薄膜样品

苏州锂影科技有限公司 薄膜气氛保护样品台产品信息 薄膜气氛保护台可用于惰性气氛环境中，如手套箱内，将样品台放入气氛保护台，密封后，从手套箱取出，放到X射线衍射仪内进行测试，样品在运输和测试过程中不接触空气，不会受到水和氧气的影响。也可用于需气体氛围的原位X射线衍射测试过程中，得到依赖气体氛围变化随之变化的材料结构方面的信息等。适用于粉末、薄膜、片材等样品，反射模式或透射模式测试均适用。还可用于同步辐射等大科学装置等需要惰性气体保护的转运及测试过程中。薄膜气氛保护样品台置于X射线衍射仪中装有薄膜样品的薄膜气氛保护样品台 使用/未使用薄膜气氛保护样品台测试得到的XRD对比图 苏州锂影科技有限公司 为您提供高端衍射仪个性化定制服务联系电话：

岛津 UV 薄膜铝样品架 薄膜铝样品架（P/N 204-58909） 适用范围：所有机型通用 用途：用于夹住薄膜或滤光片等薄状样品进行测定的池架。 测定试样的?最小尺寸：16（W）*30（H）mm 测定试样的?最小尺寸：80（W）*40（H）*20（t）mm 请注意使用UVmini系列，MultiSpec-1500时，需用样品室组件（206-60184） 岛津 UV 薄膜铝样品架滤光片部件号描述适用范围202-30242钕镨混合稀土滤光片所有机型通用202-30242-05钬滤光片所有机型通用

岛津 UV 薄膜铝样品架 薄膜铝样品架（P/N 204-58909） 适用范围：所有机型通用 用途：用于夹住薄膜或滤光片等薄状样品进行测定的池架。 测定试样的?最小尺寸：16（W）*30（H）mm 测定试样的?最小尺寸：80（W）*40（H）*20（t）mm 请注意使用UVmini系列，MultiSpec-1500时，需用样品室组件（206-60184） 岛津 UV 薄膜铝样品架滤光片部件号描述适用范围202-30242钕镨混合稀土滤光片所有机型通用202-30242-05钬滤光片所有机型通用

苏州锂影科技有限公司 X射线衍射仪用多位薄膜样品架产品信息X射线衍射仪用多位薄膜样品架为锂影科技为日本理学smartlab衍射仪开发的一种部件，已经获得专利授权（202020383306.0）。也可以针对其它公司的各种衍射仪进行改造。该样品架配合衍射仪的XY样品台使用，可以实现3-11个薄膜样品的自动位置切换、样品对准以及XRD、XRR、GIXRD的测试，大大提升了仪器操作的便捷性。尤其是可以用其在夜间进行多个样品的自动连续测试，可以提高仪器测试效率。耗材配件售后服务1、免费上门安装：否 2、保修期：1年 3、是否可延长保修期：是4、保内维修承诺：免费维修或更换5、报修承诺：24小时内响应，7日内解决问题6、免费仪器保养：无7、免费培训：1人次网上培训8、现场技术咨询：有 9、售后服务电话： 苏州锂影科技有限公司为您提供高端衍射仪个性化定制服务

塑料薄膜切样机厂家 薄膜切样机价格 塑料切样机　　中航鼎力仪器塑料薄膜切样机介绍　　本机适用于双向拉伸薄膜（BOPP、BOPC、BOPET、BOPA）、单向拉伸薄膜及其复合膜（袋）拉伸测试用样条的制备。　　符合标准　　符合GB/T1040.3-2006/ISO527-3:1995《塑料拉伸性能的测定 第3部分：薄膜和薄片的试样条件》中6.1.1条关于样条尺寸的相关规定。　　仪器特点　　该机夹持塑料薄膜样品稳固，刀具锋利、易更换；操作简便，使用安全可靠；一次可剪切多层、多个、多种样条；一次可制样数量12条，其中15mm宽5条、10mm宽7条；另外，用户可根据需要自行改变刀具配置后，一次可同时切割10mm、15mm、20mm、25mm四种样条。　　该机切样方式与冲切制样方式相比较，所切样条边缘平整、两边平行无缺陷（在20倍放大比率下观察无缺陷），所切样条可保证薄膜的力学性能不受影响。其拉伸强度及断裂伸长率数据准确、可靠、一致性好。

FR-pOrtable:一款精准&性价比高的薄膜表征设备 FR-pOrtable（便携式FR） 是一款独特设备，为精准测试单层或者 多层的透明和半透明的薄膜的光学特性提供了关键解决方案。使用 者可以在350nm-1000nm的特殊光谱范围内完成薄膜反射比的测试。 特征分析： FR-pOrtable是由一个微型3648像素16位分辨率的光谱仪和一个 高稳定的白炽灯和LED组成的混合光源组成的，光源的平均寿命 20000h。其紧凑型的设计和定制的反射探头保证了性能测试的高精准性以及可重复性。并且，既可以安装在台面上，又可以转化为手持式的厚度测试仪，轻松实现便携实时操作。 性能分析：1、 USB接口供电，无需电源线。2、 真正的便携，用探头检测样品。3、 采用软塑料头，适合野外应用。4、 占地小，可以在办公室内表征薄膜特性。5、 市场最低价。软件：FR-Monitor软件系统提供了多种应用和多种功能的能力。它不但能够实时的监测吸光率，透射率和反射率光谱，而且也包含了用于精准测试独立的薄膜厚度（10nm到100μm）和光学常数（n&k）的白光反射光谱法（WLRS）运算（ThetaMetrisis TM），支持（在透明或者部分透明或者全反射的衬底上）多层薄膜（10层）的测试。不需要高深的光学知识，只要有基本的电脑技巧、一台电脑，轻松实现膜厚测量！ 用户评论暂无评论发评论问商家白光干涉测厚FR-pOrtable的工作原理介绍白光干涉测厚FR-p

薄膜制样机：最高温度为300℃或400℃，薄膜的厚度分别为：15um、25um、50um、100um、250um、500um，样品的直径为29mm。适合于聚合物材料以及其他薄膜材料的研究。应用特点&bull 膜层厚度可调&bull 定量/定性的应用。&bull 快速，易于使用。&bull 无需溶液溶剂。薄膜制样系统15631 300℃薄膜制样系统包括：300℃薄膜制样机、加热板及温控仪15633 300℃薄膜制样系统包括：300℃薄膜制样机、加热板、温控仪及15吨手动压片机15800 400℃薄膜制样系统包括：400℃薄膜制样机15810 400℃薄膜制样系统包括：400℃薄膜制样机和15吨手动压片机

