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【已应助】求助三篇英文文献，谢谢

andylool

2010/12/28

文献检索－互助

【序号】：1
【作者】：Taishi, T; Huang, XM; Kubota, M, et al.
【题名】：Heavily boron-doped silicon single crystal growth: Boron segregation
【期刊】：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
【年、卷、期、起止页码】：卷: 38 期: 3A    页: L223-L225 出版年:MAR 1 1999
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/38/L223/

【序号】：2
【作者】：Hoshikawa, K; Huang, XM; Taishi, T, et al.
【题名】：Dislocation-free Czochralski silicon crystal growth without the dislocation-elimination-necking process
【期刊】：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
【年、卷、期、起止页码】：卷: 38 期:12A       页:L1369 -L1371 出版年: DEC 1.1999
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/38/L1369/

【序号】：3
【作者】： Yonenaga, I; Taishi, T; Huang, X, et al.
【题名】：Dynamic characteristics of dislocations in highly boron-doped silicon
【期刊】： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
【年、卷、期、起止页码】：卷: 89  期:10    页: 5788-5790 出版年: MAR 15 2001
【全文链接】：http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v89/i10/p5788_s1?isAuthorized=no

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灰米奇

第1楼2010/12/28

请楼主仔细阅读版规，积分小于200每日第二帖必须悬赏求助，须从帖子右上角管理-转换成悬赏帖！但你积分几乎无，首次版规学习，下不为例了～

0

知而後行

第2楼2010/12/28

1ok_1ok

0

分
该帖子已被版主-灰米奇加6积分，加2经验;加分理由:参与应助

知而後行

第3楼2010/12/28

2ok_2ok

0

知而後行

第4楼2010/12/28

3ok_3ok

0

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