单晶硅片

早在上世纪五十年代，美国贝尔实验室的研究者就发明了单晶硅太阳电池，利用单晶硅晶圆实现了太阳光能转换成电能的突破，并成功用于人造卫星，当时的光电转换效率仅有5%左右。近几年，研究人员通过材料结构工程和高端设备开发的协同创新，将单晶硅太阳电池的光电转换效率提高到26.8%，接近理论极限29.4%，制造成本和综合发电成本大幅度下降，在我国大部分地区达到平价上网。同时，单晶硅太阳电池在光伏市场的占有率也上升到95%以上。除了常规太阳电池在地面光伏电站和分布式光伏的大规模应用以外，柔性太阳电池在可穿戴电子、移动通讯、车载移动能源、光伏建筑一体化、航空航天等领域也具有巨大的发展空间，然而目前尚未开发出商用的高效、轻质、大面积、低成本柔性太阳电池满足该领域的应用需求。中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究团队通过高速相机观察发现，单晶硅太阳电池在弯曲应力作用下的断裂总是从单晶硅片边缘处的“V”字型沟槽开始萌生裂痕，该区域被定义为硅片的“力学短板”。根据这一现象，研究团队创新地开发了边缘圆滑处理技术，将硅片边缘的表面和侧面尖锐的“V”字型沟槽处理成平滑的“U”字型沟槽，改变介观尺度上的结构对称性，结合有限元分析、动态应力载荷下的分子动力学模拟和球差透射电子显微镜的残余应力分析，发现单晶硅的“脆性”断裂行为转变成“弹塑性”二次剪切带断裂行为。同时，由于圆滑处理只限于硅片边缘区域，不影响硅片表面和背面对光的吸收能力，从而保持了太阳电池的光电转换效率不变。该结构设计方案可以显著提升硅片的“柔韧性”，60微米厚度的单晶硅太阳电池可以像A4纸一样进行折叠操作，最小弯曲半径达到5毫米以下；也可以进行重复弯曲，弯曲角度超过360度。相关成果于5月24日在《自然》（Nature）杂志发表，并被选为当期的封面文章。论文通讯作者、上海微系统所研究员狄增峰介绍道:“对于具有表面尖锐‘V’字型沟槽的太阳电池硅片断裂行为的认识，启发了研究团队针对硅片边缘区域进行形貌改变，将尖锐‘V’字型沟槽处理成圆滑‘U’字型沟槽，从而让弯曲应变能够有效分散，有效抑制了应变断裂行为，提升了硅片的柔韧性，最终实现了高效、轻质、柔性的单晶硅太阳电池。”论文通讯作者、上海微系统所研究员刘正新介绍道:“由于圆滑策略仅在硅片边缘实施，基本不影响太阳电池的光电转化效率，同时能够显著提升太阳电池的柔性，未来在空间应用、绿色建筑、便携式电源等方面具有广阔的应用前景。”该工作通过简单工艺处理实现了柔性单晶硅太阳电池制造，并在量产线验证了批量生产的可行性，为轻质、柔性单晶硅太阳电池的发展提供了一条可行的技术路线。研究团队开发的大面积柔性光伏组件已经成功应用于临近空间飞行器、建筑光伏一体化和车载光伏等领域。该工作的第一完成单位为中国科学院上海微系统所，第一作者为上海微系统所副研究员刘文柱、长沙理工大学副教授刘玉敬、沙特阿美石油公司博士杨自强和南京师范大学教授徐常清。理论计算与北京航空航天大学副教授丁彬和南京师范大学教授徐常清合作完成。残余应力分析与长沙理工大学教授刘小春和副教授刘玉敬合作完成。高速相机拍摄硅片瞬间断裂过程由阿美石油公司博士杨自强完成。

近日，全球极具创新力的光伏企业晶科能源（“晶科能源”或者“公司”）大面积N型单晶硅单结电池效率达到24.9%，创造了新的世界纪录。该测试结果已获得德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)下属的检测实验室独立认证。图源 晶科能源晶科能源在研发方面投入了巨大的资源，公司硅片、电池和光伏组件等领域的专家专注技术创新突破，致力于为全球客户提供高效和具有竞争力的行业产品，引领行业技术发展。据了解，此次破纪录的太阳能电池采用了高品质、低缺陷直拉N型单晶硅片，通过高激活掺杂、高品质钝化及钝化接触高隧穿传导等多项创新技术及先进材料应用，电池效率得到了进一步突破。作为全球领先的光伏企业，晶科能源研发团队创造一个又一个世界记录，推动中国光伏企业走在全球光伏发展的技术前沿。晶科能源组件CTO金浩表示：“在未来，晶科能源将继续承担行业变革推动者的角色，以不断迭代的技术研发水平来推动光伏产品力的快速提升和光伏行业高质量发展，让实验室的光伏技术快速实现产线量产，更好地承担起碳中和重任。”

在半导体材料领域，硅基半导体材料目前产量最大、应用最广，90%以上的半导体产品仍用单晶硅作为衬底材料制作。目前大尺寸硅片已成为硅片市场最主流的产品。硅片生产中在拉晶过程中，需要解决氧含量及径向均匀性、杂质的控制、缺陷控制、氧沉淀控制、电阻值定量、掺杂及径向均匀性等众多问题，同时对检测表征等保障技术也提出了更高的要求。直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，从而提高硅晶体的质量，已经在产业界广泛应用，除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外，氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知，直拉单晶硅中含有较高浓度（浓度范围1017-1018cm-3）的间隙氧（Oi），当氮掺入直拉硅单晶中时，除了以氮-氮对（N-N）形式存在以外，氮还会和氧作用形成氮氧复合体（N-Ocomplexes）。研究显示氮氧复合体会引起红外的局域模振动吸收和电子跃迁吸收，可以被红外吸收光谱技术探测到。在低温（10K左右）条件下，氮氧复合体在远红外波段有一系列由于电子跃迁产生的吸收峰，目前已经报导了7种氮氧复合体[1,2,3]。针对直拉单晶硅中杂质元素以及氮氧复合体的测量，布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统，通过测试位于中/远红外波段间隙氧（1136.3cm-1,1205.6cm-1）[7]，代位碳(607.5cm-1)[6,7]，III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带（249.8,240.4cm-1[1,2]），通过直接或间接计算获得相应元素含量值。布鲁克CryoSAS系统主要特点：波段范围1250-230cm-1，覆盖了间隙氧（Oi）、代位碳（Cs）、III-V族浅能级杂质元素（硼B，磷P，砷As，铝Al，镓Ga，锑Sb，符合SEMI/ASTMMF1630-0704标准）以及N-N对，氮氧复合体[N-O-(1-6)]吸收谱带[4,5,6,7]闭循环低温冷却系统，T＜15K，无需昂贵的液体制冷剂[4]不锈钢、真空样品室设计坚固、精确的步进电机，带有9位样品架简单易用（文献[1]）（文献[3]）如果您对此方法感兴趣，欢迎您来电垂询，交流、沟通。参考文献：[1]H.Ch.Altetal.AnalysisofelectricallyactiveN-Ocomplexesinnitrogen-dopedCZsiliconcrystalsbyFTIRspectroscopy,MaterialsScienceinSemiconductorProcessing9(2006)114-116.[2]H.Ch.Altetal.Far-infraredabsorptionduetoelectronictransitionsofN-OcomplexesinCzochralski-grownsiliconcrystals:influenceofnitrogenandoxygenconcentration,Appl.Phys.Lett.87,151909(2005).[3]《半导体材料测试与分析》，杨德仁等著[4]https://www.bruker.com/zh/products-and-solutions/infrared-and-raman/silicon-analyzer/cryo-sas-cryogenic-silicon-analyzer.html[5]SEMIMF1630-0704TestMethodforLowTemperatureFT-IRAnalysisofSingleCrystalSiliconforIII-VImpurities[6]SEMIMF1391-1107TestMethodforSubstitutionalAtomicCarbonContentofSiliconbyInfraredAbsorption[7]GB/T35306-2017硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

材料是社会进步的重要物质条件，半导体产业近年来已成为材料产业中备受瞩目的焦点。从沙子到晶片直至元器件的制造和创新，都需要应用不同的表征与检测方法去了解其特殊的物理化学性能，从而为生产工艺的改进提供科学依据。仪器信息网策划了“半导体检测”专题，特别邀请到布鲁克光谱中国区总经理赵跃就此专题发表看法。布鲁克光谱中国区总经理 赵跃赵跃先生拥有超过20年科学分析仪器领域丰富的从业经历，先后服务于四家跨国企业，对于科学分析仪器以及材料研发行业具有深刻理解，促进了快速引进国外先进技术服务于中国的科研创新和产业升级。2020年9月，习近平主席在第75届联合国大会上，明确提出中国力争在2030年前实现“碳达峰”，2060年前实现“碳中和”的目标。“双碳”目标的直接指向是改变能源结构，即从主要依靠化石能源的能源体系，向零碳的风力、光伏和水电转换。加快能源结构调整，大力发展光伏等新能源是实现“碳达峰、碳中和”目标的必然选择。目前，光伏产业已成为我国少有的形成国际竞争优势、并有望率先成为高质量发展典范的战略性新兴产业，也是推动我国能源变革的重要引擎。太阳能光伏是通过光生伏特效应直接利用太阳能的绿色能源技术。2021年，全球晶硅光伏电池产能达到423.5GW，同比增长69.8%；总产量达到223.9GW，同比增长37%。中国大陆电池产能继续领跑全球，达到360.6GW，占全球产能的85.1%；总产量达到197.9GW，占全球总产量的88.4%。截止到2021年底，我国光伏装机量为3.1亿千瓦时。据全球能源互联网发展合作组织预测，到2030、2050、2060年我国光伏装机量将分别达到10、32.7、35.51亿千瓦时，到2060年光伏的装机量将是今天的10倍以上。从发电量来看，虽然其发电容量仍只占人类用电总量的很小一部分，不过，从2004年开始，接入电网的光伏发电量以年均60%的速度增长，是当前发展速度最快的能源。2021年我国光伏发电量3259亿千瓦时，同比增长25.1％，全年光伏发电量占总发电量比重达4％。预计到2030年，我国火力发电将从目前的49%下降至28%，光伏发电将上升至27%。预计2030年之后，光伏将超越火电成为所有能源发电中最重要的能源，光伏新能源作为一种可持续能源替代方式，经过几十年发展已经形成相对成熟且有竞争力的产业链。在整个光伏产业链中，上游以晶体硅原料的采集和硅棒、硅锭、硅片的加工制作为主；产业链中游是光伏电池和光伏组件的制作，包括电池片、封装EVA胶膜、玻璃、背板、接线盒、逆变器、太阳能边框及其组合而成的太阳能电池组件、安装系统支架；产业链下游则是光伏电站系统的集成和运营。硅料是光伏行业中最上游的产业，是光伏电池组件所使用硅片的原材料，其市场占有率在90%以上，而且在今后相当长一段时期也依然是光伏电池的主流材料。在2011年以前，多晶硅料制备技术一直掌握在美、德、日、韩等国外厂商手中，国内企业主要依赖进口。近几年随着国内多晶硅料厂商在技术及工艺上取得突破，国外厂商对多晶硅料的垄断局面被打破。我国多晶硅料生产能力不断提高，综合能耗不断下降，生产管理和成本控制已达全球领先水平。2021年，全球多晶硅总产量64.2万吨，其中中国多晶硅产量50.5万吨，约占全球总产品的79%。全球前十硅料生产企业中中国有7家，世界多晶硅料生产中心已移至中国，我国多晶硅料自给率大幅提升。与此同时，在多晶硅直接下游硅片生产中，因单晶硅片纯度更高，转化效率更高， 消费占比也不断走高，至 2020 年，单晶硅片占比已达 90%的水平。用于光伏生产的太阳能级多晶硅料一般纯度在6N～9N之间。无论对于上游的硅料生产，还是单晶硅片、多晶硅片生产，硅中氧含量、碳含量、III族、V族施主、受主元素含量、氮含量测量是硅材料界非常重要的课题，直接影响硅片电学性能。故准确测试上游硅料、单晶硅片中相应杂质元素含量显得尤为必要、重要。在过去的十几年中，ASTM International（前身为美国材料与试验协会）已经对上述杂质元素的定量分析方法提出了国际普遍通行的标准，其中，分子振动光谱学方法因其相对低廉的设备成本、快速、无损、高灵敏度的测试过程，以及较低的检测下限，倍受业内从事品质控制的机构和组织的青睐。值得一提的是，我国也在近几年陆续制定和出台了多个以分子振动光谱学为品控方法的相关行业标准 （见附录）。这标志着我国硅料生产与品控规范进入了更成熟、更完善、更科学、更自主的新阶段。德国布鲁克集团，作为分子振动光谱仪器领域的领军企业，几十年来坚持为工业生产和科学研究提供先进方法学的助力。由布鲁克光谱（Bruker Optics）研发制造的CryoSAS全自动、高灵敏度低温硅分析系统，基于傅立叶变换红外光谱技术，专为工业环境使用而设计。顺应ASTM及我国相关标准中的测试要求，此系统可以室温和低温下（＜15K）工作，通过测试中/远红外波段（1250-250cm-1）硅单晶红外吸收光谱（此波段红外吸光光谱涵盖了硅晶体中间隙氧，代位碳，III-V族施主、受主元素以及氮氧复合体吸收谱带。），可以直接或间接计算出相应杂质元素含量值。检测下限可低至ppta(施主，受主杂质)和ppba量级(代位碳，间隙氧)，很好地满足了上游硅料品控的要求，为中游光伏电池和光伏组件的制作打下了扎实的原料品质基础。随着硅晶原料产能的逐年提高，布鲁克公司的 CryoSAS仪器作为光伏产业链上游的重要品控工具之一，已在全球硅料制造业中达到了极高的保有量。随着需求的提升，电子级硅的生产需求也在持续增加。布鲁克公司红外光谱技术也有成熟的方案和设备，目前国内已有多个用户采用并取得了良好的效果。低温下(~12 K)，硅中碳测试结果（上图），硅中硼、磷测试结果（下图）附录：产品国家标准：《GB/T 25074 太阳能级多晶硅》《GB/T 25076 太阳能电池用硅单晶》测试方法国家标准：《GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》《GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》《GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》《GB/T 24581 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》（布鲁克光谱 供稿）

