如果保证计算最佳欠焦所用的参数跟真实值吻合，并且看到的0.14nm细节不是噪音。那就是电子显微学的重大理论或者技术突破，必然要青史留名了。
我记得有种说法，在高倍，用会聚光拍照片，能提高分辨率，但我忘了是怎么解释的了。呵呵

在最佳欠焦附近不可能，因为只有点分辨率之内的信息才可以直接解释，要解释高频结构信息必需做图像处理。

或者把实验参数和照片发上来看看？眼见为实

可以用ctf反算一下这些高角度点的强度再把他们和背地的噪音强度比较一下就明白了.

是的
有可能存在电子通道效应（channeling effect），这种非线性效应可以使得细节更清楚从而分辨出dunbbell，但是这个不能说电镜的点分辨本领提高。
值得注意的是在一般的HRTEM中，非线性效应是尽量避免的，因为高分辨图像不好解释。这也就是为什么我不能使用最佳欠焦附近的参数模拟出高分辨图像的原因吧。

大家看看合理否？

通道效应主要影响电子散射的角分布，高分辨像是散射电子的想干成像，二者之间恐怕没有直接联系。要证明它对图像分辨率有影响，要有相关的论证，否则很难令人信服。
模拟不出来，可能还是参数不合适。仪器上显示的数据未必是真实值，球差系数可能随使用时间发生变化，跟物镜电流也有关系，实际的欠焦值可能也不是屏幕上显示出来的那个数字。如果你的图像是数码文件，做个FFT，看看能不能找到上面的非晶层漫散射，从那里估算一下你的欠焦是不是真的跟最佳欠焦很接近。

channelling effect和nonlinear imaging是两回事，channelling effect只决定了极限分辨率。唯一避免nonlinear imaging的方法就是薄样品和轻原子，这可以通过extinction length估计出来。如果出现了nonlinear imaging，成像不受信息极限限制。
一般还是做系列欠焦，看在那些条件下图像可能吻合。

给大家讲得详细点吧。比如通道效应如何对图像分辨率产生影响？非线性成像究竟为什么叫非线性，为什么不受信息极限的限制？
我们要问一，答二，知三，提出一个问题，学到更多知识。

个人粗浅理解，与大家交流一下
对于一个完美的成像系统（无像差，无diffraction limit等），我们得到的HRTEM等于出射波的强度，强度峰宽是由原子散射能力，ordering，orientation等决定的，因此最后成像分辨率总有个上限。这方面van Dyck做过一些讨论(1s state electron channelling model），不过因为这与成像系统毫无关系，因此意义不大
按照高分辨线性成像理论，如果透射束远远强于衍射束，则衍射束相互作用可以忽略，最后成像强度正比于透射束，衍射束与PCTF的乘积。但是一般情况下，线性成像条件很难完全满足，就要考虑衍射束的相互作用，该部分强度由mutual dynamic transfer function调制，理论推导结果表明该部分强度贡献的包络函数比线性成像的包络函数下降的要慢的多，因此能够传递更多的信息。
对于传统无像差校正的电镜，即使线性成像条件无法满足，其非线性成像贡献仍然很小，原因不明（个人猜测是因为其像差相位移过快导致非线性成像部分迅速变成无用“背底”信息）。而对于像差校正电镜，非线性成像会与原子位置很好的对应上（某些条件下），因此可用于衬度增强，比如贾春林他们通过negative Cs方法看到氧原子，就是通过非线性成像增强了氧原子的衬度。