在透射电镜下未观察到位错，所以样品中一定没有位错

应助达人

未观察到XXX位错！句子不够完整，缺宾语补语。

位错的显现是需要合适的观察条件的，没看到，只能说明在当时的实验条件下没有合适的位错显现出来，不等于一定没有位错。

位错成像是需要特定的g矢量才行，比如螺位错，如果g1点乘b等于零，位错是不可见的，但若g2点乘b不等于零，位错就可见了！但我有一个问题，HAADF下材料中的位错都可见吗？位错成像原理是什么？

应助达人

其实除非部分二维材料，或者小尺度的晶粒和不容易产生位错的析出相，不然都有位错啊！科学研究只能证明其有，证明其没有的东西，基本都是扯淡????

如果没有就再好好找找，肯定能找的到

这句话是不严谨的
首先需要明确TEM观察到的是局域信息，因此只能说明观察区域没有发现位错。需要这么理解
1） 需要取决于样品（或者块体材料）的位错密度。例如对于一个高温退火的SrTiO3单晶样品而言，其块体位错密度大约在10^6或者7 每平方厘米左右 （0.01 或者0.1 每平方微米）。这样一个位错密度在TEM下基本上是看不到的。更合适的鉴别是用适当溶液（如盐酸）进行腐蚀，然后再光学显微镜下数etching pits。
2) 需要仔细确认TEM下该区域没有位错。比如位错线正好处在端视模式下形成了一个点，比较容易忽略。位错如果为纯螺型位错，也不会反映在晶格像上。因此需要综合倾转实验或者应变衬度等多种信息加以确定。

学习了，以前一直没考虑过位错密度的问题

HAADF 下位错或者位错线的衬度是不太明显的，这跟它的成像机理有关，毕竟主要是Z衬度（同时受到厚度变化的影响）。
对于倾斜的位错线，即位错线非端视模式，此时位错线会与样品上下表面有2个交接点（这里假设上表面是电子的入射面，下为出射面）。在大多数情况下，HAADF能清晰分辨出上表面（入射面）交接处的位错核心结构（主要指刃型分量），但是下表面（出射面）的交接则基本上很难。这是由于HAADF对处于（接近）入射面的细节更为敏感造成的。如果样品充分薄，则两者应该都有可能（未验证）。
对于HAADF，一般而言，位错核心区域更多的呈现暗衬度，这可能一方面跟位错核心往往成分有变化有关。
推荐结合BF 或者LAADF + HAADF一起研究位错区域，应变衬度在低角更为明显