据德州天衢新区官微消息，近日，山东有研刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目开工仪式正式举行，总投资7.41亿元。据悉，本次开工的刻蚀设备用硅材料及硅片扩产项目是有研半导体硅材料股份公司的上市募投项目。其中，刻蚀设备用硅材料项目总投资3.57亿元，主要生产大尺寸单晶硅部件加工品，为集成电路刻蚀设备所用的硅部件，项目达产后年新增硅材料204吨，年实现营业收入3.9亿元；8英寸硅片扩产项目总投资3.84亿元，产品为集成电路用直径8英寸硅抛光片，全部达产后新增8英寸硅片产品120万片/年的生产能力，年均营业收入2.4亿元。资料显示，山东有研是半导体材料生产龙头企业，目前生产的产品广泛应用于集成电路、功率器件等多个领域，重点满足我国物联网、汽车电子、工业制造、手机摄像头等领域需求。

南京晶升装备股份有限公司（以下简称“晶升装备”）9月21日正式发布上会稿，9月29号上会。晶升装备聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉等定制化的晶体生长设备。其产品半导体级单晶硅炉下游行业为硅片厂商，下游应用行业具有技术壁垒高、研发周期长、资金投入大、下游验证周期长等特点，市场集中度较高。根据 Omdia 统计1，全球硅片市场份额主要被日本信越化学、日本胜高、中国台湾环球晶圆、 德国世创和韩国 SK 五大企业占据，五大企业占全球硅片市场份额约为 90%，由于国内半导体硅片行业起步较晚，国内硅片市场份额不足 10%，相对较低，增速及进口替代空间巨大。中国大陆半导体硅片厂商技术发展相对落后，国内主要硅片厂商以生产 200mm（8英寸）及以下抛光片、外延片为主，300mm（12英寸）产能规模占比相对较低，仅有沪硅产业（上海新昇）、TCL 中环（中环股份）、立昂微（金瑞泓）、奕斯伟等少数厂商可实现12 英寸半导体级硅片批量供应。目前国内自产12英寸产能仅为54万片/月，总需求为150万片/月至200 万片/月，自产供给和需求之间存在较大差距，主要依赖进口。从全球趋势来看，由于成本和制程等原因，国内12 英寸需求也将越来越大。因此，12英寸半导体级硅片成为未来国内硅片市场主要增长点，带动上游晶体生长设备行业实现规模化增长。晶升装备在三轮问询回复中表示，公司已于2018年率先实现了12英寸半导体级单晶硅炉国产化。虽然产品设备规格指标参数、晶体生长控制指标参数与国外厂商基本处于同一技术水平，但因产业应用时间较短，验证经验相对不足，目前与国外厂商的竞争中还处于相对劣势。以国内12英寸硅片龙头企业沪硅产业（上海新昇）为例，其采购国外厂商S-TECH Co., Ltd半导体级单晶硅炉产品占采购同类产品比例超过85%，采购晶升装备12英寸半导体级单晶硅炉产品占采购同类产品比例约为10%-15%。然而，相比国内厂商，晶升装备具有先发及领先优势。其12英寸半导体级单晶硅炉产品技术水平、市场地位及市场占有率国内领先，随着产业应用时间及下游认证的逐步推进，晶升装备将在半导体级单晶硅炉国产化替代进程中具备较强的竞争优势。根据三轮问询回复，目前晶升装备在半导体级单晶硅炉的国内竞争对手主要为晶盛机电及连城数控。晶盛机电及连城数控的的晶体生长设备下游应用领域主要为光伏级硅片领域，晶升装备产品聚焦于半导体级单晶硅炉领域。晶升装备的12英寸半导体级单晶硅炉已实现为国内领先半导体硅片企业沪硅产业（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）的批量化销售。其产品的定制化能力、可应用制程工艺、下游量产进度较国内竞争对手具有领先性。晶升装备根据国内硅片行业整体预计新增产能对公司半导体级单晶硅炉市场空间进行测算，预计未来2-3年，公司半导体级单晶硅炉市场空间可达约9-29亿元。

300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。 　　近日，中科院微系统所魏星研究员团队，在300mm晶体生长的数值模拟研究领域取得重要进展。该团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制，相关成果于2023年05月以 “Effects of induced current in crystal on melt flow and melt-crystal interface during industrial 300 mm Czochralski silicon crystal growth with transverse magnetic field”为题，发表在美国化学会旗下晶体学领域的旗舰期刊《Crystal growth & design》上。 　　在本工作中，通过对比三组仿真结果，系统的分析了晶体电导率、磁场强度、晶转速率这三个关键参数对晶体内感应电流的影响，进而分析了其对熔体对流、温度分布和界面形状的影响。结合实验数据，模型准确性得以验证，并预测了建模所需的合理的晶体电导率。研究结果表明，当晶体中感应电流增加时，界面下强制对流的驱动力逐渐从离心力转变为洛伦兹力，并改变强制对流的旋转方向，从而影响固液界面形状。这项研究弥补了传统模型的忽略晶体感应电流的不足，首次系统地揭示了晶转引起的感应电流以及关键工艺参数对传热传质、固液界面等的影响，大大提高了仿真结果的准确性，为近零缺陷硅片产品晶体生长技术的优化提供了理论支撑。 　　中科院上海微系统所陈松松助理研究员为文章的第一作者，魏星研究员为通讯作者。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所原名中国科学院上海冶金研究所，前身是成立于1928年的国立中央研究院工程研究所，是中国最早的工学研究机构之一。中国科学院上海微系统与信息技术研究所学科领域为：电子科学与技术、信息与通信工程；学科方向为微小卫星、无线传感网络、未来移动通信、微系统技术、信息功能材料与器件。图 1 模型示意图2 (a)晶体感应电流，(b)强制对流驱动力示意图和熔体自由液面温场、流场分布图

7月11日，在位于洛阳高新区的洛阳单晶硅集团控股子公司麦斯克电子材料股份有限公司（以下简称麦斯克电子）超净车间里，单晶硅棒经过切割、倒角、化学清洗以及抛光，一片片光滑如镜的银灰色硅抛光片被送到自动化设备上接受质量检测。“今年上半年，我们克服不利因素，全力以赴拼经济，企业运行平稳有序。”洛阳单晶硅集团总经理兼麦斯克电子董事长史建强告诉记者，“我们的8英寸硅抛光片不仅替代进口，还逐步走向了国际市场。”作为中部地区首家具备规模化生产IC级8英寸硅抛光片能力的高新技术企业，麦斯克电子已具备100万片年产能，产品销往美国、韩国、新加坡、日本、印度等国家。硅抛光片是芯片等产品的上游原材料，然而，在大直径半导体硅片领域，我国对于进口的依赖程度依旧较高。“尺寸越大，可制造的芯片数量就越多，相应成本就越低。”史建强介绍，麦斯克电子的拳头产品为4至8英寸硅抛光片，尽管每次迭代产品只有2英寸的差别，但是每次提升工艺控制的难度都成倍地增加，在研发和生产的每个环节，都要精益求精。领跑的背后是科研的强力支撑。麦斯克电子是国务院国资委科改示范企业和国家级专精特新“小巨人”企业，公司建有企业技术中心、大尺寸硅抛光片工程技术研究中心及先进硅基低阻值电子材料工程研究中心等三个省级研发平台，致力于半导体硅片加工技术的研究和半导体硅材料产业自主水平的提升。麦斯克电子“工业互联网平台赋能硅基底材料全生命周期质量管控解决方案”入选工信部发布的“工业互联网平台+质量管理试点示范”名单。通过持续探索大规模集成电路硅抛光片智能化制造的新路径，麦斯克电子以数字化助力“中国芯”加速崛起。目前，麦斯克电子与国内知名设备厂商联合，在国内首创完成了半导体硅片用金刚线设备和切割工艺的开发。麦斯克电子还与国内产业链上下游建立了稳固的合作关系，积极推进设备与原材料国产化进程；在原材料方面，与省内多家知名企业密切合作，带动产业链上下游共同发展。“我们正在积极向半导体硅片领域进行纵深布局，将充分利用技术积淀优势，整合和优化现有产业链，提升企业价值和竞争力，为河南省加速抢滩半导体产业、实施换道领跑战略作出国资国企贡献。”史建强表示。

单晶体的最大特点是各向异性，这也意味着无论在制备、使用还是研究单晶体时，都必须知道其取向。例如，在Si半导体集成器件和大规模集成电路的制备中，就需表面为{1 1 1}或{1 0 0}面的基片。此外，在晶体缺陷和相变的研究中，也需要考虑单晶体的位向问题。X射线衍射方法的出现，在无损、准确地解决单晶定向难题的基础上，还能提供晶体内部微观完整性的信息。日本Pulstec公司基于特有的圆形全二维面探测器技术研发推出了新一代X射线单晶定向系统s-Laue。该设备配备六轴样品台，具有功率小（30 KV/1.5 mA）、操作简单、测试效率高（典型测试时间为60秒）等特点。同时，s-Laue提供台式、便携式两种类型设备，即能满足实验室小样品单晶定向需求，还可用于大型零件的现场晶体定向应用。新一代X射线单晶定向系统s-Laue部分用户单位：由于上述突出的特点和明显的优势，s-Laue自推出以来受到科研工作者的广泛关注，目前已有国内外多个客户选择其用于其单晶体的科研工作。部分测试数据展示： 单晶硅测试结果 Al2O3测试结果样机体验：为了便于广大客户全面了解和亲身体验新一代X射线单晶定向系统s-Laue，Quantum Design中国公司引进了s-Laue样机，目前该设备已安装于我公司实验室并调试完毕。即日起，我们欢迎对该设备感兴趣的老师和同学来访，我们在Quantum Design中国样机实验室恭候大家的到来。

浙江晶阳机电股份有限公司于12月26日在北交所更新上市申请审核动态，该公司IPO申请已受理。据了解，公司是一家专业从事光伏及半导体行业晶体生长设备的研发、制造和销售的高新技术企业，公司产品主要应用于光伏硅料、硅片及半导体材料生产厂家。　　年新增300 套光伏单晶硅生长炉建设项目总投资 12,808.06 万元，拟使用募集资金 12,808.06 万元。公司拟通过本项目的实施，对单晶生长炉进行扩产，利用规模与定制化生产优势提高产品的市场竞争能力，从而抓住行业发展机遇，满足不断增长的市场需求。浙江晶阳机电股份有限公司研发中心建设项目总投资2,760.91万元。公司拟通过本项目的建设，主导开发有竞争力的新一代产品，布局符合行业导向的前瞻性领域，对单晶生长炉产品进行升级，对硅芯炉进行积极研发，促进产品性能提升和更新迭代的同时实现全自动控制多晶硅料生产，适应多晶硅料生产自动化升级的要求，为晶阳机电未来业务发展及开拓提供支撑。　　2023年 1 月—6月该公司前五名客户为，高景太阳能、通威股份、东方希望、峨嵋半导体、旭樱新能。　　2023年 1 月—6 月该公司前五名原材料供应商为，杭州奔博科技有限公司、北京雷格晶程真空技术有限公司、绍兴晟德新能源机械有限公司、嘉兴坤博新能源装备制造有限公司、浙江德弘机电科技股份有限公司。　　同行业可比公司有，晶盛机电、天通股份、连城数控、京运通、奥特维等。　　根据CPIA数据，全球新增光伏装机量于2022年创历史新高，达到230GW，同比增长35.3%，乐观情况下，预计 2030 年新增光伏装机量达 516GW，全球光伏市场前景广阔。　　光伏高景气持续，新增装机量迅速增长。2022年我国光伏新增装机87.41GW，同比增长59.27% 2023年1-8月我国光伏新增装机113.16GW，同比+154.46%，行业景气度持续上行。　　从该公司近四年的财务数据来看，其中3年的营业总收入同比是增长的，增量优秀；这四年的归母净利润表现较好；净资产收益率表现优秀，盈利水平优秀。