原位薄膜应力测量系统，又名原位薄膜应力计或原位薄膜应力仪！MOS美国技术（US 7,391,523 B1）！曾荣获2008 Innovation of the Year Awardee！ 采用非接触激光MOS技术；不但可以准确的对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析；客户可自行定义选择使用任意一个或者一组激光点进行测量；并且这种设计可以保证所有阵列的激光光点一直在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响；同时提高测试分辨率；适合各种材质和厚度薄膜应力分析； 该设备已经广泛被各个学府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学，中国计量科学院等）、半导体制和微电子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用； 相关产品： 薄膜应力仪（薄膜应力测量仪）：为独立测量系统，同样采用先进的MOS技术，详细信息请与我们联系。设备名称：薄膜应力测量系统，薄膜应力测试仪，薄膜应力计，薄膜应力仪，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System 主要特点： 1.自主专用技术：MOS 多光束传感器技术； 2.单Port(样品正上方)和双Port(对称窗口)系统设计； 3.适合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系统等各种真空薄膜沉积系统以及热处理设备等； 4.薄膜应力各向异性测试和分析功能； 5.生长速率和薄膜厚度测量；（选件） 6.光学常数n&k 测量；（选件） 7.多基片测量功能；（选件） 8.基片旋转追踪测量功能；（选件） 9.实时光学反馈控制技术，系统安装时可设置多个测试点； 10.专业设计免除了测量受真空系统振动影响；测试功能： 1. 实时原位薄膜应力测量 2.实时原位薄膜曲率测量 3.实时原位应力薄膜厚度曲线测量 4.实时原位薄膜生长全过程应力监控等 实时原位测量功能实例：曲率、曲率半径、薄膜应力、应力—薄膜厚度曲线、多层薄膜应力测量分析等；

仪器简介：kSA MOS ThermalScan 薄膜热应力测量系统（薄膜应力仪，薄膜应力计，薄膜应力测试仪），测量光学设计MOS传感器，同时kSA公司荣获2008 Innovation of the Year Awardee！系统采用非接触MOS激光技术；不但可以对薄膜的应力、表面曲率和翘曲进行准确的测量，而且还可二维应力Mapping成像统计分析；同时可准确测量应力、曲率随温度变化的关系；部分参考用户：中国计量科学研究院电学与量子所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院上海技术物理研究所、北京航空材料研究院、苏州大学、中国科学院成都光电技术研究所中国科学院力学所、华南理工大学材料学院、中国空间技术研究院、阿里巴巴达摩院、清华大学、天津理工大学、上海大学、中国科学院兰州空间技术物理研究所、中国航空制造技术研究院、深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司；Harvard University ，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University ， Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，IBM.，Seagate Research Center, Phillips Semiconductor, NEC，Nissan ARC, Nich ia Glass Corporation等。同类设备：*薄膜应力测试仪（薄膜应力测量系统，薄膜应力计）；*薄膜残余应力测试仪；*实时原位薄膜应力测量系统；技术参数： Film Stress Tester, Film Stress Measurement System，Film Stress Mapping System 1.变温设计：采用真空和低压气体保护，温度范围RT~1000°C； 2.曲率分辨率：100km； 3.XY双向程序控制扫描平台扫描范围：up to 300mm（可选）； 4.XY双向扫描速度：可达20mm/s； 5.XY双向扫描平台扫描步进分辨率：2 μm ； 6.样品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直径样品； 7.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全面积扫描； 8.成像功能：样品表面2D曲率、应力成像，及3D成像分析； 9.测量功能：曲率、曲率半径、应力强度、应力、Bow和翘曲等； 10.温度均匀度：优于±2摄氏度； 主要特点： 1.MOS多光束技术（二维激光阵列）； 2.变温设计：采用真空和低压气体保护，温度范围RT~1000°C； 3.样品快速热处理功能； 4.样品快速冷却处理功能； 5.温度闭环控制功能，保证优异的温度均匀性和精度 6.实时应力VS.温度曲线； 7.实时曲率VS.温度曲线； 8.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全面积扫描； 9.成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析； 10.测量功能：曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等； 11.气体（氮气、氩气和氧气等）Delivery系统；实际应用：

DahoMeter『达宏美拓』新一代数显固体密度计DH-300，是目前使用群体最多的数显密度测量仪器，在橡塑胶领域中对原料颗粒与制品密度测量应用极为广泛，精度0.001 gcm3，使用水当介质，仅二个步骤即可显示密度值。显著的特点是测量精准、操作简便快捷、稳定耐用、经济实用，适合生产现场和品质监测等领域。 PP薄膜-PE薄膜-PVC薄膜密度测试仪DH-300采用一体注塑成型大容量测量配件；一体注塑成型透明水槽，耐摔耐破防腐蚀，测量时可清楚观察样品在介质中的情况；水中吊线采用0.5mm不锈钢材料，不弯不变形，与吊栏垂直不碰触水槽。数显薄膜密度测试仪------高性能、数显直读、密度精度千分之一PP薄膜-PE薄膜-PVC薄膜密度测试仪DH-300/DH-600主要针对：橡胶、塑胶、塑胶造料企业、电线电缆、复合材料、高分子、电工电器、体育器材、轮胎、玻璃制品、新材料研究实验室。PP薄膜-PE薄膜-PVC薄膜密度测试仪DH-300/DH-600依据：ASTM D792、 ASTM D297、 GB/T1033、GB/T2951、 GB/T3850、 GB/T533、 HG4-1468、 JIS K6268、 ISO 2781、ISO 1183…等标准规范。PP薄膜-PE薄膜-PVC薄膜密度测试仪DH-300/DH-600也适合：合金材料、硬质合金、粉末冶金、磁性材料、精密陶瓷、耐火材料、矿物与岩石、水泥制造、珠宝产业…等行业。技术参数：1、型号： DH-300/DH-600 2、密度解析：0.001 g/cm3 3、最大称重：300g/600g 4、最小称重：0.005g 5、测量范围：0.001—99.999g/cm3 6、同类型号：DA-300M/DE-120M及高精度DH-300M/DH-120M 主要特点：1、直读任何固体物质的密度，Quick Test快速测试，更有效率，适合生产现场和品质监测等领域2、测量精准、操作简便、稳定耐用、经济实用3、全自动零点跟踪、蜂鸣器报警、超载报警功能4、具有实际水温补偿功能5、使用水作介质，也可使用其它液体介质6、采用一体成形大容量测量配件，水槽防腐蚀、耐摔耐破7、配置专用防风防尘罩8、含RS-232C通信接口，方便连接PC与打印机，可选购DE-40打印机打印测量数据9、本产品自出售之日起免费保修一年可测量项目：1、可测定各种塑胶制品与原材料的密度，如颗粒、PVC颗粒、PE颗粒、树脂、片材、管材、线材、板材等类似产品；2、可测定各种橡胶制品与原材料的密度，如颗粒、生胶、熟胶、矽胶、O型圈、密封圈等类似产品；3、可测定各种橡塑胶发泡体、海绵、泡沫、密度小于之1之浮体等类似产品；4、可测定各种金属、合金、玻璃、木材、石材、石墨之密度；6、可测定各种黏稠体、胶状体的密度，如玻璃胶、保护胶、固化胶、护肤化妆品、牙膏等类似产品；7、磁性材料、粉末冶金、磨擦材料、精密陶瓷等类似产品之半成品、成品密度皆能测量；8、各种金属粉末、橡胶粉末、塑胶粉末、水泥粉末皆能测量。标准附件：①主机、②水槽、③测量台、④镊子、⑤温度计、⑥100G砝码、⑦防风防尘罩、⑧测颗粒配件一套、⑨测浮体配件一套、⑩电源变压器一个选购配件：①DE-40打印机测量步骤：①将产品放入测量台，测空气中重量，按ENTER键记忆。②将产品放入水中测水中重量，按ENTER键记忆，显示密度值。Daho Meter『达宏美拓』 旗下产品：经济型DH-300塑料密度计 经济型DH-300L液体密度计 经济型DH-300X固液体密度计实用型DA-300M塑料密度计 实用型DA-300W液体密度计 实用型DA-300T固液体密度计高精度DE-120M塑料密度计 高精度DE-120W液体密度计 高精度DE-120T固液体密度计日本主机实用型DH-300M塑料密度计 日本主机实用型DH-300W液体密度计 日本主机实用型DH-300T固液体密度计 日本主机高精度DH-120M塑料密度计 日本主机高精度DH-120W液体密度计 日本主机高精度DH-120T固液体密度计原材料塑料颗粒快速水份测定仪DH-610编辑：lcl 15.6

