如何解释ICPMS调谐中，当Smpl depth增加,氧化比与双电荷降低？谢谢

应助达人

这些最基本的问题，先抓抓机器，不同品牌间也有不少差别的呢。
另外就是有合适的机会多看看书。听老司机讲，下面这本书不错。

谁看过这本书 怎么样啊？

非常感谢楼主，这些内容非常有用，谢谢

氧化比，双电荷 主要还是会对被测物质产生干扰，
采样深度的话，个人想法 可能就是因为 增加了样品在等离子体的停留时间，更有效解离

采样深度，可以控制样品在等离子体中的停留时间 ，通过增大采样深度来提供较长的时间供基体较高的样品进行解离。解离的程度会对氧化物和双电荷产生影响。采样深度跟RF的功率和要分析的样品元素有关。氧化物是指产生氧化物的百分比，双电荷是指产生二次电离的百分比，这两者都是干扰物，ICP-MS是通过质荷比来采积信号的，因此氧化物会在质量数上增加16，双电荷会在质量数上减半，进而对要测的对应元素产生干扰。这两个数越小越好。

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