10月25日晚间，晶盛机电发布定增预案，拟向不超过35名（含）特定对象发行募集资金总额不超过57亿元（含本数），在扣除发行费用后拟全部用于以下项目：31.34亿元用于碳化硅衬底晶片生产基地项目，5.64亿元用于12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目，4.32亿元用于年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目，15.7亿元用于补充流动资金。据悉，本次晶盛机电向特定对象发行股票的发行数量不超过2.57亿股（含本数）。发行价格不低于定价基准日前20个交易日公司A股股票交易均价的80%。受惠于光伏和半导体热潮的影响，今年以来，晶盛机电股价持续走高，在9月初总市值一度触及千亿大关。截止到10月25日收盘，该股报价74.96元，上涨1.99%，总市值为963.66亿。半年报显示，晶盛机电为硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料设备生产商。在硅材料领域，公司开发出了应用于光伏和集成电路领域两大产业的系列关键设备，包括全自动晶体生长设备（直拉单晶生长炉、区熔单晶炉）、晶体加工设备（单晶硅滚磨机、截断机、开方机、金刚线切片机等）、晶片加工设备（晶片研磨机、减薄机、抛光机）、CVD设备（外延设备、LPCVD设备等）、叠瓦组件设备等；在碳化硅领域，公司的产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备；在蓝宝石领域，公司可提供满足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭、晶棒和晶片。公司产品主要应用于集成电路、太阳能光伏、LED、工业4.0等具有广阔发展前景的新兴产业。从近期公开的生产信息看，公司半导体等领域订单均处于产销两旺的状态，本次定增募资扩大产能也属于有的放矢。

p 　　近日，中国科学院重庆绿色智能技术研究院量子信息技术中心团队在以GeSe为代表的IV sup A /sup VI sup B /sup 大面积单原子层材料制备和能带结构确定，及其器件测试分析研究中取得最新进展。 /p p 　　目前已有近百种二维材料被人们发现，包括第四主族单质、第三和第五主族构成的二元化合物、金属硫族化合物、复合氧化物等。这些发现不仅打破了长久以来二维晶体无法在自然界中稳定存在的说法，其自身的特性更是呈现出许多新奇的物理现象和电子性质，如半整数、分数和分形量子霍尔效应、高迁移率、能带结构转变等。IV sup A /sup VI sup B /sup 单晶二维材料MX（M=Ge,Sn；X=S,Se）因极高稳定性、环境友好性、丰富蕴藏量，以及从材料结构到性能上与黑磷烯的相似性而受到广泛关注。基于第一性原理方法对MX的能带结构的计算、对其从间接带隙到直接带隙的临界层厚，以及基于其C sub 2v /sub 对称结构的压电性能理论预测的研究已多有报道。但受其脆性影响，该类型材料难以直接采用物理撕裂法制备得到单原子层材料。采用化学合成方法，也难以获得较大面积的单原子层（大于1微米）。因此，对IV sup A /sup VI sup B /sup 单晶二维材料的研究迄今仍停留在理论预测阶段。 /p p 　　在MX中，GeSe理论上被认为是唯一具有直接带隙的材料，且该材料的光谱范围预测几乎覆盖了整个太阳光光谱，这使它在量子光学、光电探测、光伏、电学等领域有巨大的应用潜力。据此，重庆研究院量子信息技术中心团队研究发现，利用单晶硅表面二氧化硅的隔热效果和激光减薄方法，可以在一定激光功率密度下不断地减薄GeSe的层厚，直至单原子层。其减薄机理是激光在GeSe表层产生高热，由于GeSe材料本身的层状特性，难以将热量及时传导出去，导致层厚被不断减薄。当GeSe的层厚被减薄至单原子层时，整个SiO sub 2 /sub /Si可以被看作热沉而无法继续减薄。利用此方法，该团队首次实验制备出了100微米以上的GeSe单原子层材料，基于荧光谱、拉曼谱等方法对GeSe单原子层的原子和能带结构进行研究，并基于第一性原理方法理论印证了实验结果的可靠性。实验和理论计算表明，GeSe单原子层的荧光谱非常宽，从可见光波段到近红外波段发现了8个荧光峰，从间接带隙到直接带隙的转变发生在第三层。此外，该团队分别实验制备出了基于GeSe体材料和二维材料的晶体管，其I-V和光反应性能表明，二维材料的光敏度是相应体材料的3.3倍，同时二维材料器件的光反应度也远优于相应体材料器件。 /p p 　　相关研究成果发表在 em Advanced Functional Materials /em 上。该研究得到了重庆市基础前沿重大项目、中科院“西部之光”西部青年学者A类项目、国家自然科学基金面上项目的资助。?? /p p br/ /p

近日，证监会发布消息称，按法定程序同意华海清科科创板首次公开发行股票注册申请。与此同时，另一家半导体设备厂商也正式闯关科创板。4月27日，南京晶升装备股份有限公司（以下简称“晶升装备”）科创板IPO申请获得上交所受理。资料显示，晶升装备成立于2012年，是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，推出了自主研发的12英寸半导体级单晶硅炉并实现量产销售。1与三安光电/天岳先进等合作半导体硅片是半导体材料中最主要的品类之一，在通信、消费电子、5G、人工智能、大数据等领域的持续推动下，全球半导体硅片市场规模自2016年进入新一轮增长周期，最近五年复合增长率为11.68%。而作为半导体硅片的关键制造设备，晶体生长设备也随之迎来新的发展机遇。近年来，通过积极布局以碳化硅为代表的第三代半导体材料业务，晶升装备已成功开发出碳化硅单晶炉产品，产品于2019年实现量产销售。据披露，晶升装备的主要产品包括8英寸及12英寸半导体级单晶硅炉、6英寸及8英寸的碳化硅单晶炉，并且已经逐渐得到众多主流半导体厂商的认可。目前，晶升装备已经成功进入国内多家半导体厂商的供应链名单中，开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、合晶科技、三安光电、东尼电子、浙江晶越、天岳先进等客户。2加码半导体晶体生长设备在“国产化”浪潮推动下，国内半导体设备随之迎来新的发展机遇。据SEMI统计，中国半导体设备行业市场规模已经由2011年的36.5亿美元增长至2021年的296.2亿美元，复合增长率为23.29%。申报稿显示，晶升装备本次拟募集资金4.76亿元，拟全部投入到“总部生产及研发中心建设项目”和“半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目”。其中，总部生产及研发中心建设项目计划于2022年开始建设，2025年年初投产，项目达产后可实现各类晶体生长设备年产量400余台，将成为研发及生产能力全国领先的晶体生长设备基地，紧跟国内外前沿技术，提高研发能力的同时实现产能扩充。半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目主要是对公司现有产线进行产能扩充，计划于2022年上半年开始建设，2022年末开始陆续投产，2024年建设期全部完成，项目达产后可生产各类晶体生长设备700余台/年，成为国内一流的长晶设备产业生产基地。晶升装备表示，本次募投项目的顺利实施将有助于打造我国拥有自主技术的晶体生长设备，大幅增强我国晶体生长设备本土化配套能力，进而提升我国晶体生长设备自主化水平。

盛美半导体官方消息显示，1月8日，盛美半导体首台应用于大功率半导体器件制造的新款12英寸单晶圆薄片清洗设备已通过厦门士兰集科量产要求，提前验收。该设备于2020年5月20日作为首批设备之一搬入工厂，从正式装机到应用于产品片生产，只用了18天的时间，原定一年的验证期仅用6个月即顺利完成验收。图片来源：盛美半导体设备图片来源：盛美半导体设备据悉，盛美新款12英寸单晶圆薄片清洗设备，是一款高产能的四腔体系统，用于超薄片的硅减薄湿法蚀刻工艺，以消除晶圆应力、并进行表面清洗等。该系统的传输及工艺模块为超薄硅片的搬送及工艺处理提供了有效的解决方案，基于伯努利效应，该系统在传输与工艺中，与晶圆表面完全无接触，消除由接触带来的机械损伤，提高器件的良率。通过不同的设定，该系统可适用于Taiko片、超薄片、键合片、深沟槽片等不同厚度的晶圆；通过采用不同的化学药液组合，该系统可拓展应用于清洗、光刻胶去除、薄膜去除和金属蚀刻等工艺。此前，盛美半导体设备董事长王晖曾表示：“为了争夺市场份额，功率设备制造商需扩大MOSFET 和IGBT的产能，包括增加晶圆减薄设备，同时兼顾利用有限的工厂面积。为此，我们开发了一个四腔系统，与目前市场上的一腔或两腔系统相比，它能提供更高的产能，降低成本（COO）、增加效益。此外，我们提供了一套专用的非接触式传输与工艺系统，以防止这些薄至50微米的易碎晶圆在背面减薄与清洗过程中受到损坏，从而提高器件良率。”此次盛美半导体12英寸单晶圆薄片清洗设备的快速投入量产使用并提前成功验收是盛美与国内量产客户团队的紧密合作成果。据了解，作为盛美半导体2020年推出的重要新产品之一，该设备的顺利验收对推动该设备在功率器件新兴市场的推广具有重要意义。盛美半导体设备公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备等。公司坚持差异化竞争和创新的发展战略，通过自主研发的单片兆声波清洗技术、单片槽式组合清洗技术、电镀技术、无应力抛光技术和立式炉管技术等，向全球晶圆制造、先进封装及其他客户提供定制化的设备及工艺解决方案，有效提升客户的生产效率、提升产品良率并降低生产成本。

盛美上海Ultra C VI设备支持先进逻辑、DRAM和3D NAND制造所需的大多数半导体清洗工艺；产能较12腔设备提升50%盛美上海盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称“盛美上海”)（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商，今天宣布，其18腔300mm Ultra C VI单晶圆清洗设备已成功投入量产。该设备于2020年第二季度首次推出，目前已在中国一家主流存储芯片制造商的生产线上获得验证并进入量产。据盛美上海董事长王晖博士介绍：“随着技术节点逐渐缩小，芯片复杂性不断增加，湿法清洗工艺所需的步骤也在增长。当前对于半导体芯片的需求空前巨大，相应的产能需求也随之提高，而我们的18腔设备恰好能够满足这一需求的增长。采用Ultra C VI设备进行量产，在设备尺寸相同的情况下可提升50%的产能，以更好地满足客户需求。”盛美上海18腔300mm Ultra C VI设备简介可兼容绝大部分湿法清洗和湿法蚀刻工艺18腔300mm Ultra C VI设备可用于聚合物去除、钨或铜工艺的清洗、沉积前清洗、蚀刻后和化学机械抛光（CMP）后清洗、深沟槽清洗、RCA标准清洗等多个前道和后道工艺。高效传输，产能最大化18腔300mm Ultra C VI设备配备了由多个机械臂组成的高效硅片传输系统，最大产能超过800片/小时。对比盛美上海现有的12腔Ultra C V设备，其腔体数及产能增加了50%，而设备宽度不变只是在长度上有少量增加。关于盛美上海盛美上海从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单片晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备和立式炉管设备的研发、生产和销售，并致力于向半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，来提升他们多个步骤的生产效率和产品良率。

从初始的晶圆到最终器件，半导体的分析一直被被认为是专家的工作，很少有分析工具可以直接作为生产过程中材料质量好坏的“决策者”。Freiberg Instruments全新的SPV是一款真正的生产工具，因为它可以在不影响工作流程速度的情况下完成工作。SPV检查生产中使用的材料的关键产率参数：无论是硅，碳化硅或其他半导体或光活性材料。SPV工具测量材料在被一个或多个光源激发时的时间分辨表面光电压响应。光源根据材料的电子特性和材料中可能与产量损失相关的已知缺陷来选择。例如，在单晶硅晶圆中，可能有许多缺陷会导致器件加工过程中的产率损失。单晶硅晶圆可能含有来源于晶体生长周期或不同设备加工步骤的高浓度氮。氮原子可以在原本完美的硅晶体中形成一个取代对，导致在硅片中形成了不好的电子状态，这可以严重影响MOS栅结构的性能。SPVcheck工具不仅可以测量这种缺陷的存在，而且还可以测量它们的近似密度。通过这种方式，晶圆批次内和晶圆批次之间的变化可以通过设备/工具到主机的接口协议进行监控和报告，并用于SPC目的。SPV是一个非常通用的工具，可以通过多种方式进行配置。它几乎可以用于任何光活性材料。可测量纳秒时间分辨的表面光电压信号，具有良好的信噪比和5-6个数量级的尺度。一次测量大约需要15-30秒，包括信号分析环路。可以输出符合各种标准，以及被测材料状态的完整测量报告。符合自动化材料处理系统(AMHS)法规和SEMI标准。【相关应用】金刚石中的电子跃迁宽禁带半导体体极化现象的非接触探测氧化镓的表征光催化材料BiVO4的研究光催化材料(TiO2)的研究与监测SiC、GaN和AlGaN的非接触表征表面光电压光谱-功率半导体研究4H-SiC的缺陷表面光电压光谱-光化学/光催化水裂解研究3C-和4H-SiC的缺陷和电荷动力学【相关产品】SPVmapSPSresearch更多有关SPV产品和应用的资讯，请联系弗莱贝格仪器（上海）有限公司！