PHI 4700薄膜分析仪产品介绍产品名称：薄膜分析仪产品型号：PHI 4700品 牌：日本ULVAC-PHI产 地：日本前言在开发新材料及薄膜制程上，为了有助于了解材料组成间的相互作用及解决制程上的问题，材料组成或薄膜迭层的深度分析是非常重要的。PHI 4700使用了AES分析技术为基础，搭配高感度半球型能量分析器、10 kV LaB6扫瞄式电子枪、5 kV浮动柱状式Ar离子枪及高精密度自动样品座。针对例行性的俄歇纵深分析、微区域的故障分析，提供了全自动与及高经济效益的解决方法。PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇扫描纳米探针。它提供了高度自动化，成本效益的方案进行例行俄歇深度分析和微米范围的故障分析。 PHI 4700可以轻易的配备上互联网的设备，以供远程操作或监控之用。优点量化薄膜的成分 层的厚度测量检测相互扩散层 微米范围多点分析基本规格全自动多样品纵深分析: PHI 4700薄膜分析仪在微小区域之纵深分析拥有绝佳的经济效益，可在SEM上特定微米等级之微小区域快速进行深度分析。图2显示长年使用的移动电话镀金电极正常与变色两个样品之纵深分析结果，两者材质皆为镀金之锡磷合金。从电极二（变色电极）可看到金属锡扩散到镀金膜上，因为界面的腐蚀而产生氧及锡导致电极变色。高感度半球型能量分析器：PHI 4700半球形能量分析器和高传输输入镜头可提供最高的灵敏度和大幅缩短样品侦测时间。除此之外，具有全自动的量测功能，此装置可在短时间内测量多个样品。点选屏幕上软件所显示的样品座，可以记录欲量测的位置，对产品与制程管理上之数据搜集可进行个别分析。10 kV LaB6扫瞄式电子枪：PHI的06-220电子枪是基于一个以LaB6为电子源灯丝以提供稳定且长寿命电子枪的工具，主要在氩气溅射薄膜时进行深度分析。06-220电子枪还可以：产生二次电子成像，俄歇测绘和多点分析。在加速电压调节从0.2至10千伏。电子束的最小尺寸可保证小于80纳米。浮动柱状式Ar离子枪：PHI的FIG- 5B浮动柱状式Ar离子枪:提供离子由5伏到5千伏。大电流高能量离子束被用于厚膜，低能量离子束（250-500 V）用于超薄膜。浮动柱状式，确保高蚀刻率与低加速电压。物理弯曲柱会停止高能量的中性原子，从而改善了接口定义和减少对邻近地区的溅射。五轴电动样品台和Zalar方位旋转：PHI 15-680精密样品台提供5轴样品传送：X，Y，Z，旋转和倾斜。所有轴都设有摩打及软件控制，以方便就多个样品进行的自动纵深分析。样品台提供Zalar（方位角）旋转的纵深剖析，透过减少构件与溅射在一个固定样本的位置，以优化纵深分析。PHI SmartSoft用户界面：PHI SmartSoft是一个被认同为方便用者使用的操作仪器软件。软件透过任务导向和卷标横跨顶部的显示指导用户从输入样品，定义分析点，并设定分析。多个分析点的定义和最理想样品的定位是由一个强大的&ldquo 自动Z轴定位&rdquo 功能所提供。在广泛使用的软件设置，可让新手能够快速，方便地设立测量及其模板。可选用配备热/冷样品座样品真空传送付仪（Sample Transfer vessel）应用领域半导体薄膜产业微电子封装产业无机光电产业微摩擦学

仪器简介：高级薄膜测定系统 NKD-8000系统综合了光学、电子学和高级分析软件，是目前测定多层薄膜和基片的折射率、吸收系数和厚度最精确、最易用的系统。NKD-8000系列产品具有全自动、可同时测定透过光谱和反射光谱，入射光角度从0° 到90° 连续改变。对分光光谱仪而言，这是一项前所未有的新功能，使得NKD-8000适用于最具挑战性的光学测量。对多层薄膜和基片的n、k和d的测定变得准确、快捷。技术参数：光谱范围 NKD-8000 350nm&mdash 1000nm ( 标准模式 ) NKD-8000v 280nm&mdash 1000nm ( 紫外增强型) NKD-8000r 800nm&mdash 1700nm ( 红 外 型 ) NKD-8000w 350nm&mdash 1700nm (宽光谱 型 ) NKD-8000e 350nm&mdash 2200nm (超宽光谱 型 ) 注：宽光谱型提供两个检测器，可以覆盖350nm到1000nm和800nm到1700nm或2200nm (仅适用nkd-8000e)，但二者不能同时用。 获得数据时间 2&mdash 10分钟，这取决于光谱范围和不同选件 数据分析时间 5秒&mdash 5分钟，取决于数据的复杂程度 光谱分辨率 1nm或2nm （可选） 光源 NKD-8000v 150W 氙弧灯 其他 高稳态100W石英钨卤灯 样品尺寸 10× 10mm到200× 250mm标准系统,100mm 直径样品的扫描台 层数 至多5层，两个未知参数 薄膜厚度范围 1nm到25um，取决于角度、偏振和波长 1nm 需要增加椭偏模块 基片 透明、半透明或半吸收或半导体 材料 电介质、高聚物、半导体和金属 精确度 对于半吸收薄膜 典型 最大 薄膜厚度 ＜1% ＜3% 折射率 ＜0.1% ＜1% 消光系数 ＜1% ＜3% 对于金属薄膜 薄膜厚度 ＜1% ＜3% 折射率 ＜1% ＜3% 消光系数 ＜1% ＜3% 重现性 透射率 ＜0.01% ＜0.1% 反射率 ＜0.01% ＜1% 折射系数 ＜0.01% ＜0.1% 入射光角度 30° 、50° 或70° （标准单元）或由客户指定的从 20° 到70° 连续可变（可变角版本）或3个位置角度 样品上的光斑尺寸 5mm(标准系统)，250um（选件） 电源 220V，50Hz，2A 或110V，60Hz，3A 外观尺寸 890× 540× 720mm 重量 105Kg 选件 多角度，可变角度，X-Y样品扫描台，多种标准尺寸品架。样品观测显微镜。手动或全软件控制的偏振选件（s-、p-或非偏振）。样品加热台。台式机或工业PC。主要特点：主要特点 ◆ 可测定波长范围从280nm到2300nm的透射和反射光谱 ◆ 在同一区域可同时测定T和R值 ◆ 可对折射率(n)，吸收系数(k) 和厚度(d)进行准确测定 ◆ 样品可在X-Y扫描台上进行扫描 ◆ 入射光角度可以是固定角度、多角度和从0° 到90° 的连续变化的角度 ◆ 可用s-、p-或非偏振光作为入射光对T和R进行测定 ◆ 可对透明基片进行测定且不需要对样品进行前处理 ◆ 内建的材料数据库 ◆ 密封的样品室 ◆ 可选择散射模式 ◆ 具有在线或离线分析功能 对T和R同时测定 KD-8000系统在同一个光斑处，同时对透过光谱和发射光谱进行测定，保证了两套数据具有直接的相关性。通过测定这些光谱，全自动的控制和分析软件系统可以从中得到n、k和d值。而且所有这些都源自同一次测定。不同散射模式的选择使得对宽广范围材料的分析成为可能，而且用户可以选择缺省模式或者高级分析模式。 功能强大的Pro-OptixTM控制和分析软件系统包括一个可编辑的数据库，它允许对材料进行预先定义，以提高分析速度。该软件的其他特点包括颜色的匹配和太阳光的计算以及金属薄膜的算法。样品可以是透明的、不透明的或者半吸收的而无需对它们特殊处理。 NKD-8000是唯一一款能全部提供上述功能的分光型光学薄膜分析系统，它为薄膜表征设立了一个标准。 可变的入射光角度 ①反射光检测 ②光束管 ③Y轴坐标 ④透射光检测器 ⑤Z轴坐标 ⑥X轴坐标 ⑦样品台 ⑧马达驱动的可变角度选择装置 NKD-8000系统提供可变的角度选择装置，它提供完全马达驱动的，可由PC机控制入射光的角度，入射角度从从0° 到90° 可自由选择。 通过使用分析软件中的集成工具就可实现对T和R的s-偏振光谱和p-偏振光谱进行独立分析或二者一起分析。 通过作为选件的X-Y扫描台可以对大尺寸样品进行扫描，样品在X、Y两个方向上的最大行程是100mm，同时保持入射光斑始终位于行程的中间。 在测定时有许多样品架备选，它们可以夹持不同类型尺寸的样品。全PC控制使这种方法对整个样品的数据收集和分析变得简单、准确和快捷。 多个角度 如果在应用中只需一些不连续的入射光角度，那么多角度选件可以提供一个满意的解决方案。从0° 到90° ，用户可自定义三个入射光角度。 附件 热台：可控制样品温度至150度，测定变温下的T和R，对测定光学涂层和基体的光谱位移十分有用。 显微镜/相机：对样品进行显微分析。 微光斑附件：将入射光斑聚焦至200微米，特别适合表征微小样品和局部区域。

