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当前位置： 仪器社区 >X射线仪器 > X射线衍射仪（XRD） > 帖子详情

关于形成碳化钨

  • junjun8xuhao
    2011/06/28
    • 私聊

X射线衍射仪（XRD）

  • 赏
  • 悬赏金额:20积分状态:未解决
  • 在Si基底上预溅了一层W，然后在W层上面沉积了一层碳纳米管薄膜，经700~900度，1~2h真空退火后，仍然没有检出有碳化物(WC、W2C)形成。

    请问退火温度和时间应该在多少才能让碳纳米管中的C和底下的W层形成碳化钨呢？

    有这方面的专家吗
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    +关注 私聊

  • 金水楼台先得月

    第1楼2011/06/30

    你提高温度。做个实验啊。

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    +关注 私聊

  • iangie

    第2楼2011/07/01

    应助达人

    楼主, 这问题你得去找相关文献看了......
    Tungsten Carbide 超硬, 我不相信1000度以下能烧成...可能薄膜比较特殊吧....

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    +关注 私聊

  • frankwang2005

    第3楼2011/07/01

    正常WC的形成温度应该在1300~1400度左右
    按你们现有的处理温度,在处理前应该将W粉进行球磨活化(需要研磨约50H)

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  • 分
  • 该帖子已被版主-iangie加5积分，加2经验;加分理由:欢迎, 常来XRD啊~
    +关注 私聊

  • junjun8xuhao

    第4楼2011/07/04

    那再请问一下 碳和铬要形成铬碳化物是要在多少温度下？

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