半导体材料

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

一.机型称号：半导体感光材料研磨混合机，药物研磨混合机，毫微米研磨混合机，超飞快研磨混合机，水管式研磨混合机，3级研磨混合机，高剪切研磨混合机。二.研磨机：机型19款，处理量50到8*10000KG/小时，旋转1100到1.4*10000转/分钟，线速度23到44m/秒，电滚功耗1.5到160kW，磨头胶体磨&锥体磨。三.研磨分散机：机型6款，处理量50到6*1000KG/小时，旋转1100到9*1000转/分钟，线速度23m/秒，电滚功耗2.2到150kW，磨头胶体磨。四.小型分散乳化机：机型30款，处理量0.2克到10KG/小时，旋转50到3*10000转/分钟，线速度3到33m/秒，电滚功耗0.3到0.8kW。五.真空分散乳化机：机型32款，处理量5到2*10000KG/小时，旋转14到1.4*10000转/分钟，线速度44m/秒，电滚功耗0.18到120kW。六.均质匀浆机：机型4款，处理量0.2到150克/小时，旋转3500到8*1000转/分钟，线速度3到10m/秒，电滚功耗0.145到0.18kW。七.多效用分散乳化均质机：机型27款，处理量150到12.5*10000KG/小时，旋转960到1.4*10000转/分钟，线速度10到44m/秒，电滚功耗1.5到160kW。八.混合机：机型I6款，处理量300到12.5*10000KG/小时，旋转1100到9*1000转/分钟，线速度20到23m/秒，电滚功耗1.5到160kW。九.实用物料种类：胶粘溶胶，巨粒子固态液体悬空液乳剂，不包溶等。十.终级粒径：主腔内有叁组定转子，每组粗齿、中齿、细齿、超细齿。调动定转子间隙，加工后地终级粒径在10微纳米之下。十一.胚料配件：百分之八十以上进ロ海内外公司。十二.技艺出处：引荐德国技艺，立发明加工，备有专利。十三.工作方式：有在线式，批次式，内外循环式，水管式，可倒式，若干效用式。十四.机型合成：靠预加工锅、搅动锅、泵、液压系统、倒料系统、电力调动系统、主腔等部件合成。十五.智力化：CIP冲洗系统，液压升降松盖，包括配料给料吸料安装。十六.磨头好处：研磨头可调5款模版，6款分散头，20多款工作头。十七.锥磨好处：锥磨转子外层包含金属碳化物跟不一样粒子地陶瓷镀层等高上材料，提防毁伤腐蚀。十八.机型材料：统统接碰物料地材料皆是进口耐酸钢，主腔跟管路内乃亮面抛光三百EMSH（卫生级），无死角。十九.密封好处：博格曼双机械密封，液压平稳系统（可以担当16atm重压），软密封。?.翻搅形式：可定刮壁式/锚杆式/熔解式/页片式。?.产品特点：产品采取上边同轴3重装翻搅器，回路管路，出口阀。?.操控柜长处：不单可以控制电动调速，气温减温加温（经过电力，热气，油水回路，可承担负40—250度），压强，酸碱值，黏度。更可以设定不相同功用模板，表现互相配得各个参量，可线性变大大量出产。?.可抉选：参观窗，硅氟酸玻璃参观，电导率计，二层绝缘保护，稳定夹，作业台，底盘，图案解析多功用显微硬度仪（测量界线1—4千维氏硬度），管路式测量电炉（测量界线zui高1350度），传送泵/转子泵/气动隔膜泵/锚杆泵/离心泵（产量850—4.3万升/H），反应翻搅单罐/多罐（500—3千升/H），反渗入/全自动纯净装备（0.5—3千升/H)，超氧产生器，过流式紫外光灭菌器等。?.别的特长：整体立方小，电耗低，分贝低，可每日不断出产。?.访客垂访：按照访客实况必要恰当抉选！别的可订制非标和生产线！假若是非常情况，比方超温，超压，易烧易炸，侵蚀性，可产品升级！?.物料测量：得到访客物料后当即投入测量，瞧可否到达要求&答复测量进程&成果。?.方案价格：断定好产品功用后当即策画方案，包含2D部署图，总安装出产线表示图，立体成果图，&呈上本该得价格单子！?.结语：我们是出产厂家，详尽信息可以企业查看，因此分外恭候访客去垂访&更深一步长谈！以上信息不容坊造，非常道谢！扩展内容可不看：半导体（semiconductor）是指常温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。 例如，二极管是由半导体制成的器件。无论从技术还是经济发展的角度来看，半导体的重要性都非常。 大多数电子产品的核心单元，如电脑、手机或数码录音机，都与半导体息息相关。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中影响大的一种。物质以各种形式存在，如固体、液体、气体、等离子体等。 我们通常将导电性较差的材料，如煤、人造水晶、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。 而导电性较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。 介于导体和绝缘体之间的材料可以简单地称为半导体。 与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是新的。 半导体是指具有可控导电性的材料，范围从绝缘体到导体。 从科学技术和经济发展的角度来看，半导体影响着人们的日常工作和生活，而这种材料直到 1930 年代材料的提纯技术进步，才得到学术界的认可。