kSA MOS UltraScan采用非接触MOS（多光束光学传感）激光技术；不但可以对薄膜的应力、表面曲率和翘曲进行准确的测量，而且还可二维应力 Mapping成像统计分析；同时准确测量应力、曲率随温度变化的关系。基于kSA MOS，kSA MOS Ultra Scan使用二维激光阵列扫描绘制半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等各种抛光表面的二维曲率、翘曲度和薄膜应力分布图。kSA MOS Ultra Scan适用于室温条件下测量需求，实现晶元全自动2D扫描测量，同时获得3D图。部分参考用户：中国计量科学研究院电学与量子所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院上海技术物理研究所、北京航空材料研究院、苏州大学、中国科学院成都光电技术研究所中国科学院力学所、华南理工大学材料学院、中国空间技术研究院、阿里巴巴达摩院、清华大学、天津理工大学、上海大学、中国科学院兰州空间技术物理研究所、中国航空制造技术研究院、深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司；Harvard University ，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University ， Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，IBM.，Seagate Research Center, Phillips Semiconductor, NEC，Nissan ARC, Nich ia Glass Corporation等。相关产品： *实时原位薄膜应力仪（kSA MOS Film Stress Tester）：同样采用先进的MOS技术，可装在各种真空沉积设备上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），对于薄膜生长过程中的应力变化进行实时原位测量和二维成像分析； *薄膜热应力测量系统（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester） 技术参数：1.XY双向程序控制扫描平台扫描范围：300mm；2m（可选）；二维应力分析2.扫描速度：可达20mm/s（x,y）；3.XY双向扫描平台扫描步进/分辨率：1 μm；4.平均曲率分辨率：20km，5×10-5 1/m (1-sigma)；5.薄膜应力测量范围：3.2×106到7.8×1010dynes/cm2（或者3.2×105Pa to7.8×109Pa）(1-sigma)；6.应力测量分辨率：优于0.32MPa或1% (1-sigma) 7.应力测量重复性：0.02MPa(1-sigma)；8.平均曲率重复性：5×10-5 1/m (1 sigma) (1-sigma)；9.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全样品扫描；10.成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析；11.测量功能：曲率、曲率半径、应力强度、应力和翘曲等；12.二维激光阵列测量技术：不但可以对样品表面进行二维曲率成像分析；而且这种设计能保证所有阵列的激光光点一直在同一频率运动或扫描，从而有效避免外界振动对测试结果的影响；同时提高测试分辨率；主要特点： 1.MOS多光束技术（二维激光阵列）； 2.自动光学追踪技术； 3.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、面积扫描； 4.成像扫描功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析； 5.测量功能：曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等； 6.适用于各种薄膜应力测量，及半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等表面曲率、面型测量。测试实例：

1. 产品概述FTPadv是一种经济高效的台式光谱反射解决方案，具有快速厚度测量功能。测量时间不到 100 ms，精度低于 0.3 nm，膜厚范围为 50 nm – 25 μm。包括一系列预定义的配方，便于光谱反射仪操作。2. 主要功能与优势获得薄膜厚度的短方法通过选择并开始适当的配方，SENTECH FTPadv 反射仪可在不到 100 ms 的时间内完成厚度测量，精度小于 0.3 nm，厚度范围为 30 nm – 25 μm。AutoModel 功能和基于 SE 的材料库通过比较测得的反射光谱和光谱库，可以将操作员的误差降低。基于SENTECH的椭圆偏振光谱仪测量的大型材料库，为新材料的光学常数测量提供了方法。应用业知识30 多年来，SENTECH 已成功销售用于各种应用的 FTPadv 膜厚探头。这款台式反射仪可在工业或研究环境中，通过远程或直接控制，在低温或高温下，原位或在线测量小样品到大窗玻璃的厚度。 3. 灵活性和模块化SENTECH FTPadv的一个关键特性是可以测量多层样品中任何层的厚度，这使得FTPadv成为膜厚测量的理想、经济高效的解决方案。用于过程控制的FTPadv包括一个带有柱子和样品架的光纤束、一个带卤素灯的稳定光源以及FTP光学器件和控制器站。通过LAN连接到PC，可以在恶劣的工业应用环境、受到特殊保护的房间或大型机械中远程控制工具。反射仪 FTPadv 带有大量预定义的配方，例如半导体上的电介质、半导体上的半导体、硅上的聚合物、透明基板上的薄膜、金属基板上的薄膜等。自动建模功能允许通过与光谱库进行比较来快速检测样品类型。该反射仪将操作员错误降低。通过光学反射测量薄膜厚度从未如此简单。FTPadv菜单驱动的操作软件允许在出色的操作员指导下对单层和多层结构进行厚度测量。此外，它还具有强大的分析工具和出色的报告功能。额外的映射软件可用于控制电动样品台。将软件升到软件包FTPadv EXPERT，用于反射测量的高分析，通过应用具有未知或不同光学特性的材料，扩展了标准软件包。因此，可以进行厚度测量以及单片薄膜的折射率和消光系数分析。

