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OXFORDINSTRUMENT SThe Business ofScience@Oxford Instruments 2019 半导体制造解决方案 Power Semiconductors 制造解决方案 高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积 (ALD)技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺，提高了器件的能效。ALD 工艺通过出色的钝化减少了GaN/AlGaN 器件中的阈值电压漂移。 通过牛津仪器 GaN 和 SiC 蚀刻工艺完成的侧壁质量优良、损伤很小、性能优秀。 半导体激光器制造解决方案 高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积 (ALD) 技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺，提高了器件的能效。ALD 工艺通过出色的钝化减少了GaN/AIGaN 器件中的阈值电压漂移。 牛津仪器 GaN 和 SiC 蚀刻工艺完成的侧壁质量优良、损伤很小、性能优秀。 激光器应用广泛，包括提升通信速度、通过 LiDAR 实现自动驾驶等。长期以来，牛津仪器一直从事激光二二管ⅢI-V材料的工艺研发，例如：AlGaN 和 InP 等材料。无论何种材料，最终的过程控制都至关重要。 Power Semiconductors 制造解决方案高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积（ALD）技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺，提高了器件的能效。ALD 工艺通过出色的钝化减少了 GaN/AlGaN 器件中的阈值电压漂移。 通过牛津仪器 GaN 和 SiC 蚀刻工艺完成的侧壁质量优良、损伤很小、性能优越。半导体激光器制造解决方案高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积 (ALD) 技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺，提高了器件的能效。 ALD 工艺通过出色的钝化减少了GaN/AlGaN 器件中的阈值电压漂移。 牛津仪器 GaN 和 SiC 蚀刻工艺完成的侧壁质量优良、损伤很小、性能优越。激光器应用广泛，包括提升通信速度、通过 LiDAR 实现自动驾驶等。长期以来，牛津仪器一直从事激光二极管 III-V 材料的工艺研发，例如：AIGaN 和 InP 等材料。无论何种材料，最终的过程控制都至关重要。
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牛津仪器科技（上海）有限公司为您提供《半导体中制造检测方案(镀膜机)》，该方案主要用于其他中制造检测，参考标准《暂无》，《半导体中制造检测方案(镀膜机)》用到的仪器有牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备、牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统、牛津仪器Ultim Extreme无窗超级能谱、牛津仪器全功能视频级成像原子力显微镜Cypher VRS、牛津仪器TritonXL无液氦稀释制冷机。
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