半导体材料能带测试,亚带隙测量系统 该系统采用恒定光电流法分析半导体薄膜和各种光导材料的带隙结构，是评价非晶硅和各种非晶半导体的理想方法。规格：原理:恒流法(CPM)光源:氙灯或卤素灯工作范围:约4小时，13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)辐照面积:6 x6mm辐照强度:2 nw-2mw

一、概述　　BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针测试原理研制成功的新型半导体电阻率测试器，适合半导体器件厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率、方块电阻（薄层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻、导电薄层电阻，具有测量精度高、范围广、稳定性好、结构紧凑、使用方便、价格低等特点。　　仪器分为电气箱和测试架两大部分，电气箱由高灵敏度直流数字电压表，高稳定、高精度的恒流源和高性能的电源变换装置组成，测量结果由LED数字显示，零位稳定，输入阻抗极高。在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便。测试架分为固定式和手持式两种，探头的探针具有宝石导向，测量精度高、游移率小、耐磨和使用寿命长等特点，而且探针压力可调，特别适合薄片材料的测量。　　二、主要技术指标 　　1.测量范围：　　电阻率：10-3--103Ω㎝（可扩展到105Ω㎝），分别率10-4Ω㎝。　　方块电阻：10-2--104Ω/□（可扩展到106Ω/□），分辨率10-3Ω/□。　　薄层金属电阻：10-4--105Ω，分辨率10-4Ω。　　2.数字电压表： 　　电压表量程为3档，分别是20mV档（分辨率10μV)；200mV档(分辨率100μV)；2V档（分辨率1mV)。电压表测量误差±0.3%读数±1字，输入阻抗大于109Ω。　　3.恒流源：　　恒流源由交流供电，输出直流电流0---100mA连续可调。恒流源量程为5档，分别是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；分辨率对应是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。电流误差±0.3%读数±2字。　　4.测试架：（可选件）　　测试架分为固定和手持两种，可测半导体材料尺寸为直径Φ15--Φ600㎜。测试探头探针间距S=1㎜，探针机械游移率±0.3%，探针压力可调。　　5.显示：3?位LED数字显示0-1999，能自动显示单位、小数点、极性、过载。　　6.电性能：电性能模拟考核误差﹤±0.3%，符合ASTM规定指标。　　7.电源：220V±10%，50Hz或60Hz,功耗﹤30W。　　8.电气箱外形尺寸：440×320×120㎜。　　三、工作原理　　直流四探针法测试原理简介如下：　　（1）体电阻率测量： 　　如图：当1、2、3、4根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体试样上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电压差V。　　材料的电阻率ρ=（V/I）×C （Ω㎝） 3-1　　式3-1中：C为探针系数，由探针几何位置决定，当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，　　C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3）}=2πFSP 3-2　　式3-2中：S1、S2、S3分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离。当S1=S2=S3=1mm时，则FSP=1，C=2π。若电流取I=C时， 　　电阻率ρ=V,可由数字电压表直接读出。　　①、块状和棒状晶体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。　　②、薄片电阻率测量：由于薄片样品厚度和探针的间距相比，不能忽略。测量时要提供样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。　　电阻率值可由下面公式得出：　　ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s) 3-3　　式中：ρ0 为块形体电阻率，W为试片厚度，S为探针间距，G（W/S）为样品厚度修正函数，D(d/s)为样品形状和测量位置修正函数。　　③、方块电阻、薄层电阻测量：当半导体薄层尺寸满足半无限大平面条件时：　　R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) 3-4　　若取I1=4.532I,则R□值可由电压表直接读出。 　　注意：以上的测量都在标准温度(230 C)下进行，若在其他温度环境中测量，应乘以该材料的温度修正系数FT。　　FT=1-CT（T230） 3-5　　式中：CT为材料的温度系数。（请根据不同材料自行查找）　　（2）金属电阻测试：本仪器也可用作金属电阻的测量，采用四端子电流-电压降法，能方便的测量金属电阻R,测量范围从100μΩ---200K　　四、仪器结构 　　本仪器为台式结构，分为电气箱和测试架两大部分。　　【1】电气箱为仪器主要电器部分，电气箱前面板如图4-1所示：

便携式气体检漏仪SP-230 系列SP-230 TYPE SC（用于半导体材料气体）长处・ 一台可测量50种气体，LED显示屏更易于查看！・ 可靠的设计，可在恶劣环境中使用，功能齐全 ・ 可靠的设计，可在恶劣环境中使用，一键访问多种功能 检测方法吸入式/单式检测原理热线半导体检测范围取决于要检测的气体警报类型气体报警器、故障报警器报警动作灯闪烁，蜂鸣器响起防爆类型非防爆结构防护等级IP67 等效等级CE标志EMC指令、RoHS指令权力2 节 AA 碱性电池连续使用时间约13小时（25°C时，无报警，无照明）外形尺寸约 41 （W） × 186 （H） × 38 （D） mm （不包括喷嘴）质量约220g（不含电池）工作温度范围-20°C~+55°C（无突然变化）工作湿度范围95%RH以下（无凝露）检测目标气体AsH3、B2H6、C2H2、C2H2CL2、C2H4、C2H5OH、C2HCL3、C3H6O、C3H8、C4F6、C6H6、C7H8、C8H10、CH2C2F4、CH2CL2、CH3Br、CH3CL、CH3OH、CH4、CO、COS、D2、EDC、EO、GeH4、H2S、H2Se、HBr、HCHO、HCL、i-C4H10、 IPA、MEK、n-C6H14、NH3、PH3、PO、R-134a、R-22、R-245FA、R-32、R-404A、R-407C、R-41、R-410A、SiH4、SO2、tC3H2F4、VCM

