半导体级盐酸

半导体行业试剂篇——那些不可不提的酸 关注我们，更多干货和惊喜好礼在上篇文章中，我们主要介绍了半导体行业中关于芯片生产需要严格关注空气与纯水的质量。然而除了环境空气与超纯水，还有一部分是需要关注的就是化学试剂。在电子产品的生产过程中需要用到的试剂是电子级试剂，要求电性杂质含量极低，才可以控制产品最终的质量。而有些半导体材料中甚至会人为加入一些特定的成分，从而其电导性能才具有可控性，因此试剂中杂质离子的含量，就变得尤为重要。 那么涉及到半导体的试剂有哪些呢？他们的作用分别是什么呢？我们大致可以将其分为三类：酸（如氢氟酸、硝酸、硫酸等）、碱（氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵等）、溶剂（异丙醇、丙酮等），本篇主要给大家介绍酸。 半导体中常用的酸国际半导体设备与材料产业协会（semi）对这有各种明确的标准规定（见下表，单位为ppm，以最gao级别算）。那么对于这些高纯度的试剂中的杂质离子，我们怎么样去测试呢？测试过程中会遇到什么样的问题呢？今天我们首先针对不同种类的酸，且看赛默飞离子色谱为大家提出的一个个的解决方案！高纯试剂——氢氟酸、磷酸中的杂质利用这两种酸均为弱酸的特点，因此可采用同一方法——柱切换进行分析，相关标准分别为：semi c28 氢氟酸中的阴离子、gbt 31369-2015；semi c36 浓磷酸中的阴离子、gbt 28159-2011。氢氟酸（hf）、磷酸（h3po4）、乙酸（ch3cooh）均为弱酸，利用排斥柱donnan原理，弱酸及有机酸在排斥柱上有保留而无机阴离子没有保留的特点，我们采取柱切换的方式可以将以弱酸为基体的主成分切换掉，同时无机阴离子进入到浓缩柱中进行富集。再经过高容量色谱柱进行分离，可以准确测定氢氟酸与浓磷酸中无机阴离子含量，避免了高浓度基质的干扰，且检出限可达10ppb。 氢氟酸中常见阴离子谱图浓磷酸的离子排斥色谱图（1. 强酸离子；2. 磷酸根）浓磷酸中常见阴离子谱图高纯试剂——浓硝酸中阴离子弱酸的方案我们得到了解决，那么无机强酸中的阴离子怎么去解决呢？这又面临着新的挑战，硝酸是无机强酸，柱切换的方式已然不可用，那么这次挑战得到解决有赖于我们赛默飞特有的高容量色谱柱，高容量色谱柱可以保证即使在出现高基体的情况下，也不会导致色谱柱饱和且不会影响痕量离子的分离度，稀释50倍后，浓度差可达十万倍，进样分析谱图如下，检出限可达1ppm。 75%硝酸稀释50倍进样高纯试剂——浓硫酸中杂质阴离子恭喜飞飞又完成了一项挑战，解决了浓硝酸中痕量阴离子的问题，可是挑战还有哦，浓硫酸的问题又该如何解决呢？浓硫酸是二元强酸，且保留很强，那么赛默飞有那么多款色谱柱，总有一款适合你（浓硫酸），选择合适的高容量色谱柱，使得硫酸根离子既不会饱和色谱柱，也可以与待测离子有较好的分离度，也可以做到直接稀释进样哦。硫酸稀释后测试后谱图硫酸稀释后加标谱图（分别加标20、30、50ppb）高纯试剂——盐酸中杂质阴离子强酸体系中，还有一员大将——浓盐酸，高容量色谱柱依然是解决该方案的首要因素，可以很好分离高基体中的痕量物质，浓盐酸稀释200倍后可直接进样进行分析，谱图如下： 0.5% hcl及其加标谱图（50ppb） 这么多年以来，赛默飞离子色谱与半导体行业一起成长，为各大半导体企业及其供应链上下游行业提供稳定的技术支持与可靠的数据保证。下面附上可实现上述功能的离子色谱全明星阵容。thermo scientific™ dionex™ ics-6000 离子色谱仪thermo scientific™ dionex™ integrion 离子色谱仪thermo scientific™ dionex™ aquion™ rfic™ 离子色谱仪“码”上下载 填写表单即刻获取【赛默飞dionex离子色谱产品系列】 扫描下方二维码即可获取赛默飞全行业解决方案，或关注“赛默飞色谱与质谱中国”公众号，了解更多资讯+了解更多的产品及应用资讯，可至赛默飞色谱与质谱展台。https://www.instrument.com.cn/netshow/sh100244/

盐酸氨溴索（Ambroxol Hydrochloride）于20世纪80年代在德国上市，后在法国、日本等国家陆续上市，是目前临床作用较强的祛痰药。其作用机理为增加呼吸道黏膜浆液腺的分泌，减少粘液腺分泌，促进肺表面活性物质分泌，增加支气管纤毛运动，使痰液易于咳出。盐酸氨溴索片为固体制剂，其体外溶出度的考察不仅是评价产品质量的一个重要指标，还是我国食品药品监督管理局规定的仿制药一致性评价中需要与原研药对比的一个重要指标。盐酸氨溴索的结构式 本研究根据国食药监注[2013]34号文《国家食品药品监督管理局关于开展仿制药质量一致性评价工作的通知》要求制定的仿制药质量一致性评价—盐酸氨溴索片一致性评价参比制剂/溶出曲线测定（草案）制定实验方案。使用岛津SNTR-8400溶出度仪和LC-30A超高效液相色谱系统开展盐酸氨溴索片体外溶出的研究。盐酸氨溴索片经溶出实验，用超高效液相色谱 LC-30A系统进行含量测定。在四种介质中分别对两组33μg/mL 浓度的盐酸氨溴索对照品连续测定3次作为对照，结果显示使用岛津SNTR-8400溶出度仪以及岛津LC-30A超高效液相色谱系统在测定盐酸氨溴索片体外溶出曲线时具有良好适应性和重复性，能够满足国家规定药物体外溶出曲线测定的相关要求。岛津SNTR-8400溶出度仪 了解详情，敬请点击《盐酸氨溴索片在4种溶出介质中的体外溶出研究》关于岛津 岛津企业管理（中国）有限公司是（株）岛津制作所于1999年100%出资，在中国设立的现地法人公司，在中国全境拥有13个分公司，事业规模不断扩大。其下设有北京、上海、广州、沈阳、成都分析中心，并拥有覆盖全国30个省的销售代理商网络以及60多个技术服务站，已构筑起为广大用户提供良好服务的完整体系。本公司以“为了人类和地球的健康”为经营理念，始终致力于为用户提供更加先进的产品和更加满意的服务，为中国社会的进步贡献力量。 更多信息请关注岛津公司网站www.shimadzu.com.cn/an/。 岛津官方微博地址http://weibo.com/chinashimadzu。岛津微信平台

对Fab工厂而言，控制晶圆、电子化学品、电子特气和靶材等原材料中的无机元素杂质含量至关重要，即便是超痕量的杂质都有可能造成器件缺陷。然而半导体杂质含量通常在ppt级，ICP-MS分析时用到的氩气及样品基体都很容易产生多原子离子干扰，标准模式、碰撞模式下很难在高本底干扰的情况下分析痕量的目标元素。珀金埃尔默NexION系列半导体专用ICP-MS，凭借其独特的以动态反应池技术为基础的UCT（通用池）技术，既能实现标准模式、碰撞模式，也可以通过反应模式消除干扰，从根本上成功解决了多原子干扰的技术难题。晶圆中的金属杂质分析(UCT-ICP-MS)晶圆等半导体材料中的主要成分是硅。高硅基体的样品在传统的冷等离子体条件下分析，其中的耐高温元素硅极易形成氧化物。这些氧化物沉积在锥口表面后，会造成明显的信号漂移。NexION系列半导体专用ICP-MS在高硅基体的样品分析中采用强劲的高温等离子体，大大降低了信号漂移。通过通入纯氨气作为反应气，在DRC 模式下，有效消除了40Ar+ 对40Ca+、40Ar19F+ 对59Co+、40Ar16O+ 对56Fe+ 等的干扰。通过调节动态带通调谐参数消除不希望生成的反应副产物，克服了过去冷等离子体的局限，有效去除多原子离子的干扰。在实际检测中实现了10 ng/L 等级的精确定量，同时表现出良好的长期稳定性。基质耐受性：Si 基质浓度为100ppm 到5000ppm 样品100ppt 加标回收稳定性：连续进样分析多元素加标浓度为100ppt 的硅样品溶液（硅浓度为2000ppm）《NexION 300S ICP-MS 测定硅晶片中的杂质》NexION ICP-MS 测定半导体级盐酸中的金属杂质在半导体设备的生产过程中，许多流程中都要用到各种酸类试剂。其中最重要的是盐酸（HCl），其主要用途是与过氧化氢和水配制成混合物用来清洁硅晶片的表面。由于半导体设备尺寸不断缩小，其生产中使用的试剂纯度变得越来越重要。ICP-MS具备精确测定纳克/升（ng/L，ppt）甚至更低浓度元素含量的能力，是最适合测量痕量及超痕量金属的技术。然而，常规的测定条件下，氩、氧、氢离子会与酸基体相结合，对待测元素产生多原子离子干扰。如，对V+(51) 进行检测时去除 ClO+ 的干扰。虽然在常规条件下氨气与ClO+ 的反应很迅速，但如果需要使反应完全、干扰被去除干净，则需要在通用池内使用纯氨气。NexION系列半导体专用ICP-MS的通用池为四级杆，具备精准可控的质量筛选功能，可以调节RPq 参数以控制化学反应，防止形成新的干扰，有效应对使用高活性反应气体的应用。20% HCl 中各元素的检出限、背景等效浓度、10 ng/L 的加标回收率20% HCl 中典型元素ppt 水平标准曲线20% HCl 中加标50 ng/L 待测元素，连续分析10 小时的稳定性《利用NexION 2000 ICP-MS 对半导体级盐酸中的杂质分析》电子特气直接进样分析技术(GDI-ICP-MS)半导体所使用的特殊气体分析传统方法有两种：一种是使用酸溶液或纯水对气体进行鼓泡法吸收，然后导入ICP-MS进行分析；另一种是使用滤膜对气体中颗粒物进行收集，然后对滤膜消解后上机。然而无论是鼓泡法吸收还是滤膜过滤收集、消解，都存在样品制备过程容易被污染、鼓泡时间难以确定、不同元素在酸中溶解度不一样等各种问题，分析结果的可靠性和重现性都难以保证。GDI-ICP-MS系统可以将气体直接导入到等离子中进行激发，避免了额外的前处理步骤，具有方便、高效、不容易受污染等特点，从根本上解决传统方法的一系列问题。GDI-ICPMS气体直接进样技术GDI-ICPMS 直接定量分析气体中金属杂质GDI-ICP-MS法绘制的校准曲线（标准气体产生方式：在氩气中雾化标准溶液，这些标气对所有待测元素的线性都在0.9999以上）《使用气体扩散和置换反应直接分析气体中金属杂质》半导体有机试剂中纳米颗粒的分析（Single particle-ICP-MS）单颗粒ICP-MS（SP-ICP-MS）技术已成为纳米颗粒分析的一种常规手段，采用不同的进样系统，能在100~1000 颗粒数每毫升的极低浓度下对纳米颗粒进行检测、计数和表征。除了颗粒信息，单颗粒ICP-MS 还可以在未经前级分离的情况下检测溶解态元素浓度，可检测到ppb级含量的纳米颗粒，实现TEM、DLS等纳米粒径表征技术无法完成的痕量检测。用ICP-MS分析铁离子(56Fe+)时会受到氩气产生的40Ar16O+的严重干扰。利用纯氨气作反应气的动态反应池技术是消除40Ar16O+对铁离子最高丰度同位素56Fe+干扰最有效的途径，而只有对56Fe+的分析才能获得含铁纳米颗粒分析最低的检出限。90% 环己烷/10% 丙二醇甲醚混合液测定图谱，有含铁纳米颗粒检出TMAH 中含铁纳米颗粒结果图谱：(a)粒径分布；(b)单个含铁纳米颗粒实时信号TMAH 中含铁纳米颗粒粒径和浓度由Fe(OH)2 到总铁的质量换算《利用单颗粒ICP-MS在反应模式下测定半导体有机溶剂中的含铁纳米颗粒 》SP-ICP-MS技术测定化学-机械整平(CMP)中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物的特性氧化铝和氧化铈纳米颗粒常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械 (CMP)半导体表面的平整。CMP悬浮物纳米粒子的尺寸分布特征以及大颗粒的辨别，是光刻过程质量控制的重要方面，会影响到硅晶片的质量。既可以测量可溶分析物浓度、又能测定单个纳米粒子的单颗粒模式ICP-MS（SP-ICP-MS）是分析金属纳米粒子的最有前途的技术。SP-ICP-MS技术具有高灵敏度、易操作、分析速度快的特点，纳米粒子引入等离子体中被完全电离，随后离子被质谱仪检测，信号强度与颗粒尺寸有关。因此SP-ICP-MS可为用户提供颗粒浓度（颗/mL），尺寸大小和尺寸分布。为确保一次只检测一个单颗粒，必须稀释样品以实现分辨的目的。这就要求质谱仪必须能够有很快的测量速度，以确保能够检测到在50nm纳米颗粒的瞬时信号（该信号变化的平均时间为300~500μs）。珀金埃尔默NexION系列半导体专用ICP-MS单颗粒操作模式能够采集连续数据，无需设置定位时间，每秒钟获取高达100 000个数据点。结合纳米颗粒分析软件模块，可以实现单颗粒纳米颗粒的准确分析。采集数据比瞬时信号更快的纳米信号积分图悬浮物1~4归一化颗粒尺寸分布频次图《使用单颗粒电感耦合等离子体质谱法（SP-ICP-MS）分析CeO2 化学机械抛光化浆料》On-line ICP-OES 在线监控磷酸中的硅含量在最新的立式3D NAND 闪存的生产工艺中，需要使用磷酸进行湿法刻蚀。在生产过程中，必须监控这种特殊的、高选择性氮化的磷酸中硅的含量，以控制工艺质量。当磷酸中硅含量发生改变时，必须排空并更换磷酸。在线ICP-OES技术响应迅速，可实现7天*24小时不间断检测，是最适合磷酸中硅含量监控的方法。而Avio500 紧凑的体积非常适合空间有限的Fab 厂；垂直炬管配合独特的切割尾焰技术，不需要任何维护也能获得最佳的数据稳定性。在线监控系统可实现：自动配制校准曲线7天*24小时全自动运行质控功能（超出线性范围则重新校准）可同时监控5个模块（多达20个采样点）允许ICP-OES在线或离线分析间切换点击链接获取文中提到的解决方案和更多半导体相关资料：http://e86.me/4qfk7N关于珀金埃尔默：珀金埃尔默致力于为创建更健康的世界而持续创新。我们为诊断、生命科学、食品及应用市场推出独特的解决方案，助力科学家、研究人员和临床医生解决最棘手的科学和医疗难题。凭借深厚的市场了解和技术专长，我们助力客户更早地获得更准确的洞见。在全球，我们拥有12500名专业技术人员，服务于150多个国家，时刻专注于帮助客户打造更健康的家庭，改善人类生活质量。2018年，珀金埃尔默年营收达到约28亿美元，为标准普尔500指数中的一员，纽交所上市代号1-877-PKI-NYSE。了解更多有关珀金埃尔默的信息，请访问www.perkinelmer.com.cn。