纳米薄膜热导率测试系统-TCN-2ω— 薄膜材料的热导率评价将变得为简便日本Advance Riko公司推出的纳米薄膜热导率测试系统是使用2ω方法测量纳米薄膜厚度方向热导率的商用系统。与其他方法相比，样品制备和测量为简单。纳米薄膜热导率测试系统特点：1. 在纳米尺度衡量薄膜的热导率开发出的监测周期加热过程中热反射带来的金属薄膜表面温度变化的方法，通过厚度方向上的一维热导模型计算出样品表面的温度变化，为简便的衡量厚度方向上热导率。（日本：5426115）2. 样品制备简单不需要光刻技术即可将金属薄膜（1.7mm×15mm×100nm）沉积在薄膜样品上。纳米薄膜热导率测试系统应用：1. 热设计用薄膜热导率评价的优先选择。low-k薄膜，有机薄膜，热电材料薄膜2. 可用于评价热电转换薄膜纳米薄膜热导率测试系统测量原理：当使用频率为f的电流周期加热金属薄膜时，热流的频率将为电流频率的2倍（2f）。如果样品由金属薄膜（0）-样品薄膜（1）-基体（s）组成（如图），可由一维热导模型计算出金属薄膜上表面的温度变化T(0)。假设热量全部传导到基体，则T(0)可由下式计算：（λ/Wm-1K-1，C/JK-1m-3，q/Wm-3，d/m，ω（=2πf）/s-1）式中实部（同相振幅）包含样品薄膜的信息。如热量全部传导到基体，则同相振幅正比于(2 ω)0.5，薄膜的热导率（λ1）可由下式给出：（m：斜率，n：截距）纳米薄膜热导率测试系统参数：1. 测试温度：室温2. 样品尺寸：长10～20mm，宽10mm 厚0.3～1mm（含基体）3. 基体材料：Si（推荐） Ge，Al2O3（高热导率）4. 样品制备：样品薄膜上需沉积金属薄膜（100nm） （推荐：金）5. 薄膜热导率测量范围：0.1～10W/mK6. 测试氛围：大气设备概念图样品准备纳米薄膜热导率测试系统测试数据：Si基底上的SiO2薄膜（20-100nm）测量结果d1 / nm 19.9 51.0 96.8 λ1/ W m-1 K-1 0.82 1.03 1.20 发表文章1. K. Mitarai et al. / J. Appl. Phys. 128, 015102 (2020) 2. M. Yoshiizumi et al. / Trans. Mat. Res. Soc. Japan 38[4] 555-559 (2013)

总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司，已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司，拥有60多名员工，他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献，我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴，我 们诚挚期待您的加入。薄膜测量仪器反射膜厚仪RM 1000和RM 2000扩展折射率指数测量极限我们的反射仪的特点是通过样品的高度和倾斜调整进行精确的单光束反射率测量，光学布局的高光导允许对n和kffl 行重复测量，对粗糙表面进行测量以及对非常薄的薄膜进行厚度测量. 紫外-近红外光谱葩围 RM 1000 430 nm-930 nm RM 2000 200 nm - 930 nm 高分辨率自动扫描 反射仪RM 1000和RM 2000可以选配x-y自动扫描台和自动扫描软件、用于小光斑尺寸的物镜和摄像机。综合薄膜测量软件FTPadv Expert宽光谱范围和高光谱精度 SENresearch4.0光谱椭偏仪覆盖宽的光谱范围，从190 nm（深紫外）到3500 nm（近红外）。 傅立叶红外光谱仪FTIR提供了高光谱分辨率用以分析厚度高达200|jm的厚膜。 没有光学器件运动（步进扫描分析器原理） 为了获得测量结果,在数据采集过程中没有光学器件运动。步进扫描分析器（SSA）原理是SENrsearch4.0光谱椭偏仪的一个独特特性。 双补偿器2C全穆勒矩阵测量 通过创新的双补偿器2C设计扩展了步进扫描分析器SSAJ京理，允许测量全穆勒矩阵。该设计是可现场升 级和实 现成本效益的附件。 SpectraRay/4综合椭偏仪软件 SpectraRay/4是用于先进材料分析的全功能软件包,SpectraRay/4包括用于与引导图形用户界面进 行研究的交互 模式和用于常规应用的配方模式.激光椭偏仪SE400adv亚埃精度稳定的氣氤激光器保证了 0.1埃精度的超薄单层薄膜厚度测量。 扩展激光欄偏仪的极限 性能优异的多角度手动角度计和角度精度优越的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折 射率、消光系数和膜厚. 高速测量 我们的激光椭偏仪SE 400adv的高速测量速度使得用户可以监控单层薄膜的生长和终点检 测，或者做样品均匀性的自动扫描。综合薄膜测量软件FTPadvExp测量n, k,和膜厚 该软件包是为R（入）和T（入）测量的高级分析而设计的。 查层膜分析 可以测量单个薄膜和层畳膜的每一层的薄膜厚度和折射率. 大量色散模型 集成的色散模型用于描述所有常用材料的光学特性。利用快速拟合算法，通过改变模型参数 将计算得到的光谱调整到实测光谱。

薄膜材料广泛应用于光学和电气保护膜，薄膜光伏电池和薄膜电池等各种领域中。尽管薄膜材料已经存在了数十年，但热导率测量方法传统上一直专注于探索块体材料样品，而表征这些特殊材料的能力相对滞后。近年来，由于热管理非常重要的纳米和微米级制造技术的进一步发展，知识鸿沟逐渐缩小，而Trident薄膜导热测试仪的Flex TPS瞬态平面源即是一种用于表征薄膜材料导热率的新颖工具。 C-Therm Trident薄膜导热测试仪的Flex TPS瞬态平面热源法传感器，可按照ISO 22007-2标准，用于表征薄膜材料的热传递性质。Flex TPS专门的薄膜模块，可测量厚度为20um ~ 1 mm样品的导热系数和热扩散系数。并且Trident主机，除TPS方法外，还可与MTPS和TLS传感器连用，测试更多不同类型的材料。 技术参数 MTPSFlex TPSNeedle测试方法改良瞬态平面热源法瞬态平面热源法探针法导热系数范围0 ~ 500 W/mK0 ~ 2000 W/mK0.1 ~ 6 W/mK热扩散系数范围0 ~ 300 mm2/s0 ~ 1200 mm2/s不适用比热范围~ 5 MJ/m3K~ 5 MJ/m3K不适用吸热系数范围5 ~ 40,000 Ws1/2/m2K不适用不适用精度优于1%优于1%优于3%准确度优于5%优于5%±(3%+0.02) W/mK国际标准ASTM D7984ISO 22007-2.2,GB/T 32064ASTM D5334, D5930, IEEE 442 无论是散热还是绝热，薄膜的导热系数测试都具有非常重要的意义。由于薄膜材料厚度很小, 对声子散射，这使得薄膜材料的表观导热率与块体材料相比，会有很大的差异。传统的实验室测试方法中包含3ω方法，此方法在1989年提出。该方法需先在被测样品表面镀一根薄的金属膜，而此金属膜即是加热装置，同时又是测温装置。对该金属膜通交流电，从而对样品进行加热。因为金属的电阻率会随温度的升高而增大，因此金属膜的温度变化会带来金属膜阻值的温度变化，该阻值与电流的共同作用产生电压。使用锁相放大器提取电压信号，从而建立传热模型。通过改变电流频率，最终计算出被测样品的导热系数。但此测试方法操作繁琐，限制条件较多，且无法商业化。

