我还想起另外一件事。TEM的电压好象是不能连续调节（至少多数机型不行）。但是Gatan GIF可以在3kV的范围内对加速电压做补偿。以JEOL的电镜做例子，这个是怎么实现的？难道加速电极里有些部分是能连续变化的？变化范围多大？

电镜还有加速电压的补偿功能吗，一般电镜不是要求稳定吗，要是加速电压能一定的变化的话，那电子束的强度不是会有很大的波动吗，这样不仅对束的亮度，对样品也有很大影响的吧，

不理解其中的道道，谁能介绍一下

这个功能是由EELS系统控制的，当然最终还是通过电镜的硬件执行，我没看到实际接线，所以才来问这个问题。电镜本身不能实现这个功能，也没必要有这个功能。但是既然能损谱系统能控制，说明硬件有这个潜力，我就想知道实际是通过那个部件实现的，活动范围多大。

应助达人

蓝莓这个问题最后是怎么解决的?

木有解决，我在等上帝呢。

应助达人

偶觉得可能是有的书说错了, Wehnelt应该其静电透镜的作用, 应该低于灯丝电势.......

栅极电势确实低于灯丝，也确实有静电透镜的作用。

带老婆孩子到海南休了2个星期假，真爽啊！最大的收获是儿子快学会游泳了。

书回正传，关于场发射的能量问题以前还真没有考虑过，一直就把他当成了200kv，没有用心思去想A1，A2对他的影响。我现在现想后说说我的心得。
1，首先我想知道如果A1,A2的变化对于电子束来说是一个变量的话（我认为是），也是说对于200KV来说已经不是严格意义上的200KV了，如果A1，A2是稳定不变的话会对你的结果会有影响吗？我想你考虑的不是这个问题吧，他不因该有影响的，就像我们用秤撑东西，我们如果用了一个固定的筐装鸡蛋一起秤，称有这个功能可以将这个筐的重量刨除重新设置零点。EELS也一样，零峰也可以校整，而在此基础上我们可改变的电压还是200KV。当然EELS控制HT是从0-3KV，他是GATAN通过计算机给TEM信号来完成的，21系列的通过网卡，20系列的通过RS232接口。
2，关于BIAS我可以说明白，他和LAB6的BIAS功能不一样，它的作用是用来抑制热电子的，如果你观察过升场的全过程，你就会发现当FIL升完后EMSN会有10uA左右的电流，这就是1800K产生的热电子发射，当BIAS一开始增加后它将迅速消失EMSN变为0了，从而保证电子束完全是从灯丝的尖端发出，以减少噪声。他和LAB6起到反馈的作用不同。
3，FEG DATA一般工程师设置好了后轻易不要动了，尤其是FIL和BIAS。FIL如果调的太高会影响灯丝的寿命。BIAS就是一个固定值，为什么是-300V我不知道，当然-302或-298V也应该没有问题。A1会改变电子束的亮度，影响EMSN成正比，同时也会影响到能量分辨率，成反比。A2会影响亮度成正比，但它也会影响束斑尺寸成正比。
4，A2是和第二加速级之间形成了一个静电透镜，起到汇聚作用，first cross-over点在GUN偏转线圈中，不象LAB6的在栅极帽下面。

关于能量改变的事也就是自己的想法，不知对否？

休假真好！

神呀，你终于出现了。
如果各个电压都是稳定不变的，当然就是个重新设置零点的问题，用起来不会有太大区别。我只是觉得如果真是这个额外的部分有10kV左右，但是名义值直接忽略掉仍然视为200kV，似乎有点过于粗糙。160-200kV的变化对光路会有巨大影响，10kV的变化亮按说也会有影响。光路中各透镜之间的耦合面都是计算好的，如果10kV是总能量的浮动量，那么当用户改变和这些部分相关的设置的时候就可能造成光路对中的变化。相反，如果10kV只是个局部变化量，加速级能把这部分能量补偿过来，那后续光路就不会受影响，或者影响很小。这是我的猜测，实际影响可能不如我想象的那么大。

GIF的电压调整还是通过TEM的硬件实现的。这部分硬件能实现电压连续变化？范围，精度能达到多少？200kV的总电压，实现1V级别的精确变化，这个技术要求挺高的吧？

对于偏压的作用我现在还是不太理解。热电子能量偏高，容易溢出。那么当尖端电子能被拔出的时候，热电子肯定更容易被拔出。除非，开始阶段的热电子主要来自灯丝尖端以后很粗的部分，而尖端发射的时候也伴随尖端部分的热电子，只是这部分热电子相对于场发射电子数量很少。如果这样，倒是可以解释为什么栅极设置在尖端后面。

等待你们进一步的讨论，很精彩，学习了