存储模量

table width=" 600" border=" 1" align=" center" cellpadding=" 0" cellspacing=" 0" tbody tr td width=" 115" p style=" text-indent: 0em " dir=" ltr" 成果名称 /p /td td width=" 499" colspan=" 3" 动态弹性模量测试仪 br/ /td /tr tr td width=" 115" p 单位名称 /p /td td width=" 499" colspan=" 3" p 中国建材检验认证集团股份有限公司 /p /td /tr tr td width=" 115" valign=" top" p 联系人 /p /td td width=" 185" valign=" top" p 艾福强 /p /td td width=" 161" p 联系邮箱 /p /td td width=" 153" p afq@ctc.ac.cn /p /td /tr tr td width=" 115" p 成果成熟度 /p /td td width=" 499" colspan=" 3" p □正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 √ 可以量产 /p /td /tr tr td width=" 115" p 合作方式 /p /td td width=" 499" colspan=" 3" p □技术转让□技术入股□合作开发& nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 614" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介： /strong /p p style=" line-height: 1.75em " strong /strong /p p style=" text-align: center line-height: 1.75em " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/2951acd4-0cb9-42bb-ba31-1bc4d37da508.jpg" style=" width: 300px height: 226px " title=" 弹性模量检测仪1.jpg" width=" 300" height=" 226" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center line-height: 1.75em " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/ba13ec0a-c570-4f8f-b857-abc41b0a226e.jpg" style=" width: 300px height: 256px " title=" 弹性模量检测仪2.jpg" width=" 300" height=" 256" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" / /p br/ p style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp & nbsp 本方法利用脉冲激励器来激励矩形截面的梁试样，测量样品的弯曲或扭转频率。作用在试样上的瞬时激励是通过自动激发装置或手动小锤的敲击来实现的。激励引起样品的自由振动，通过试样上方的信号接收器得到振动信号，进而通过快速傅立叶变换得到自由振动的前几阶频率，首先利用弯曲振动的基频算出试样的弹性模量，进而利用扭振主频率计算出剪切模量。由于梁试样自由振动的基频是由样品尺寸、弹性模量和样品质量所唯一确定，因此当基频已经测到后并且试样的质量和尺寸已知的情况下可以计算出弹性模量。弹性模量取决于弯曲响应频率，剪切模量取决于扭曲响应频率。泊松比由材料的杨氏模量和剪切模量决定，三者只有两项是独立的。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 该仪器测试精度高、操作方便，通过一次敲击（激励）能够快速而准确地同时得到材料的共振频率、弹性模量、剪切模量和泊松比以及内耗等基本弹性参数。测试结果重复性好，对样品完全没有破坏，也可连接高温炉进行高温弹性性能测试（高温炉为选购件）。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 该仪器高度集成，使用USB接口进行数据通讯、实现了热拨插和即插即用，采用全新工艺，实现硬件的高可靠性、强抗干扰能力和高信燥比，机型外观美观、性能稳定、能方便扩展高低温测试模块。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 性能指标 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 最高采样频率：2MHz br/ & nbsp & nbsp & nbsp 增益设置：1-128（1、2、4、8、16、32、64、128） br/ & nbsp & nbsp & nbsp 频响范围：20-20kHz br/ & nbsp & nbsp & nbsp 灵敏度：& nbsp 50 mv/pa br/ & nbsp & nbsp & nbsp 输入阻抗： 1Ω与27pF并联 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 时基范围： 10ns至1 sec/div br/ & nbsp & nbsp & nbsp 时基精确度： 50ppm br/ /p /td /tr tr td width=" 614" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 本产品适用于航空航天、汽车工业、工矿企业、科研部门、大专院校、技术监督、工程监测等，对各种陶瓷、玻璃以及各种陶瓷基复合材料的弹性模量，采用脉冲激励法可以实现对样品的无损检测，在准确测量样品的弹性模量的同时又不会对样品其他力学性能造成影响，应用前景广泛。 /p /td /tr tr td width=" 614" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 实用新型专利两项： br/ & nbsp & nbsp & nbsp 一种用于测量材料弹性性能的固定装置。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 专利号：ZL 2015 & nbsp & nbsp 2 0392701.4 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 一种样品激发装置及材料弹性性能测试系统 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 专利号：201520860414.1 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 行业标准一项 br/ & nbsp & nbsp & nbsp JC/T 678－1997& nbsp & nbsp 玻璃材料弹性模量、剪切模量和泊松比试验方法。 /p /td /tr /tbody /table

摘 要：本文介绍使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机，配合手动楔形拉伸夹具、Reliant精密轴向引伸计以及横向引伸计，根据《GB /T 1040.1-2018 塑料 拉伸性能的测定 》和《GB/T 1040.2-2022塑料 拉伸性能的测定 第2部分：模塑和挤塑塑料的试验条件》，进行了塑料拉伸模量及泊松比试验的实例，试验结果表明，使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机能够完全对应塑料拉伸试验。关键词：鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机 塑料 高分子 聚合物 拉伸试验 拉伸模量 泊松比塑胶原料定义为是一种以合成的或天然的高分子聚合物，可任意捏成各种形状最后能保持形状不变的材料或可塑材料产品。塑料是重要的有机合成高分子材料，由于其良好的物理化学性能，以及加工特性，被广泛应用于日常工作与生活中。根据各种塑料不同的使用特性，通常将塑料分为通用塑料、工程塑料和特种塑料三种类型。本次应用选用日常生活中最常见的5种塑料进行试验，可以很直观的对比出各种塑料的力学性能差异。电子万能材料试验机在塑料的力学性能分析中是属于最重要的物理性能测试设备之一。鲲鹏试验机配备的手动楔形拉伸夹具，可以在不借助工具的情况下，实现试样的快速夹紧，同时配备样品夹持对中装置确保每次试样放置位置统一，可以大大测试提高效率以及测试的重现性；夹具采用的楔形夹紧方式，可以比传统的平面夹持夹具夹紧后更小的预应力，并且在拉伸过程中持续稳定的提供夹持力。除夹具外，本次试验采用的Reliant精密轴向引伸计以及横向引伸计配合试验机主机的高精度和超过1000Hz的采集频率，可以完整的记录拉伸过程中的所有特征数据，给用户提供准确可靠的试验数据，配合智能化的测试软件可以同时提供单试样、多试样、双坐标等各种测试曲线，让不同的用户均可以拥有良好的交互体验，为企业的研发、质量以及产品控制保驾护航。1.试验部分1.1仪器与夹具BOYI 2025-010 电子万能试验机10kN手动楔形拉伸夹具Reliant轴向引伸计Reliant横向引伸计Smartest软件1.2分析条件试验温度：室温22℃左右载荷传感器：10kN（0.5级）加载试验速率：5mm/min夹具间距：115mm标距：50mm1.3样品及处理本次试验，选取5款注塑成型的塑料试样，包括原材料或增强塑料，材质分别为PP、PP+EPDM+TD20、ABS、PC、PA6+30GF，尺寸均为GB/T 1040.2的1A型试样，数量各5个。2.试验介绍使用BOYI 2025-010电子万能试验机进行试验，将样品夹持在上下夹具中，开启试样保护，将夹持后的预应力消除，然后分别将横向引伸计及轴向引伸计夹持在试样的中间部位，然后将引伸计清零，再以5mm/min的速度进行试验，直至拉伸应变超过拉伸模量及泊松比取值范围后，停止测试，将引伸计卸除。测量过程中的力以及变形数据，并生成拉伸试验曲线。图7 测试系统图（主机、夹具、引伸计）3.结果与结论3.1试验结果具体试验结果如下表1所示。表1.试验结果图8-试验曲线PP图9-试验曲线PP+EPDM+TD20图10-试验曲线ABS图11-试验曲线PC图12-试验曲线PA6+30GF从上(表1)数据以及试验曲线可以看出，拉伸曲线平滑连续，无松动打滑等异常现象，软件可以记录整个过程中完整的试验曲线，可以获取载荷、位移、轴向变形、横向变形等各项数据用于分析。可以看出各种样品之间因材质不同的曲线差异，模量大刚性高的样品，曲线斜率更大，每组各5个试样重现性良好，满足标准要求。从本次试验结果可以体现出鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机的高精度及高稳定性。4.结论上述试验结果表明，鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机配合手动楔形拉伸夹具、Reliant轴向引伸计以及横向引伸计，可以完全满足《GB /T 1040.1-2018 塑料 拉伸性能的测定 》和《GB/T 1040.2-2022塑料 拉伸性能的测定 第2部分：模塑和挤塑塑料的试验条件》标准要求，高效高质完成试验。通过高精度高采样率的测试系统，可以获得塑料材料的各项力学数据，且稳定可靠，这对于塑料材料的技术发展非常重要，能够为企业的产品研发、品质管理，以及该行业的标准化、规范化提供数据支持与技术保障。

