磁控溅射沉积

一、项目基本情况项目编号：0705-2240 02012003项目名称：上海期智研究院磁控溅射仪采购预算金额：300.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：300.0000000 万元（人民币）采购需求：包件号项目数量简要技术规格备注1磁控溅射仪1套配置304L不锈钢超高真空不锈钢反应腔体，预留RHEED、RGA等接口，后续可按需升级。沉积腔室可升级集成9个2英寸超高真空溅射靶枪。预算：人民币300万元。 合同履行期限：交货期：收到预付款后8到10个月内。本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：（1） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；（2） 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商，代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权；（3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台（以下简称机电产品交易平台，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；（4） 本项目不允许联合体投标；（5） 本项目不允许分包和转包（代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包）。 3.本项目的特定资格要求：（1） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；（2） 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商，代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权；（3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台（以下简称机电产品交易平台，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；（4） 本项目不允许联合体投标；（5） 本项目不允许分包和转包（代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包）。三、获取招标文件时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午8:30至11:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：上海国际招标有限公司电子采购平台方式：电子发售售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2022年08月31日 09点30分（北京时间）开标时间：2022年08月31日 09点30分（北京时间）地点：上海国际招标有限公司电子采购平台五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜供应商首次注册应按要求提供《供应商注册专用授权函和承诺书》（可从供应商注册页面下载）和营业执照等扫描件，供应商应当提前准备，尽早办理，以免影响领购招标文件。已注册的潜在投标人可从网站采购公告栏的相应公告或者网站上方“SITC电子采购平台”中进入在线领购招标文件流程。若公告要求提供其他领购资料的，潜在投标人应当上传相关资料的原件扫描件，否则招标代理有权拒绝向其出售招标文件。无需提供领购资料的项目，潜在投标人提交领购申请并支付费用到账后即可下载电子招标文件。项目经理会将纸质招标文件快递给潜在投标人，电子发票将发至投标人登记的邮箱。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：上海期智研究院     地址：上海市徐汇区云锦路701号40-41层        联系方式：徐瑞；021-54652653      2.采购代理机构信息名 称：上海国际招标有限公司            地 址：中国上海延安西路358号美丽园大厦14楼            联系方式：胡羡聪、刘洲烨；86-21-32173682            3.项目联系方式项目联系人：胡羡聪、刘洲烨电 话：  86-21-32173682

据广州南沙发布消息，6月28日，广州市南沙区在明珠湾大桥桥面举办重大项目集中签约动工竣工（投产）暨明珠湾大桥通车活动。76个项目于当天集中签约、动工竣工（投产），涵盖新能源汽车、芯片等先进制造产业。在当天的签约仪式上，10个重点项目分两批进行现场签约，总投资额160亿元，达产产值796亿元，其中包括湾区半导体高端设备智造基地。据介绍，湾区半导体高端设备智造基地是先导集团拟在南沙投资建现代化的半导体设备产业园，项目建成后拥有生产各类镀膜沉积设备、磁控溅射设备、离子蚀刻设备及交钥匙工程的综合生产能力。先导集团目前已掌握核心专利和工艺技术，项目产品将拥有100%自主产权，满足半导体产业链国产化替代的需求。广州南沙发布消息指出，目前，南沙正积极促进第三代半导体与新能源汽车产业的融合创新，成立第三代半导体创新中心，形成以晶科电子、芯粤能、爱思威为代表，以联晶智能、芯聚能为龙头的从晶圆生产到芯片设计、封装及应用的第三代半导体全产业链，为将来三千亿级新能源汽车产业集群发展提供“芯”能量。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 28px " 薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，传统的薄膜沉积工艺主要有物理气相沉积（ /span span style=" text-indent: 28px " PVD /span span style=" text-indent: 28px " ）、化学气相沉积（ /span span style=" text-indent: 28px " CVD /span span style=" text-indent: 28px " ）等气相沉积工艺。物理气相沉积 /span span style=" text-indent: 28px " (Physical Vapour Deposition /span span style=" text-indent: 28px " ， /span span style=" text-indent: 28px " PVD) /span span style=" text-indent: 28px " 技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源 /span span style=" text-indent: 28px " —— /span span style=" text-indent: 28px " 固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 /span /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 仪器信息网近期特对一年内的 span PVD /span 设备的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。 span style=" color: rgb(127, 127, 127) font-size: 14px " （注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。） /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 240px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/a2ad4457-7ade-41a5-b0c8-6b0bfc0f3001.jpg" title=" 1.png" alt=" 1.png" width=" 400" height=" 240" border=" 0" vspace=" 0" / & nbsp & nbsp /span /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 各月中标量占比 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " span 2019 /span 年 span 10 /span 月至 span 2020 /span 年 span 9 /span 月，根据统计数据， span PVD /span 设备的总中标为 span 218 /span 台，涉及金额上亿元。 span 2019 /span 年 span 10 /span 月至 span 12 /span 月，平均中标量约 span 25 /span 台每月。 span 2020 /span 上半年，由于疫情影响， span 1 /span 月至 span 4 /span 月中标市场持续低迷，平均中标量约 span 5 /span 台每月，其中二月份无成交量。随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进， span PVD /span 设备中标市场活力回升，从二月份到七月份中标量不断增长，其中 span 7 /span 月 span PVD /span 中标量达 span 27 /span 台。第三季度的 span PVD /span 设备采购基本恢复正常，平均中标量约 span 24 /span 台每月。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 252px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/98f0aae5-cd0b-4c37-a638-6e07e56be8b6.jpg" title=" 2.png" alt=" 2.png" width=" 400" height=" 252" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 采购单位性质分布 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 从 span PVD /span 设备的招标采购单位来看，高校是采购的主力军，采购量占比高达 span 68% /span ，而企业和科研院所的采购量分别占比 span 12% /span 和 span 19% /span 。值得注意的是，企业和科研院所采购设备的单价较高，集中于高端设备，高校采购低端设备比例略高。企业方面的采购单位主要为电子产业，高校方面的采购单位以大学为主。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 265px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/16cf7cf8-1078-4811-92cb-06cb57740068.jpg" title=" 3.png" alt=" 3.png" width=" 400" height=" 265" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 招标单位地区分布 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 本次盘点，招标单位地区分布共涉及 span 25 /span 个省份、自治区及直辖市。广东、北京、浙江、江苏和湖北为 span PVD /span 设备采购排名前 span 5 /span 的地区，其中广东的采购量最大，达 span 32 /span 台。在这些地区中，上海、浙江和江苏的 span PVD /span 设备采购以高校为主力，北京以科研院所和高校采购为主力，只有湖北以企业采购为主。这主要是因为湖北武汉聚集了国内一批半导体企业，如武汉天马微电子有限公司和湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，致力于打造“中国光谷”。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 233px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/35dfbb36-d83c-4bcf-894d-3a587cdd8da8.jpg" title=" 4.png" alt=" 4.png" width=" 400" height=" 233" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 不同类型 span PVD /span 设备占比 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " span PVD /span 设备种类繁多，包含了磁控溅射、蒸发镀膜、真空镀膜等类型。根据搜集到的中标数据可知，磁控溅射占据了中标 span PVD /span 设备的主流、高达 span 72% /span 的 span PVD /span 设备采购为磁控溅射。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 span 70 /span 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 本次 span PVD /span 设备中标盘点，涉及品牌有泰科诺、 span Kurt J. Lesker /span 、创世威纳、 span Moorfield /span 、 span Leica /span 、合肥科晶、 span VEECO Instruments Inc. /span 、 span Teer Coatings Ltd. /span 、 span QUORUM /span 、 span style=" font-size:15px" Syskey /span span style=" font-size:15px" 、 span Applied Materials ,lnc. /span 、 span ULVACInc /span 、株式会社昭和真空 /span 等。 /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有： /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/08db5967-4529-4f60-88a7-518f97a384c8.jpg" title=" 5.jpg" alt=" 5.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/sh102205/C242800.htm" span style=" font-size:15px" span 三靶射频磁控溅射镀膜仪 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 这是一款小型台式 span 3 /span 靶等离子溅射仪 span ( /span 射频磁控型 span ) /span ，配有三个 span 1 /span 英寸的磁控等离子溅射头和射频（ span RF /span ）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。这款 span 1 /span 英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度。 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/c7c1521d-c5b9-4668-b178-66ac2ce7cd98.jpg" title=" 6.jpg" alt=" 6.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/sh101374/C191053.htm" span style=" font-size:15px" span 双靶磁控溅射仪 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" & nbsp /span span style=" font-size: 15px " 双靶磁控溅射仪是沈阳科晶自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。 /span span style=" font-size: 15px " VTC-600-2HD /span span style=" font-size: 15px " 双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪，一个弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜，一个强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。 /span /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2ed2b9b6-bb58-4779-ab5e-aa97cdaaaa2b.jpg" title=" 7.jpg" alt=" 7.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104149/C283599.htm" span style=" font-size:15px" span 科特莱思科热阻蒸发镀膜系统 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 这款仪器由预真空进样室（可选）前开门蒸发腔体、冷凝泵和干泵、多个热阻蒸发源或 span OLED /span 低温蒸发源、 span 6” /span 基片、基片旋转、基片偏压（可选）、离子源清洗基片（可选）、基片加热 span 1000 /span 度 span ( /span 可选 span ) /span 等部分构成。晶振沉积速率及膜厚控制可选择系统手动或自动控制等方式，能够沉积金属、半导体和绝缘材料，还可沉积多层膜及合金薄膜。 /span span style=" font-size: 15px " & nbsp /span /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 点击此处进入 /span span a href=" https://www.instrument.com.cn/list/sort/241.shtml" span style=" font-size:15px" span 【 span 半导体行业专用仪器 span 】 /span /span /span /span /a /span span style=" font-size:15px" 专场，获取更多产品信息。 /span /p p style=" text-indent: 29px text-align: center " span style=" font-size:15px" 更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】 /span /p p style=" text-indent: 28px text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2a630f7c-a2f9-4376-bd8c-911592840aa9.jpg" title=" 材料说.jpg" alt=" 材料说.jpg" / /p

自从2020年Quantum Design中国子公司将英国Moorfield nanotechnology公司生产的台式高精度薄膜制备与加工系统引进国内市场以来受到了国内科研工作者的广泛关注。Moorfield Nanotechnology推出的台式设备体积小巧但性能可以和大型设备相媲美，并且自动化程度高、操作简单、性能可靠、配置灵活。设备所具有的这些优点正是现代实验所需要的。Moorfield Nanotechnology长期收集用户的需求并对产品线进行不断的优化丰富，以满足各种个性化的实验需求。近年来，越来越多的前沿研究中需要用到多种薄膜制备手段，而传统的设备往往只有一种薄膜制备功能，制备一个样品就需要先后在不同的设备中进行操作，并且容易对样品的性质造成破坏。针对这样的需求，Moorfield Nanotechnology公司全新推出了台式高精度溅射与热蒸发系统——nanoPVD ST15A。该系统可以集成金属/绝缘体溅射、金属热蒸发、有机物蒸发功能，在同一台设备中可以实现多种制备手段的组合，将薄膜制备带入了新的高度。系统通过7英寸触摸屏控制，自动化程度高，各种制备方式可以自由切换，甚至可以同时进行。用户可以通过灵活的制备手段在在同一台设备中制备不同的薄膜或者是复合薄膜。nanoPVD ST15A外观图设备技术特点☛ 台式设备配置灵活☛ 磁控溅射、热蒸发、有机物蒸发☛ 三种制备手段可灵活组合☛ 可制备金属、有机物、电介质薄膜☛ 多达3个流量计控制过程气体☛ 高精度自动气压控制选件☛ 全自动触屏操作系统☛ 基片大至4英寸☛ 可选基片加热☛ 本底真空☛ 可选晶振膜厚标定功能☛ 定义保存多个制备程序☛ 全面的安全性设计☛ 超净间兼容☛ 稳定的性能左：nanoPVD ST15A 双蒸发源与磁控溅射组合，右：系统的样品台与挡板背景介绍Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立25年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。Moorfield公司近十年来与曼彻斯特大学诺奖技术团队紧密合作，推出的台式高精度薄膜制备与加工系列产品由于其体积小巧、性能优异、易于操作更是受到很多科研单位的赞誉。这些设备已经进入了欧洲多所科研院所的实验室，诸如曼彻斯特大学、剑桥大学、帝国理工学院、诺森比亚大学、巴斯大学、埃克塞特大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学、西班牙光子科学研究所、英国国家物理实验室等单位都是Moorfield Nanotechnology的用户和长期合作者。诸多的用户与合作者让产品的性能和设计理念得到了高速发展，并迈入全球化的进程。Quantum Design中国子公司与Moorfield Nanotechnology正式合作，作为中国的代理和战略合作伙伴，为中国用户提供高性能的设备与优质的服务。除了台式设备之外我们还提供多种大型设备和定制服务。目前国内已有包括清华大学、西湖大学、大连理工大学、广东工业大学、中科院等多个单位采购了不同型号的Moorfield高性能薄膜制备与加工设备。产品链接1、台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD

一、项目基本情况项目编号：0664-2260SUMEC787D项目名称：东南大学微纳系统国际创新中心磁控溅射镀膜仪采购预算金额：260.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：260.0000000 万元（人民币）采购需求：东南大学微纳系统国际创新中心采购磁控溅射镀膜仪 一套本项目接受进口产品。合同履行期限：合同签约后12个月到货安装调试合格。本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：本项目若符合扶持福利企业、促进残疾人就业、支持中小微企业、支持监狱和戒毒企业等政策， 将落实相关政策。3.本项目的特定资格要求：（1）供应商必须是所投产品的制造商或代理商，若投标人不是投标产品制造商的，投标人必须具有下列授权文件之一（本条只适用于进口产品）：a.供应商必须提供制造商出具的授权函正本； b.制造商的国内全资子公司出具的授权函正本； c.制造商对授权的区域代理商出具的授权函复印件及该区域代理商出具的授权函正本； d.投标人取得的产品代理证书复印件(正本备查)。4.拒绝下述供应商参加本次采购活动：（1）供应商单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动。（2）凡为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的采购活动。（3）供应商被“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、“中国政府采购网"(www.ccgp.gov.cn)列入失信被执行人、税收违法黑名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。三、获取招标文件时间：2023年01月05日 至 2023年01月11日，每天上午9:00至11:00，下午14:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：线上方式：在线获取售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2023年01月29日 09点30分（北京时间）开标时间：2023年01月29日 09点30分（北京时间）地点：南京市长江路198号苏美达大厦辅楼303会议室,五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜申请人的资格要求：1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定：（1）具有独立承担民事责任的能力（提供法人或者其他组织的营业执照，自然人的身份证明）；（2）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供参加本次政府采购活动前半年内（至少一个月）的会计报表或者上一年度的财务审计报告，成立不足一年的提供开标前六个月内的银行资信证明原件。）；（3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力（根据项目需求提供履行合同所必需的设备和专业技术能力的证明材料）； （4）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录（提供参加本次政府采购活动前半年内（至少一个月）依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料）；（5）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（提供参加本次政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明）（格式见后附件）。（6）法律、行政法规规定的其他条件。2、凭以下材料获取：（1）获取采购文件材料：1、营业执照【复印件加盖公章，扫描件】2、介绍信或者法定代表人授权书【原件加盖公章，扫描件，开具日期不得早于公告日期】3、委托代理人身份证【复印件加盖公章，扫描件】4、采购文件获取登记表word版【详见招标公告附件】（2）凡有意参加本次采购活动的供应商必须提供第（1）条规定证件登记并获取，不按规定获取的视为获取失败。3、我司提供了在线获取采购文件服务，操作流程如下：（1）、用微信关注我司公众号“苏美达达天下”。（2）、进入公众号-“在线服务”-“在线购标”。（3）、输入本项目的项目编号，举例：0664-2260SUMEC787D，点击查询。添加您所要获取的采购文件到购物车，输入投标单位名称、领购人信息以及发票信息，提交订单并确认微信支付，支付完成后将报名材料扫描件和登记表word版一并发至采购代理机构联系人：焦立阳，邮箱：jiaoly_work@163.com 即可，我们将会把采购文件电子版发送到领购人的邮箱。注意事项：（1）确保领购人邮箱真实准确无误，电子版采购文件将发送到此邮箱。（2）目前标书费发票支持开标现场领取或者顺丰到付。（3）“苏美达达天下”付款平台填写的投标单位名称必须与开票信息一致。如不一致投标人自行承担后果。请认真填写领购人信息及发票信息。（4）非采购代理机构或平台公司原因，发票一经开具不予退换。4、疫情防控期间注意事项（本项目采取在线流程）：在线流程：因疫情原因，本项目进行线上开标，请供应商尽量提前准备投标文件，以便及时送达代理机构指定的地点。供应商按照不见面开标通知（附件1）的要求参加开标会议。如因投标文件未及时送至代理机构造成的后果由供应商自负。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名称：东南大学地址：南京市玄武区四牌楼2号联系方式：技术咨询：微纳系统国际创新中心：贺老师 电话：025-83792632 分机号8806； 实验室与设备管理处：刘加彬 电话：025-83792693。2.采购代理机构信息名称：苏美达国际技术贸易有限公司地址：南京市长江路198号苏美达大厦联系方式：项目联系人：杨 扬、焦立阳 电话：025-84532455、025-845324523.项目联系方式项目联系人：杨 扬、焦立阳电话：025-84532455、025-84532452