SL8804GT-BDT016:半导体材料表面测试系统 检查灯+工业相机 自动化表面检查系统 半导体材料检查灯 大面积表面检查灯SL8804GT简介荧鸿根据市场的需要特别开发出，半自动化表面测试系统：使用专业的检测灯具以及配套的工业相机来放大测试的效果和效率，我们在专业检测表面灯具灯具领域有丰富的经验和掌握核心的技术：我们的表面检查灯每个LED前面通过添加3-4个不同的光学透镜或镜片，通过不同的角度、高度光学透镜和镜片的组合，发出的光源是自然界不存在的光，是人为的制造出的特殊光源，可以满足不同的测试环境和测试要求；配套的工业相识，使用成熟的方案和算法，专业的表面检查灯和配套的工业相机能提高测试效果和效率。 SL8804-BDT016:半导体材料表面测试系统，有SL8804/SL8804-GT绿色（紫外线）专业的表面检查灯和BDT016工业相机组成，半导体检测检测主要使用的是绿色的表面检查灯，所以主要介绍绿色的表面检查灯：平行灯的原理利用适合的LED灯源，通过光学镜片折射出特殊的光源，照在工件表面折射出光路，使得操作员肉眼可识别出工件表面的灰尘、刮痕、毛刺、凹凸、油墨等瑕疵点，取代传统的照明设备和光学系统机台，直接通过照明光线和肉眼，观测出一般玻璃表面、部件表面的瑕疵，极大的节省了一般工厂的采购成本。要用于镜片、液晶玻璃、玻璃、模具、汽车、保护膜、柔性基板、网版丝印等行业。 平行光检测灯采用人眼敏感的光线来做简单与明确的判别，可精确检查到1um以下的刮痕或微粒子，并 且具有白光、黄光、蓝光三种颜色，几乎可检测出所有尘埃，大大降低产品不良率。使用寿命为2万小时以上。光源强度可达90000LX，可以检测1μ的表面脏污，比传统的检查灯，效用增强10倍 产品参数型号：SL8804-GT表面检查灯（桌面式简称--SL8804GT-D 夹式简称--SL8804GT-C）光 源：高亮度的LED和光学镜片； LED平均寿命是30000小时照度：距离30cm → 48000 lx；距离45cm → 31000 lx（我们掌握了核心技术，我们可以提供不同照度的平行灯，它们可满足不同客户的要求）照射面积： 18cm直径的光圈 在40cm的距离调光方式： 手动调整；消耗功率：20 W电源：采用110-220V电源供电（交流供电），可以24小时持续无间断工作。平行光强的稳定性： 90 ％产品尺寸：11.6 * 10.8CM 净重： 0.96KG(不含配件） SL8804GT特点1.窄波段输出2.真正冷光源，100％纯的LED灯3.LED使用寿命高达3万个小时 。4.发黄光和绿光，人眼易感知且又不伤眼5.可精确检查到10um以下的刮痕或微粒子6：可选择不同波段光源： 白光、绿光、黄光 白光：刮伤以及对不同层次的镀膜均匀或微污染有很好的效果。 绿光：微刮伤、粉尘异物、液晶玻璃，70%以上的表面不良都可以被检出。尤其是表面的微刮伤。黄光：微刻模具、半导体晶圆、蓝宝石。对镀膜检查效果不错。 SL8804GT应用镜片、液晶玻璃、玻璃、模具、汽车、保护膜、柔性基板、网版丝印等行业。 BDT016工业相机简介BDT016是配合SL8804检查灯的一款工业相机：HDMI接口彩色相机，1080P高清晰成像，该相机采用了索尼新款的高端CMOS芯片，画面锐利、对焦速度快、帧速达到60FPS。工业相机的作用主要是放大检查灯的测试效果，通过显示屏方便观察；通过专业的表面检查灯和工业相机的组合，可以达到的检测效果，提高了测试的效率和效率。 BDT016技术参数产品型号：BDT016图像传感器：CMOS彩色有效像素：500万像素像元尺寸：1/2.8菜单：全数字UI设计聚焦方式：自动聚焦、一键聚焦、手动聚焦操作方式：无线鼠标操作镜头接口：C/CS型HDR宽动态：可有效抑制强光图像：可倒置、翻转白平衡：手动/自动曝光方式：手动/自动十字线：四组十字线可变色移动显示帧率：1080P@60fps/1080P@50fps扫描方式：逐行扫描电子快门速度：1/50s(1/60s)～1/10000s工作温度：0℃～50℃电源DC：DC5V输出方式：HDMI数字放大：支持存储功能（选配）：支持TF卡存储 BDT016特点◆ 内置自动对焦系统◆ 500万像素◆ TF卡接口实现了图像与视频的存储功能◆ USB接口可连接U盘对程序进行升级◆ 拥有优异的HDR功能◆ 拥有数字放大功能 SL8804GT-BDT016:半导体材料表面测试系统标准配置：有SL8804-GT绿色（或者SL8804紫外线）专业的表面检查灯一套BDT016工业相机组成一套（不包含显示屏）

