另外：怎么觉得你的图片像素比较低，是论坛限制？还是你用的dwell time比较小？我用20甚至45 微秒都没有问题。

辐照损伤是最主要的。一般分子筛都是高硅样品，氧化硅在电子束下就像棉花糖遇到水........

呵呵，NNS还是比较好用的~随时恭候

可能是tif转jpeg的时候丢信息了吧。。。我CBS探头的Dwell Time是100μs呢。。。

我的意思是5500用20kV为什么没有瞬间把样品照坏掉。而且我问了那个老师，他说是各个电压范围都试了一遍，然后才选了这个。费解。
另外，老谢赶快科普一下。介孔氧化硅是不是晶态的？我听说这种东西都是要烧结之后才能形成介孔结构，构成孔道壁的氧化硅已经晶化了。如果不烧结，整体就是非晶态的，但是很疏松，有很多微孔，但是不形成规则的孔道结构。是不是这么回事？

我觉得应该是由于样品太小，加速电压一高，绝大部分能量都透过样品到下面去了。样品吸收的能量反而小，因此能够保住不被打坏。另外确定5500的没用扫透？有照片没~？

介孔二氧化硅应该是晶态的，SBA-15这东西要在900℃以上烧结过才能出来的~具体情况同待谢老师科普~

5500做的是二次电子像。

介孔硅应该存在各种不同的形态，这是根据不同制作方法形成的。所以有些介孔硅很耐打，比如LZ做的。有些就很虚弱孔径也很小，也没有规则形状，这些样品一打就花了，放放也会花掉，信号量也不大，做起来很困难。比如KIT6。

i好眼力！不过Nova毕竟是大众，麦哲伦是小众，所以先用Nova试一下结果。争取在下周五之前做出麦哲伦在相同条件下的照片，敬请关注~[/quote]

我也很期待看你如何处理分辨能力和信号量之间的关系。虽然我对这个样品不是太在意，不过也能看出一些麦哲伦的信号量问题。

5500要是这样搞可就完蛋了，这是在砸牌子，特别是有ASAHI存在的情况下。

其实5500的接收信号量会比较强，绝对的要强过FEI的任意一款扫描电镜。加速电压小一点（1KV以下），空间发散度也会小一点，同时表面信息也会好一点。按这位老师的条件几乎将5500的优点一抹而尽，看到的尽是弱点。我真不知道他当时如何试过来的。