仪器简介：HCX09A薄膜热物性测试仪 该仪器用于测试薄膜材料热物性参数。薄膜物理指出当物体很薄时，同样材料薄膜状态的物性与容积状态的物性不一定相同，因此对薄膜物性的测量必须在薄膜状态下进行。根据物体表面温度按余弦（或正弦）规律变化时的瞬态实验模型。采用温度波法来测试薄膜材料的热物性参数，由于薄膜是有限厚的一维模型。在这一状态下，当温度振荡频率达到一定值后，利用样品上、下表面温度的相位差计算导温系数或导热系数。仪器专用于研究薄膜材料热物性特性。技术参数： HCX09A薄膜热物性测试仪 该仪器用于测试薄膜材料热物性参数。薄膜物理指出当物体很薄时，同样材料薄膜状态的物性与容积状态的物性不一定相同，因此对薄膜物性的测量必须在薄膜状态下进行。根据物体表面温度按余弦（或正弦）规律变化时的瞬态实验模型。采用温度波法来测试薄膜材料的热物性参数，由于薄膜是有限厚的一维模型。在这一状态下，当温度振荡频率达到一定值后，利用样品上、下表面温度的相位差计算导温系数或导热系数。仪器专用于研究薄膜材料热物性特性。 主要技术参数： 1．导热系数范围：0.05～20w/m&bull k 2．仪器实现数字化测温，精度优于0.2级。 3．测量结果，准确度 ± 3% 4．计量加热功率可调节± 1%。 5.样尺寸要求：圆柱体￠15--30*5--30mm . 6.温度和保护气氛按用户要求定制。 7.配接计算机实现全自动测试分析。

F50 薄膜厚度测量仪自动化薄膜厚度绘图系统依靠F50先进的光谱测量系统，可以很简单快速地获得最大直径450毫米的样品薄膜的厚度分布图。采用r-θ极坐标移动平台，可以非常快速的定位所需测试的点并测试厚度，测试非常快速，大约每秒能测试两点。用户可以自己绘制需要的点位地图。F50系统配置高精度使用寿命长的移动平台，确保能够做成千上万次测量。系统中预设了许多极坐标形、方形和线性的图形模式，也可以编 辑自己需要的测试点。只需掌握基本电脑技术便可在几分钟内建立自己需要的图形模式。可测样品膜层基本上所有光滑的。非金属的薄膜都可以测量。可测样品包括：选择Filmetrics的优势桌面式薄膜厚度测量的专家24小时电话，E-mail和在线支持所有系统皆使用直观的标准分析软件附加特性嵌入式在线诊断方式免费离线分析软件精细的历史数据功能，帮助用户有效存储，重现与绘制测试结果

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；电控系统；配气系统等部分组成。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等3.产品配置：真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350×370mm限真空度:≤6.6E-4Pa沉积源:1个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:大可放置4片20mmx25mm的基片，基片不加热，可自转，速度5～20转/分；占地面积（长x宽x高）:约1米x1米x1.9米电控描述:手动样品台：可放置基片，并可能具有旋转、加热等功能，以满足不同的工艺需求。例如，加热功能可以使样品达到一定温度，适应某些材料的沉积要求；旋转功能有助于提高薄膜的均匀性。控制系统：采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发速率、沉积时间等。多种材料沉积能力：可以沉积多种不同的薄膜材料，以满足不同的应用需求。良好的稳定性和可靠性：确保系统能够长时间稳定运行，保证薄膜沉积的重复性和一致性。可视化操作界面：可能具有直观的操作界面，方便用户进行操作和监控。不同型号的 SMART 蒸发薄膜沉积系统在具体参数和功能上可能会存在差异，例如真空度的高低、蒸发源的类型和功率、样品台的尺寸和可调节范围、膜厚监测的精度等。

塑料薄膜取样器 塑料薄膜拉伸制样机 纵横金鼎 XBM-II系列塑料薄膜切样机 本机适用于双向拉伸薄膜（BOPP、BOPC、BOPET、BOPA）、单向拉伸薄膜及其复合膜（袋）拉伸测试用样条的制备。 塑料薄膜取样器 塑料薄膜拉伸制样机 纵横金鼎 XBM-II塑料薄膜切样机主要特点XBM-II塑料薄膜切样机符合GB/T1040.3-2006/ISO527-3:1995《塑料拉伸性能的测定 第3部分：薄膜和薄片的试样条件》中6.1.1条关于样条尺寸的相关规定。该机夹持塑料薄膜样品稳固，刀具锋利、易更换；操作简便，使用安全可靠；一次可剪切多层、多个、多种样条；一次可制样数量12条，其中15mm宽5条、10mm宽7条；另外，用户可根据需要自行改变刀具配置后，一次可同时切割10mm、15mm、20mm、25mm四种样条。该机切样方式与冲切制样方式相比较，所切样条边缘平整、两边平行无缺陷（在20倍放大比率下观察无缺陷），所切样条可保证薄膜的力学性能不受影响。其拉伸强度及断裂伸长率数据准确、可靠、一致性好。 塑料薄膜取样器 塑料薄膜拉伸制样机 纵横金鼎 XBM-II塑料薄膜切样机技术参数制样宽度：10mm×(6+1)条、15mm×(4+1)条；制样误差：≤±0.1mm； 制样长度：160mm；切割厚度：≤0.25mm；外形尺寸：290mm（长）×230mm（宽）×150mm（高）；重量：约15kg；