硝酸和盐酸是试验室常用试剂，它们是易挥发酸类的代表，较高浓度下，在空气中会产生白雾，是其蒸汽与水蒸汽结合而形成的小液滴，危险性较高，试剂浓度也会有较大波动。硝酸、盐酸的含量测定一般用滴定法，滴定剂用氢氧化钠，其中比较特殊的是发烟硝酸，要用到轻体安瓿球（用于易挥发试剂），盐酸虽然不用，但浓盐酸的浓度一般是36%到38%之间，用盐酸作滴定剂时，也要先用滴定法测出其具体浓度数值后再用于试验和计算。滴定法作为含量分析中的经典方法，常用仪器是滴定管。赫施曼的光能滴定器和电子滴定器，可代替常规滴定管，能够实现抽提加液、手转/手按控制滴定速度、屏幕直接读数，可解决滴定管的三大难点：灌液慢、控速难，读数乱（不同人、不同位、不同次的凹液面读数均有可能出现偏差）。硝酸和盐酸具有的挥发性和腐蚀性，导致其在使用时，也更加危险，如果试剂瓶敞口时间过长，其浓度也会有较大变化。赫施曼的ceramus瓶口分配器，在瓶口上沿设计了密封阀，可以在瓶口处进行试剂密封，阻止挥发性、腐蚀性、易结晶、有毒有害的试剂进入到仪器内，如不阻止，会明显降低仪器的寿命、精度和稳定性，这也是相比于排液管处密封阀的一大优势。如果担心试剂扩散到外界环境中，可加装过滤管（选配），可以防止试剂挥发、外泄，也可保护试剂不受外界空气中水分、二氧化碳等气体的影响，形成了对人员（环境）、试剂、仪器的三大保护。赫施曼的ceramus瓶口分配器和滴定器，可助力试验室更加便捷、安全地使用硝酸、盐酸，甚至王水和氢氟酸等危险试剂，可代替量筒、移液管等玻璃量具，降低人为误差和失误。

盐酸利多卡因是局麻醉、抗心律失常药物，属于酰胺类化合物，这类物质在C18色谱柱分析过程中容易出现拖尾的问题。 我们按照2020版 《中国药典》和EP方法，对盐酸利多卡因注射剂及其杂质2,6-二甲基苯胺、2,6-二甲基氯代乙酰苯胺进行分析，希望能够解决主成分与杂质分离效果差和拖尾的问题。 常规硅胶系色谱柱，由于受到硅胶基材表面残留硅醇基和金属杂质的影响，在分析碱性化合物时普遍易出现色谱峰拖尾的现象。CAPCELL PAK色谱柱凭借填料表面致密的聚合物包被来抑制硅胶基材的影响，因此能得到对称性良好的色谱峰。 我们使用经过包膜处理的 CAPCELL PAK C18 AQ S5 柱，很好地解决了盐酸利多卡因拖尾的问题；同时主峰与杂质的分离也满足要求。 2020版《中国药典》方法 推荐色谱柱： CAPCELL PAK C18 AQ S5 系统适用性要求：盐酸利多卡因与杂质2,6-二甲基苯分离度满足要求，理论塔板数不低于2000。按照2020版 《中国药典》的要求，选择经过包膜处理的CAPCELL PAK C18 AQ S5 柱，盐酸利多卡因峰形良好；同时2,6-二甲基苯胺与利多卡因分离度16.49，满足基线分离要求。图1 盐酸利多卡因与2,6-二甲基苯胺的色谱图 HPLC Conditions 色谱柱：CAPCELL PAK C18 AQ S5 4.6mm i.d.×250mm流动相：磷酸盐缓冲液：乙腈=50：50（pH8.0）流 速：1.0 mL / min温 度：30 °C检 测：PDA 230 nm进样量：20 µL浓 度：盐酸利多卡因样品2mg/mL、系统适用性溶液：50 µg/mL（溶剂为流动相） 注：磷酸盐缓冲液：1mol/L磷酸二氢钠溶液1.3mL，0.5mol/L磷酸二氢钠32.5 mL，用水稀释至1000 mL，摇匀。 EP 9.0方法 推荐色谱柱：CAPCELL PAK C18 AQ S5 目前，EP没有盐酸利多卡因注射剂的相关规定，因此我们参考了EP中盐酸利多卡因的检测方法。 系统适用性要求：主峰（盐酸利多卡因）保留时间约为17min，杂质A（2,6-二甲基苯胺）与主峰的相对保留时间约为0.4，杂质H（2,6-二甲基氯代乙酰苯胺）与主峰的相对保留时间约为0.37，杂质A与杂质H的分离度不小于1.5。 按照EP 9.0的检测方法，对杂质A、H以及盐酸利多卡因混合标准品进行分析，结果如图2所示，杂质H保留时间6.098min，杂质A保留时间7.357min，杂质A、H分离度为5.31，满足二者分离度大于1.5的标准要求。图2 盐酸利多卡因与杂质A、H的色谱图 HPLC Conditions 色谱柱：CAPCELL PAK C18 AQ S5 4.6mm i.d.×150mm流动相：磷酸盐缓冲液：乙腈=70：30（pH8.0）流 速：1.0 mL / min温 度：30 °C检 测：PDA 230 nm进样量：20 µL浓 度：杂质A：0.5µg/mL、杂质H：5µg/mL、盐酸利多卡因：5µg/mL（溶剂为流动相） 注：磷酸盐缓冲液：4.85g/L磷酸二氢钾溶液。

话说，里约那一滩“碧池”大家还记得吗?　　前几天，这次奥运会跳水项目的泳池突然一夜变绿...　　到底咋就变绿了?　　网友也是各种脑洞大开...　　有人说是黄+蓝=绿，尿的...　　也有人说是巴西故意弄成绿色以此呼应国旗的颜色。　　更有网友说，这是主办方贴心，特地为运动员把泳池调成绿色，好缓解强日光对眼睛的刺激。　　昨天... 德国的跳水选手抱怨...　　这池水简直弥漫着一股屁味.........　　而匈牙利的水球运动员也表示....　　这池水辣眼睛。。。　　不得不接受队医的紧急处理........　　好吧....　　于是所有人都在问...　　这特么究竟为什么???　　刚开始，里约奥组委也是全程蒙比，完全不造是什么情况，只是说不会对运动员的身体造成危害。　　通过几天的调查...　　今天，泳池变绿的真实原因总算是被调查出来了......　　他们表示： 东西加错了，加错啦!!!　　原来，场馆的一个contractor往两个池子里分别倒了80升的双氧水!　　(Contractor这词嘛，在国外你要说是承包工好，说是临时工也行，总之就是这人是我们外面外包找来的，不是我们自己人!)　　然而....　　这哥们万万没搞懂.....　　这两个池子之前并没有用双氧水来消毒，而用的是氯!　　现在双氧水一加，刚刚好抵消掉了池水中氯的杀菌作用。 没了杀菌消毒剂，自然导致池水中绿藻繁殖，这才变绿了。　　--------- 当当当 化学时间到 --------　　一般来说，游泳池消毒有两种方法：　　1 用氯系消毒剂，比如用像自来水厂一样用少量的氯气，或者用漂白粉次氯酸钙等等... 总之原理就是在水中生成次氯酸离子消毒灭菌。　　2 用双氧水消毒。 利用双氧水的强氧化性来消毒。　　一般来说，单独用，两种消毒方式都有效果..　　然而!!!　　里约，把这两个。弄混了!!!　　他们之前用的氯系消毒剂，之后这个临时工又往里面加了双氧水....　　那么....　　两者反应就生成了没有消毒作用的盐酸，水和氧气，所以水藻才出来了。　　泳池才变绿...　　敲黑板!!!　　2017高考题：　　里约奥运会的跳水池先是使用了氯系消毒剂做池水消毒，后来又往池水中加入了双氧水，请问为何池水会变绿?　试写出其中的化学反应原理并解释。　　答：因为次氯酸和双氧水反应生成盐酸，二氧化碳和氧气　　HClO + H2O2 = HCl + O2 + H2O　　而盐酸没有消毒作用，促进了藻类的繁殖。　　事情现在是搞清楚了...　　所以你们为什么会觉得辣眼睛?　　里面有盐酸这特么当然辣眼睛啦!　　(虽然被稀释的非常稀..　)　　那这两滩“碧池”怎么办?　　在花样游泳运动员抱怨花游池太绿，他们比赛时都看不清互相之后，里约官方终于重新放水清理了大池...　　里约官方表示，这么大一池水，接近100万加仑... 光是排水就要10小时，排完再放水又要10小时..... 我们但愿能赶上花样游泳的比赛.....　　好吧..　　但愿你们能好.......　　然而...　　现在跳水那边还是绿的.........　　他们表示不影响比赛，先不换... 不换.......　　他们会进一步启动池水的净水循环系统，希望能这么慢慢把池水净化回来.......　　好吧，心疼跳水运动员3秒钟...