项目编号：N5101012023000011项目名称：红外光谱仪、磁控溅射镀膜机、X-射线衍射仪采购项目采购方式：公开招标预算金额：2,400,000.00元采购需求：详见采购需求附件合同履行期限：采购包1：自合同签订生效后起10日内采购包2：自合同签订生效后起10日内采购包3：自合同签订生效后起10日内本项目是否接受联合体投标：采购包1：不接受联合体投标采购包2：不接受联合体投标采购包3：不接受联合体投标8a69c98f85909e000185957d38207018.docx

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术， 物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关物理气相沉积设备的进口情况，可以从一个侧面反映出中国物理气相沉积设备市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。海关统计中，根据物理气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置 (84862022)和制造平板显示器用的物理气相沉积设备（PVD）（84863022）。 为了解2021年物理气相沉积设备的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-11月，物理气相沉积设备（商品编码84862022、84863022）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前物理气相沉积设备市场做一个参考。2021年1-11月物理气相沉积设备进口额变化（人民币/万元）2021年1-11月物理气相沉积设备进口数据商品名称进口额（元）数量（台）均价（元/台）制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置6,273,882,9507098848918制造平板显示器用的物理气相沉积设备（PVD）4,290,243,27328015322297总计10,564,126,2239892021年1-11月，中国进口物理气相沉积设备总额约106亿元，总台数达989台，其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路，此类设备多达709台，总额约63亿元，占比高达59%。海关数据显示，去年全年的用于半导体器件和IC制造的PVD进口额约35.5亿元。可以看出今年用于集成电路和半导体器件的进口PVD设备总额明显增加。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-11月进口物理气相沉积设备贸易伙伴变化（人民币/万元）从进口PVD设备的贸易伙伴分布可以看出，主要进口的贸易伙伴为新加坡和美国，其中新加坡进口额最多且全部用于半导体器件和IC制造。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口用于半导体器件和IC制造的PVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。进一步分析用于平板显示器制造的PVD数据发现，中国台湾、韩国和日本是此类PVD的主要贸易伙伴，且占比接近。而从用于半导体器件和集成电路制造的PVD主要贸易伙伴是新加坡、美国和瑞士。2021年1-11月物理气相沉积设备各注册地进口数据变化（单位/万元）那么这些物理气相沉积设备主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，上海市的PVD设备进口额最高约22亿元，占比约21%。其次福建和重庆市分列第二、第三。上海市的物理气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中，这表明上海在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对半导体设备的需求也在激增。而重庆市则正好相反，其进口PVD主要用于平板显示器生产中，在平板显示器用PVD注册地中排名首位，这可能和京东方在重庆的生产线有关，京东方是我国面板产业的龙头企业，其对进口额影响较大。近几年，重庆市也出台了一系列政策之前平板显示制造行业发展。而在平板显示器用PVD的注册地分布中可以看出，除了重庆市独占鳌头，福建省进口平板显示器用PVD仅次于重庆，这可能与位于厦门的天马微电子有关。重点商品物理气相沉积有哪些重点商品呢？对此，笔者查阅了海关总署，发现重点商品主要有2款。商品1：PVD磁控溅射镀膜线（商品编码：84862022）PVD磁控溅射镀膜线：形成导电膜,用于将产生的电流收集导出。商品1：镀膜机/制造平板显示器专用（商品编码：84863022）型号：Applied Materials牌/NAR 1400L(4Mo+5 Al)型。原理：本设备将工作腔抽成真空后灌入氩气,高温高压条件下氩气形成离子层,氩离子在电场作用下,高速冲击靶材(氧化铟锡),使靶材分离出的金属离子在电场作用下附在玻璃基板表面形成薄膜,玻璃基板即可导电。

一、纳米颗粒膜制备日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜，很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入，不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向，需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下，纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸，颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下，Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布（厂家测试数据）不同颗粒密度样品（厂家测试数据）纳米颗粒制备技术特点：▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调；▪ 多可达3重金属，可共沉积，可制备纯/合金颗粒；▪ 材料范围广泛，包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性（类似于反应溅射）▪ 的纳米颗粒层厚度控制，从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向：▪ 生命科学和纳米医学： 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向：电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究：光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化：燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器：生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而，人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物，想要消除铅对环境的影响，而迄今为止，这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的，如果将它们结合起来，就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期，牛津大学的光电与光伏器件研究组的HenrySnaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙，可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合，使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比，无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题，由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长，因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统，通过真空蒸发三种不同的前驱体，研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性，使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后，XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后，表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统，可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点：▪ 蒸发设备：热蒸发（金属）、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射：直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性：可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备：二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制：触屏编程式全自动控制

MoS2(二硫化钼)，由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8 eV)，高表面体积比和的场效应晶体管(FET，field effect transistor)性能，已成为具代表性的二维过渡金属硫族化合物（TMDC, transition-metal dichalcogenide）。使用纳米晶（Nano-Crystal，NC）修饰MoS2，即可以保持每个组成部分的立特性，同时又提供了复合材料产生的协同特性，大的扩展了MoS2材料的应用领域。控制纳米晶（NC）在 MoS2基底上的形貌，包括浓度，尺寸大小和表面体积比，对电子器件的整体性能影响是至关重要的。原子层沉积技术（ALD，Atomic layer deposition）是基于自限制的表面化学反应，对缺乏表面活化学反应基团的二维材料可实现选择性表面纳米晶修饰，其中NC大小可以通过循环次数来控制。美国斯坦福大学化学工程学院的Stacey F. Bent教授，通过使用台式三维原子层沉积系统-ALD发现了一种合成ZnO修饰MoS2基杂化纳米结构（纳米片或纳米线）的新方法。ZnO纳米晶的特性，包括浓度、大小和表面体积比，可以通过控制ZnO循环次数以及ALD磺化处理得到的MoS2衬底的性能来进行系统的合成和调控。通过材料化学成分（XPS以及 Raman），显微镜观察(TEM, SEM)和同步加速器X射线技术(GIWAXS) 分析ZnO与ALD沉积次数的相互关系，并结合量子化学计算的结果，作者阐明了ZnO在MoS2衬底上的生长机理及其与MoS2衬底性能的关系。MoS2纳米片的缺陷密度和晶粒尺寸可以由MoO3的硫化温度进行控制，ZnO纳米晶会选择性地在MoS2表面的缺陷位置处成核，且尺寸随着ALD循环次数的增加而增大。ALD循环次数越高，ZnO纳米晶的聚结作用越强，使得ZnO在MoS2衬底表面的覆盖和自身尺寸大幅增长。此外，复合结构的几何形貌可以通过改变MoS2衬底的取向进行调控，即采用MoS2的垂直纳米线（NWs，nanowires）作为ALD ZnO NCs的衬底，可以大幅改善复合结构的表面体积比。该类材料有望用于一些新拓展的领域，尤其是依赖过渡金属卤化物和NCs相互耦合结构的，如基于p−n异质结的传感器或光电器件。该工作发表在2020年的国际知名期刊ACS Nano (2020, 14, 1757−1769)上。图1. （a）ZnO@MoS2复合纳米结构示意图；（b）800°C-MoS2表面的HR-STEM图像；（c）两步合成二硫化钼的工艺，即在三个不同的退火温度下（600,800,和1000°C）下使用H2S硫化ALD 合成的MoO3；（d）600 °C-, 800 °C-, 和1000 °C-MoS2的Raman光谱图,（e）Zn 2p XPS谱图（循环次数为50次）,（f）相对原子比 Zn/(Zn + Mo),（g）TEM图像，（h）表面覆盖度，（i）MoS2表面ZnO颗粒的数密度及（g）GIWAXS（grazing incidence wide-angle X-ray scattering，掠入射小角X射线散射） 图样（不同沉积次数下）；（k）800 °C-MoS2 纳米线的SEM，TEM和HR-TEM图像；（l）DEZ（diethylzinc，二乙基锌）反应的量子化学计算结果,在MoS2的边缘位和基面上进行DFT分析,黄色和绿色原子分别表示S和Mo。 上述工作中作者团队采用的原子层沉积设备来自于美国ARRADIANCE公司的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统-ALD(如图2所示)，其在小巧的机身（78 * 56 * 28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于99%，而且更适合对超高长径比的孔径3D结构等实现均匀薄膜覆盖，对高达1500：1长径比的微纳深孔内部也可实现均匀沉积。GEMStar系列ALD系统广泛应用于高深宽比结构沉积，半导体微纳结构制备，微纳粉末包覆等，服务于锂离子电池，超电容器，超电容器，LED等研究领域。图2. 美国ARRADIANCE公司生产的GEM-tar系列台式三维原子层沉积系统 参考文献：[1]. Il-Kwon, et al., Synthesis of a Hybrid Nanostructure of ZnO-Decorated MoS2 by Atomic Layer Deposition., ACS nano., 2020,14(2), 1757-1769.

薄膜沉积（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法，因为它有如下的这些特点：1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程：i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时，SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散，并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散，因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层，形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右，栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD，LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD，)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体） 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜， 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染，耗材少。成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法：◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating

地下水是水文循环的重要组成部分，广泛用于饮用水、工农业活动以及战略储备。然而，人类活动的加剧（如水利工程建设、地下水过度开采、农药和生活污水排放）以及天然劣质地下水在大型流域中的广泛分布，导致地下水环境恶化。因此，水资源的合理管理和水环境的有效保护至关重要，基于地下水流系统（GFS）理论，全面理解地下水流模式（即更新速率、流径及演化趋势）有助于准确评估水文通量和预测污染物分布。汉江平原是长江流经三峡后第一个接收沉积物的大型河湖盆地。复杂的沉积环境、地下水-地表水强烈相互作用以及人为改造自然环境的共同作用，形成了汉江平原独特的GFS格局。了解汉江平原地下水循环演化及其控制机制，对于促进GFS的实际应用和该地区地下水资源保护具有高度紧迫性和挑战性。基于此，在本研究中，来自中国地质大学（武汉）的研究团队在汉江平原腹地和过渡区进行了相关研究，旨在：（1）基于沉积物粒度特征、粘土孔隙水稳定同位素和古气候指标重建汉江平原第四纪含水层系统的沉积环境；（2）深入理解末次盛冰期（LGM）以来沉积环境驱动的GFS演化模式。作者于2015年和2017年在汉江平原腹地和过渡区钻了两个钻孔G01和G05，深度分别为200 m和185 m。从钻孔中收集沉积物样品，分析其粒度分布，地球化学和矿物成分。并从钻孔G01和G05中分别采集了19个和17个粘土样品，利用全自动真空冷凝抽提系统（LI-2100，北京理加联合科技有限公司）提取粘土孔隙水，并进一步分析其δ18O。江汉平原第四纪沉积相、河系和主要钻孔分布。【结果】G01（a）和G05（b）钻孔孔隙水δ18O、沉积物OSL年龄、粘土矿物和地球化学指标的垂向分布以及第四纪古气候演化阶段。古气候阶段G01和G05钻孔孔隙水δ18O值、 粘土矿物和沉积物地球化学指标。【结论】基于水文地质条件、粒度分布特征、沉积物年代学、古气候指标和现存地下水年龄等综合分析，阐明了江汉平原沉积环境驱动的GFS演化模式。该研究的主要发现总结如下：在江汉平原第四纪含水层沉积环境的演化历史中，沉积相主要为河流相、湖泊相和河湖相，由中深层含水层的粗粒相过渡到浅层含水层的细粒相。这意味着水动力条件逐渐减弱并趋于稳定。此外，湖泊相沉积层厚度向平原腹地方向增加。自LGM以来，江汉平原气候演化和沉积相之间具有一定的耦合关系。沉积环境从LGM期间深下切侵蚀环境转变为末次冰消期（LDP）快速冲填粗粒沉积物的河流相环境，然后转变为全新世暖期（HWP）具有细粒沉积物的稳定湖泊相环境。这些变化与长江水位的波动密切相关。基于江汉平原现存地下水年龄的分布，自LGM以来，GFS的演化模式可分为三个阶段。阶段I（22-13 ka B.P.），长江水位急剧下降造成的强水势差增加了地下水的驱动力，极大促进了该阶段区域GFS充分发展，其环流深度达到第四纪底部。随着阶段II地下水驱动力的快速削弱（13-9 ka B.P.），区域GFS再循环深度下降至深层含水层上部，而阶段I的区域GFS逐渐深埋于盆地中。作为阶段III（9 ka B.P.至今）稳定在低水位地下水驱动力，阶段I和阶段II的区域GFS保存在盆地深处，被认为是一个停滞系统（地下水年龄在10 -20 ka之间）。此外，区域GFS（地下水年龄为4-10 ka）和中间GFS（地下水年龄为1-6 ka）共同被认为是稳定体系。随着微地形的充分发育，垂直于河流方向的浅层地下水流形成了活跃的局部GFS（地下水年龄 100 a）。