p 　　 span 硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品都离不开硅片。 /span span 硅片行业是资金和技术密集型行业，垄断度极高，目前前四厂商市场占有率占比超过80%，分别是 /span span 日本信越、日本SUMCO、台湾环球晶圆、德国世创。 /span /p p 　　硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中。硅从原料转变为半导体硅片要经过复杂的过程：首先硅原料和碳源在高温下获得纯度约98%的冶金级硅，再经氯化、蒸馏和化学还原生成纯度高达99.999999999%的电子级多晶硅。半导体材料的电学特性对杂质浓度非常敏感，而硅自身的导电性不佳，常通过掺杂硼、磷、砷和锑来精确控制其电阻率。一般，将掺杂后的多晶硅加热至熔点，然后用确定晶向的单晶硅接触其表面，以直拉生长法生长出硅锭，硅锭经过金刚石切割、研磨、刻蚀、清洗、倒角、抛光等工艺，即加工成为半导体硅片。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片、SOI 硅片等。根据半导体尺寸分类，半导体硅片的尺寸(直径)主要有 50mm(2 英寸)、75mm(3 英寸)、100mm(4 英寸)、150mm(6 英寸)、200mm(8 英寸)、 300mm(12英寸)等规格。目前硅片生产以8英寸和12英寸为主，其中8英寸硅片主要应用于电子、通信、计算、工业、汽车等领域，而12英寸硅片多用于PC、平板、手机等领域。 /p p 　　在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。硅片检测要检查直径、厚度、弯曲、翘曲、缺陷、晶面、表面污染(有机物)、电阻率、晶面取向、氧碳含量、表面平整度和粗糙度、微量元素含量、反射率等。使用到的仪器有测厚仪、显微镜、XRD、气相色谱、X射线荧光光谱、二次离子质谱、电阻率测试仪等。 /p p style=" text-align: center " strong 硅片测试国家标准 /strong /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse:collapse border:none" align=" center" tbody tr style=" height:18px" class=" firstRow" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p strong span style=" font-family:宋体" 标准编号 /span /strong /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p strong span style=" font-family:宋体" 标准名称 /span /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T11073-2007 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片径向电阻率变化的测量方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T13388-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片参考面结晶学取向 /span span X /span span style=" font-family:宋体" 射线测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T14140-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片直径测量方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T19444-2004 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片氧沉淀特性的测定 /span span - /span span style=" font-family:宋体" 间隙氧含量减少法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T19922-2005 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T24577-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T24578-2015 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片表面金属沾污的全反射 /span span X /span span style=" font-family:宋体" 光荧光光谱测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T26067-2010 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片切口尺寸测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T26068-2018 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T29055-2019 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用多晶硅片 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T29505-2013 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30701-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射 /span span X /span span style=" font-family:宋体" 射线荧光光谱法 /span span (TXRF) /span span style=" font-family:宋体" 测定 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30859-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30860-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T30869-2014 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T32280-2015 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T32281-2015 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T32814-2016 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅基 /span span MEMS /span span style=" font-family:宋体" 制造技术基于 /span span SOI /span span style=" font-family:宋体" 硅片的 /span span MEMS /span span style=" font-family:宋体" 工艺规范 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T37051-2018 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" 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span GB/T6618-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片厚度和总厚度变化测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6619-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片弯曲度测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6620-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片翘曲度非接触式测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T6621-2009 /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片表面平整度测试方法 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 112" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span GB/T29507-2013& nbsp & nbsp /span /p /td td width=" 456" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p span style=" font-family:宋体" 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 /span /p /td /tr /tbody /table p 　　据 Gartner 预计，2017-2022 年半导体增速最快的应用领域是工业电子和汽车电子；预计2020年半导体发货总量将超过一万亿，其中增长率最高的半导体细分领域包括智能手机、汽车电子以及人工智能等。 /p p 　　需要相关标准，请到 a href=" https://www.instrument.com.cn/download/L_5DBC98DCC983A70728BD082D1A47546E.htm" target=" _self" 仪器信息网资料中心 /a 查找。 /p

3月25日，保定2010(香港)推介会在香港举行。这是自2006年起，河北省保定市提出建设“中国电谷”，打造中国可再生能源产业战略发展平台以来，第四次在香港举行投资推介会。 　　19个项目总投资额 　　达266.76亿元 　　据记者了解，此次推介会上，保定“中国电谷”共签约项目19项，总投资达266.76亿元，其中利用外资1.3亿元。 　　此次签约的19个项目涉及光伏、风电、储电等各个领域。 　　保定高新区管委会相关人士向记者介绍，此次所签项目包括：国家级重点新能源实验室项目2项，光伏项目4项、新型储能项目2项、风电项目1项、输变电、电力自动化项目3项、大型物流项目1项。 　　国内首家风电设备 　　及系统技术实验室 　　在签署的19项合作中，特别值得一提的是，由科技部批准，国电联合动力公司投资建设的风电设备及系统技术国家重点实验室是国内第一家风电设备及系统技术国家重点实验室。据记者了解，实验室包括七个平台，分别为：并网型双馈式风电整机性能试验台 电气控制系统功能测试试验台 风场远程监控SCADA系统实验室 风电叶片全尺寸型式试验台 风电复合材料理化实验室 力学性能实验室 叶片涂层实验室。 　　该实验室可对风电整机及零部件、风电叶片及材料、风电控制系统、风场监控系统等进行全面试验、检测，将有力支持联合动力的高海拔、低风速大叶片、3MW海上风机、60Hz出口型风机、电网友好型风机和5-6MW风机的设计和生产，并将在保定“中国电谷”打造中国的风电设备试验、检测中心。 　　而3000平方米的二期实验大楼计划在年底前也将建成，其中包括：叶片材料环境实验室 计量器具检验室 后固化实验室 电控实验室 整机实验室 传感器综合实验室 变桨系统实验室。 　　英利单晶硅光伏电池 　　完整产业链 　　与此同时，英利能源(中国)有限公司将于2010年在保定高新区建设年产能为300兆瓦的“熊猫”单晶硅光伏电池完整产业链生产线，包括单晶硅铸锭、切片、电池制造和组件封装等环节。英利集团将通过该扩产项目实现“熊猫”高效电池的规模化生产。 　　“熊猫”高效电池，采用N型硅材料，超薄硅片，电池双面发电，预计2010年年底实现规模化生产之后，电池的平均转换效率将至少达到18.5%，属于当前最先进的光伏转换技术。英利集团依托“熊猫计划”，加上现有的600兆瓦产能，以及在建的海南100兆瓦产能，公司总产能将在2010年年底达到1000兆瓦。 　　该扩产项目的完成，不仅能够满足市场对英利产品的强劲需求，还能够通过电池转换效率的提高和生产规模的扩大，进一步降低产品成本，提升竞争优势。 　　据记者了解，该“熊猫”高效电池是由英利绿色能源与荷兰能源研究中心(ECN)和光伏电池生产设备和自动化系统供应商阿姆泰克(Amtech)公司联合研发。 　　保定中国电谷的名片 　　目前，“中国电谷”建设主体保定高新区不但是“国家新能源与能源设备产业基地”(科技部批设，国家唯一)，还是“国家可再生能源产业化基地”(科技部批设，国家唯一) 创造出了“中国第一座太阳能光伏电站与五星级酒店一体化建筑”、“中国第一块240Kg太阳能电池硅锭”、“第一片大功率风力发电叶片”、“第一个风电叶片研发中心”、“第一台大型风电整机传动检测平台”等。 　　在保定高新区，生产规模国内最大、全球第二(亚洲第一)的中航惠腾风电设备有限公司，是国内唯一拥有自主知识产权、受到国家叶片制造企业 天威集团是国内唯一能生产高电压大容量壳式变压器的产家，是中国核电工程唯一合格供货商，是中国唯一一家掌握移相变压器技术的企业。 　　而如今的保定市已有90%的主要路段、85%的游园绿地、包括全部的交通信号灯和部分居民小区，都完成了太阳能应用的改造。目前，该市每年可以节电1835万度，减排二氧化硫549吨。此外，保定市还成为全球性保护组织世界自然基金会“中国低碳城市发展项目”的首批两个试点城市之一。

