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acronis
第42楼2011/12/29
更正一下， “交叉色散不适合于光电直读的方式，因为这会弄得整个光学系统及其巨大。”此话有误，交叉色散在相同的分辨率下其实反而有利于缩小体积。我错误的看成了另外一种结构，在此更正并致歉
acronis(acronis) 发表: 交叉色散不适合于光电直读的方式，因为这会弄得整个光学系统及其巨大。对光电直读用罗兰圆足够了。采用中阶梯光栅色散系统，成本过高，不管是中阶梯光栅还是制冷型CCD都是光电直读难以承受的。中阶剃光栅系统能检测几乎所有的谱线，性能上相对于火花直读过与奢侈了。
效率上，没有中阶梯光栅效率低的说法。实际上中阶梯光栅有很高很平坦的效率曲线，采用李特罗或者近似李特罗的入射角入射，可以获得全波段30%以上的效率，这是非常厉害的。更重要的是，中阶梯光栅分光具有更高的色散率，这可以缩短焦距，提高F/#,这又提高了光通量。从光学系统的效率而言，中阶梯光栅的结构大大优于罗兰圆，但还是前面说的，性能好过了头。
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jack510070
第47楼2012/03/22
CCD普遍的最大QE（光子效率）一般在400nm附近，大多数CCD都在250nm有很好的检测能力，然而CCD在真空紫外域有一个灾难性的“QE凹坑”，原因是通常工艺制造的CCD器件中光子要穿越透明的多晶硅电极层，而这个多晶硅层对真空紫外光子有很强的吸收。为了解决这个问题，用于真空紫外的CCD一般采用基片减薄、背面受光的结构，使其工艺复杂度大为上升。因此，可以在200~220nm谱域工作的CCD是很昂贵的，而在200纳米以下工作的CCD就更不用说了。
如果用罗兰圆和CCD线阵的结构，只需要几块紫外增强型的线阵，而如果用面阵的话，整块紫外增强型面阵器件的成本要远远高出，这就是目前大多数厂家倾向于线阵结构的原因吧。
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yushushi
第48楼2012/03/31
多谢解惑！学习了。
jack510070(jack510070) 发表:CCD普遍的最大QE（光子效率）一般在400nm附近，大多数CCD都在250nm有很好的检测能力，然而CCD在真空紫外域有一个灾难性的“QE凹坑”，原因是通常工艺制造的CCD器件中光子要穿越透明的多晶硅电极层，而这个多晶硅层对真空紫外光子有很强的吸收。为了解决这个问题，用于真空紫外的CCD一般采用基片减薄、背面受光的结构，使其工艺复杂度大为上升。因此，可以在200~220nm谱域工作的CCD是很昂贵的，而在200纳米以下工作的CCD就更不用说了。
如果用罗兰圆和CCD线阵的结构，只需要几块紫外增强型的线阵，而如果用面阵的话，整块紫外增强型面阵器件的成本要远远高出，这就是目前大多数厂家倾向于线阵结构的原因吧。
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mlb2003
第49楼2012/03/31
了解的这么多，是做这方面研究工作的么？
jack510070(jack510070) 发表:CCD普遍的最大QE（光子效率）一般在400nm附近，大多数CCD都在250nm有很好的检测能力，然而CCD在真空紫外域有一个灾难性的“QE凹坑”，原因是通常工艺制造的CCD器件中光子要穿越透明的多晶硅电极层，而这个多晶硅层对真空紫外光子有很强的吸收。为了解决这个问题，用于真空紫外的CCD一般采用基片减薄、背面受光的结构，使其工艺复杂度大为上升。因此，可以在200~220nm谱域工作的CCD是很昂贵的，而在200纳米以下工作的CCD就更不用说了。
如果用罗兰圆和CCD线阵的结构，只需要几块紫外增强型的线阵，而如果用面阵的话，整块紫外增强型面阵器件的成本要远远高出，这就是目前大多数厂家倾向于线阵结构的原因吧。