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些CVD技术。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。【市场分析】上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）HDP-CVD 是一种利用电感耦合等离子体 （ICP） 源的化学气相沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD 提供几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD 配置的另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的 ICP-RIE。 在预算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制成本的过程中诞生了HDP CVD工艺，它的突破创新之处在于，在同一个反应腔中同步地进行沉积和刻蚀工艺。微波等离子化学气相沉积（MPCVD）微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。该方法利用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出。微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-MPCVD）在MPCVD中为了进一步提高等离子体密度，又出现了电子回旋共振MPCVD（Electron Cyclotron Resonance CVD，简称ECR-MPCVD）。由于微波CVD在制备金刚石膜中的独有优势，使得研究人员普遍使用该方法制备金刚石膜，通过大量的研究，不仅在MPCVD制备金刚石膜的机理上取得了显著的成果，而且用CVD法制备的金刚石膜也广泛的用于工具、热沉、光学、高温电子等领域的工业研究与应用。超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术。超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑制外延薄膜的三维生长。UHV/CVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下，反应气分子能够直接传输到衬底表面，不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用，沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中，气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面，薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此，在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的，这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。低压化学气相沉积（LPCVD）低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。LPCVD压强下降到约133Pa以下，与此相应，分子的自由程与气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，即使平行垂直放置片子片子的片距减小到5~10mm，质量传输限制同片子表面化学反应速率相比仍可不予考虑，这就为直立密排装片创造了条件，大大提高了每批装片量。以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量。再者LPCVD并不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。LPCVD广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜。热化学气相沉积(TCVD)热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。广泛应用的TCVD技术如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于热化学气相沉积的范围。热化学气相沉积按其化学反应形式可分成几大类：（1）化学输运法：构成薄膜物质在源区与另一种固体或液体物质反应生成气体.然后输运到一定温度下的生长区，通过相反的热反应生成所需材料，正反应为输运过程的热反应，逆反应为晶体生长过程的热反应。（2）热解法：将含有构成薄膜元素的某种易挥发物质，输运到生长区，通过热分解反应生成所需物质，它的生长温度为1000-1050摄氏度。（3）合成反应法：几种气体物质在生长区内反应生成所生长物质的过程，上述三种方法中，化学输运法一般用于块状晶体生长，分解反应法通常用于薄膜材料生长，合成反应法则两种情况都用。热化学气相沉积应用于半导体材料，如Si，GaAs，InP等各种氧化物和其它材料。高温化学气相沉积（HTCVD）高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度（2000℃~2300℃）。高温化学气相沉积是在衬底材料表面上产生的组合反应，是一种化学反应。它涉及热力学、气体输送及膜层生长等方面的问题，根据反应气体、排出气体分析和光谱分析，其过程一般分为以下几步：混合反应气体到达衬底材料表面；反应气体在高温分解并在衬底材料表面上产生化学反应生成固态晶体膜；固体生成物在衬底表面脱离移开，不断地通入反应气体，晶体膜层材料不断生长。中温化学气相沉积（MTCVD）MTCVD硬质涂层工艺技术，在20世纪80年代中期就已问世，但在当时并没有引起人们的重视，直到20世纪90年代中期，世界上主要硬质合金工具生产公司，利用HTCVD和MTCVD技术相结合，研究开发出新型的超级硬质合金涂层材料，有效地解决了在高速、高效切削、合金钢重切削、干切削等机械加工领域中，刀具使用寿命低的难高强度题才引起广泛的重视。目前，已在涂层硬质合金刀具行业投入生产应用，效果十分显著。MTCVD技术沉积工艺如下。沉积温度：700~ 900℃；沉积反应压力：2X103~2X104Pa；主要反应气体配比： CH3CN：TiCl4：H2=0.01：0.02：1；沉积时间：1一4h。金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，非常适合于生长各种异质结构材料，还可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产。激光诱导化学气相沉积（LCVD）LCVD是利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。根据激光在化学气相沉积过程中所起的作用不同可以将LCVD分为光LCVD和热LCVD，它们的反应机理也不尽相同。光LCVD是利用反应气体分子或催化分子对特定波长的激光共振吸收，反应分子气体收到激光加热被诱导发生离解的化学反应，在合适的制备工艺参数如激光功率、反应室压力与气氛的比例、气体流量以及反应区温度等条件下形成薄膜。光LCVD原理与常规CVD主要不同在于激光参与了源分子的化学分解反应，反应区附近极陡的温度梯度可精确控制，能够制备组分可控、粒度可控的超微粒子。热LCVD主要利用基体吸收激光的能量后在表面形成一定的温度场，反应气体流经基体表面发生化学反应，从而在基体表面形成薄膜。热LCVD过程是一种急热急冷的成膜过程，基材发生固态相变时，快速加热会造成大量形核，激光辐照后，成膜区快速冷却，过冷度急剧增大，形核密度增大。同时，快速冷却使晶界的迁移率降低，反应时间缩短，可以形成细小的纳米晶粒。除以上提到的薄膜沉积方法外，还有常压化学气相沉积（APCVD）等分类技术。

文章名称：Experimental study platform for electrocatalysis of atomic-level controlled high-entropy alloy surfaces期刊和影响因子：Nature Communications IF=17.7DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-023-40246-5研究背景： 高熵合金由于出色的热动力学和化学性能，使其在电催化领域受到了学术界的广泛关注。制备原子级可控合金对于提高表面催化性能和设计新型催化剂至关重要。尽管已有的研究对合金组分，元素构成和原子分布等问题对催化性能的影响做了相关的研究，然而对于Pt基合金在催化前和催化后合金表面原子结构变化的原子级透射电镜表征相关工作尚显不足。对于合金表面原子的排布和在空位处合金成分的表征尚属空白。 2023年7月，日本东北大学课题组利用Advance Riko公司的电弧等离子体沉积系统-APD制备了原子级可控的高熵合金，研究了电催化对合金表面原子的影响。得益于APD系统可多靶位同时进行精准等离子溅射的功能，课题组实现了同一种高熵合金不同晶向结构的制备，对多组分合金表面微观结构与其催化性能之间的详细关系进行了深入研究。同时，APD系统的真空传输配件避免了制备样品在传递过程中受到空气的影响。相关研究结果以《Experimental study platform for electrocatalysis of atomic-level controlled high-entropy alloy surfaces 》为题，在SCI期刊Nature Communications上发表。 文中使用的电弧等离子体沉积系统-APD可以在 1.5 nm 到 6 nm 范围内精确控制纳米颗粒的直径，具有活性好，产量高等优势。只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管等形成新的纳米颗粒催化剂。电弧等离子体沉积系统-APD图文导读： 图1. 利用Advance Riko公司的APD系统为电催化研究所准备的不同高熵合金示意图。为了实现制备不同高熵合金成分的需求，APD系统可以溅射合金靶材或者同时溅射多个靶材来实现。通过XPS的研究表明，通过APD系统所制备的高熵合金表面成分高度可控。图2. 通过上述方法制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金不同晶向的表征结果。(a, c, e)为样品横截面的通过STEM获得的HAADF表征结果。(b, d, f)为对应样品的EDS Mapping结果。图3. APD系统所制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金的循环伏安曲线(CV)和氧化还原反应(ORR)在电位循环中的变化。(a, c, e)为在0.05V-1.0V 的范围内CV曲线随可逆氢电极电位的变化关系。(b, d, f)为Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt的ORR随着电位循环的变化，循环电压为0.6V-1V。图4. APD系统所制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金在电位循环后的退化情况。(a, d, g)分别为合金样品的(111)，(110)和(100)方向的低倍HAADF表征结果。(b, e, h)分别为(a, d, g)中所对应的黄色方框区域的高分辨HAADF图像。(c, f, i)分别为在电位循环前和经过5000次循环后所对应的(b, e, h)区域的EDS结果的对比图。文章结论： 日本东北大学课题组使用APD系统制备了原子级可控的Pt高熵合金，通过高分辨透射电镜表征，从原子级的尺度上研究了电催化对合金表面的影响。通过与Pt-Co二元表面相比，高熵合金表面的氧还原反应性能优于 Pt-Co 二元表面，证明了该平台的有用性。该研究填补了高熵合金用于电催化领域原子级机理上的空白，为该领域的研究提供了理论基础！

引言 异质催化剂的合成通常借助于传统的湿法化学法，包括浸渍法、离子交换和沉积-沉淀法等。然而，这些方法合成的催化材料往往具有非常复杂的结构和活性位点分布不均匀等问题，这些问题会显著降低催化剂的催化性能，特别是在选择性上，阻碍了科学家们在原子水平上理解催化剂的结构-活性关系。此外，在苛刻的反应条件下通过烧结或浸出造成的活性组分的损失会导致催化剂的大面积失活。因此，亟待发展一种简便的方法来调控催化剂的活性位结构和其在原子水平上的局部化学环境，从而促进对反应机理的理解和高稳定性催化剂的合理设计。 原子层沉积(ALD, Atomic layer deposition)是一种用于薄膜生长的气相催化剂合成技术，目前已成为一种异质催化剂合成的替代方法。和化学气相沉积(CVD, Chemical vapor deposition)一样，其原理是基于两种前驱体蒸汽交替进样，并在载体表面上发生分子层面上的“自限制”反应，实现目标材料在载体表面上的沉积。通过改变沉积周期数、次序和种类等方法可以实现对催化剂活性位结构的原子精细控制，进而为研究者提供了一种 “自下而上”可控合成催化剂的新策略。 美国Arradiance公司的GEMStar系列台式原子层沉积系统(如图1所示)，在小巧的机身（78 * 56 * 28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅可在8英寸基体上实现厚度均匀的膜沉积（其厚度均匀性高于99%），而且适合对具有超高长径比孔径的3D结构进行均匀薄膜覆盖，在高达1500：1长径比微纳深孔内部也可均匀沉积。图1. 美国Arradiance公司生产的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统 在本篇文章中，我们将介绍利用ALD方法在负载型单金属 和双金属催化剂精细设计方面的进展和ALD方法在设计高效催化剂方面的特点与优势。同时，我们也整理了利用ALD技术制备单原子和双原子结构金属催化剂的方法与策略以及利用氧化物可控沉积调控金属催化活性中心周围的微环境，从而实现提升催化剂活性、选择性和稳定性的方法。后我们也将展望ALD技术在催化剂制备领 域中应用的潜力。ALD合成负载型催化剂 近年来，研究者对各种氧化物和碳基材料基底上的金属ALD催化剂进行了广泛研究。由于高温下ALD生长的金属原子在氧化物和碳基基底上的高迁移率，沉积物通常以金属纳米粒子形式存在，而不是二维金属薄膜。如图2a所示，金属纳米颗粒的尺寸大小和负载量可以通过调整ALD循环次数和沉积温度变化来进行调控，且金属颗粒的尺寸分布通常非常狭窄。近期，中国科学技术大学的路军岭课题组使用ALD技术发展了一种双金属纳米粒子的合成新策略，即使用较低的沉积温度和合适的反应物，在负载的单金属纳米粒子表面增加二金属组分，获得原子可控的双金属纳米粒子（如图2b, PtPd双金属纳米粒子）。研究发现，在较低的温度下，金属基底会促进金属前驱体在其上的成核和ALD生长，而金属氧化物通常是惰性的，因此不能在低温下与金属前驱体反应和开始成核。图2. ALD合成（a）单金属Pt纳米粒子，（b） 双金属PtPd纳米粒子，（c）Pt 单原子催化剂在N掺杂的石墨烯上，（d）Pd单原子催化剂在g-C3N4上，（e）二聚的Pt2/石墨烯催化剂。 原子分散的金属催化剂，由于其特的催化性能和大的原子利用效率，越来越受人们的关注。使用ALD技术从气相中获得单原子催化剂具有很大的挑战性，因为ALD生长通常在高温下进行，金属的聚集会显著加剧，但考虑到ALD的自限特性，仍是有可能的。加拿大西安大略大学孙学良教授团队从事了先驱性的工作，在250℃下，对N掺杂的石墨烯表面进行五十次Pt ALD循环合成了Pt单原子催化剂（如图2c）。DFT计算表面，Pt单原子与N原子成键，其HER活性相对于商业Pt/C显著增强(~37倍)。类似的，路军岭团队通过调控石墨烯上的含氧官能团种类和数量，在150℃下对石墨烯表面进行一次Pd ALD循环（Pd(hfac)2-HCHO），合成了原子分散的Pd单原子催化剂（如图2d），没有观察到Pd团簇和纳米粒子的形成。除此之外，使用ALD技术还可以合成原子的超细金属团簇，如二聚物等。如图2d所示，路军岭团队报道了Pt2二聚体可以通过ALD技术在石墨烯载体上创建适当的成核位点 “自下而上”制备获得，即Pt1单原子沉积，并在起始位点上进行Pt原子的选择性二次组装。氧化物包覆实现金属催化剂的纳米尺度编辑 对于负载型金属催化剂来讲，其载体不仅仅是作为基底，也会通过电子转移或金属—氧化物相互作用，显著的调制金属纳米颗粒的电子性质。当氧化物层包覆在金属纳米颗粒上时，会形成新的金属-氧化物界面(如图3a)，可以进一步改变金属纳米颗粒的电子性能和形貌，有望进一步提升其催化性能（如图3b）。金属纳米颗粒通常含有低配位位点（lcs）和高配位的台阶(HCSs)，通过氧化物ALD沉积的选择性阻挡某些活性位点，局部改变其几何形态，影响催化过程中的化学键断裂和生成，导致不同的反应途径（如图3c）。另外，物理氧化包覆层还可以提高纳米颗粒的稳定性，在恶劣的反应条件下防止金属组分的烧结和浸出(如图3d)。在原子层面上控制氧化膜厚度，从而在高比表面材料上实现高的均匀性，使得ALD成为在纳米尺度上提高纳米金属催化剂催化性能的理想工具，且不会产生质量迁移的问题。图3. （a）ALD氧化物包覆负载型纳米离子生成新的金属——氧化物界面ALD合成,（b）ZnO包覆Pt纳米粒子催化剂显著提高催化活性，（c）ALD氧化铝包覆Pd/Al2O3显著提高催化选择性，（d）TiO2包覆层显著提高Co@TiO2催化剂催化稳定性。 总结和展望 催化剂的原子合成，是阐明催化作用的关键机制和设计先进高性能催化剂的关键。ALD特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料。这些ALD催化剂具有较高的均匀性，使其相对于传统方法制备的催化剂，拥有更好的或可观的催化性能，并可作为模型催化剂有助于阐明催化剂的结构-性能关系。 参考文献：[1] Lu J. et.al, Acta Phys. -Chim. Sin. 2018, 34 (12), 1334–1357.[2] F. H. et al. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 9758.[3] Elam, J. W. Nat. Commun. 2014, 5, 3264.[4] Liu, L. M. et al. Nat. Commun. 2016, 7, 13638.[5] You, R. et al. Nano Res. 2017, 10, 1302.[6] Huang, X. H. et al. Nat. Commun. 2017,8, 1070.[7] Elam, J. W. ACS Catal. 2016, 6, 3457.[8] Lu, J. ACS Catal. 2015,5, 2735.[9] Huber, G. W. Energy Environ. Sci. 2014, 7, 1657.

