎致电0531-85068566垂询！

EddyCus TF map 2525 薄膜电阻和薄膜厚度测试仪 方阻测试仪 薄膜电阻测试仪TF lab系列产品是一款适合实验室研发或成品检测使用的薄膜面电阻（方块电阻）及薄膜厚度测量的仪器。特点非接触成像高解析度成像（25 至1,000,000 点）缺陷成像封装层的地图参数薄膜电阻（欧姆/平方）金属层厚度（nm、μm）金属基板厚度（nm、μm）各向异性缺陷完整性评定应用建筑玻璃（LowE）触摸屏和平板显示器OLED和LED应用智能玻璃的应用透明防静电铝箔光伏半导体除冰和加热应用电池和燃料电池包装材料材料金属薄膜和栅格导电氧化物纳米线膜石墨烯、CNT（碳纳米管）、石墨打印薄膜导电聚合物（PEDOT:PSS）其他导电薄膜及材料规格参数测量技术：非接触式涡流传感器基板：例如：薄膜、玻璃、晶圆，等等最大扫描面积：10 inch / 254 x 254 mm（根据要求可以更大）边缘效应修正/排除：对于标准尺寸，排除2 mm的边缘最大样品厚度/传感器间隙：2 / 5 / 10 / 25 mm（由最厚的样本确定）薄膜电阻的范围：低 0.0001 - 10 Ohm / sq 2 至 8 % 精度标准 1 - 1,000 Ohm / sq 2 至 8 % 精度高 10 - 10,000 Ohm / sq 4 至 8 % 精度金属膜的厚度测量（例如：铝、铜）：2 nm - 2 mm (与薄膜电阻一致)扫描间距：1 / 2 / 5 / 10 mm （根据要求的其它尺寸）每单位时间内测量点（二次形）：5分钟内10,000个测量点30分钟内1,000,000 个测量点扫描时间：4 inch / 100 x 100 mm，在0.5至5分钟内（1-10mm 间距）8 inch / 200 x 200 mm，在1.5至15分钟内（1-10mm 间距）装置尺寸（宽/厚/深）：549 x 236 x 786(836) mm / 23.6 x 9.05 x 31.5 inch重量： 27 kg可用特色：薄膜电阻成像各向异性电阻传感器

产品名称：Si上镀Al薄膜（Aluminum?Film?on?Silicon?Wafer）常规尺寸：dia 4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm 技术参数：Al薄膜厚度：3um薄膜电阻率：2.65 micro ohm-cm薄膜结晶：Weak (111) - oriented poly-crystals薄膜表面粗糙度：4.87 nm and 10 nmSi导电类型：N型Si电阻率：0.005?ohm-cm?；1-10ohm-cm?Si晶向：100±0.5°抛光情况：单抛 标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

产品名称：氮化铝(AlN)薄膜产品简介：AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！技术参数：尺寸 dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向 c轴（0001)±1.0deg衬底： Al2O3 SiC GaN薄膜厚度：10-5000nm导电类型： 半绝缘型位错密度：XRD FWHM of 0002500arcsec XRD FWHM of 10-121500arcsec 有效面积：80%抛光：单抛光 产品规格： 氮化铝(蓝宝石衬底)：dia2"*1500nm±10% 注：可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： SapphireGaNOther AlN templateZnO金刚石刀真空吸笔系列基片包装盒系列旋转涂层机

电弱点测试仪产品名称：电弱点测试仪产品型号：HCRD-2品牌：北京华测 产品介绍该仪器主要用于电气用聚氨脂薄膜、塑料薄膜、聚丙稀薄膜等绝缘材料在给定直流电压下每平方米的击穿点数。本机采用计算机控制，可对试验过程中的各种数据进行快速、准确的采集、处理，并可存取、显示、打印。 产品特点根据薄膜的使用宽度进行电弱点的测试，测试宽度可根据用户的要求而设定，无须将膜分切成小卷，免除了许多外来因素对测试结果的影响。测试数据能真实地反映薄膜的质量水平。有效地保证了设备的可靠性、耐用性和稳定性。测量准确，复现性好。测试过程采用电子技术全自动控制，遇到电弱点时电压切断动作迅速。击穿电流在0～40mA连续可调，复现性好。本机具备多重保护功能，考虑了操作人员及设备的安全性。如过压、过流、接地保护，试验平台门开启保护。 工作原理 本测试仪试验电压是0－20kV交直流电压，其波动为±1%。测试仪在试样弱点击穿后约0.1s内使电压回升到原来设定的电压。铜辊为下电极，导电橡胶为上电极。薄膜以3m/min的速度移动。遇弱点时击穿，击穿点自动累积计数。膜移动以平方数自动计数。 产品特点l PLC控制系统/安全稳定l 交/直流高压输出一机多用l 内置TVS防护系统/保证仪器及操作人员安全l 进口电压/电流采集模块/采集精度高l 伺服控制配合编码器元件，控制精zhun 技术参数1、试验电压：最大可试验电压1200V2、有效测量范围：0～20kV 3、电压测量精度：±1% 4、膜移动速度：3-10m/min 连续可调 5、保护电流：0～40mA 6、试样最大宽度：600mm7、输入电压：220V 8、功率:1kV 安全保护设计1、电源间断保护：如果发生电源间断，主控电器马上跳闸，再次来电时系统自动复位。 2、高压仓开门跳闸：无论在任何状态，只要打开高压仓门，将使主控继电器的线圈失电而跳闸。 3、电源保险线：当机内故障或试品击穿后电子开关未能及时动作时，该熔丝自动烧断，切断电源。 4、接地保护（主机后外板）：本机接地可防止机壳感应高压，保护设备和人身安全。没有接地不允许通电。

德国计量家SURAGUS GmbH，是德国注于薄膜电阻非接触测量(Non-Contact Sheet Resistance Measurement)的公司，总部位于德国德累斯顿。SURAGUS GmbH的技术可广泛应用于多种导电涂层、薄膜、衬底或多层结构的非接触检测。在不损坏、不污染样品的提下，实现对于样品均匀性、缺陷分布、涂层厚度的线上与线下的检测和分析。设备不仅可以保证快速以及高精度测量，而且兼容于真空与非真空两种环境。目，SURAGUS GmbH的产品在多个域都有布局，例如太阳能光伏、玻璃产业、显示域和半导体域等，检测对象包括金属涂层、电、ITO/AZO层，纳米银线膜/碳纳米管薄膜、金属网格、电磁屏蔽薄膜等。技术基于涡流的测试解决方案 (SURAGUS)SURface ArGUS = 表面防护（表面和薄膜上的 100 眼）其他光学计量（OEM）集成商导电功能? 燃料电池组件? 电池芯和电池组? 触摸屏传感器 (TPS)、显示器和平板显示器? 太阳能、半导体行业? LED / OLED 照明其他功能? 医疗传感器（化学）? 包装箔（阻隔）? 建筑玻璃行业（发射率）? 镜子（反射） 医疗（抗菌）设备用途1、在线检测薄层电阻2、在线检测薄膜电导率3、在线检测薄膜表面缺陷、同质性4、在线检测薄膜厚度、面积重量5、在线检测薄膜干燥状态等

