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  • 第21楼2005/09/27

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    精彩，学习到了，好厉害，通常所说的晶体是一个柱状物，分为两部分，前端就是Si（Li）晶体，后端是FET，这个FET应该就是您所说的PENTA FET，有幸看到过这样的晶体图片，在后端的FET里面确实有五根非常细的铜线连出

    renxin 发表:这个回答不对， S/S 不是用在 晶体上的， 而是用在 场效应晶体管上的。
    OXFORD的 晶体管是专利设计， 叫PENTA FET， 就是 五脚的意思， 其中一脚就是 S/S。

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  • 第22楼2005/09/27

    这里有一张图，我经常解剖 能谱探头， 希望对大家有帮助。

    tao______ 发表: 精彩，学习到了，好厉害，通常所说的晶体是一个柱状物，分为两部分，前端就是Si（Li）晶体，后端是FET，这个FET应该就是您所说的PENTA FET，有幸看到过这样的晶体图片，在后端的FET里面确实有五根非常细的铜线连出

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  • 第23楼2005/09/28

    多谢，麻烦讲一下另外四根线具体是干吗的？

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  • 第24楼2005/09/29

    Ge晶体优点：由于在Ge晶体中产生1电子－空穴对只需要约3eV，而在Si（Li）晶体中则需要约3.8eV，所以Ge晶体探测器具有更高的分辨率。
    Ge晶体缺点：它对低温的要求比Si（Li）晶体更严苛。

    renxin 发表:精彩， 正是这样， 接着问， GE晶体和 SI(LI)晶体 相比较好处和坏处在哪里呢

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  • 第25楼2005/09/29

    兄弟我干点儿苦力活儿，把大家的发言总结一下。免得看起来有点不系统。个人有这个感觉，呵呵。（红体字为RENXIN斑竹的精彩解答，黑体字为各位朋友的发言。）上班时间搞得，不太好，请见谅。以后我会把以前的每周一问都总结一下贴出来。如果各位斑竹不反对的话。
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  • 第26楼2005/09/29

    功能说的不差，但老和尚怎么记得FET只有源栅漏（可以有多栅），没有集发基啊？

    renxin 发表:这就是基础 电子学知识了， FET是经过改良的放大器型三极管， 其中三角 是 三极管的 基极 (BASE)， 收集极 (COLLECTOR)， 和发射极 (EMMITTER)， 这是 FET的 主要功能区， 就是放大， 另两个， 一个是 S/S， 就是复位电压， 作用是将 含有信号的波形(RAMP) 在适当的 PROCESSING TIME进行归零复位。 最后一个叫加热电压 (HEATING V)，功能是设定FET正常的工作温度。

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  • 第27楼2005/09/30

    正是， GE晶体纯度要比SI高， 所以没有空洞， 不需要用 LI漂移 补偿， 所以 处理 X光子效率高。
    为了保持 GE晶体的稳定性， 用不用都必须 添加液氮， 使得维护变得很麻烦，

    SeanWen 发表:Ge晶体优点：由于在Ge晶体中产生1电子－空穴对只需要约3eV，而在Si（Li）晶体中则需要约3.8eV，所以Ge晶体探测器具有更高的分辨率。
    Ge晶体缺点：它对低温的要求比Si（Li）晶体更严苛。

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  • 第28楼2005/09/30

    太好了， 我代表大家向您表示感谢。

    silsil 发表:兄弟我干点儿苦力活儿，把大家的发言总结一下。免得看起来有点不系统。个人有这个感觉，呵呵。（红体字为RENXIN斑竹的精彩解答，黑体字为各位朋友的发言。）上班时间搞得，不太好，请见谅。以后我会把以前的每周一问都总结一下贴出来。如果各位斑竹不反对的话。
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  • 第29楼2005/09/30

    查了一下， 看来 我需要 更经常些 更新 记忆， 您是对的， 我讲错了。

    renyi 发表:功能说的不差，但老和尚怎么记得FET只有源栅漏（可以有多栅），没有集发基啊？

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  • 第30楼2005/10/27

    Ge探头鉴定完毕

    newkingtor 发表:牛津也出锗探头了？锗探头的分辨率好像要比这个高。

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