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江苏省-常州市-武进区 状态：公告 更新时间： 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在（常州中宇建设工程管理有限公司）获取采购文件，并于2023年1月31日上午9点00分（北京时间）前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：ZYJS-ZC2023192 2.项目名称：ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式：竞争性磋商 4.项目预算金额：人民币150万元 项目最高限价：人民币150万元；供应商最终报价时总价不得高于最高限价，否则作为无效响应处理。 5.采购需求：本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD，是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体，从而实现厚度可控（纳米尺寸级别）的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备（包括现场踏勘、技术核对等）、产品（包括备品备件、专用工具）、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产（采购）、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限：自合同签订之日起28周以内供货完毕，并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体：□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应：◆是 □否。 二、申请人的资格要求（须同时满足） 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形： 1.1未被“信用中国”网站（WWW.creditchina.gov.cn）或“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单； 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商（包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人，母公司、全资子公司及其控股公司），不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额，提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行：______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求（如有）：____/_______。 3.本项目的特定资格要求： 3.1本项目接受进口产品投标，供应商所投设备为进口产品的，应提供以下之一的证明材料： 1）如供应商为所投设备的授权经销（代理）商，必须提供生产（制造）商或上级经销（代理）商授权供应商的授权书，并提供逐级经销（代理）商的证书复印件； 2）如供应商为本项目的授权供应商，必须提供生产（制造）商或授权经销（代理）商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销（代理）商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应：□是 ◆否； 3.3 其他特定资格要求：无 4.本项目是否属于政府购买服务： ◆否 □是，公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织，不得作为承接主体； 5.其他特定资格要求：无。 三、获取采购文件 时间：2023年1月9日至2023年1月16日（采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日），每天上午8:30至11:30，下午13:30至17:00（北京时间，法定节假日除外） 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室 方式：（供应商可采取以下任一种方式获取采购文件） (1)线上获取（推荐使用）：供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记，注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息，并按要求交纳采购文件费用，上述步骤完成后，供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取：将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后，采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名：常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行：中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号：1105052609000510202 财务室电话（查询标书款情况）：0519-85782855 (3)现场获取地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室。 售价：人民币壹佰元/份（从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号），采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料： ①供应商信息表（格式见公告附件1） 四、响应文件提交 截止时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策：_/__。 2.现场勘察及澄清： 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商，均应在2023年1月17日上午11：30前按采购公告中的通讯地址，一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构，否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改，采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商，因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求： 正本份数：1份，副本份数：3份；响应文件应按顺序胶装成册，并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否，响应文件均不退回。 中标（成交）公告发布前，成交供应商须将响应文件电子档（PDF格式，含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件，与正本响应文件完全一致的电子档）发至邮箱：zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求，进场后请保持安全距离，分散等候，不得扎堆聚集，事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距，尽量缩短工作时间，会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资： 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》（常财购〔2021〕13号）等有关文件精神，我市实行政府采购信用融资，将信用作为政策工具引入政府采购领域，金融机构根据政府采购项目中标（成交）通知书或中标（成交）合同，为中标（成交）中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：常州大学 地 址：常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式：诸葛祥群 联系电话：15161156879 2.采购代理机构信息 名 称：常州中宇建设工程管理有限公司 地 址：常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式：0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人：左学文、包婷 电 话：0519-85785155 注：上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件：供应商信息表.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：null 预算金额：150.00万元 采购单位：常州大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：常州中宇建设工程管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 常州大学ALD原子层沉积平台采购项目竞争性磋商公告 江苏省-常州市-武进区 状态：公告 更新时间： 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在（常州中宇建设工程管理有限公司）获取采购文件，并于2023年1月31日上午9点00分（北京时间）前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：ZYJS-ZC2023192 2.项目名称：ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式：竞争性磋商 4.项目预算金额：人民币150万元 项目最高限价：人民币150万元；供应商最终报价时总价不得高于最高限价，否则作为无效响应处理。 5.采购需求：本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD，是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体，从而实现厚度可控（纳米尺寸级别）的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备（包括现场踏勘、技术核对等）、产品（包括备品备件、专用工具）、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产（采购）、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限：自合同签订之日起28周以内供货完毕，并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体：□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应：◆是 □否。 二、申请人的资格要求（须同时满足） 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形： 1.1未被“信用中国”网站（WWW.creditchina.gov.cn）或“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单； 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商（包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人，母公司、全资子公司及其控股公司），不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额，提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行：______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求（如有）：____/_______。 3.本项目的特定资格要求： 3.1本项目接受进口产品投标，供应商所投设备为进口产品的，应提供以下之一的证明材料： 1）如供应商为所投设备的授权经销（代理）商，必须提供生产（制造）商或上级经销（代理）商授权供应商的授权书，并提供逐级经销（代理）商的证书复印件； 2）如供应商为本项目的授权供应商，必须提供生产（制造）商或授权经销（代理）商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销（代理）商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应：□是 ◆否； 3.3 其他特定资格要求：无 4.本项目是否属于政府购买服务： ◆否 □是，公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织，不得作为承接主体； 5.其他特定资格要求：无。 三、获取采购文件 时间：2023年1月9日至2023年1月16日（采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日），每天上午8:30至11:30，下午13:30至17:00（北京时间，法定节假日除外） 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室 方式：（供应商可采取以下任一种方式获取采购文件） (1)线上获取（推荐使用）：供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记，注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息，并按要求交纳采购文件费用，上述步骤完成后，供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取：将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后，采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名：常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行：中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号：1105052609000510202 财务室电话（查询标书款情况）：0519-85782855 (3)现场获取地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室。 售价：人民币壹佰元/份（从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号），采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料： ①供应商信息表（格式见公告附件1） 四、响应文件提交 截止时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策：_/__。 2.现场勘察及澄清： 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商，均应在2023年1月17日上午11：30前按采购公告中的通讯地址，一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构，否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改，采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商，因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求： 正本份数：1份，副本份数：3份；响应文件应按顺序胶装成册，并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否，响应文件均不退回。 中标（成交）公告发布前，成交供应商须将响应文件电子档（PDF格式，含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件，与正本响应文件完全一致的电子档）发至邮箱：zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求，进场后请保持安全距离，分散等候，不得扎堆聚集，事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距，尽量缩短工作时间，会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资： 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》（常财购〔2021〕13号）等有关文件精神，我市实行政府采购信用融资，将信用作为政策工具引入政府采购领域，金融机构根据政府采购项目中标（成交）通知书或中标（成交）合同，为中标（成交）中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：常州大学 地 址：常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式：诸葛祥群 联系电话：15161156879 2.采购代理机构信息 名 称：常州中宇建设工程管理有限公司 地 址：常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式：0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人：左学文、包婷 电 话：0519-85785155 注：上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件：供应商信息表.docx

p 　　很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道，选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷，详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说，选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应，即由于ALD的化学反应特性，薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说，在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如，等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟，但对于选择性ALD来说，成核延迟现象却被放大了。 /p p style=" text-align: center" img style=" width: 450px height: 234px " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg" title=" 02.jpg" height=" 234" hspace=" 0" border=" 0" vspace=" 0" width=" 450" / /p p 　　有意思的是，虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象，但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂，这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。 /p p 　　 strong 以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念： /strong /p script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=65C25DD24223E8749C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=490& playerid=2BE2CA2D6C183770& playertype=1" type=" text/javascript" /script p 　　那么问题来了，人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD呢。 strong 我相信我们系统中的一些功能会很有用，例如： /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用多种化学前驱物。气箱可容纳多路气体并由MFC进行流量控制 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用抑制剂分子(如在前驱物注入过程中通入NH3或CO) /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 将氢基作为抑制剂：在前驱物注入前使用氢等离子体(或其他等离子体)来抑制特定表面的生长 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆& nbsp 氟化物等离子体：将CFX或F作为抑制剂，在前驱物注入前使用此等离子体，或进行选择性ALD生长时，即每隔几个生长周期就在同一个腔体内进行一次刻蚀的步骤(注意O2等离子体可刻蚀Ru，H2等离子体可刻蚀ZnO)。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于抑制生长的自组装单分子膜(SAMS)注入 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 多腔体集成系统，比如与感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)腔室(生长非晶硅)、溅射(sputter)腔室或原子层刻蚀(ALE)腔室结合使用 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于原表面改性或刻蚀的基底偏压 /p p 　　 strong 牛津仪器的设备可实现优异的控制效果，包括： /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 通过MFC，快速ALD阀门和快速自动压力控制，可获得精准可调的前驱物/气体注入，以实现一面成核另一面不成核的现象。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的的高真空度，以使抑制现象长时间不受影响。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用等离子体可清洁腔体和恢复腔体氛围。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 带实时诊断功能的生长监控设备：椭圆偏正光谱测量、质谱分析法及发射光谱法 /p p 　　基于选择性ALD提出的与刻蚀相结合的方法再次让我想到原子尺度工艺处理的问题，我在之前发表的一篇博文中对此进行了讨论。可以想象，通过结合选择性ALD及其他工艺，可以生长出新的超材料(特异材料)和独特结构。例如，通过在选择性曝光的铜中生长石墨烯，或通过周期性刻蚀同一平面的沉积(例如局部选择性ALD)，可有效地仅在结构侧边生长材料。因此不论是在普通等离子刻蚀机或带基底偏压特性的FlexAL，结合带导向的离子曝光法也许会是个优势。总得来说，我很期待能有令人惊喜的新发现，新结构和新材料能在可控的方式下诞生。 /p

p 　　5月24日，中国科学院条件保障与财务局组织专家对中国科学院宁波材料技术与工程研究所承担的“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”和“微细球状非晶粉末制备装置”两个院科研装备项目进行了技术验收和综合验收。 /p p 　　两个项目的技术验收会于5月24日上午举行，条件保障与财务局科技条件处高级工程师张红松首先介绍了现场测试的具体要求，并宣布了专家组名单。技术测试专家组由6位专家组成，中科院半导体所谢亮研究员和中科院沈阳金属所张海峰研究员分别担任两个项目技术验收专家组组长。项目的技术测试大纲经专家组审议通过后，专家组分别在设备现场按照测试大纲逐项进行测试，将测试结果与项目任务书比对后，专家组一致认为两套研制设备的技术指标均达到或优于实施方案的要求，同意提交综合验收专家组验收。 /p p 　　项目的总体验收于 5月24日下午举行，张红松介绍了总体验收要求并宣布了专家组名单。专家组由8位专家组成，包括1位装备研制项目专家、6位技术专家，1位财务专家，组长由中科院微电子所夏洋研究员担任。专家组分别听取了两个项目工作汇报、使用报告、测试报告和财务报告。 /p p 　　“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”项目研制了一套中压等离子体化学气相沉积系统，实现了硅材料的超高速、低温外延生长 并且通过在线发射光谱和激光吸收光谱的实时检测分析系统，实现了对中压等离子体沉积过程的有效控制。利用该系统，项目组研究了气体组分、沉积压力、氢气浓度等工艺参数与沉积薄膜性能之间的影响规律，为碳化硅、石墨烯等薄膜材料的低温、快速生长提供了一个研究开发平台。 /p p 　　“微细球状非晶粉末制备装置”项目研制出了一套微细球状非晶粉末制备装置，研究了熔体温度、喷嘴直径、回转圆盘转速等工艺条件对粉末粒径、非晶度和氧含量的影响规律，开发了一套新型微细金属粉末制备的新技术，实现了平均粒径在10μm左右的高质量非晶粉末的制备。基于此装备，项目组开展了微细非晶合金粉末的吸波性能研究，为采用新型非晶软磁合金材料、设计和开发具有宽频带、强屏蔽效能的轻薄型磁屏蔽和吸波材料奠定了实验基础。 /p p 　　专家组现场查看了研制仪器设备的运行情况，审查了相关文件档案和项目经费使用情况，经讨论，专家组一致认为，两个项目均完成了实施方案中规定的研究内容，各项技术指标达到要求，项目文件档案齐全，经费使用基本合理，同意项目通过验收。 /p p 　　张红松对宁波材料所两个项目顺利通过验收表示祝贺，并在最后的总结中提出希望，希望项目组能够充分发挥研制装备的价值，进一步研究开发及成果转化，发挥好中科院科研装备研制项目的效能。 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854310154.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center " 　　技术验收会现场 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854432504.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center " 　　现场查看研制仪器设备的运行情况 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854493166.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center " 　　现场查看研制仪器设备的运行情况 /p

2021年9月23日，由仪器信息网主办的“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会成功举办，会议进行了了4个精彩报告，吸引领域内近400位听众报名参会。采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质的基团以物理和化学方法附着于衬底材料表面形成一种新的物质，这层新物质就是薄膜。薄膜的制备主要技术包括薄膜沉积和外延技术。薄膜沉积和外延技术是半导体制造工艺中的非常重要的技术。基于此，仪器信息网于2021年9月23日举办了本次“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及技术人员参与本次网络研讨会，就薄膜沉积与外延技术与应用等话题共同探讨，为广大从事薄膜沉积与外延技术研发等方面的专家学者和技术人员提供了一个交流的空间。本次会议，邀请到云南大学杨鹏教授、牛津仪器科技（上海）有限公司高级应用科学家刘志文博士、中国科学院半导体研究所王晓东研究员和中国科学院微电子研究所杨妍研究员做报告，受到牛津仪器科技（上海）有限公司的大力支持，会议过程中，听众积极参与，直播间氛围热烈。会议的4个报告，经征求报告嘉宾意见，3个报告将设置视频回放（“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会），便于广大网友温故知新，详情见下表：2021年9月23日上午报告题目报告嘉宾链接几种二维及少层材料的生长与物性表征杨鹏云南大学 教授回放链接如何用原子力显微镜评价高质量薄膜刘志文牛津仪器科技（上海）有限公司 高级应用科学家回放链接离子束溅射镀膜技术及其应用王晓东中国科学院半导体研究所 研究员不回放硅光芯片工艺流程及对薄膜工艺的需求杨妍中国科学院微电子研究所 研究员回放链接

