【讨论】谁可以谈谈SIMS的定量分析和校准

深度剖析的时候，横坐标的溅射时间如何校准成深度信息？

这个是分析完之后，去除样品测量深度之后，再与时间换算的吧。

恐怕这样不可以吧。
你的意思是假设溅射花了1000s，样品总厚度是10um，那么横坐标每秒就代表0.01um？
溅射的速率是稳定的吗？毕竟这试样每一层的成分不同，设备的条件也不会一直稳定吧。
只是个人意见

据说cameca的设备里附加里直接测量深度的附件，可以直接测量。我的是ion tof-sims，做深度剖析的时候，只能是分析完之后到别的设备上测量深度，再与时间换算。无法考虑溅射速率，只能大概了。

二次离子的产额与什么关系最大？原子序数越大，是不是同样条件下越难跑出来？

这当然是与原子的第一电离能有关吧，SIMS是靠一次离子去轰击原子，一次离子的能量一般是几个到几十个keV。

书上这么说的：溅射过程中元素的离子产率一般经验是：碱金属，碱土金属和三价金属的正离子产率γ+很高，卤素，柳属元素和第一第二副族元素的γ+很低。负离子谱恰好相反。

其中可以用LTE模型（局部热模型）可以做出合理的半定量预测

各元素的比例可以根据曲线的值去计算吗？

不可以，出来的二次离子很少，可能5%左右，使用SNMS根据各元素的比例来计算大概定量

如何用SIMS做定量分析？

用SNMS应该可以，sims我还不知道

另外，做深度剖析的时候，横坐标的溅射时间如何校准成深度信息？
拿出来测量之后，与时间换算。 因为电子的能量特别高，二次离子的其它影响都可以忽略了。

二次离子的产额与什么关系最大？原子序数越大，是不是同样条件下越难跑出来？

产额与什么关系最大，我也不清楚呢。 原子序数越大，越难跑出来，这个因为溅射电子的能量特别高，所以可以忽略。

您说的这个规律应该和我得到的结构相符了，谢谢！但其实产率和很多因素有关，所以我不用SIMS定量了，不准。尝试了一下XPS，结果还可以接受，比SIMS准一些。

ION-TOF 和 Cameca的理论计算差别很大。SIMS受matrix影响很大。
样品深度可以用Excel调整后重新plot