电器配件抗压试验机/塑料抗压测试仪/半导体材料测试机简介：1，对电器配件、金属材料及复合材料的力学性能的测试以及工艺性能的分析研究。2，根据客户试样要求配上相应的工装夹具，可做拉伸、压缩、弯曲、剪切、撕裂、剥离、顶破、穿刺等试验。3，试验过程中可根据试验力和变形的大小自动变换量程，力、变形数据的动态显示，具有恒速、定荷重、定位移等控制方式。可选择应力-应变、力-伸长、力-时间等多种试验曲线，自动求出材料的最da力值、抗拉强度、屈服点、屈服强度、延伸率等参数。4，试验条件、测试结果、标距位置自动存储，可细微调整移动横梁位置，方便进行标校验,具有过载、过流、过压、过速、欠压、行程等多种安全保护方式。5，试验结束后，可打印批试样报告和单件试样曲线，软件方便可为用户添加特殊的功能模块。可按用户需求输出不同的报告格式,免费软件升级，享受终身服务。6，Win10下控制软件，人机界面友好，已有的测量数据和结果均可储存，分类，查询和打印，并可按用户的要求打印输出报告（或用户提供报告格式）。7，试验完毕后，即可进行试验数据的分析，从而得到试样的抗拉（压）强度，延伸率等力学性能指标。8，该机精度高、量程范围宽、试验空间宽、性能稳定、可靠。各项性能指标都满足我国GB/T16491《电子式wan能试验机》标准。简体中文，繁体中文，英语等多种语言可随即切换。9，软件功能：只要输入样件的各项参数，软件可自动按标准完成实验。10，配置高低温一体恒温箱，使试验在恒温环境下进行。主要特点：u 本机适用范围广泛u 功能强大，满足大部分力学性能试验u 操作方便，任何人皆可轻易操作u 免维护的优质交流伺服电机和伺服器u 精密预载荷滚珠丝杠u 运行平稳，可靠性强，坚固耐用u 测量准确高，通过第三方检测机构认证u 高速率，低振动，低噪音的伺服电机驱动u 多语种应用功能，适应不同的国别使用 u 具有抗拉、抗弯、抗压、抗折、黏著、撕裂、剥离、伸长率… … 等测试模式功能u 具有应力-应变、力量-位移、力量-时间、强度-时间等多种曲线模式u 自动计算最da力、最小力、平均力、最da变形、伸长率、强度等功能u 具有灵活的、曲线图、数据表、报告书查看和打印功能u 具有测试完成后自动返回至测试起始的自动归位功能u 具有机械行程开关；急停开关；过流，过压，欠流，欠压，漏电过载保护；软件过载限位保护；断点停机保护等多重保护装置u 选购：小变形金属引伸计，大变形位移跟踪器拉力试验机应用行业：金属材料、航空航天、粉末冶金、磁性材料、陶瓷制造、橡胶塑料、计量质检、商检仲裁、技术监督部门、高等院校、科研实验所、基础材料实验室、冶金钢铁、机械制造、电子电器、汽车生产、纺织化纤、电线电缆、包装材料和食品、仪器仪表、医疗器械、石油化工、民用核能、能源电池、基础材料、特种材料等领域。

我司具有软件、自动化和机械等整套研发人员，可依据客户需求，完成定制化设备的研发生产。客户在我司定制的第三代半导体材料氮化镓、碳化硅可用的新型快速退火炉，已在上海为客户装机调试完毕，如有需求，欢迎广大客户来电咨询定制氮化镓氮化硅快速退火炉的报价、型号、参数等。设备规格:6英寸快速退火炉；适应于2英寸-6英寸晶圆或者支持150mmx150mm样品；退火温度范围300℃-1400℃；升温速率≦150℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。应用领域:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；化合物合金（砷化镓、氮化物等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；高温退火；高温扩散。

半导体PFA氟塑料焊接变径弯头在现代工业领域的应用越来越广泛，其独特的性能优势在半导体制造、化工、医药等行业中发挥着不可替代的作用。这种变径弯头不仅具有优良的耐腐蚀性能，还能在高温、高压等恶劣环境下保持稳定的性能，因此备受青睐。　　在半导体制造过程中，精确控制材料的纯度和稳定性至关重要。半导体PFA氟塑料焊接变径弯头以其卓越的化学稳定性和低渗透性，能够有效地防止杂质和污染物的侵入，确保半导体制造过程的纯净度。同时，其良好的热稳定性和机械性能使得它能够在高温、高压等极端条件下保持稳定的运行，大大提高了生产效率和产品质量。　　此外，半导体PFA氟塑料焊接变径弯头还具备优良的耐磨性和抗疲劳性能，能够长期承受流体冲刷和机械振动等外部力的作用，延长了设备的使用寿命。这种变径弯头的设计灵活多变，可以根据不同的工艺需求进行定制，满足各种复杂的工艺流程要求。　　随着科技的不断进步和工业的快速发展，半导体PFA氟塑料焊接变径弯头的应用领域还将进一步拓展。未来，这种高性能的管道元件将在更多领域发挥重要作用，为工业生产提供更为安全、高效、环保的解决方案。　　总之，半导体PFA氟塑料焊接变径弯头以其独特的性能优势在现代工业中占据了重要地位。随着技术的不断创新和应用领域的不断拓展，相信这种高性能的管道元件将为我们带来更多的惊喜和突破。