按照青海省标准化协会团体标准工作程序，标准起草单位已完成《土壤和沉积物 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》、《水质 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》、《土壤和沉积物 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》、《水质 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》、《水质 22种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》、《土壤和沉积物 13种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》等6项团体标准征求意见稿的编制工作，现公开征求意见。《土壤和沉积物 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中9种酯类化合物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：试样经前处理后有电感耦合等离子体全谱直读光谱仪测定。将待测溶液引入高温等离子炬中，待测元素被激发成离子及原子，在特定的波长处测量各元素离子及原子的发射光谱强度，特征光谱的强度与试样中待测元素的浓度在一定范围内呈线性关系而进行定量关系。仪器和设备：1.样品瓶：具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的60mL棕色广口玻璃瓶(或大于60mL其他规格的玻璃瓶)、40mL棕色玻璃瓶和无色玻璃瓶。2.采样器：一次性聚四氟注射器或不锈钢专用采样器。3.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。4.质谱仪：电子轰击(EI)电离源，1s内能从35u扫描至270u；具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。5.吹扫捕集装置：吹扫装置能够加热样品至40℃，捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂。若使用无自动进样器的吹扫捕集装置，其配备的吹扫管应至少能够盛放5g样品和10mL的水。6.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。7.天平：精度为0.01g。8.气密性注射器：5mL。9.微量注射器：10μL、25μL、100μL、250μL和500μL。10.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。11.其他：一次性巴斯德玻璃吸液管、铁铲、药勺(聚四氟乙烯或不锈钢材质)及一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于土壤和沉积物中9种酯类化合物(乙酸乙酯、丙烯酸甲酯、乙酸异丙烯酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基异丁基酮、乙酸丁酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5g，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.2 μg/kg-1.5μg/kg，测定下限为4.8μg/kg -6μg/kg ，见附录A。《水质 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定水质样品中9种酯类化合物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：样品中的挥发性有机物经高纯氦气(或氮气)吹扫富集于捕集管中，将捕集管加热并以高纯氦气反吹，被热脱附出来的组分进入气相色谱并分离后，用质谱仪进行检测。通过与待测目标化合物保留时间和标准质谱图或特征离子相比较进行定性，内标法定量。仪器和设备：1.样品瓶：40 ml 棕色玻璃瓶，具硅橡胶-聚四氟乙烯衬垫螺旋盖。2.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。3.质谱仪：具70eV的电子轰击(EI)电离源，每个色谱峰至少有6次扫描，推荐为7-10次扫描；产生的4-溴氟苯的质谱图必须满足表 1 的要求。具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。4.吹扫捕集装置：吹扫装置能直接连接到色谱部分，并能自动启动色谱，应带有5ml的吹扫管。捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂，但必须满足相关的质量控制要求。5.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。6.气密性注射器：5mL。7.微量注射器：10μL、25μL、100μL、250μL和500μL。8.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。9.其它：一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于地下水、地表水、生活污水和工业废水中9种酯类化合物(乙酸乙酯、丙烯酸甲酯、乙酸异丙烯酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基异丁基酮、乙酸丁酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5ml，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.2g/L -1.5g/L，测定下限为4.8g/L -6.0g/L ，见附录A。《土壤和沉积物 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的高效液相色谱法。方法原理：土壤和沉积物样品用20mL甲醇(1:1甲醇和水溶液)振荡提取，经离心提取上清液后，用高效液相色谱分离，紫外DAD检测器检测，根据保留时间定性，外标法定量。仪器和设备：1.高效液相色谱仪：具紫外检测器或二极管阵列检测器。2.色谱柱：十八烷基硅烷键合硅胶柱(C18)，填料粒径5.0μm，柱长250 mm，内径4.6mm，或其他等效色谱柱。3.样品瓶：不小于 60 ml 具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的棕色广口玻璃瓶。4.振荡器：水平振荡器或翻转振荡器。5.恒温振荡器：温度精度为±2℃。6.天平：感量为 0.01 g。7.提取瓶：不小于40ml，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的棕色广口玻璃瓶。8.平底烧瓶：1000 ml，具塞平底玻璃烧瓶。9.离心机：转速≥3500r/min。本标准适用于土壤和沉积物中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定。若通过验证本文件也可适用于其他吡啶、酰胺类物质的测定。当样品量为10g，定容体积为20mL时，目标物的方法检出限为、测定下限见附录A。《水质 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》本标准规定了测定饮用水、地下水、地表水、工业废水及生活污水中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的高效液相色谱法。方法原理：土壤和沉积物样品用20mL空白试剂水振荡提取，经离心提取上清液后，用高效液相色谱分离，紫外DAD检测器检测，根据保留时间定性，外标法定量。仪器和设备：1.高效液相色谱仪：具紫外检测器或二极管阵列检测器。2.色谱柱：十八烷基硅烷键合硅胶柱(C18)，填料粒径5.0μm，柱长250 mm，内径4.6mm，或其他等效色谱柱。3.样品瓶：500mL具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的棕色广口玻璃瓶。4.天平：精度为0.01g。5.平底烧瓶：1000 mL，具塞平底玻璃烧瓶。本标准适用于饮用水、地下水、地表水、工业废水及生活污水中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定。若通过验证本文件也可适用于其他吡啶、酰胺类物质的测定。直接进样法，目标物的方法检出限为0.01mg/L，测定下限为0.04mg/L，见附录A 。《水质 22种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中水质中22种挥发性有机物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：样品中的挥发性有机物经高纯氦气(或氮气)吹扫富集于捕集管中，将捕集管加热并以高纯氦气反吹，被热脱附出来的组分进入气相色谱并分离后，用质谱仪进行检测。通过与待测目标化合物保留时间和标准质谱图或特征离子相比较进行定性，内标法定量。仪器和设备：1.样品瓶：40 mL棕色玻璃瓶，具硅橡胶-聚四氟乙烯衬垫螺旋盖。2.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。3.质谱仪：具70eV的电子轰击(EI)电离源，每个色谱峰至少有6次扫描，推荐为7-10次扫描；产生的4-溴氟苯的质谱图必须满足表 1 的要求。具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。4.吹扫捕集装置：吹扫装置能直接连接到色谱部分，并能自动启动色谱，应带有5mL的吹扫管。捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂，但必须满足相关的质量控制要求。5.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。6.气密性注射器：5mL。7.微量注射器：10μL、25μL、100μL、250μL和500μL。8.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。9.其它：一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于地下水、地表水、生活污水和工业废水中22种挥发性有机物(二氯二氟甲烷、氯甲烷、氯乙烯、溴甲烷、氯乙烷、三氯氟甲烷、碘甲烷、二硫化碳、乙酸甲酯、甲基叔丁基醚、乙酸乙烯酯、2-丁酮、四氢呋喃、环己烷、乙酸异丙酯、乙酸丙酯、甲基异丁基酮、乙酸异丁酯、2-己酮、1,1,2-三氯丙烷、甲基丙烯酸丁酯、乙酸戊酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5mL，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.5-5.0g/L，测定下限为6.0g/L -20.0g/L，见附录A。《土壤和沉积物 13种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中13种挥发性有机物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：样品中的挥发性有机物经高纯氦气(或氮气)吹扫富集于捕集管中，将捕集管加热并以高纯氦气反吹，被热脱附出来的组分进入气相色谱并分离后，用质谱仪进行检测。通过与待测目标物标准质谱图相比较和保留时间进行定性，内标法定量。仪器和设备：1.样品瓶：具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的60mL棕色广口玻璃瓶(或大于60mL其他规格的玻璃瓶)、40mL棕色玻璃瓶和无色玻璃瓶。2.采样器：一次性聚四氟注射器或不锈钢专用采样器。3.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。4.质谱仪：电子轰击(EI)电离源，1s内能从35u扫描至270u；具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。5.吹扫捕集装置：吹扫装置能够加热样品至40℃，捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂。若使用无自动进样器的吹扫捕集装置，其配备的吹扫管应至少能够盛放5g样品和10mL的水。6.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。7.天平：精度为0.01g。8.气密性注射器：5mL。9.微量注射器：10、25、100、250和500μL。10.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。11.其他：一次性巴斯德玻璃吸液管、铁铲、药勺(聚四氟乙烯或不锈钢材质)及一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于土壤和沉积物中13种挥发性有机物(乙酸甲酯、甲基叔丁基醚、乙酸乙烯酯、氯丁二烯、四氢呋喃、环己烷、乙酸异丙酯、乙酸丙酯、顺-1,3-二氯丙烯、乙酸异丁酯、反-1,3-二氯丙烯、乙酸戊酯、甲基丙烯酸丁酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5g，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.6 μg/kg -2.2μg/kg，测定下限为6.4 μg/kg -8.8μg/kg,见附录A。

如何沉积纳米粒子——纳米粒子单层膜沉积实用指南 纳米颗粒的二维致密单层膜沉积是多种技术和科学研究的基础。例如，纳米粒子单层膜可以作为传感器上的功能层，也可以用来生产用于纳米球光刻的胶体掩模。但是，怎样才能高效、可靠地得到具有三维自由度的纳米颗粒溶液，并将这些颗粒限制在横跨大基底的(二维)单层中呢?传统的纳米颗粒沉积技术纳米颗粒沉积技术种类繁多。一些相对简单和快速的方法包括溶剂蒸发、浸渍镀膜和旋涂镀膜。然而，这些技术可能会浪费大量的纳米颗粒，并且无法有效控制纳米颗粒的密度和配位结构。溶剂蒸发溶剂蒸发容易产生所谓的咖啡渍圈环效应，这种效应是由马朗戈尼流动引起的。这将导致不均匀沉积，中心的纳米粒子沉积稀疏，而边缘则形成多层纳米粒子沉积。 浸渍镀膜另一方面，如果只是用纳米粒子覆盖基底，浸渍镀膜将是一种很好的技术。然而，使用这种方法沉积纳米颗粒单分子层是非常具有挑战性的。同时，浸渍镀膜需要大量的纳米颗粒，这在处理昂贵纳米颗粒材料时将成为一个大的限制因素。 旋涂镀膜旋涂镀膜也是一种很有吸引力的方法，因为它易于规模化放大，而且在半导体工业中是一种众所周知的技术。然而，使用这种方法，薄膜的质量和多个工艺参数紧密相关，如：自旋加速度、速度、纳米颗粒的大小、基材的润湿性和所用溶剂。这使得对薄膜属性的精确控制变得非常困难。而且，一般旋涂镀膜需要大量的纳米颗粒溶液。 气液界面的单层镀膜在这里，气液界面沉积纳米颗粒单层提供了一种高度可控的沉积方法，可以将其沉积在几乎任何基底上。纳米颗粒被限制在气液界面，界面面积逐渐减小，使得纳米颗粒更加紧密地聚集在一起，从而可以实现控制沉积密度的目的，因为单位区域面积沉积的纳米颗粒的数量很容易计算，这样对纳米颗粒的需求量就会大大降低。 单层薄膜形成后，可以通过简单的上下提拉基底即可将界面上的薄膜转移到基底上。 在线网络研讨会报名如果您对如何制备纳米颗粒单分子膜感兴趣，想获取更多这方面的知识，请报名参加由伦敦大学学院的Alaric Taylor博士举办的题为“纳米颗粒单分子层薄膜沉积实用指南”的网络研讨会。报告人Alaric Taylor简介：Alaric Taylor博士是伦敦大学学院工程和物理科学研究委员会（EPSRC）研究员，他在纳米光子材料的制造，尤其是通过在气-液界面开发胶体单层自组装方面有很高的造诣。 报告内容：? 详细讲解纳米颗粒沉积的具体操作? 指出需要注意的事情? 讲述纳米颗粒沉积的技巧 报告时间：2018年9月13日下午3:00（北京时间）报名联系：如需参会，请填好下列表格中的信息发送至，邮箱：lauren.li@biolinscientific.com；姓名单位邮箱电话特别提醒：因为可能会涉及电脑、系统、耳机等调试问题，建议大家提前5-10分钟进入链接。

由于在氢氧化（hydrogen oxidation）和氧还原（oxygen reduction）反应中的高效催化特性，铂基催化剂被广泛地应用于质子交换膜燃料电池当中的关键组成部分，比如阴和阳。然而，当质子交换膜燃料电池在较为严苛的环境下（比如低pH环境(＜1)、高的氧浓度、高湿度等）运行时，商用的铂/碳催化剂会展现出耐用性低的问题。由于Ostwald熟化效应、铂纳米颗粒的脱离、铂纳米颗粒的团聚等问题，铂/碳催化剂的活性会显著下降。因此，开发有效方案来稳固铂基催化剂从而防止其活性在燃料电池运行时的损耗，是非常重要的。 针对上述问题，加拿大西安大略大学的孙学良教授课题组，开创性地利用退火MLD（Molecular Layer Deposition，MLD，分子层沉积）夹层结构来固定铂纳米颗粒，从而实现了铂基催化剂性能的提升，相关结果刊载于Nano Energy（https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2019.03.033）。在孙教授团队的工作中，MLD衍生层是通过三基铝和丙三醇合成在掺氮碳纳米管（nitrogen-doped carbon nanotubes，NCNT）上的，此后通过煅烧获得多孔结构。后，通过ALD工艺，铂纳米颗粒被沉积在MLD-NCNT载体之上。多孔结构有益于稳固铂纳米颗粒、避免团聚以及从载体上脱离。相较于沉积在掺氮碳纳米管（NCNT）上的铂催化剂来说，沉积在MLD-NCNT载体上的Pt催化剂展示出了显著提升的氧化还原反应活性以及耐用性。文中利用X射线吸收光谱等手段，详细揭示了增强的机制。 图1 NCNT-MLD-Pt的制备流程示意图以及出色特性（图片来源：Nano Energy:Rational design of porous structures via molecular layer deposition as an effective stabilizer for enhancing Pt ORR performance） 相较于ALD（Atomic layer deposition，ALD，原子层沉积）来说，MLD技术还比较新。MLD技术可以视为ALD技术的亚类，具有与ALD相似的气相沉积工艺，基于序列及自限制反应，在分子尺度上生长材料，目前比较多涉及的是有机聚合物或者无机-有机杂化材料。由于本质上属于ALD技术的衍生技术，因此MLD技术具备了ALD技术的主要优点：优异的三维共形性、大面积均匀性、良好的工艺重复性、膜厚或组成的控制、分子结构或官能团的裁剪，以及较低的沉积工艺温度。然而，由于MLD工艺中采用有机分子作为前驱体，有机分子前驱体的蒸汽压低、热稳定性差，因而反应活性较低。此外，MLD工艺中的有机分子前驱体存在同质官能团引起的双反应现象，会使得沉积速率变慢，甚至是发生非线性的反应生长速率。所以，利用MLD工艺沉积新材料，对于设备和工艺掌控都提出了较高的要求。 在本文当中，孙教授团队利用MLD沉积铝氧烷所用的设备是美国Arradiance公司生产的型号为Gemstar-8 的台式ALD沉积系统，此套系统直接与手套箱相联，手套箱中为氩气气氛。在本工作之前，孙教授所在课题组已经利用MLD技术合成了铝氧烷，并且将铝氧烷涂层应用于提高碳/硫阴或碱金属阳的电化学特性。制备当中，他们采用三基铝和丙三醇作为前驱体，在150 ℃的条件下将，将前驱体依次通入腔体当中。 另一方面，目前大多数无机-有机杂化物质对于空气中的湿度非常敏感，不稳定。由于Arradiance公司生产的台式ALD系列产品，非常小巧，并且非常友善周到地为用户们预留了可以与各类市场主流手套箱集成的接口，从而使得无机-有机杂化物质在制备完成后可以在惰性环境中转移至其他实验环境或是进行其他实验。 图2 Arradiance台式原子层沉积系统，设计紧凑，功能齐全，堪称“麻雀虽小五脏俱全” 图3 紧凑而友善的设计理念，使得Arradiance ALD系统可以方便地与手套箱集成，满足用户的特殊实验需求

