升高电压束流会增大，高压下电子束穿透薄膜，二次电子产额降低，亮度减小。以往发表过很多这种图像，在电子束下暴露时间一长就会变形。

原来如此，这个解释我觉得很合理，我隔膜厚度20微米左右，是有可能穿透，穿透减少的是se2和se3对吗

但是还有个问题，看上图可以看出，30kv反而变形又没有15kv严重，你看看没成孔片晶得隆起高度就能看出来还有孔型

电子穿透样品的热量是不是有可能没有在样品内部发生弹性散射高呢？是不是可以这样解释。。。

似乎是非弹性散射热量更高。

老师我想问下，如果是电子穿透薄膜，导致的二次电子产率降低，如果样品换成厚度较大（比如铝样品台）应该产率要增加的，可实际情况是跟薄膜一样的。。。

高压的时候会打透样品，你看到的二次电子，包括了从样品内部射出的背散电子引发的二次电子，形成了一种“背景”。等于你“看透”了表面，看到了样品的里面，衬度明显下降，唯一办法就是降电压。这些隔膜是高分子的吧？那更容易打透，我平时看合金用20KV都会有点透，换到10KV表面质感明显增加。

楼主的图，30KV下明显打透了，大量电子都穿到里面去了，表面呈现光滑状。15kv衬度很好，表面起伏感强烈。

Al的激发深度：20千伏 4.2μ ,10千伏1.4 μ，区别也比较大

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