我委拟修订盐酸环丙沙星栓国家标准(具体修订内容见附件)，现公示征求意见，公示期自上网之日起三个月。该标准适用于生产该品种的所有企业。请各有关单位认真复核。若有异议，请来函与我委联系，来函需加盖公章并附相关说明及充分的实验数据 公示期满未回复意见即视为同意。 　　附件：2013052810270971000.pdf　　 　　电子信箱： liuling@ chp.org.cn。 　　传真：010-67156318 　　地址：北京市崇文区体育馆路法华南里11号楼国家药典委员会 　　邮编：100061 　　国家药典委员会 　　2013年5月28日

2014年12月8日，上海——科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技（以下简称：赛默飞）近日发布盐酸法舒地尔药物中高哌嗪含量检测方案。盐酸法舒地尔作为高效的血管扩张药物，可以有效缓解脑血管痉挛，是一种具有广泛药理作用的新型药物。高哌嗪是盐酸法舒地尔合成过程的中间体杂质，其测定方法鲜有文献报道，主要原因是高哌嗪含量较低，在常规的反相色谱柱上保留较弱，同时没有紫外吸收。因此本检测方法采用离子色谱的方法，电导作为检测器测定盐酸法舒地尔药品中高哌嗪的含量。盐酸法舒地尔的结构图 赛默飞发布离子色谱法检测盐酸法舒地尔中高哌嗪含量，采用ICS-2100系统，配备EG淋洗液发生装置，在前处理过程中将药物盐酸法舒地尔去除，采用与流动相浓度一致的17 mmol/LMSA作为溶解样品的最佳溶液，配备Ion Pac CS17色谱柱，选择15%含量的乙腈作为淋洗液条件，在此分析条件下，采用离子色谱技术分析盐酸法舒地尔中高哌嗪的含量，方法简单，分离柱效高，测定结果满足要求。高效离子色谱方法在药物杂质离子的测定中有比较广泛的应用前景。ICS-2100 RFIC 离子色谱系统产品详情：www.thermo.com.cn/Product6474.html应用纪要：《离子色谱法测定盐酸法舒地尔药物中高哌嗪含量》下载地址：www.thermo.com.cn/Resources/201410/30102057126.pdf --------------------------------------------------------------------------------关于赛默飞世尔科技赛默飞世尔科技（纽约证交所代码：TMO）是科学服务领域的世界领导者。公司年销售额170亿美元，在50个国家拥有员工约50,000人。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。我们的产品和服务帮助客户加速生命科学领域的研究、解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战，促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。借助于Thermo Scientific、Life Technologies、Fisher Scientific和Unity? Lab Services四个首要品牌，我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合，为客户、股东和员工创造价值。欲了解更多信息，请浏览公司网站：www.thermofisher.com 赛默飞世尔科技中国赛默飞世尔科技进入中国发展已有30多年，在中国的总部设于上海，并在北京、广州、香港、台湾、成都、沈阳、西安、南京、武汉等地设立了分公司，员工人数超过3800名。我们的产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等，提供实验室综合解决方案，为各行各业的客户服务。为了满足中国市场的需求，现有8家工厂分别在上海、北京和苏州运营。我们在全国共设立了6个应用开发中心，将世界级的前沿技术和产品带给国内客户，并提供应用开发与培训等多项服务；位于上海的中国创新中心结合国内市场的需求和国外先进技术，研发适合中国的技术和产品；我们拥有遍布全国的维修服务网点和特别成立的中国技术培训团队，在全国有超过2000名专业人员直接为客户提供服务。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。欲了解更多信息，请登录网站www.thermofisher.cn

p 　　半导体材料是半导体产业的基石，在集成电路芯片制造过程中，每一个步骤都需要用到相应的材料，如光刻过程需要用的光刻胶、掩膜版，硅片清洗过程需要用的各种湿化学品，化学机械平坦化过程需要用的抛光液和抛光垫等，都属于半导体材料。 /p p 　　半导体产业强大如韩国，在2019年7月日本对其限制三种半导体材料“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”出口之后，也曾陷入恐慌状态。足以可见，半导体材料的重要性。 /p p 　　国内对半导体材料的依存度在60%以上! /p p 　　半导体材料主要包括半导体制造材料与半导体封测材料。今年4月，国际半导体产业协会公布2019年全球半导体材料市场销售额为521.2亿美元，其中，晶圆制造材料的销售额为328亿美元，半导体封装材料的销售为192亿美元。 /p p 　　SEMI报告还指出，分区域来看，中国台湾、韩国、中国大陆、日本、北美、欧洲半导体销售额分别为113.4亿美元、88.3亿美元、86.9亿美元、77.0亿美元、56.2亿美元、38.9亿美元，分别占全球半导体材料市场份额的22%、17%、17%、15%、11%、17%。中国大陆是2019年各地区中唯一实现正增长的半导体材料市场，销售规模位居第三。但是，对于中国大陆市场而言，一方面是不断增长的销售规模，另一方面也面临着巨大的国产半导体材料缺口。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 299px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202006/uepic/22641996-ebd3-4ead-80c1-c881ce66bd2b.jpg" title=" 半导体材料.jpeg" alt=" 半导体材料.jpeg" width=" 600" height=" 299" border=" 0" vspace=" 0" / 　　 /p p 　　目前全球半导体制造材料基本被美日等公司垄断。如全球硅片市场中，日本信越化学、日本 SUMCO、德国Siltronic、中国台湾环球晶圆、韩国SK Siltron的市场份额分别为27.58% 、24.33%、14.22%、16.28%、10.16%，共占据超过90%市场份额 光刻胶市场则主要由日本合成橡胶、东京应化、美国陶氏、住友化学、富士胶片垄断 CMP 材料主要由美国陶氏、卡伯特微电子、日本 Fujimi 垄断等。 br/ /p p 　　在美日公司占据优势的情况下，虽然目前各大主要品类的半导体材料领域均有国内企业涉足，但整体对外依存度仍在60%以上，特别地，大硅片、靶材、CMP 抛光垫、高端光刻胶等半导体材料对外依存度高达90%以上。 /p p 　　就以大硅片为例，目前国内有上海新昇等少数企业实现12 英寸大硅片量产，国产化率也仅约10% 光刻胶也仅有少数企业布局ArF、KrF光刻胶，尚无企业涉及EUV光刻胶 靶材对外依存度仍然高于90% 电子特气国产化率约25% 湿化学品国产化率约25%。 /p p 　　 strong 半导体材料国产化进程在加速 /strong /p p 　　在超高的国外依存度面前，国内对半导体材料的需求却与日俱增。 /p p 　　一方面，受益于国内晶圆厂的大量投建，以及5G商用落地后带来的需求增量，国内半导体材料的需求将加速增长。据SEMI估计，2017-2020年全球将有62座新晶圆厂投产，其中26座坐落中国大陆，占总数的42%。半导体材料属于消耗品，国内晶圆厂数量的增加，将带动半导体材料需求的增长。 /p p 　　另一方面，半导体设备国产化，也将推动半导体材料的国产化进程。此外，近期国家新提出的“新基建”项目也提供了中国半导体材料发展的好机会。 /p p 　　为了加速半导体国产化进程，国家扶持半导体产业的政策和基金密集出台，大基金二期或开启半导体材料国产化黄金期。据了解，大基金一期已投资沪硅产业、雅克科技、安集科技等半导体材料公司。国家集成电路产业投资二期股份有限公司注册资本达2041.5 亿元，投资总规模和撬动社会融资有望较一期更上一个台阶。 /p p 　　当前，虽然半导体材料国外优势明显，但国内正在细分领域突破，部分产品已实现自产自销。具体来看，可以分成已可量产材料、初步量产和有待积极开发的材料。 /p p 　　其中已可以量产主要有：靶材、封装基板、CMP抛光液材料、湿式工艺用化学品引线框等部分封装材料。这其中，部分产品技术标准可达到全球水平，本土产线已实现中大批量供货，部分材料品质需要改进才能满足先进工艺的要求。初步量产方面主要有：电子气体、硅片、化合物半导体、特殊化学品。这当中，个别产品技术标准可达到世界水平，本土产线已小批量供货，但是需要加强全面的供货。另外，刻胶、碳化硅材料、高纯石英材料部分还需积极开发，这部分材料在技术上和全球一流水平存在较大差距，目前基本未实现批量供货。 /p p 　　以下是一些公司的发展情况： /p p 　　 strong 硅片及硅材方面 /strong /p p 　　 strong 中环股份 /strong ：成立于1999年，是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技术企业。 /p p 　　2019年，中环股份发布了对行业颠覆性影响的12英寸超大光伏硅片“夸父”产品(210硅片)和系列标准，使从晶体、晶片到电池片、组件通量型生产环节效率大幅提升，制造成本大幅下降，单块组件效率大幅提升，为全球新能源持续降低成本创造了一个平台性的技术。目前中环五期项目已开始生产210硅片，下游客户的210电池片、组件也将快速进入量产阶段。 /p p 　　据了解，截止2019年底中环股份已经具备2-6英寸硅片产能约30万片/月，8英寸约70万片/月，12英寸2万片/月。 /p p 　　 strong 上海硅产业集团 /strong ：成立于2015年12月，专注于半导体硅材料产业及其生态系统发展。 /p p 　　2016年7月，硅产业集团通过增资上海新昇和受让原股东在上海新昇持股的方式，于2016年7月对上海新昇形成控股。上海新昇成立于2014年，承担了“02专项”的“40-28nm集成电路制造用300毫米硅片研发及产业化”项目，是国内第一家产业化的300mm硅片企业。 /p p 　　2019年3月，硅产业集团通过增资成为新傲科技第一大股东。新傲科技成立于2001年，致力于高端硅基材料研发与生产，是中国最大的SOI材料生产基地和技术领先的外延片供应商，也是世界上屈指可数的SOI材料规模化供应商之一。 /p p 　　2020年4月20日，硅产业集团成功登陆上海证券交易所科创板。 /p p 　　 strong 上海新昇 /strong ：成立于2014年6月，国内首屈一指的300mm半导体硅片供应商。 /p p 　　2016年10月，上海新昇成功拉出第一根300mm单晶硅锭，2017年打通了300mm半导体硅片全工艺流程，2018年最终实现了300mm半导体硅片的规模化生产。 /p p 　　 strong 有研半导体 /strong ：成立于1999年3月12日，由北京有色金属研究总院独家发起，公司前身是半导体材料国家工程研究中心。 /p p 　　2013年成功自主研发6英寸区熔气掺单晶，标志着在“6英寸气掺区熔单晶拉制技术”上取得突破性进展。2017年5月，有研半导体承担的国家重大科技专项“200mm硅片产品技术开发与产业化能力提升”项目通过验收。 /p p 　　2020年5月29日，有研半导体成功拉制出完整的12英寸单晶棒，晶棒总重量超过320公斤。实验的突破和进展，标志着公司在12英寸大硅片产业布局上迈出了关键的一步，为公司12英寸集成电路用大硅片产业化项目顺利实施奠定了坚实的基础。 /p p 　　 strong 浙江金瑞泓 /strong ：成立于2000年6月，是国内较早一批专业从事集成电路用硅片制造的企业之一，也是中国大陆技术领先、配套先进、规模完善、效益优良的集成电路材料制造企业，是我国具有硅单晶锭、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片制造的较为完整产业链的集成电路生产企业。 /p p 　　2010年，牵头承担“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家02科技重大专项，并于2017年5月通过国家验收，具备了8英寸硅片大规模产业化能力，掌握了12英寸硅片核心技术。 /p p 　　 strong 安徽易芯 /strong ：成立于2016年9月，主要从事大尺寸半导体硅晶体与硅片、全自动硅晶体生长炉的研发、生产、销售以及技术服务。 /p p 　　2008年正式启动12英尺电子级单晶硅材料的研发，2015年12英尺硅片(抛光前)产品通过国家有色金属及电子材料分析测试中心的检测。 /p p 　　 strong 杭州中欣晶圆 /strong ：成立于2017年，主要从事高品质集成电路用半导体硅片的研发与生产制造。拥有8英寸生产线是目前国内规模最大，技术最成熟的生产线 12英寸生产线是我国首条拥有核心技术，真正可实现量产的半导体硅片生产线。 /p p 　　2019年7月，中欣晶圆“半导体大尺寸硅片项目”首批产品下线。这也是杭州首批实现量产的 8英寸(200mm)的半导体硅抛光片，意味着中芯晶圆在推进杭州芯片设计制造产业方面又迈进了一大步。 /p p 　　 strong 宁夏银和 /strong ：成立于2015年12月，公司将通过开展高品质半导体硅片的研发和产业化，建成国际先进水平的大尺寸半导体硅片产业化、创新研究和开发基地。 /p p 　　2019年8月23日，宁夏银和宣布12英寸半导体大硅片晶棒实现量产，32英寸半导体石英坩埚下线。 /p p 　　 strong 光刻胶方面 /strong /p p 　　 strong 晶瑞股份 /strong ：成立于2001年11月，是一家生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品的上市企业。品种包括氢氟酸、过氧化氢、氨水、盐酸、硫酸、硝酸、异丙醇、冰醋酸、混合酸(硅腐蚀液、铝腐 蚀液、铬腐蚀液、BOE、金蚀刻液)氢氧化钾、氢氧化钠、配套试剂等。产品广泛应用于超大规模集成电路、LED、TFT-LCD面板制造过程、太阳能硅片的蚀刻与清洗。 /p p 　　 strong 北京科华 /strong ：成立于2004年，光刻胶产品序列完整，产品应用领域涵盖集成电路(IC)、发光二极管(LED)、分立器件、先进封装、微机电系统(MEMS)等。产品类型覆盖KrF(248nm)、G/I线(含宽谱)，主要包括：KrF光刻胶DK1080、DK2000、DK3000系列 g-i line光刻胶KMP C5000、KMP C7000、KMP C8000、KMP EP3100系列和KMP EP3200A系列 Lift-off工艺使用的负胶KMP E3000系列 用于分立器件的BN、BP系列等。 /p p 　　 strong 强力新材 /strong ：成立于1997年，公司主要产品为光刻胶专用化学品，分为光刻胶用光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂等)和光刻胶树脂两大系列。公司的产品按照应用领域分类，主要有印制电路板(PCB)光刻胶专用化学品(光引发剂和树脂)、液晶显示器(CD)光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂及其他用途光引发剂四大类。 /p p 　　 strong 上海新阳 /strong ：创立于1999年7月，其用于晶圆电镀与晶圆清洗的第二代核心技术已达到世界领先水平。紧密围绕两大核心技术，开发研制出140多种电子电镀与电子清洗系列功能性化学材料，产品广泛应用于集成电路制造、3D-IC先进封装、IC传统封测等领域，满足芯片铜制程90-28nm工艺技术要求，相关产品已成为多家集成电路制造公司28nm技术节点的基准材料(Base Line)，成为中国半导体功能性化学材料和应用技术与服务的知名品牌。 /p p 　　此外，上海新阳立项研发集成电路制造用高分辨率193nm ArF光刻胶及配套材料与应用技术，拥有完整自主可控知识产权的高端光刻胶产品与应用即将形成公司的第三大核心技术。 /p p 　　 strong 苏州瑞红 /strong ：成立于1993年，是国内知名的电子化学品公司，主要研发、生产光刻胶、配套试剂、高纯化学试剂，这是芯片制造行业中不可或缺的原材料。苏州瑞红在光刻胶领域深耕多年，率先实现了 i 线光刻胶的量产，可以实现 0.35μm 的分辨率。目前其光刻胶产品已有几家 6 寸客户使用，2018 年进入中芯国际天津工厂 8 寸线测试并获批量使用 公司未来重点发展 248nm，将着力发展相关业务。 /p p 　　 strong 靶材方面 /strong /p p 　　 strong 宁波江丰电子 /strong ：成立于2005年，是我国高纯溅射靶材龙头企业，产品包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等高纯溅射靶材，应用于半导体、平板显示、太阳能等领域。超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一，长期以来被日美企业垄断。目前，江丰电子的产品已应用于世界著名半导体厂商的先进制造工艺，公司已在7nm技术节点实现批量供货。 /p p 　　 strong 福建阿石创 /strong ：成立于2002年多年来致力于薄膜材料的研发、生产与销售。 阿石创薄膜材料，可以分为溅射靶材、蒸镀材料与镀膜配件三大产品线，主要应用于光学、光通信、平板显示(LCD、OLED)、触控面板、LED芯片、集成电路、LOW-E玻璃、装饰镀膜、工具镀膜、光伏太阳能等领域，产品远销国内外市场，具有丰富的行业实绩。 /p p 　　 strong 电子特气方面 /strong /p p 　　 strong 雅克科技 /strong ：成立于1997年，主要致力于电子半导体材料， 深冷复合材料以及塑料助剂材料研发和生产。 /p p 　　 strong 华特气体 /strong ：成立于1999年，公司专业从事气体及气体设备的研发和生产，气体产品覆盖普通工业气体、电子工业用气体、电光源气体、超高纯气体、标准气体、激光气体、医用气体、食品工业用气体等十几个系列共200多个品种， /p p 　　 strong 南大光电 /strong ：成立于2000年12月，是一家专业从事高纯电子材料研发、生产和销售的高新技术企业，凭借30多年来的技术积累优势，公司先后攻克了国家863计划MO源全系列产品产业化、国家“02—专项”高纯电子气体(砷烷、磷烷)研发与产业化、ALD/CVD前驱体产业化等多个困扰我国数十年的项目，填补了多项国内空白。2017年，南大光电承担了集成电路芯片制造用关键核心材料之一的193nm光刻胶材料的研发与产业化项目。 /p p 　　 strong 湿电子化学品 /strong /p p 　　 strong 巨化股份 /strong ：成立于1998年6月，主要业务为基本化工原料、食品包装材料、氟化工原料及后续产品的研发、生产与销售，拥有氯碱化工、硫酸化工、基础氟化工等氟化工必需的产业自我配套体系。并以此为基础，形成了包括基础配套原料、氟制冷剂、有机氟单体、含氟聚合物、含氟专用化学品等在内的完整的氟化工产业链，并涉足石油化工产业。 /p p 　　 strong 江化微 /strong ：成立于2001年，专业生产适用于半导体(TR、IC)、晶体硅太阳能(solar PV)、FPD平板显示(TFT-LCD、CF、TP、OLED、PDP等)以及LED、硅片、锂电池、光磁等工艺制造过程中的专用湿电子化学品——超净高纯试剂、光刻胶配套试剂的专业制造商，属国内生产规模大、品种齐全、配套完善的湿电子化学品专业服务提供商。 /p p 　　 strong 晶瑞化学 /strong ：成立于2001年，生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品，品种包括氢氟酸、过氧化氢、氨水、盐酸、硫酸、硝酸、异丙醇、冰醋酸、混合酸(硅腐蚀液、铝腐 蚀液、铬腐蚀液、BOE、金蚀刻液)氢氧化钾、氢氧化钠、配套试剂等。目前主要产品的纯度为，单项金属杂质含量小于0.1ppb。产品广泛应用于超大规模集成电路、LED、TFT-LCD面板制造过程、太阳能硅片的蚀刻与清洗。 /p p 　　 strong 艾森半导体 /strong ：成立于2010年3月，专业致力于为晶圆、先进封装、传统封测、FPC/HDI、OLED/TFT-LCD等领域行业客户提供所需电子化学品材料、应用工艺和现场服务的整体解决方案。 /p p 　　 strong 上海华谊 /strong ：成立于1992年8月，主要从事能源化工、绿色轮胎、先进材料、精细化工和化工服务五大核心业务。公司主要产品为甲醇、醋酸、醋酸乙酯、合成气、载重胎、乘用胎、丙烯酸及酯、丙烯酸催化剂、高吸水性树脂、工业涂料、颜料、油墨、日用化学品、化工贸易、化工物流、化工投资、信息技术。 /p p 　　 strong CMP抛光材料方面 /strong /p p 　　 strong 鼎龙科技 /strong ：创立于2000年，是一家专业从事化学新材料、打印复印耗材、集成电路芯片及材料、云图文快印营销模式的研发、生产与服务及股权投资的国家高新企业、国家创新型企业、创业板上市公司。 /p p 　　 strong 安集科技 /strong ：成立于2004年，主营业务为关键半导体材料的研发和产业化，目前产品包括不同系列的化学机械抛光液和光刻胶去除剂，主要应用于集成电路芯片制造和先进封装领域。 /p p 　　2019年，成功IPO并在上海证券交易所科创板上市。 /p p 　　总结：“中国半导体教父”、芯恩董事长张汝京指出我国芯片产业发展的几大短板。其中，材料和设备是最薄弱的环节，在整个半导体供应链上，没有材料必将造成“巧妇难为无米之炊”的窘境。由此，实现半导体材料国产化替代是半导体国产化道路上亟需且艰巨的任务。 /p p br/ /p

