掺杂情况

用R90010.010M氯戊烷掺杂于氧分析中的氦气流

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。未掺杂的硒化铋Undoped Bismuth Selenide (Bi?Se?)

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。氮掺杂石墨烯Nitrogen Doped Graphene

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。氮掺杂石墨烯Nitrogen Doped Graphene

用于氧分析的氯戊烷掺杂系统氯戊烷掺杂系统, 用氯戊烷掺杂于氧分析中的氦气流 pk1 天津欧捷科技有限公司---进口元素分析耗材供应商 保证质量天津欧捷科技是一家高科技企业，公司集贸易、科研、服务一体化。公司从精密仪器设备及配件、耗材、试剂、标准对照品、实验室常用耗材的销售，到仪器调试、维护、样品的分析测试。我们主要经营：实验室耗材 元素分析耗材 色谱分析耗材 质谱耗材样品容器 Labco顶空进样瓶 色谱瓶 石英棉 石英燃烧管 进样隔垫 催化剂 标准品 试剂 玻璃碳产品 仪器配件这些耗材可用在Thermo、Elementar、Agilent、Analytikjena、Sercon、Shimadzu、leco、Varian、Perkin Elmer、waters 、Euro Vector等仪器。

参数：制备方法：硬模板氮掺杂的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3空间群：二维六角形晶格（空间群p6mm）比表面积：500平方米/克Parameter:Preparation Method：Hard Template Mesoporous Carbon Nitride Nitrogen Doped CMK-3Average Size：1 μmC/N (atom)：4.3Phase：2D hexagonal lattice (space group p6mm)Specific Surface Area (BET)：500 m2/g

氮掺杂有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制备方法：硬模板氮掺杂的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3空间群：二维六角形晶格（空间群p6mm）比表面积：500平方米/克SEM Image (1) of Mesoporous Carbon Nitride (N-doped CMK-3)BET Adsorption/Desorption Isotherms (2) of Mesoporous Carbon Nitride (N-doped CMK-3)

掺镱Yb掺杂大模场锥形光纤LMA光纤现在可提供用于脉冲高功率光纤激光器和放大器的掺镱Yb掺杂大模场锥形光纤LMA光纤： Yb-MCOF-35/250-56/400-07-2.5-T0.8-PM。这种有源锥形光纤的设计M2低于1.2，使其成为要求卓越光束质量的应用的理想选择。 我们的光纤设计具有用于选择性增益放大的限制核心和多层包层，以增强对高阶模式的抑制。 特征：设计输出M2低于1.2大芯径低光暗化高双折射用于选择性增益放大的受限核芯 设计用于放大以脉冲模式操作的窄线宽种子激光器 应用：高峰值功率激光器超快放大器频率转换掺镱Yb掺杂大模场锥形光纤LMA光纤规格*泵导向吸收@ 915 nm 2.5±0.5 dB / m标称泵导向吸收 @ 975 nm10 dB / m双折射≥1.4x 10 -4 光学特性 核心NA0.07±0.01包覆NA 0.47 光束质量因子M21.2物理特性 锥型部分长度0.8±0.2米非锥形部分长度 1.2米INO大芯径35.0±3.0μm小包层直径250.0±10.0 um小涂层直径 500.0±30.0 um大核心直径56.0±5.0μm大包层直径400.0±20.0μm大涂层直径520.0±30.0μm凹陷包层是密闭核心是

