就是基线有差别啊，T4P的非常平直，T1就是普通的基线。

建议butterflygys先生发一条基线上来看看，谢谢！

首先更正一点，俺是女的。正如tutm老师所说，应用T4P方程得到基线非常平直，所以测试样品时得到的热流基本全部是样品引起的，这也是Q2000可以一步法得到比热的原因（普通的三步法是要扣空白基线的）。附图1是我从培训资料里找到的一个Tzero得到的基线和T1得到的基线的对比，附图2是我自己在校正仪器后跑了一个基线看看校正的结果，好像是3月份做的，结果还是不错的，附图3是放大的图，可以看到-50到300，最大的漂移只有9uW左右。

确实，现在就是我在主要操作仪器，所以仪器状态保护的很好。如果有人要自己做的话，我也会再旁边看着，主要怕炉子被污染了。如果想降温也得到好的基线，也必须进行校正，但我很少看降温的，所以一般我都选Heat only的模式校正，及只对升温过程进行校正。我想如果降温过程也校过的话，基线应该也不错吧。但前提是降到多低的温度，降的温度越低，降温速率越慢，也有可能达不到设定的降温速率。我到还真没在这方面考虑太多。其实T4P的模式就是将pan的影响也考虑进去了，用什么盘都可以。如果想精确定量测试或进行重复性测试时，我会用进口坩埚。如果只考察转变温度，如Tg、Tm、时我也会用普通的Pan。因为我来的时候实验室就有很多备货，所以我也没太关心过价钱。

谢谢butterflygys版友提供了这许多信息，Tzero的基线好得多了。
耐驰的类似功能是Beflat。

我们曾在买仪器时也备了一千多套普通坩埚，但是一年左右就用得差不多了，这东西消耗很快。
Tzero坩埚主要是质量一致性很好，应该是比较贵的，你们有充足的备用那就不用担忧啦。

能详细解释下Beflat吗，是软件处理吗，那样的话就不是真实的基线了吧。

那是做三次以上不同升温速度后用软件计算处理，可能原理上与Tzero有些不同，具体的就不清楚了。
这两种应该都是通过实测，获得对热阻的补偿计算，本质上可能近似。

谢谢您的解释，本质的想法应该是一样的吧。

蝴蝶MM，你们的DSC校正一般用几个温度啊？目前我们只用铟校正，其他温度段的校正还没有，你们都怎么校正的啊？

我也只用铟进行校正，因为我的样品大部分都是高分子和药物类的，一般也就到三百多度，所以一个点也就可以了。但是我想多点校正的温度准确度应该会更高，就看有没有这方面的需求了。在200多、300多、400多都有标准物质的。我一般都是称几个mg的铟，用镊子压平后进行校正，第一次使用时要将 Premelt选项挑勾，让铟先预熔与底部紧密接触，压好的铟可以重复使用几次，如果你们很有钱，每次都换新的肯定是最好了。

蝴蝶MM，我好喜欢你啊~~~

对了，你们的温度校正频率是多少啊？