压力是工业生产中的重要参数，如高压容器的压力超过额定值时便是不安全的，必须进行测量和控制。在某些工业生产过程中，压力还直接影响产品的质量和生产效率，如生产合成氨时，氮和氢不仅须在一定的压力下合成，而且压力的大小直接影响产量高低。此外，在一定的条件下，测量压力还可间接得出温度、流量和液位等参数。伴随经济、技术的进步，压力测试在实际的生产工作中发挥着至关重要的左右，为生产活动提供了大量有价值的参考信息，使生产和科研活动的质量和效率都得到了实质性的提升。而压力测量仪表是用来测量气体或液体压力的工业自动化仪表，又称压力表或压力计。压力测量仪表按工作原理分为液柱式、弹性式、负荷式和电测式等类型。类别原理仪器种类液柱式根据流体静力学原理，将检测压力转换成液柱高度进行测量U形管压力计、单管压力计、斜管压力汁等弹性式利用各种形式的弹性元件，在被测介质的作用下,使弹性元件受压后产生弹性形变的原理弹簧管压力计、波纹管压力计及膜片式压力计等电测式将压力转换成电信号进行传输及显示电阻式压力计、电容式压力计、压电式压力计和压磁式压力计等负荷式直接按照压力的定义制作。这类压力计误差很小，主要作为基准仪表使用常见的有活塞式压力计、浮球式压力计和钟罩式压力计仪器信息网特盘点各类常见压力检测仪器，以供读者参考。液柱式压力计 液柱式压力计是利用液柱所产生的压力与被测压力平衡,并根据液柱高度来确定被测压力大小的压力计。所用的液体叫封液——水,酒精,水银等. 液柱式压力计结构简单，灵敏度和精确度都高，常用于校正其他类型压力计，应用比较广泛。液柱式压力计按照结构形式可大致分为U形管压力计、单管压力计、斜管压力汁等。U形管压力计是根据流体静力学原理用一定高度的液柱所产生的静压力平衡被测压力的方法来测量正压、差压和负压既真空度的。由于其结构简单、坚固耐用、价格低廉、使用寿命长若无外力破坏几乎可永久使用、读取方便、数据可靠、无需外接电力既无需消耗任何能源。故在工业生产各科研过程中得到非常广泛的应用，广泛用于测量风机和鼓风机的压力、过滤器阻力、风速、炉压、孔压差、气泡水位、液体放大器或液压系统压力等，也可用于燃烧过程中的气比控制和自动阀门控制，以及医疗保健设备中的血压和呼吸压力监测。斜管压力计 在测量微小压差时，由于h值较小，用U形管或单管液柱式压力计测量时的相对误差极大，此时可休用斜管式压力计，斜管式压力计分墙挂式和台式两种。　　在许多实验中往往需要同时测量多点的压力，例如压力分布实验。这时就要采用多管式压力计，多管式压力计的工作原理与斜管压力计相同，实际就是多根斜管压力计，由于多管压力计各测压管的内径不可能一样，因此，由毛细现象所造成的各测压管的初读数也不一致，测量前必须读出每根测压管的初读数，并作适当的修正。弹簧管压力计 弹簧管压力计又称波登管压力计。它是一种常见的也是应用最广泛的工程仪表，主要组成部分为一弯成圆弧形的弹簧管，管的横切面为椭圆形，作为测量元件的弹簧管一端固定起来，通过接头与被测介质相连，另一端封闭，为自由端，自由端借连杆与扇形齿轮相连，扇形齿轮又和机心齿轮咬合组成传动放大装置。当被测压的流体引入弹簧管时，弹簧管壁受压力作用而使弹簧管伸张，使自由端移动，其移动距离与压力大小成正比，或者带动指针指示出被测压力数值，适用于对铜合金不起腐蚀作用的气体和液体。波纹管压力计 波纹管压力计的波纹管由金属片折皱成手风琴风箱状，当波纹管轴向受压时，由于伸缩变形产生较大的位移，故一般可在其自由端安装传动机构，带动指针直接读数，从而测量出介质压力。波纹管压力计可广泛应用于石油、化工、矿山、机械、电力及食 品行业，直接测量不结晶体，有腐蚀性的气体、液体的压力。波纹管压力计的特点是低压区灵敏度高，常用于低压测量，但迟滞误差大，压力位移线性度差，精度一般只能达到1.5级，常在其管内安装线性度较好的螺旋弹簧。膜片式压力计 膜片压力计适用于测量无爆炸危险、不结晶、不凝固、有较高粘度，但对铜和铜合金无腐蚀作用的液体、气体或蒸汽的压力。 膜片压力计耐腐蚀性能取决于膜片材料。不锈钢耐腐膜片压力计的导压系统和外壳等均为不锈钢，具有较强的耐腐蚀性能。主要用于化学、石油、纺织工业对气体、液体微小压力的测量，尤其适用于腐蚀性强、粘稠介质（非凝固非结晶）的微小压力测量。 膜片压力计的工作原理是基于弹性元件(测量系统上的膜片)变形。在被测介质的压力作用下，迫使膜片产生相应的弹性变形——位移，借助连杆组经传动机构的传动并予放大，由固定于齿轮上的指针将被测值在度盘上指示出来。压阻式压力计 压阻式压力计是基于单晶硅的压阻效应而制成。采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于腔内。当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成正比的变化，再由桥式电路获相应的电压输出信号。 具体来讲，当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形，使载流子从一个能谷向另一个能谷散射，引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计，前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化，而且前者的灵敏度比后者大50～100倍 压阻式压力计是电阻式压力计的一种。采用金属电阻应变片也可制成压力计，测量原理以金属的应变效应为主。电容式压力传感器 电容式压力传感器，是一种利用电容敏感元件将被测压力转换成与之成一定关系的电量输出的压力计。特点是，输入能量低，高动态响应，自然效应小，环境适应性好。 电容式压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。压电式压力传感器 压电式压力传感器是基于压电效应的压力传感器。它的种类和型号繁多，按弹性敏感元件和受力机构的形式可分为膜片式和活塞式两类。膜片式主要由本体、膜片和压电元件组成。压电元件支撑于本体上，由膜片将被测压力传递给压电元件，再由压电元件输出与被测压力成一定关系的电信号。 这种传感器的特点是体积小、动态特性好、耐高温等。现代测量技术对传感器的性能出越来越高的要求。例如用压力传感器测量绘制内燃机示功图，在测量中不允许用水冷却，并要求传感器能耐高温和体积小。压电材料最适合于研制这种压力传感器。目前比较有效的办法是选择适合高温条件的石英晶体切割方法。而LiNbO3单晶的居里点高达1210℃，是制造高温传感器的理想压电材料。压磁式压力传感器 压磁式压力传感器是利用铁磁材料的压磁效应制成的，即利用其将压力的变化转化成导磁体的导磁率变化并输出电信号。压磁式的优点很多，如输出功率大、信号强、结构简单、牢固可靠、抗干扰性能好、过载能力强、便于制造、经济实用，可用在给定参数的自动控制电路中，但测量精度一般，频响较低。 所谓压磁效应就是在外力作用下，铁磁材料内部发生应变，产生应力，使各磁畴之间的界限发生移动，从而使磁畴磁化强度矢量转动，因而铁磁材料的磁化强度也发生相应的变化，这种由于应力使铁磁材料磁化强度变化的现象，称为压磁效应。 若某一铁磁材料上绕有线圈，在外力的作用下，铁磁材料的导磁率发生变化，则会引起线圈的电感和阻抗变化。当铁磁材料上同时绕有激磁绕组和测量绕组时，导磁率的变化将导致绕组间耦合系数的变化，从而使输出电势发生变化。通过相应的测量电路，就可以根据输出的量值来衡量外力的作用。霍尔式压力计 霍尔式压力计是利用霍尔效应制成的压力测量仪器。当被测压力引入后，弹簧管自由端产生位移，从而带动霍尔片移动，改变了施加在霍尔片上的磁感应强度，依据霍尔效应进而转换成霍尔电势的变化，达到了压力一位移一霍尔电势的转换。 霍尔压力计应垂直安装在机械振动尽可能小的场所，且倾斜度小于3°。当介质易结晶或黏度较大时，应加装隔离器。通常情况下，以使用在测量上限值1/2左右为宜，且瞬间超负荷应不大于测量上限的二倍。由于霍尔片对温度变化比较敏感，当使用环境温度偏离仪表规定的使用温度时要考虑温度附加误差，采取恒温措施（或温度补偿措施）。此外还应保证直流稳压电源具有恒流特性，以保证电流的恒定。活塞式压力计 活塞式压力计又称为静重式压力计，是利用流体静力平衡原理及帕斯卡定律工作的的一种高准确度、高复现性和高可信度的标准压力计量仪器。 流体静力平衡是通过作用在活塞系统的力值与传压介质产生的反作用力相平衡实现的。活塞系统由活塞和缸体（活塞筒）组成，二者形成极好的动密封配合。活塞的面积（有效面积）是已知的，当已知的力值作用在活塞一端时，活塞另一端的传压介质会产生与已知力值大小相等方向相反的力与该力相平衡。由此，可以通过作用力值和活塞的有效面积计算得到系统内传压介质的压力。在实际应用中，力值通常由砝码的质量乘以使用地点的重力加速度得到。 活塞式压力计也常简称活塞压力计或压力计，也有称之为压力天平，主要用于计量室、实验室以及生产或科学实验环节作为压力基准器使用，也有将活塞式压力计直接应用于高可靠性监测环节对当地其它仪表的表决监测。浮球式压力计 浮球式压力计是以压缩空气或氮气作为压力源，以精密浮球处于工作状态时的球体下部的压力作用面积为浮球有效面积的一种气动负荷式压力计。 压缩空气或氮气通过流量调节器进入球体的下部，并通过球体和喷嘴之间的缝隙排入大气。在球体下部形成的压力将球体连同砝码向上托起。当排除气体流量等于来自调节器的流量时，系统处于平衡状态。这时，球体将浮起一定高度，球体下部的压力作用面积（即浮球的有效面积）也就一定。由于球体下部的压力通过压力稳定器后作为输出压力，因此输出压力将与砝码负荷成比例。钟罩式压力计 钟罩式压力计的作用原理，是直接从压强定义出发，用一台天平对压力在液封受力器上 的垂直作用力F进行测定。这个受力器是一只几何形状有一定要求的钟罩，根据对钟罩几何 尺寸的精密测量和理论分析，求出其受力有效面积S后，待测压强p可由公示p=F/S求出。 因为钟罩式压力计有独特的结构原理，并具有、足够高的精度，这就可以通过与其他基准压力仪器比对，发现未知的系统误差。同时，钟罩式压力计在测量压强差时，其单端静压强可以根据需要调整，直至单端压强为零，即可以测量绝对压强。另外，该仪器还具有操作简单、受外界干扰小等优点。在高新科技快速发展的现今，静态的压力测量方法已获得了较大的优化，成为了各领域中常用的测量体系，并逐渐朝着动态的压力校准趋势发展。由此，相关技术人员针对压力计量检测方法的进步展开了深入的探究。简而言之，压力计量检测的未来趋势表现在测试精度等级、测试响应速率、测试可靠性与智能化水平这几个方面的提高。比如，在活塞式仪表测试中融进了智能加码与操作部位激光监测方法，如此不仅提升了检测效率，并且提高了测试的精准性，同时为绝压式仪表与活塞式仪表智能测试体系的进步打下了良好的基础。针对数字式仪表及压力变送器和压力传感器等设备的量传任务有了精良的全智能压力控制其能够用作量传标准，利用1台控制器配置若干个压力模块能够操作许多量程范围，随意确定测试点的高精度检测任务，而且能够选用气介质来工作，如此防止了采用液体介质在检测压力时引起的诸多问题，大幅度提升了数字式仪器的测试效率与智能化程度。

中国经济新闻网成都讯 9月27日，天威新能源控股有限公司技术中心在成都双流正式揭牌，该中心的成立标志着新天威能源进入了新的发展阶段，该中心也是在中国新能源光伏行业里，国有企业中第一家与世界接轨的技术中心，对推动中国太阳能光伏行业发展和把成都建设成为国家级新能源产业基地具有重大意义。 　　据了解，作为成都打造国家级新能源基地的龙头企业——天威新能源公司，今年销售收入将达40亿元，到2015年将达200亿元。该公司作为西部“转方式、调结构”的典型在推动产业升级，转变发展方式，发展低碳产业上也做出了相应贡献。 　　揭牌当天，记者了解到，天威新能源控股公司技术中心已建成的研发大楼面积近4000平方米，已配备或正在配备国际最顶尖的光伏检测和实验设备，包括洁净室的面积达2000平方，以及来自美国GT和Spire、瑞士HCT、德国RENA和Roth&Rau、荷兰Tempress、意大利Baccini、美国PV Measurement光谱响应仪、荷兰Sunlab Core Scan、匈牙利 Semilab及 WT-2000PVN少子寿命测试仪、美国 Thermo-Fisher红外傅里叶变换光谱仪等世界一流的研发设备。这些先进的仪器和设备能够满足从硅片到组件整个的太阳能产业链的研发的工作需要，为从事国际领先水平的科研活动奠定了坚实的硬件基础。 　　据介绍，天威新能源控股有限公司是天威集团在西南地区投资最大的新能源企业之一，位于成都双流西南航空港经济开发区，占地约1000亩，总投资约125亿元，是一家专业从事晶体硅硅片、光伏电池、光伏组件、光伏系统工程及光伏应用产品的研究、生产、销售和服务的高科技国际化企业，拥有六个子公司，即天威新能源(成都)硅片有限公司、电池有限公司、光伏组件有限公司、光伏材料有限公司、天威(成都)太阳能热发电开发有限公司、美国HOKU公司。 　　另据了解，该公司规划分为三期实施，一期投资18亿元，主要建设多晶硅片200MW，晶体硅电池100MW，光伏组件100MW，一期已于2009年6月全部投产 二期项目投资26亿元用于建设多晶硅片300MW，电池片400MW，光伏组件100MW和光伏技术研发中心，二期项目将于2010年底建成投产 三期主要建设多晶硅硅片500MW，单晶硅硅片500MW，晶体硅电池片1000MW，光伏新型组件300MW和其他光伏产业相关项目。三期项目达产后将形成硅片、电池各1.5GW产能，实现从晶体硅片加工、晶体硅电池片到光伏组件、光伏电站组成的产业链和完整的光伏产业群，年销售收入达到200亿元以上。天威新能源作为新能源的国家队，目标到2015年成为全球新能源的领军企业之一。 　　世界太阳能之父马丁• 格林教授表示，希望与天威新能源进一步就科技研发、前沿科技等领域加强沟通、交流与合作，为推动世界光伏太阳能科技进步和可再生资源的广泛应用作出贡献。

这两天，一条题为“特朗普以国家安全为由终止半导体巨头博通收购高通” 的新闻，在半导体行业圈引起了热议，因为这笔交易如果达成，将是半导体行业迄今最大的一笔收购。 为什么此行业会让美国总统特朗普都如此关注呢？就让小编给您简单分析一下，并带来我们为您准备的一大波干货吧。通俗地说，我们日常生活中的电视机、电脑及时刻不离手的手机中的核心单元都和半导体有极为密切的关联。 在《国家集成电路产业发展推进纲要》和国家集成电路产业投资资金的推动下，中国半导体市场已成为全球增长引擎。半导体之于集成电路，如同土地之于城市。世界各国都把集成电路产业作为战略性产业来对待，竞相投入大量的人力、物力和资金。所以，很多观点认为，如果特朗普不制止这项收购计划，博通收购高通后将一家独大，这将严重影响美国在该领域的技术进步速度，可能导致美国今后在移动通讯领域的国际竞争中处于下风。但是，对国家经济发展非常重要的半导体行业却面临一些技术难题，如单晶硅锭和晶圆的品质、清洗剂和刻蚀剂中的离子态杂质、金属杂质、有机物杂质等，会使生产良率受到影响，从而导致经济效益下降。 赛默飞可为半导体及相关行业的关键环节提供技术支撑及完整解决方案，如痕量金属元素及无机元素杂质检测方案、痕量离子态杂质检测方案、RoHS解决方案、环境安全解决方案，全方位满足分析需求。 在正举办的中国国际半导体设备和材料展（ SENICON CHINA）上，赛默飞推出了新品Thermo Scientifi-c™ iCAP™ TQs ICP MS。 电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）可以轻松实现高纯试剂（清洗剂和刻蚀剂）中痕量元素杂质实验室和在线分析、单晶硅锭和晶圆中痕量元素分析、wafer 表面痕量元素分析 及RoHS 指令中铅（Pb）、镉（Cd）、汞（Hg）、六价铬（Cr ( VI )）等重金属元素的测定。 而iCAP TQs ICP MS是信誉卓著的iCAP TQ ICP-MS的专用半导体版本。它提供了超高纯度化学品中快速、可靠和可重复的低水平污染物测量，以支持先进半导体生产过程的自动化在线监测和统计过程控制。在一个高性能解决方案中提供了新的超低检测水平和简单性。有了这个新系统，如今将化学分析从实验室移到工厂成为可能，并支持对化学浴进行在线控制，从而优化响应时间。 提问iCAP TQs ICP-MS功能如此强大，能解决哪些技术难题呢？01痕量金属及无机元素杂质检测方案 （1）VPD 溶液的分析气相分解- 电感耦合等离子体质谱联用（VPD-ICP-MS）法，具有业界所需的检测限和稳定性，测试结果快速可靠，广泛应用于硅晶片的测试，硅晶片的纯度一般要求在99.9999999%以上。纯度要求如此之高，这就到了ICP-MS 大显身手的时候了！VPD 样品中含有高含量的酸和硅基体，并且目标检测元素的含量通常也非常低，由于基体溶液会产生大量的多原子离子干扰（如表一所示），所以说VPD 溶液的测试是极具挑战性的。为了得到更加精确的结果，干扰的去除是非常必要的，比如使用串接式等ICP-MS，高分辨ICP-MS 和使用碰撞反应池等技术。 （2）半导体级异丙醇的分析异丙醇（IPA）用清洗硅片的溶剂时，会与硅片表面直接接触，因此，必须控制其痕量金属杂质浓度。采用灵敏高的ICP-MS 技术直接分析IPA 可为IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制，并避免由样品制备引起的污染。ICAP TQs ICP-MS 结合了三重四极杆和冷等离子体技术，该高度灵活的方法实现了半导体行业分析所需的超痕量背景等效浓度（BEC）和检测限（LOD）。校正数据图 4 显示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲线。采用校正标准品在 ngL-1 级水平范围内测得的校正曲线呈现出优异的线性和灵敏度。通过三重四极杆模式和冷等离子体得到改善的干扰去除可实现更具挑战性分析物的低背景噪声。 02 RoHS 解决方案赛默飞为RoHS指令中的有害物质多溴联苯、多溴二苯醚阻燃剂、邻苯二甲酸酯和多环芳烃等有害物质的测定提供加速溶剂萃取（ASE）前处理、气相色谱（GC）、气相色谱- 质谱联用仪（GC-MS）和高效液相色谱仪（HPLC）等检测技术，并提供原子吸收光谱仪（AAS）、电感耦合等离子发射光谱仪（ICP-OES）、电感耦合等离子体- 质谱仪（ICP-MS）和离子色谱仪（IC）用于测定镉、铅和汞，分离并测定六价铬。具体详情可参考《RoHS 指令检测产品及技术——色谱质谱及光谱仪综合解决方案》或与我们联系。