掺镱光纤 纤芯泵浦单模光纤Item#YB1200-4/125MFD4.4 ± 0.8 μmPeak Core Absorption @ 976 nm (Nominal)1200 dB/mCore Absorption @ 920 nm280 dB/m Core Numerical Aperture (NA) (Nominal)0.2Cladding NA0.46Cut-Off Wavelength1010 ± 70 nmCladding Diameter125 ± 2 μmCladding GeometryRoundCoating Diameter245 ± 15 μmCoating MaterialHigh Index AcrylateCore Concentricity Error 0.7 μmProof Test100 kpsiCore IndexProprietaryaCladding IndexProprietarya 由于保密协议，很抱歉我们不能提供更多信息。包层泵浦、双包层SM和LMA光纤Item #YB1200-6/125DCYB1200-10/125DCYB1200-20/400DCYB1200-25/250DCYB2000-10/125DCMFD6.0 ± 0.8 μm----Peak Cladding Absorption @ 976 nm (Nominal)2.6 dB/m6.9 dB/m3.0 dB/m10.8 dB/m-Cladding Absorption @ 920 nm 0.6 ± 0.2 dB/m1.8 ± 0.4 dB/m0.7 ± 0.2 dB/m2.5 ± 0.7 dB/m2.0 ± 0.4 dB/mCore Numerical Aperture (NA)0.15 ± 0.010.08 ± 0.010.07 ± 0.0050.07 ± 0.010.12 ± 0.02 Cladding NA0.460.460.460.460.46Core Diameter-10 ± 1 μm20 ± 2 μm25 ± 2.5 μm10 ± 1.0 μmCladding Diametera125 ± 2 μm125 ± 2 μm400 ± 15 μm250 ± 10 μm125 ± 2 μmCladding GeometryOctagonalOctagonalOctagonalOctagonalOctagonalCoating (Second Cladding) Diameter245 ± 15 μm245 ± 15 μm520 ± 15 μm350 ± 15 μm245 ± 15 μmCoating MaterialLow Index AcrylateLow Index AcrylateLow Index AcrylateLow Index AcrylateLow Index AcrylateCore Concentricity Error 1.0 μm 1.5 μm 1.5 μm 1.5 μm 1.5 μmProof Test100 kpsi100 kpsi 50 kpsi100 kpsi100 kpsiCore IndexProprietarybCladding IndexProprietaryb 八边形包层相对平面的测量值。 由于保密协议，很抱歉我们不能提供更多信息。匹配的被动LMA光纤Item #P-10/125DCP-20/390DCP-40/140DCMatching Active FiberYB1200-10/125DCYB1200-20/400DCER60-40/140DCaCore Numerical Aperture (NA)0.08 ± 0.010.07 ± 0.010.07 ± 0.005Cladding NA0.460.460.46Core Diameter10 ± 1 μm20 ± 2 μm25 ± 2.5 μmCladding Diameter125 ± 2 μm400 ± 8 μm250 ± 5 μmCladding Geometry RoundRoundRoundCoating (Second Cladding) Diameter245 ± 15 μm500 ± 15 μm350 ± 15 μmCoating MaterialLow Index AcrylateLow Index AcrylateLow Index AcrylateProof Test100 kpsi50 kpsi10 kpsiCore IndexProprietarybCladding IndexProprietaryb ER60-40/140DC为掺铒光纤可以定制。请联系我们的技术支持定制。 由于保密协议，很抱歉我们不能提供更多信息。纤芯泵浦单模掺镱光纤，单包层 纤芯泵浦设计 远程通信型光纤几何形便于处理、拼接和连接 与HI1060-型无源单模光纤拼接良好应用 低噪声、低功率前置放大器 ASE光源 连续波和脉冲激光器和放大器Liekki Yb1200-4/125是一种用于低噪声、低非线性前置放大器和激光器的高掺镱光纤。它是用于纤芯泵浦应用的单包层光纤。对于用双包层光纤做功率放大器的光纤放大器中，这种光纤是用作前置放大器的理想选择。这种光纤的远程通信几何形状使之兼容低成本泵浦二极管、标准单模无源光纤、以及标准远程通信接头和拼接技术。Item # CladdingGeometryAbsorption@ 920 nmMode FieldDiameterCladdingDiameterCoatingDiameterCore NACut-OffWavelengthCore IndexCladding IndexYB1200-4/125Round280 dB/m4.4 μm @ 1060 nm 125 ± 2 μm245 ± 15 μm0.21010 ± 70 nmProprietaryaProprietarya 由于保密协议，很遗憾我们无法提供更多信息。窗体顶端窗体底端包层泵浦SM和LMA掺镱光纤，双包层每种光纤的斜率效率曲线请见下表YB1200-20/400DC典型光束质量 包层泵浦设计 单模或大模场面积工作 高泵浦吸收、光暗化效应低 斜率效率高（75-84%）应用 高平均功率的脉冲放大器 中等和高功率脉冲和连续波激光器 材料处理 激光雷达 距离测量这些掺镱双包层光纤是高达20瓦的中等和高功率应用的理想选择，包括光纤功率放大器。高效工作的典型斜率效率为75%到84%。用于LMA版本的匹配被动光纤在下面有售。主要特性YB1200-6/125DC远程通信几何形兼容光栅和组合器等标准组件YB1200-10/125DC包层高吸收率和单模纤芯是基于光纤的功率放大器的理想选择YB1200-20/400DC?400微米包层兼容工业标准的高功率泵浦激光器和传输光纤YB1200-25/250DC高包层吸收率和高效率用于高平均功率脉冲光纤放大器YB2000-10/125DC高掺杂浓度耐光暗化效应 Item # CladdingGeometryAbsorption@ 920 nm CoreDiameterCladdingDiameteraCoating (SecondCladding) DiameterCore NACladding NASlopeEfficiencyPlotCoreIndexCladdingIndexYB1200-6/125DCOctagonal0.6 ± 0.2 dB/m6.0 ± 0.8 μm MFD125 ± 2 μm245 ± 15 μm0.15 ± 0.010.46ProprietarybProprietarybYB1200-10/125DC1.8 ± 0.4 dB/m10 ± 1 μm125 ± 2 μm245 ± 15 μm0.08 ± 0.01YB1200-20/400C0.7 ± 0.2 dB/m20 ± 2 μm400 ± 15 μm500 ± 15 μm0.07 ± 0.005YB1200-25/250DC2.5 ± 0.7 dB/m25 ± 2.5 μm250 ± 10 μm350 ± 15 μm0.07 ± 0.01YB2000-10/125DC2.0 ± 0.4 dB/m10 ± 1.0 μm125 ± 2 μm245 ± 15 μm0.12 ± 0.02- 八边形包层相对平面的测量值。 由于保密协议，很遗憾我们无法提供更多信息。大模场无源光纤 针对耦合有源掺杂光纤进行优化 纤芯和包层范围分别是从10到40微米和125到390微米 纤芯NA范围从0.07到0.09，包层NA大于0.46这些无源大模场面积（LMA）光纤是与上面销售的双包层有源光纤拼接的理想选择。选择合适的纤芯直径和数值孔径匹配有源光纤以维持通过光纤激光器或放大器的光束质量。外包层直径设计环绕有源光纤以使从无源到有源光纤的泵浦耦合损耗很低。这些大模场直径无源光纤镀有低折射率的氟丙烯酰酯，用于泵浦有源光纤。如有特殊要求，也可提供高折射率丙烯酸酯镀膜；具体请联系技术支持。Item #CompatibleActive FiberCladdingGeometryCoreDiameterCladdingDiameterCoating (SecondCladding) DiameterCore NACladding NAProof TestCore IndexCladding IndexP-10/125DCYB1200-10/125DCRound10 ± 1 μm125 ± 2 μm245 ± 15 μm0.08 ± 0.010.46100 kpsiProprietaryaProprietaryaP-20/390DCYB1200-20/400DC20 ± 2 μm390 ± 8 μm500 ± 15 μm0.07 ± 0.010.4650 kpsiP-40/140DCER60-40/140DCb40 ± 4 μm140 ± 3 μm245 ± 15 μm0.09 ± 0.010.46100 kpsi 由于保密协议，很遗憾我们无法提供更多信息。 ER60-40/140DC是特殊订单的掺铒光纤。请联系技术支持订购。掺铒单模和大模场面积光纤 Item #TypePeak CoreAbsorptionPumpTypeMFD(at 1550 nm)CladdingDiameterER30-4/125SMa30 ± 3 dB/mcCore6.5 ± 0.5 μm125 ± 2 μmER80-4/12580 ± 8 dB/mcER110-4/125 110 ± 10 dB/mcER16-8/125LMAb16 ± 3 dB/mc9.5 ± 0.8 μmER80-8/1258 ± 8 dB/mcM5-980-125SMa5 ± 0.5 dB/md5.9 μm125 ± 1 μmM12-980-12512 ± 1 dB/md6.2 μm 单模 大模场面积 在1530nm测量 在980nm测量特点 鉺掺杂光纤发射波段在1530 - 1610纳米 纤芯泵浦单模光纤和大模场面积光纤可用 行业标准包层直径?125微米，易于操作，拼接以及终止Microphotons提供两类掺铒有源光纤。Liekki?掺铒光纤适用于泵浦波长为980纳米或者1480纳米，发射波长在C和L通讯波段（分别是 1530 - 1565 纳米或1565 - 1625 纳米）的单模和大模场面积。MetroGain?掺铒单模光纤具有高掺杂浓度，设备长度短，发射波长也被设计在C和L波段。MetroGain? Er-Doped SM FibersApplications C- and L-Band Fiber Amplifiers ASE Sources For 980 nm and 1480 nm Pump Sources with Emission in the C or L Band (1530 - 1565 nm or 1565 - 1625 nm) High Absorption for Short Gain Sections or Laser CavitiesMetroGain Erbium-doped fibers are optimized for emission in the C and L telecommunications bands. M5-980-125 fiber is effective for high-power C-Band use (1530 - 1565 nm) when pumped at 1480 nm. M12-980-125 fiber is optimized for L-band emission with a 980 nm pump source. Its high absorption allows for shorter active fiber lengths compared to conventional Er-doped fibers emitting in the L band.These fibers give good modal overlap of the pump with the doped region of the fiber while still maintaining excellent splice characteristics. The high absorption of MetroGain fibers makes them an ideal choice for fiber lasers and ASE sources. Very short cavity lengths for fiber lasers can be realized, which minimizes pulse distortion.Item # TypeEmissionWavelengthPeak Core Absorptionat 980 nmMode Field Diameterat 1550 nm (Nominal)CladdingDiameterCoatingDiameterCore NACut-OffWavelengthCoreIndexCladdingIndexM5-980-125Single ModeC-Band5 ± 0.5 dB/m5.9 μm125 ± 1 μm245 μm (Nominal)0.22 - 0.24 900 - 970 nmProprietaryaProprietaryaM12-980-125L-Band12 ± 1 dB/m6.2 μm We regret that we cannot provide this proprietary information. Liekki? Er-Doped SM and LMA Fibers Key FeaturesER30-4/125Extremely high, 50% conversion efficiency in the L bandER80-4/125High doping concentration for short device length