湿电子化学品是半导体、集成电路等多个领域的重要基础性关键化学材料，是当今世界发展速度较快的产业领域。我国湿电子化学品2012年市场规模仅为34.81亿元，到2018年已增至79.62亿元，而2021年湿电子化学品市场规模预计超过100亿元。湿电子化学品（又称电子级试剂、超净高纯化学试剂、工艺化学品、湿化学品等）一般主体成分纯度大于99.99%，是电子行业湿法制程的关键材料，常用于湿法刻蚀、清洗等微电子、光电子湿法工艺制程，约占集成电路制造成本的5%。湿电子化学品湿电子化学品可分为通用性湿电子化学品和功能性湿电子化学品。通用湿电子化学品一般为单组份、单功能、被大量使用的液体化学品，包括酸、碱、有机溶剂等，常用于集成电路、液晶显示器、太阳能电池、LED制造工艺等；功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品，包括蚀刻液、清洗液、光刻配套试剂等，常用于半导体刻蚀、清洗等工艺中。常见湿电子化学品（数据自中国电子材料行业协会）类别湿电子化学品约占湿电子化学品总需求比例（%）合计占比估计通用湿电子化学品过氧化氢16.70%88.20%氢氟酸16%硫酸15.30%硝酸14.30%磷酸8.70%盐酸4.80%氢氧化钾3.80%氨水3.70%异丙酮2.80%醋酸1.90%功能湿电子化学品MEA等极佳溶液3.20%11.80%显影液（半导体用）2.70%蚀刻液（半导体用）2.20%显影液（液晶面板用）1.60%剥离液（半导体用）1.20%缓冲刻蚀液（BOE)0.90%湿电子化学品的国际分类标准国际半导体设备和材料协会(SEMI)根据金属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等制定了湿电子化学品国际等级分类标准。Grade1等级湿电子化学品常用于光伏太阳能电池等领域；Grade2等级湿电子化学品常用于平板显示、LED、分立器件等领域；Grade3等级湿电子化学品常用于平板显示、LED、集成电路等；Grade4等级湿电子化学品常用于集成电路等领域。 IC制造不同线宽对应湿电子化学品国际等级分类标准SEMI等级IC线宽(μm)金属杂质(10-9)控制粒径(μm)颗粒(个/mL)C1(Grade1)＞1.2≤1000≤1≤25C7(Grade2)0.8-1.2≤10≤0.5≤25C8(Grade3）0.2-0.6≤1≤0.5≤5C12(Grade4）0.09-0.2≤0.1≤0.2*Grade5*≤0.01**国际湿电子化学品市场国际湿电子化学品市场份额的80%主要被德国的E.Merck 公司、美国的Ashland 公司、Sigma-Aldrich 公司、Mallinckradt Baker 公司、日本的Wako 、Summitomo 等占据。欧美传统老牌企业的湿电子化学品产品市场份额（以销售额计）约为34%,主要企业有德国巴斯夫公司、美国亚什兰集团、亚什兰化学公司、美国Arch 化学品公司、美国霍尼韦尔公司、AIR PRODUCTS、德国E.Merck 公司、美国Avantor Performance Materials 公司、ATMI 公司等。日本企业约占30%的市场份额，主要企业关东化学公司、三菱化学、京都化工、日本合成橡胶、住友化学、和光纯药工业（Wako）、stella-chemifa 公司等。中国台湾、韩国、中国大陆企业（即内资企业）约占全球市场份额的35%。全球湿电子化学品行业主要企业国家及地区企业名称美国霍尼韦尔、ATMI、Arch化学品、亚仕兰集团、空气化工产品、Avantor™ Performance Materials德国巴斯夫、汉高、E.Merck日本关东化学、三菱化学、京都化学、东京应化、住友化学、宇部兴产、Stella Chemifa、Wako、日本合成橡胶韩国东友精细化工、东进世美肯、soulbrain ENG中国台湾台湾联仕电子、台湾侨力 国内湿电子化学品研究 自1980 年北京化学试剂研究所在国内率先研制成功适合5µm技术用的MOS级试剂开始，经过数十年积累，国内湿电子化学品企业陆续获得了 G1、G2 等级的化学试剂生产技术，少数部分技术领先企业已经具备 G2 等级化学试剂规模化生产的能力，部分产品的关键技术指标已经达到了国际G3 标准的水平。2010 年之后，技术领先企业的部分产品具备了 G3 等级的生产技术，行业进入快速发展阶段。国内的湿电子化学品目前主要生产G2、G3级别，仅部分达到G4级别，产品主要进口自欧美、日本、韩国、中国台湾的企业。湿电子化学品常用检测仪器与技术湿电子化学品的纯度和洁净度对于电子元器件产品的成品率、性能和可靠性有重要影响。仪器信息网特将湿电子化学品纯度及杂质分析和颗粒检测常用的仪器进行整理。湿电子化学品常用检测仪器常用仪器用途对应仪器专场（点击进入）粒度仪颗粒分析等粒度仪仪器专场电感耦合等离子体—质谱仪（ICP-MS）纯度和杂质分析等电感耦合等离子体—质谱仪（ICP-MS）仪器专场离子色谱纯度和杂质分析等离子色谱仪器专场电位滴定仪纯度和杂质分析等电位滴定仪仪器专场紫外可见分光光度计纯度和杂质分析等紫外可见分光光度计仪器专场液相色谱纯度和杂质分析等液相色谱仪器专场液质联用纯度和杂质分析等液质联用仪器专场

