单晶硅片

MDPmap： 单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。 特点： ◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况 ◇ 测量速度：6英寸硅片5min，分辨率为1mm ◇ 寿命范围：20ns到几十ms ◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染 ◇ 测量能力：从切割好的硅片到完全加工的样品 ◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发 ◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间99% ◇ 重复性： 99% ◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准 技术规格: 样品尺寸 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm 寿命测量范围 20ns至几十ms以上 电阻率 0.2 - 10³ Ωcm，p-型/n-型 样品材料 硅片、外延层、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多材料 可测量的特性 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 激发波长 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) 尺寸规格 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 电源 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A 细节：◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具 ◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。 ◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。 附加选项： ◇ 光斑大小的变化 ◇ 电阻率测量（晶圆） ◇ 方块电阻 ◇ 背景/偏光 ◇ 反射测量（MDP） ◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量） ◇ 偏压MDP ◇ 参考晶圆 ◇ 硅的内部/外部铁制图 ◇ 集成加热台 ◇ 灵活的激光器配置 MDPmap 测量案例： 钝化多晶硅的寿命图 多晶硅的铁污染图 单晶硅的硼氧图 单晶硅的缺陷密度图 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） 高阻硅片（＞10000Ωcm）-少数载流子寿命mapping图 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 MDPmap 应用：铁浓度测定 铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的 更多...... 掺杂样品的光电导率测量 B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难…… 更多...... 陷阱浓度测定 陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。 更多...... 注入相关测量 少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。 更多......

FKS3351ND进口单晶硅压力变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS3351ND单晶硅压力/差压变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力，然后将其转变成4-20mA HART电流信号输出，也可与BST9900、HART375或BST Modem相互通信，通过他们进行参数设定、过程控制FKS3351ND进口单晶硅压力变送器特点： 工业级精度 稳定准确，精度可达0.075级 量程覆盖 双保护膜片 稳定性能优越 阻尼可调，耐过压性强 使用寿命长，是普通扩散硅压力的2倍以上，稳定性强FKS3351ND进口单晶硅压力变送器： 产 品 名 称：FKS3351ND单晶硅压力变送器 测 量 类 型：压力/差压/绝压 测 量 范 围：0~160pa-40MPa准 确 度 等 级：0.1级、0.2级、0.5级 膜 片 材 质：316L/钽膜片/ 蒙乃尔膜片 /哈氏合金膜片 显 示 类 型：LCD显示 输 出 类 型：4-20MA /4-20MA+HART/1-5V/ RS485防 爆 类 型：普通型/隔爆型ExdIⅡICT6 Gb/本安型ExialICT6 Ga接 线 方 式：M20X1.5 1/2NPT G1/2内螺纹 安 装 支 架：管装弯支架/板装弯支架/板装平支架FKS3351ND进口单晶硅压力变送器电路接线

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

北京昆仑海岸自主研发的JYB-810DC系列单晶硅智能差压变送器，高精度抗高温耐低温、防腐蚀、抗高酸高减。隔爆许可：Ex dIICT6；本安许可：Ex iaIICT6；适用于燃气、石油、、石化、LNG、CNG的监测以及长输管道的运输； 差压变送器中心传感单元采用全球名列前茅的高精度硅传感器技术，±0.075%精度，高可达±0.05%的铂金级精度微差压变送器采用全球前列的双过载保护膜片专利技术，高可达±0.075%的高精度。 差压变送器工作压力分为16MPa、25MPa和40MPa 三档，单向过载压力高到40MPa；差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场场静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，静压性能非常好，静压误差非常优；≤±0.05%/10MPa；传感器内部集成高灵敏度温度传感器，变送器温度性能佳，≤±0.04%/K；全不锈钢316L硅油充灌焊接密封结构；微量程表压/绝压变送器采用全球前列的无传压损耗过载保护膜片专利技术，单向过压高达7MPa，即满量程1166倍；稳定可靠，长期漂移为±0.1%/3年，10年免维护；非常宽的测量范围100Pa～60MPa（高可扩展至60MPa）高100:1的可调节量程比； EMC符合GB/T18268.1-2008标准要求；远传变送器采用先进的高温专利技术，可应用于400℃高温测量场合；覆盖全系列的卫生型设计技术，应用范围非常广。

衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状，它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅衬底，芯片本身除了分辨率低于3.2 &angst 的布拉格反射位置外，不会造成任何背景散射。孔隙结构还允许通过印迹高效去除多余的液体。因此，使用我们的芯片获得的衍射结果通常比传统环路安装获得的质量更高。&bull 膜面积：4个隔室，1.7 x 2.4mm2&bull 用于室内连续晶体学实验&bull 安装在标准磁性底座上

衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状，它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅衬底，芯片本身除了分辨率低于3.2 &angst 的布拉格反射位置外，不会造成任何背景散射。孔隙结构还允许通过印迹高效去除多余的液体。因此，使用我们的芯片获得的衍射结果通常比传统环路安装获得的质量更高。&bull 膜面积： 1.5 x 2.5 mm2&bull 用于低温的连续晶体学应用&bull 安装在标准磁性底座上

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米 装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤 热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

CGS-Lab单晶炉是PVA产品线中最小的直拉法晶体生长系统，专门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于最多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设备开炉状态时高度为3.4米，对安装场地的高度要求相当低。晶体提升速度和旋转速度适用于生产特定尺寸的晶棒。借助用于直径测量的相机系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。提供适合工厂需求的真空泵和除尘器 (SiO) 系统。产品数据概览:最大晶棒直径： 4英寸晶棒长度： 最长300 毫米装料容量： 高达5公斤热场： 10英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

弗莱贝格的MDPpro（晶圆片/晶锭寿命检测仪）系列主要用于测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查等，其非接触式检测和无损成像（μPCD /MDP(QSS)）的设计完全符合SEMI标准PV9-1110。这也使得该仪器在晶圆切割、炉内监控和材料优化等领域被广泛应用。可以说，MDPpro是晶锭生产商以及晶体炉技术生产商的标准仪器。特性&优势▼u 无接触和无破坏的半导体检测；u 特殊“underneath the surface”寿命测量技术；u 对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度；u 自动设置硅錠切割标准；u 空间分辨p/n电导型变换检测；u 多项数据同时自动检测扫描，5幅测量图形同时绘制；u 坚固耐用的设计和易于设置的性能。安装，仅需要电源。 应用实例▼1.日常寿命测量，质量控制和检验高产量：240块/天或720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间 99%可重复性: 99.5%电阻率：可做面扫描，不需经常校准2. 精密材料研发a.铁浓度测定b.陷阱浓度测定c.硼氧测定d.依赖于注入的测量等

灵活的OEM少子寿命测试仪器，用于各种不同样品的少子寿命测量，从单晶硅砖到多晶硅砖，从生长的硅片到不同层或金属化的硅片的过程控制。标准的软件接口，便于连接到许多处理或自动化系统。在众多的少子寿命测量方法中，MDP（微波检测光电导率）采用改进的少子寿命检测技术，是微波检测光电导衰减法检测仪中常用的仪器之一，少子寿命测试仪原理从载流子输运原理出发，建立广义速率方程和偏微分方程系统。拥有先进的灵敏度和分辨率，很大程度提升在线检测的速度和质量，快速出具少子寿命测试的实验报告。 MDPlinescan被设计成一个易于集成的OEM设备，可以集成到各种自动化检测线。关键的是在传送过程中进行少子寿命扫描。样品通常由测量头下面的传送带或机器人系统携带。应用实例包括从晶砖到晶圆检测，单晶少子寿命测试、多晶少子寿命测试，每块晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是经典的通用案例，也用于钝化和扩散后的工艺质量检查，还有许多其他特殊的应用的可能性。易于集成，只需要以太网连接和电源。 MDPlinescan W 包括一个额外的电阻率测量选项。 优点： ◇ 在µ -PCD或稳态激励条件下线扫描少数载流子寿命和电阻率是这个小型设备的重要功能； ◇ OEM设备可以集成到多晶或单晶硅片的生产线上，在不同的制备阶段，直至器件、砖块或晶锭。 ◇ 小巧的尺寸和标准的自动化接口使其易于集成。重点是测量结果的长期可靠性和精确性。 示范性线状扫描图 细节： ◇ 允许单晶圆片调查 ◇ 不同的晶圆级有不同的配方 ◇ 监控物料、工艺质量和稳定性 技术规格: 样品多种尺寸的多晶或单晶晶片，如156mm×156mm、晶砖、电池片等样品尺寸50 x 50 mm² 以上电阻率0.2 - 10³ Ωcm电导类型P,N样品类型硅片、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多的产品可测量的特性少数载流子寿命硬件接口以太网尺寸规格体积：174 x 107 x 205mm；重量：3公斤电源24 V DC, 2 A