摘 要：本文介绍使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机，配合手动楔形拉伸夹具、Reliant精密轴向引伸计以及横向引伸计，参考《ASTM D638-22塑料拉伸性能的标准试验方法》，进行了层压板的拉伸模量及泊松比试验的实例，试验结果表明，使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机能够完全对应层压板的拉伸试验。关键词：鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机 层压板 PCB基板 拉伸试验 拉伸模量 泊松比层压板是层压制品中的一种。层压制品是由两层或多层浸有树脂的纤维或织物经叠合、热压结合成的整体。层压制品可加工成各种绝缘和结构零部件，广泛应用在电机、变压器、高低压电器、电工仪表和电子设备中。随着电气工业的发展，高绝缘性。高强度、耐高温和适应各种使用环境的层压塑料制品相继出现。印制电路用的覆铜箔层压板也由于电子工业的需要迅速发展。层压制品的性能取决于基材和粘合剂以及成型工艺。按其组成、特性和耐热性，层压制品可分为有机基材层压板和无机基材层压板，本次应用选用电路板行业常用的PCB基板-环氧玻纤层压板作为样品进行试验，通过万能材料试验机可以进行层压板的各项力学试验，表征层压板的各项力学性能，从而做好层压板的质量控制。鲲鹏试验机配备的手动楔形拉伸夹具，可以在不借助工具的情况下，实现试样的快速夹紧，同时配备样品夹持装置确保每次试样放置位置统一，可以大大测试提高效率以及测试的重现性；夹具采用的楔形夹紧方式，可以比传统的平面夹持夹具夹紧后更小的预应力，并且在拉伸过程中持续稳定的提供夹持力。除夹具外，本次试验采用的Reliant精密轴向引伸计以及横向引伸计配合试验机主机的高精度和超过1000Hz的采集频率，可以完整的记录拉伸过程中的所有特征数据，给用户提供准确可靠 的试验数据，配合智能化的测试软件可以同时提供单试样、多试样、双坐标等各种测试曲线，让不同的用户均可以拥有良好的交互体验，为企业的研发、质量以及产品控制保驾护航。1.试验部分1.1仪器与夹具BOYI 2025-010 电子万能试验机10KN手动楔形拉伸夹具Reliant轴向引伸计Reliant横向引伸计Smartest软件1.2分析条件试验温度：室温22℃左右载荷传感器：10kN（0.5级）加载试验速率：5mm/min夹具间距：115mm标距：50mm1.3样品及处理本次试验，选取层压板长度为165mm，中间平行段宽度约10mm，数量3个。图1 标准试样2.试验介绍使用BOYI 2025-010电子万能试验机进行试验，将样品夹持在上下夹具中，开启载荷零点保持功能后将自动消除因夹持产生的夹持力，然后分别将横向引伸计及轴向引伸计夹持在试样的中间部位，再将两个引伸计清零，以5mm/min的速度进行试验，直至拉伸应变超过拉伸模量及泊松比取值范围后卸除引伸计并直至拉伸到样品断裂。测量过程中的力以及变形数据，并生成拉伸试验曲线。图2 测试系统图（主机、夹具、引伸计）3.结果与结论3.1试验结果具体试验结果如下表1所示。表1.试验结果图3-试验曲线从上(表1)数据以及试验曲线可以看出，拉伸曲线平滑连续，无松动打滑等异常现象，软件可以记录整个过程中完整的试验曲线，可以获取载荷、位移、轴向变形、横向变形等各项数据用于分析，数据重现性良好，可满足标准要求。从本次试验结果可以体现出鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机的高精度及高稳定性。4.结论上述试验结果表明，鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机配合手动楔形拉伸夹具、Reliant轴向引伸计以及横向引伸计，可以完全满足《ASTM D638-22塑料拉伸性能的标准试验方法》标准要求，高效高质完成试验。通过高精度高采样率的测试系统，可以获得层压板的各项力学数据，且稳定可靠，这对于塑料材料的技术发展非常重要，能够为企业的产品研发、品质管理，以及该行业的标准化、规范化提供数据支持与技术保障。

在包装行业中，包装膜袋的抗拉强度、伸长率及弹性模量作为衡量材料性能的重要指标，一直是研发与生产过程中的关键关注点。包装膜袋拉力机作为检测这些性能的重要工具，其准确性与可靠性对于评估材料质量至关重要。本文将从抗拉强度、伸长率与弹性模量之间的关系入手，深入探讨包装膜袋拉力机的工作原理及其在包装行业中的应用价值。1. 抗拉强度：抗拉强度是指材料在拉伸过程中能够承受的最大应力，通常以单位面积上的力（如N/mm² ）来表示。它是衡量材料抵抗拉伸破坏能力的重要指标。2. 伸长率：伸长率是指材料在断裂前能够拉伸的百分比，用来衡量材料的延展性。伸长率越高，说明材料的延展性越好，能够承受更大的变形而不破裂。3. 弹性模量：弹性模量是材料在弹性变形阶段应力与应变的比值，反映了材料抵抗形变的能力。弹性模量越高，材料的刚性越大，形变越小。它们之间的关系：抗拉强度与伸长率：一般来说，抗拉强度高的材料，其伸长率可能较低，因为高强度的材料往往具有较强的内部结构，不容易发生形变。相反，伸长率高的材料，其抗拉强度可能较低，因为它们能够承受更大的形变。抗拉强度与弹性模量：抗拉强度高的材料通常具有较大的弹性模量，因为它们能够抵抗更大的应力而不发生塑性变形。弹性模量高的材料也往往具有较大的抗拉强度。伸长率与弹性模量：伸长率高的材料通常具有较低的弹性模量，因为它们能够承受更大的形变。弹性模量高的材料通常具有较低的伸长率，因为它们不容易发生形变。综上所述，包装膜袋拉力机的抗拉强度、伸长率和弹性模量之间存在着一定的相互关系。了解这些关系有助于更好地评估和选择适合特定应用的包装材料。例如，对于需要较高抗拉强度的应用，可以选择抗拉强度高、弹性模量大的材料；而对于需要较好延展性的应用，可以选择伸长率高的材料。

仪器简介：比利时IMCE公司是一家专业的测试弹性模量和阻尼内耗分析仪器的生产厂家, 仪器基于共振频率动态测量方法, 应用完全非破坏性测试技术, 适用于陶瓷及金属等多种材料的生产(质量控制)及科学研究领域, IMCE公司是目前世界上唯一能在1750C高温和气氛控制条件下, 利用目前最先进的软件评估及研究, 精确测定共振频率、弹性模量、剪切模量和阻尼内耗等相关技术指标。 公司主要产品有：1、弹性模量和阻尼内耗分析仪 型号：RFDA MF Professional 2、高温炉： 型号：RFDA-HT1700 型号：RFDA-HTVP1700C 型号：RFDA-HTVP1600 HT1600, HT650. HT1050 3、软件 型号：RFDA MF Software 在中科院沈阳金属研究所高性能陶瓷与复合材料重点实验室及测试中心有该公司2套先进的高温测试系统。 技术参数：1、共振频率。 10Hz ~ 130KHz2、阻尼或内耗（10ˉ5-----0.1） 3、弹性模量 4、剪切模量 5、泊松比率 6、温度：室温--1750C。 7、气氛控制8，真空系统，激光检测主要特点：1、动态法测试（线性或非线性） 2、样品完全非破坏性测试符合ASTM-E-1876-99方法创新点：双样品高温弹性模量仪HT1700,在原有HTVP1700基础上，简化结构，去掉真空组件，增加了双样品支座及测试系统；性能上除了不能做真空及密封外，其它指标同HTVP1700相同，并且可以在普通空气下实验，可以同时测试2个样品，设备体积减小，提高测试效率一倍，价格降低一半！目前世界上同类设备中温度最高，双样品结构独一无二！ 高温动态弹性模量和阻尼分析系统

研究背景细胞的机械特性对其生物学功能（如增殖、分化和凋亡）和形态状态（如迁移、附着和病理状态）至关重要。目前常用的细胞弹性模量测量技术包括原子力显微镜、微管吮吸、光镊和磁镊等。这些技术可以有效测量单个细胞的机械性质，但是通量低，限制了其实际应用。近年来，微流控芯片因其在小体积液体操控方面的独特优势，也被用于测量细胞弹性模量。现有的微流控芯片主要侧重于平台开发，虽然通量大幅提高，但很少将测量后的细胞进一步收集以实现后续分析。单细胞分析技术的发展要求能够准确地打印单个细胞。传统单细胞打印技术包括荧光激活细胞分选、有限稀释和手动细胞挑选，这些方法打印效率较低且难以实现自动化。近年来，各种微流控技术被开发用于高通量精确打印单个细胞，如喷墨打印、精确分配、双阀门筛选和移液管式单细胞分离等。这些技术可以根据目标细胞的荧光、形态等特征进行识别并打印，但是大多技术难以获得单细胞的机械信息。因此，本研究报道了一款基于 U 型阵列的微流控系统，集成了单细胞连续捕获，弹性测量和可寻址打印。该装置在研究细胞力学与其他生物学特性的关系方面具有强大的应用潜力。研究内容近日，哈尔滨工业大学（深圳）陈华英课题组在英国皇家化学会（RSC）期刊 Lab on a chip 上发表题为“Continuous trapping, elasticity measuring and deterministic printing of single cells using arrayed microfluidic traps” (《单细胞连续捕获、弹性模量测量和可寻址分选打印》)的研究论文，报道了一款创新的微流控芯片，实现了基于精确调节的压力对微球/细胞进行捕获和逐个打印，并将已知弹性模量的单细胞确定性地打印到孔板中（图 1）。该论文第一作者是哈工大（深圳）在读硕士研究生蔡逸珂和硕士毕业生余恩。陈华英副教授为通讯作者。微流控芯片（图 1A）由冲洗入口、样品入口、打印入口、压力维持口和两个平行的主通道组成，下游有打印出口。在所有入口通道中设计了宽度从 200μm 减小到 25μm 的微通道阵列，以过滤介质中较大的颗粒/细胞碎片。如图 1A 和 B 所示，在每个主通道的一侧有 16 个 U 型捕获陷阱，且吮吸通道的高度比分流通道的高度低 15 μm，以保证细胞停留在 U 型陷阱中并诱导其微小变形。▲图1 单细胞连续捕获、弹性测量和可寻址打印系统。(A)微流控芯片连接到压力泵，将单细胞精确分配到孔板中；(B)通过调节打印压力(Po)捕获(Pi-Po0)和释放(Pi-Po0)单个细胞的机制；(C)用于捕获和分离细胞的吮吸通道；(D)用于捕获和分离微球的分流通道。