产品名称：氮化铝(AlN)薄膜产品简介：AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！技术参数：尺寸 dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向 c轴（0001)±1.0deg衬底： Al2O3 SiC GaN薄膜厚度：10-5000nm导电类型： 半绝缘型位错密度：XRD FWHM of 0002500arcsec XRD FWHM of 10-121500arcsec 有效面积：80%抛光：单抛光 产品规格： 氮化铝(蓝宝石衬底)：dia2"*1500nm±10% 注：可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： SapphireGaNOther AlN templateZnO金刚石刀真空吸笔系列基片包装盒系列旋转涂层机

薄膜耐电弧试验仪注意事项耐电弧试验仪器必须在可靠地接好地线后，方可通电运行，以确保安全。有机玻璃门开关不能以其他方式短路，以保证只有在关好玻璃门后方可接通高压。每次更换试验点或试样时，均应确定调压器退到零位，观察试验电压值指示确为零，再用接地棒接触电极，释放残余电荷。试验结束后，调压器退到零位，切断电源开关。当试验进行到420秒时，无论试样有无破坏，均应按停止按钮，使试验停止进行电压校准时一定要保证两电极有足够的安全距离不闪络，不拉弧，不放电。试品破坏形成导电通道时应快速切断高压停止试验，提升测试时间的准确性，另一方减少电极的损伤。主要技术参数：序号项目参数1电弧通断时间误差1/8段程序小于±5ms，其余小于1ms2调压器容量1kVA3额定试验电压12.5kV4高试验电压15kV5试验电压精度±1.0%6电流控制精度±10% 电流测量精度：1.5%7电极对试样压力（0.5±0.05）N8电极材料钨棒9电极距离（6.35±0.1）mm（IEC/ASTM）10使用环境温度（23±2）℃11使用环境湿度（50±5）%12电源220V±5% 50Hz 10A薄膜耐电弧试验仪状态监控灯。　　合闸：红色表示合闸，绿色表示分闸；　　零位：红色表示调压器在下限位，绿色表示不在下限位；　　上限：红色表示调压器到上限位，绿色表示不在上限位；　　门锁：红色表示门是关闭的，绿色表示门是打开的；　　升压：红色表示步进电机正转升压，绿色表示电机不在升压状态；　　降压：红色表示步进电机反转降压回零，绿色表示电机不在降压状态；　　暂停：红色表示步进电机处在暂停状态，一般电机在电压达到设定值或回到零位后会暂停，绿色表示电机在运转状态；　　急停：红色表示急停按钮处在按下去的状态，此时系统无法启动，绿色表示在解锁状态；薄膜耐电弧试验仪启动按钮。在设置好试验参数后，按清零按钮后再按此按钮可以启动升压。薄膜耐电弧试验仪是在相距 (6.35±0.1)mm的两电极上，按试验方法规定的规律（见试验程序表），由间歇到连续地施加12.5kV工作电压和(10～40)mA的电弧电流，直至试样失效。记下从试验开始到试样失效的总时间（s），即为该试样的耐电弧。其电气原理图见图1。试验电压的产生是由220V交流电压经调压器T5，再由高压试验变压器T4而产生。试验电压12.5kV由调压器T5调节获得。试验电流的大小和通断时间，由PLC控制接在调压器T5和高压试验变压器T4之间的四路固体开关和串联电阻而获得。薄膜耐电弧试验仪仪器下层为电气箱。右后部装有高压试验变压器、保护电阻及高频抑制电感等，左后前部为调压器，中部和前部为主电路控制电路及触控屏控制界面。

1. 产品概述：主要由蒸发真空室、e 型电子枪、热阻蒸发组件、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成，具备自动控制软件系统。2. 设备用途/原理：沈阳科仪 DZS500 系统用途广泛。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。在科研领域，它常用于材料研究和新型器件的开发；在工业生产中，可用于大规模制造高质量的薄膜产品。例如，在制造液晶显示器的导电薄膜时，能够保证薄膜的导电性和均匀性，提高产品的性能和质量。3. 特色参数：o 真空室结构：采用 U 形前开门。o 真空室尺寸：500x500x600mm。o 极限真空度：≤6.67e-5Pa。o 沉积源：4 个 11cc 坩埚。o 样品尺寸与温度：可放置 φ4 英寸的 1 片样品，最高温度可达 800℃。o 占地面积：约 2.7 米 x1.7 米 x2.1 米。o 电控描述：全自动。o 工艺：片内膜厚均匀性≤±3%。 o 特色参数：样品可自转，转速可调。4. 设备特点沈阳科仪 DZS500 系统的真空室具有一些显著特点。其极限真空度表现出色，通常能够达到≤6.67×10⁻ ⁵ Pa（经烘烤除气后）。停泵关机 12 小时后，蒸发室真空度≤5Pa，这表明其真空保持能力较强。真空室的结构通常为 U 形前开门，尺寸一般为 500×500×600mm。这种设计不仅方便操作，还有利于维持真空环境的稳定性。在实际应用中，良好的真空室特点能够为薄膜沉积提供高质量的真空条件，减少杂质和气体对薄膜质量的影响。比如在制备高精度光学薄膜时，稳定的真空环境能够确保薄膜的均匀性和纯度。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。例如可用于制备各种功能性薄膜，如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；适用于微电子域；在光学域，可用于制备增透膜、低辐射玻璃和透明导电玻璃等；在机械加工行业中，可沉积表面功能膜、超硬膜、自润滑薄膜等，以提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能；还可应用于高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜等的研究。3.真空室：真空室结构:长方形侧开门真空室尺寸:1100X700X350mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶尺寸：450X80mm、向上溅射，每个真空室配2个靶位样品尺寸，温度:300X400mm；高温度300度占地面积（长x宽x高）:约6米×3米×2米（设计待定）电控描述:全自动 工艺:设计待定