1. 产品概述多角度激光椭偏仪 SE 400adv PV 在 HeNe 激光波长为 632.8 nm 时，在纹理单晶和多晶硅片上提供抗反射单膜的膜厚度和折射率。可更换晶圆支架允许在多晶硅片和碱性纹理单晶硅片上进行测量。2. 主要功能与优势粗糙表面分析高灵敏度和超低噪声检测允许在非理想的、引起杂散光的表面上进行测量，这些表面是纹理化单晶硅和多晶硅太阳能电池的典型特征。非凡的准确性由于稳定的激光光源、温度稳定的补偿器设置和超低噪声检测器，SENTECH SE 400adv PV 激光椭偏仪的主要特点是具有非凡的高稳定性和准确性。精密涂层评估SENTECH SE 400adv PV激光椭偏仪可以特别分析SiN涂层x、ITO、TiO2和SiO的薄钝化层2和 Al2O3.可以在光滑的基板上分析双层堆叠。该工具是一款紧凑的仪器，可快速启动和运行。SENTECH易于使用，以配方为导向的软件包括一个全面的预定义应用程序包，可满足生产环境中的研发和质量控制要求。

产品应用：适合半导体前端单晶硅制作过程中硅片及晶圆盒的存放,防止硅片的返颗粒，返雾现象； 由于普通的干燥存储柜或者氮气柜设计都为全封闭环境，且无自净功能，故内部容易积聚大量灰尘，而这些灰尘极可能粘附在存储品上。洁净柜则适合存放需要避免灰尘污染的物品产品特性： ★4英寸超高亮数码管显示，可视距离30米，可加装氮气节约控制系统，可加装报警系统。★无尘风机——采用进口无尘室专用FFU风机，镀铝锌板材质，铝合金叶轮，风速0.3-0.45m/s，噪音=55dB。★双面护网高效过滤器——过滤效率高99.99%@0.3um。★模组化设计，温湿度显示器、控制系统、除尘系统及除静电系统均能快速更换， 保养及维修简便，大大提升维护效率。技术参数： 材质：双镜面304不锈钢 外尺寸： 1300W*1836H*800Dmm 内尺寸： 1253W*1110H*650Dmm 除湿等级： 相对湿度可达到5%Rh以下 （配合充氮气） 洁净等级： ISO Class 2（百级） ISO Class 3（千级） 湿度显示范围： 0.1%RH-99.9%RH 湿度显示范围： -40℃-70.0℃（-9.9℃以下显示不带小数点） 温湿度显示器精度： 相对湿度±3%Rh，温度±1℃

应用材料范围：硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。 MDPmap 单晶和多晶片的少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测， 具有可视化测试的高分辨率● 测试速度: 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率● 寿命测试范围: 20ns到几ms● 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）● 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品● 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合● 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描 应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试 氧化物钝化CZ-Si的寿命 生长的多晶硅的寿命图 a. 铁浓度图 b. 反射图 c. 硼氧相对浓度图 d.电阻率图配置选项● 光斑尺寸可调● 电阻率测试（晶圆片）● 参考晶圆● 方块电阻● 背景光/偏置光选项● 反射率测试(MDP)● 用于光伏的LBIC● BiasMDP● Si晶圆片中的内外铁浓度分布图● 集成的加热台● 多种可选的激发光源

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

产品性能:少子寿命测试仪性能参数： 测量原理： QSSPC（准稳态光电导）；少子寿命测量范围： 100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围： 3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围： 直径40-mm；测量样品规格 标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；硅片厚度范围： 10–2000 μm；外界环境温度： 20°C–25°C；功率要求： 测试仪: 40W， 电脑控制器：200W ，光源：60W；通用电源电压： 100–240 VAC 50/60 Hz；主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪技术参数：FAQ:用途、光伏,硅片检测包装、纸质包装售后服务:一年保修,终身维护 用途、光伏测试包装、纸质包装售后服务一年保修

产品性能:少子寿命测试仪性能参数： 测量原理： QSSPC（准稳态光电导）；少子寿命测量范围： 100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围： 3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围： 直径40-mm；测量样品规格 标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；硅片厚度范围： 10–2000 μm；外界环境温度： 20°C–25°C；功率要求： 测试仪: 40W， 电脑控制器：200W ，光源：60W；通用电源电压： 100–240 VAC 50/60 Hz；主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪技术参数：FAQ:用途、光伏,硅片检测包装、纸质包装售后服务:一年保修,终身维护 用途、光伏测试包装、纸质包装售后服务一年保修