1 产品概述: 半导体烘箱是一种专门用于半导体芯片、电子元器件等材料进行热处理的设备。它通过高温加热的方式，对半导体芯片进行烘干、固化、烘焙等处理过程，以提高半导体芯片的性能稳定性和可靠性。半导体烘箱采用先进的温度控制系统和加热技术，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，确保半导体芯片在热处理过程中不受损害。2 设备用途：半导体烘箱的主要用途包括：半导体芯片制造：在半导体芯片制造过程中，烘箱用于烘干、固化和烘焙芯片，以提高芯片的稳定性和可靠性。电子元器件处理：对于电子元器件，如LED封装、印刷电路板等，半导体烘箱可用于去除水分、气体，保证元器件的质量稳定性和寿命。热处理实验：在科研和实验领域，半导体烘箱也常用于烘烤、老化实验，检验电子元气件、仪器仪表等材料在温度环境下的性能指标。3 设备特点半导体烘箱的特点主要体现在以下几个方面：高精度温度控制：半导体烘箱具备高精度的温度控制系统，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，通常误差小于1℃，确保热处理过程的稳定性和可靠性。先进加热技术：采用不锈钢加热管等高效加热元件，加热速度快，热效率高，且使用寿命长。多种送风方式：部分高端半导体烘箱采用独特的水平+垂直送风相结合的强压鼓风循环系统，使温度更加均匀，提高热处理效果。 4 技术参数和特点：1. 含氧控制：500PPM以内 2. 温度范围：Room temp. +20~500℃3. 控温精度：±1.0℃4. 温度均匀性：±2.5%℃5. 升温时间：RT~ 500℃≤60min

FT-352导体材料高温电阻率测试系统一、概述：采用由四端测量方法测试电阻率系统与高温试验箱结合配置专用的高温测试探针治具，满足半导体及导体材料因温度变化对电阻值变化的测量要求，通过先进的测控软件可以显示出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线，是检验和分析材料质量的一种重要的工具。导体材料高温电阻率测试系统二、适用行业：广泛用于：生产企业、高等院校、科研部门对导体材料在高温下电阻率数据的测量.三、功能介绍：液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.导体材料高温电阻率测试系统四、技术参数资料一、电阻测量范围： 1、电阻率： 1×10-8～2×106Ω-cm 电 阻：1×10-8～2×106Ω电导率：5 ×10-6～1×108ms/cm分辨率： 最小0.1μΩ 测量误差±（0.05%读数±5字） 2、测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV 3、⑴电流输出：直流电流 0～10000mA 连续可调，由交流电源供电。 ⑵量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,10A量程可自动转换或者人工设定. ⑶误差：±0.2%读数±2字4. 主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm5、显示方式：液晶显示6、电源：220±10% 50HZ/60HZ 10. 温度： 1200℃可调节；冲温值：≤1-3℃；控温精度：±1°C11、升温速度：9999分钟以内自由设定,一般10分钟内即可升到900℃；功率：3kw.12、炉膛材料：采用复合陶瓷纤维材料，具有真空成型，高温不掉粉的特征。13、带PC测试软件，USB通讯接口，软件界面同步显示、分析、保存和打印数据！14.选购：电脑和打印机

1. 产品概述：MCF 的半导体研磨抛光机是用于半导体材料表面处理的关键设备。它通过机械研磨和化学抛光的协同作用，能够对半导体晶圆等材料进行高精度的平坦化处理，有效去除表面的瑕疵、划痕和不均匀层，以达到半导体制造过程中对材料表面质量的严苛要求。例如，可对硅晶圆、砷化镓晶圆等进行研磨抛光，为后续的光刻、蚀刻、薄膜沉积等工艺步骤创造理想的表面条件。2. 设备应用： 半导体制造：在半导体芯片的生产过程中，对晶圆进行研磨抛光是必不可少的环节。该设备可用于晶圆的初始表面处理，使其达到高度的平整度和光洁度，以便后续的电路图案制作；也可用于芯片制造过程中的中间阶段，对晶圆进行局部或全面的抛光，以改善电学性能和提高芯片的成品率。例如在逻辑芯片和存储芯片的制造中，都需要高精度的研磨抛光来确保芯片的质量和性能。 光电领域：用于制造光学元件，如激光器中的半导体激光芯片、光学传感器中的敏感元件等。通过对这些半导体材料进行精细的研磨抛光，可以提高光学元件的透光率、折射率均匀性等性能指标，从而提升整个光电系统的性能。 科研领域：为高校和科研机构的半导体材料研究提供有力的实验工具。科研人员可以利用该设备探索不同的研磨抛光工艺参数对半导体材料性能的影响，开发新的半导体材料和工艺技术。3. 设备特点： 高精度加工：能够实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度控制，确保半导体材料表面的平整度和光洁度达到极高的标准，满足半导体制造对表面质量的苛刻要求。 工艺灵活性：可适应多种半导体材料，如硅、砷化镓、碳化硅等，并且针对不同材料和应用场景，能够灵活调整研磨抛光的工艺参数，如研磨压力、转速、抛光液配方等，以实现最佳的加工效果。 可靠的性能：具备稳定的机械结构和先进的控制系统，确保设备在长时间运行过程中保持高精度的加工性能，减少设备故障和停机时间，提高生产效率。 先进的监控系统：配备实时监控功能，能够对研磨抛光过程中的关键参数，如温度、压力、转速等进行实时监测和反馈，以便操作人员及时调整工艺参数，保证加工质量的稳定性。 易于操作和维护：具有人性化的操作界面，使操作人员能够方便快捷地进行设备操作和参数设置。同时，设备的维护保养也相对简便，降低了设备的使用成本和维护难度。4. 产品参数：1. 抛光盘规格：380mm 2. 陶瓷盘规格：139mm 3. 抛光头数量：2 4. 抛光盘转速范围：0~ 70RPM5.摆动幅度：±5mm实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