在指甲盖大小的芯片上布局几十亿个晶体管，集成电路是公认的、人类迄今制造过的最复杂的产品之一，已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。随着芯片制程从微米时代进入纳米时代，逐渐达到半导体制造设备和制造工艺的极限，杂质含量成为非常敏感的存在，对于产线的良率管理和提升成为半导体工业界面临的重要挑战！赛默飞为半导体及相关行业的关键环节提供多层次技术支撑，为客户提供全方位的分析方案，电感耦合等离子体光谱仪（ICP-OES）、电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、高分辨电感耦合等离子体质谱仪（HR-ICP-MS）、辉光放电质谱仪（GD-MS），全面的产线为半导体痕量金属元素分析保驾护航；全球领先的离子色谱（IC）可提供先进的痕量离子态杂质解决方案，挑战离子检测极限；更有气质联用仪（GCMS）提供的洁净空气VOCs检测方案、高分辨质谱仪加持对半导体材料未知物定性定量的检测等。从半导体材料、集成电路制造到封装测试，赛默飞能为半导体制造过程的质量控制提供稳健可靠的分析方法，助力全面提升产品良率！&bull 赛默飞全方位的ICPMS技术，拥有从单杆到三重四极杆以及高分辨ICPMS全产品线平台，具有差异化的干扰去除技术，提高生产力，广泛用于半导体行业用材料的质量控制分析，避免由样品制备引起的污染。 晶圆表面VPD-ICPMS检测方案在生产制造过程中，常用气相分解-电感耦合等离子体质谱联用（VPD-ICP-MS）方法检测硅晶片纯度，其纯度要求在99.9999999% 以上。在高含量的酸和硅基体中，目标检测元素的含量非常低，赛默飞三重四极杆ICPMS可在多种分析模式之间进行可靠切换，为所有分析物灵活提供最佳分析条件，具有高灵敏度和准确性，对于检测VPD样品，能有效去除大量多原子离子干扰，得到更加精准的结果。湿电子化学品ICPMS检测方案大规模集成电路制造需要使用大量的超纯水和高纯度湿电子化学品，如硫酸、氨水、氢氟酸、盐酸和双氧水等，晶圆通常以传统的&ldquo RCA Clean&rdquo 标准清洗流程进行，除了超纯水外，需要用到清洗液以不同类型化学品和配比，清除相应的污染物。赛默飞半导体ICPMS（单杆、三重四极杆、高分辨）解决方案可适用于半导体实验室分析以及生产中制程化学品的实时监测，适应于不同纯度级别试剂的测定，并避免由样品制备引起的污染。半导体材料检测方案GD-MS（辉光放电质谱仪）是在双聚焦高分辨质谱的技术上，采用快速流辉光放电离子源，实现高纯固体样品直接分析的最佳工具，具有检出限低、基体效应小、制样简单和全元素快速检测的突出优势。针对半导体行业需求，可实现高纯（&ge 5N）铜、铝、钛、钽、钼等高纯溅射靶材中70种以上杂质元素快速检测；硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等基材从原料至晶圆的全元素杂质检测；SiC等外延片镀层化学成分及杂质含量分布。&bull 赛默飞先进的离子色谱和相关技术能为高纯水痕量阴阳离子分析提供离线和在线监测方案，为电子级高纯试剂中ppb-ppm级阴离子和百分比级混酸的含量提供检测方案，并为半导体生产环境空气中痕量阴阳离子的分析提供解决方案。 湿电子化学品谱睿技术检测方案以高纯氢氟酸检测为例，SEMI推荐赛默飞的谱睿二维方案，一维色谱中使用排斥柱将氟离子和其他常见阴离子预分离，通过调节保留时间窗口，将高浓度的氟离子排到废液中，其他阴离子被选择性浓缩富集，富集的阴离子部分在二维色谱中通过离子交换方式实现分离检测，实现对高纯氢氟酸中痕量阴离子杂质的检测。 超纯水在线监测方案半导体级超纯水生产过程中，传统分析方法往往需要离线采样，赛默飞提供Integral在线离子色谱方案，通过多位点自动采样、浓缩和分析的监测，实现对超纯水中多种阴阳离子污染物24H/7D在线监测，为集成电路生产稳定高效运转提供保障。 △赛默飞离子色谱过程实时监控分析-Integral光刻胶中卤素含量测定(在线燃烧离子色谱法)光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要，其样品状态粘稠，含有树脂、单体、光引发剂等复杂基质，无法直接进样分析。对于光刻胶及相关材料中痕量卤素的检测，赛默飞推出CIC在线燃烧离子色谱法，通过燃烧消除基质影响，燃烧后的吸收液进样离子色谱检测阴离子，残渣溶解后进样ICPMS检测金属离子，实现一样两用，对光刻胶样品进行全面分析。 对于贯穿整个生产工艺流程的洁净室和微环境，赛默飞能为废水、废气中的各项污染物提供准确的分析解决方案，以及提供VOCs和污染离子的24小时在线监测。&bull 化学分析与检测对集成电路生产非常重要，确保芯片生产质量，改善良品率，赛默飞全线产品拥有应对半导体所有挑战的技术。除了常规检测外，还有多项赛家半导体独门武艺蓄势待发，如高分辨液质联用加持生产中未知物定量定性检测、GDMS赋能靶材、高纯硅中的杂质检测、半导体材料全面检测方案等系列特色检测方案，将在后续赛默飞赋能创&ldquo 芯&rdquo 系列文章中逐一道来，敬请期待！长按识别下方二维码或点击阅读原文，进入赛默飞色谱与质谱半导体解决方案专题页面。

北京市动物卫生监督所发布消息，自2012年8月1日起，航空检疫监督执法人员将根据北京市农业局《外埠进京动物及动物产品安全检测》方案，随机对航空运输进京的猪肉、牛肉、羊肉等畜禽产品进行抽检，抽检项目为盐酸克伦特罗。 　　至此，航空运输进京动物产品被纳入北京市畜禽产品安全检测范畴，第一阶段检测样品量为84份，结果显示全部合格。

1. 文章信息标题：CdTe Quantum Dot/Bi2WO6 Nanosheet Photocatalysts with a Giant Built-In Electric Field for Enhanced Removal of Persistent Organic Pollutants期刊：ACS Applied Nano Materials 20222. 文章链接ScienceDirect专用链接：https://doi.org/10.1021/acsanm.2c00155或https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsanm.2c001553. 期刊信息期刊名：ACS Applied Nano Materials2021年影响因子：5.097分区信息：中科院2区；JCR分区（Q2）涉及研究方向：工程技术：材料4. 作者信息：杨朋启（首要作者），吴正岩（首要通讯作者）；张嘉（第二通讯）5. 光源型号：北京中教金源CEL HXF300（300 W氙灯，可见光范围）和CEL-NP2000-2A（光密度测量仪）文章简介：近年来，由于各种有机污染物的大量使用导致水体环境污染加剧。针对此类污染，课题组设计并开发了一种高效的碲化镉量子点/钨酸铋纳米片复合半导体材料作为光催化剂用于治理有机污染物。由于低维半导体材料内部存在强的激子效应，严重抑制了电子-空穴的分离和转移。作者通过在材料内部构建内置电场作为内在驱动力，促进激子的解离和光生电子-空穴的转移，从而提高对苯酚、罗丹明B、四环素的降解效率，并且在短时间内基本可以达到完全降解的目的。同时，该催化剂又展现出良好的循环利用率，多次催化后仍可保持较高的光催化效率。因此，该催化剂在水体污染物治理方面展现出一定的应用前景。 我们一致认为本文的创新之处有以下几点：1、首次在2维钨酸铋（200）晶面和碲化镉量子点（111）晶面构建了内置电场。2、实验和DFT理论计算双向证明了内置电场的构建调节了激子效应，促进了激子的解离。3、在水体环境中各种可持续存在的有机物治理方面展现优异的性能。

烟酸和烟酰胺统称为维生素B3，是人体必需的维生素之一，在生长、代谢、发育过程中发挥着重要的作用。烟酸在体内可转化为烟酰胺，烟酰胺是辅酶I、辅酶II的组成部分，而辅酶I、辅酶II是许多脱氢酶的辅酶，在氧化还原反应中起着传递氢的作用，与糖酵解、脂肪代谢、丙酮酸代谢、高能磷酸键的生成有密切关系，并在维持皮肤和消化器官正常功能中起着重要作用。烟酸和烟酰胺是婴幼儿食品和乳品中重要的营养成分，对婴幼儿生长发育起着重要作用。因此在婴幼儿食品和乳品中，生产商会添加烟酸和烟酰胺等多种维生素来满足婴幼儿营养需要。国家规定在婴儿配方食品中烟酸（烟酰胺）的限量为70-360g/100kJ，在较大婴儿和幼儿配方食品中烟酸（烟酰胺）的含量最小值为110 g/100kJ。目前食品中烟酸和烟酰胺的检测方法主要包括超临界流体色谱法、离子色谱法、液相色谱法、液相色谱串联质谱法和微生物法等。液相色谱法由于具有灵敏度高、定量准确等优点，成为近年来应用较为广泛的检测方法。日立参照国标，使用高效液相色谱法对婴幼儿食品和乳品中烟酸和烟酰胺进行测定，结果优异，显示了日立高效液相色谱仪的高性能。实验部分 表1. 色谱分析条件 图1.标准品的提取色谱图（上）和等高线图（下）结果与讨论 表2.标准品重现性结果（n=6）(1.0mg/L) 从实验结果可以看出，烟酸和烟酰胺的保留时间和峰面积均获得了良好的重现性。 图2.标准曲线结果 从实验结果可以看出，烟酸和烟酰胺在0.10-25.00mg/L浓度范围的线性相关系数均达到了1.0000，显示了良好的线性。 图3.实际样品前处理流程 图4.实际样品结果 对市售的奶粉和米粉按图3处理后进行烟酸和烟酰胺的测定，并对样品进行加标回收率的测定，在样品中添加的烟酸和烟酰胺的回收率在90.20%～104.00%之间。使用DAD二极管阵列检测器对实际样品与标准品的光谱图进行比较，排除假阳性峰的干扰。结论 本实验所用方法可用于检测婴幼儿食品和乳品中的烟酸和烟酰胺，标准曲线线性良好，通过DAD二极管阵列检测器还可排除假阳性峰的干扰。可用于生产企业、质检等部门对烟酸和烟酰胺的检测。 日立Primaide高效液相色谱仪性能优异、操作简便、结实耐用，可让您获得精准、高灵敏度的实验结果。 关于日立高效液相色谱仪的详情，请见链接：https://www.instrument.com.cn/netshow/SH102446/Product-C0102-0-0-1.htm

1月17日，证监会披露了中信建投证券关于沈阳和研科技股份有限公司（简称：和研科技）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。资料显示，和研科技成立于2011年，公司以沈阳为中心，在苏州设有华东研发中心（苏州和研精密科技有限公司），和研科技是一家专业从事半导体磨划设备的研发、销售、咨询、服务于一体的多元化公司，专注于硅片、玻璃、陶瓷、石英、铌酸锂、碳化硅、树脂等硬脆材料的精密切割加工。和研科技主营6~12英寸DS系列精密划片机、JS系列全自动切割分选一体机等半导体专用精密切割设备，广泛应用于集成电路、分立器件、光电器件及敏感元件等制造领域。秉承着“不断开拓，勇于创新”的理念，和研科技持续强化研发投入，近3年研发投入占营业收入的比重稳步攀升，已掌握多项核心技术，拥有发明专利30项，软件著作权11项，实用新型专利16项，外观专利2项。2022年12月30日，和研科技半导体设备生产基地项目签约落户沈阳辉山经济技术开发区。该项目计划投资3.15亿元，拟建设占地95亩的半导体精密设备生产基地项目，项目达产后，预计第一年实现产值5亿元，三年实现产值10亿元。不久前，和研科技获国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（国家大基金二期）投资，本轮融资为和研科技B+轮融资，目前已完成工商变更登记。

