pplj82
第14楼2009/08/18
在B4C处的点分析数据
Element Weight% Atomic%
B K 44.25 50.38
C K 45.50 46.63
O K 1.52 1.17
Al K 0.51 0.23
Cu K 8.23 1.59
Totals 100.00
这个是界面处,在最粗的那个反应相根部位置分析的
Element Weight% Atomic%
B K 12.88 28.50
C K 25.59 50.96
O K 1.06 1.59
Al K 1.72 1.53
Cu K 17.71 6.67
Zr K 41.03 10.76
Totals 100.00
TEM型号JEM-2100,电压200kV,样品台是双倾台,至于放的方向,试样做过好几次,两面都放过。
pplj82
第15楼2009/08/18
按版主的说法,我这个Cu峰应该是Zr_K激发铜环的Cu_K后,剩余能量形成的逃逸峰?虽然Zr_K的能量基本上是两倍左右Cu_K的能量,但是还是有区别。Zr_K(alpha): 15.747ev,Zr_K(beta):17.669ev. Cu_K(alpha):8.04ev,Cu_K(beta):8.9ev.按理说剩余能量的逃逸峰值和Cu的峰值出现位置是有些微差别的,但是根据我做的点分析结果,Cu峰出现的位置是正好的8.04和8.9的位置。不太像是逃逸峰的结果。
“TEM光源处硬X射线在铜环上激发的Cu峰”这个怎么和我界面处的Cu峰相对应,麻烦斑竹多费些口水,我不是很明白。感谢啊。
我发现Cu峰出现的位置,也是Zr峰出现的位置,所以一直想把这两者联系起来,找个说法。版主你能不能把你的idea解释得更详细些啊。
蓝莓口香糖
第17楼2009/08/18
我的猜测是那个峰主要是Zr激发的Cu_K,逃逸峰在周围离得很近。出现这样的情况不常见,可能和当时的几何位置有关。FIB样品很小,而且是粘在铜支柱的一侧,有可能出现遮挡。比如,样品在铜支柱的左下,而EDS探头在右上,铜支柱的厚度至少有20微米,甚至更厚,这就相当于在样品和探头之间有一堵铜墙。TEM中EDS探头离样品很近,如果样品没有适当倾转,有可能完全处于铜支柱的阴影中,那么Zr的信号就会在铜支柱上激发Cu峰。
这些都是猜测,需要验证。最好再做一次TEM,放样品的时候注意,让样品进入电镜后位于铜支柱的上表面,然后向探头倾转11度左右再采集信号,看看是否界面处仍然有很强的Cu信号。SEM中没看到铜,可能是因为恰好铜环被放置成样品朝上,并且探头离样品较远。