科技部网站近日发布《关于下达2013年度有关国家科技计划项目的通知》。按照《国家科技计划管理暂行规定》和《国家科技计划项目管理暂行办法》的有关规定，科技部公布2013年度国家星火计划、火炬计划、重点新产品计划和软科学研究计划立项项目清单，多家上市公司、上市公司子公司或控股股东入围。 　　进入2013年度国家火炬计划立项项目包括久其软件集团企业财务集中管理平台项目、恒泰艾普数字地震波实验室项目、北京利尔无碳刚玉尖晶石钢包工作衬项目、雪迪龙烟气重金属汞在线监测系统项目、长城汽车GW4C20增压直喷汽油机研发及产业化项目、太钢不锈堆内构件用不锈钢板制造工艺技术开发及应用项目、东北制药全合成黄连素新工艺技术改造及产业化项目、沈阳机床控股股东沈阳机床(集团)有限责任公司FBC系列落地式铣镗加工中心项目、雅本化学新型抗癫痫药物左乙拉西坦的工业化生产研究项目、网宿科技智能网站加速系统项目、中超电缆ABC架空绝缘电缆项目、林洋电子宽电压高可靠性三相智能电能表项目等。 　　进入2013年度国家星火计划立项项目包括恒顺醋业葛根有效成分提取及葛根醋饮料发酵关键技术及产业化项目、横店东磁太阳能单晶硅片DM125-165研发及产业化项目等。

乘风“碳中和”| 发展新能源---光伏材料的金属元素检测方案王英光伏技术Photovoltaics在我国“力争2030年前实现碳达峰，2060年前实现碳中和”的目标指引下，能源低碳转型步入长发展周期，光伏、风电作为可再生能源将逐渐取代传统化石能源。我国当前光伏、风电总装机容量在2-3亿千瓦，到2030年将达到12亿千瓦，未来的零碳城市将随处可见光伏技术。 光伏产业链主要由硅料环节、硅片环节、电池环节、电池组件环节以及应用产品环节组成，其中硅片是太阳能电池最重要的材料。硅片材料以及其它应用在太阳能电池的相关辅料如光伏玻璃的纯度直接影响到太阳能电池的性能和寿命。 图片来自百度百科 赛默飞不断开发光伏材料中的金属离子的检测方案，为太阳能电池材料及重要部件的纯度保驾护航。从上游晶体硅原料到光伏组件，帮助客户建立完整的质量控制体系。 ICP-OES 测定工业硅中的磷、硼及其它金属元素工业硅通常情况下作为生产高纯度多晶硅和单晶硅的原材料，对其杂质元素含量的准确测定成为控制最终成品质量的重要保障，基于工业硅样品中磷、硼元素存在易挥发损失造成回收率偏低的特殊性质，赛默飞采用iCAP PROSeries ICP-OES法建立工业硅样品中磷、硼以及其它金属元素准确可靠的分析检测方法。 iCAP™ PRO ICP-OES iCAP PRO Duo ICP-OES的水平和垂直观测模式以及耐氢氟酸进样系统，对于硅粉样品中的多种杂质元素进行测定，其快速、简单、准确的特点，完全满足于工业硅样品中磷、硼、钙、铁等杂质元素的日常检测需求。 ICP-MS测定光伏玻璃中的痕量杂质光伏玻璃的主要原料成分包括石英砂、纯碱。石英砂主要是起着网络形成体的作用，用量通常占据玻璃组分的大半，由于晶硅太阳能电池本身机械强度差，容易破裂，空气中的水分和腐蚀性气体会逐渐氧化和锈蚀电极，无法承受露天工作的严酷条件，为此，太阳能电池通常采用光伏玻璃通过 EVA 和背板进行封装，这样既可保护电池不受水气侵蚀、阻隔氧气防止氧化、耐高低温、还具有良好的绝缘性和耐老化性能，光伏玻璃必须具备良好的透光率，因此对于杂质含量的控制具有严格的限制。 iCAP™ ICP-MS 赛默飞的iCAP RQ ICP-MS可以测定ppb级的Ca Co Cr 等10多种金属杂质。其一键仪器设置和直观分析工作流程，为操作人员简化了实验步骤并避免出错，同时自动和记录监控仪器状态，确保了操作的一致性和结果的重现性。 总结： 光伏在双碳政策的激励下，会进入长足的发展。赛默飞为客户提供痕量金属离子解决方案，助力光伏产业大发展。 扫描下方二维码即可获取赛默飞全行业解决方案，或关注“赛默飞色谱与质谱中国”公众号，了解更多资讯+

近日，内蒙古自治区科学技术厅发布了2023年内蒙古自治区新能源装备科技创新重大示范工程“揭榜挂帅”技术榜单，以充分利用全国范围的优势创新资源解决关键技术难题。内蒙古自治区新能源装备科技创新重大示范工程“揭榜挂帅”项目技术榜单序号榜单项目拟实施期限财政预算投入1适应宽范围功率波动的千标方级电解水制氢关键装备研制与示范应用不超过3年1000万元2高效N型单晶硅棒硅片产品全序提效降本关键技术研究及示范应用不超过3年1000万元3基于高温储热的热功转换发电系统研究与示范不超过3年900万元4超大规模中高温热超导相变储能装备技术开发不超过3年800万元5STATCOM集成储能关键技术研究及样机研制不超过3年600万元6固态储氢材料产业化技术开发及其应用不超过3年600万元7全气候下高安全长续航智能零碳动力电池研发不超过3年600万元揭榜方应组建创新联合体申报。创新联合体原则上由内蒙古自治区注册、创新资源整合能力强的行业企业牵头组建，须联合国内相关企业、高等学校、科研院所或其他组织机构等多个独立法人单位组成，经内蒙古自治区科技厅备案有效。创新联合体牵头企业应处于行业领军或骨干地位，高等学校、科研院所应在合作技术领域具有前沿水平，成果转移转化、科技金融、科技服务等相关机构可参与创新联合体建设。资金由揭榜方企业和财政科技资金共同投入，推动示范工程的重点产品和重大成果应用推广。原则上企业自筹资金与财政科技资金比例不低于2:1，财政支持经费分两个年度滚动支持。延伸阅读：关于发布2023年内蒙古自治区新能源装备科技创新重大示范工程“揭榜挂帅”技术榜单的通知附件：附件1.内蒙古自治区新能源装备科技创新重大示范工程“揭榜挂帅”项目技术榜单.docx附件2.技术攻关类“揭榜挂帅”项目实施方案.docx

上海，2021年3月8日— 以“跨界全球 心芯相联”为主题，SEMICON China 2021 将于2021年3月17-19日在上海新国际博览中心N1-N5、T1-T3和E7馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，囊括当今世界上半导体制造领域主要的设备及材料厂商，共同探讨前沿技术，一同进步。 盛会期间，电子仪器与机电设备的全球领导者阿美特克携旗下众品牌联合参展，共同入驻 N5.5489 展位，带来高效的半导体行业解决方案，覆盖材料分析、超精密测量、材料阻隔性、温度测量、精密运动控制、封装材料、高纯气体分析等，应用涉及从单晶硅片等基材制造，前道工艺、后道工艺，到过程控制与检测等环节。 届时，我们有各品牌的行业专家与到访嘉宾进行学术交流和科研分享，无法亲临展台的客户可提前关注阿美特克微信公众号预约直播，3月17日和18日带你云端逛阿美特克展台。期间，来自阿美特克材料分析部门、超精密测量部门、过程与分析部门、精密运动控制部门、电力系统与仪表部门、测试测量与部门的13个子品牌负责人将为您带来阿美特克半导体行业解决方案介绍。 3月17日 14:00-15:00：CAMECA、NU INSTRUMENTS、GATAN & EDAX 3月18日 10:00-11:00，超精密测量 - 材料阻隔性 - 高纯气体分析 （ZYGO、TAYLOR HOBSON和TMC、MOCON、PROCESS INSTRUMENTS） 3月18日 14:00 -15:00：精密运动控制 - 老化测试 - 力学测试 （HAYDON KERK PITTMAN、PROGRAMMABLE POWER、STC、ATLAS）识别下方二维码，提前关注直播内容 欢迎大家莅临阿美特克展位N5.5489，现场签到领取精美礼品。 关于阿美特克阿美特克是电子仪器和机电设备的全球领导者，年销售额约为50亿美金。为材料分析、超精密测量、过程分析、测试测量与通讯、电力系统与仪器、仪表与专用控制、精密运动控制、电子元器件与封装、特种金属产品等领域提供技术解决方案。全球共有18,000多名员工，150多家工厂，在美国及其它30多个国家设立了100多个销售及服务中心。

SEMICON China 2021 将于2021年3月17-19日在上海新国际博览中心N1-N5、T1-T3和E7馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，囊括当今世界上半导体制造领域主要的设备及材料厂商，共同探讨前沿技术，一同进步。01品牌联盟，首次联合参展阿美特克半导体品牌联盟，首次联合参展，届时将为大家现场分享完善的半导体行业先进技术解决方案。1时间：2021年3月17-19日2展馆： 上海新国际博览中心3展位： N5.5489阿美特克——电子仪器和机电设备的全球领导者，深耕半导体行业多年，深入渗透半导体产业链，涵盖过程控制与检测，精密运动控制、封装材料，超精密测量、材料阻隔性、温度测量，材料分析，老化测试以及力学测试等不同应用领域，覆盖半导体单晶硅片等基材制造，前道工艺、过程控制与检测以及后道工艺等。02展会现场直播还在为不能到现场而遗憾吗？阿美特克懂你！阿美特克线上云直播，2021年3月17-19日每天14：00开始，连续3天，每天半个小时，让你亲临现场！识别下方二维码，提前关注直播内容03网络研讨会想要了解更多怎么办？不用急！展会之后，我们有专业的工程师线上为大家详细讲解半导体行业解决方案！内容预告，请关注“阿美特克”微信公众号04现场下载资料礼包此次展会，我们准备充分，我们诚意满满，除了带来半导体行业解决方案，展会现场直接扫码还可以直接下载资料礼包噢干货满满~温馨提示：详情可以直接咨询现场工作人员~05展区位置

自去年4月挂牌以来，“链主”企业带动各重点项目加速推进，实现强链、补链、延链近30家“上下游”集聚市精密仪器仪表产业园机械臂翻转挥舞，扫描汽车车身，在电脑上实时生成虚拟车身的彩图……在海克斯康青岛双智赋能中心，覆盖重工能源、轨道交通、航空航天等领域，涉及设计研发、生产加工、生产运维等产品全生命周期高精度质量验证正在上演。日前，海克斯康制造智能技术（青岛）有限公司的“基于数据和模型的质量综合管控方案”，入选工业和信息化部公布的2023年度智能制造系统解决方案揭榜挂帅项目名单。作为青岛市精密仪器仪表产业的“链主”企业，位于青岛市精密仪器仪表产业园内的海克斯康拥有全球测量精度最高、测量范围最大和产品线最广的计量产品和方案，在工业传感器领域和工业软件领域拥有多项全球首创产品及“世界之最”测量技术。在“链主”企业的带动下，精密仪器仪表产业实现强链、补链、延链，市精密仪器仪表产业园自2023年4月挂牌以来，目前已集聚上下游重点企业近30家，包括海克斯康及微电机检测系统连续5年国内排名第一的艾普智能等，助力青岛市仪器仪表集群入选首批山东省先进制造业集群名单。作为市精密仪器仪表产业园的一支重要创新力量，青岛艾普智能仪器有限公司拥有电机测试相关知识产权50余项，斩获国家级专精特新“小巨人”企业、山东省制造业单项冠军企业等荣誉。“制造业的高质量发展离不开高标准检测。我们的设备可替代传统耗时、有损质量检测方式，实现高效、无损检测。比如原来生产1万个电机，需要随机抽取100个进行盐水浸泡，增加导电性，用以检测电机是否存在问题。这会造成极大的浪费，也不能确定产品是否全部合格。而通过真空测试设备，可以实现全部产品无损检测，大大降低了检测成本。”在青岛艾普智能仪器有限公司，该企业相关负责人介绍，艾普智能研发的真空测试设备，可以在极低的大气压下测试汽车、空调压缩机等，检测出产品是否存在绝缘性不足等问题。该真空测试设备目前已广泛应用于新能源汽车压缩机电机、家用电器压缩机电机、水泵电机等领域，可以较好匹配生产线批量生产检测、实验室、电机检修等场景，是电机单点检测难题的一大突破，填补了行业空白。把握硅片代工优质赛道新机遇，位于产业园内的高测股份以“精密”的自主核心技术，迅速拓展硅片切割加工服务项目。目前，该企业硅片切割加工服务项目总规划产能102GW（吉瓦）。据悉，高测股份是国内领先的高硬脆材料切割设备和切割耗材供应商，主要面向光伏行业生产厂商提供硅棒至硅片“截断、开方、磨抛、切片”环节的系统解决方案。该企业凭借“单晶硅金刚线切割关键技术与光伏切割装备创新研发”项目，荣获2023年度山东省科学技术进步奖二等奖。聚焦精密仪器仪表集群发展，青岛市级层面出台了精密仪器仪表产业园发展若干政策，从加速优质项目集聚、支持企业规模化发展、支持企业加强科技创新、鼓励产品推广应用等方面给予支持。其中，对满足条件的企业和项目，竣工投产后按照设备投资的20%给予最高1000万元的一次性奖补。“我们组建了专业招商团队，2023年先后赴北京、上海、广州、深圳等16个城市及日本、韩国、德国、英国、瑞士等地，走访调研企业125次。”青岛高新区相关负责人介绍。同时，设立了总规模7.25亿元的产业基金，财通汇科基金等4支产业基金首期出资已到位，并完成对木牛科技等企业的投资。（青岛日报/观海新闻记者 周伟）