天眼查显示，新美光（苏州）半导体科技有限公司“衬底加热体组件及化学气相沉积设备”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118374794A。背景技术以常见的碳化硅部件-等离子刻蚀环为例，目前较为普遍的等离子刻蚀环生长、加工工艺为：将环状石墨衬底以多片层叠方式安装在化学气相沉积炉内，采用石墨电极进行电阻加热将炉内加热至碳化硅材料生长温度，持续向炉内通入前驱体和载气，前驱体在高温下热解反应出碳/硅原子并在石墨衬底上反应沉积得到碳化硅材料，最终通过微纳加工获得满足使用要求的等离子体刻蚀环。整个工艺过程中，因衬底表面为直接发生碳/硅原子反应沉积的位置，最终决定材料的均一性和碳化硅晶体品质，衬底沉积表面流场均匀性及温度均匀性比较关键。但在上述工艺中存在以下客观缺点：1、石墨衬底置于碳化硅生长炉内加热时，因衬底径向外侧在空间上更加接近石墨加热器，故客观的会接收更多的热辐射而导致衬底径向外侧的温度高于内侧；同样的，石墨衬底的外侧因离进气口比较近，前驱体热解出的碳/硅原子基团会持续优先在衬底外侧的表面沉积，最终会影响碳化硅材料在石墨衬底径向上生长的均匀性；石墨衬底的外侧表面因为较内侧有更高的温度和更高浓度的碳/硅原子基团，石墨衬底的外侧碳化硅沉积材料一般厚度较大且表面平整性差，对于碳化硅零部件后续的加工也造成了时间的浪费和成本的提高。2、石墨衬底常用的固定方式为采用石墨顶针在衬底底面进行支撑，该方案因石墨顶针会直接接触到衬底表面，故被石墨顶针接触到的衬底表面区域碳化硅材料生长过程必然会受到影响，相应区域的沉积材料无法加工成产品使用，故在加工过程中一般采取将受影响区域进行切割废弃的措施，增加了加工时间和成本。3、层叠多片式的碳化硅部件材料生长设备，腔体内部的流场无法实现完全的均匀性，主要表现在离进气口近、排气口远的材料生长速率高，反之生长速率低，最终导致同一批次的材料厚度均一性差。发明内容本发明涉及一种衬底加热体组件及化学气相沉积设备，其中提供了一种衬底加热体组件，包括衬底和加热体，衬底包括第一表面、第二表面和中空区，第一表面和第二表面均用于供反应气体沉积，中空区位于第一表面和第二表面之间；加热体位于中空区内，用于产生热量以至少加热第一表面和第二表面。本发明的衬底设计为内部中空的结构，第一表面及第二表面均为衬底靠近中空区部分的外表面，位于中空区的加热体对衬底的第一表面和第二表面沿径向的各个位置的加热效果相对较为平均，不容易产生沉积的产品厚度差异过大的问题，一定程度上提高了衬底上沉积材料的厚度均一性及组织性能均匀性。

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。如今，化学气相沉积被大量应用于半导体领域中。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关化学气相沉积设备的进口情况，可以从一个侧面反映出中国化学气相沉积设备市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。海关统计中，根据化学气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置 (84862021)和制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）（84863021）。 为了解2021年化学气相沉积设备的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-11月，化学气相沉积设备（商品编码84862021、84863021）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前化学气相沉积设备市场做一个参考。2021年1-11月化学气相沉积设备进口额变化（人民币/万元）2021年1-11月化学气相沉积设备进口数据商品名称进口额/元数量/台均价制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置25,588,916,599181914067574制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）6,182,288,9799664398844总计31,771,205,57819152021年1-11月，中国进口化学气相沉积设备总额约318亿元，总台数达1915台，其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路，此类设备多达1819台，总额达256亿元，占比高达81%。可以看出，目前影响CVD设备进口的主要取决于半导体器件与集成电路制造。从此前统计的【进口数量同比增长68%：2021上半年CVD设备海关进口数据盘点】可以看出，2020年1-12月，我国共进口化学气相沉积设备1150台，进口额约为186亿元，而今年仅前十一个月就已远超去年全年的进口额。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-11月进口化学气相沉积设备贸易伙伴变化（人民币/万元）从进口CVD设备的贸易伙伴分布可以看出，主要进口的贸易伙伴为新加坡、中国台湾和韩国。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口CVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。而从台湾进口的CVD主要用于制造平板显示器，从图中可以看出，中国台湾在平板显示器用CVD进口占比高达95%，而在集成电路或半导体器件制造中，仅占2%。用于半导体器件和集成电路制造的CVD中，主要来源为新加坡、韩国、美国和日本。 2021年1-11月化学气相沉积设备各注册地进口数据变化（单位/万元）那么这些化学气相沉积设备主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，陕西省、上海市、湖北省、江苏省和安徽省进口额最多，分列前五名。这些地区的化学气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中，这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对半导体设备的需求也在激增。实际上，我国在1-11月从韩国进口的化学气相沉积设备主要的注册地就是陕西省，这可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。而在平板显示器用CVD的注册地分布中可以看出，重庆市独占鳌头，这可能和京东方在重庆的生产线有关，京东方是我国面板产业的龙头企业，其对进口额影响较大。而福建省进口平板显示器用CVD仅次于重庆，这可能与位于厦门的天马微电子有关。重点商品化学气相沉积有哪些重点商品呢？对此，笔者查阅了海关总署，发现重点商品主要有4款，都属于84862021编号。商品1:K465i金属有机物化学气相淀积设备该商品由手套箱系统、反应腔、气体系统、电源及控制系统、真空系统、冷却水和气动系统、安全控制系统等组成。功能是在衬底表面生长一层或多层半导体薄膜。工作原理是通过控制通入反应腔气体的种类、流量和反应腔内的温度、压力，从而在衬底表面生长出不同工艺要求的半导体薄膜。进口后用于LED制造的外延片加工工序。该产品是由Veeco推出的TurboDisc.K465i，是一款用于生产高亮度LED（HB LED）的氮化镓（GaN） 金属有机化学气相沉淀（MOCVD）设备，2016年经过LED产业内的Veeco 用户试用后， K465i很快获得量产认可。商品2：|Oerlikon Solar|KAI MT 化学气相沉积装置该化学气相沉积装置主要用于太阳能电池组件导电层的镀膜。工作原理：该装置内部的传输机械手将玻璃基板传送到薄膜沉积模块中，在一定的温度、压强下，等离子体发生器在反应室内产生射频电压，将工艺气体电离成原子、分子、原子团形式的带电荷粒子混合状态，经过离子碰撞后使之发生化学反应，沉积成一层非晶硅或者微晶硅薄膜在玻璃基板表面。商品3：|CENTROTHERM|E2000-HT 410-4等离子化学气相沉积装置该产品是太阳能电池生产线用|在半导体表层沉积氮化硅膜。商品4：铂阳|无型号|PECVD化学气相沉积设备PECVD化学气相沉积设备：离解化学气体,在玻璃基板上产生化学反应,生长薄膜/ 250MW硅基薄膜太阳能自动化生产线。

成果名称 沉积物岩芯扫描分析仪的研制 单位名称 北京大学 联系人 马靖 联系邮箱 mj@labpku.com 成果成熟度 □研发阶段 &radic 原理样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产 成果简介： 作为岩矿成分测试发展的方向，分析工作从传统单元素化学分析向以大型分析仪器为主的多元素同时分析、从实验室内分析向野外现场分析转变已成趋势。其中X射线荧光分析方法作为典型应用，已列入了十一五国家科技发展规划中。传统思路下的荧光分析仪分析精度、速度已接近理论值，但仍与市场需求还存在差距，这制约了相关仪器分析方法的发展。与此不同，扫描型元素分析仪的应用可以有效地提高元素分析精度，提高样品分析速度，在地球科学基础研究和矿产勘探等领域发展前景广阔，市场空间巨大。 2009年，北京大学城环学院周力平教授申请的&ldquo 沉积物岩芯扫描分析仪的研制&rdquo 得到第二期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的支持。该仪器综合了微区X射线荧光分析技术(X-ray fluorescence)、数字X射线成像技术（digital x-ray micro radiography）和光学成像技术等多种分析手段，沿设定的样品轴向（沉积物岩芯轴向）可同时连续自动完成针对多种元素的高灵敏度检测、数字X射线成像（样品密度分布）以及高清晰光学图像采集等分析任务。 该仪器的研制始于2007年，项目组通过与北京北达燕园微购分析测试中心有限公司合作，自筹经费开始试制&ldquo 岩芯沉积物X射线荧光分析扫描仪&rdquo ，已基本解决了线扫描相机、先进的SDD能谱探测器、专用的X射线光源和运动单元等技术问题。在第二期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的有力支持下，该项目进一步完善了扫描仪的光路设计，通过采用X射线全反射狭缝技术将沿岩芯轴向的荧光理论分辨率提高至0.1mm，并设计了专用的岩芯能谱分析软件，提高仪器的检测水平。该项目目前已经顺利结题，项目研制的&ldquo 沉积物岩芯扫描分析仪&rdquo 样机实现了预定功能与指标，相关工作已进入成果转化阶段。此外，仪器研制中的关键成果也为进一步申请相关应用课题奠定了基础。 应用前景： 扫描型元素分析仪的应用可以有效地提高元素分析精度，提高样品分析速度，在地球科学基础研究和矿产勘探等领域发展前景广阔，市场空间巨大。

各会员单位、有关专家：根据《河南省有色金属行业协会团体标准管理办法》的有关规定，我会目前已完成《氧化铝生产球形草酸钠化学分析方法 氢氧化铝含量的测定 EDTA滴定法 》等36项团体标准报批稿。为进一步提高标准质量，现面向社会公开征集意见。征集意见时间截止到2023年12月29日。36项团体标准名称分别为：1-《氧化铝生产球形草酸钠化学分析方法 氢氧化铝含量的测定 EDTA滴定法》，2-《氢氧化铝晶种化学分析方法草酸根的测定离子色谱法》，3-《偕氨肟树脂化学分析方法氮含量的测定元素分析法》，4-《铝土矿物理分析方法比可磨系数的测定球磨法》，5-《预焙阳极生坯实验室焙烧技术规范》，6-《铝电解槽能效综合测试、计算与评价方法 第1部分：磁场测试方法》，7-《二次铝灰生产铝酸钙技术规范》，8-《煅烧白云石分析方法 耐磨指数、细粉率的测定》，9-《铝冶炼生产技术指标元数据规范》，10-《高导热绝缘氧化铝功能填料》，11-《生态地球化学评价动植物样品 锗含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》，12-《土壤和沉积物 硒含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》，13-《地下水 汞含量的测定 直接测汞法》，14-《生态地球化学评价动植物样品 汞含量的测定 直接测汞法》，15-《石英砂 二氧化硅含量的测定 重量法》，16-《铝土矿 稀土元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》，17-《生态地球化学样品 银、硼和锡含量的测定 深孔电极发射光谱直读法》，18-《铁矿石 镓含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》，19-《银矿石 银含量的测定 火焰原子吸收光谱法》，20-《铜矿石、铅矿石和锌矿石中银、铜、铅、锌含量的测定 火焰原子吸收光谱法》，21-《有色冶炼场地土壤重金属固化稳定化长效修复技术规范》，22-《医药包装瓶盖用铸轧供坯铝合金带材》，23-《隔墙装饰用百叶窗铝合金带材》，24-《铝电解用高导电石墨化阴极炭块标准》，25-《土壤 砷、锑、铋含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》，26-《土壤 游离铁含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法》，27-《土壤和沉积物 有机质含量的测定 高频红外碳硫仪法》，28-《土壤 有效硅含量的测定 柠檬酸浸提-电感耦合等离子体质谱法》，29-《土壤 有效铅和有效镉含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》，30-《土壤和沉积物 氰化物的测定 水汽蒸馏-流动注射-分光光度法》，31-《土壤和沉积物 挥发酚的测定 流动注射4-氨基安替比林分光光度法》，32-《土壤和沉积物 水溶性硫酸根的测定 水浸取-电感耦合等离子体原子发射光谱法》，33-《土壤和沉积物 六价铬的测定 电感耦合等离子体发射光谱法?》，34-《铝土矿钒含量的测定 分光光度法》，35-《印制电路钻孔盖板用铝合金板》，36-《标签用铝合金箔》。标准详情及意见反馈表见附件。联系人： 张老师 电 话：0371-63829438 13603457970邮 箱：hnys2007@126.com1.报批稿-氧化铝生产球形草酸钠化学分析分析 氢氧化铝含量的测定 EDTA滴定法.docx2.报批稿-氢氧化铝晶种化学分析方法 草酸根的测定 离子色谱法.docx3.报批稿-偕胺肟树脂化学分析方法 氮含量的测定 元素分析法.docx4.报批稿-铝土矿物理分析方法 比可磨系数的测定 球磨法.docx5.报批稿-预焙阳极生坯实验室焙烧技术规范.doc6.报批稿-铝电解槽能效综合测试、计算与评价方法 第1部分：磁场测试方法.doc7.报批稿-二次铝灰生产铝酸钙技术规范.docx8.报批稿-煅烧白云石分析方法 耐磨指数、细粉率的测定.docx9.报批稿-铝冶炼生产技术指标元数据规范.doc10.报批稿-高导热绝缘氧化铝功能填料.doc11.生态地球化学评价动植物样品 锗含量的测定 电感耦合等离子体质谱法（报批稿）.doc12.土壤和沉积物 硒含量的测定 电感耦合等离子体质谱法（报批稿）.doc13.地下水 汞含量的测定 直接测汞法（报批稿）.doc14.生态地球化学评价动植物样品 汞含量的测定 直接测汞法（报批稿）.doc15.石英砂 二氧化硅含量的测定 重量法（报批稿）.doc16.铝土矿 稀土元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法-(1).docxocx17.生态地球化学样品 银、硼和锡含量的测定 深孔电极发射光谱直读法（报批稿）.doc18.铁矿石 镓含量的测定 电感耦合等离子体质谱法（报批稿）(2)(1).d19.银矿石 银含量的测定 火焰原子吸收光谱法（报批稿）.doc20.铜矿石、铅矿石和锌矿石中银、铜、铅、锌含量的测定 火焰原子吸收光谱法（报批稿）.doc21.报批稿-有色冶炼场地土壤重金属固化稳定化长效修复技术规范.doc22.医药包装瓶盖用铸轧供坯铝合金带材（报批稿）.doc23.隔墙装饰用百叶窗铝合金带材团标(报批稿).doc24.铝电解用高导电石墨化阴极炭块标准（报批稿 ）.doc25.标准文本-土壤 砷、锑、铋含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 报批稿.docx26标准文本-土壤 游离铁含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 报批稿.docx27.标准文本-土壤和沉积物 有机质含量的测定 高频红外碳硫仪法 报批稿.docx28.标准文本-土壤 有效硅含量的测定 柠檬酸浸提-电感耦合等离子体质谱法 报批稿.docx29.标准文本-土壤 有效铅和有效镉含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 报批稿.docx30.标准文本报批稿- 土壤和沉积物 氰化物的测定 水汽蒸馏-流动注射-分光光度法.docx31.标准文本报批稿-土壤和沉积物 挥发酚的测定 流动注射4-氨基安替比林分光光度法.docx32.标准文本报批稿-土壤和沉积物 水溶性硫酸根的测定 水浸取-电感耦合等离子体原子发射光谱法.docx33.标准文本报批稿-土壤和沉积物 六价铬的测定 电感耦合等离子体发射光谱法?.docx34.标准文本-铝土矿钒含量的测定 分光光度法11.27.docx35-印制电路钻孔盖板用铝合金板(2).doc36-标签用铝合金箔(4).doc河南有色协会团体标准征求意见反馈表.doc