MDPspot W包括一个额外的电阻率测量选项。测量硅的电阻率，可用于没有高度调节可能性的晶圆，或晶砖。必须预先定义这两个选项中的一个。 特点： ◇ 无接触无破坏的电学半导体特性 ◇ 包括μ-PCD测量选项 ◇ 对迄今为止看不见的缺陷的可视化和外延层的研究具有先进的灵敏度 ◇ 集成多达四个激光器，用于宽的注入水平范围◇ 获取单次瞬变的原始数据以及用于特殊评估目的的地图 技术规格: 单晶或多晶片、晶砖、电池、硅片、钝化或扩散等不同生产步骤后的晶片样品尺寸50 x 50 mm² 以上到 12“ 或 210 x 210 mm² 电阻率0.2 - 10³ Ωcm材料晶片、晶砖、部分或完全加工的硅片、化合物半导体等测量参数载流子寿命尺寸360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg电力110/220 V, 50/60 Hz, 3 A 优点： ◇ 台式装置，用于载流子寿命的单点测量，多晶硅或单晶硅在不同的制备阶段，从原生材料到器件。 ◇ 体积小，成本低，使用方便。附带一个基本的软件，用于在小型PC或笔记本上进行结果可视化。 ◇ 适用于硅片到砖，操作高度调节方便。 细节： ◇ 允许单晶圆片调查 ◇ 不同的晶圆级有不同的配方 ◇ 监控物料、工艺质量和稳定性 附加选项：◇ 光斑大小变化◇ 电阻率测量(晶片)◇ 背景/偏置光◇ 反射测量(MDP)◇ 软件扩展◇ 额外的激光器选配MDPspot 应用： 铁浓度测定铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的更多......掺杂样品的光电导率测量B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难……更多......陷阱浓度测定陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。更多......注入相关测量少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。更多......

氧等离子体去胶机VP-RS15真空腔体不锈钢材质，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于晶圆去胶、煤灰化、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、石墨烯、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA处理。

微波等离子去胶机VP-RS20真空腔体不锈钢材质，腔体容积20升，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到去胶、清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体刻蚀、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA等离子体去胶处理。

等离子去胶机VP-RS6真空腔体不锈钢材质，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于芯片去胶、晶圆去胶、煤灰化、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、石墨烯、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA去胶处理。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

BLS-I/BCT-400少子寿命测试仪●非接触方式量测真正意义上的硅块少子寿命●涡电流法量测技术符合SEMI最新的PV13标准●相比业界其他少子寿命测试仪BLS-I/BCT系列是性能更优越的少子寿命测试仪●Wafer厂品质监控必不可缺的量测设备，拥有广泛的客户群。一、 产品概述BLS-I/BCT-400型号少子寿命测试仪可以量测P型或者N型单晶或者多晶硅块少子寿命，不需要表面钝化处理就可以量测少子寿命。少子寿命的量测对于监控硅块在长晶过程引入的缺陷或者污染物造成的缺陷有着重要的意义。通过使用少子寿命测试仪BCT-400可以直接判断硅块的质量好坏。BLS-I可以量测表面不平的硅块样品。而不同于BLS-I，BCT-400只能量测表面平坦的硅块。二、 产品性能主要应用：• 量测高纯度硅少子寿命（范围在1ms-5ms）• 量测掺硼的CZ 单晶硅少子寿命• 量测多晶硅的少子寿命，陷阱浓度等其他应用：• 量测B-O缺陷，铁杂质浓度，以及表面的损伤• 监控CZ和FZ单晶，多晶硅等硅片质量

手套箱专用等离子清洗机VP-R3分体式实现主机和真空腔体分离，既保留了等离子清洗机VP-R3自动化操作的便利及PLASMA处理效果，又实现把真空腔体分离，便于放入手套箱的狭小空间，解决了用户对PLASMA处理精细化的痛点。手套箱专用等离子清洗机VP-R3分体式是在VP-R系列基础上进行设计、研发，等离子体激发频率为13.56MHz，满功率运行30分钟，腔体温度不高于32°C，不损伤样品，对材料表面起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，适用于微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、石墨烯、纤维、单晶硅片、PET、PI、二氧化硅、亚克力等几乎所有材料的PLASMA处理。