p 　　半导体材料是半导体产业的基石，在集成电路芯片制造过程中，每一个步骤都需要用到相应的材料，如光刻过程需要用的光刻胶、掩膜版，硅片清洗过程需要用的各种湿化学品，化学机械平坦化过程需要用的抛光液和抛光垫等，都属于半导体材料。 /p p 　　半导体产业强大如韩国，在2019年7月日本对其限制三种半导体材料“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”出口之后，也曾陷入恐慌状态。足以可见，半导体材料的重要性。 /p p 　　国内对半导体材料的依存度在60%以上! /p p 　　半导体材料主要包括半导体制造材料与半导体封测材料。今年4月，国际半导体产业协会公布2019年全球半导体材料市场销售额为521.2亿美元，其中，晶圆制造材料的销售额为328亿美元，半导体封装材料的销售为192亿美元。 /p p 　　SEMI报告还指出，分区域来看，中国台湾、韩国、中国大陆、日本、北美、欧洲半导体销售额分别为113.4亿美元、88.3亿美元、86.9亿美元、77.0亿美元、56.2亿美元、38.9亿美元，分别占全球半导体材料市场份额的22%、17%、17%、15%、11%、17%。中国大陆是2019年各地区中唯一实现正增长的半导体材料市场，销售规模位居第三。但是，对于中国大陆市场而言，一方面是不断增长的销售规模，另一方面也面临着巨大的国产半导体材料缺口。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 299px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202006/uepic/22641996-ebd3-4ead-80c1-c881ce66bd2b.jpg" title=" 半导体材料.jpeg" alt=" 半导体材料.jpeg" width=" 600" height=" 299" border=" 0" vspace=" 0" / 　　 /p p 　　目前全球半导体制造材料基本被美日等公司垄断。如全球硅片市场中，日本信越化学、日本 SUMCO、德国Siltronic、中国台湾环球晶圆、韩国SK Siltron的市场份额分别为27.58% 、24.33%、14.22%、16.28%、10.16%，共占据超过90%市场份额 光刻胶市场则主要由日本合成橡胶、东京应化、美国陶氏、住友化学、富士胶片垄断 CMP 材料主要由美国陶氏、卡伯特微电子、日本 Fujimi 垄断等。 br/ /p p 　　在美日公司占据优势的情况下，虽然目前各大主要品类的半导体材料领域均有国内企业涉足，但整体对外依存度仍在60%以上，特别地，大硅片、靶材、CMP 抛光垫、高端光刻胶等半导体材料对外依存度高达90%以上。 /p p 　　就以大硅片为例，目前国内有上海新昇等少数企业实现12 英寸大硅片量产，国产化率也仅约10% 光刻胶也仅有少数企业布局ArF、KrF光刻胶，尚无企业涉及EUV光刻胶 靶材对外依存度仍然高于90% 电子特气国产化率约25% 湿化学品国产化率约25%。 /p p 　　 strong 半导体材料国产化进程在加速 /strong /p p 　　在超高的国外依存度面前，国内对半导体材料的需求却与日俱增。 /p p 　　一方面，受益于国内晶圆厂的大量投建，以及5G商用落地后带来的需求增量，国内半导体材料的需求将加速增长。据SEMI估计，2017-2020年全球将有62座新晶圆厂投产，其中26座坐落中国大陆，占总数的42%。半导体材料属于消耗品，国内晶圆厂数量的增加，将带动半导体材料需求的增长。 /p p 　　另一方面，半导体设备国产化，也将推动半导体材料的国产化进程。此外，近期国家新提出的“新基建”项目也提供了中国半导体材料发展的好机会。 /p p 　　为了加速半导体国产化进程，国家扶持半导体产业的政策和基金密集出台，大基金二期或开启半导体材料国产化黄金期。据了解，大基金一期已投资沪硅产业、雅克科技、安集科技等半导体材料公司。国家集成电路产业投资二期股份有限公司注册资本达2041.5 亿元，投资总规模和撬动社会融资有望较一期更上一个台阶。 /p p 　　当前，虽然半导体材料国外优势明显，但国内正在细分领域突破，部分产品已实现自产自销。具体来看，可以分成已可量产材料、初步量产和有待积极开发的材料。 /p p 　　其中已可以量产主要有：靶材、封装基板、CMP抛光液材料、湿式工艺用化学品引线框等部分封装材料。这其中，部分产品技术标准可达到全球水平，本土产线已实现中大批量供货，部分材料品质需要改进才能满足先进工艺的要求。初步量产方面主要有：电子气体、硅片、化合物半导体、特殊化学品。这当中，个别产品技术标准可达到世界水平，本土产线已小批量供货，但是需要加强全面的供货。另外，刻胶、碳化硅材料、高纯石英材料部分还需积极开发，这部分材料在技术上和全球一流水平存在较大差距，目前基本未实现批量供货。 /p p 　　以下是一些公司的发展情况： /p p 　　 strong 硅片及硅材方面 /strong /p p 　　 strong 中环股份 /strong ：成立于1999年，是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技术企业。 /p p 　　2019年，中环股份发布了对行业颠覆性影响的12英寸超大光伏硅片“夸父”产品(210硅片)和系列标准，使从晶体、晶片到电池片、组件通量型生产环节效率大幅提升，制造成本大幅下降，单块组件效率大幅提升，为全球新能源持续降低成本创造了一个平台性的技术。目前中环五期项目已开始生产210硅片，下游客户的210电池片、组件也将快速进入量产阶段。 /p p 　　据了解，截止2019年底中环股份已经具备2-6英寸硅片产能约30万片/月，8英寸约70万片/月，12英寸2万片/月。 /p p 　　 strong 上海硅产业集团 /strong ：成立于2015年12月，专注于半导体硅材料产业及其生态系统发展。 /p p 　　2016年7月，硅产业集团通过增资上海新昇和受让原股东在上海新昇持股的方式，于2016年7月对上海新昇形成控股。上海新昇成立于2014年，承担了“02专项”的“40-28nm集成电路制造用300毫米硅片研发及产业化”项目，是国内第一家产业化的300mm硅片企业。 /p p 　　2019年3月，硅产业集团通过增资成为新傲科技第一大股东。新傲科技成立于2001年，致力于高端硅基材料研发与生产，是中国最大的SOI材料生产基地和技术领先的外延片供应商，也是世界上屈指可数的SOI材料规模化供应商之一。 /p p 　　2020年4月20日，硅产业集团成功登陆上海证券交易所科创板。 /p p 　　 strong 上海新昇 /strong ：成立于2014年6月，国内首屈一指的300mm半导体硅片供应商。 /p p 　　2016年10月，上海新昇成功拉出第一根300mm单晶硅锭，2017年打通了300mm半导体硅片全工艺流程，2018年最终实现了300mm半导体硅片的规模化生产。 /p p 　　 strong 有研半导体 /strong ：成立于1999年3月12日，由北京有色金属研究总院独家发起，公司前身是半导体材料国家工程研究中心。 /p p 　　2013年成功自主研发6英寸区熔气掺单晶，标志着在“6英寸气掺区熔单晶拉制技术”上取得突破性进展。2017年5月，有研半导体承担的国家重大科技专项“200mm硅片产品技术开发与产业化能力提升”项目通过验收。 /p p 　　2020年5月29日，有研半导体成功拉制出完整的12英寸单晶棒，晶棒总重量超过320公斤。实验的突破和进展，标志着公司在12英寸大硅片产业布局上迈出了关键的一步，为公司12英寸集成电路用大硅片产业化项目顺利实施奠定了坚实的基础。 /p p 　　 strong 浙江金瑞泓 /strong ：成立于2000年6月，是国内较早一批专业从事集成电路用硅片制造的企业之一，也是中国大陆技术领先、配套先进、规模完善、效益优良的集成电路材料制造企业，是我国具有硅单晶锭、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片制造的较为完整产业链的集成电路生产企业。 /p p 　　2010年，牵头承担“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家02科技重大专项，并于2017年5月通过国家验收，具备了8英寸硅片大规模产业化能力，掌握了12英寸硅片核心技术。 /p p 　　 strong 安徽易芯 /strong ：成立于2016年9月，主要从事大尺寸半导体硅晶体与硅片、全自动硅晶体生长炉的研发、生产、销售以及技术服务。 /p p 　　2008年正式启动12英尺电子级单晶硅材料的研发，2015年12英尺硅片(抛光前)产品通过国家有色金属及电子材料分析测试中心的检测。 /p p 　　 strong 杭州中欣晶圆 /strong ：成立于2017年，主要从事高品质集成电路用半导体硅片的研发与生产制造。拥有8英寸生产线是目前国内规模最大，技术最成熟的生产线 12英寸生产线是我国首条拥有核心技术，真正可实现量产的半导体硅片生产线。 /p p 　　2019年7月，中欣晶圆“半导体大尺寸硅片项目”首批产品下线。这也是杭州首批实现量产的 8英寸(200mm)的半导体硅抛光片，意味着中芯晶圆在推进杭州芯片设计制造产业方面又迈进了一大步。 /p p 　　 strong 宁夏银和 /strong ：成立于2015年12月，公司将通过开展高品质半导体硅片的研发和产业化，建成国际先进水平的大尺寸半导体硅片产业化、创新研究和开发基地。 /p p 　　2019年8月23日，宁夏银和宣布12英寸半导体大硅片晶棒实现量产，32英寸半导体石英坩埚下线。 /p p 　　 strong 光刻胶方面 /strong /p p 　　 strong 晶瑞股份 /strong ：成立于2001年11月，是一家生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品的上市企业。品种包括氢氟酸、过氧化氢、氨水、盐酸、硫酸、硝酸、异丙醇、冰醋酸、混合酸(硅腐蚀液、铝腐 蚀液、铬腐蚀液、BOE、金蚀刻液)氢氧化钾、氢氧化钠、配套试剂等。产品广泛应用于超大规模集成电路、LED、TFT-LCD面板制造过程、太阳能硅片的蚀刻与清洗。 /p p 　　 strong 北京科华 /strong ：成立于2004年，光刻胶产品序列完整，产品应用领域涵盖集成电路(IC)、发光二极管(LED)、分立器件、先进封装、微机电系统(MEMS)等。产品类型覆盖KrF(248nm)、G/I线(含宽谱)，主要包括：KrF光刻胶DK1080、DK2000、DK3000系列 g-i line光刻胶KMP C5000、KMP C7000、KMP C8000、KMP EP3100系列和KMP EP3200A系列 Lift-off工艺使用的负胶KMP E3000系列 用于分立器件的BN、BP系列等。 /p p 　　 strong 强力新材 /strong ：成立于1997年，公司主要产品为光刻胶专用化学品，分为光刻胶用光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂等)和光刻胶树脂两大系列。公司的产品按照应用领域分类，主要有印制电路板(PCB)光刻胶专用化学品(光引发剂和树脂)、液晶显示器(CD)光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂及其他用途光引发剂四大类。 /p p 　　 strong 上海新阳 /strong ：创立于1999年7月，其用于晶圆电镀与晶圆清洗的第二代核心技术已达到世界领先水平。紧密围绕两大核心技术，开发研制出140多种电子电镀与电子清洗系列功能性化学材料，产品广泛应用于集成电路制造、3D-IC先进封装、IC传统封测等领域，满足芯片铜制程90-28nm工艺技术要求，相关产品已成为多家集成电路制造公司28nm技术节点的基准材料(Base Line)，成为中国半导体功能性化学材料和应用技术与服务的知名品牌。 /p p 　　此外，上海新阳立项研发集成电路制造用高分辨率193nm ArF光刻胶及配套材料与应用技术，拥有完整自主可控知识产权的高端光刻胶产品与应用即将形成公司的第三大核心技术。 /p p 　　 strong 苏州瑞红 /strong ：成立于1993年，是国内知名的电子化学品公司，主要研发、生产光刻胶、配套试剂、高纯化学试剂，这是芯片制造行业中不可或缺的原材料。苏州瑞红在光刻胶领域深耕多年，率先实现了 i 线光刻胶的量产，可以实现 0.35μm 的分辨率。目前其光刻胶产品已有几家 6 寸客户使用，2018 年进入中芯国际天津工厂 8 寸线测试并获批量使用 公司未来重点发展 248nm，将着力发展相关业务。 /p p 　　 strong 靶材方面 /strong /p p 　　 strong 宁波江丰电子 /strong ：成立于2005年，是我国高纯溅射靶材龙头企业，产品包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等高纯溅射靶材，应用于半导体、平板显示、太阳能等领域。超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一，长期以来被日美企业垄断。目前，江丰电子的产品已应用于世界著名半导体厂商的先进制造工艺，公司已在7nm技术节点实现批量供货。 /p p 　　 strong 福建阿石创 /strong ：成立于2002年多年来致力于薄膜材料的研发、生产与销售。 阿石创薄膜材料，可以分为溅射靶材、蒸镀材料与镀膜配件三大产品线，主要应用于光学、光通信、平板显示(LCD、OLED)、触控面板、LED芯片、集成电路、LOW-E玻璃、装饰镀膜、工具镀膜、光伏太阳能等领域，产品远销国内外市场，具有丰富的行业实绩。 /p p 　　 strong 电子特气方面 /strong /p p 　　 strong 雅克科技 /strong ：成立于1997年，主要致力于电子半导体材料， 深冷复合材料以及塑料助剂材料研发和生产。 /p p 　　 strong 华特气体 /strong ：成立于1999年，公司专业从事气体及气体设备的研发和生产，气体产品覆盖普通工业气体、电子工业用气体、电光源气体、超高纯气体、标准气体、激光气体、医用气体、食品工业用气体等十几个系列共200多个品种， /p p 　　 strong 南大光电 /strong ：成立于2000年12月，是一家专业从事高纯电子材料研发、生产和销售的高新技术企业，凭借30多年来的技术积累优势，公司先后攻克了国家863计划MO源全系列产品产业化、国家“02—专项”高纯电子气体(砷烷、磷烷)研发与产业化、ALD/CVD前驱体产业化等多个困扰我国数十年的项目，填补了多项国内空白。2017年，南大光电承担了集成电路芯片制造用关键核心材料之一的193nm光刻胶材料的研发与产业化项目。 /p p 　　 strong 湿电子化学品 /strong /p p 　　 strong 巨化股份 /strong ：成立于1998年6月，主要业务为基本化工原料、食品包装材料、氟化工原料及后续产品的研发、生产与销售，拥有氯碱化工、硫酸化工、基础氟化工等氟化工必需的产业自我配套体系。并以此为基础，形成了包括基础配套原料、氟制冷剂、有机氟单体、含氟聚合物、含氟专用化学品等在内的完整的氟化工产业链，并涉足石油化工产业。 /p p 　　 strong 江化微 /strong ：成立于2001年，专业生产适用于半导体(TR、IC)、晶体硅太阳能(solar PV)、FPD平板显示(TFT-LCD、CF、TP、OLED、PDP等)以及LED、硅片、锂电池、光磁等工艺制造过程中的专用湿电子化学品——超净高纯试剂、光刻胶配套试剂的专业制造商，属国内生产规模大、品种齐全、配套完善的湿电子化学品专业服务提供商。 /p p 　　 strong 晶瑞化学 /strong ：成立于2001年，生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品，品种包括氢氟酸、过氧化氢、氨水、盐酸、硫酸、硝酸、异丙醇、冰醋酸、混合酸(硅腐蚀液、铝腐 蚀液、铬腐蚀液、BOE、金蚀刻液)氢氧化钾、氢氧化钠、配套试剂等。目前主要产品的纯度为，单项金属杂质含量小于0.1ppb。产品广泛应用于超大规模集成电路、LED、TFT-LCD面板制造过程、太阳能硅片的蚀刻与清洗。 /p p 　　 strong 艾森半导体 /strong ：成立于2010年3月，专业致力于为晶圆、先进封装、传统封测、FPC/HDI、OLED/TFT-LCD等领域行业客户提供所需电子化学品材料、应用工艺和现场服务的整体解决方案。 /p p 　　 strong 上海华谊 /strong ：成立于1992年8月，主要从事能源化工、绿色轮胎、先进材料、精细化工和化工服务五大核心业务。公司主要产品为甲醇、醋酸、醋酸乙酯、合成气、载重胎、乘用胎、丙烯酸及酯、丙烯酸催化剂、高吸水性树脂、工业涂料、颜料、油墨、日用化学品、化工贸易、化工物流、化工投资、信息技术。 /p p 　　 strong CMP抛光材料方面 /strong /p p 　　 strong 鼎龙科技 /strong ：创立于2000年，是一家专业从事化学新材料、打印复印耗材、集成电路芯片及材料、云图文快印营销模式的研发、生产与服务及股权投资的国家高新企业、国家创新型企业、创业板上市公司。 /p p 　　 strong 安集科技 /strong ：成立于2004年，主营业务为关键半导体材料的研发和产业化，目前产品包括不同系列的化学机械抛光液和光刻胶去除剂，主要应用于集成电路芯片制造和先进封装领域。 /p p 　　2019年，成功IPO并在上海证券交易所科创板上市。 /p p 　　总结：“中国半导体教父”、芯恩董事长张汝京指出我国芯片产业发展的几大短板。其中，材料和设备是最薄弱的环节，在整个半导体供应链上，没有材料必将造成“巧妇难为无米之炊”的窘境。由此，实现半导体材料国产化替代是半导体国产化道路上亟需且艰巨的任务。 /p p br/ /p