TmHo掺铥掺钬单包层掺杂光纤双包层三包层特种光纤TmHo掺铥掺钬单包层掺杂光纤适用于1.9至2.2 μm的光纤激光器。EACHWAVE提供用于放大器和光纤激光器的全系列掺Tm和Ho光纤，可用于芯泵浦光纤激光器和放大器。TmHo掺铥掺钬双包层掺杂光纤可靠、高效，EACHWAVE可提供用于放大器和光纤激光器的全系列掺Tm、掺Ho和掺Tm/Ho的双包层光纤，可用于包层泵浦光纤激光器和放大器，以及高效多模泵浦耦合。 TmHo掺铥掺钬三包层掺杂光纤适用于大功率连续波和约2 μm的脉冲激光器，三重覆层设计可用于高功率状态的放大器和光纤激光器配置。特性：? 连续和脉冲光纤激光器@ 2 μm? 高泵和恒定吸收 ? 低M2? 高效率? 高Tm ? 0 ?浓度应用：? 2 μm连续和脉冲激光器? 2 μm放大器TmHO掺铥掺钬单包层掺杂光纤双包层三包层特种光纤规格：TmHo掺铥掺钬单包层掺杂光纤规格类型核心直径Core NA: 包层直径（μm）涂层直径（μm）EIXF-TDF-4-125掺铥光纤Thulium4 μm 0.27 125 +/- 2245EIXF-TDF-5-125掺铥光纤Thulium5 μm 0.25 125 +/- 2245EIXF-TDF-5-125HD掺铥光纤Thulium5 μm0.17 125 +/- 2245EIXF-HDF-8-125掺钬光纤Holmium8um0.16 125 +/- 2245EIXF-TDF-PM-5-125掺铥光纤Thulium5um，PM0.25 125 +/- 2245EIXF-HDF-PM-8-125掺钬光纤Holmium8um，PM0.16 125 +/- 2245EIXF-HDF-PM-20-250掺钬光纤Holmium20um，PM0.08250 +/- 2340 TmHo掺铥掺钬双包层掺杂光纤规格类型核心直径Core NA: 包层吸收@789nm (dB/m) *包层吸收@1180nm (dB/m) *包层直径（μm）涂层直径（μm）EIXF-2CF-Tm-O-6-130Tm6 +/- 0.50.22 3.3 0.6125+/- 3245EIXF-2CF-Tm-O-10-130Tm10 +/- 10.14 6.5 1.2125+/- 3245EIXF-2CF-Tm-O-12-130 Tm12 +/- 10.14 5.0 1.0125+/- 3 245EIXF-2CF-Tm-O-20-250Tm20 +/- 10.09 3.3 0.6250+/- 5340EIXF-2CF-Tm-O-25-250Tm25 +/- 10.08 7.0 1.2250+/- 5360EIXF-2CF-TmHo-O-6-130TmHo6 +/- 0.50.22 3.3 0.6125+/- 3245EIXF-2CF-TmHo-O-25-300TmHo25 +/- 10.09 3.0 0.7300+/-10460EIXF-2CF-Tm-PM-6-130PM6 +/- 0.50.22 3.3 0.6125+/- 3245EIXF-2CF-Tm-PM-10-130PM10 +/- 10.14 6.5 1.2125+/- 3245EIXF-2CF-Tm-PM-20-300PM20 +/- 10.08 2.7 0.5 300+/-10460EIXF-2CF-TmHo-PM-6-130PM6 +/- 0.50.22 3.3 0.6125+/- 3245EIXF-2CF-TmHo-PM-25-300PM 25 +/- 10.09 5.6 1.0300+/-10460 TmHo掺铥掺钬三包层掺杂光纤:规格类型核心直径Core NA内包层直径涂层直径（μm）内包层NA外包层NA测试等级(kpsi)EIXF-3CF-Ho-O-20-250-300Ho20 +/- 10.082504500.22 0.46 78EIXF-3CF-TmHo-PM-18-270-300PM18 +/- 20.09270490 0.22 0.46 50上海屹持光电技术有限公司