EddyCus TF map 2525 薄膜电阻和薄膜厚度测试仪 方阻测试仪 薄膜电阻测试仪TF lab系列产品是一款适合实验室研发或成品检测使用的薄膜面电阻（方块电阻）及薄膜厚度测量的仪器。特点非接触成像高解析度成像（25 至1,000,000 点）缺陷成像封装层的地图参数薄膜电阻（欧姆/平方）金属层厚度（nm、μm）金属基板厚度（nm、μm）各向异性缺陷完整性评定应用建筑玻璃（LowE）触摸屏和平板显示器OLED和LED应用智能玻璃的应用透明防静电铝箔光伏半导体除冰和加热应用电池和燃料电池包装材料材料金属薄膜和栅格导电氧化物纳米线膜石墨烯、CNT（碳纳米管）、石墨打印薄膜导电聚合物（PEDOT:PSS）其他导电薄膜及材料规格参数测量技术：非接触式涡流传感器基板：例如：薄膜、玻璃、晶圆，等等最大扫描面积：10 inch / 254 x 254 mm（根据要求可以更大）边缘效应修正/排除：对于标准尺寸，排除2 mm的边缘最大样品厚度/传感器间隙：2 / 5 / 10 / 25 mm（由最厚的样本确定）薄膜电阻的范围：低 0.0001 - 10 Ohm / sq 2 至 8 % 精度标准 1 - 1,000 Ohm / sq 2 至 8 % 精度高 10 - 10,000 Ohm / sq 4 至 8 % 精度金属膜的厚度测量（例如：铝、铜）：2 nm - 2 mm (与薄膜电阻一致)扫描间距：1 / 2 / 5 / 10 mm （根据要求的其它尺寸）每单位时间内测量点（二次形）：5分钟内10,000个测量点30分钟内1,000,000 个测量点扫描时间：4 inch / 100 x 100 mm，在0.5至5分钟内（1-10mm 间距）8 inch / 200 x 200 mm，在1.5至15分钟内（1-10mm 间距）装置尺寸（宽/厚/深）：549 x 236 x 786(836) mm / 23.6 x 9.05 x 31.5 inch重量： 27 kg可用特色：薄膜电阻成像各向异性电阻传感器

薄膜击穿电压测试仪在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的最低临界电压称为击穿电压，在均匀电场中，击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度，它反映固体电介质自岩芦身的耐电强度。薄膜击穿电压测试仪不均匀电场粗拍带中，击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强，它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后，由U1-U2=Ed知，击穿场强决定了击穿电压。薄膜击穿电压测试仪打内压属于破坏性试验，当电压升到规定的内压数值时保持一定的时间，绝缘体击穿，说明绝缘体不合格，不能继续使用了。如果达到内压数值时维持一定的时间没有击穿就表示合格，可以继续使用。薄膜击穿电压测试仪 ，相线与地之间，承受的电压值。献艺交流码销键设备为例，交流设备又分为额定工频短时耐受电压和额定雷电冲击耐受电压。不通电压等级的设备其耐受电压值不同，电气设备在相应斗闷规定的耐压值下，在规定的时间内，绝缘不迟巧可以被破坏，不可以有击穿，这样设备才达到规定的耐压强度。薄膜击穿电压测试仪耐电压击穿试验仪针对绝缘材料的绝缘性能进行测试，材料的能承受的最大电压。电压击穿指的是电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。通过这一项实验，能得出电压击穿样品时的电压，而这个电压是该样品的上限值。当设计产品时岩册凳，通过耐高电压测试得到的上限值，就可以知道该材料的抗压性能，然而，影响击穿电压的因素有很多，又分为试样本身状态方面和试验条件方面的。输入电压： 交流 220 V输出电压： 交流/直流 0--50kv电器容量： 10KVA高压分级： 0-50kv升压速率： 0.1-5kv试验方式：交/直流试验：1、匀速升压 2、梯度升压 3、耐压试验试验介质：空气/绝缘油电压试验精度： ≤1%电源：220v±10%的单相交流电压和50Hz±1%的频率升压装置：采用先进的无触点原件匀速升压淘汰前款机械调压耐压时间：0-999小时（软件设定）漏 电 流：5- 200MA耐压式样：固体；液体。定做 高温环境 高温油控制方式：无线安全控制　　——影响因素——　　1、试样本身的状态影响击穿电压的因素比较典型的有：　　a.试样的厚度：试样的厚度不平均，每个点的击穿电压的大小就会不一样，厚度大的地方击穿电压往往会比薄的地方大。　　b.试样的表面状况：试样是否存在着孔隙，也会影响击穿电粗旅压的测量。若样品存在着有孔隙，样品中的孔隙，可能会使得电场畸变，测量出的击穿电压，会比实际的电压要大。　　c.机械应力：当样品受到太多的机械应力时，介质承受着机械应力，当样品承受的机械应力过大时，可能会导致样品表面有微微的开裂，从而使得测得的击穿电压偏小。　　d.样品的前处理：同种类型的样品，预处理时的条件不同，也可能使得测得的击穿电压与实际值有偏差，所以，遇到需要预处理的样品时，保证同组的样品，要在相同的环境下进行预处理。

微型薄膜成型设备　　DSM Xplore新近拥有专利的创新开发产品是微型薄膜成型设备。结合我们的微型混炼机，可进行若干克原料的流涎膜制造。这样，原料研制的时间大大缩短，也只需相当少的消耗费用。典型薄膜的制备可在很短的时间内完成，与传统薄膜研制过程相比仅使用了一小部分的原料。当只有少量原料或使用像纳米碳管，活化的药物成分等昂贵的添加剂时，微型薄膜成型设备尤其实用。连续喂料工具由可固定的给料筒和连续喂料螺杆组成，其特定的几何构造可以轻松的实现自动喂料，因此现在可得到极长的薄膜样品（连续挤出）。实例薄膜　　微型薄膜成型设备能够制备流涎膜与铸单，集成的&ldquo 气刀&rdquo 可加工薄膜达30-35mm。薄膜实际生产速率为每分钟100-5000mm原料并且牵引单元可以1mm/min的速率间隔进行调节。提升缠绕单元（收集单元）是扭矩控制的，其直径随测试的进行而增大，并且也可以1N/mm的间隔进行调节。结合我们新一代的可通过调节口模压力来控制流量的微型混合机，DSM Xplore使客户能够生产出渐次的薄膜厚度，而无需使用齿轮泵。最新结果显示薄如5&mu m的薄膜非常容易制得，SEM图片同时显示其上并无孔洞。技术规格：　&bull 完全尺寸：43× 16× 25cm　&bull 重量：约10kg　&bull 2个卷筒提升机　　　速度控制：100~5000mm/min　　　扭矩控制：230个可调节的1N/mm间隔　&bull 薄膜口模：宽35mm厚度在0.1~0.6mm之间　&bull 控制器：带集成操作显示屏的控制箱　&bull 电压供应：220~240V 交流电，或根据需要选项：　&bull 定制裂缝口模　　　限定厚度　　　限定表面抛光　&bull 连续喂料工具：　　　冷却加料斗　　　连续喂料螺杆　为拉伸附带的卷筒提升机

FT-100 薄膜厚度测量仪薄膜厚度测量范围 （Thickness Range）: 1 nm - 1.8 mm波长范围 （Wavelength Range）: 200 nm - 1700 nm精度 （Precision）: 0.01 nm or 0.01%稳定性 (Stability): 0.02 nm or 0.03%光斑大小 （Spot Size）: Depends on objective (4 um to 200 um. 2mm） 功能： 测量薄膜厚度、光学常数，反射率和透过率单层膜或多层膜叠加层； 适用于几乎所有透明，半透明，低吸收系数的薄膜测量，包括液态膜或空气层。测试条件： 平面或曲面可配XY平台实现全样品膜厚 mapping 可集成于以上测试平台 （ 三维轮廓仪，微纳米压痕/划痕仪，摩擦磨损仪等）