薄膜电阻率测试仪测量参数 绝缘电阻 R，泄漏电流 I，表面电阻 Rs，体积电阻 Rv测试范围 500Ω~9.9X10 15 Ω，2mA ~ 0.01pA测试速度（MAX） 快速 5 次/秒，慢速 1 次/秒， 回读电压精度 0.5%±1V量程超限显示 量程上超输入端子 香蕉插头，BNC 插头操作键 橡胶键显示 4.3 寸 TFT 精度保证期 1 年操作温度和湿度0℃到 40℃80%RH 以下(无凝结)薄膜电阻率测试仪技术指标 1、电阻测量范围：0.01×104Ω～1×1018Ω。2、电流测量范围：2×10-4A～1×10-16A3、显示方式：32位LED液晶屏显示4、内置测试电压：10V、50V、100V、250、500、1000V5、基本准确度：1%6、使用环境：温度：0℃～40℃，相对湿度80%7、机内测试电压：10V/50V/100/250/500/1000V任意切换8、供电形式：AC 220V，50HZ，功耗约5W9、仪器尺寸：285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm10、质量：约10KG薄膜电阻率测试仪工作原理 根据欧姆定律，被测电阻Rx等于施加电压V除以通过的电流I。传统的高阻计的工作原理是测量电压V固定，通过测量流过取样电阻的电流I来得到电阻值。从欧姆定律可以看出，由于电流I是与电阻成反比，而不是成正比，所以电阻的显示值是非线性的，即电阻无穷大时，电流为零，即表头的零位处是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低。整个刻度是非线性的。又由于测量不同的电阻时，其电压V也会有些变化，所以普通的高阻计是精度差、分辨率低。本仪器是同时测出电阻两端的电压V和流过电阻的电流I，通过内部的大规模集成电路完成电压除以电流的计算，然后把所得到的结果经过A/D转换后以数字显示出电阻值，即便是电阻两端的电压V和流过电阻的电流I是同时变化，其显示的电阻值不象普通高阻计那样因被测电压V的变化或电流Ｉ的变化而变，所以，即使测量电压、被测量电阻、电源电压等发生变化对其结果影响不大，其测量精度很高(专利)，从理论上讲其误差可以做到零，而实际误差可以做到千分之几或万分之几。薄膜电阻率测试仪典型应用1、测量绝缘材料电阻(率)2、测量防静电材料的电阻及电阻率3、测量计算机房用活动地板的系统电阻值4、测量防静电鞋、导电鞋的电阻值5、光电二极管暗电流测量6、物理,光学和材料研究薄膜电阻率测试仪主要优势说明：1、密码保护：登入测试页面，需要输入密码，保证非专业技术人员进行操作2、测量模式：手动测量 自动测量3、取值时间：在自动测量模式下，取值时间可以自由设定4、校准模式：具有自动校准功能，能够对电压、电流进行自动校准5、显示数据：能够实时显示测试电压、电路、电阻值、电阻率数值6、数据打印：可以对测试的数据进行打印7、软件通讯：能够配有上位机软件，通过上位机进行测量，同时可以保存和导出测试数据

薄膜击穿电压测试仪在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的最低临界电压称为击穿电压，在均匀电场中，击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度，它反映固体电介质自岩芦身的耐电强度。薄膜击穿电压测试仪不均匀电场粗拍带中，击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强，它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后，由U1-U2=Ed知，击穿场强决定了击穿电压。薄膜击穿电压测试仪打内压属于破坏性试验，当电压升到规定的内压数值时保持一定的时间，绝缘体击穿，说明绝缘体不合格，不能继续使用了。如果达到内压数值时维持一定的时间没有击穿就表示合格，可以继续使用。薄膜击穿电压测试仪 ，相线与地之间，承受的电压值。献艺交流码销键设备为例，交流设备又分为额定工频短时耐受电压和额定雷电冲击耐受电压。不通电压等级的设备其耐受电压值不同，电气设备在相应斗闷规定的耐压值下，在规定的时间内，绝缘不迟巧可以被破坏，不可以有击穿，这样设备才达到规定的耐压强度。薄膜击穿电压测试仪耐电压击穿试验仪针对绝缘材料的绝缘性能进行测试，材料的能承受的最大电压。电压击穿指的是电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。通过这一项实验，能得出电压击穿样品时的电压，而这个电压是该样品的上限值。当设计产品时岩册凳，通过耐高电压测试得到的上限值，就可以知道该材料的抗压性能，然而，影响击穿电压的因素有很多，又分为试样本身状态方面和试验条件方面的。输入电压： 交流 220 V输出电压： 交流/直流 0--50kv电器容量： 10KVA高压分级： 0-50kv升压速率： 0.1-5kv试验方式：交/直流试验：1、匀速升压 2、梯度升压 3、耐压试验试验介质：空气/绝缘油电压试验精度： ≤1%电源：220v±10%的单相交流电压和50Hz±1%的频率升压装置：采用先进的无触点原件匀速升压淘汰前款机械调压耐压时间：0-999小时（软件设定）漏 电 流：5- 200MA耐压式样：固体；液体。定做 高温环境 高温油控制方式：无线安全控制　　——影响因素——　　1、试样本身的状态影响击穿电压的因素比较典型的有：　　a.试样的厚度：试样的厚度不平均，每个点的击穿电压的大小就会不一样，厚度大的地方击穿电压往往会比薄的地方大。　　b.试样的表面状况：试样是否存在着孔隙，也会影响击穿电粗旅压的测量。若样品存在着有孔隙，样品中的孔隙，可能会使得电场畸变，测量出的击穿电压，会比实际的电压要大。　　c.机械应力：当样品受到太多的机械应力时，介质承受着机械应力，当样品承受的机械应力过大时，可能会导致样品表面有微微的开裂，从而使得测得的击穿电压偏小。　　d.样品的前处理：同种类型的样品，预处理时的条件不同，也可能使得测得的击穿电压与实际值有偏差，所以，遇到需要预处理的样品时，保证同组的样品，要在相同的环境下进行预处理。

Filmetrics-F40薄膜厚度测量仪 结合显微镜的薄膜测量系统Filmetrics的精密光谱测量系统让用户简单快速地测量薄膜的厚度和光学常数，通过对待测膜层的上下界面间反射光谱的分析，几秒钟内就可测量结果。 当测量需要在待测样品表面的某些微小限定区域进行，或者其他应用要求光斑小至1微米时，F40是你的好选择。使用先前足部校正显微镜的物镜，再进行测量，即可获得精准的厚度及光学参数值。只要透过Filmetrics的C-mount连接附件，F40就可以和市面上多数的显微镜连接使用。C-mount上装备有CCD摄像头，可以让用户从电脑屏幕上清晰地看样品和测量位置。* 取决于材料1.使用5X物镜参考2.是基于连续20天，每天在Si基底上对厚度为500纳米的SiO2 薄膜样品连续测量100次所得厚度值的标准偏差的平均值3.是基于连续20天，每天在Si基底上对厚度为500纳米的SiO2薄膜样品连续测量100次所得厚度值的2倍标准偏差的平均值选择Filmetrics的优势桌面式薄膜厚度测量的专家24小时电话，E-mail和在线支持所有系统皆使用直观的标准分析软件附加特性嵌入式在线诊断方式免费离线分析软件精细的历史数据功能，帮助用户有效地存储，重现与绘制测试结果相关应用半导体制造 生物医学原件&bull 光刻胶 &bull 聚合物/聚对二甲苯&bull 氧化物/氮化物 &bull 生物膜/球囊壁厚度&bull 硅或其他半导体膜层 &bull 植入药物涂层微电子 液晶显示器&bull 光刻胶 &bull 盒厚&bull 硅膜 &bull 聚酰亚胺&bull 氮化铝/氧化锌薄膜滤镜 &bull 导电透明膜

