我来补充两个文献，一个是Van Dyck讲通道效应影响的，另一个是贾春林解释非线性成像的。严重感谢一下iamikaruk。与时俱进呀，与时俱进
channelling in HRTEM
nonlinear imaging in Cs-corrected HRTEM

呵呵，不是特别清楚

如果是使用200KV场发射透射电镜，配备UHR极靴(点分辨率0.19纳米，Cs=0.5mm),得到Z衬度像，可以观察到0.136纳米的Si的dumbbell图像。
因为Z衬度像是非相干像，根据非相干像分辨率公式：d=0.43Cs1/4λ3/4
其比相干条件下的点分辨率要高。

一直都在找贾春林的这篇文献，实在是太感谢了！

drizzlemiao 发表:我来补充两个文献，一个是Van Dyck讲通道效应影响的，另一个是贾春林解释非线性成像的。严重感谢一下iamikaruk。与时俱进呀，与时俱进
channelling in HRTEM
nonlinear imaging in Cs-corrected HRTEM

通道效应是Van Dyck学派解释高分辨像衬度时常用的理论。一般情况下，只有样品厚度满足弱相位物近似，在Scherzer欠焦条件下得到的高分辨像才可以直接解释为样品的投影结构，此时黑点代表原子。但弱相位物近似比较苛刻，很难达到。
中科院物理所李方华院士提出一个赝弱相位物理论。我们知道在弱相位物近似下像强度与样品样品的投影势呈线性关系，重原子比轻原子衬度高。随着样品厚度的增加，轻原子的衬度会增加，而重原子的衬度会降低。当样品厚度增加到一定值时，重原子会变得无衬度，甚至轻重原子的衬度会发生反转。根据这个规律，在进行图像处理时可以将对样品厚度的要求放宽到赝弱相位物近似。
关于Van Dyck的通道效应接触得不多，只听他讲过一次。简单地说就是将一个个原子看成是一个个凸透镜，重原子比轻原子对电子的会聚能力更强一些。我有一张他讲座时PPT，可能对大家有帮助。

关于非线性成像，简单来说就是考虑了衍射束之间的相互作用。准确描述成像系统对像强度的影响应该用TCC（Transmission Cross Coefficien）理论，TCC是不做任何近似。

对，TCC方法很适合于解析表达与分析，可详见陈江华04年与van Dyck发表在Ultramicroscopy上的文章。顺便说一下，在实际模拟计算中，TCC方法并不实用，尽管spatial coherence的包络可以近似分离，但是temporal coherence的包络无法分离，因此需要4维的计算。一般情况下都是采用2维的incoherent summation方法。准确来说，TCC表达式是由incoherent summation方法推导出来的。

ustb 发表:通道效应是Van Dyck学派解释高分辨像衬度时常用的理论。一般情况下，只有样品厚度满足弱相位物近似，在Scherzer欠焦条件下得到的高分辨像才可以直接解释为样品的投影结构，此时黑点代表原子。但弱相位物近似比较苛刻，很难达到。
中科院物理所李方华院士提出一个赝弱相位物理论。我们知道在弱相位物近似下像强度与样品样品的投影势呈线性关系，重原子比轻原子衬度高。随着样品厚度的增加，轻原子的衬度会增加，而重原子的衬度会降低。当样品厚度增加到一定值时，重原子会变得无衬度，甚至轻重原子的衬度会发生反转。根据这个规律，在进行图像处理时可以将对样品厚度的要求放宽到赝弱相位物近似。
关于Van Dyck的通道效应接触得不多，只听他讲过一次。简单地说就是将一个个原子看成是一个个凸透镜，重原子比轻原子对电子的会聚能力更强一些。我有一张他讲座时PPT，可能对大家有帮助。

关于非线性成像，简单来说就是考虑了衍射束之间的相互作用。准确描述成像系统对像强度的影响应该用TCC（Transmission Cross Coefficien）理论，TCC是不做任何近似。

有没有实例？
或者有没有相关文献，利用HAADF观察到了Si的dumbbell，盼告知。
谢谢！

陈江华的文章之前我已经看了，我想虽然我们的TEM没有办法与球差校正的电镜比分辨率，但是我觉得从他的文章可以看出，非线性成像或者channeling－contrast imaging确确实实可以提高分辨率，特别是对于比较厚的样品。也就是说，偶尔在普通的电镜上的得到反映出这种看上去像dumbbell结构的HRTEM，也是完全可能的。
因为小弟接触比较少，看看各位有什么建议。
还有这句话怎么理解：
However, for linear atomic imaging the
resolution achievable is degraded by the noise,
while for non-linear atomic imaging the resolution
can be enhanced by the dynamic electron channeling
effect in a zone orientation. 引自陈老师的Ultramicroscopy
我的意思是，channeling effect和non－linear atomic imaging二者之间有什么联系？

这个几年前就实现了。但是这跟现在讨论的TEM分辨率是两码事。
practical STEM

在无像差校正电镜中，既有点分辨率外衬度传递函数的振荡引起的细节，也有一定的非线性成像ultrafine细节，但是这些高分辨细节都是很难与原子位置相对应的artifacts，也许实际意义并不是很大。而在像差校正电镜中，这些细节是与原子位置对应的。
另外，channelling contrast imaging，也就是amplitude contrast imaging，需要借助于负球差与过焦条件（可参考Foschepoth,Kohl的文章），而普通电镜是无法实现channelling contrast imaging的。
陈老师的那句话没有读懂，呵呵。个人理解channelling effect只涉及电子束与样品作用，而nonlinear imaging只涉及成像，但是如果出现channelling effect，且在特定成像条件下，非线性成像将贡献可观察到的超高分辨率细节。据说在TEAM project上面已经在Si上观察到超高分辨率细节了。
有时间的话我做个模拟，比较下普通电镜下线性成像与非线性成像的影响。