2006年9月3号到12号，比利时IMCE总经理BART BOLLEN先生亲临沈阳金属研究所技术支撑部，对所里使用此仪器的研究人员进行全面系统的培训。目前，主要负责人 张重远，杨菲老师已利用此仪器进行各种科学实验。 IMCE 公司的高温弹性模量和内耗分析仪，主要用于涉及工业和航空等高端技术陶瓷，金属等力学性质的分析和研究。 目前，此仪器在国内填补了此项技术分析的空白，它可以分析样品形状具有良好均匀性、弹性和等方性的陶瓷、金属样品，测量其弹性模量，剪切模量，泊松比率，阻尼等物理性质与温度或时间的关系曲线，给分析工作者提供了大量的有用科研信息

摘 要：本文介绍使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机，配合三点弯曲夹具，根据《IPC-TM-650试验方法手册》第2.4.4节层压板的弯曲强度(室温下)，进行了层压板的三点弯曲试验的实例，试验结果表明，使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机能够完全对应层压板的弯曲试验。关键词：鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机 层压板 PCB基板 弯曲试验 弯曲模量层压板是层压制品中的一种。层压制品是由两层或多层浸有树脂的纤维或织物经叠合、热压结合成的整体。层压制品可加工成各种绝缘和结构零部件，广泛应用在电机、变压器、高低压电器、电工仪表和电子设备中。随着电气工业的发展，高绝缘性。高强度、耐高温和适应各种使用环境的层压塑料制品相继出现。印制电路用的覆铜箔层压板也由于电子工业的需要迅速发展。层压制品的性能取决于基材和粘合剂以及成型工艺。按其组成、特性和耐热性，层压制品可分为有机基材层压板和无机基材层压板，本次应用选用电路板行业常用的PCB基板-环氧玻纤层压板作为样品进行试验，通过万能材料试验机可以进行层压板的各项力学试验，表征层压板的各项力学性能，从而做好层压板的质量控制。鲲鹏试验机配备的三点弯曲夹具具备较高的刚度，可以确保弯曲过程中受力分析的准确性，同时配备快速接头和可调支座，可以快速实现安装以及支座调整，另外配备的试样对中限位装置可以实现样品快速摆放及确保每次摆放的位置一致，确保结果的重现性。除夹具外，试验机主机的高精度以及超过1000Hz的采集频率，可以完整的记录弯曲过程中的所有特征数据，给用户提供准确可靠的试验数据，配合智能化的测试软件可以同时提供单试样、多试样、双坐标等各种测试曲线，让不同的用户均可以拥有良好的交互体验，为企业的研发、质量以及产品控制保驾护航。1.试验部分1.1仪器与夹具BOYI 2025-010 电子万能试验机三点弯曲夹具Smartest软件1.2分析条件试验温度：室温22℃左右载荷传感器：10kN（0.5级） 加载试验速率：0.76mm/min跨距：25.4mm压头及支座直径：10mm1.3样品及处理本次试验，选取的层压板尺寸为76.2mm×25.4mm×1.57mm，数量5个。图1 标准试样尺寸图2 试验样品2.试验介绍使用BOYI 2025-010电子万能试验机进行试验，将样品平放在下支座中，中间压头以0.76mm/min的速率进行试验。测量过程中的力以及位移数据，并生成弯曲试验曲线。 图3 测试系统图（主机、夹具）3.结果与结论3.1试验结果具体试验结果如下表1所示。表1.试验结果图4-试验曲线图5-试验后样品从上(表1)数据以及试验曲线可以看出，压头持续下压过程中，试样受力持续上升到最大力点，样品受力至断裂，软件可以记录整个过程中完整的试验曲线，可以获取最大力、应力、应变、位移行程等各项数据用于分析，试样破坏后，试验机监测断裂后自动停止设备，全部5个试样重现性良好，满足标准要求。从本次试验结果可以体现出鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机的高精度及高稳定性。4.结论上述试验结果表明，鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机配合三点弯曲夹具可以完全满足《IPC-TM-650试验方法手册》第2.4.4节层压板的弯曲强度(室温下)标准要求，高效高质完成试验。通过高精度高采样率的测试系统，可以获得层压板材料的各项力学数据，且稳定可靠，这对于塑料材料的技术发展非常重要，能够为企业的产品研发、品质管理，以及该行业的标准化、规范化提供数据支持与技术保障。

双样品高温弹性模量仪HT1600-DS,在原有HT1600基础上，增加了双样品支座及测试系统；性能上，指标同HT1600相同，可以同时测试2个样品，提高测试效率一倍，并且可以添加可选件立式膨膨胀仪！创新点：双样品高温弹性模量仪HT1600-DS,在原有HT1600基础上，增加了双样品支座及测试系统；性能指标同HT1600相同，可以同时测试2个样品，提高测试效率一倍，并且可以添加可选件膨胀仪！ 双样品高温弹性模量仪

日前，中国科学技术大学中科院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、石发展教授等在量子操控领域取得重要进展，基于金刚石氮-空位（NV）色心量子比特实现了保真度99.92%的量子CNOT门（量子受控非门）。相关研究成果发表于《物理评论快报》。高保真两比特量子门在量子信息处理，特别是容错量子计算中起着至关重要的作用。然而，量子比特会不可避免地与环境发生相互作用，这极大地降低了逻辑门的保真度，对于固态量子系统更是如此。经过几十年的努力，超导、离子阱、固态缺陷和量子点等量子系统，已经实现了保真度超过容错阈值（约99%）的两比特门。然而，可实用的大规模量子计算要求门保真度至少达到99.9%，此前仅离子阱体系实现了保真度约为99.9%的两比特门。固态体系由于受到更为嘈杂的固态环境的干扰，实现超过99.9%保真度的两比特门是一项艰巨的挑战。理论上，通过量子纠错过程，只要在物理比特上实现错误低于容错阈值的量子门，就可以在逻辑比特上获得错误更小的量子门。类似的，通过动力学纠错，如果环境噪声的非马尔科夫性能被充分利用，物理比特上的门错误可以在多个操控脉冲之间相互抵消。因此，通过结合上述两个层次的纠错，对初始的门保真度要求可以大大降低，这为基于现实中不完美的设备实现通用量子计算提供了一条可行的路径。然而，由于量子纠错过程本身会产生额外的复杂度，往往很难在实验上获得更高保真度的量子门。当动力学纠错的方法应用于两比特量子门时，也会遇到类似的问题，往往会没有精确地掌握噪声特性，使用更复杂的脉冲和更长的操控时间反而会造成更大的错误。此次工作中，研究团队通过对噪声的细致测量，建立了一个准确且完整的噪声模型，其中包括静态噪声、含时噪声以及量子噪声。基于动力学纠错的思想，研究人员对形状脉冲进行了精巧的设计，使其能抵抗噪声模型中的各种磁噪声，最终将磁噪声对CNOT门的影响降低了两个数量级，降至10的负4次方以下。经过实验，研究人员测得形状脉冲实现的CNOT门保真度为99.920（7）%，并分析得知，剩余错误主要来自于形状脉冲的失真以及电子自旋的纵向弛豫。这二者皆可在技术上被进一步消除，因此未来有望将CNOT门保真度进一步提高到99.99%以上。研究人员认为，该工作的方法是通用的，可进一步推广至其他固态体系，如硅量子点、金刚石和碳化硅中的其他缺陷、稀土掺杂系统等。

中国科学技术大学量子信息重点实验室利用Montana Instruments低温光学恒温器实现了量子点发射的确定性单光子的多模式固态量子存储。该成果在国际上次实现量子点与固态量子存储器两种不同固态系统之间的对接，并且实现了100个时间模式的多模式量子存储，模式数创造高水平，为量子中继和全固态量子网络的实现打下坚实的基础。研究成果发表在10月15日的《自然通讯》上。 文章的共同作者为唐建顺博士（量子点）和周宗权博士（固态存储）都是Montana Instruments 低温光学恒温器用户。文章作者与Montana低温光学恒温器合影 纠缠分发是构建量子网络的核心技术。由于信道中不可避免的传输损耗，目前在信道中直接进行纠缠分发只能达到百公里量，要想实现长程的纠缠分发则需要基于单光子量子存储和两光子Bell基测量的量子中继技术。目前已经实验验证的量子存储或量子中继方案都是基于概率性光源的存储，这类方案的长程纠缠分发时间预计将在分钟量以上。Experimental set-up 审稿人对该成果给予了高度评价：“（连接）纯固态量子光源和固态量子存储器对该领域具有显著的贡献（….pure solid-state quantum emitter and solid-state quantum memory a significant contribution to the field）”；“该工作朝着（量子中继的）正确的方向迈出了重要的一步（….this work takes an important step in the right direction）”。 相关产品Montana超精细低温光学恒温器：http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=280 关于Quantum Design Quantum Design是的科研设备制造商和仪器分销商，于1982年创建于美国加州圣迭戈。公司生产的 SQUID 磁学测量系统 (MPMS) 和材料综合物理性质测量系统 (PPMS) 已经成为公认的测量平台，广泛的分布于上几乎所有材料、物理、化学、纳米等研究领域的实验室。2007年，Quantum Design并购了欧洲大的仪器分销商LOT公司，现已成为著名的科学仪器领域的跨国公司。目前公司拥有分布于英国、美国、法国、德国、巴西、印度，日本和中国等地区的数十个分公司和办事处，业务遍及全球一百多个和地区。中国地区是Quantum Design公司活跃的市场，公司在北京、上海和广州设有分公司或办事处。几十年来，公司与中国的科研和教育领域的合作有成效，为中国科研的进步提供了先进的设备以及高质量的服务。