在同一个传感器探头外壳内，combiSENSOR集成了两支位移传感器。该系列独特的传感器允许单侧测量非导电材料在金属基层上时的厚度。两支位移传感器之中的一支是电涡流位移传感器，其可以穿透塑料层而直接测量到达金属基层的距离，如金属托盘，金属辊轴等。另外一支是电容位移传感器，可以同步测量到达塑料材料的距离。两支传感器配合使用，可以测得非导电材料层的厚度。combiSENSOR通过电缆链接到控制器。通过客户友好的网络界面进行调试。除此以外，控制器还提供多种计算功能，用于处理两支传感器的信号。测量原理电涡流测量线圈和电容测量电极同轴安装。两支传感器同时测量一个被测点。电容位移传感器信号用于测量工作距离，绝缘层厚度和绝缘层材料介电常数。于此同时，电涡流位移传感器测量到导电体基材的距离（如塑料薄膜后的金属板或金属辊子）。控制器同时输出电涡流位移传感器和电容位移传感器的信号，也可以输出二者的差值。如果已知塑料薄膜的厚度，也可以反推出塑料薄膜的介电常数。→单侧测量塑料薄膜或金属基材上的非导电层厚度→超高测量精度→目标材料厚度测量范围40μm到6mm→采用网络界面调试→集成温度传感器，同步测量环境温度信息→集成确定介电常数功能→温度测量范围-10°C… +85°C→模拟量接口，Ethernet,EtherCAT

产品名称：Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg（Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?）常规尺寸：dia2"+ 200nm ±20nm标准包装： 技术参数：1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装 Al2O3晶向：c-axis (0001) +/- 1.0 o导电类型：P型掺Mg薄膜厚度：200nm ±20nm；产品级；正面情况（front surface finish Ga face ）：As-grown反面情况Back Surface Finish Sapphire ）：as-received finish可用区域：90% ；Edge Exclusion Area 1mm数据图：详细数据图请点击

当测量需要在待测样品表面的某些微小特定区域进行，或者其他应用要求光斑小至1微米时，F40是最好的选择。通过对每个物镜的逐步校正，再进行测量，即可获得精准的厚度及光学参数值。只要使用 Filmetrics的C- mount连接附件，F40就可以和市面上多数的显微镜连接使用。C- mount上装备有CCD摄像头可以让用户从电脑屏幕上清晰地观察样品并确认测量位置。 选择 Filmetrics的优势桌面式薄膜厚度测量的全球领导者24小时电话，E-mail和在线支持所有系统皆使用直观的标准分析软件 附加特性嵌入式在线诊断方式免费离线分析软件精细的历史数据功能，帮助用户有效地存储，重现与绘制测试结果相关应用半导体制造 生物医学元件光刻胶 聚合物/聚对二甲苯氧化物/氮化物 生物膜/气泡墙厚度硅或其他半导体膜层 植入药物涂层MEMS微机电系统 LCD液晶显示器光刻胶 盒厚 硅膜 聚酷亚胺氮化铝/氧化锌薄膜滤镜 ITO导电透明膜

NS系列台阶仪测试薄膜厚度，可以对微米和纳米结构进行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波纹和表面粗糙度等的测量。其采用LVDC电容传感器，具有的亚埃级分辨率和超微测力等特点使得其在ITO导电薄膜厚度的测量上具有很强的优势。工作原理当触针沿被测表面轻轻滑过时，由于表面有微小的峰谷使触针在滑行的同时还沿峰谷作上下运动。触针的运动情况就反映了表面轮廓的情况。针对测量ITO导电薄膜的应用场景，CP200台阶仪提供如下便捷功能：1）结合了360°旋转台的全电动载物台，能够快速定位到测量标志位；2）对于批量样件，提供自定义多区域测量功能，实现一键多点位测量；3）提供SPC统计分析功能，直观分析测量数值变化趋势；NS系列台阶仪测试薄膜厚度对测量工件的表面反光特性、材料种类、材料硬度都没有特别要求，样品适应面广，数据复现性高、测量稳定、便捷、高效，是微观表面测量中使用非常广泛的微纳样品测量手段。典型应用 产品特性1.出色的重复性和再现性，满足被测件测量精度要求线性可变差动电容传感器（LVDC），具有亚埃级分辨率，13um量程下可达0.01埃。高信噪比和低线性误差，使得产品能够扫描到几纳米至几百微米台阶的形貌特征。2.超微力恒力传感器：（1-50）mg可调测力恒定可调，以适应硬质或软质材料表面。超低惯量设计和微小电磁力控制，实现无接触损伤的精准接触式测量。3.超平扫描平台系统配有超高直线度导轨，杜绝运动中的细微抖动，提高扫描精度，真实反映工件微小形貌。4.顶视光学导航系统，5MP超高分辨率彩色相机5.全自动XY载物台， Z轴自动升降、360°全自动θ转台6.强大的数据采集和分析系统NS系列台阶仪测试薄膜厚度软件包含多个模块，为对不同被测件的高度测量及分析评价提供充分支持。部分技术参数型号NS200测量技术探针式表面轮廓测量技术探针传感器超低惯量，LVDC传感器平台移动范围X/Y电动X/Y(150mm*150mm)(可手动校平)样品R-θ载物台电动，360°连续旋转单次扫描长度55mm样品厚度50mm载物台晶圆尺寸150mm（6吋）,200mm（8吋）尺寸（L×W×H）mm640*626*534重量40kg仪器电源100-240 VAC，50/60 Hz，200W使用环境相对湿度：湿度 （无凝结）30-40% RH温度：16-25℃ (每小时温度变化小于2℃)地面振动：6.35μm/s（1-100Hz）音频噪音：≤80dB 空气层流：≤0.508 m/s（向下流动）恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

Micrux 薄膜微电极（电化学传感器）产品介绍西班牙MicruX专注于薄膜微金属电极，厚膜电极（丝网印刷电极）等电化学传感器，微流控电化传感器，微电极电化学平台等产品的开发制造，可用于用于临床、环境和农业食品领域的电化学分析。 西班牙Micrux薄膜电极（thin-film electrodes）也称薄膜电化学传感器(Thin-film electrochemical sensors) 采用是三电极体系， 包括工作电极（WE）、参比电极（RE）和辅助电极，在玻璃基质上采用薄膜技术制造而成，SU-8 树脂作为电化学池的保护层可实现低样品体积的检测，电化学池的直径是3或3.5mm，适合样品体积是1-10ul, Micrux 薄膜微电极的尺寸为10X6x0.75 mm, 电极材料为铂金或者金。Micrux 在薄膜微电极的制造开发方面具有丰富的经验，可以提供标准的薄膜微电极，以及定制化的微电极，满足客户的需求。Micrux 薄膜微电极标准产品包括：w 薄膜单电极（thin-film single-electrode, SE）w 薄膜微阵列电极（thin-film microelectrode arrays, MEA）w 薄膜叉值电极（thin-film interdigitated electrodes, IDE）w 薄膜叉值阵列微电极（thin-film interdigitated microelectrode array, IDA）w 定制化的薄膜电化学传感器(1) 薄膜单电极（thin-film single-electrode, SE）薄膜单电极（thin-film single-electrode, SE）包括薄膜金电极，薄膜铂电极和薄膜双金属电极，产品具有良好的电极内和电极见的重现性。薄膜微金电极可用作酶和生物传感器，适合硫醇类、DNA等物质的检测，薄膜铂金电极适合气体传感器的开发，如氧气、氨气的检测等。可兼容Drop-cell interface, AIO 和Multi8xAIO 电化学平台使用。型号有： ED-SE1-Pt, ED-SE1-Au, ED-SE1-AuPt (2）薄膜微阵列电极（thin-film microelectrode arrays, MEA）薄膜微阵列电极（thin-film microelectrode arrays, MEA）具有蜂窝状微结构的针孔，直径为1 mm的工作电极上有10或5µ m微孔。通过快速达到稳定状态，提高灵敏度和检测限。型号有：ED-mSE-5-Pt, ED-mSE-10-Pt, ED-mSE-5-Au, ED-mSE-10-Au. （3）薄膜叉值电极（thin-film interdigitated electrodes, IDE）薄膜叉值电极（thin-film interdigitated electrodes, IDE）由两个独立的电极阵列构成，无参比电极和辅助电极，特殊圆形电池的设计更好的适应样品液滴（小于10ul），高的分辨率和精确性。用于阻抗、电容、导电性和燃料电池。叉指电极有铂金和金叉指电极，具有不同的宽度和缝隙。用于光学和电化学阻抗研究，光谱电化学等。型号有：ED-IDE1-Pt, ED- IDE2-Pt, ED- IDE3-Pt, ED-IDE1-Au, ED- IDE2-Au, ED- IDE3-Au. （4）薄膜叉值阵列微电极（thin-film interdigitated microelectrode array, IDA）薄膜叉值阵列微电极（thin-film interdigitated microelectrode array, IDA）具有四个电极，2个叉指工作电极，1个参比电极和1个辅助电极，可采用单模式或者双模式。包括铂金和黄金薄膜叉指电极阵列，其中铂金叉指阵列微电极适用于硫醇、尿酸、抗坏血酸、癌症生物标志物、杀虫剂等检测，铂金叉值阵列微电极用于气体传感器，氧气、二氧化氮、爆炸物等检测。型号：ED-IDA1-Pt, ED-IDA5-Pt, ED-IDA6-Pt, ED-IDA1-Au, ED-IDA5-Au, ED-IDA6-Au.（5）定制化的薄膜电化学传感器可按客户的需求进行定制，单电极或者多电极系统，集成一个或者多个工作电极，和一个参比电极、辅助电极。不同的线性和环状叉指电极，以及双线性或环状叉指电极，以及寻址微电极阵列系统，微电极阵列芯片（4套7个微电极，28个独立的寻址微电极），多电极芯片等。