1 产品概述： 化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其独特的高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。2 设备用途：化合物半导体沉积系统的主要用途包括：晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。 精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。多功能性： 多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。 多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。高温与低温兼容性： 高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。 低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。高效与自动化： 高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本。 自动装载与卸载：部分设备配备自动卫星装载系统，实现样品的自动装载与卸载，提高操作便捷性。4 设备参数：用于在 150/200 mm 衬底（Si/Sapphire/SiC）上进行高级 GaN 应用 间歇式反应器的成本优势与单晶圆反应器独特的轴对称晶圆上均匀性相结合，在以下方面：o Wafer Bow （威化弓）o 层厚、材料成分、掺杂剂浓度o 组件产量暖吊顶通过晶圆提供最低的热通量o 由于垂直温度梯度最小，晶圆曲率最小o 允许使用标准厚度的硅晶片通过客户特定的衬底腔设计优化晶圆温度配置8x150 毫米5x200 毫米

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

1 产品概述：化合物半导体沉积系统是一种高度专业化的设备，主要用于在特定衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜。这些薄膜在电子、光电、微波通信等领域具有广泛的应用。该系统通常集成了多种先进的沉积技术，如化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）等，以满足不同材料和工艺的需求。2 设备用途： 化合物半导体沉积系统的主要用途包括：薄膜沉积：在硅、蓝宝石、碳化硅等衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。器件制造：用于制造高频、高速、高功率的化合物半导体器件，如射频功率放大器、微波器件、LED等。材料研究：支持新材料的研究与开发，包括新型化合物半导体材料的探索与性能验证。工艺优化：通过精确控制沉积参数，优化薄膜的结晶质量、成分、厚度等，提高器件的性能和可靠性。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：1 高精度与可重复性：采用先进的沉积技术和精密的控制系统，确保薄膜的厚度、成分、结晶质量等关键参数具有高精度和可重复性。2 多工艺兼容性：支持多种沉积工艺，如CVD、PVD、ALD等，可根据具体材料和工艺需求进行选择和优化。3 高度自动化：系统集成度高，自动化程度高，能够实现从衬底预处理、沉积过程到后处理的全程自动化控制，提高生产效率和产品质量。4 广泛的材料适应性：可适用于多种化合物半导体材料的沉积，包括但不限于GaN、GaAs、InP等，满足不同应用领域的需求。5 高效能：沉积速率快，生产效率高，同时能够保持较低的能耗和成本。4 设备参数：1、可用反应器容量：42x2 英寸/11x4 英寸/6x6 英寸 2、最高的晶圆吞吐量和快速的循环时间3、通过提高均匀性和工艺稳定性实现最大生产量4、提高生产率

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

半导体制冷器件的优点是没有滑动部件，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性比较高。为了达到更高的制冷效果，我公司这款半导体制冷器件均采用大功率手焊器件，尺寸为170*75*21mm三级制冷，降温速度快，稳定控制精度高，主要应用在生产，科研，大专院校、工厂企业等部门低温实验的应用，是理想的低温试验器件．并可为您定做特殊需要的异型产品。希望我们的产品能满足您的需要。欢迎新老客户来电咨询洽谈！

产品名称：半导电橡塑材料体积电阻率试验仪产品型号：ZKGEST-125满足标准：GB_T3048.3-2007电线电缆电性能试验方法_第03部分：半导电橡塑材料体积电阻率试验GB/T 15738-2008 导电和抗静电纤维增强塑料电阻率试验方法GB/T 15662-1995 导电、防静电塑料体积电阻率测试方法GB/T2439-2001硫化橡胶或热塑性橡胶 导电性能和耗散性能电阻率的测定产品概述：半导电橡塑电阻测试仪主要用于测 量电缆用橡胶和塑料半导电材料中间试样电阻率以及各种导电橡塑产品电阻，也可使用四端子测试夹，对金属导体材料及产品的低、中值电阻进行测量。仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源，测量结果采用LED数字直接显示，分为3个窗口：电压显示窗口，材料厚度显示窗口（用户根据实测输入），电阻率显示窗口。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于电缆厂、导电橡塑材料厂、计算机厂、电子表厂、高等院校、科学研究等部门，对于导电橡塑材料及产品的电阻性能测试、工艺检测，是必需的测试设备。 仪器主要技术指标： 一、测量范围：测量半导电电阻率时： 电阻率10-4--105Ω-cm；分辩率10-6Ω-cm测量其他（电线电缆）电阻时： 电阻10-4--2X105Ω，分辨率1uΩ二、 数字电压表：1． 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V2． 测量误差 2mA档±(0.5%读数+8字)；20mV—2V挡±(0.5%读数+2字)3． 显示4 1/2 位数字显示0—19999具有极性和过载自动显示，小数点、单位自动显示。三、 恒流源：1． 电流输出：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA．2. 电流误差：±(0.5%读数+2字)四、 测量电极：1、电极材质：测试电极-黄铜，支架-不锈钢2、电极与试样接触宽度：5mm 3、电极与试样接触压力：0.6N五、试样要求：1、试样宽度：（10±0.2）mm 长度：（70-150）mm 推荐厚度：（3-4）mm,试样任何一点的厚度余平均值的差不得大于5%。2、试样数量：3个 六、电源要求：1、220±10% 50HZ或60HZ 功率消耗50W