今天我们就来介绍这一款SPDC Pro数据采集软件，它能同时连接100台奥豪斯产品，包括实验室天平，pH计，工业秤和水分仪产品。无论是研发制造实验室、生产线还是各类分析测试实验室，使用SPDC Pro都能轻松实现PC端对海量数据的实时采集和存储。案例一在英国，具备校准服务的供应商会用此款免费的SPDC PRO软件采集天平的校准数据，同时做计量法规对比。PX6202型号是他们最推荐的型号。案例二某农业技术研发实验室，使用 SPDC Pro同时采集6台Defender 5000的数据，用以分析不同施肥量和浇水量对番茄生长的影响。同时，研究员还会定期导出实验数据做进一步分析。案例三在采购食品原料时，食品企业的技术人员需要根据行业标准进行水分含量检测。同时，他们会使用SPDC Pro将水分测试结果直接传输至电脑，留存电子记录，使得质量管控更为高效。图为MB120水分仪。SPDC Pro数据采集软件优势强大的产品兼容性多达100个通道实时数据监测更安全的数据管理免费软件下载进入奥豪斯官网www.ohaus.com，根据下图步骤即可免费下载软件。奥豪斯集团成立于1907年，拥有遍布各地的营销、研发和生产基地。通过不断为各地用户提供优质的称量产品与完善的应用方案，奥豪斯产品已遍及环保、疾控、食药、教学科研、食品、新能源和制药工业等各种应用领域，赢得了广泛的认可与青睐。我们致力于提供符合各国安全、环境及质量体系的产品，涵盖电子天平、台秤、平台秤、案秤、摇床、台式离心机、加热磁力搅拌器、涡旋振荡器、干式金属浴、实验室升降台和电化学产品等。

磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）利用磁隧道结自由层磁矩取向不同引起的磁阻不同作为存储单位0和1，同时结合传统的磁存储（PMR）非易失性及静/动态随机存储器（SRAM/DRAM）读写速度快的双重优点，在科研及工业界广受欢迎，并被认为是替代传统随机存储器的下一代存储技术的潮流和趋势。随着自旋转移矩效应（Spin Transfer Torque， STT）的发现及迅速应用，长期制约MRAM由科研阶段向工业量产阶段转变的技术难点“写入困难”被成功解决，同时为了进一步提高磁随机存储器的存储密度，近年来垂直取向的磁随机存储单元-隧道结（MTJs）取代了水平取向的磁随机存储单元，与STT技术一道成为了新的磁随机存储技术-垂直型STT-MRAM。图1 MRAM晶圆及MTJs存储单元 MRAM器件化和产业化的关键是对晶圆的磁性薄膜及磁性存储单元的生长和性能实现控制，特别是存储单元中的核心部件磁隧道结（MTJs），磁隧道结一般由磁性各异的多层膜构成，而隧道结终的性能又由多层膜中各层薄膜的性能所综合决定，然而MTJs的多层膜中每一层的厚度一般在几纳米至几十纳米之间，每一层的磁矩信号都非常弱(图3 PKMRAM_300典型测试结果图 日前，国内套PKMRAM_300正式落户杭州，将在新型磁随机存储器技术的研发及实现量产化的进程中发挥作用。祝愿此次PKMRAM_300 磁随机存储器磁检测系统的落户，能够帮助科学研究人员在磁随机存储技术领域内取得更多突破，在范围内占据技术点。相关产品链接：磁电阻随机存储器向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202460.htm面内磁存储纵向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202463.htm充磁系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C203306.htmDiskMapper H7 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202452.htm

中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏研究团队在集成电路存储器研究领域获重大进展，成功研制出一种单质新原理开关器件，为海量三维存储芯片的研发提供了新方案。12月10日，这项成果发表于《科学》。　　集成电路是我国的战略性、基础性和先导性产业，其中存储芯片是集成电路的三大芯片之一，直接关系国家的信息安全。然而，现有主流存储器——内存和闪存，不能兼具高速与高密度特性，难以满足指数型增长的数据存储需要，急需发展下一代海量高速存储技术。三维相变存储器是目前成熟的新型存储技术，其核心是两端开关单元和存储单元，然而，商用的开关单元组分复杂，通常含有毒性元素，严重制约了三维相变存储器在纳米尺度的微缩以及存储密度的进一步提升。　　针对以上问题，宋志棠、朱敏与合作者提出了一种单质新原理开关器件，该器件通过单质Te与电极产生的高肖特基势垒降低了器件在关态的漏电流（亚微安量级）；利用单质Te晶态（半导体）到液态（类金属）纳秒级高速转变，产生类金属导通的大开态电流（亚毫安量级），驱动相变存储单元。单质Te开关器件基于晶态—液态新型开关机理，与传统晶体管等完全不同，是集成电路全新开关器件。单质Te具有原子级组分均一性，能与TiN形成完美界面，使二端器件具有一致性与稳定性，并可极度微缩，为海量三维存储芯片的研发提供了新方案。　　据悉，该单质新原理器件为我国首次发明，打破了外国公司的专利壁垒，为我国自主高密度三维存储器的研发奠定了坚实的基础。　　意大利国家研究委员会微电子和微系统所教授Raffaella Calarco同期在《科学》上发表评论文章，认为该研究“取得的成果是前所未有的，为实现晶态单质开关器件提供了稳健的方法，此单质开关为3D Xpoint架构提供了新视角”。　　相关论文信息：https://doi.org/10.1126/science.abi6332

据后摩智能官微消息，后摩智能近期已完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发，探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界，后续将与车规级应用场景结合。据了解，后摩智能该款RRAM芯片能够满足在高质量/高安全性要求的商用场景，更新版本可以实现对车规级应用的支持，尤其是车载娱乐系统、部分低等级车规要求，在工业电子类/消费电子类，其功能/性能能满足对eFlash场景的替代，甚至能够改变原有计算架构，对只读/少读场景有较大的革命优势。在功耗性能方面，该款RRAM芯片整体功耗低至60mW，支持power down模式，支持不同区域分别关断功能，支持sleep模式等，可以进一步在不同应用场景进行功耗控制。后摩智能表示，可为客户提供先进非易失存储器，尤其是嵌入式的存储器的设计能力，逐步形成以0.5 MB ~ 128 MB范围的嵌入式存储器定制化服务，在此基础上提供不同容量的控制器解决方案、安全防护解决方案、产品定制化解决方案等。

天眼查显示，兆易创新科技集团股份有限公司“一种半导体存储结构及其制作方法、存储装置”专利公布，申请公布日为2024年7月19日，申请公布号为CN118368896A。背景技术随着半导体工艺的发展，器件的尺寸越来越小，进一步带来的沟道长度或宽度也随之减少。基于浮栅结构的存储单元，由于其擦写动作的特殊需求，不能一味地减少沟道长度或宽度，否则会严重影响存储单元的擦写性能。发明内容本申请公开了一种半导体存储结构及其制作方法、存储装置，该半导体存储结构包括：衬底，衬底的上表面上形成有沟槽；第一氧化层，形成于沟槽内，第一氧化层覆盖沟槽的侧壁和底壁；浮栅，形成于沟槽内，浮栅的上表面低于衬底的上表面；控制栅，形成于沟槽内，控制栅的上表面低于衬底的上表面；漏源区，形成于沟槽的两侧。通过上述方式，能够在保证沟道长度的同时，使得整体的半导体存储结构占用更小的衬底面积。

对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说，高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。对此，泛林集团副总裁兼电介质原子层沉积(ALD)产品总经理Aaron Fellis介绍了Striker® FE增强型ALD平台将如何以其高性能推进技术路线图的发展。沉积技术是推进存储器件进步的关键要素。但随着3D NAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性已开始凸显。泛林集团去年推出的Striker® FE增强版原子层沉积(ALD)平台可解决3D NAND和DRAM领域的半导体制造难题。该平台采用了被称为“ICEFill”的先进电介质填充技术，可用于先进节点下的3D NAND和DRAM架构以及逻辑器件。泛林集团副总裁兼电介质ALD产品总经理Aaron Fellis指出，填充相关技术的需求一直存在，但原有的那些方法已不能满足新的需求，尤其是3D NAND堆栈越来越高。他表示：“除了堆叠层数非常高以外，为了能整合不同步骤，还要通过刻蚀来满足不同的特征需求。最终我们需要用介电材料重新进行填充，这种材料中最常见的则是氧化硅。”Fellis指出，化学气相沉积、扩散/熔炉和旋涂工艺等半导体制造行业一直以来使用的传统填充方法总要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满足3D NAND的生产需求，“这些技术往往会收缩并导致构建和设计的实际结构变形”。由于稳定、能耐受各种温度且具备良好的电性能，氧化硅仍然是填隙的首选材料，但其沉积技术已经有了变化。以泛林集团的Striker ICEFill为例，该方案采用泛林独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上的无缝填充，并同时能保持原子层沉积(ALD)固有的成膜质量。Fellis表示：“标准ALD技术能大幅提升沉积后的成膜质量，这样就解决了收缩的问题。”采用ICEFill先进电介质填隙技术的Striker® FE增强版原子层沉积平台可用于3D NAND和DRAM架构的填充在Fellis看来，即使能通过高密度材料实现良好的内部机械完整性，标准ALD仍可能导致某些器件中出现间隙，而且其延展性可能出现问题。而采用自下而上填充的ICEFill则能实现非常高质量的内部成膜且不会收缩。“它的可延展性非常高。”他表示，这意味着可用其满足任何步骤的填充需求，包括用于提升机械强度和电性能等，“在所制造的器件内部某一特定间隙中，填充材料都具有统一的特性。”用于存储器件的沉积技术有自己的路线图，而推动其发展的各种存储技术进步也同时决定了现有技术的“保质期”，Fellis表示，“技术将向更高和更小发展”。预料到3D NAND堆栈增高带来的挑战，泛林集团早已开始着手改进其Striker产品。他说：“随着客户按自己的路线图发展，我们看到他们需要提高成膜性能的需求。堆叠依然是创新的推动力。”美国半导体产业调查公司VLSI Research总裁Risto Puhakka表示，作为ALD技术的主导者，泛林集团的技术需求反映了存储行业的普遍需求，即通过提升存储密度来满足人工智能等应用的高存储需求，但同时还要避免成本提升。而3D NAND等存储器件随着堆栈高度不断提升，对填充技术也提出了更高的要求。Puhakka说：“堆栈相关的制造难题越来越多，芯片制造商也会担心花费过高的问题。”在这种情况下，继续使用非常熟悉的材料（例如氧化硅）有助于更好地预测成本。