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

IQ Easy Sensor检测棒连接IQ Power控制器，用于检测产品(例如：薄膜、纸张、片材)及目标物的静电场强度并反馈给控制处理器进行系统的分析和数字记录，以便静电消除器的离子能量的输出自动调整或操作人员及时了解生产进程中产品表面静电场的变化提供参考数据。IQ Easy Sensor检测棒可配套使用非常低的压缩空气（高可输入5psi压力）进行吹扫，以确保感应器不被尘粒干扰，保持好的检测性能。 特点多达40种规格长度选择，实现薄膜全宽幅监控规格灵活的线性凹槽安装设计结合不同应用设置传感器的位置和所需检测数量 深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

PLD技术在薄膜制备方面的优势和特点:脉冲激光沉积技术是目前火热薄膜制备技术, 利用PLD技术制备薄膜具有很好的可控性和可设计性, 可通过控制材料成分、激光能量密度、气压、气体、基底材料、沉积角度等, 来实现薄膜的各种功能和结构. 另外, PLD 可以在室温下进行沉积 然而, 目前PLD还有一些技术和工程上的难题需要解决, 例如, PLD会出现相爆炸等效应, 引起大颗粒飞溅, 从而增大薄膜的表面粗糙度, 降低薄膜质量 另外, 大面积均匀沉积也是目前PLD实现大规模工业化生产的一大瓶颈 芬兰Pulsedeon的ColdAb技术基于皮秒, 飞秒短脉冲激光薄膜沉积技术, 可从源头遏制引起薄膜不均匀的微粒及飞溅效应, 且配合独特的设计和功能配置, 从而被证实在制备大面积高质量薄膜方面有优势, 且可实现全自动产业化.凭借这些技术特点, Pulsedeon受邀成为欧盟LISA锂硫电池, PulseLion全固态电池项目中PLD薄膜沉积工艺参与者.PLD制备高性能薄膜拥有很多的优势，总结如下:1）PLD制备的薄膜材料类型非常广泛。由于高能量密度的激光可以烧蚀大多数材料，包括难融材料和特殊材料，并且材料之间还可以组合成复合材料，这又提高了可制备材料体系的丰富度，因此脉冲激光制备的薄膜材料不受材料类型的限制，拥有庞大的材料体系。2）PLD制备的薄膜结构和形貌可控。PLD可以通过控制激光能量密度、背景气压、背景气体种类、基底材料种类、基底温度、沉积倾斜角度等参数实现对产物结构和形貌的控制，实现不同晶体结构、不同疏松度形貌、不同颗粒形状尺寸薄膜的制备，这使得薄膜性能具有很好的可调控性。3）利用PLD的保组分性能够很容易地实现薄膜成分控制，易获得期望化学计量比的多组分薄膜，有利于制备多元复杂化合物和合金薄膜。4）薄膜生长所需的基底温度相对较低，且与基底结合力强。由于高能量密度的脉冲激光轰击的原子(离子)具有很高的能量，不需要很高的基底温度就可以在基底表面自由迁移，因此与传统方法相比，PLD的薄膜生长温度更低，甚至可以在室温下沉积高质量的薄膜，在不耐高温的柔性基底上沉积薄膜以制备柔性器件。5）沉积效率高。文献中所报道的PLD沉积效率可达10 μm/min以上。欧盟PulseLion全固态锂电电池应用案例：PulseLion项目获得了欧盟地平线及欧盟研究与创新计划的资助, 并联合全欧固态电池行业中知名的15个研究单位及企业, 致力于解决行业技术瓶颈并将第四代全固态电池技术大规模制造产业化 该项目中PLD作为工艺关键一环, 其应用是薄锂金属阳极、高离子导电率固态电解质及隔膜层和缓冲膜等关键技术解决方案均由Pulsedeon公司供应. 除了PLD薄膜沉积工艺外, 其高品质靶材也由Pulsedeon制备供应.欧盟LISA锂硫电池应用案例：欧盟LISA新型固态锂硫电池项目, 致力于解决固态锂硫电池稳定产业化瓶颈, Pulsedeon作为薄膜沉积技术参与者, 提供了从实验级到产业级的PLD相关技术工艺和材料, 其中包括 “集流体及隔膜上多个工艺多层薄膜沉积” “金属锂阳极制备沉积” “陶瓷薄膜沉积层的制备” “固态电解质的制备及优化工艺” “用于R2R PLD中试涂层生产的SSE” “锂硫电池实验级到产业化大面积薄膜沉积制备工艺”等环节.