普泰克主要经营恒温循环器/冷水机/低温恒温器/低温冷却液循环泵/（生物）低温恒温循环泵/超低温恒温器/超高温恒温器/工业级冷水机 /冷却水循环器 /超高温工艺过程恒温器/工艺过程恒温器/冷却水循环机/大功率循环冷却器/高低温动态温度控制系统/加热制冷循环器/动态温度控制系统/油浴循环器/低温恒温器 /加热制冷循环器/工艺过程恒温系统/高精度恒温器/TCU温度控制/实验室冷阱/投入式制冷器/动态温度控制系统/工业级冷水机 /半导体温控/反应釜温控/汽车温控/加热制冷恒温器 /制冷加热一体机/制冷加热循环装置/制冷加热设备/制冷加热循环机/高低温循环泵价格 /密闭高低温一体机/高品质低温冷冻机 /优质密闭低温冷冻机/低温冷冻机产品参数/精准控温高低温循环器/全封闭小型高低温循环装置 /微型高低温冷却循环器 /低温制冷循环器/加热循环器/制冷加热控温系统/低温冰机价格/半导体晶圆温度控制/样品冷热台高低温设备/冷热恒温一体机/高精度动态温度控制系统/半导体冷却加热恒温一体机/冷热源动态恒温控制系统/动态温度控制恒温循环器/精密冷水机/精密型冷水机/双温半导体冷水机/半导体冷水机/半导体冷却一体机/半导体制冷冷水机/半导体风冷式冷水机/半导体芯片测试冷水机/芯片半导体专用冷水机/恒温恒流恒压冷水机/半导体致冷冷水机/SMC国产替代水冷机/气体冷却机/气体温控设备/气体温度控制设备/冷气制冷机/气体冷却器/晶圆气体冷却设备/半导体测试国产替代温控设备/汽车行业温控设备/新能源行业温控设备/测试分选机高低温设备/电源模块及组件测试台/汽车冷却液循环泵(CCP)性能测试台/ECP电子元件性能试验台/新能源电池性能测试台/汽车热管理系统温度控制单元/汽车热管理系统温度控制系统/喷油器性能测试台/转换器 / 逆变器性能测试台/汽车无线电充系统性能测试台/液体冷却设备/液体冷却器/外部温度控制循环器/高低温一体机加热制冷温控系统/超低温气体制冷机/医疗设备气体制冷机/医用恒温、恒压、恒流功能制冷机/制冷型低温制冷机/冷水机厂家/半导体温控厂家/汽车温控厂家

半导体激光模块 新势力光电供应半导体激光模块，波长：405nm、445nm、635nm/638nm、650nm。该系列半导体激光器具有效率高、可靠性好、结构紧凑、寿命长、免维护的特点，广泛应用于：生物医疗、数据存储、材料检测、科学研究、OEM系统集成。ModelLDM-405LDM-445LDM-635/638LDM-650Wavelength405± 5nm445± 5nm635± 5nm650± 5nmSpatial modeNear TEM00Near TEM00MultimodeMultimodeOutput power10, 20, ..., 200mW100, 200, 500, 1000mW200, 500, 800mW250, 500, 900mWHigher power could be available upon requestOperation modeCW or ModulationBeam diameter (1/e2)4.0mm2x4mm4.0mm5.0mmBeam divergence0.5mrad3x0.5mrad2mrad1.5 or 3mradPower stability3% per 4 hrs3% per 4 hrs3% per 2 hrs3% per 2 hrsWarm up time2minsOperating temp.20-30℃Storage temp.10-50℃Lifetime10000 hours10000 hours5000 hours5000 hours相关商品半导体激光二极管 光纤耦合激光二极管 皮秒半导体激光器 DPSS激光器

使用 4200A-SCS参数分析仪（参数测试仪）加快各类材料、半导体器件和先进工艺的开发，完成制程控制、可靠性分析和故障分析。4200A-SCS是业内性能领先电学特性参数分析仪，提供同步电流电压曲线测试 (I-V曲线测试)、电容-电压曲线测试 (C-V曲线测试) 和超快脉冲 I-V曲线测量。

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

产品简介“半导体恒温箱”是专门为高低温环境提供高精度和高稳定度的温控产品。平台采用半导体TEC作为控温器件，半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无污染、既可制冷又可加热等特点，是可持续发展的绿色产品。产品智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。产品配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸图