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北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-08-02 招标文件: 附件1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 2022年08月02日 16:09 公告信息： 采购项目名称 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 北京大学 行政区域 北京市 公告时间 2022年08月02日 16:09 获取招标文件时间 2022年08月02日至2022年08月09日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 开标时间 2022年08月23日 14:00 开标地点 北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 预算金额 ￥915.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 项目联系电话 010-63509799-8046、8075 采购单位 北京大学 采购单位地址 北京市海淀区颐和园路5号 采购单位联系方式 吴老师 010-62758587 代理机构名称 华采招标集团有限公司 代理机构地址 010-63509799-8046、8075 代理机构联系方式 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 附件： 附件1 0580招标公告.docx 项目概况 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 招标项目的潜在投标人应在华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室）获取招标文件，并于2022年08月23日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：HCZB-2022-ZB0580 项目名称：Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 预算金额：915.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：915.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 设备名称 数量（台/套） 1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 一 详见招标文件第四章采购需求 合同履行期限：合同签订后30日内交货并安装完毕 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：(1)投标人必须为投标文件递交截止之日前未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）信用记录失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单的；(2)不同投标人的法人、单位负责人不是同一人也不存在直接控股、管理关系；(3)投标人必须向采购代理机构购买招标文件并登记备案，未向采购代理机构购买招标文件并登记备案的无资格参加本次投标；(4)本项目接受进口产品； 三、获取招标文件 时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 方式：现场报名，招标文件售后不退 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 地点：北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需要落实的政府采购政策：节约能源、保护环境、扶持不发达地区和少数民族地区、促进中小微企业发展、支持监狱、戒毒企业发展、促进残疾人就业、支持脱贫等政府采购政策。2、本项目招标公告在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）上发布。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师 010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：华采招标集团有限公司 地 址：010-63509799-8046、8075 联系方式：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 3.项目联系方式 项目联系人：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 电 话： 010-63509799-8046、8075 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() })基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2022-08-23 14:00 预算金额：915.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：华采招标集团有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告更新时间： 2022-08-02 招标文件: 附件1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 2022年08月02日 16:09 公告信息： 采购项目名称 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 北京大学 行政区域 北京市 公告时间 2022年08月02日 16:09获取招标文件时间 2022年08月02日至2022年08月09日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 开标时间 2022年08月23日 14:00 开标地点 北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 预算金额 ￥915.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 项目联系电话 010-63509799-8046、8075 采购单位 北京大学 采购单位地址 北京市海淀区颐和园路5号 采购单位联系方式 吴老师 010-62758587 代理机构名称 华采招标集团有限公司 代理机构地址 010-63509799-8046、8075 代理机构联系方式 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 附件： 附件1 0580招标公告.docx 项目概况 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 招标项目的潜在投标人应在华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室）获取招标文件，并于2022年08月23日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：HCZB-2022-ZB0580 项目名称：Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 预算金额：915.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：915.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 设备名称 数量（台/套） 1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 一 详见招标文件第四章采购需求 合同履行期限：合同签订后30日内交货并安装完毕 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：(1)投标人必须为投标文件递交截止之日前未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）信用记录失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单的；(2)不同投标人的法人、单位负责人不是同一人也不存在直接控股、管理关系；(3)投标人必须向采购代理机构购买招标文件并登记备案，未向采购代理机构购买招标文件并登记备案的无资格参加本次投标；(4)本项目接受进口产品； 三、获取招标文件 时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 方式：现场报名，招标文件售后不退 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 地点：北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需要落实的政府采购政策：节约能源、保护环境、扶持不发达地区和少数民族地区、促进中小微企业发展、支持监狱、戒毒企业发展、促进残疾人就业、支持脱贫等政府采购政策。 2、本项目招标公告在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）上发布。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师 010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：华采招标集团有限公司 地 址：010-63509799-8046、8075 联系方式：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 3.项目联系方式 项目联系人：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 电 话： 010-63509799-8046、8075

微塑料通常被定义为尺寸小于5 mm的塑料碎片，在海洋、陆地、淡水系统中均有所发现，对环境安全和生物健康均有一定程度的影响。更令人担忧的是，微塑料通过机械磨损、光降解和生物降解等作用会进一步分解，形成尺寸更小的微塑料甚至是纳米塑料。它们的危害可能更大，因为它们可以穿过生物膜并容易在不同组织间转移，如果吸入空气中的微纳塑料甚至可以穿过肺组织。据已有的研究显示，应用在微塑料检测的传统技术仅能检测到10 μm 左右的大小，远远不能满足当前和未来研究的需要。因此，迫切需要开发适用于小尺寸微纳塑料的检测新方法。表面增强拉曼光谱（SERS）技术是一种强有力的基于拉曼光谱的原位分析技术。一般来说，分子的拉曼效应很弱。然而，当这些分子被吸附在贵金属（例如金和银）的粗糙表面时，分子的拉曼效应会大大提高。甚至可以在单分子水平上获得高灵敏度。在我们之前的研究工作中，首次报道利用SERS技术实现了环境纳米塑料的检测（EST, 2020, 54(24): 15594）。但是，采用的商业化Klarite基底的高昂成本使其不适宜广泛大规模的应用。因此，本研究利用一种低成本的具有大量有序的V型纳米孔阵列的阳极氧化铝（AAO）模板，通过磁控溅射或离子溅射将金纳米粒子沉积在模板上，开发得到用于小尺寸微纳塑料检测的 SERS 基底（AuNPs@V-shaped AAO SERS substrate）。由于AAO模板中纳米孔阵列特殊的V型结构以及有序规则的排列，使得AuNPs@V-shaped AAO SERS基底可以提供大量“热点”和额外的体积增强拉曼效应，在检测微塑料时表现出高 SERS 灵敏度。图1 摘要图本研究首先使用不同尺寸（1 μm、2 μm和5 μm）的聚苯乙烯（PS）和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）两种标准样品在AuNPs@V-shaped AAO SERS基底和硅基底上进行检测，并计算相应的增强因子（图2、图3）。结果显示，单个PS和PMMA两种颗粒在硅基底上均不能检测到1 μm的尺寸大小，且其他尺寸的拉曼信号强度也相对较弱。而在AuNPs@V-shaped AAO SERS基底上，在相同的检测条件下，各尺寸的单个PS和PMMA颗粒的拉曼信号强度大大增强，且1 μm的PS和2 μm的PMMA都有拉曼信号检出。增强因子的计算结果显示，使用AuNPs@V-shaped AAO SERS基底检测单个微塑料颗粒可获得最大20倍的增强效果。此外，通过比较磁控溅射和离子溅射两种沉积方式所分别形成的基底检测微塑料的拉曼光谱结果和增强因子计算结果，我们可以得出磁控溅射所形成的基底具有更好的检测性能。这个结果可以联系到SERS基底的扫描电镜表征结果（图4）进行解释，磁控溅射所形成的金纳米层更加细腻平整，而离子溅射所形成的金纳米层出现了一定的团聚，导致形貌结构较为粗糙，因此信号强度有所减弱。图2：PS的拉曼检测。（a）不同尺寸的单个PS颗粒在硅基底上的拉曼光谱；（b）显微镜下不同尺寸的单个PS颗粒在硅基底上的形态分布；（c）不同尺寸的单个PS颗粒在离子溅射形成的SERS基底上的拉曼光谱；（d）不同尺寸的单个PS颗粒在磁控溅射形成的SERS基底上的拉曼光谱；（e）显微镜下不同尺寸的单个PS颗粒在磁控溅射形成的SERS基底上的形态分布；（f）显微镜下不同尺寸的单个PS颗粒在离子溅射形成的SERS基底上的形态分布；（g）增强因子的箱线图。图3：PMMA的拉曼检测。（a）不同尺寸的单个PMMA颗粒在硅基底上的拉曼光谱；（b）显微镜下不同尺寸的单个PMMA颗粒在硅基底上的形态分布；（c）不同尺寸的单个PMMA颗粒在离子溅射形成的SERS基底上的拉曼光谱；（d）不同尺寸的单个PMMA颗粒在磁控溅射形成的SERS基底上的拉曼光谱；（e）显微镜下不同尺寸的单个PMMA颗粒在磁控溅射形成的SERS基底上的形态分布；（f）显微镜下不同尺寸的单个PMMA颗粒在离子溅射形成的SERS基底上的形态分布；（g）增强因子的箱线图。图4：AAO模板和SERS基底的扫描电镜表征。（a）空白的AAO模板；（b）经过离子溅射形成的SERS基底；（c）经过磁控溅射形成的SERS基底；（d）（e）微塑料标准样品在基底上的形态分布。之后，本研究采集了雨水作为大气样品，对基底检测实际样品的能力进行了测试。采集到的雨水样品经过过滤、消解等前处理后，被滴加在基底上进行后续的拉曼检测，获得若干疑似微塑料的拉曼光谱。通过将这些采集到的拉曼光谱与标准微塑料样品的拉曼光谱进行比对，找到了雨水样品中所含有的微纳塑料颗粒，证实了大气中微塑料颗粒的存在以及基底检测实际样品的能力。图5：雨水样品的检测。（a）在基底上发现的疑似微塑料颗粒，尺寸约为2 μm × 2 μm；（b）疑似微塑料颗粒的拉曼光谱。该研究了提出了一种新型的适用于环境微纳塑料检测的低成本SERS基底，具备热点均一、增强效果好的优点，有望推广到环境各介质中微纳塑料的检测，为尺寸更小的纳米塑料检测分析提供了新方法。