日本TOHO FLX系列 薄膜应力量测设备FLX系列设备是由日本TOHO公司所生产的，广泛应用于半导体行业薄膜应力的量测。测试原理 在硅晶圆或者其他材料基地上附着薄膜，由于衬底于薄膜的物理常数不同，将会产生应力而导致衬底基板形变。由于均匀附着的薄膜引起的形变表现为基板翘曲，因此，可依据翘曲（曲率半径）的变化量计算应力。本薄膜应力测量设备用下述方法测量附着表面上的薄膜引起的基板曲率半径变化量。设备特点 （1）双光源扫描（可见光激光源及不可见光激光源），系统可自动选择zui佳匹配之激光源；（2）系统内置升温、降温模拟系统，便于量测不同温度下薄膜的应力，温度调节范围为-65℃至500℃；（3）自带常用材料的弹性系数数据库，并可根据客户需要添加新型材料相关信息至数据库，便于新材料研究；（4）形象的软件分析功能，用于不同测量记录之间的比较，且测量记录可导出成Excel等格式的文档；（5）具有薄膜应力3D绘图功能；主要规格 型号FLX-2320-SFLX-2320-RFLX-3300-TFLX-3300-R温度温度范围室温～50O°C（可选： -65'C~500'C)室温室温～50O°C（可选： －65'C~500'C)室温升温速度~25'C／分钟 (Max.)------~25'C／分钟 (Max.)------调节功能内置调零机构------内置调零机构------样品尺寸75-200mm75-200mm300mm300mm扫描范围200mm200mm300mm300mm晶圆绘图手动自动手动自动测量重现性1.3MPa晶圆输送方式手动脱附气体N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------

联系我们：X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述： X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下： 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度： 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm)，但要100片起订。 本产品为一次性产品，不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标： 透光度： 对于X射线用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，对于软X射线(例如碳边吸收谱)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性： 真空适用性数据如下：　 薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度： 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm)，对于X射线应用没有任何影响。 温度特性： 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性： 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点： 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压 厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。联系我们：

PVC薄膜热缩试验仪_包装薄膜热缩仪_薄膜热缩测定仪适用于各种薄膜、热缩管、药用PVC硬片、背板等材料在多种温度下的液体介质中进行热收缩性能及尺寸稳定性的测试。Labthink兰光，致力于通过包装检测技术提升和检测仪器研发帮助客户应对包装难题，助力包装相关产业的品质安全。了解关于更多相关信息，您可以登陆济南兰光公司网站查看具体信息或致电咨询。Labthink兰光期待与行业中的企事业单位增进技术交流与合作。PVC薄膜热缩试验仪_包装薄膜热缩仪_薄膜热缩测定仪特　　征微电脑控制、液晶显示数据菜单式界面、PVC操作面板液体介质加热P.I.D温度监控自动计时试样夹持薄膜网架PVC薄膜热缩试验仪_包装薄膜热缩仪_薄膜热缩测定仪技术指标试样尺寸：≤140mm×140mm温度范围：室温～200℃控温精度：±0.3℃电　　源：AC 220V 50Hz外形尺寸：440mm(L)×370mm(B)×310mm (H)净　　重：24kgPVC薄膜热缩试验仪_包装薄膜热缩仪_薄膜热缩测定仪标　　准ASTM D2732塑料薄膜和薄板的自由线性热收缩率的标准试验方法GB 13519-1992聚乙烯热收缩薄膜PVC薄膜热缩试验仪_包装薄膜热缩仪_薄膜热缩测定仪配　　置标准配置：主机、夹持网5套、夹持网托架3件选 购 件：夹持网、夹持网托架

产品代码No.：248980转速范围：100~1200rpm蒸发能力：760ml/h（水的蒸发量）到达真空度：399.9Pa（3mmHg）以下转速设定 ? 显示：旋钮设定 ? 数字显示刮板密封方式：刮板通过磁力耦合方式与电机连接传递动力，封闭密封，防止样品污染电机：直流无刷电机蒸发管：蒸发面积0.025㎡冷凝管：立式双层冷凝管；冷凝面积0.14㎡回收瓶：浓缩侧回收瓶：1L(磨口35/20）；冷凝侧回收瓶：1L（磨口35/20）冷凝管接口：一触式连接；外径10mm x 2个蒸发管接口：一触式连接；外径10mm真空接口：外径10mm接液部材质：高硼硅玻璃；SUS304；特氟龙外部尺寸 ? 重量：490W x 350D x 930H（mm）? 约17kg电源：AC100V；2A；200VA；50/60HZ1、小型薄膜蒸发仪通过蒸发管内的搅拌翼高速旋转强制形成薄膜，从而抑制试料的突沸和发泡，能够浓缩普通旋转蒸发仪无法浓缩的发泡性物质；2、采用特氟龙制搅拌翼，搅拌翼可以和搅拌杆分离，并且搅拌翼没有凹凸，方便清洗；3、马达部分没有密封垫，采用耦合式机械密封方式，因为完全同蒸发管部分分离，因此搅拌轴部分不会受到污染；4、下部轴承采用了陶瓷轴承，即便长时间的运转也可以放心使用。

FSM薄膜应力与晶圆翘曲度测量仪薄膜应力测量仪广泛应用于半导体行业薄膜应力的量测。在硅晶圆或者其他材料基底上附着薄膜，由于衬底与薄膜的物理常数不同，将会产生应力而导致衬底基板形变。由均匀附着的薄膜引起的形变表现为基板翘曲，因此，可依据翘曲（曲率半径）的变化量来计算应力。薄膜应力仪用下述方法测量附着表面上的薄膜引起的基底曲率半径的变化量。由于是根据在基板上扫描的激光反射角度进行计算，因此，通过测量薄膜附着前后的曲率半径变化，计算其差值，求出曲率半径变化量，用斯托尼公式，依据基板曲率半径计算薄膜应力S。FSM薄膜应力测量仪的特点:1）自动切换双波段激光具有专利的自动激光切换扫描技术.当样品反射率不好时，系统会自动切换到不同波长的另外一只激光进行扫描。这使客户可以测量包括Nitride，Polyimides, Low K，High K,金属等几乎所有的薄膜而不会遇到无法测量的问题。FSM500加热到500℃进行应力测量，可在加热循环过程中进行薄膜的热稳定性计算2）2-D & 3-D Map配备有马达驱动的可旋转载片台，可以快速生成2-D&3D Map图帮助用户可以看到整片晶圆的曲率和应力变化分布，并准确反映出工艺和均匀性有问题的区域。3）薄膜厚度可以整合介电材料薄膜的厚度测量功能，使设备变成一台可以在研发和生产环境下灵活使用强大的设备。产品优势&bull 薄膜整体应力与晶圆翘曲测试&bull 半导体/LED/太阳能/数据存储/液晶面板产业&bull 适用于多种晶圆,基板尺寸&bull 桌上型/站立式&bull 手动/自动/半自动&bull 500℃&bull 快速&非接触激光扫描&bull 适用生产和研发使用&bull 全球销售及客户支持产品应用&bull 新工艺的测试或新生产设备的校准 。化学气相沉积镀膜工艺（CVD), 物理气相沉积镀膜工艺(PVD)&bull 工艺的质量控制&bull 故障诊断&bull 新技术的研究与开发&bull 半导体新工艺的研究与开发&bull 半导体晶圆薄膜生产: 氮化物, 氧化物, 硅化物, 金属, 低介电常数材料等&bull 晶圆碗型翘曲: 晶圆工艺检查或晶圆生产原料检查&bull 其他的集成电路工艺: 平板显示器 微机电系统