薄膜体积电阻率表面电阻率测试仪既可测量高电阻，又可测微电流。采用了美国In公司的大规模集成电路,使仪器体积小、重量轻准确度高。数字液晶直接显示电阻值和电流。量限从1×104Ω ～1×1018 Ω，是目前国内测量范围zui宽，准确度zui高的数字超高阻测量仪。电流测量范围为2×10-4 ～1×10-16Ａ。机内测试电压为10V/50V/100V/250V/500V/1000V任意可调。本仪器具有精度高、显示迅速、性好稳定、读数方便， 适用于橡胶、塑料、薄膜、及粉体、液体、及固体和膏体形状的各种绝缘材料体积和表面电阻值的测定。薄膜体积电阻率表面电阻率测试仪工作原理：根据欧姆定律，被测电阻Rx等于施加电压V除以通过的电流I。传统的高阻计的工作原理是测量电压V 固定，通过测量流过取样电阻的电流I来得到电阻值。从欧姆定律可以看出，由于电流I是与电阻成反比，而不是成正比，所以电阻的显示值是非线性的，即电阻无穷大时，电流为零，即表头的零位处是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低。整个刻度是非线性的。又由于测量不同的电阻时，其电压V也会有些变化，所以普通的高阻计是精度差、分辨率低。本仪器是同时测出电阻两端的电压V和流过电阻的电流I，通过内部的大规模集成电路完成电压除以电流的计算，然后把所得到的结果经过A/D转换后以数字显示出电阻值，即便是电阻两端的电压V和流过电阻的电流I是同时变化，其显示的电阻值不象普通高阻计那样因被测电压V的变化或电流Ｉ的变化而变，所以，即使测量电压、被测量电阻、电源电压等发生变化对其结果影响不大，其测量精度很高()，从理论上讲其误差可以做到零，而实际误差可以做到千分之几或万分之几。薄膜体积电阻率表面电阻率测试仪符合标准：GB/T 1410-2006《 固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法》AST D257-99《绝缘材料的直流电阻或电导试验方法》GB/T 10581-2006 《绝缘材料在高温下电阻和电阻率的试验方法》GB/T 1692-2008 《硫化橡胶 绝缘电阻率的测定》GB/T 2439-2001《硫化橡胶或热塑性橡胶 导电性能和耗散性能电阻率的测定》GB/T 12703.4-2010 《纺织品 静电性能的评定 第４部分：电阻率》GB/T 10064-2006_《测定固体绝缘材料绝缘电阻的试验方法》GB/T 1410-2006 固体绝缘材料 体积电阻率和表面电阻率试验方法GB 12014 防静电工作服GB/T 20991-2007 个体防护装备 鞋的测试方法GB 4385-1995 防静电鞋、导电鞋技术要求GB 12158-2006 防止静电事故通用导则GB 4655-2003 橡胶工业静电安全规程GB/T 12703.4-2010 纺织品 静电性能的评定 第4部分 电阻率GB/T 12703.6-2010 纺织品 静电性能的评定 第6部分 纤维泄漏电阻GB 13348-2009 液体石油产品静电安全规程GB/T 15738-2008 导电和抗静电纤维增强塑料电阻率试验方法GB/T 18044-2008 地毯 静电习性评价法 行走试验GB/T 18864-2002 硫化橡胶 工业用抗静电和导电产品 电阻极限范围GB/T 22042-2008 服装 防静电性能 表面电阻率试验方法GB/T 22043-2008 服装 防静电性能 通过材料的电阻(垂直电阻)试验方法GB/T 24249-2009 防静电洁净织物GB 26539-2011 防静电陶瓷砖 Antistatic ceramic tilesGB/T 26825-2011 抗静电防腐胶GB 50515-2010 导(防)静电地面设计规范GB 50611-2010 电子工程防静电设计规范GJB 105-1998-Z 电子产品防静电放电控制手册GJB 3007A-2009 防静电工作区技术要求GJB 5104-2004 无线电引信风帽用防静电涂料及风帽静电性能通用要求薄膜体积电阻率表面电阻率测试仪外观&bull 显示采用 4.3 寸高分辨率 TFT 屏显示，操作简单&bull 机身小巧，功能强大测试性能好&bull 回读电压精度 0.5%±1V&bull 绝缘电阻最大精度 1%快速测试&bull 最小测试周期仅需 200ms 恒压测试&bull 采用恒压测试法快速测量绝缘电阻丰富的接口配置&bull HANDLER 口&bull RS-232 接口&bull 以太网接口&bull U 盘接口薄膜体积电阻率表面电阻率测试仪计算机远程控制指令兼容SCPI（Standard Command for Programmable Instrument 可程控仪器标准命令集），高效完成远程控制和数据采集功能高绝缘电阻测量仪用于测量绝缘材料、电工产品、各种元器件的绝缘电阻；与恒温水浴配套后，还能测量不同温度下的塑料电线电缆（无屏蔽层）的绝缘电阻，该仪器具有测量精度高、性能稳定、操作简单、输入端高压短路等优点，仪器的最高量程 1000T(16 次方)电阻值（测试电压为 1-1000V）。 本仪表贯彻 Q/TPGG 7-2008 高绝缘电阻测量仪企业标准。

一、西班牙micrux 公司 MicruX技术是一个创新技术为基础的公司，成立于2008，源自于西班牙的University of Oviedo两个研究小组的合作：由Agustin Costa Garc教授领导的免疫电分析小组（物理和分析化学系）和由若泽Rodr Guez GARC Ia（物理系）教授领导的光电子组。MicruX的主要目标是利用芯片实验室技术，开发和制造微流控设备、电化学传感器和微型分析仪器的创新解决方案。MicruX 公司精通于微流控技术和电化学检测体系，在微流控领域，微流控电泳芯片的研发、制造、应用方面具有丰富的经验；在电化学领域，对微型电化学传感器进行设计和系统集成。公司还提供利用微流控技术和电化学装置集成的新一代的分析设备，应用于食品、环境、临床领域的研究及工业中。二、micrux 产品介绍MicruX产品主要为电化学传感器，微流控平台以及便携式的分析仪器，用于科研及工业生产中。1、电化学传感器1-1、薄膜电化学传感器(Thin-film electrochemical sensors) （1）单电极（Single electrodes，SE）薄膜电极的标准尺寸为10x6mm，以玻璃为基质，采用SU-8树脂作为保护层，电化学池的大小为2mm, 适合1-5ul样品。具有经济高效，高分辨率、高灵敏度，低试剂消耗，可重复使用等优势。金属单电极基于三电极体系，一个工作电极（WE）、参比电极（RE）和辅助电极，适用于电分析、流动系统、纳米技术或生物传感器开发。产品包括薄膜金电极，薄膜铂电极和薄膜双金属电极，具有良好的电极内和电极间的重现性。薄膜金电极可用作酶和生物传感器，适合硫醇类、DNA等物质的检测，薄膜铂金电极适合气体传感器的开发，如氧气、氨气的检测等。而双金属电极可用于工作电极表面选择性的修饰而不影响参比电极和辅助电极的情况。薄膜技术用于生产定制化的电化学传感器，MicurX在不同薄膜电极设计和制造方面有大量丰富的经验，可提供满足不同客户需求的微电极。（2）微电极阵列（microelectrode arrays, MEA ）MEA微电极阵列具有蜂窝状微结构的针孔，直径为1 mm的工作电极上有10或5μm微孔。通过快速达到稳定状态，提高灵敏度和检测限。（3）薄膜叉指电极（interdigitated electrodes, IDE）金属叉指电极由两个独立的电极阵列构成，无参比电极和辅助电极，特殊圆形电池的设计更好的适应样品液滴（小于10ul），高的分辨率和精确性。用于阻抗、电容、导电性和燃料电池。叉指电极有铂金和黄金叉指电极，具有不同的宽度和缝隙。用于光学和电化学阻抗研究，光谱电化学等。（4）叉指阵列微电极（interdigitated array microelectrodes IDA）叉指阵列电微极具有四个电极，2个叉指工作电极，1个参比电极和1个辅助电极，可采用单模式或者双模式。包括铂金和黄金薄膜叉指电极阵列，其中铂金叉指阵列微电极适用于硫醇、尿酸、抗坏血酸、癌症生物标志物、杀虫剂等检测，铂金叉值阵列微电极用于气体传感器，氧气、二氧化氮、爆炸物等检测。（5）叉指环阵列微电极（interdigitated ring array microelectrodes IDRA）叉值环状阵列微电极采用四电极配置，两个环状叉指工作电极，可采用单电极模式和双电极模式，尤其适合流动分析系统。（6）定制化的薄膜电化学传感器MicruX可提供现成的金属薄膜微电极，以及根据需求预先设计的传感器，供应不同的定制化的传感器。可提供单电极或者多电极系统，集成一个或者多个工作电极，和一个参比电极、辅助电极。不同的线性和环状叉指电极，以及双叉指电极传感器，以及寻址微电极阵列系统，微电极阵列芯片（4套7个微电极，28个独立的寻址微电极），多电极芯片等。