自1988年首次在上海举办以来，SEMICON China已成为中国首要的半导体行业盛事之一，囊括当今世界上半导体制造领域主要的设备及材料厂商。SEMICON China 2021将于2021年3月17-19日在上海新国际博览中心举办，珀金埃尔默将携多款仪器亮相。作为分析检测设备和技术的领先供应商之一，珀金埃尔默公司在半导体领域拥有广泛的用户和丰富的经验；在痕量的金属元素分析、环境中VOCs检测、材料组分分析等方面均能提供全面的解决方案。在“SEMICON China 2021”大会期间，我们将邀请行业专家共同探讨半导体行业的新进展，同时展示珀金埃尔默最新的半导体行业应用方案。期待您的莅临！半导体行业检测技术研讨会2021年3月17日（周三）下午13:30-16:50上海新国际博览中心N3馆M43会议室（上海市浦东新区龙阳路2345号）特邀主讲人李春华上海市计量测试技术研究院电子级试剂组组长兼上海市电子化学品计量检测技术服务平台技术主管华东理工大学材料科学与工程专业毕业，研究生硕士，九三学社社员。2009年3月参加工作，高级工程师，现任上海市计量测试技术研究院电子级试剂组组长兼上海市电子化学品计量检测技术服务平台技术主管。担任全国化学标准化技术委员会化学试剂分会委员，至今已参与起草国家标准10余项。从事检测分析12年，在痕量和超痕量杂质检测方面富有经验，熟悉电子化学品和药品中无机元素的方法学开发和验证工作。所属实验室在湿电子化学品、电子级多晶硅、硅片、光刻胶、抛光液、金属靶材和电子级气体领域已通过CNAS和CMA认证。陈微微上海新昇半导体科技有限公司华东理工大学化学工程硕士毕业至今，一直专注在半导体行业的化学分析领域，特别是对ICP-MS在半导体行业的应用，有深入研究。2016年至今就职于上海新昇半导体科技有限公司，负责化学实验室技术和管理工作，擅长的仪器：VPD、ICP-MS、IC、GC-MS等，在对单晶硅片、多晶硅、高纯化学品、高纯水复杂基体原材料测试方面，有丰富的经验。日程安排13:30-14:00签到14:00-14:10领导致词14:10-14:50湿电子化学品标准体系介绍和质量要求（主讲人：李春华 上海市计量测试技术研究院）14:50-15:30了解300mm大硅片（主讲人：陈微微 上海新昇半导体科技有限公司）15:30-15:40茶歇15:40-16:10珀金埃尔默在半导体行业的综合检测方案（主讲人：华瑞博士 珀金埃尔默材料表征应用市场经理）16:10-16:40NexION® 5000在半导体级电子化学品分析中的应用及优势（主讲人：徐俊俊 珀金埃尔默资深技术支持）16:40-16:50互动环节报名方式扫描下方二维码在本届展会上，珀金埃尔默将向您展示荣获《The Analytical Scientist（分析科学家）》杂志评选 的“2020年度创新奖（The Innovation Award 2020）”第一名，同时荣登2021 Wiley Analytical Science光谱/显微类仪器榜首的NexION® 5000多重四极杆ICP-MS，以及Spotlight 200i傅立叶变换红外显微镜，Spectrum 3 FT-NIR/IR/FIR傅立叶近红外/中红外/远红外光谱仪亮相。期待您莅临展位参观仪器、现场交流，现场签到还可领取精美礼品！展位号：T3337

p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 近日，我国半导体制造工艺实现又一重大突破，由协鑫集成参股的徐州鑫晶半导体科技有限公司首批 12 英寸半导体大硅片成功下线。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 了解到，徐州鑫晶半导体大硅片项目，一期投资 68 亿元，建设 12 英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线，年规划产能 360 万片。该项目是江苏省、徐州市重大产业项目，也是协鑫集团在江苏鑫华半导体项目投产之后，在徐州的又一布局。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 2019 年 12 月 9 日，徐州鑫晶半导体 12 英寸大硅片长晶产线试产成功。2020 年 4 月，徐州市举行一季度重大产业项目观摩点评会，会议上透露了鑫晶半导体大硅片项目正在试生产，预计 2020 年 10 月量产。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 为支持项目的建设和发展，此前徐州市产业引导基金与政府投资基金、金融资本和产业资本等共同出资设立总规模 44.1 亿元的专项基金，并全部投入大硅片项目。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 当前，我国半导体硅片需求随着晶圆产能的扩张持续增长，但国产化比例低，目前能够量产的国产 12 英寸硅片以测试片为主，无法满足正片需求，特别是 28nm 以下先进集成电路制造工艺的要求，12 英寸硅片成为制约我国集成电路产业发展和产业安全的关键瓶颈。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 方正证券研报显示，国内晶圆厂 2020 年之前主要还是 8 英寸线为主，预计到 2020 年，国内 8 英寸硅片的需求在接近 100 万片 / 月，2020 年之后国内 12 英寸晶圆厂占比会超过 8 英寸晶圆厂，相应的硅片需求也超过 8 英寸硅片需求。徐州鑫晶半导体大硅片项目规划分两期建设国际先进的 12 英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线，完全达产后产能将达 60 万片 / 月，将有效填补国内大硅片供应需求，有望支撑我国集成电路产业的安全可持续发展。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 据悉，鑫晶半导体大硅片项目已于 2018 年 11 月入选江苏省重大建设项目，获得江苏省战略性新兴产业专项资金支持。同时，项目有望入选大国家半导体大基金二期投资项目，成为国家聚集资源予以重点倾斜支持的少数半导体硅片企业之一。 /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) " & nbsp /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: center color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) " a href=" https://upload.semidata.info/new.eefocus.com/article/image/2020/10/20/5f8e9307ce22a.jpg" target=" _blank" rel=" external nofollow" style=" box-sizing: border-box color: rgb(0, 112, 201) text-decoration-line: none background: transparent touch-action: manipulation " img src=" https://upload.semidata.info/new.eefocus.com/article/image/2020/10/20/5f8e9307ce22a-thumb.jpg" style=" box-sizing: border-box vertical-align: middle border: 0px none border-radius: 3px max-width: 800px height: auto !important " / /a /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) " & nbsp /p p style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " 了解到，协鑫集成自 2018 年以来持续进军半导体产业，打造第二主业。2018 年 7 月协鑫集成发布公告，联合徐州市产业发展引导基金、徐州市老工业基地产业发展基金等多家机构共同出资设立半导体产业基金睿芯基金，协鑫集成以自有资金人民币 5.61 亿元持有睿芯基金 25.38%的股份，通过该产业基金目前协鑫集成持有徐州鑫晶半导体约 13.3%的股份。此次 12 英寸半导体大硅片成功下线，是公司半导体产业迈出的重要步伐，未来对公司业绩会产生积极影响。 /p p dir=" ltr" style=" box-sizing: border-box margin-top: 0px margin-bottom: 3px overflow-wrap: break-word font-family: & quot Times New Roman& quot , Times, serif, STSongti-SC-Regular line-height: 2 text-align: justify color: rgb(51, 51, 51) white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em " & nbsp 此外，协鑫集成再生晶圆定增项已落户合肥正在推进之中，同时，协鑫集团旗下鑫华半导体电子级多晶硅项目于 2015 年得到了国家半导体大基金一期资金的支持，其打造的国内首条 5000 吨电子级多晶硅专用线已于 2018 年实现量产和出口。2016 年协鑫集团收购美国 SunEdison 截至目前，协鑫集团深度布局半导体材料产业链，已初步行成“电子级多晶硅+大硅片+再生晶圆”的产业布局。 /p