半导体推拉力试验机主要用于各种金属、非金属及复合材料的拉伸、压缩、弯曲、剪切、剥离、撕裂等力学性能指标的测试。系统采用微机闭环控制，具有宽广准确的加载速度和测力范围，对载荷、位移的测量和控制有较高的精度和灵敏度。该设备适用于金属材料、复合材料、胶粘剂、管材、型材、复合材料、石油化工、防水卷材、电线电缆、纺织、纤维、橡胶、陶瓷、食品、包装材料、土工布、薄膜、木材、纸张等制造业以及各级产品质量监督部门，同时还适用于大中专院校进行教学演示工作。试验机主机的设计具有外形美观、操作方便、性能稳定可靠的特点，无污染、噪音低、效率高。符合标准：GB 13022、GB 8808、GB 1040、GB 4850、GB 7753、GB 7754、GB 453、GB/T 17200、GB/T 16578、GB/T 7122、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、ASTM E4、ASTM D828、ASTM D882、ASTM D1938、ASTM D3330、ASTM F88、ASTM F904、ISO 37、JIS P8113、QB/T 2358、QB/T 1130半导体推拉力试验机技术参数：1、 规格：QJ2102、 精度等级：0.5级3、 负荷：2500N(2500N以内力值任意换)；4、 有效测力范围：0.2/100-100 5、 试验力分辨率，负荷50万码；内外不分档，且全程分辨率不变。6、 有效试验宽度：150mm7、 有效试验空间：300mm8、 试验速度:0.01~1000mm/min（标准为300mm）9、 速度精度：示值的±0.5%以内；10、位移测量精度：示值的±0.5%以内；11、变形测量精度：示值的±0.5%以内；12、试台升降装置：快/慢两种速度控制，可点动；13、试台安全装置：电子限位保护14、试台返回：手动可以速度返回试验初始位置，自动可在试验结束后自动返回；15、超载保护：超过负荷10%时自动保护；16、电机： 200W17、尺寸：长430×宽315×高855mm18、主机重量：40kg三、公司承诺：1.购机前，我们专门派技术人员为您设计的流程和方案2.常年供应设备的易损件及耗品，确保试验机能长期使用3.购机后，将免费指派技术人员为您调试安装4.整机保修一年，产品终身维护

随着半导体技术的不断发展，半导体清洗设备在微电子制造领域扮演着至关重要的角色。其中，PFA直通穿板接头作为半导体清洗设备的关键配件，其性能与品质直接影响到整个设备的清洗效果和运行稳定性。　　PFA直通穿板接头以其独特的材质特性和设计优势，在半导体清洗设备中得到了广泛应用。它采用高纯度PFA材料制造，具有出色的耐腐蚀性和耐高温性，能够在各种恶劣环境下稳定运行。同时，其直通式设计使得流体在接头内部流动更加顺畅，降低了流体阻力，提高了清洗效率。　　此外，PFA直通穿板接头还具有优良的密封性能。接头内部采用精密的螺纹设计和高质量的密封材料，确保在高压、高温条件下仍能保持良好的密封效果，有效防止了清洗液泄漏的问题。这不仅保证了清洗过程的稳定性，也降低了对周围环境的污染风险。　　在半导体清洗设备中，PFA直通穿板接头通常用于连接清洗设备的各个部件，如清洗槽、过滤器、泵等。它能够在不同部件之间建立稳定、可靠的流体通道，保证清洗液在设备内部循环流动，实现对半导体产品的有效清洗。　　然而，随着半导体技术的不断进步，对清洗设备的要求也越来越高。为了满足更高的清洗效果和更严格的品质要求，PFA直通穿板接头也在不断地进行技术创新和升级。例如，通过优化接头设计、提高材料纯度、加强密封性能等方面的改进，可以进一步提升接头的性能和使用寿命。　　总的来说，PFA直通穿板接头作为半导体清洗设备的关键配件，其重要性不言而喻。在未来，随着半导体技术的持续发展，我们有理由相信，PFA直通穿板接头将在半导体清洗设备中发挥更加重要的作用，为微电子制造领域的发展贡献更多的力量。

半导体变径直通PFA厚管接头，作为半导体行业中的重要元件，以其独特的性能和广泛的应用领域，正逐渐受到业界的广泛关注。这种接头不仅具有优异的耐腐蚀性、耐高温性和良好的绝缘性能，而且其变径直通的设计使得管道连接更加灵活方便，大大提高了工作效率。　　在实际应用中，半导体变径直通PFA厚管接头被广泛用于各种高纯度、高洁净度要求的管道系统中。无论是用于输送高腐蚀性液体，还是用于连接高温环境下的设备，这种接头都能展现出其卓越的性能。同时，其良好的绝缘性能也使其在半导体设备的电气连接中发挥着重要作用。　　然而，随着半导体技术的不断发展，对半导体变径直通PFA厚管接头的性能要求也在不断提高。为了满足这些需求，制造商们正在不断研发新的材料、工艺和技术，以提高接头的性能和使用寿命。　　除了技术方面的进步，半导体变径直通PFA厚管接头在应用领域也在不断拓展。未来，随着新能源、环保等领域的快速发展，这种接头有望在更多领域得到应用。例如，在太阳能光伏产业中，由于需要使用高纯度、耐腐蚀的材料来构建电池板和组件，半导体变径直通PFA厚管接头有望发挥重要作用。　　综上所述，半导体变径直通PFA厚管接头作为半导体行业中的重要元件，其性能和应用领域都在不断发展和拓展。我们有理由相信，在未来的发展中，这种接头将继续发挥重要作用，为半导体行业的进步和发展贡献力量。

分子束外延系统MBE 可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。 分子束外延系统MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 项目 参数 极限真空 离子泵 8.0×10-9Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。