薄膜体积和表面电阻率测试仪GB 4385-1995 防静电鞋、导电鞋技术要求电阻、电流、电阻率 同时显示 并且由彩色大屏显示测试仪器：1台试验要求：直径大于100mm(小于此尺寸，电极需定做)可以在人员离开设定自动测试读取结果 薄膜体积和表面电阻率测试仪概述高绝缘电阻测量仪用于测量绝缘材料、电工产品、各种元器件的绝缘电阻；与恒温水浴配套后，还能测量不同温度下的塑料电线电缆（无屏蔽层）的绝缘电阻，该仪器具有测量精度高、性能稳定、操作简单、输入端高压短路等优点，仪器的zui高量程 1020Ω电阻值（测试电压为 6档可选）。 本仪表贯彻 Q/TPGG 7-2008 高绝缘电阻测量仪企业标准。GB 50515-2010 导(防)静电地面设计规范基本准确度：1% 电阻测量范围： 1×104Ω ～1×1018Ω。超大触摸彩屏显示 可直接读取电阻和电阻率。 内置软件测试系统 测试式样可选择 仪器自动分配计算 可以支持z多60条储存记录自动更新功能GB/T 20991-2007 个体防护装备 鞋的测试方法薄膜体积和表面电阻率测试仪GB/T 1692-2008 硫化橡胶绝缘电阻的测定GB 12158-2006 防止静电事故通用导则硫化橡胶体积表面绝缘电阻测试仪主要特点电流测量范围为 2×10-4Ａ ～1×10-16ＡGB 13348-2009 液体石油产品静电安全规程可以人为设定参数试验人员、材料名称、测试公司等信息GB 4655-2003 橡胶工业静电安全规程GB/T 22043-2008 服装 防静电性能 通过材料的电阻(垂直电阻)试验方法薄膜体积和表面电阻率测试仪根据欧姆定律，被测电阻Rx等于施加电压V除以通过的电流I。传统的高阻计的工作原理是测量电压V 固定，通过测量流过取样电阻的电流I来得到电阻值。从欧姆定律可以看出，由于电流I是与电阻成反比，而不是成正比，所以电阻的显示值是非线性的，即电阻无穷大时，电流为零，即表头的零位处是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低。整个刻度是非线性的。又由于测量不同的电阻时，其电压V也会有些变化，所以普通的高阻计是精度差、分辨率低。本仪器是同时测出电阻两端的电压V和流过电阻的电流I，通过内部的大规模集成电路完成电压除以电流的计算，然后把所得到的结果经过A/D转换后以数字显示出电阻值，即便是电阻两端的电压V和流过电阻的电流I是同时变化，其显示的电阻值不象普通高阻计那样因被测电压V的变化或电流Ｉ的变化而变，所以，即使测量电压、被测量电阻、电源电压等发生变化对其结果影响不大，其测量精度很高()，从理论上讲其误差可以做到零，而实际误差可以做到千分之几或万分之几。薄膜体积和表面电阻率测试仪测量范围达到了1x10 4 -1x10 8 与传统的 高祖测量仪 1x10 6 – 1x10 16行成鲜明的对比

产品名称：4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型（4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)常规尺寸：dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm 技术参数：4H-SiC薄膜晶向：00014H-SiC薄膜厚度（film target thickness)：4.3um ±10%4H-SiC薄膜厚度（film target doping layer) ：1.4E17/cc +0% /- 30%载流子浓度：(3~ 10)E16 /cc导电类型：P型抛光情况：双面抛光4H-SiC基片晶向:0001miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel（10-10）；OF length: 15.9 +/- 1.7 mm4H-SiC基片尺寸： dia 2 inch x330±25unIF orientation :90 degree cw. from OF +/- 5 degreeIF length:8.0 +/- 1.7 mm4H-SiC基片电阻率: 0.03 ohm-cm4H-SiC抛光：Si面CMP单抛边缘排除：1mm 标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