各相关单位：按照《青岛市标准化协会团体标准管理办法》的规定，青岛市标准化协会《国内棉花残损鉴定技术规范》、《纺织品 定量化学分析氨纶或某些纤维素纤维与聚丙烯腈纤维的混合物（盐酸法）》和《秋月梨 感官定级评价规则》三项团体标准已通过立项论证，同意立项。请各有关单位尽快组织起草并完成标准的制定工作。青岛市标准化协会2023年4月7日

大连贝尔药业有限公司质管部于2011年12月28日购得我公司生产的WDDY-2008J微机自动电位滴定仪一台，用于测定&ldquo 盐酸曲马多&rdquo 的含量，经安装工程师反复测试比对，其结果完全符合《中国药典》及大连贝尔药业有限公司的相关企业标准！其测试结果的重复性及准确性让人难以置信（重复性误差达0.02%）！WDDY-2008J微机动电位滴定仪的人性化设计及测量结果的高可靠性给大连贝尔药业有限公司的领导及化验人员留下了深刻印象，同时也成为大唐仪器之自动电位滴定仪在医药行业的又一成功应用典范！（大唐仪器2012年2月6日）

太极集团重庆涪陵制药有限公司质检部于2010年3月购得我公司生产的WDDY-2008J微机自动电位滴定仪一台，用于测定&ldquo 盐酸西布曲明&rdquo 的含量，其结果完全符合《中国药典》及太极集团重庆涪陵制药有限公司的相关企业标准！WDDY-2008J微机动电位滴定仪的人性化设计及测量结果的高可靠性给太极集团重庆涪陵制药有限公司的企业领导及化验人员留下了深刻印象，同时也成为大唐仪器之自动电位滴定仪在医药行业的又一成功应用！（大唐仪器2010年3月23日）

不同尺寸和形状的半导体纳米晶体可以控制材料的光学和电学性质。液池透射电子显微镜LCTEM是一种新兴的方法，用于观察纳米尺度的化学变化，并为具有预期结构特征的纳米结构的精确合成提供信息。科学家们正在研究半导体纳米晶体的反应，方法是研究过程中通过液体辐解产生的高反应环境。在最近发表的一份新论文中，科学家们利用了辐射分解过程，取代了典型半导体纳米材料的单粒子蚀刻轨迹。工作期间使用的硒化铅纳米管代表了各向同性结构，以通过逐层机制保持用于蚀刻的立方形状。各向异性箭头形硒化镉纳米棒保持了带有镉或硒原子的极性刻面，透射式液体细胞电子显微镜的轨迹揭示了液体环境中特定表面的反应性如何控制半导体的纳米级形状转变。半导体纳米晶体包含广泛可调的光学和电学特性，这些特性取决于其尺寸和形状，适用于多种应用。材料科学家已经描述了特定块体晶体小面对生长和蚀刻反应的反应性，开发出任意的图案纳米晶体的多面性及其反应机制使其成为直接研究的热点，胶体纳米晶体的热力学可以影响限定它们的有机或者无机界面。液体细胞透射电子显微镜提供了所需的时空分辨率，以观察纳米级动力学，如自组装过程。因此，科学家们在两个透射电子显微镜网格的超薄碳层之间夹了一个含有纳米晶体的水性袋，并使用三（羟甲基）氨基甲烷盐酸盐，这是一种有机分子来调节敏感半导体纳米晶体的蚀刻。LCTEM和纳米晶体的现有研究仅限于贵金属，因为它们在辐射分解过程中无法调节化学环境，导致活性材料降解。这项新的研究表明，有可能为LCTEM设计新的环境，以观察反应性纳米晶体的单粒子蚀刻轨迹。在实验过程中，三氨基甲烷盐酸盐添加剂调节了蚀刻过程的电化学电位，团队使用动力学建模来估计液体电池中胺自由基物种的浓度和电化学电位。为了证明这一概念，美国科学家们获得了真空中硒化铅纳米立方体的代表性透射电子显微镜图像，并在硒化铅奈米晶体的逐层蚀刻过程中收集了一系列图像。LCTEM成像结果显示，作为蚀刻反应的产物，在硒化铅纳米晶体周围形成了具有较高图像对比度的物质，似乎在蚀刻过程中，硒氧化并分散到液体中，以促进氯化铅的形成，铅袋中有氯离子。与硒化铅的立方晶格相比，纤锌矿硒化镉具有各向异性晶格，镉和硒原子交替层。在纤锌矿硒化镉纳米晶体的生长过程中，表面活性剂配体有利地结合到镉区域，以促进硒区域的快速生长。未来的研究将或者利用核/壳纳米晶体以及通过无机或者有机界面组装的纳米晶体，获得关于功能纳米结构阵列转化的实时信息。

2022年，新冠疫情、俄乌战争、通货膨胀、美元加息、逆全球化、半导体下行周期共振下，让这个超过5500亿美元的半导体市场面临着严峻挑战。根据世界半导体贸易组织 (WSTS) 的最新预估，今年全球半导体市场营收增幅或放缓至4.4%，并预计2023年，全球半导体市场将同比下降2.5%，达6230亿美元，降幅创下历史冰点——这意味着，明年芯片行业仍处于下行周期当中。SEMI在SEMICON Japan 2022上发布的《2022年度总半导体设备预测报告》指出，原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高，连续三年创纪录，较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9%。预计明年全球半导体制造设备市场总额将收缩至912亿美元，2024年将在前端和后端市场的推动下反弹。在辞旧迎新之际，仪器信息网特别整理了2022年半导体行业大事记，以飨读者！俄乌冲突导致氖气“断供”，电子气价格狂飙在芯片生产过程中，一部分看似不起眼的惰性气体不可或缺，其中包括氖气。俄罗斯和乌克兰均为氖气生产国。据市场调研公司TrendForce提供的数据，乌克兰供应全球将近70%的高纯氖气。2月24日，俄罗斯总统普京发表电视讲话，决定在顿巴斯地区发起特别军事行动。随着俄乌冲突升级，芯片生产所需的氖气、钯等多种原材料的国际供应被扰乱，进而导致全球芯片短缺状况进一步加剧。3月14日，由于俄乌关系持续紧张，乌克兰两家主要氖气供应商已经停止运营，全球约45%-54%的半导体级氖气由乌克兰Ingas和Cryoin两家公司供应。此后全球氖气价格进一步上涨。2022年10月6日，俄罗斯卫星通讯社宣称马里乌波尔氖气工厂计划恢复生产。半导体掀起反腐风暴，多位“大基金”高管落马2021年11月，大基金管理人“华芯投资”原副总裁高松涛被查。2022年7月17日，据中央纪监委驻国家开发银行纪检监察组消息，国家开发银行国开发展基金管理部原副主任、国家大基金管理公司原总裁路军涉嫌严重违纪违法，目前已正在接受中央纪委国家监委驻国家开发银行纪检监察组纪律审查和吉林省监委监察调查。2022年7月上旬，紫光集团前董事长赵伟国被有关部门从北京家中带走。据传，赵伟国身涉调查或与其个人所控公司和原紫光集团旗下公司之间利益输送相关，比如设备采购、装修工程等未经公开招投标的问题。2022年7月29日，财新报道指出，国家芯片大基金深圳子基金合伙人王文忠被查。2022年7月30日，中央纪委国家监委驻工业和信息化部纪检监察组、北京市监察委员会正式发布公告称，大基金总经理丁文武涉嫌严重违纪违法，经中央纪委国家监委指定管辖，目前正接受中央纪委国家监委驻工业和信息化部纪检监察组纪律审查、北京市监委监察调查。在此之前，丁文武曾任工信部电子信息司司长。丁文武的被查，是芯片行业人事动荡系列事件的高潮点。2022年8月9日，大基金管理人华芯投资三位管理层被查。拜登签署《芯片和科学法案》8月9日，美国总统拜登9日在白宫签署《芯片和科学法案》。该法案对美本土芯片产业提供巨额补贴，并要求任何接受美方补贴的公司必须在美国本土制造芯片。美国商务部公布的《科学与芯片法案》细节显示，其中包括超过520亿美元的半导体制造和研究资金，拜登政府已将其列为美国与北京竞争的当务之急。随后，华盛顿不断推动更严格的对华出口法规，涵盖了制造14纳米及以下芯片所需设备。相关举措意欲使中国半导体制造企业更难发展先进制程，中国半导体产业链进入“华为时刻”。美国挑起的这次芯片战争，限制了中国企业获取先进半导体设备的能力，推动并加剧了全球半导体产业供应链的分裂与混乱，为全球芯片产业链供应链带来严重冲击。半导体设备作为主要“卡脖子环节”迎来国产替代的黄金窗口期，国内半导体设备需求将助推国产替代进程。美国BIS对中国半导体发布新限制美国商务部7号发布了针对先进芯片和芯片制造设备对华出口新限制。美国高级政府官员表示，这些规则将要求美国芯片制造商获得商务部的许可，才能对华出口某些用于先进人工智能计算和超级计算的芯片。美国政府此前已经出台了对华芯片及设备的出口限制，最新举措将限制扩大到阻止使用美国技术的外国芯片的对华出口。除了对芯片和芯片设备出口的限制外，美国商务部正在增加对为部分中国芯片制造设施提供支持的美国公民、永久居民和公司的限制，并扩大对已列入美国商务部出口黑名单的28家中国超算实体的限制。10月13日晚21点，美国商务部工业和安全局（BIS）就其上周五对中国半导体的管理规则进行公开简报，题为“实施额外的出口管制：某些先进计算和半导体制造项目；超级计算机和半导体最终用途；实体清单修改”。欧盟公布《芯片法案》，将投入超430亿欧元2月8日，欧盟委员会公布了备受关注的欧盟芯片法案，计划投资超过430亿欧元（约合490 亿美元、3127亿元人民币）用于支持芯片生产、试点项目和新一代芯片工厂等，以提升欧盟在全球的芯片生产份额。具体来看，欧盟芯片法案计划投资的资金中，110亿欧元将用于加强现有的研究、开发和创新，以确保部署先进的半导体工具以及用于原型设计、测试的生产线等。此外，还将建立“芯片基金”，用于帮助初创企业获取融资；另设半导体股权投资基金，支持大中小企业市场扩张。芯片法案的目标是，到2030年将欧盟的芯片产能从目前占全球的10%提高到20%。台积电等晶圆代工厂赴美建厂2022年11月，台积电首批300名骨干员工的家属登上美国客机，直飞凤凰城芯片工厂的配套住宅区。两周后的12月初，又有大批精密设备运过去。台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂，投资规模约120亿美元，接近2020年拍板的5纳米工厂。台积电12月6日在美国亚利桑那州凤凰城新厂举行首批机台设备到厂活动，包括美国总统拜登在内的重要人物出席。台积电这次在美国开厂也被认为是美国有意在芯片制造领域“去台化”。此外，美国还邀请三星、英特尔、德州仪器、联电等公司在美建厂。美国拉拢组建Chip4联盟2022年3月，美国政府提议组建“芯片四方联盟” (Chip 4联盟) ，意图拉拢日本、韩国和中国台湾地区组成所谓的半导体“CHIP4（芯片四方联盟）”，以抑制中国大陆的半导体发展。2022年4月，美国商务部BIS发布美欧技术和贸易委员会(TTC) 供应工作公告，要求确保半导体关键供应链在盟国尤其是日韩的可靠性，重塑盟友导向的供应链。12月中旬，日本和荷兰已原则上同意加入美国的行列，加强对向中国出口先进芯片制造设备的限制。