虹科方案Hongke-优秀案例分享助力高性能视频存储解决方案-1 “存储背后的力量！”虹科电子科技有限公司是ATTO技术公司在中国的官方合作伙伴。依附于我们十多年的客户积累和方案提供经验，虹科与 ATTO共同致力于为数据密集型计算环境提供网络和存储连接以及基础架构解决方案，为客户提供更高性能的产品与服务。无论您的工作流程面临何种挑战，都可以信赖HK-ATTO系列产品、驱动程序和软件以提供最高的性能和可靠性。我们的slogan是：“存储背后的力量”！用最优秀的网络和存储连接产品为您的网络和存储业务保驾护航。今天我们来分享虹科产品的一则优秀案例。1Avid NEXIS首先我们先来了解一下什么是Avid NEXIS。Avid NEXIS 是全球首个基于软件的存储 , 借助软件定义的存储平台, 专为实时媒体制作打造的智能型存储。您在存储系统上的投资，除了要考虑当前业务所需，还要考虑其技术架构是否能适应未来业务的扩展。Avid NEXIS 是世界上第一款专为媒体行业设计的软件定义的虚拟化存储平台，能够适用于任何媒体创作软件。这一强大的系统提供无与伦比的媒体性能、可扩展性及可靠性，为要求最严苛的广电、视频后期制作、音频制作、教育及企业用户简化工作流程。该平台允许将不同型号的存储引擎进行混合，形成虚拟化的存储资源池，从而加速工作流程。 这可能是唯一能够伴您的业务一同成长的存储解决方案。2虹科解决方案Avid的NEXIS系列共享存储系统为创意团队提供了实时编辑协作，其性能可加快媒体工作流程。先进的Avid文件管理系统使编辑能够使用Avid、Adobe、Apple® 、Autodesk、Filmlight、Blackmagic和Grass Valley的一系列工具，从而增强协作并最大限度地提高生产效率。与此同时，我们的虹科高性能专用网络和存储连接产品将增强包括Avid NEXIS在内的任何Avid内容创建解决方案。虹科&ATTO和Avid共同创建协作解决方案。Avid NEXIS共享存储通过HK-ThunderLink适配器和HK-FastFrame 25Gb 智能以太网卡（SmartNIC）连接到客户端，允许用户以高分辨率工作并编辑更多的SD、HD和4K视频流，确保高带宽应用的最佳行业数据传输。 我们的解决方案将为您带来：◾ 经过Avid认证的唯一专门构建的Thunderbolt连接产品，可与Avid NEXIS共享存储系统无缝集成。◾ 该解决方案由可靠的以太网堆栈、数据流专业技能和macOS环境中的丰富经验提供支持。◾ 虹科&ATTO和Avid的协作让用户能够完成手头最苛刻的业务流工作，并达到当今所需的最高性能水平。3为您提供的产品 A. HK-FastFrame 智能以太网卡 ◾ FastFrame&trade 3 N322 - Dual-port Integrated SFP28 10/25GbE Smart Ethernet NIC◾ FastFrame&trade NS12 - Dual-port 10GbE LC SFP+ SR Optical Interface NIC (Two 10Gb SFP+included)HK-FastFrame&trade 是一个易于使用的综合以太网产品组合，旨在提供高性能以太网，同时最大限度地减少电源和 CPU 周期的使用。我们使用最新的技术来加速数据I/O，提供行业领先的性能。HK-FastFrame内置硬件卸载引擎，包括CPU传输层卸载和NVMe over Fabric目标卸载，以加速数据传输并降低服务器消耗；内置端到端服务质量算法，网络拥塞大大降低。FastFrame网卡支持高达100GbE的线路速度和低至1µ s的延迟。 B.ThunderLink适配器 ◾ ThunderLink® N3 3102 - Dual 40Gb Thunderbolt to Dual 10GbE Adapter (SFP+s included)HK-ThunderLink® 适配器是希望将支持 Thunderbolt 3 和 2 的台式机或移动工作站连接到各种存储协议（包括光纤通道、SAS/SATA 和以太网）的理想解决方案。 产品经过 Intel Thunderbolt&trade 认证，包括任何所需的 SFP、QSFP 和 SFP28。虹科雷电适配器为设计、工程和技术从业者提供高性能、低延迟的Thunderbolt&trade 连接解决方案，适用于性能和吞吐量要求高的应用。它们小巧便携，易于堆叠，也可以使用HK-ThunderRack安装在机架上，不会妨碍用户使用随附的锁定电源。“虹科在工业、制造业、汽车、电子测试、通信领域深耕了长达20年，随着大数据时代的发展为了更好的迎接机遇和挑战，我们与全球领先的企业网络和存储供应商展开合作，提供一系列创新型安全灵活且性能优越的产品和服务来满足市场快速发展的IT需求。虹科网络基础团队不断学习最新的技术和应用、接受专家培训，积累实践经验，致力于为数据密集型计算环境提供高性能以太网、高度可靠的统一存储以及高速数据流的连接方案，并运用灵活的边缘计算系统实现经济高效且易于管理的大规模IT服务基础设施。

Light way- 点亮未来 - 光为人类带来无限可能，畅想未来与光相关的黑科技，光擦写技术无疑是具有无限升值空间的潜力股之一。例如光打印技术，无需油墨，重复擦写近100次，绿色环保，可节省纸张；又如新型记忆存储材料，超大密度海量信息记录，并可快速写入及擦除。 光擦写技术涉及到一种特殊的物质，即光致变色化合物，指某些化合物在一定的波长及强度的光作用下分子结构会发生改变，从而导致其对光的吸收峰值即颜色发生相应改变，且这种改变一般是可逆的，意味着这是反复可循环的过程。 光致变色化合物 利用光致变色化合物上述的特点，可将其制成计算机的记忆存储元件，实现信息的记忆与擦除，具有惊人的信息记录密度及良好的抗疲劳性能，能快速进行写入和擦除。这是新型记忆存储材料的一个新的发展方向。 光敏氯合物就属于一种光致变色化合物。从热稳定性的观点来看，光敏氯化合物可分为P型和T型。P型化合物通过光照生成的化合物是热稳定的，可逆变化需要再次光照。而T型化合物通过光照生成的化合物发生热可逆变化。 图1. a：P型光敏氯化物原始样品；b：365nm光照20min后；c：365nm先光照20min ，再使用550nm光照20min 图2. 样品在365nm光照下随时间变化的吸光度曲线 图3. 样品先经365nm光照后，在550nm光照下随时间变化的吸光度曲线 图4. a：T型光敏氯化物原始样品；b：365nm光照20min后；c：365nm先光照20min ，室温放置2h后 图5 样品在365nm光照下随时间变化的吸光度曲线 图6. 样品先经365nm光照后，室温下随时间变化的吸光度曲线 上述P型及T型光敏氯化物的光致变色反应使用岛津新推出的Lightway PQY-01光反应评价系统进行测试，PQY-01配置了快速光电二极管阵列检测器，可以对光致变色过程中的光谱变化进行快速追踪。

据日经亚洲评论报道，长江存储计划今年将产量提高一倍，并开始率先生产192层3DNAND闪存。此前，长江存储总规划产能30万片/月，分三期建成。从产能爬坡进程来看，一期于2019年底达到2万片/月产能；至2020年6月，5万片/月产能对应的设备基本招标完毕；至2021年底，预计一期满产将达到10万片/月。日经此次报道符合预期。长江存储三年来及招标设备中，中国厂商设备数量占比13%。分年度看，2019年长江存储1088台设备招标中，中国厂商设备数量占比9.65%，而2020年长江存储1107台设备招标中，中国厂商设备数量占比达到14.36%，呈现上升趋势。长江存储产线的机台国产化率已经从2019的10%左右提升至2020年的15%左右，对国产设备起到了培育→带动→批量重复订单的作用。以各个公司历史中标份额乘以各类设备均价来计算，预计长江存储每10K产能提升对北方华创的订单拉动约3-5亿元，对中微的订单拉动约3-5亿元，对盛美股份的订单拉动约0.5-1亿元，对上海精测、华海清科、中科飞测等公司同样有带动作用。依此计算，如果长江存储2021年实现了50K至100K设备的60%收入确认，理论上对北方、中微的收入分别有12-15亿左右的拉动，对盛美股份收入有2-3亿的收入拉动，大幅增厚相关设备公司的业绩。此外，2021年长江存储二期项目将开工，预示着产能爬坡有望持续超预期，对应又是10万片/月的新增产能。而除存储器项目外，中芯国际成熟制程、特色工艺项目、华力、华虹先进制程等半导体国产化项目都将拉动设备公司业绩。预计华虹半导体（无锡）产能从2020年末2万片/月扩张至2021年末4万片/月，厂房内后续仍有4万片/月扩产空间；华力集成扩产幅度与华虹无锡接近；预计长鑫存储产能将从2021年初4万片/月扩张至2022~2023年12.5万片/月；根据公司公告，中芯国际在北京即将新建10万片/月新厂房。展望2021年，在当前行业产能紧张持续背景下，晶圆制造、封装测试相关设备订单均有望爆发。建议关注国产半导体设备份额提升带来国产半导体设备行业规模的扩大。部分相关企业：北方华创、中微公司、华峰测控、盛美股份、精测电子、至纯科技等。

