呵呵，关键在于色谱柱的选择，只要有办法色谱柱不堵，FPD的火焰口不沉积样品，还是有办法的。
气相色谱最大的优势就是成本低

拿到了电子级三氯氢硅杂质分析国家标准的讨论稿，在冷焰模式下测PO，但是样品处理过程没有做好硅基体的去除，对结果表示怀疑中...

又有文本共享一下，不知道PO的产率稳定性如何呢

目前只有文本版的，过几天去扫描下再传上来，我是觉得这个讨论稿漏洞很多...

期待中！！！

应助工程师

冒着被公司的老大打死的危险，就我自己做的情况如下：
1、冷焰的确实灵敏度很低，不过上不影响结果；
2、MSA法拉曲线的时候，酸空白的要比实际样品的更难拉一些，原因不详；
3、0.5/1/2/5ppb的曲线还是直直的，冷焰下；
4、处理UMG硅，硝酸氢氟酸硫酸第一次加热完之后，再加一次少量的氢氟酸重新赶酸，这样的结果要比只赶1次酸的结果稳定；
5、我承认UMG的磷元素是比三氯氢硅之类的高多多，所以加大样品的取样量对结果有没有影响，得请您回答。
6、最后添加一下，如果我测试的结果没错的话，按照这个处理方法，最后溶液的硅都是在ppb或者几十个ppb级别的

应助工程师

PS:最后是用超纯水直接溶解，不用稀硝酸。

还有一点，P在处理的过程中受到交叉污染的可能性较大！

支持popo兄的观点。最好别用冷焰测定P。P本来就较难电离，冷焰的话离子化效率就更低了。

那是在cool模式下加氧测PO吗，还是不加氧直接测啊？