据央视新闻消息，目前武汉已经形成了光电子信息、汽车及零部件、大健康三大千亿级产业集群，正在积极向万亿级产业集群迈进。8月1日，武汉市召开新闻发布会，介绍该市创新发展未来产业的情况。武汉市经信局负责人介绍，武汉将面向未来制造、未来信息、未来材料、未来能源等六大方向13个细分领域，武汉将力争到2027年，未来产业营业收入规模突破千亿元，打造5个以上、力争10个以上100亿级未来产业集群。到2035年，力争未来产业营业收入规模达到万亿级，打造2-3个千亿级产业、若干个500亿级产业。在未来制造方向上，重点发展未来显示和人形机器人2个细分领域。人形机器人依托东湖高新区、武汉经开区、江汉区等区，重点在人形机器人“大脑”和“小脑”及“肢体”关键技术等领域取得突破，攻关基础版整机、功能型整机等重点产品和部组件。拓展人形机器人在特种领域、制造业典型场景等重点领域的应用场景。未来信息方向，重点发展元宇宙、未来网络、量子科技、通用人工智能、先进半导体5个细分领域。元宇宙依托东湖高新区、江汉区、汉阳区、武昌区等区，组织实施扩展现实、第三代互联网等关键技术攻关项目，构建元宇宙开发平台。拓展元宇宙在工业生产、文旅相结合的科技+文化的应用场景。未来网络依托东湖高新区、武汉经开区、东西湖区、洪山区等区，开展增强型无线空口技术、感知与通信融合等关键核心技术攻关，加快芯片、终端基站等网络设备以及测试仪器仪表等产品研发和测试。围绕6G等技术前瞻布局，重点发展全息通信、智慧交互等应用场景。量子科技依托东湖高新区、武汉经开区、东西湖区、武昌区等区，重点在量子芯片、量子通信、量子激光雷达、精密光谱测量等领域核心技术攻关和新技术新设备研发。推动量子科技在金融、交通、医疗等重点行业领域试点应用。通用人工智能依托东湖高新区、武汉经开区、东西湖区等区，加快算力基础设施建设（E级算力），面向智能芯片、多模态大模型等领域，突破核心技术。开展大模型创新算法开发及开源开放。拓展通用人工智能在工业制造、民生服务等领域的应用场景。先进半导体依托东湖高新区、武汉经开区、东西湖区等区，加快第三代、第四代半导体等材料制造技术研究，布局先进电子材料及电子级化学材料，发展功率半导体、硅光半导体前沿技术，推动先进封装技术及应用。拓展半导体材料在移动通信、航空航天等领域的应用。在未来材料方向，重点发展未来新材料。依托东湖高新区、武汉经开区、青山区等区，加强新型光电存储材料、石墨烯材料、钙钛矿量子点材料等前沿技术的研发和创新。拓展未来新材料在光电子信息、汽车等领域的应用。在未来能源方向，重点发展电磁能、新型储能2个细分领域。新型储能依托东湖高新区、武汉经开区、长江新区、江夏区、黄陂区等区，加强新型储能电池产业化技术攻关，研究突破超长寿命高安全性电池体系、大规模大容量高效储能等关键技术，在极限条件下的超长期待机，推动新型储能与人工智能的结合，推动新型储能在智慧城市、智能电网、虚拟电厂等领域应用。同时，为提升产业基金引导服务效应，武汉市将发挥江城基金、武汉基金等政府引导基金的作用，组建未来产业基金，推动未来产业创新发展。支持新型研发机构发展创新，组建了新型研发机构，专门出台了组建10个龙头企业牵头的产业联合创新中心，目前10个实验室已陆续挂牌，加大在未来产业重点领域人才的引进和培育力度。其中，江城基金重点聚焦泛半导体领域，围绕武汉集成电路产业补链强链拓链。将力争用3-5年时间将江城基金规模做到500亿元，带动形成1500亿元集成电路产业基金集群。

5月19日，国内高纯电子化学品材料龙头企业多氟多发布公告称，多氟多在经过现场审核和多轮上线测试后，正式进入了台积电合格供应商体系，近期将开始向台积电批量交付高纯电子化学品。　　把握机遇，不断突破打通国内外市场　　众所周知，生产芯片的第一步是制造晶圆，而在制造晶圆的过程中，需要用到多种高纯电子化学品材料，其中除了最有名气的光刻胶以外，氟化聚酰胺、高纯电子氢氟酸等高端化学品材料同样必不可少。但这些高纯电子化学品涉及多项关键技术，制作难度大，目前，高纯电子化学品材料市场几乎全被欧美、日本企业所垄断，甚至占有率达到了90%以上。　　韩国就是一个最典型的例子。2019年，日本宣布暂停对韩国出口3种半导体核心原材料的供应，使得韩国半导体产业受到沉重打击。但国内高纯电子化学品材料龙头企业多氟多很快觉察到机会，凭借过硬的产品质量和稳定的供应量，顺利通过审核，将半导体级氢氟酸出口到了韩国12英寸高端半导体企业，成功跻身全球高纯电子化学品材料供应链。　　多氟多新材料股份有限公司董事长李世江表示，高端半导体市场长期以来被国外企业所垄断，我国半导体产业发展的关键设备和八成以上的关键原材料长期依赖进口，严重影响了我国半导体产业的健康有序发展。自2015年开始，多氟多以半导体市场8英寸客户为起点，不断创新发展，开发出具有独立知识产权的电子级化学品生产新工艺，开拓新市场，以电子级氢氟酸为代表的高纯电子化学品接连取得重要突破，并逐渐被国内国外的半导体龙头企业所认可和使用。　　多氟多立足全球电子化学品市场，产品质量和管理水平已获得德州仪器、韩国三星、长鑫存储等大型半导体企业认可，打入了美韩等跨国半导体公司的供应链，同时大批量供应国内多条8英寸和12英寸半导体芯片产线。近期成功进入台积电这样一流的芯片制造企业，更是证明了多氟多在行业内的认可度和影响力正在不断地巩固和提高。　　深耕技术，精益求精跻身尖端供应链　　多氟多作为国内高纯电子化学品材料的领军企业，正如其名，深耕高端氟化工材料生产技术10余年，其拳头产品——电子级氢氟酸主要用于集成电路和超大规模集成电路芯片的清洗和刻蚀工序。有数据显示，到2026年仅在中国大陆，半导体电子氢氟酸以及相关的缓冲刻蚀液产品市场的需求就将超过5万吨/年，市场前景非常广阔。李世江介绍说，多氟多在超净高纯电子化学品的研发生产过程中，突破了工艺技术、分析检测技术、超净化处理技术、包装容器的清洗技术及标准化技术等关键技术，所生产的电子级氢氟酸品质达到UP-SSS级，产品纯度达到PPT级，是目前半导体用电子级氢氟酸的最高级别，能够满足目前最先进工艺制程对材料的要求，处于国际一流水平。　　李世江表示，因为台积电对于供应商的审查非常严格，为此多氟多高度重视、充分准备，成立了总经理挂帅的审核工作推进领导小组统筹具体工作，严格按照台积电的要求对整个体系进行完善提升。审核一共分为三个阶段，分别是文件审核、现场稽核、产品验证。最终，多氟多经过了两年多的时间完成了整个审核过程，依靠过硬的技术、创新的成果及稳定的品质通过了台积电的验证，成为合格供应商并开始批量供货。　　干湿并进，产能升级保障全球供应需求　　不仅是电子级氢氟酸这类的湿电子级化学品，多氟多在干电子化学品上同样成绩斐然，多氟多的子公司——中宁硅业的高纯硅烷、乙硅烷、高纯四氟化硅、纳米硅粉等产品已进入国内知名半导体企业供应链。在多氟多2021年定增11.5亿元募投项目中显示，多氟多正在建设年产3万吨超净高纯电子级氢氟酸、年产3万吨超净高纯湿电子化学品、100吨高纯乙硅烷、100吨高纯氟氮混合气、300吨高纯四氟化硅等项目。这些项目将于今年下半年陆续建成投产，并根据市场情况逐步释放产能，以更好地满足半导体产业对电子化学品持续增长的需求。　　多氟多新材料股份有限公司副总经理王泽国表示，多氟多的定位是全球半导体的综合化学品服务商，目前已经打破了国外对超净高纯电子化学品技术封锁和市场垄断，满足了集成电路产业对高纯电子级氢氟酸需求，解决了重点领域卡脖子问题，提升了我国基础关键新材料制造水平和自给保障能力，对我国集成电路配套电子化学品行业创新能力和发展质量的提升提供了有力支撑。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日据网媒报道，为应对日本对韩国半导体材料的出口限制，包括SK海力士、LG、三星电子等龙头在内的多家韩国半导体及电子产业龙头制造商正在测试并大规模订购中国的半导体核心原材料氟化氢。一直以来发展处于起步阶段的中国半导体试剂或将迎来高速跃进的良机。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 7月1日，日本公布了数项针对韩国的贸易限制措施，打响日韩贸易战。在半导体方面日本将对韩出口的半导体原材料实施限制，这其中就包括高纯度电子级氟化氢。有关报道称，为了应对日本的措施，韩国知名芯片生产商SK海力士、LG已经开始测试从中国进口的氟化氢材料，同时三星电子最近也从西安大规模订购了高纯度氟化氢。而国产半导体材料制造商滨化集团的电子级氢氟酸经过多批次的样品检测和小批量试验后，最终与韩国企业建立正式合作伙伴关系，目前已成功拿到部分韩国半导体厂商的批量订单。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 电子级氢氟酸主要应用于集成电路和超大规模集成电路芯片的清洗和制程，是半导体行业的关键性基础化工原料之一。根据用途的不同，电子级氢氟酸被分为EL、UP、UPS、UPSS、UPSSS级别，其中UPSS、UPSSS是高端半导体级别。目前日本掌控了全球接近90%的高品质电子级氢氟酸产能，占据绝对领先地位。截至日韩贸易战前，日本的氟化氢约占韩国进口氟化氢总量的43.9%，而半导体制造所用的高纯度氟化氢几乎是100%进口自日本，依赖度是决定性的。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 目前，国内电子级氢氟酸生产厂家有十家左右，现有产能9万吨左右，但国内能达到半导体所用UPSS级别的企业并不多，这些企业最有可能获得韩国半导体厂商的认可。滨化股份（601678）电子级氢氟酸设计产能为6000吨/年，产品属于UPSS等级。巨化股份（600160）合资公司中巨芯科技具有1.5万吨电子级氢氟酸产能，产品能达到UPSS等级。多氟多（002407）年产1万吨高端电子级氢氟酸，产品品质达到了行业最高级别UP-SSS级。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 众所周知，我国半导体上游的设备、材料与其他环节相比较较为特殊，均处于起步发展状态，而在日韩贸易战带来的新兴机遇下，国产半导体试剂展现出的实力和受认可程度态势喜人，有望借此机遇让整个产业应该一个高速发展的关口。 /p

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 早在6月1日，上交所正式受理了盛美半导体设备（上海）股份有限公司科创板上市申请。日前，据集微网查询得知，盛美半导体将于9月28日正式上会！ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " br/ img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://uploadimg2.moore.ren/images/news/2020-09-21/090123.jpg" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 据悉，盛美半导体主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备等。公司坚持差异化竞争和创新的发展战略，通过自主研发的单片兆声波清洗技术、单片槽式组合清洗技术、电镀技术、无应力抛光技术和立式炉管技术等，向全球半导体制造、封装测试及其他客户提供定制化的设备及工艺解决方案，有效提升客户的生产效率、提升产品良率并降低生产成本。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 2017-2019年，盛美半导体的营业收入分别为25,358.73万元、55,026.91万元、75,673.30万元；净利润分别为1,086.06万元、9,253.04万元、13,488.73万元。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 此前，盛美半导体董事长王晖博士在接受集微网记者采访时表示：“这几年中国半导体产业的发展可以说是突飞猛进。尤其是在新建产线方面，包括长江存储、合肥长鑫、中芯国际、华虹华力都有多个晶圆厂正在扩建中，同时还有积塔半导体、士兰微、粤芯等也在新建产线中，所以我觉得现在国内的市场环境特别好。尤其是对于已经有十几年技术储备的盛美半导体来说，我们正赶上一个快速发展的好时期。” /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 据悉，盛美半导体从一开始切入清洗设备市场便决定要走差异化路线，从而与国际厂商竞争。经过二十多年的技术储备，如今的盛美半导体已成长为国内清洗设备的“领头羊”，公司研发团队先后开发出了SAPS、TEBO、Tahoe等全球领先的半导体清洗技术及设备。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 据王晖介绍，2009年，盛美半导体第一个兆声波清洗技术SAPS取得突破后，便进入SK海力士无锡生产线测试，而这也是国产设备第一次进入国际知名厂商；2015年，公司研发团队又开发出TEBO无损伤兆声波清洗技术；2018年，盛美半导体再下一城，发布了Tahoe高温硫酸清洗设备 /p

硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅(Si)材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨胀系数失配等问题，因而在与CMOS兼容的无偏角Si衬底上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。 　　近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区，研制出可高温工作的低功耗片上光源。室温下，该器件连续输出功率超过70mW，阈值电流比同结构仅p型掺杂激光器降低30%。该器件最高连续工作温度超过115°C，为目前公开报道中与CMOS兼容的无偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述成果为实现超低功耗、高温度稳定的高密度硅基光电子集成芯片提供了关键方案和核心光源。 　　6月1日，相关研究成果以Significantly enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001) via spatially separated co-doping为题，发表在《光学快报》(Optics Express)上。国际半导体行业杂志Semiconductor Today以专栏形式报道并推荐了这一成果。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1.硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。图2.采用双掺杂调控的器件与参比器件在不同工作温度下的连续输出P-I曲线，插图为双掺杂调控激光器在115℃、175mA连续电流下的光谱。

p 主持：开源通信赵良毕 /p p 1、长江存储规划进行3期30万片/月的扩产能计划，每一期10万片。一期10万片产能预计2021年年中完成：2018年底量产32层堆叠的NAND闪存5000片；2019年实现2万片/月的产能，并开始64层堆叠设备的集采，疫情推迟至2020年5、6月份64层堆叠设备安装完成（原计划2020年3月份），预计2020年11月份开始64层堆叠产品的5万片/月的产能爬坡；2020年9月份开始下单2.5万片128层堆叠产品的设备，2020年底实现7.5万片/月的产能。 /p p 二期项目基地已经开始动工，计划2021年年底开始二期设备的采集和安装。项目一期共采购设备2000台，其中ETCH(刻蚀设备)和CVD沉积设备占设备总数的40%及以上。随技术突破和层数的增加，可预见设备的采集数量还会大幅增长。为了追赶三星/海力士/镁光的128层堆叠技术，长江存储跳过96层堆叠产品直接研发128层工艺。 /p p 2、按照芯片制作工艺：所需要用到的主要设备如下： /p p 1）CMP抛光设备中国产替代产品有华海清科，较AMAT(应用材料)设备相比稳定性稍微差一些，价格便宜50%，没办法抛干净，淮海金科不能应用在复杂工序，目前主要使用应用材料设备。 /p p 2）清洗设备，主要来自LAM，部分采用国产设备，主要来自北方华创（002371）（5%），盛美（15%），志成科技（5%）。北方华创产品线很全，但清洗设备质量一般，性能不稳定，盛美的稳定性较好。现阶段国内清洗机设备比国外设备价格要便宜一半及以上，可以覆盖中低端设备，但高端设备仍有技术难题需要攻破。 /p p 清洗之后是三酸，两者合起来叫化学抛光研磨。三酸的话80%设备是应用材料，还有20%是国产器材，十万件清洗设备，三酸大概需要80-90台设备，国外的设备大概是一台500-600万美金。 /p p 3）光刻机，目前采集设备主要来自于ASML（90%）和佳能（5%-8%）。 /p p 4）刻蚀设备来看，设备主要来自于LAM（泛林)（占55%-60%）、应用材料（占10%），国产方面中微公司（688012）（目前20%，10万件/月的产能能占到30%）、北方华创（002371）、屹唐半导体（屹唐半导体和华创占5%左右）。中微的价格是国外设备的70%。刻蚀的设备用的比CVD多，10万件/月的产能大概需要接近200台。 /p p 5）炉管设备主要分为扩散和离子注入，离子注入设备，80%-90%都是应用材料，一台机器约为1000万美金。离子注入在业界中设备分为高频和低频，国内相关领域属于初级阶段，无法完成规模供货。北方华创有七台炉管，但没有做离子注入。扩散设备，最主要为北方华创及TEL，TEL占70-80%，剩余份额为北方华创。 /p p 6）退火环节看，70%以上都是应用材料，剩余的都是忆唐半导体。5万片产能约为50台规模。单台设备约为400-500万美金。 /p p 7）CVD沉积设备来看：主要以应用材料和泛林为主，分别占比60%，20%。泛林的工艺目前还没有国产替代品，沈阳拓金主要取代的是应用材料的工艺，应用材料的设备价格在500万美金，拓金大概是1800万人民币，价格不到一半。 /p p 8）PVD镀膜设备来看： 主要来自泛林（70%）,应用材料（15%）和北方华创（15%）。PVD设备需求量较CVD小，大概是CVD的三分之一，50-60台左右，但单机价格相对较高。 /p p strong 9）检测设备有很多种，厚度等指标检测设备被美国KLA公司垄断，线宽等检测设备以美国公司为主，测缺陷形状的机器以应用材料为主，测电性能的机器以应用材料、KLA等为主，有国产替代，集中于测量膜厚机器中，以瑞利光学、精测电子等为代表，整体仍在追赶态势中。国产替代看，5万片产能中用到国产替代设备的有500台左右，其中检测设备40-50台左右，目前膜厚检测中精测电子比瑞利光学精度更高一些，价格端看，价格同功能有关，KLA及应用材料等美方公司检测设备单台约为400万量级左右，国产设备约为其价格的30%左右，以价格抢市场，中微半导体、北方华创等都采取相应策略。 /strong /p p 3、不同层比较来看，128层比32层， ETCH(刻蚀设备)和CVD增加10%-15%左右，同时清洗会减少。但由于光刻机价格比较昂贵，虽然128层比32层的工艺有所增加，光刻机的数量增幅相较于ETCH和CVD会小一些。第一期10万片计划集采2000台设备，但由于层数由32层增加到了128层，设备集采数量可能还会有进一步的增加。如果第二期10片全部按照128层的工艺建造，设备采集数量预计增加500台，总共采集数量预计达到2500台。如果第二期10万片能够达到192层，设备采集预计达到3000台以上。目前，192层工艺已经研发成功，预计2021年6月份左右能够达到量产。 /p p 4、蚀刻技术看，ICP刻硅和金属， TCP主要刻介质，其中ICP对工艺及精度要求较高。目前ICP比TCP要多一些。国产替代情况看，ETCH中国产品牌主要以中微为主，ICP设备一台满配价格约为1000万美金，TCP设备800-900万美金，应用材料、LAM公司在ETCH领域无论ICP/TCP占比不超过20%，TEL占比更少，同国产公司占比相似。 /p p br/ /p

随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器，MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，这些仪器设备大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计，共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台，涉及23省（直辖市/自治区），73家单位。其中，北京市共享设备数量最多达64台，占比35%，涉及14所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出，MBE在科研领域中的占比较大，高达73%，MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好，但生产效率低，因此在工业领域中，MOCVD占据主流。不过近年来，众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化，信息显示，北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称，深圳地区有人做相关产业化，一次性买入几十台MBE，做2寸的晶圆，做出来多少，就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为36%和32%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢？整体来看，化合物半导体薄膜沉积与外延设备中，沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高，其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及，Aixtron则聚焦MOCVD设备，Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成，发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主，占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan，本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司，专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。2016年10月，中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron，但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构)，不但均匀性较好，也减少了边缘效应。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统，使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，此类产品以德国品牌居多，占比达32%，其次为国产品牌，可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。

仪器信息网讯 8月29日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会第四届微光刻分委会年会暨第十三届微光刻技术交流会在青岛成功召开。会议期间，仪器信息网特别采访了中国科学院半导体研究所集成技术与工程研究中心高级工程师颜伟。据介绍，中国科学院半导体研究所集成技术与工程研究中心（简称：集成中心）是一个面向全国的半导体微纳加工平台，也是北京信息电子技术大型仪器区域中心的牵头单位、中国科学院知识创新工程基地纳米器件平台等。集成中心平台拥有1700平米的超净工艺线，拥有半导体测试、加工设备200余套，专业人员近四十名。集成中心除了提供常规的硅基和III-V族半导体的光电子、微电子、MEMS器件加工外，还提供灵活的服务模式。传统的Fab模式具有严格的流程标准，单条产线往往用途单一，作为一个实验性的平台，集成中心还可以满足一些前沿研究的需求，例如量子计算、低维材料等。颜伟指出，在微纳加工，特别是实验室微纳加工的生产线中的设备非常依赖于进口厂商。以电子束曝光设备为例，虽然很多国内科研院所也在研发，但实际上仍依赖于国外厂商，当前禁运情况严重。此外，当前半导体用的材料辅料也在逐步追赶国际先进水平，比如此前电子束曝光使用的光刻胶依赖进口，价格昂贵，但现在国产材料性能已经追上来了。颜伟表示，贸易战为我们敲响了警钟，打破了之前造不如买的理念，倒逼我们技术进步。贸易战以来，从设计、制造到封测，然后到软件全产业链，各个领域的国产替代都有突破。作为从业者，颜伟也强调，要冷静的认识到半导体技术是全人类智慧的结晶，不是美国一家搞出来的。从客观规律上讲，也不可能有任何一个国家能把半导体整个产业链从头到尾全覆盖一遍。我们还是要发挥自己的比较优势，积极拥抱全球化，寻求合作而不是寻求脱钩。此外，关于半导体的国产替代，既要反对盲目乐观，也要反对盲目悲观，半导体的国产突破是一场持久战。以下为现场采访视频：

各参会单位代表：根据当前疫情防控形势要求，经研究，原定于8月20至22日在无锡太湖国际博览中心举办的“第十届（2022）中国半导体设备年会暨半导体设备与核心部件展示会（CSEAC）”将延期，具体日期另行通知，会议地址保持不变。对于本届年会延期给您带来的诸多不便，我们诚挚地表示歉意，并感谢您的理解和支持！中国电子专用设备工业协会二零二二年八月十七日

2014年7月11日，上海 ——科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技（以下简称：赛默飞）近日发布同时检测功能饮料中维生素B6、烟酸和咖啡因含量的解决方案。维生素B6、烟酸等B 族维生素是人体不可缺少的重要营养素，对于多种疾病的预防治疗有重要辅助作用，已被作为功效成分添加于功能饮料中。目前国家标准规定的方法（GB ／ T 5009．197-2003）使用高效液相色谱法测定维生素B6、烟酸和咖啡因需以硫酸月桂酸钠、1- 癸烷磺酸钠等离子对试剂为流动相。本方法采用常规液相色谱配合可变波长紫外检测器，可以实现在不加离子对试剂的前提下实现维生素B6、烟酸和咖啡因的同时分离。饮料样品只需简单过滤，即可进样。 图1 VB6、烟酸、咖啡因分子结构图 赛默飞根据功能饮料样品的标识含量，选取相关浓度的标准品对VB6、烟酸和咖啡因做标准曲线，线性范围在40倍以上，线性良好，根据标准曲线得出的数据接近饮料中标明的浓度（咖啡因200ppm，烟酸40ppm，VB64ppm），结果证明该方法适合饮料类样品中相关化合物的检测。大量数据显示赛默飞UltiMate 3000 系列液相色谱仪适合对该类型饮料进行检测。该方法样品仅需简单过滤后，即可直接检测。分析时间短，26min 即可完成三种化合物的检测。下载应用文章请点击：http://www.instrument.com.cn/download/DownLoadFile.asp?id=331648 关于赛默飞世尔科技赛默飞世尔科技（纽约证交所代码：TMO）是科学服务领域的世界领导者。公司年销售额170亿美元，在50个国家拥有员工约50,000人。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。我们的产品和服务帮助客户加速生命科学领域的研究、解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战，促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。借助于Thermo Scientific、 Life Technologies、 Fisher Scientific 和 Unity? Lab Services四个首要品牌，我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合，为客户、股东和员工创造价值。欲了解更多信息，请浏览公司网站：www.thermofisher.com。赛默飞世尔科技中国赛默飞世尔科技进入中国已超过30年，在中国的总部设于上海，并在北京、广州、香港、台湾、成都、沈阳、西安、南京、武汉等地设立了分公司，员工人数超过3800名。为了满足中国市场的需求，现有8家工厂分别在上海、北京、广州和苏州运营。我们在全国共设立了6个应用开发中心，将世界级的前沿技术和产品带给国内客户，并提供应用开发与培训等多项服务；位于上海的中国创新中心结合国内市场的需求和国外先进技术，研发适合中国的技术和产品；我们拥有遍布全国的维修服务网点和特别成立的中国技术培训团队，在全国有超过2000名专业人员直接为客户提供服务。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。欲了解更多信息，请登录www.thermofisher.cn 。