近日，《nature》杂志更新了两则最新研究，明尼苏达大学团队研究出计算随机存取存储器CRAM，可以极大地减少人工智能（AI）处理所需的能量消耗；斯坦福大学的研究人员则在芯片上设计开发出一台微型的钛蓝宝石 (Ti:Sa) 激光器，可用于未来的量子计算机、神经科学等领域。明尼苏达大学研究出计算随机存取存储器CRAM近期，《nature》杂志的同行评议科学期刊《npj Unconventional Computing》发布了一项名为计算随机存取存储器（Computational Random-Access Memory, CRAM）的最新研究，该新技术能够极大地减少人工智能（AI）处理所需的能量消耗。图片来源：《nature》截图据悉，这项技术由明尼苏达大学双城分校的一组工程研究人员开发，该校电气与计算机工程系博士后研究员、论文第一作者杨吕表示，这项工作是 CRAM 的首次实验演示，其中数据可以完全在存储器阵列内处理，而无需离开计算机存储信息的网格。国际能源署（IEA）于2024年3月发布了全球能源使用预测，预测人工智能的能源消耗可能会从2022年的460太瓦时（TWh）增加一倍至2026年的1,000 TWh。这大致相当于日本整个国家的电力消耗。目前，随着人工智能应用需求的不断增长，许多研究人员一直在寻找方法来创建更节能的流程，同时保持高性能和低成本。通常机器或人工智能流程在逻辑和内存之间传输数据会消耗大量的电力和能源。据悉，这项研究已经进行了二十多年，其最早可以追溯到电气与计算机工程系教授王建平在使用MTJ（磁隧道结）纳米设备进行计算方面的开创性工作。“我们20年前直接使用存储单元进行计算的最初想法被认为是疯狂的”，该论文的资深作者、明尼苏达大学电气与计算机工程系杰出 McKnight 教授兼 Robert F. Hartmann主席王建平 (Jian-Ping Wang) 表示。2022年1月3日，明尼苏达大学理工学院宣布，明大“Distinguished McKnight University Professor”王建平博士当选美国国家发明家科学院（National Academy of Inventors - NAI）院士。MTJ器件是一种纳米结构器件，这是一种利用磁性材料实现存储的新兴技术。在王建平的专利 MTJ研究的基础上，这个团队开发出了磁性RAM (MRAM)，目前这种技术已用于智能手表和其他嵌入式系统。在CRAM中，MTJ不仅仅用于存储数据，还被用来执行计算任务。通过精确控制MTJ的状态，可以实现诸如AND、OR、NAND、NOR和多数逻辑运算等基本逻辑操作。CRAM技术采用了高密度、可重构的自旋电子（spintronic）计算基底，直接嵌入到内存单元中。与三星的PIM技术相比，CRAM技术使数据无需离开内存即可进行处理，消除了数据在内存单元与处理单元之间的长距离传输。CRAM通过消除数据在内存和处理单元之间的移动，显著降低了能耗。此外，由于CRAM的计算直接发生在内存中，它还提供了更好的随机访问能力、可重构性以及大规模并行处理能力。CRAM 架构实现了真正的在内存中进行计算，打破了传统冯诺依曼架构中计算与内存之间的瓶颈——冯诺依曼架构是一种存储程序计算机的理论设计，是几乎所有现代计算机的基础。CRAM技术展现了巨大的潜力，尤其是在机器学习、生物信息学、图像处理、信号处理、神经网络和边缘计算等领域。例如，一项基于CRAM的机器学习推理加速器的研究表明，它在能量延迟乘积方面的性能比现有技术提高了大约1000倍。此外，CRAM在执行MNIST手写数字分类任务时，能耗和时间分别降低了2500倍和1700倍。当下CRAM技术展现出巨大的潜力，但其真实计算能力的局限在于连续CRAM数组内部。任何需要跨越不同CRAM数组的数据访问和计算都会增加额外的数据移动开销。未来，研究人员仍需应对可扩展性、制造和与现有硅片集成方面的挑战。他们已计划与半导体行业领导者进行演示合作，以帮助将CRAM变成商业现实。高能激光芯片设备研究有新突破！近日，斯坦福大学的研究人员在芯片上设计开发出一台微型的钛蓝宝石 (Ti:Sa) 激光器，相关研究已于6月26日更新在《nature》杂志上。原型机的体积仅为传统传统钛宝石激光器的万分之一，而生产成本也仅有原来的千分之一。总体而言，新设备同时解决了体积大、价格高等挑战，而且在规模效率方面也具有优势。目前传统激光器成本高达10万美元。但科学家认为，采用杂志上提及的最新方法，每台激光器的成本可能会降至100美元。他们还声称，未来可以在一块四英寸晶圆上安装数千台激光器，而每台激光器的成本将降至最低。这些小型激光器可用于未来的量子计算机、神经科学，甚至微观手术。图片来源：《nature》截图实验性激光依赖于两个关键过程。首先，他们将蓝宝石晶体研磨成厚度仅为几百纳米的一层。然后，他们制作出一个由微小脊线组成的旋涡，并用绿色激光笔照射其中。随着旋涡的每次旋转，激光的强度都会增加。“最棘手的部分之一是平台的生产，”这项研究的共同第一作者、斯坦福大学博士生Joshua Yang告诉《生活科学》。“蓝宝石是一种非常坚硬的材料。当你研磨它时，它常常不喜欢它，它会破裂，或者损坏你用来研磨的东西。”激光的强度通过晶体表面的一系列涡流增加（图源：Joshua Lang 等人，《自然》杂志）该学术团队对这项技术十分看好，主要原因在于这台最新激光器可以调节到不同的波长；具体来说，从 700 到 1,000 纳米，或从红光到红外光。杨教授以固态量子比特为例，指出这对于原子研究人员来说至关重要。“这些原子系统需要不同的能量（才能从一种状态过渡到另一种状态），”他说。“如果你购买的激光器增益带宽较小，而另一种过渡超出了该带宽，那么你就必须购买另一种激光器来解决该问题。”目前， Joshua Yang和他的同事已创建了一家名为Brightlight Photonics 的公司，以实现这项技术商业化。

记者从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在高维量子信息存储方面取得重要进展，该实验室史保森教授研究小组在国际上首次实现携带轨道角动量、具有空间结构的单光子脉冲在冷原子系综中的存储，迈出了基于高维量子中继器实现远距离大信息量量子信息传输的关键一步。该成果近日在线发表在《自然&mdash 通讯》上。 　　量子通信系统中作为载体的单光子所携带的信息量的大小与所处编码的空间维数有关。目前光子主要编码在一个二维空间，一个光子携带的信息量是一个比特。如果能将光子编码在一个高维空间，如无限维的轨道角动量空间，则单个光子所能携带的信息量将大幅度增加，极大地提高量子通信的效率，同时还可以提高量子密钥传输的安全性，并在量子力学的一些基本问题研究方面有非常重要的应用。 　　远距离量子通信的实现和量子网络的构成必须借助于量子中继器，而量子存储单元是量子中继器的核心，实现光子携带信息在存储单元中的存储是实现中继功能的关键。虽然这方面的研究已取得重大进展，但迄今为止实验存储的单光子均为高斯脉冲，且被编码于二维空间，只能实现一个比特的存储。因此，能否实现编码于高维空间光子的量子存储是提高量子通信效率、构建基于高维中继器的远距离量子通信系统和量子网络的关键。 　　史保森教授和博士生丁冬生等一直致力于解决上述问题。最近，他们首次成功实现了携带轨道角动量、具有空间结构的单光子脉冲的存储，证明高维量子态的存储是完全可行的。该小组通过两个磁光阱制备了两个冷原子团，利用其中一个冷原子团制备标记单光子，并使该光子携带一定的轨道角动量，具有特殊的空间结构。然后利用原子与光的相互作用将它存储于另一个作为存储介质的冷原子团中，结果证明单光子携带的轨道角动量及其叠加态都可以被高保真地存储。

p 　　中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。 /p p 　　以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案。刘明团队在RRAM方向具有长达10年的研究积累，于2015年开始联合中芯国际、国网智芯等单位，以产学研合作方式共同推进RRAM的实用化。经过两年多的努力，在中芯国际28nm平台上完成了工艺流程的开发与验证，并在此基础上设计实现了规模为1Mb的测试芯片。 /p p 　　垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。 /p p 　　相关研究成果分别以 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 和 8-Layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 为题在2017年国际电子器件大会上进行了汇报发言。 /p p style=" text-align: center " img title=" 001.png" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/10c005fa-4af7-4604-a95e-bb344b43bed0.jpg" / /p p style=" text-align: center " strong (a)28nm RRAM 1Mb芯片版图 (b)28nm RRAM单元TEM界面图 /strong /p p style=" text-align: center " img title=" 002.png" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/6df25f82-957f-4a8a-814d-0bad67c4979d.jpg" / /p p style=" text-align: center " strong 8层堆叠RRAM截面图 /strong /p p /p