塑料薄膜电阻率测定仪既可测量高电阻，又可测微电流。采用了美国Intel公司的大规模集成电路,使仪器体积小、重量轻、准确度高。以双3.1/2 位数字直接显示电阻的高阻计和电流。量限从1×104Ω～1×1018 Ω，准确度高的数字电阻测量仪。 塑料薄膜电阻率测定仪 技术参数： 1、电阻测量范围 1×104Ω ～1×1018Ω2、电流测量范围 2×10-4A～1×10-16A3、显 示 方 式 数字液晶显示4、内置测试电压 10V 、50V、100V、250V、500V、1000V5、基本准确度 1%6、使用环境 温度：0℃～40℃，相对湿度80%7、供电形式 AC 220V，50HZ，功耗约5W8、仪器尺寸 285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm9、质量 约5KG10、体积小、重量轻、准确度高 电阻、电流双显示，性能好稳定、读数方便11、使测量超高电阻就如用万用表测量普通电阻样简便免去老式高阻计在不同测试电压下或不同量程时要乘以系数等使用不便的麻烦 塑料薄膜电阻率测定仪 主要特点 电阻测量范围宽 1×104Ω～1×1018Ω电流测量范围为 2×10-4Ａ～1×10-16Ａ体积小、重量轻、准确度高电阻、电流双显示性能好稳定、读数方便所有测试电压(100/250/500/1000V) 测试时电阻结果直读，免去老式高阻计在不同测试电压下或不同量程时要乘以系数等使用不便的麻烦，使测量超高电阻就如用万用表测量普通电阻样简便。既能测超高电阻又能测微电流 塑料薄膜电阻率测定仪 工作原理 根据欧姆定律，被测电阻Rx等于施加电压V除以通过的电流I。传统的高阻计的工作原理是测量电压V固定，通过测量流过取样电阻的电流I来得到电阻值。从欧姆定律可以看出，由于电流I是与电阻成反比，而不是成正比，所以电阻的显示值是非线性的，即电阻无穷大时，电流为零，即表头的零位处是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低。整个刻度是非线性的。又由于测量不同的电阻时，其电压V也会有些变化，所以普通的高阻计是精度差、分辨率低。本仪器是同时测出电阻两端的电压V和流过电阻的电流I，通过内部的大规模集成电路完成电压除以电流的计算，然后把所得到的结果经过A/D转换后以数字显示出电阻值，即便是电阻两端的电压V和流过电阻的电流I是同时变化。其显示的电阻值不象普通高阻计那样因被测电压V的变化或电流Ｉ的变化而变，所以，即使测量电压、被测量电阻、电源电压等发生变化对其结果影响不大，其测量精度很高。从理论上讲其误差可以做到零，而实际误差可以做到千分之几或万分之几。 塑料薄膜电阻率测定仪 制造标准： A. GB/T 1410-2006《 塑料薄膜电阻率测定仪固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法》 B. ASTM D257-99 《绝缘材料的直流电阻或电导试验方法》 C. GB/T 2439-2001《硫化橡胶或热塑性橡胶导电性能和耗散性能电阻率的测定》D. GB/T 10581-2006《绝缘材料在高温下电阻和电阻率的试验方法》 E. GB/T 1692-2008《硫化橡胶绝缘电阻率的测定》 F. GB/T 12703.4-2010《纺织品 静电性能的评定 第４部分：电阻率》 G. GB/T 10064-2006《测定固体绝缘材料绝缘电阻的试验方法》 塑料薄膜电阻率测定仪 配置： 1．主机：一台2．屏蔽箱+电极：一套3．测试线：五条4．说明书+合格证+保修卡：各一份 测试步骤： 1、测试温度23±2℃，相对湿度65±5%，无外界电磁场干扰环境中进行。2、测试时对试样所加电压为100V~500V的直流电压，选择电压档次。3、将试样倒入高压电极内，使液面刚好和环电极下缘全部接触为止。4、将充分放电后的试样和电极，按固体（液体）体积及表面电阻率测试仪要求接线。外电极（高压电极）接高固体（液体）体积及表面电阻率测试仪的高压输出端。内电极（测量电极）接固体（液体）体积及表面电阻率测试仪的测量端。中电极（环电极）接固体（液体）体积及表面电阻率测试仪的接地端。5、仪器预热30分钟，稳定后调整仪器（调零），加上试验1分钟，读取电阻指示值，然后放电1分钟，再测试一次，以二次的算术平均值作为试验样品电阻指示值。 安全注意事项： ①　开机之前，敬请仔细阅读 使用指南，以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。②　操作前，阅读“安装与设置”，保证对仪器各部件的正确安装与连接。③　在第一次操作前，务必请有操作经验的人员进行指导，防止误操作造成意外事件的发生。④　电击危险： 确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电，防止在带电情况下，对人员或设备造成伤害。 售后服务 （1）免费送货到用户指定的地点，免费指导安装、培训及调试。（2）产品质保期：自安装正常使用日起一年；（3）质保期内若产品出现质量问题，供货方负责免费维修，质保期外仅收成本费。零部件常年供应. 我公司专业生产、销售海绵泡沫检测设备，周到的服务流程让您满意，及时的售后流程让您安心，现货发货，如需要请联系我们。 北京北广精仪仪器设备有限公司

综合概述 SM200是一款利用利用薄膜反射光干涉原理研 制而成的自动薄膜厚度测绘仪。它利用波长范围最宽 为200-1700nm的光垂直入射到薄膜表面，只要薄膜有 一定程度的透射，SM200就能根据反射回来的干涉光 谱拟合计算出薄膜的厚度，以及其他光学常数如反射 率、折射率和消光系数等，其厚度最大测绘范围可以 达到1nm~250um。SM200自动光学薄膜厚度测绘仪由测绘主机、测 绘平台、Y型光纤及上位机软件搭建而成，核心器件 采用高分辨率、高灵敏度光谱仪结合奥谱天成独有的 算法技术，为用户提供的全新一代领先的自动光学薄 膜厚度测量仪。产品特征  非接触式、非破坏性的测试系统； 超长寿命光源，更高的发光效率；  高分辨率、高灵敏度光谱仪，测量结果更准确可靠； 软件界面直观，操作方便省时；  历史数据存储，帮助用户更好掌握结果；  桌面式分布设计，适用场景丰富；  维护成本低，保养方便；应用领域 基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测绘，这几乎包含了所有的电介质和半导体材料，包括： 氧化硅、氮化层、类钻薄膜、多晶硅、光刻胶、高分子、聚亚酰胺、非晶硅等。  半导体镀膜：光刻胶、氧化物、淡化层、绝缘体上硅、晶片背面研磨  液晶显示：间隙厚度、聚酰亚胺、ITO 透明导电膜  光学镀膜：硬涂层、抗反射层；  微电子系统：光刻胶、硅系膜状物、印刷电路板；  生物医学：医疗设备、Parylene产品外观

电弱点测试仪-（计算机控制）&bull 产品型号：薄膜电弱点其它物性测试仪ZKDRD-1000KV"&bull 执行标准：GB_T 13542.2-2009 IEC 60674-2:1988-电气绝缘用薄膜 第2部分试验方法产品用途：该仪器主要用于电气用聚氨脂薄膜、塑料薄膜、聚丙稀薄膜等绝缘材料在给定直流电压下自动升压测定每平方米的击穿点数。本仪器方式为微机控制，卷膜移动速度可设定，按照设定的升压速率升压，达到设定的电压后，实时记录当前的电压值和电流值，并能够实时记录当前的击穿点，试验结束后自动归零，自动统计电弱点数、电弱线数，自动计算每平方米的电弱点数。本仪器自动化程度高，操作简单、安装卷膜方便、落地式结构方便操作。结构组成：1、升压部件：由调压器和高压变压器组成0～10KV的升压部分。2、动 部 件：通过调压装置匀速升压到设定的电压值。3、检测部件：由集成电路组成的测量电路，实时检测测量数据传给计算机。4、计算机软件：通过智能电路把由检测设备采集的测控信号传给计算机。计算机根据采集的信息控制设备运行并处理试验结果。5、收卷放卷：固定卷膜并按照设定的速度旋转运动设备工作原理: 本测试仪试验电压是0－10KV直流电压，其波动为±1%。测试仪在试样弱点击穿后约0.1s内使电压回升到原来设定的电压。铜辊为下电极，导电橡胶为上电极。薄膜以2m-5m /min的速度移动,薄膜弱点时击穿，击穿点自动累积计数。膜移动以平方数自动计数。优势特点：1、 操作简单:放卷收卷固定后，点开始自动测试2、 动态显示：在薄膜击穿后，同步动态显示曲线，直观可视3、 安装方便：把模卷放入气涨轴，通气自动固定4、 张力可调：同能实时调节收卷、放卷的张力5、 多种模式：测试面积/测试长度/测试时间6、 击穿点判定：实时记录电弱点与测试长度的数据，可以统计查询电弱点之间的长度7、 自动存储：试验介绍后自动弹窗提示存储数据8、 智能自动：本机智能化、自动化程度高，无需专业培训，即可操作