氮掺杂石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面积（平方米/克）：500 ~ 700电导率（S/m） 1000（其特征在于在0.3g／cm3的密度）层数：1-5层的原子层的石墨烯薄片横向尺寸（um）：0.5~5氮（%）：3.0-5.0氧（%）：7.0-7.5SEM Image of ACS Material N-doped GrapheneTEM Image (1) of ACS Material N-doped GrapheneTEM Image (2) of ACS Material N-doped GrapheneHRTEM Image of ACS Material N-doped GrapheneSTEM Image of ACS Material N-doped GrapheneXPS Image of ACS Material N-doped Graphene

Corning康宁EDFA专用高掺杂掺铒光纤ER1550C3A-VHAbTpe 3 C-band Fiber with Very High Absorption (ER 1550C3A VHA) pplitonFuCring Part #onng Description:0351810506Corning ER1550C3A VHA-500M Fiber0351811006Corning ER1550C3A VHA-1KM Fiber0351812006Corning ER1550C3A VHA-2KM Fiber Key Geometric Specifications:Cladding Diameter125 ± 1 μmCoating Diameter245 ± 10 μmCore-to-Clad Offset 0.4 μm frmace Characterizations: Operating Temperature Range-40 to 80 oCPolarization Mode Dispersion @ 1520-1575 nm 4 fs/mBackscatter @ (1500 – 1600) nm1 X 10-4 %/mNumerical Aperture (Typical) 0.23 ter: Standard Lengths500m, 1 km, 2 km / reelProof Test100 kpsi lverale Data:Core-to-Clad OffsetBackground Loss @ ~1250 nmMode-field Diameter @ 1000 nm and 1550 nmCutoff WavelengthPeak Er Absorption @ ~980 nm, Peak Er absorption @ ~1530 nm for overwrapGiles file (one per new core lot): alpha & g* @ (960 – 1000) nm & (1465 – 1570) nm

LIEKKI™ Er80-4/125-HD-PM光纤光纤是一种高掺杂的，专为光纤设计的保偏铒光纤激光。纤芯折射率分布专为正常色散高于标准阶跃折射率光纤。高铒浓度提供了强大的增益和减少所需的应用长度，以最大限度地减少非线性效应。这使得这种纤维特别适用于超短脉冲应用包含多型号 Er16-8/125 Er30-4/125(HC) Er40-4/125 Er80-8/125 Er110-4/125 截止波长800-980nm技术参数 产品特性优秀的吸收和光谱形状一致性高掺杂浓度使得所需光纤较短，从而降低非线性效应很好的温度稳定性低熔接损耗应用范围脉冲激光器和放大器 中级功率的低非线性效应应用领域激光雷达医疗领域光纤传感适用于980nm或1480nm泵浦超短脉冲(femtosecond)放大器，激光器参数特点模场直径 @1550nm6.5 ± 0.5 um纤芯吸收峰值@1530nm80 ± 8 dB/m纤芯数值孔径0.2截止波长 800-980 nm纤芯/包层偏差 0.7 um包层直径125 ± 2 um包层形状圆形涂覆层直径245 ± 15 um涂覆层材料高折射率丙烯酸酯 压力测试水平 100 Kpsi包层物理结构圆，熊猫型色散值 at 1550 nm(nominal) 1-22ps/(nm*km)双折射，≥1E-04常见参数问题： 掺铒光纤nLIGHT掺铒光纤的吸收和发射截面是多少？请联系nLIGHT光纤代表以接收nLIGHT掺铒光纤吸收和发射截面的代表性数据。nLIGHT标准掺铒光纤的色散是多少？我们的掺铒光纤的色散参数敏感地取决于纤芯直径和纤芯数值孔径。根据假设标称芯径和NA的模拟，可以预期色散参数在以下范围内：光纤几何结构标称色散[ps/（nm*km）]Erxxx-4/125-12-18Erxxx-8/125 10。。。16*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围 nLIGHT的掺铒光纤的有效核心面积是多少？掺铒光纤的有效纤芯面积取决于纤芯直径和纤芯数值孔径。根据假设标称芯直径和NA的模拟，可以预期芯的有效面积在以下范围内：纤维几何结构标称有效面积[（m2）]Erxxx-4/125 26。。。32Erxxx-8/125 60。。。70*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围nLIGHT的掺铒光纤的非线性系数是多少？根据光纤几何结构，可以预期以下标称非线性折射率：光纤几何结构标称非线性折射率n2[（cm2/W）] Erxxx-4/125 2.0• 10.0-16。。。2.2 • 10.0-16Erxxx-8/125 2.4• 10.0-16。。。2.5 • 10.0-16*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围nLIGHT掺铒光纤的铒离子密度是多少？考虑到基本模式与纤芯的重叠，并根据光纤类型，可以预期以下铒离子密度：纤维型铒离子密度[（m-3）]Er16-8/125 6.8• 10.024Er30-4/125 2.1• 10.025Er40-4/125 3.5• 10.025 Er80-8/125 3.9• 10.025Er110-4/125 8.4• 10.025*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围你们提供与你们的掺铒光纤相匹配的无源光纤吗？我们不为我们的掺铒光纤提供专门的色散工程匹配无源光纤。标准电信光纤通常与我们的铒产品兼容。您的掺铒光纤在1300nm处的背景损耗是多少？请联系nLIGHT光纤代表，以获取光纤在1300 nm处的测量背景损耗。请在询价时提供您光纤的光纤代码。nLIGHT掺铒光纤的纤芯直径和掺铒直径是多少？标称芯径和掺铒直径如下： 光纤型标称纤芯和掺铒直径[（m）]Erxxx-4/125 3.5Erxxx-8/125 7.6nLIGHT掺铒光纤的自发辐射寿命是多少？对于我们所有的掺铒光纤，自发辐射寿命可以假定为9 ms左右。nLIGHT掺铒光纤中淬火离子（铒团簇）的比例是多少？淬火离子的分数（铒团簇）如下所示：淬火离子的纤维型分数Er30 xxx 4.80% Er40 xxx 7.0%Er80 xxx 14.0%Er110 xxx 16.0%您建议您的掺铒光纤使用什么长度的光纤？光纤的最佳长度取决于应用，理想情况下应根据模拟确定，并考虑到精确的设计。当假设C波段（L波段）应用的总吸收为70 dB（600 dB）时，可获得初始估计值。因此，光纤长度为：1530nm[dB/m]下的光纤类型标称吸收光纤型号1530nm下的标称吸收[dB/m]C波段应用长度[（m）]L波段应用长度[（m]Er16-8/125164.538Er30-4/125(HC)302.320 Er40-4/125401.815Er80-8/125800.97.5Er110-4/1251100.67.5