澳大利亚国立大学领导的研究小组研发出了世界上迄今效率最高的激光量子存储技术，使我们朝着研制出超快速的量子计算机和提升通信安全指数的方向又迈进了一步。相关论文发表在6月24日出版的《自然》杂志上。 　　该校物理与工程研究院激光物理中心的科学家首次通过阻断和控制激光来操控晶体中的电子。这一系统史无前例的高效率和高精准度可使激光精妙的量子特性被存储、操控和忆起。 　　研究主导者摩根贺吉斯说，新技术大大减少了激光穿越过程中光子的损失，使其从单光子水平的微弱相干态调整至500个光子水平的亮态，并能将存储效率提升至69%，而传统的量子存储效率一般为17%，最高不超过45%。 　　由于量子力学固有的不确定性，激光在穿越晶体过程中会遗失部分的信息，并能将存储的信息以三维全息图的方式即刻呈现出来。处于量子相干态时，仅能输入30个或更少的光子。而新技术将打破量子不可克隆定理，即单量子或未知量子态不能被克隆的限制，使更多的输入信息可被寻回，而非遗失或损坏，在实际应用中可显著提升通信的安全指数。 　　此外，研究人员表示，激光存储还可用于测试和诠释基础物理现象，例如奇异的量子纠缠现象与爱因斯坦相对论存在着怎样的关联。主要研究人员马修塞拉斯介绍说：“我们能够在两种晶体存储器间实现量子纠缠。根据量子力学，无论双方相距多远，它们都保有特别的关联性，读取一个存储器内的信息必将即刻改变另一个存储器中所储存的信息 而根据相对论，存储器的移动方式将影响经过它的时间的长短。使用性能良好的量子存储器将大大降低测量和解释这些基础物理效应的难度，使其变得‘平易近人’。” 　　研究小组此前曾成功地将晶体中的光束阻断了1秒多的时间，为当时最好成绩的1000倍。将光束“冻住”的时间大大延长，意味着可能据此找到实用方法，以制造出光子计算机或量子计算机所需的存储设备。下一步研究团队还将再接再厉，在兼顾提升存储效率的同时，使储存时间延长至若干小时。

存储器作为所有电子信息系统的核心与基石，其在现代信息技术中的重要作用不仅是大国竞争的焦点，更是制约国家安全的关键和核心技术。但是，我国存储器市场基本被美日韩企业所垄断，虽然市场规模约占全球的35%，但自给率不足5%。特别是随着人工智能、物联网和大数据等新信息技术的快速发展与普及，全球数据量呈现爆发式的增长，而市场主流存储器产品因存在物理极限、存储鸿沟和功耗高的问题，无法满足未来海量数据处理的要求。因此，发展新型非易失性存储器正成为世界强国竞争的制高点。铁电存储器是一种采用铁电材料的双稳态极化来存储信息的新型非易失性存储器，因具有极优异的抗辐照性能和长久的数据保存能力，近30年来备受国内外高度关注。然而，锆钛酸铅等传统铁电材料作为存储介质的最小薄膜厚度约为70 nm，不能突破物理极限，翻转速度约为100 ns，不能解决存储鸿沟，且面临组成元素污染集成电路工艺线的巨大难题。2011年意外发现具有铁电性的氧化铪，有望引领存储器同时突破物理极限、存储鸿沟和集成电路工艺兼容性问题。唤醒效应、疲劳失效、性能不均一是阻碍氧化铪基铁电存储器走向应用的瓶颈问题，根本原因在于对氧化铪的5d电子结构、畴结构、铁电相等反常铁电性科学本质认识不足。针对以上需求及挑战，西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院周益春教授团队开展5d电子材料铁电性物理本质与存储器设计新理论研究，以构建电子、声子以及跨尺度畴变模型，揭示5d电子材料铁电性的物理本质及其介观响应规律，建立畴与场效应协同的复杂系统器件设计新理论，从而实现铁电相、薄膜、存储器的全链条研制。(1) 提出了场效应与畴结构耦合的器件设计理论，建立了源漏电流（存储窗口）与栅电压、极化、应变、应变梯度之间的关联，实现了铁电存储器的电路设计与仿真，首次研制出64 kbit 氧化铪基铁电存储器。图1. 64 kbit铁电存储器及其功能演示照片(2) 基于与主流集成电路工艺线兼容的原子层沉积工艺，提出硅衬底上制备氧化铪基铁电薄膜的化-力-电多场调控原理和晶态high-k层降低铁电相形成能的策略，实现了杂相（化）、界面（力）、畴（电、力）的协同调控，在国际上首次实现了氧化铪基铁电存储器的后栅极制备工艺和后端集成工艺，并通过了标准工艺线的验证。图2 (a)8英寸氧化铪基铁电薄膜照片 (b) 后栅极工艺制备的铁电存储单元照片(3) 基于贝利相位和能带理论，揭示出氧化铪的铁电相是极不稳定的亚稳相，并阐明掺杂离子-氧空位复合缺陷、应变和电场的协同作用能有效稳定亚稳相；构建了氧化铪基铁电薄膜带电畴壁-内建电场相场模型，从理论上预测了氧化铪尾对尾90°电畴结构的存在及其对氧化铪基铁电薄膜“唤醒”效应与疲劳失效的影响规律，并通过像差校正扫描透射电子显微镜(Cs-STEM)证实90°电畴结构是导致氧化铪基铁电薄膜出现“唤醒”效应的重要原因。图3 氧化铪薄膜在(a)唤醒前和(b)唤醒后的晶相、电畴结构

近日，第七届易贸生物产业大会暨易贸生物产业展览和第十四届中国整合生物样本学大会相继在苏州和天津举办，作为生命科学领域的代表企业，Azenta安升达受邀参加了上述会议。安升达深耕生命科学服务领域，致力于提供出色的样本研究与管理解决方案，服务于全球的制药、科研和医疗机构，涵盖药物开发、临床研究和先进细胞疗法等领域。服务中国市场14年来，拥有诸如Brooks、GENEWIZ金唯智、4titude、FluidX、BioCision等细分领域的著名生命科学品牌。2021年9月，为更好地满足中国市场的需求，上述品牌统一整合为Azenta安升达生命科学。易贸生物产业大会EBC暨易贸生物产业展览是中国领先的生物产业交流合作平台。大会以“会+展”的模式聚焦分子诊断、抗体药物、细胞与基因治疗、mRNA等热门赛道，汇聚了政府、学术、产业、投资等一线领域的科学家、学者、企业家、投资人等多位嘉宾，从政策、技术、临床、市场等多角度出发，以“会展联动”“线上直播”等多样化的形式，为生物产业企业提供一站式采购解决方案。本次易贸展会上，作为一站式服务专家及基因组学完整解决方案的领导者，Azenta安升达通过展台讲座的形式，详尽分享了公司在基因组服务领域的创新性的服务解决方案，助力客户将突破性的成果更快地推向市场。针对分子诊断、抗体药物、细胞与基因治疗、mRNA等行业研究热点，Azenta安升达都有针对性的创新性解决方案。例如，Azenta安升达独创的AAV-ITR测序服务，可以更好地帮助研发人员有效的评估ITR区域的完整性，为CGT的研究探索保驾护航。众多嘉宾驻足聆听安升达展台讲座同期，第十四届中国整合生物样本学大会暨第九届中国生物样本库院长高峰论坛在天津隆重举行，来自医院、高校、科研院所及生物医药企业的专家学者齐聚一堂，就我国生物样本库标准化建设及应用展开交流。安升达提供生物样本库一站式解决方案BioStore™ 深低温样本管理存储系统首次国内亮相“用心呵护每个样本，创新助力成果转化”，安升达在这次展会上推出了重磅新产品——BioStore™ 深低温样本管理存储系统，它是实验室有限空间自动化利用的革新，该产品能够实现高效入库记录，满足了客户对数据审计追踪的需求。同时，展台所呈现出的样本冻存管、全自动撕膜机、样本信息管理软件，以及基因组学检测服务受到了参会嘉宾的热切关注。在题为“从样本自动化存储到基因组学探究”的专题报告中，安升达业务开发经理姜渊哲从生物样本在实验室流转的角度，为与会嘉宾介绍了安升达从样本采集、处理、登记、转运、存储，到实验检测的一站式解决方案。讲座现场座无虚席，受到在场观众的一致好评，会后在展台也进行了热烈的交流。Azenta安升达中国区商务运营副总裁Rex Wu表示，“快速增长的中国市场对安升达来说非常重要！在剥离了半导体业务后，Azenta安升达业务全面聚焦在生命科学领域。今年6月份，安升达全球最大的一个投资项目-中国区基因组学中心正式投入运营使用，显著提升了我们在基因组服务领域的全球交付能力。样本管理和存储方面，安升达完成了对可控速率解冻设备的领先供应商Barkey的收购，更好地为快速增长的CGT市场服务。近期，Azenta安升达和B Medical Systems公司达成了收购协议，能够为温度敏感标本的温度安全和可追踪运输增加差异化的解决方案。我们希望，基于安升达在样本研究和管理领域的独特能力帮助中国生命科学客户更快地把突破性的成果推向市场，携手生命科学同行，共建健康中国！”安升达中国区基因组学中心已投入运营

p style=" text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em text-indent: 2em " 艾万拓(NYSE：AVTR)是一家全球领先的制造商和分销商，为生命科学、先进技术和应用材料行业的客户提供任务关键产品和服务，其位于德国法兰克福的新的生物存储和样品备份设施，已于2020年11月19日正式投入运营。该设施靠近德国法兰克福国际机场，得益于这一优越的地理位置，研究人员可在24小时内获取样品，用于将来的研究与分析或者研究验证。 /p p style=" text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em " 　　“全球支持疗法研发的临床试验数量与日俱增。我们必须小心保管并处理相关样品和研究材料，才能确保临床试验的有效性。”艾万拓服务部执行副总裁Christophe Couturier说道，“无论是通过测试之前的发现还是创新新的疗法，这种对于速度和灵活性的迫切需求只有在新冠肺炎大流行和对安全有效治疗的竞赛中得到加强。艾万拓可以在临床试验结束时保存样品，而且随着疫苗生产的激增，我们还能为制造商提供原料药存储的支持。 /p p style=" text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em " 　　Couturier补充说：“我们非常自豪，我们拥有四十多年的生物存储的经验，在此期间，艾万拓为客户保存的研发用资产多达1亿余项，而且从未被退货。这也体现了艾万拓一直秉承的理念：集科学之力,筑世界之美。” /p p style=" text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em " 　　艾万拓在德国的新的生物存储和备份设施 已经荣获国际公认的德国可持续建筑委员会(DGNB)的可持续建筑评估认证金奖，因为该设施降低了成本密集风险，而且注重解决生态、经济和社会文化问题。此外，该新设施也与艾万拓公司位于美国弗吉尼亚州利斯堡的地标园区及其位于法国尼斯附近的另一园区协同互补。 /p