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： 物理气相沉积,原子层沉积 开标时间： 2021-09-03 14:00 采购金额： 795.00万元 采购单位： 浙江大学宁波五位一体校区教育发展中心 采购联系人： 王鸯鸯 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 宁波中基国际招标有限公司 代理联系人： 徐承 代理联系方式： 立即查看 详细信息 宁波中基国际招标有限公司关于浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目的公开招标公告 浙江省-宁波市-鄞州区 状态：公告 更新时间： 2021-08-13 项目概况 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目招标项目的潜在投标人应在政府采购云平台（www.zcygov.cn）获取（下载）招标文件，并于 2021年09月03日 14:00（北京时间）前递交（上传）投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：CBNB-20211438G 项目名称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目 预算金额（元）：7950000 最高限价（元）：3500000,2350000,2100000 采购需求： 标项一 标项名称: 等离子体增强化学气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 3500000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项二 标项名称: 物理气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 2350000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项三 标项名称: 全自动匀胶显影系统 数量: 1 预算金额（元）: 2100000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 合同履约期限：标项 1、2、3，自合同签订生效后开始至双方合同义务完全履行后截止。 本项目（否）接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：标项1、2、3：单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一标项的投标。为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的投标人，不得再参加本项目的投标。 三、获取招标文件 时间：2021年08月13日至2021年08月20日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59（北京时间，线上获取法定节假日均可，线下获取文件法定节假日除外） 地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 方式：1.本项目招标文件实行“政府采购云平台”在线获取，不提供招标文件纸质版。供应商获取招标文件前应先完成“政府采购云平台”的账号注册；2.潜在供应商登陆政采云平台，在线申请获取招标文件（进入“项目采购”应用，在获取招标文件菜单中选择项目，申请获取招标文件；仅需浏览招标文件的供应商可点击“游客，浏览招标文件”直接下载招标文件浏览）；3.招标公告附件内的招标文件仅供阅览使用，投标人只有在“政府采购云平台”完成获取招标文件申请并下载了招标文件后才视作依法获取招标文件（法律法规所指的供应商获取招标文件时间以供应商完成获取招标文件申请后下载招标文件的时间为准）。注：请投标人按上述要求获取招标文件，如未在“政采云”系统内完成相关流程，引起的投标无效责任自负。 售价（元）：0 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年09月03日 14:00（北京时间） 投标地点（网址）：（1）“电子加密投标文件”：政采云平台（www.zcygov.cn）在线提交；（2）“电子备份投标文件”：中基招标会议中心（宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦1楼）开标室 开标时间：2021年09月03日 14:00 开标地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.供应商认为采购文件使自己的权益受到损害的，可以自获取采购文件之日或者采购文件公告期限届满之日（公告期限届满后获取采购文件的，以公告期限届满之日为准）起7个工作日内，对采购文件需求的以书面形式向采购人提出质疑，对其他内容的以书面形式向采购人和采购代理机构提出质疑。质疑供应商对采购人、采购代理机构的答复不满意或者采购人、采购代理机构未在规定的时间内作出答复的，可以在答复期满后十五个工作日内向同级政府采购监督管理部门投诉。质疑函范本、投诉书范本请到浙江政府采购网下载专区下载。 2.其他事项：2.1.采购项目需要落实的政府采购政策：（1）对小微企业的产品给予价格优惠（监狱企业、残疾人福利性单位视同小微企业；残疾人福利性单位属于小型、微型企业的，不重复享受政策）；（2）优先采购节能环保产品（注：所采购的货物在政府采购节能产品、环境标志产品实施品目清单范围内，且具有国家确定的认证机构出具的、处于有效期之内的节能产品、环境标志产品认证证书）。2.2.本次政府采购活动有关信息在浙江政府采购网公布，视同送达所有潜在投标人。 2.3特别提醒事项：（1）供应商应于提交投标文件截止时间前将电子加密投标文件上传到政府采购云平台www.zcygov.cn，未上传电子加密投标文件，视为供应商放弃投标。（2）供应商在“政府采购云平台”完成“电子加密投标文件”的上传递交之外，还可以（邮寄形式或派人现场提交，以招标代理机构联系人签收时间为准）在投标截止时间前提交以介质（U盘）存储的数据电文形式的“备份投标文件”。（3）电子招投标有关事项说明：①本项目通过“浙江政府采购网（http://zfcg.czt.zj.gov.cn）”实行电子投标，供应商须安装客户端软件，并按照采购文件和电子交易平台的要求制作投标文件。客户端软件下载方式：供应商可通过“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端”进行下载。②供应商须申领CA，CA申领及相关操作可参考“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端-CA驱动和申领流程”。供应商在进行上述操作时，如遇技术问题可致电400-881-7190进行咨询。（4）疫情期间特别提醒事项：①采用邮寄方式提交电子备份投标文件，需按以下要求递交：供应商须在投标截止时间前将电子备份投标文件邮寄至规定地点，由招标代理工作人员进行签收。各供应商自行考虑邮寄在途时间，邮寄过程中无论何种因素导致电子备份投标文件未按时递交的后果，均由供应商自行负责。电子备份投标文件递交时间以招标代理实际收到电子备份投标文件的时间为准。迟到的电子备份投标文件将被拒收。请各供应商确保密封包装在邮寄过程密封包装完好，并在邮寄包裹上注明项目名称，因邮寄过程的密封破损造成不符合开标要求的，本招标代理及招标人概不负责。电子备份投标文件邮寄地址为：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼。收件人：王鸯鸯，联系方式：0574-88090157,13373888477②采用现场递交方式递交电子备份投标文件，在投标当天投标人员需持绿色“甬行码”、佩戴口罩且体温测量正常后方可进入开标现场（以开标当日测量体温为准）递交电子备份投标文件。若供应商因未按上述要求办理而导致无法准时进入开标现场的，由供应商自行负责。 七、对本次采购提出询问、质疑、投诉，请按以下方式联系 1.采购人信息 名 称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹） 地 址：宁波市鄞州区钱湖南路1号 传 真：/ 项目联系人（询问）：郑老师 项目联系方式（询问）：0574-88229887 质疑联系人：杨国义 质疑联系方式：0574-88130160 2.采购代理机构信息 名 称：宁波中基国际招标有限公司 地 址：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼 传 真：0574-87425386 项目联系人（询问）：王鸯鸯、徐承 项目联系方式（询问）：0574-88090157、87425387 质疑联系人：蒋海佳 质疑联系方式：0574-87423685 3.同级政府采购监督管理部门 名 称：宁波市政府采购管理办公室 地 址：宁波市海曙区中山西路19号 传 真：/ 联系人 ：徐老师 监督投诉电话：0574-89388441 若对项目采购电子交易系统操作有疑问，可登录政采云（https://www.zcygov.cn/），点击右侧咨询小采，获取采小蜜智能服务管家帮助，或拨打政采云服务热线400-881-7190获取热线服务帮助。 CA问题联系电话（人工）：汇信CA 400-888-4636；天谷CA 400-087-8198。 附件信息： 430.4K × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2021-09-03 14:00 预算金额：795.00万元 采购单位：浙江大学宁波五位一体校区教育发展中心 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：宁波中基国际招标有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 宁波中基国际招标有限公司关于浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目的公开招标公告 浙江省-宁波市-鄞州区 状态：公告 更新时间： 2021-08-13 项目概况 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目招标项目的潜在投标人应在政府采购云平台（www.zcygov.cn）获取（下载）招标文件，并于 2021年09月03日 14:00（北京时间）前递交（上传）投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：CBNB-20211438G 项目名称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目 预算金额（元）：7950000 最高限价（元）：3500000,2350000,2100000 采购需求： 标项一 标项名称: 等离子体增强化学气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 3500000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项二 标项名称: 物理气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 2350000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项三 标项名称: 全自动匀胶显影系统 数量: 1 预算金额（元）: 2100000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 合同履约期限：标项 1、2、3，自合同签订生效后开始至双方合同义务完全履行后截止。 本项目（否）接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：标项1、2、3：单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一标项的投标。为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的投标人，不得再参加本项目的投标。 三、获取招标文件 时间：2021年08月13日至2021年08月20日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59（北京时间，线上获取法定节假日均可，线下获取文件法定节假日除外） 地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 方式：1.本项目招标文件实行“政府采购云平台”在线获取，不提供招标文件纸质版。供应商获取招标文件前应先完成“政府采购云平台”的账号注册；2.潜在供应商登陆政采云平台，在线申请获取招标文件（进入“项目采购”应用，在获取招标文件菜单中选择项目，申请获取招标文件；仅需浏览招标文件的供应商可点击“游客，浏览招标文件”直接下载招标文件浏览）；3.招标公告附件内的招标文件仅供阅览使用，投标人只有在“政府采购云平台”完成获取招标文件申请并下载了招标文件后才视作依法获取招标文件（法律法规所指的供应商获取招标文件时间以供应商完成获取招标文件申请后下载招标文件的时间为准）。注：请投标人按上述要求获取招标文件，如未在“政采云”系统内完成相关流程，引起的投标无效责任自负。 售价（元）：0 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年09月03日 14:00（北京时间） 投标地点（网址）：（1）“电子加密投标文件”：政采云平台（www.zcygov.cn）在线提交；（2）“电子备份投标文件”：中基招标会议中心（宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦1楼）开标室 开标时间：2021年09月03日 14:00 开标地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.供应商认为采购文件使自己的权益受到损害的，可以自获取采购文件之日或者采购文件公告期限届满之日（公告期限届满后获取采购文件的，以公告期限届满之日为准）起7个工作日内，对采购文件需求的以书面形式向采购人提出质疑，对其他内容的以书面形式向采购人和采购代理机构提出质疑。质疑供应商对采购人、采购代理机构的答复不满意或者采购人、采购代理机构未在规定的时间内作出答复的，可以在答复期满后十五个工作日内向同级政府采购监督管理部门投诉。质疑函范本、投诉书范本请到浙江政府采购网下载专区下载。 2.其他事项：2.1.采购项目需要落实的政府采购政策：（1）对小微企业的产品给予价格优惠（监狱企业、残疾人福利性单位视同小微企业；残疾人福利性单位属于小型、微型企业的，不重复享受政策）；（2）优先采购节能环保产品（注：所采购的货物在政府采购节能产品、环境标志产品实施品目清单范围内，且具有国家确定的认证机构出具的、处于有效期之内的节能产品、环境标志产品认证证书）。2.2.本次政府采购活动有关信息在浙江政府采购网公布，视同送达所有潜在投标人。 2.3特别提醒事项：（1）供应商应于提交投标文件截止时间前将电子加密投标文件上传到政府采购云平台www.zcygov.cn，未上传电子加密投标文件，视为供应商放弃投标。（2）供应商在“政府采购云平台”完成“电子加密投标文件”的上传递交之外，还可以（邮寄形式或派人现场提交，以招标代理机构联系人签收时间为准）在投标截止时间前提交以介质（U盘）存储的数据电文形式的“备份投标文件”。（3）电子招投标有关事项说明：①本项目通过“浙江政府采购网（http://zfcg.czt.zj.gov.cn）”实行电子投标，供应商须安装客户端软件，并按照采购文件和电子交易平台的要求制作投标文件。客户端软件下载方式：供应商可通过“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端”进行下载。②供应商须申领CA，CA申领及相关操作可参考“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端-CA驱动和申领流程”。供应商在进行上述操作时，如遇技术问题可致电400-881-7190进行咨询。（4）疫情期间特别提醒事项：①采用邮寄方式提交电子备份投标文件，需按以下要求递交：供应商须在投标截止时间前将电子备份投标文件邮寄至规定地点，由招标代理工作人员进行签收。各供应商自行考虑邮寄在途时间，邮寄过程中无论何种因素导致电子备份投标文件未按时递交的后果，均由供应商自行负责。电子备份投标文件递交时间以招标代理实际收到电子备份投标文件的时间为准。迟到的电子备份投标文件将被拒收。请各供应商确保密封包装在邮寄过程密封包装完好，并在邮寄包裹上注明项目名称，因邮寄过程的密封破损造成不符合开标要求的，本招标代理及招标人概不负责。电子备份投标文件邮寄地址为：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼。收件人：王鸯鸯，联系方式：0574-88090157,13373888477②采用现场递交方式递交电子备份投标文件，在投标当天投标人员需持绿色“甬行码”、佩戴口罩且体温测量正常后方可进入开标现场（以开标当日测量体温为准）递交电子备份投标文件。若供应商因未按上述要求办理而导致无法准时进入开标现场的，由供应商自行负责。 七、对本次采购提出询问、质疑、投诉，请按以下方式联系 1.采购人信息 名 称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹） 地 址：宁波市鄞州区钱湖南路1号 传 真：/ 项目联系人（询问）：郑老师 项目联系方式（询问）：0574-88229887 质疑联系人：杨国义 质疑联系方式：0574-88130160 2.采购代理机构信息 名 称：宁波中基国际招标有限公司 地 址：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼 传 真：0574-87425386 项目联系人（询问）：王鸯鸯、徐承 项目联系方式（询问）：0574-88090157、87425387 质疑联系人：蒋海佳 质疑联系方式：0574-87423685 3.同级政府采购监督管理部门 名 称：宁波市政府采购管理办公室 地 址：宁波市海曙区中山西路19号 传 真：/ 联系人 ：徐老师 监督投诉电话：0574-89388441 若对项目采购电子交易系统操作有疑问，可登录政采云（https://www.zcygov.cn/），点击右侧咨询小采，获取采小蜜智能服务管家帮助，或拨打政采云服务热线400-881-7190获取热线服务帮助。CA问题联系电话（人工）：汇信CA 400-888-4636；天谷CA 400-087-8198。 附件信息： 430.4K

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目-公开招标公告 河南省-郑州市-金水区 状态：公告 更新时间： 2024-08-21 项目概况 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目招标项目的潜在投标人应在河南省公共资源交易中心网站获取招标文件，并于2024年09月12日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1、项目编号：豫财招标采购-2024-902 2、项目名称：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目 3、采购方式：公开招标 4、预算金额：27,000,000.00元 最高限价：27000000元 序号 包号 包名称 包预算（元） 包最高限价（元） 1豫政采(2)20241346-1 包1 12470000 12470000 2 豫政采(2)20241346-2 包2 14530000 14530000 5、采购需求（包括但不限于标的的名称、数量、简要技术需求或服务要求等） 5.1采购货物名称及数量： 包1：双面对准紫外光刻系统1套、感应耦合等离子体深硅刻蚀机1套、离子束刻蚀机1套。 包2：反应离子刻蚀机1套、等离子体增强化学气相沉积系统1套、高真空电子束共沉积系统1套、半自动匀胶显影系统1套、湿法清洗系统1套、晶圆检查显微镜系统2套、晶圆划切系统1套、探针式轮廓仪1套。 5.2标包划分：本项目共划分2个标包； 5.3采购货物技术性能指标：具体参数详见招标文件第五章“采购需求” 5.4核心产品： 包1：双面对准紫外光刻系统 包2：等离子体增强化学气相沉积系统 5.5采购范围：采购货物的供货、运输、保险、装卸、安装、检测、调试、试运行、验收交付、培训、技术支持、售后保修及相关伴随服务； 5.6资金来源：财政资金，已落实； 5.7交货期： 包1：合同生效后15个月内完成供货、安装、调试完毕 包2：合同生效后12个月内完成供货、安装、调试完毕 5.8交货地点：采购人指定地点； 5.9质量要求：符合国家现行验收规范和标准，满足采购人的相关要求； 6、合同履行期限：自合同签订至质保期结束 7、本项目是否接受联合体投标：否 8、是否接受进口产品：是 9、是否专门面向中小企业：否 二、申请人资格要求： 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策满足的资格要求： 无 3、本项目的特定资格要求 无 三、获取招标文件 1.时间：2024年08月22日 至 2024年08月28日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外。） 2.地点：河南省公共资源交易中心网站 3.方式：登录《河南省公共资源交易中心-市场主体》凭CA数字证书下载投标项目所含全部资料 4.售价：0元 四、投标截止时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：通过《河南省公共资源交易中心-市场主体》电子交易平台上传 五、开标时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：河南省公共资源交易中心远程开标室(二)-6 六、发布公告的媒介及招标公告期限 本次招标公告在《河南省政府采购网》、《中国政府采购网》、《河南省公共资源交易中心网》上发布， 招标公告期限为五个工作日 。 七、其他补充事宜 1.根据《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》(财库[2016]125号) 和豫财购【2016】15号的规定，采购人或采购代理机构应当在供应商递交投标文件或响应文件时查询供应商信用记录。查询时将查询网页、内容进行截图或拍照，以作证据留存，截图或拍照内容要完整清晰。对列入失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商，采购人、采购代理机构应当拒绝其参加政府采购活动。查询渠道：失信被执行人（查询网站“全国法院失信被执行人名单信息公布与查询”）重大税收违法失信主体（查询网站“信用中国”）、政府采购严重违法失信行为记录名单（查询网址“中国政府采购网”）。 2.本项目执行促进中小型企业发展政策（监狱企业、残疾人福利性企业视同小微企业）、强制采购节能产品、优先采购节能环保产品等政府采购政策。 3.招标代理费：按照计价格[2002]1980号、发改价格[2003]857号和发改价格[2011]534号文件的取费标准的60%由中标人以现金或转账的形式向采购代理机构缴纳。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1. 采购人信息 名称：河南省科学院 地址：郑州市郑东新区崇实里228号 联系人：何小波 联系方式：0371-65753601 2.采购代理机构信息（如有） 名称：信人建设管理有限公司 地址：河南省郑州市金水区文化路9号永和国际1702室 联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 3.项目联系方式 项目联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：轮廓仪,物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2024-09-12 09:00 预算金额：2700.00万元 采购单位：河南省科学院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：信人建设管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目-公开招标公告 河南省-郑州市-金水区 状态：公告 更新时间： 2024-08-21 项目概况 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目招标项目的潜在投标人应在河南省公共资源交易中心网站获取招标文件，并于2024年09月12日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1、项目编号：豫财招标采购-2024-902 2、项目名称：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目 3、采购方式：公开招标 4、预算金额：27,000,000.00元 最高限价：27000000元 序号 包号 包名称 包预算（元） 包最高限价（元） 1 豫政采(2)20241346-1 包1 12470000 12470000 2 豫政采(2)20241346-2 包2 14530000 14530000 5、采购需求（包括但不限于标的的名称、数量、简要技术需求或服务要求等） 5.1采购货物名称及数量： 包1：双面对准紫外光刻系统1套、感应耦合等离子体深硅刻蚀机1套、离子束刻蚀机1套。 包2：反应离子刻蚀机1套、等离子体增强化学气相沉积系统1套、高真空电子束共沉积系统1套、半自动匀胶显影系统1套、湿法清洗系统1套、晶圆检查显微镜系统2套、晶圆划切系统1套、探针式轮廓仪1套。 5.2标包划分：本项目共划分2个标包； 5.3采购货物技术性能指标：具体参数详见招标文件第五章“采购需求” 5.4核心产品： 包1：双面对准紫外光刻系统 包2：等离子体增强化学气相沉积系统 5.5采购范围：采购货物的供货、运输、保险、装卸、安装、检测、调试、试运行、验收交付、培训、技术支持、售后保修及相关伴随服务； 5.6资金来源：财政资金，已落实； 5.7交货期： 包1：合同生效后15个月内完成供货、安装、调试完毕 包2：合同生效后12个月内完成供货、安装、调试完毕 5.8交货地点：采购人指定地点； 5.9质量要求：符合国家现行验收规范和标准，满足采购人的相关要求； 6、合同履行期限：自合同签订至质保期结束 7、本项目是否接受联合体投标：否 8、是否接受进口产品：是 9、是否专门面向中小企业：否 二、申请人资格要求： 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策满足的资格要求： 无 3、本项目的特定资格要求 无 三、获取招标文件 1.时间：2024年08月22日 至 2024年08月28日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外。） 2.地点：河南省公共资源交易中心网站 3.方式：登录《河南省公共资源交易中心-市场主体》凭CA数字证书下载投标项目所含全部资料 4.售价：0元 四、投标截止时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：通过《河南省公共资源交易中心-市场主体》电子交易平台上传 五、开标时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：河南省公共资源交易中心远程开标室(二)-6 六、发布公告的媒介及招标公告期限 本次招标公告在《河南省政府采购网》、《中国政府采购网》、《河南省公共资源交易中心网》上发布， 招标公告期限为五个工作日 。 七、其他补充事宜 1.根据《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》(财库[2016]125号) 和豫财购【2016】15号的规定，采购人或采购代理机构应当在供应商递交投标文件或响应文件时查询供应商信用记录。查询时将查询网页、内容进行截图或拍照，以作证据留存，截图或拍照内容要完整清晰。对列入失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商，采购人、采购代理机构应当拒绝其参加政府采购活动。查询渠道：失信被执行人（查询网站“全国法院失信被执行人名单信息公布与查询”）重大税收违法失信主体（查询网站“信用中国”）、政府采购严重违法失信行为记录名单（查询网址“中国政府采购网”）。 2.本项目执行促进中小型企业发展政策（监狱企业、残疾人福利性企业视同小微企业）、强制采购节能产品、优先采购节能环保产品等政府采购政策。 3.招标代理费：按照计价格[2002]1980号、发改价格[2003]857号和发改价格[2011]534号文件的取费标准的60%由中标人以现金或转账的形式向采购代理机构缴纳。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1. 采购人信息 名称：河南省科学院 地址：郑州市郑东新区崇实里228号 联系人：何小波 联系方式：0371-65753601 2.采购代理机构信息（如有） 名称：信人建设管理有限公司 地址：河南省郑州市金水区文化路9号永和国际1702室 联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 3.项目联系方式 项目联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043