ZFG光纤重金属氟化物组成的复合玻璃光纤。与广泛应用的石英光纤相比，ZFG光纤具有传输波长范围宽0.03μm~4.5μm具有掺杂稀土离子发射效率高等特点。在光纤激光器和放大器的应用领域，为了优化其效率，通过一种独特的光纤制造技术，筱晓光子特推出低成本生产出高质量（特别是低损耗）的氟化物纤维单模光纤，具有特定的D型芯可以设计和制造定制光纤的激光和放大器Mid-IR supercontinuumLVF非线性单模光纤由于其优良的性能，可以实现非常平坦和宽带的输出光谱。(中红外超连续介质激光器)中红外光谱和光学测量。筱晓光子提供全系列ZFG光纤产品，可满足苛刻的光纤激光器的需求，可定制截止波长，纤芯直径，包层直径等，筱晓光子为您提供全方位红的外线解决方案。截止波长900nm 纤芯直径3.0um技术参数参数特性传输范围 (μm) 0.3– 4.5典型损耗(dB/Km)＜10菲涅尔反射损耗（空气）4%涂层材料UV固化丙烯酸酯 技术参数：光纤型号ZFG-SM-(1.95)6.5/125ZFG-SM-(2.55)8.5/125ZFG-SM-(2.2)14/250纤芯/包层直径（um)6.5/1258.5/125 14/250数值孔径 0.230.23 0.125截止波长（um)1.952.552.2工作波长（um)0.3~3.900.3~4.500.3~4.0短期弯曲半径（mm)≥15 ≥15≥25 长期弯曲半径（mm）≥45≥45≥75插损测试曲线图衰减曲线

参数：BET比表面积（平方米/克）：500 ~ 700电导率（S/m） 1000（其特征在于在0.3g／cm3的密度）层数：1-5层的原子层的石墨烯薄片横向尺寸（um）：0.5~5氮（%）：3.0-5.0氧（%）：7.0-7.5Parameter:BET surface area (m2/g)：500~700 Conductivity (S/m)：1000 (characterized at the density of 0.3g/cm3)Layers：1-5 atomic layer graphene nanosheetsLateral size (μm)：0.5-5Nitrogen (at%)：1.0-3.0Oxygen (at%)：7.0-7.5

ZBLAN多模光纤具有广泛的透明窗口。由于芯层和包层均由氟化物玻璃组成，光纤在0.35-4um波长范围内具有良好的透明性，是近红外和中红外光谱光波导的最佳选择，既可以提供带松套管的光纤也可以提供裸光纤。 纤芯直径95um数值孔径0.29技术参数 产品应用● 中红外光波导● 近红外光波导● 光纤传输 类型ZMF-400/500-N-0.29ZMF-160/200-N-0.29ZMF-100/125-N-0.29光纤类型阶跃型多模光纤纤芯直径(um)400±25160±1095±5涂覆层直径(um)500±25200±10123±5包层直径(um)600±30480±30460±30数值孔径0.29±0.01 损耗@2.5um（dB/m）0.1 纤芯/包层涂覆玻璃ZBLAN氟化物玻璃涂层材料UV固化丙烯酸酯参数数值光纤类型阶跃型多模光纤数值孔径 0.22±0.02,0.27±0.02,0.30±0.02堆芯/包覆比80/100包层直径(um)123±3,200±10,500±25涂覆层直径(um)460±30,480±30,600±30涂覆层材料UV固化丙烯酸酯非掺杂MMFF损耗谱订购信息例如：ZMF-400/500-N-0.29 400/500 -----400=纤芯直径400um；500=包层直径500um0.29 ---------0.29=数值孔径0.29产品应用● 中红外光波导 ● 近红外光波导● 光纤传输订购信息例如：ZMF-400/500-N-0.29400/500 -----400=纤芯直径400um；500=包层直径500um0.29 ---------0.29=数值孔径0.29

Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliation. Nitrogen doping is fixed at 1.5-2% and the lateral sizes of the flakes can reach more than 50 microns. As shown in the images, the flakes are ideal for exfoliation onto SiO2/Si substrates.Compared to pristine graphene, Nitrogen doped graphene displays G and 2D peaks at different frequencies.

Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliation. Nitrogen doping is fixed at 1.5-2% and the lateral sizes of the flakes can reach more than 50 microns. As shown in the images, the flakes are ideal for exfoliation onto SiO2/Si substrates. Compared to pristine graphene, Nitrogen doped graphene displays G and 2D peaks at different frequencies.

ZBLAN光纤通过调整芯径和孔径，可以将单模光传输到4um波长，单模氟化物光纤（SMFF）比MFF传输更稳定，更适合于精确光谱。特别是波长为3um的波段，由于C-H和N-H的振动，产生了许多很强的吸收带，非掺杂的SMFF是红外光谱中常用的光波导。纤芯直径9um 数值孔径0.26技术参数产品应用● 中红外放大器 ● 中红外系统搭建 ● 中红外光源 ZSF-6/125 -N-0.20ZSF-6/125-N-0.26ZSF-7.5/125-N-0.20ZSF-7.5/125-N-0.26ZSF-9/125-N-0.20ZSF-9/125-N-0.26光纤类型阶跃指数型单模光纤数值孔径0.20±0.010.26±0.010.20±0.010.26±0.010.20±0.010.26±0.01 截止波长（um）1.852.42.32.9 2.63.45 损耗@1.5um（dB/m）0.1芯径（um）6±16±17.5±17.5±19±19±1包层直径（um）123±3涂覆层直径（um）460±30 芯/包层玻璃ZBLAN氟化物玻璃涂层材料UV固化丙烯酸酯实验测试半径1.25cm定制参数参数 数值光纤类型阶跃指数型单模光纤截止波长（um）0.6-2.5um数值孔径0.16±0.02, 0.21±0.02, 0.26±0.02芯径2-12um涂覆层直径（um）123±3订购信息例如：ZSF-6/125-N-0.206/125------

RAEWatch 射线检测器(室外无线版) 探测器由超高灵敏度的碘化铯闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体组成，使仪器具有的快速搜寻和应急响应功能 探测器自带直流供电系统 多种通讯模式 安装方便快捷 能与多种系统融合 工业放射源安全监控 辐射区域监测 医院核医学工作场所的监测 放射源库区域监测 重大活动场所的安全监测 检测器 由碘化铯（CsI）闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体两个检测器组成 能量响应 40KeV~3.0MeV 剂量率 0.01&mu Sv/hr~100&mu Sv/hr 线性误差 15% 响应时间 2s 本底背景 开机自动检测背景数据或手动校正 用户标定 通常情况下，不需要标定 报警阈值 报警阀值基于不同环境的背景值而定 安全模式 用户可以按照剂量率设置高低限报警 工作温度 -20℃~50℃ IP等级 IP 65 通讯方式 无线数据传输、网络数据传输、RS-485工业总线数据传输 位移传感器 被动式红外传感 角度：110° 灵敏度：7° (4℃) 震动传感器 可选 电源类型 AC220V、DC24V、DC12V等多种供电方式

RAEWatch 射线检测器(室外无线版) 探测器由超高灵敏度的碘化铯闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体组成，使仪器具有的快速搜寻和应急响应功能 探测器自带直流供电系统 多种通讯模式 安装方便快捷 能与多种系统融合 工业放射源安全监控 辐射区域监测 医院核医学工作场所的监测 放射源库区域监测 重大活动场所的安全监测 检测器 由碘化铯（CsI）闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体两个检测器组成 能量响应 40KeV~3.0MeV 剂量率 0.01&mu Sv/hr~100&mu Sv/hr 线性误差 15% 响应时间 2s 本底背景 开机自动检测背景数据或手动校正 用户标定 通常情况下，不需要标定 报警阈值 报警阀值基于不同环境的背景值而定 安全模式 用户可以按照剂量率设置高低限报警 工作温度 -20℃~50℃ IP等级 IP 65 通讯方式 无线数据传输、网络数据传输、RS-485工业总线数据传输 位移传感器 被动式红外传感 角度：110° 灵敏度：7° (4℃) 震动传感器 可选 电源类型 AC220V、DC24V、DC12V等多种供电方式

RPF-2000G RAEWatch射线检测器室外版 RAEWatch 射线检测器(室内无线版)[RPF-2000G] 探测器由超高灵敏度的碘化铯闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体组成，使仪器具有的快速搜寻和应急响应功能 探测器自带直流供电系统 多种通讯模式 安装方便快捷 能与多种系统融合 技术参数 检测器 由碘化铯（CsI）闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体两个检测器组成 能量响应 40KeV~3.0MeV 剂量率 0.01&mu Sv/hr~10000&mu Sv/hr 线性误差 15% 响应时间 2s 本底背景 开机自动检测背景数据或手动校正 用户标定 通常情况下，不需要标定 报警阈值 报警阀值基于不同环境的背景值而定 安全模式 用户可以按照剂量率设置高低限报警 工作温度 -20℃~50℃ IP等级 IP 65 通讯方式 无线数据传输、网络数据传输、RS-485工业总线数据传输 位移传感器 被动式红外传感 角度：110° 灵敏度：7° (4℃) 震动传感器 可选 电源类型 AC220V、DC24V、DC12V等多种供电方式

Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.Topological insulator is a new class of material, in which its bulk is insulating while its surface states are conducting. The surface states of topological insulator are robust against any external perturbation because such states are protected by time-reversal symmetry. Similar to transition metal dichalgonides and graphite, Bi?Se? is also layered material with weak interlayer coupling. Our crystals are develop in our laboratories in last two years and are highly crystalline. Raman spectrum displays very sharp and clear modes with FWHM less than 4cm-1. If your research needs doping in Bi2Se3, we can also incorporate Ca, Nb, Ni, and Au dopants in Bi2Se3 crystals. Please also see our doped p-type and n-type Bi2Se3 crystals.Characteristics of Bi2Se3 crystals