近日，南昌大学化学化工学院、高分子及能源化学研究院陈义旺教授团队在能源转化和存储领域取得重要研究进展。在能源转化领域，通过调节铅基/非铅基钙钛矿吸光层结晶行为，实现高效、稳定钙钛矿光伏器件。在能源存储领域，通过构造和调控多级纳米结构与电极界面，实现高效氧还原电催化剂和锌金属电池的制备。得益于简易的溶液加工方式、优异的半导体性能以及对柔性可穿戴设备的兼容性，钙钛矿太阳电池已成为光伏商业化应用中极具潜力的候选者之一。然而，相比于传统光伏技术长达20年的使用寿命，钙钛矿太阳电池的稳定性仍是制约其商业化应用的关键因素。作为制备钙钛矿太阳电池的初始材料，前驱体溶液中的高活性组分极易发生副反应，从而引发钙钛矿太阳电池的效率批次性以及稳定性问题。此外，由于对溶液表征手段的局限性，前驱体溶液中胶粒的组装行为对后续晶体的生长影响仍未可知。鉴于此，陈义旺团队利用先进的液体飞行时间二次离子质谱仪作为“分子眼”评估前驱体物种差异，刨析前驱体溶液接触空气后的化学演变，直观揭示钙钛矿前驱体溶液老化本质。同时，结合氢键强度变化与离子团簇含量差异，可视化低维钙钛矿前驱体溶液中胶粒组装与量子阱演化之间的内在联系，实现低维钙钛矿模组可印刷性的突破。为进一步论证氢键作用在形核结晶过程的普适性，在无铅钙钛矿体系中揭示了以盐析结晶为主导的反溶剂机制和以氢键强弱为依据的挑选反溶剂的通用规则，发展了以乙酸为代表的一类多功能绿色新型反溶剂。此外，针对两步法中碘化铅的残留问题，引入“多功能胶囊”概念构筑多孔通道，促进固液界面反应，并通过下转换效应提高光利用率，实现高效、稳定的钙钛矿太阳电池的制备。团队进一步总结了钙钛矿太阳电池中离子迁移的起源和抑制离子迁移的有效策略，并创新性地从整体器件的角度提出了抑制离子迁移的前瞻性方法，为开发高效、稳定的钙钛矿太阳电池提供了新思路。针对当前商业化的锂离子电池面临的性能、安全和成本等瓶颈，研发下一代环境友好型储能技术以提高器件功率密度、能量密度、安全性，降低制造成本显得尤为重要。得益于资源丰度高及绿色无污染等特性，水系锌基电化学储能器件极具发展前景。为提高水系锌空气电池的功率密度及稳定性，陈义旺团队通过在邻苯二甲腈功能化石墨烯表面经微波聚合原位生长铁酞菁聚合物，通过液相原位电荷剥离策略，制备得到铁酞菁聚合物纳米片纵向接枝于石墨烯的多级次纳米片，作为高效氧还原电催化剂用于液态和柔性准固态锌空气电池。此外，为克服锌金属负极面临的枝晶生长、腐蚀、钝化等问题，团队采用聚阳离子电解质－聚二烯丙基二甲基氯化铵（PDD）作为添加剂双向调控电解液和锌/电解液界面电场，改善Zn2+迁移行为，诱导Zn(002）优势沉积，成功构筑高可逆和高稳定性的锌金属电池。团队长期围绕能量转换与存储器件关键材料与技术等方面开展研究，发展了一套可全自动化印刷制备工艺，实现大面积柔性固态能量转换与存储器件（太阳电池、超级电容器、金属－空气电池）的制备、集成及应用，在专利技术和工艺优化中取得连续突破，为进一步的产业化提供了支撑。团队最新研究成果近期连续在化学和材料顶级期刊Angewandte Chemie International Edition，Advanced Materials和Energy & Environmental Science上发表（Angew. Chem. Int. Ed., 2023, 62, e2022157 Angew. Chem. Int. Ed.,2023, e202303177 Angew. Chem. Int. Ed., 2023, 62, e2023016 Angew. Chem. Int. Ed., 2023, e202302701 Adver. Mater., 2023, 2301852 Adver. Mater.,2023, 2302552 Energy Environ. Sci.,2023, 10.1039/D3EE00202K），南昌大学为论文第一及通讯作者单位。

我校郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器。该成果12月28日发表在国际知名期刊《物理评论快报》上。量子存储器是构建大尺度量子网络的核心器件。基于量子存储器的量子中继或量子U盘可以有效地克服信道损耗，拓展量子网络的工作距离。李传锋、周宗权研究组长期致力于基于稀土掺杂晶体的固态量子存储器的实验研究。为了提升量子存储器的存储容量，满足规模化应用的需求，研究组近年来发展了激光直写技术，在稀土掺杂晶体上制备可集成量子存储器。所谓按需式读取是指光子写入存储器以后再根据需求决定读出的时间，它对实现量子网络中的同步操作等功能至关重要。然而目前国际上已有的可集成固态量子存储器都是基于简单的原子频率梳方案，其读出时间是在光子写入之前预先设定的，无法按需读取。为了实现按需式读取，研究组采用了一种改进的量子存储方案，即电场调制的原子频率梳方案。它通过引入两个电脉冲，利用斯塔克效应实时操控稀土离子的演化从而控制存储器的读出时间。研究组首先使用飞秒激光在掺铕硅酸钇晶体表面制备出面上光波导，然后在面上光波导的两侧加工两个面上电极，从而能以TTL兼容的5V电压实时操控存储过程，实现按需式读取。实验中光波导的插入损耗达到1 dB以下，这是目前可集成固态量子存储器的最优水平。最终，基于该自制器件研究组在国际上首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器，存储保真度达到99.3%±0.2%。该结果接近研究组2012年在块状晶体中创下的量子存储保真度的最高纪录（99.9%，PRL108, 190505），表明这种可集成量子存储器具有极高的可靠性。实验光路图和显微镜下集成量子存储器照片（右侧插图）该成果对大容量量子存储和构建量子网络均有重要意义。审稿人对该工作给予了高度评价：“The present experiment is a remarkable achievement as, in previous experiments with rare earth doped crystals with integrated design, only predetermined or delayed retrieval had been shown. (这个实验很重要，因为之前可集成固态量子存储的实验都局限于演示提前确定的读取时间。) ” “The work demonstrates a significant advancement in the field and is of broad interest to the scientific community.（这项工作是量子存储领域的一个重要进展，并将引起科学界的广泛兴趣。）”。文章的共同第一作者是中科院量子信息重点实验室的研究生刘超和朱天翔。该工作得到了科技部、国家自然科学基金委、安徽省以及中国科学院青年创新促进会的资助。论文链接：https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.125.260504

二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，受到静电场屏蔽效应减弱，利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在单位面积内沿z轴获得更高密度集成。因此，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已成为当前延续摩尔定律的重要研究方向之一。迄今为止，针对铁电二维材料忆阻晶体管的研究仍然匮乏，尤其缺失具有垂直构型的门电压可调的忆阻器件的研究，主要原因在于传统基于隧穿架构的二维忆阻器难以在垂直方向兼具更高性能和有效栅极调控特性。 　　近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。11月17日，相关研究成果以A gate programmable van der Waals metal-ferroelectric-semiconductor vertical heterojunction memory为题，在线发表在《先进材料》(Advanced Materials)上。 　　科研团队使用二维层状材料CuInP2S6作为铁电绝缘体层，利用二维层状半导体材料MoS2和多层石墨烯分别作为铁电忆阻器的上、下电极层，形成金属/铁电体/半导体(M-FE-S)架构的忆阻器；在顶部半导体层上方通过堆叠多层h-BN作为栅极介电层引入了MOSFET架构。底部M-FE-S忆阻器件开关比超过105，具有长期数据存储能力，且阻变行为与CuInP2S6层的铁电性存在较强耦合(图1)。此外，研究通过制备3×4的阵列结构展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列【crossbar array，实现随机存取存储器(RAM)的关键结构】的可行性(图2)。进一步，研究在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度(或费米能级)，从而对下方M-FE-S忆阻器的存储性能进行操控(图3)。基于上述成果，科研人员展示了该型器件的门电压可调多阻态的存储特性(图4)。 　　本研究展示的门电压可编程的铁电忆阻器有望在未来人工突触等神经形态计算系统中发挥重要作用，并或推动基于二维铁电材料制备多功能器件的开发。此外，该工作提出的MOSFET与忆阻器垂直集成的架构可进一步扩展到其他二维材料体系，从而获得性能更加优异的新型存储器。 　　研究工作得到国家重点研发计划“青年科学家项目”、国家自然科学基金青年科学基金项目/面上项目/联合基金项目、沈阳材料科学国家研究中心等的支持。图1.器件结构设计及两端铁电忆阻器的存储性能。a、器件结构示意图；b、器件的阻变行为；c、少层CuInP2S6的压电力显微镜相位和幅值图；d、器件在不同温度下的输运行为；e、存储器的数据保持能力测试；f、存储器开关比统计图。图2.铁电忆阻器存储阵列演示。a、二维铁电RAM结构示意图；b、CuInP2S6/MoS2界面的HAADF-STEM照片；c、3×4阵列的SEM图像；d、局部放大图；e、3×4阵列的光学照片；f-g、通过读取3×4阵列中每个交叉点的高阻态和低阻态编码的“I”“M”“R”的简化字母。图3.器件的可编程存储特性。a、器件结构示意图；b、MoS2层的转移特性曲线；c-d、异质结的能带结构图；e-f、通过施加门电压实现了对存储窗口从有到无的调控。图4.门电压可编程存储器的多阻态存储特性。a-d、器件在不同门电压下的存储窗口；e、器件的多阻态存储性能演示；f、栅极调控的耐疲劳特性。