RAEWatch 射线检测器(室外网络有线版) 探测器由超高灵敏度的碘化铯闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体组成，使仪器具有的快速搜寻和应急响应功能 探测器自带直流供电系统 多种通讯模式 安装方便快捷 能与多种系统融合 工业放射源安全监控 辐射区域监测 医院核医学工作场所的监测 放射源库区域监测 重大活动场所的安全监测 检测器 由碘化铯（CsI）闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体两个检测器组成 能量响应 40KeV~3.0MeV 剂量率 0.01&mu Sv/hr~100&mu Sv/hr 线性误差 15% 响应时间 2s 本底背景 开机自动检测背景数据或手动校正用户标定 通常情况下，不需要标定 报警阈值 报警阀值基于不同环境的背景值而定 安全模式 用户可以按照剂量率设置高低限报警 工作温度 -20℃~50℃ IP等级 IP 65 通讯方式 无线数据传输、网络数据传输、RS-485工业总线数据传输 位移传感器 被动式红外传感 角度：110° 灵敏度：7° (4℃) 震动传感器 可选 电源类型 AC220V、DC24V、DC12V等多种供电方式

产品特点：流动相杂质捕集小柱 Ghost Trap DS导致色谱峰中鬼峰出现的原因有很多，但多数是由流动相中的杂质引起。与日本第一三共株式会社（Daiichi Sankyo Co., Ltd）共同合作研发的杂质捕集 DS 小柱，可以有效吸附流动相中的杂质，从而缩短了方法验证和杂质分析的时间。 订购信息： 列表品 名产品编号说 明规 格容 积耐 压杂质捕集 DS 小柱 228-59921-912 柱芯30mmL.×7.6 mml.D. 约 700μL 35MPa 228-59921-92T2 柱芯和 1 柱套228-59921-932 柱芯20mmL.×4.0 mml.D. 约 150μL 228-59921-942 柱芯和 1 柱套※ 该产品实际寿命依据分析条件例如使用的流动相不同而有所差别。某些情况下该产品使用情况会比上述提供的耐受测试结果要提前恶化。※ 将该产品连接在梯度混合器或泵的汇合处之后，梯度分析将存在和小柱容积等同的延迟体积。※ 当将质谱作为检测器时，该产品可能会有溶出引起基线噪声。※ 在分析中如果使用离子对试剂时，该产品可能会吸附离子对试剂影响组分的保留时间或者峰型。※ 在连接分析柱之前，务必用流动相彻底冲洗连接该产品的管路（接近梯度分析中的最终浓度）。※ 请理解使用本产品并不能保证所有的杂质都可以被清除。

Er:YAG晶体和掺铒钇铝石榴石晶体由孚光精仪进口提供,孚光精仪（Felles Photonic）是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Er:YAG晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。Er:YAG晶体中文名是掺铒钇铝石榴石晶 体, Er:YAG晶体具有很高的光学质量,较低的散射损耗，更高的激光输出，稳定的化学和机械特性， 非常适合硬组织去除应用。掺铒钇铝石榴石晶体具有600-800nm的泵浦范围，高掺杂的Er:YAG晶体发射2.94微米激光，低掺杂的掺铒钇铝石榴石 晶体发射1.6微米激光，广泛用在激光医疗，军用激光领域。由于铒和钇的离子半径相似，高掺杂的Er:YAG晶体可以生长。YAG晶体作为Er离子的基质，Er:YAG晶体可发出2.94μm波长的激光，如果低浓度掺杂，则为1.64μm。们可为您提供如下标准产品：I) 掺铒钇铝石榴石晶体Er掺杂浓度50 at.％ Er/Y (可按用户要求提供其他掺杂浓度的产品）；II)掺铒钇铝石榴石晶体棒直径2mm到7mm,棒长可达120mm III)掺铒钇铝石榴石晶体布儒斯特角垂直或倾斜竖直；|IV）Er:YAG晶体增透膜可达R〈0.3％；Er:YAG晶体,Er:YAP晶体比较晶体名称Er：YAP晶体Er：YAG晶体基质YAlO3 Y3Al5O12掺杂离子ErEr掺杂浓度1-50 at％ Er/Y1-50 at％ Er/Y激光波长1.66μm 2.73μm1.64μm 2.94μmEr:YAG晶体中文名是掺铒钇铝石榴石晶体,高掺杂的Er:YAG晶体发射2.94微米激光，低掺杂Er:YAG晶体发射1.64微米激光,广泛用在激光医疗,军用激光领域.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

GammaRAE II R射线检测报警仪PRM-3040检测器由超高灵敏度的碘化铯闪烁晶体及掺杂砣(TI)和能量补偿半导体组成，使仪器具有的快速搜寻和应急响应功能。双检测器的自动切换，保障了检测仪在高剂量率范围内的正常工作。根据任务性质的不同，可选择的声、光及振动报警方式IP67级防水、防尘设计和本质安全设计，使仪器可在恶劣环境中使用连续的计量率和累计量数据读取。无需校正。液晶屏信息可翻转显示，用户使用更加方便。简单、直观的两键操作。两节5号民用碱性电池可连续使用500hr。启动时自动检测射线本底值，高抗振能力，通过1.5m坠落测试，抗EMI干扰应用领域用于对X、&gamma 射线源的快速搜寻及放射物处置环境的应用用于海关和边境巡逻，防止犯罪分子走私放射性材料及放射性物质袭击的应急响应核能设施、民用&ldquo 涉源&rdquo 企事业单位的放射源监管及放射源的运输监管环境监测部门的执法工作军队战略武器部队、防化部队政府驻外机构的特勤保卫消防及应急救援部门大型活动的安全戒备射线检测报警仪PRM-3040 美国RAE GammaRAE II R(北京现货)技术参数显示 LCD显示屏，可翻转显示数据屏显 数据 峰值、剂量率、电池状态、时间、温度等外壳 防滑材料设计按键 两键式操作设计外形尺寸 125× 68× 35mm重量 270g检测器 3CC碘化铯(CsI)闪烁晶体及掺杂砣(TI)和能量补偿半导体检测器组成能量响应 40KeV~3.0MeV剂量率 0.01&mu Sv/hr~0.1Sv/hr线性误差 15~20%剂量累计 0.01Sv~9.99Sv响应时间 1秒本底背景 开机自动检测背景数据或手动校正用户标定 通常情况下，不需要标定声音报警 85dB振动报警 0.8g灯光报警 高亮度闪烁灯光报警阈值 搜寻模式：报警阀值基于不同环境的背景值而定安全模式 用户可以按照剂量率，设置高低限报警工作温度 -20℃~50℃IP等级 IP67安全等级 外壳及全电路本质安全设计(适用于国家规定要求的防、隔爆环境)抗跌落 产品通过1.5m跌落试验数据存储 存储30,000个剂量率数据存储模式 连续模式：连续地存储剂量率数据报警模式： 当报警时开始存储数据间隔 存储数据的时间间隔，可在1~3600s范围内设置通讯 用户可以通过蓝牙通讯接口下载数据进行电脑管理电源类型 用户可以采用碱性两节五号电池供电使用时间 通常情况下，两节五号电池使用时间超过500小时射线检测报警仪PRM-3040 美国RAE GammaRAE II R(北京现货)标准配置皮带夹腕带螺丝刀中文说明书英文说明书CD(内带管理软件)电池推荐配置可选配件

我Felles Photonic（孚光精仪公司)是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Er:YAG,Er:YAG,Er:YAG晶体,Er:YAP晶体,Er:YAG晶体棒系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。Er:YAP晶体中文名掺铒铝酸钇晶体，是理想的固体激光晶体材料,这种Er:YAP晶体可在闪光灯泵浦下进行Q开关工作，特别是在1.66微米可获得更 高的重复频率。由于铒和钇的离子半径相似，高掺杂的掺铒铝酸钇晶体可以生长。铝酸钇晶体作为Er离子的基质,高掺杂的掺铒铝酸钇晶体可发出2.73μm波 长的激光，低浓度掺杂的Er:YAP晶体发射1.66μm激光。我们可为您提供如下标准产品：I) Er:YAP晶体掺杂浓度50 at.％ Er/Y (可按用户要求提供其他掺杂浓度的产品）；II）掺铒铝酸钇晶体棒直径2mm到7mm,棒长可达120mm III)Er:YAP晶体与布儒斯特角垂直或倾斜竖直；|IV）掺铒铝酸钇晶体增透膜可达R〈0.3％；Er:YAG晶体,Er:YAP晶体比较晶体名称Er：YAP晶体Er：YAG晶体基质YAlO3 Y3Al5O12掺杂离子ErEr掺杂浓度1-50 at％ Er/Y1-50 at％ Er/Y激光波长1.66μm 2.73μm1.64μm 2.94μmEr:YAP晶体中文名掺铒铝酸钇晶体,是理想的固体激光晶体材料,高掺杂的掺铒铝酸钇晶体可发出2.73μm波长的激光,低浓度掺杂的Er:YAP晶体发射1.66μm激光.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

GammaRAE II R x、&gamma 射线超量程快速检测仪[PRM-3040] 检测器由超高灵敏度的碘化铯闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能 量补偿半导体组成，使仪器具有的快速搜寻和应急响应功能。 双检测器的自动切换，保障了检测仪在高剂量率范围内的正 常工作。 根据任务性质的不同，可选择的声、光及振动报警方式 IP67级防水、防尘设计和本质安全设计，使仪器可在恶劣 环境中使用 连续的计量率和累计量数据读取。无需校正。 液晶屏信息可翻转显示，用户使用更加方便 简单、直观的两键操作 两节5号民用碱性电池可连续使用500hr 启动时自动检测射线本底值 高抗振能力，通过1.5m坠落测试 抗EMI干扰 用于对X、&gamma 射线源的快速搜寻及放射物处置环境的应用 用于海关和边境巡逻，防止犯罪分子走私放射性材 料及放射性物质袭击的应急响应 核能设施、民用&ldquo 涉源&rdquo 企事业单位的放射源监管及 放射源的运输监管 环境监测部门的执法工作 军队战略武器部队、防化部队 政府驻外机构的特勤保卫 消防及应急救援部门 大型活动的安全戒备 显示 LCD显示屏，可翻转显示数据 屏显 数据 峰值、剂量率、电池状态、时间、温度等 外壳 防滑材料设计 按键 两键式操作设计 外形尺寸 125× 68× 35mm 重量 270g 检测器 3CC碘化铯（CsI）闪烁晶体及掺杂砣（TI）和能量补偿半导体检测器组成 能量响应 40KeV~3.0MeV 剂量率 0.01&mu Sv/hr~0.1Sv/hr 线性误差 15~20% 剂量累计 0.01Sv~9.99Sv 响应时间 1秒 本底背景 开机自动检测背景数据或手动校正 用户标定 通常情况下，不需要标定 声音报警 85dB 振动报警 0.8g 灯光报警 高亮度闪烁灯光 报警阈值 搜寻模式：报警阀值基于不同环境的背景值而定 安全模式 用户可以按照剂量率，设置高低限报警 工作温度 -20℃~50℃ IP等级 IP67 安全等级 外壳及全电路本质安全设计（适用于国家规定要求的防、隔爆环境） 抗跌落 产品通过1.5m跌落试验 数据存储 存储30,000个剂量率数据 存储模式 连续模式：连续地存储剂量率数据 报警模式： 当报警时开始存储 数据间隔 存储数据的时间间隔，可在1~3600s范围内设置 通讯 用户可以通过蓝牙通讯接口下载数据进行电脑管理 电源类型 用户可以采用碱性两节五号电池供电 使用时间 通常情况下，两节五号电池使用时间超过500小时 配置： 皮带夹 腕带 螺丝刀 中文说明书 英文说明书 CD（内带管理软件） 电池

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。